JPH03500528A - β‐炭化珪素の製造方法 - Google Patents
β‐炭化珪素の製造方法Info
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- JPH03500528A JPH03500528A JP1502225A JP50222588A JPH03500528A JP H03500528 A JPH03500528 A JP H03500528A JP 1502225 A JP1502225 A JP 1502225A JP 50222588 A JP50222588 A JP 50222588A JP H03500528 A JPH03500528 A JP H03500528A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
β−炭化珪素の製造方法
発明の分野
本発明は、無機化学に関し、そしてより詳しくは、カーボランダム研磨剤、セラ
ミック及び耐火性物質のために使用され得るβ−炭化珪素の製造方法に関する。
従来の技術、
Achesonにより提案された方法は、2073〜2273 Kの温度で耐電
気性炉において炭素によるシリカの還元から成る炭化珪素の産業的製造の主要方
法である。炭化珪素を合成するこの方法においては、100OOAまでの強さの
電流が使用される。
最終生成物は、初期物質の不純物、すなわち、珪砂、炭素及び塩化ナトリウムを
含む[5ilicon Carbide、 1985. NaukovaDum
ka (Kiev))。
この方法は技術的に複雑であり、そして多量の電力消費及び特別な装置を必要と
する。さらに、最終β−炭化珪素は、初期物質の不純物を含む。0.01〜10
−(平均粒度0.33μ)の分散度を有する粉末珪素とカーボンブラックとをエ
タノール1.2g/crlの密度に加圧し、そして発熱反応を誘発するために5
01/分のアルゴンの流速でのアルゴン雰囲下で1373〜1823Kまで前記
混合物を加熱することを含んで成るβ−炭化珪素の製造方法は、当業界において
既知である。
既知方法は、未反応炭素及び珪素により汚染された38体積%のβ−炭化珪素の
製造を確保する。この方法は、最終β−炭化珪素が未反応珪素及び炭素の存在に
より低純度のものであること、多くの電力の消費及び複雑な装置において不都合
である。窒素及び酸素によりドープされた炭化珪素は、ドープされていない炭化
珪素の焼結の温度よりも低い温度で焼結される。上記方法は、窒素及び酸素によ
りドープされたβ−炭化珪素を得るための方法を付与しない。
窒素及び酸素によりドープされたβ−炭化珪素を製造する珪素の製造及び続ドー
ピングを含む。
たとえば、窒素によりドープされた炭化珪素層の形成を伴って5〜500Kev
の窒素゛イオンによる多結晶質反応結合の炭化珪素の照射を含む、窒素による炭
化珪素のドーピングの方法は、当業界において既知である(GB、 A、 21
00713)。この方法は、複雑であり、そして特別な装置を必要とする。
炭化水素、水素及不活性ガス希釈剤、特に窒素の混合物から成る雰囲気下で14
73〜1873Kまで二酸化珪素を加熱することを含んで成る、窒素及び酸素に
よりドープされたβ−炭化珪素の製造方法もまた、当業界において既知である(
[IS、 A。
4327066)。
しかしながら、窒素及び酸素によりドープされたβ−炭化珪素を製造するための
この方法は、技術的に複雑であり、そして1873Kまでの高い温度を確保する
ためには多くの電力消費を必要とする。
さらに、最終β−炭化珪素は、初期成分の不純物を2体積%まで含む。
200#−以下、普通?7j−の分散性及び95%の純度を有する粉末珪素と炭
素(炭素源である0、05〜0.1−の粒度を有する天然又は人工のグラファイ
ト、カーボンブラック及びコークス)とを、1:0.6〜1:2.(炭素/珪素
)の比で水中において混合し、その得られた混合物を耐火性ジャケットに入れ、
発熱反応を開始するために、電気炉の中で、酸素0.3〜35体積%を含む酸化
ガス雰囲下で1073〜1673Kまで1〜5時間、前記混合物を加熱し、そし
て製造されたβ−炭化珪素を抽出することを含んで成る、β−炭化珪素の製造方
法もまた当業界において知られている(US、 A、 4117096)。
この既知方法により得られたβ−炭化珪素は、0.05〜5.0−の粒度を有す
る。
この方法は、多量の電力が1073〜1673Kまで5時間の予備加熱により必
要とされることにおいて不都合である。さらに、その既知の方法は、窒素及び酸
素によりドープされたβ−炭化珪素の製造方法を可能にしない。
簡単にされた技術に従って窒素及び酸素によりドープされたβ−炭化珪素を製造
することが本発明の目的である。
発明の開示
本発明は、窒素及び酸素によりドープされたβ−炭化珪素を製造する簡単な技術
を提供する問題に基づいている。
その問題は、本発明に従って、粉末珪素及び炭素を混合し、続いてその混合物を
気体雰囲下で加熱し、そして最終生成物を分離することによる、β−炭化珪素の
製造方法であって、窒素及び酸素を含む、323〜423にの分解点を有するド
ーピング成分(該成分は0.5〜10.0質量%の量で取られる)を、前記粉末
珪素及び炭素の混合物に導入することを特徴とする方法により解決される。次に
、(1−9) ・10−’ cat/cm ・s−degの熱伝導率を有する物
質が0.80−1.50g /alの密度を有する前記製造された混合物に適用
され、そして上記成分の相互反応は、圧力下での自己上昇性高温合成により行な
われる。
窒素及び酸素を含み、そして323〜423にの分解点を有するドーピング成分
として、次の群: (N)14) 2CO3,CD(N)12) 2−(NH,
)2C20,又はそれらの混合物から選択された化合物を使用することが好都合
である。気体雰囲気として窒素又はその混合物及び酸化炭素又は二酸化炭素を用
いることが好ましい。
窒素と酸化炭素との混合物は、酸化炭素20〜40体積%を含み、そして窒素と
二酸化炭素との混合物は、二酸化炭素20〜40体積%を含む。
前記混合物に適用され、そして(1−9) X 10−’ cal/cm・s−
degの熱伝導率を有する物質として、次のシリーズ:アスベスト、板、紙、雲
母から選択された物質を使用することが好ましい。
0.5〜10.0MPaでの圧力下で自己上昇性高温合成を実施することが好ま
しい。粉末珪素及び炭素を、それぞれ1:02〜1.2のその比で混合すること
が好ましい。
窒素及び酸素を含み、そして323〜423にの分解点を有するドーピング成分
が0.5質量以下又は10.0質量%以上で導入され、そして自己上昇性高温合
成が10.0MPa以上又は0.5 MPa以下での圧力下で行なわれる場合、
最終生成物の収量は、初期成分による汚染のために低下する。
初期成分による最終生成物の汚染によるその生成物の収量の低下はまた、窒素及
び酸素を含み、