CN1037689A - 制取β-碳化硅的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及无机化学领域。制取β—碳化硅的 方法，包括将粉末状硅和碳与掺杂组分混合，所说掺 杂组分含有氮和氧，其分解温度为323—423K，其加 入量为0.5—10.0％(重量)，向所得混合物中混杂入 导热率为(1—9)×10-4卡/厘米.秒.度的物料，此时 混合物的密度为0.80—1.50克/厘米3，在气体介质 中对上述组分加热处理，处理方法是在压力下使其进 行自扩散高温合成，最后获得目的产物。本发明可用 来制造碳化硅磨料、陶瓷材料和耐火材料。

Description

本发明涉及无机化学领域，更准确地说是涉及制取β-碳化硅的方法，这种碳化硅可用来制造碳化硅磨料、陶瓷材料和耐火材料。
工业上制造碳化硅的主要方法是Ачеон提出的，该方法是于电阻炉中在2073～2273K的温度下用碳将二氧化硅还原。在该方法中，在合成碳化硅时所用的电流强度高达10000安。所得产品含有原料杂质，即石英砂、碳和氯化钠（Карбид    кремния1985，Наукова    думка，Киев）。
所说方法的步骤复杂，需要大量电耗以及专门的设备。此外，在所得的β-碳化硅中含有原料杂质。
已知有一种制取β-碳化硅的方法，该方法是将粒径为0.01～10微米（平均粒径0.33微米）的粉末状硅与炭黑按1∶1比例在乙醇中混合，将压制到密度达1.2克/厘米3的该混合物置石英管中并在氩气介质中以感应电炉将混合物加热至1373～1823K，氩气的通入速度为50升/分，直至放热反应开始。
该方法可获得38%（体积）的β-碳化硅，产品中带有未反应的碳与硅杂质。该方法的缺点是所得的β-碳化硅产品纯度低（由于产品中含有原料硅和碳）、耗电量大以及需用复杂的设备。众所周知，掺杂有氮和氧的碳化硅的烧结温度低于那些无该掺杂物的碳化硅。而上述几种方法都不能获得掺杂有氮和氧的β-碳化硅。
已知的制取掺杂有氮和氧的β-碳化硅的方法工艺复杂并包括两步工序：即制取β-碳化硅并接着将其进行掺杂处理。
例如，已知有一种使碳化硅掺杂氮的方法，该方法是用能量为5至500千电子伏的氮离子束照射多晶反应化合的碳化硅，使其生成一层掺杂氮的碳化硅层（GB，A，2100713）。
该方法步骤复杂并需用专门的设备。
还有一种制取掺杂有氮和氧的β-碳化硅的方法是将二氧化硅置于由烃类、氢和惰性气体稀释剂特别是氮所组成的气氛中加热至1473～1873K（US    4327066）。
但是，上述制取掺杂有氮和氧的β-碳化硅的方法所用设备结构复杂，并且为了保证其温度达到1873K需消耗大量的电能。
此外，所得的β-碳化碳化硅含有高达2%（体积）的原料组分杂质。
还有一种已知的制取β-碳化硅的方法是将硅粉与碳粉在水中混合，所说硅粉的粒径不超过200微米，通常约为77微米，其纯度为95%，所说的碳可以是天然或人造石墨、炭黑、焦炭，其粒径为0.05～0.1微米，碳/硅比从1∶0.6至1∶2，将此制得的混合物置一耐火容器内在电炉中加热处理1～5小时，使其温度达到1073～1633K直至开始放热反应，加热时使用氧化性气体介质，其中含氧为0.3～35%（体积），反应完毕后取出生成的β-碳化硅（US    4117096）。
按上法制得的β-碳化硅的粒径为5.0微米。
该方法的缺点由于必须予热（温度达1073～1673K并且予热时间达5小时），因此耗电量很大。此外，该已知方法不能获得掺杂有氮和氧的的β-碳化硅。
本发明的任务是使制取掺杂氮和氧的β-碳化硅的工艺简单化。
该任务是这样解决的，在所说的制取β-碳化硅的方法中，将硅粉与碳粉混合，然后将此混合物置气体介质中加热处理，最后取出目的产物，根据本发明，向硅粉与碳粉的混合物中添加一种含有氮和氧的，在323～423K温度下发生分解的掺杂组分，掺杂组分的加入量为0.5～10.0%（重量），向所得的混合物中混杂入一种导热率为（1～9）×10-4卡/厘米·秒·度的物料，此时混合物的密度为0.80～1.50克/厘米3，然后通过谘沽ο伦岳┥⒏呶潞铣墒股鲜龈髯榉址⑸嗷プ饔谩?
作为含有氮和氧，分解温度为323～423K的掺杂组分最好使用选自下列组中的化合物：（NH4）2CO3、CO（NH2）2、（NH4）2C2O4或它们的混合物。
推荐作为气体介质的是使用氮或氮与一氧化碳或氮与二氧化碳的混合物。
同时，最好是氮与一氧化碳的混合物中含有20～40%（体积）的一氧化碳，而氮与二氧化碳的混合物中含20～40%（体积）的二氧化碳。
推荐用作混杂入混合物中的导热率为（1～9）×10-4卡/厘米·秒·度的物料为：石棉、厚纸片、普通纸、云母。
最好在0.5～10.0兆帕压力下进行自扩散高温合成。
推荐的硅/碳粉末混合时的摩尔比相应为1∶0.8～1.2。
当所用的含氮和含氧，其分解温度为323～423K的掺杂组分的用量低于0.5%（重量）或高于10.0%（重量）时，以及在压力高于10.0兆帕或低于0.5兆帕进行自扩散高温合成时，由于原料组分污染产品，使目的产物的产率降低。
使用分解温度低于323K或高于423K的含氮和氧的掺杂组分，将粉末状碳、硅和上述掺杂添加剂的混合物材料的密度改变为低于0.80克/厘米3或高于1.50克/厘米3，以及在此时使用导热率高于9×10-4卡/厘米·秒·度或低于1×10-4卡/厘米·秒·度的物料，由于原料组分对产品的污染，也会导致目的产物的产率降低。
使用含氮和氧，其分解温度为323～423K，选自下列组中的化合物：（NH4）2CO3、CO（NH2）2、（NH4）2C2O4或它们的混合物作为掺杂组分;同时，作为气体介质使用的是氮和一氧化碳或氮和二氧化碳的混合物，并且最好其中的一氧化碳或二氧化碳的含量为20～40%（体积），在进行自扩散高温合成时压力为0.5～10.0兆帕，以及硅/碳粉末混合时的摩尔比相应为1∶0.8～1.2，可以使最终产物获得高产率。
偏离上述特征的这一方面或那一方面，都会由于未反应原料组分的污染而降低目的产物的产率，并且需要进行补充的纯化。
本发明制取β-碳化硅的方法按下述方式进行。
将粉末状硅、碳和掺杂组分混合，所说的掺杂组分含有氮和氧，分解温度为323～423K，其加入量为0.5～10.0%（重量），它们选自例如（NH4）2CO3、（NH4）2C2O4、CO（NH2）2或它们的混合物。
同时，所用硅粉的粒度小于12微米，它们可以是晶形、无定形或其混合物。所用的碳可以是例如，炭黑、石墨或其他含碳物质。此时，最好使硅/碳混合摩尔比相应为1∶0.8～1.2。
向所得混合物中混杂入导热率为（1～9）×10-4卡/厘米·秒·度的物料，此时混合物的密度为0.80～1.50克/厘米3，在气体介质中将上述组分在压力下通过自扩散高温合成进行加热处理。
同时，作为导热率为（1～9）×10-4卡/厘米·秒·度的物可使用例如石棉、厚纸片、普通纸和云母。
作为气体介质可使用氮、空气与氩的混合物（例如含氩10～50%（体积）），氮与一氧化碳的混合物（例如含一氧化碳20～40%（体积）），氮与二氧化碳的混合物（例如含二氧化碳20～40%（体积））。
自扩散高温合成过程的点火方法是通过一段电阻丝，供给瞬时脉冲电流，这时可使合成温度达到2000～3000K。也可借助于例如电弧、电火花、光线或激光来点燃上述组分使其发生相互作用。
在自扩散高温合成过程结束后，待反应器冷却，然后取出目的产物并分析其中所含的氮、氧和游离碳。
上述制取β-碳化硅的方法可以通过简化的工艺步骤来制取掺杂氮和氧的β-碳化硅。
此时，获得的β-碳化硅的比表面可以达到0.5～15.0米2/克。
为了更好地解释本发明，列举如下实施例。
实施例1
制取β-碳化硅的方法按下列步骤进行。
将粒径小于12微米的硅粉和与硅的摩尔比等于1.0∶1.0的工业用碳以及用量为0.5%（重量）的掺杂组分（即碳酸铵）混合。向所获的混合物中混杂入厚纸片（导热率λ＝3.3×10-4卡/厘米·秒·度），此时混合物的密度为1.1克/厘米3，将混合物置反应器中并通过在0.5兆帕压力下自扩散高温合成进行加热处理，合成时所用的气体介质为空气与氩的混合物，内含50%（体积）的氩。此时，通过一段与上述组分接触的电阻丝供给瞬时脉冲电流引发这些组分的本身点火。
在混合物中开始自扩散高温合成，这一合成在温度达3000K条件下，以0.5毫米/秒的速度进行。
在上述合成过程结束，反应器冷却后，取出目的产物并分析其中所含的氮、氧和游离碳。
所得掺杂氮和氧的β-碳化硅的比表面为7米2/克。
对所得β-碳化硅的化学分析结果列于下面表中。
实施例2
制取β-碳化硅的方法与实施例1相似，不同之处是此时用尿素作为掺杂组分，其加入量为硅与碳混合物的5.0%（重量）。此外，向所得混合物中混杂入石棉纤维（λ＝3.75×10-4卡/厘米·秒·度），此时混合物的密度为1.2克/厘米3，而自扩散高温合成在3.0兆帕压力下进行，所用的气体介质为氮与一氧化碳的混合物，内含一氧化碳20%（体积）。
所得的掺杂氮和氧的β-碳化硅的比表面为9米2/克。
对所得β-碳化硅的化学分析结果列于下面表中。
实施例3
制取β-碳化硅的方法与实施例1相似，不同之处是所用的硅/硅摩尔比为1.0∶0.8，同时采用碳酸铵作为掺杂组分，其加入量为10%（重量）。向所得混合物中混杂入普通纸（λ＝1.4×10-4卡/厘米·秒·度），此时混合物的密度为1.0克/厘米3，而自扩散高温合成在7.0兆帕压力下进行，所用的气体介质为氮与二氧化碳的混合物，内含二氧化碳30%（体积）。
所得的掺杂氮和氧的β-碳化硅的比表面为15米2/克。
对所得β-碳化硅的化学分析结果列于下面表中。
实施例4
制取β-碳化硅的方法与实施例1相似，不同之处是所用的硅/碳摩尔比为1.0∶1.2，同时采用草酸铵作掺杂组分，其加入量为2%（重量）。向所得混合物中混杂入云母（λ＝5.7×10-4卡/厘米·秒·度），此时混合物的密度为1.5克/厘米3，而自扩散高温合成在10.0兆帕压力下进行，所用的气体介质为空气与氩的混合物，内含空气40%（体积）。
所得的掺杂氮和氧的β-碳化硅的比表面为10米2/克。
对所得β-碳化硅的化学分析结果列于下面表中。
实施例5
制取β-碳化硅的方法与实施例1相似，不同之处是所用硅/碳摩尔比为1.0∶1.1，同时采用尿素作掺杂组分，其加入量为6.1%（重量）。向所得的密度为0.8克/厘米3的混合物中混杂入石棉纸板（λ＝2.5×10-4卡/厘米·秒·度），自扩散高温合成在1.0兆帕压力下进行，所用的气体介质为氮与一氧化碳的混合物，内含一氧化碳40%（体积）。
所得的掺杂氮和氧的β-碳化硅的比表面为5米2/克。
对所得β-碳化硅的化学分析结果列于下面表中。
实施例6
制取β-碳化硅的方法与实施例1相似，不同之处是采用草酸铵作掺杂组分，其加入量为1.0%（重量）。向所得的混合物中混杂入石棉布（λ＝3.0×10-4卡/厘米·秒·度），此时混合物的密度为0.9克/厘米3，而自扩散高温合成在4.0兆帕压力下进行，所用的气体介质为空气与氩的混合物，内含氩90%（体积）。
所得的掺杂氮和氧的β-碳化硅的比表面为6米2/克。
对所得β-碳化硅的化学分析结果列于下面表中。
实施例7
制取β-碳化硅的方法与实施例1相似，不同之处是所用的硅/碳摩尔比为1.0∶0.9，同时采用草酸铵作掺杂组分，其加入量为1.5%（重量），向所得混合物中混杂入石棉纤维（λ＝3.75×10-4卡/厘米·秒·度），而自扩散高温合成在2.5兆帕的压力下进行，所用的气体介质为氮与二氧化碳的混合物，内含二氧化碳20%（体积）。
所得的掺杂氮和氧的β-碳化硅的比表面为7米2/克。
对所得β-碳化硅的化学分析结果列于下面表中。
实施例8
制取β-碳化硅的方法与实施例1相似，不同之处是用尿素作掺杂组分，向所得混合物中混杂入压实的石棉（λ＝9×10-4卡/厘米·秒·度），此时混合物的密度为1.0克/厘米3，而自扩散高温合成在6.0兆帕的压力下进行，所用的气体介质为氮与二氧化碳的混合物，内含二氧化碳40%（体积）。
所得的掺杂氮与氧的β-碳化硅的比表面为6.5米2/克。
对所得β-碳化硅的化学分析结果列于下面表中。
实施例9
制取β-碳化硅的方法与实施例1相似，不同之处是用尿素与草酸铵的混合物作掺杂组分，内含草酸铵85%（重量），其加入量为1.1%（重量），向所得混合物中混杂入石棉纤维（λ＝3.75×10-4卡/厘米·秒·度），此时混合物密度为0.85克/厘米3，自扩散高温合成在3.0兆帕压力下进行，所用的气体介质为氮。
所得的掺杂氮和氧的β-碳化硅的比表面为9米2/克。
对所得β-碳化硅的化学分析结果列于下面表中。
实施例10
制取β-碳化硅的方法与实施例1相似，不同之处是用草酸铵与碳酸铵的混合物作掺杂组分，内含草酸铵10%（重量），其加入量为0.55%（重量），向所得混合物中混杂入普通纸（λ＝1.0×10-4卡/厘米·秒·度），此时混合物的密度为0.85克/厘米3，自扩散高温合成在0.4兆帕压力下进行，所用的气体介质为氮与一氧化碳的混合物，内含一氧化碳50%（体积）。
所得的掺杂氮和氧的β-碳化硅的比表面为8米2/克。
对所得β-碳化硅的化学分析结果列于下面表中。
实施例11
制取β-碳化硅的方法与实施例1相似，不同之处是用碳酸铵与尿素的混合物作掺杂组分，内含尿素50%（重量），其加入量为0.55%（重量），向所得混合物中混杂入普通纸（λ＝2.0×10-4卡/厘米·秒·度），此时混合物密度为1.0克/厘米3，而自扩散高温合成在15.0兆帕的压力进行，所用气体介质为氮与一氧化碳的混合物。
所得的掺杂氮和氧的β-碳化硅的比表面为6米2/克。
对所得β-碳化硅的化学分析结果列于下面表中。
表
β-碳化硅的化学组成，%（重量）
游离碳    氧    氮
实施例1    0.20    1.50    1.80
实施例2    0.30    2.50    2.40
实施例3    0.40    2.0    2.10
实施例4    0.60    2.30    2.60
实施例5    0.50    2.40    2.30
实施例6    0.30    2.0    2.70
实施例7    0.40    1.50    2.50
实施例8    0.50    2.0    2.0
实施例9    0.15    1.50    2.50
实施例10    0.20    2.70    2.60
实施例11    0.25    2.0    3.70
按现有方法所得产品    0.70    0.5-1.0    0.4
（US4117096）

Claims (8)

1、制取β-碳化硅的方法，通过将粉末状的硅和碳混合，接着在气体介质中对该混合物进行加热处理，然后获得目的产物，其特征在于，向粉末状的硅碳混合物中添加一种掺杂组分，所说掺杂组分含氮和氧，其分解温度为323～423K，加入量为0.5～10.0%(重量)，向所得混合物中混杂入一种导热率为(1～9)×10-4卡/厘米·秒·度的物料，此时混合物的密度为0.8～1.50克/厘米3，在气体介质中通过在压力下的自扩散高温合成进行上述组分的加热处理。
2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用作掺杂组分的化合物含有氮和氧，其分温度为323～423K，所说的化合物选自：碳酸铵、尿素、草酸铵或它们的混合物。
3、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所用气体介质为氮或氮与一氧化碳或氮与二氧化碳的混合物。
4、根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所用的气体介质为氮和一氧化碳的混合物，内含一氧化碳20～40%（体积）。
5、根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所用气体介质为氮与二氧化碳的混合物，内含二氧化碳20～40%（体积）。
6、根据权利要求5所述的方法，其特征在于，用作导热率为（1～9）×10-4卡/厘米·秒·度的物料选自：石棉、厚纸片、普通纸和云母。
7、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所说的自扩散高温合成是在0.5～10.0兆帕压力下进行
8、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所说的粉末状硅和碳混合的摩尔比相应为1∶0.8～1.2。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1304286C (zh) * 2004-12-30 2007-03-14 清华大学 一种SiC微米粉体的制备方法
CN101648709B (zh) * 2008-08-16 2011-09-14 贾玉东 一种冶炼绿色碳化硅磨料的方法
CN102211768A (zh) * 2010-04-07 2011-10-12 佶益投资股份有限公司 制造碳化硅原料的方法
CN103058192A (zh) * 2013-01-06 2013-04-24 保定科瑞晶体有限公司 一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法
CN105293499A (zh) * 2015-11-30 2016-02-03 西安电子科技大学 一种b、n共掺杂碳化硅纳米吸波材料的制备方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1058692C (zh) * 1995-10-26 2000-11-22 北京有色金属研究总院 离心自蔓延制取陶瓷衬管的点火方法
CN101343062B (zh) * 2007-07-13 2012-02-29 贾玉东 一种冶炼绿色碳化硅磨料的方法
CN102863953A (zh) * 2012-10-16 2013-01-09 桂林理工大学 自蔓延高温合成致白光LED用红色荧光粉Sr2Si5N8:Eu2+的方法
WO2023171713A1 (ja) * 2022-03-09 2023-09-14 国立大学法人東北大学 二酸化炭素の資源化方法及び固形炭化物の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3535080A (en) * 1969-02-18 1970-10-20 Norton Co Apparatus and method for the continuous furnacing of borides,carbides and silicides
JPS5325300A (en) * 1976-08-20 1978-03-08 Nippon Crucible Co Process for preparing betaatype silicon carbide particle
JPS5850929B2 (ja) * 1978-03-10 1983-11-14 株式会社東芝 炭化ケイ素粉末の製造方法
DE2922280C2 (de) * 1979-05-31 1982-07-22 Nippon Crucible Co., Ltd., Tokyo Verfahren zum Herstellen von pulverförmigem ß-Siliziumcarbid
US4217335A (en) * 1979-06-14 1980-08-12 Nippon Crucible Co., Ltd. Process for producing β-silicon carbide fine powder
JPS5684310A (en) * 1979-12-14 1981-07-09 Hiroshige Suzuki Manufacture of betaatype silicon carbide

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1304286C (zh) * 2004-12-30 2007-03-14 清华大学 一种SiC微米粉体的制备方法
CN101648709B (zh) * 2008-08-16 2011-09-14 贾玉东 一种冶炼绿色碳化硅磨料的方法
CN102211768A (zh) * 2010-04-07 2011-10-12 佶益投资股份有限公司 制造碳化硅原料的方法
CN103058192A (zh) * 2013-01-06 2013-04-24 保定科瑞晶体有限公司 一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法
CN105293499A (zh) * 2015-11-30 2016-02-03 西安电子科技大学 一种b、n共掺杂碳化硅纳米吸波材料的制备方法
CN105293499B (zh) * 2015-11-30 2017-10-24 西安电子科技大学 一种b、n共掺杂碳化硅纳米吸波材料的制备方法

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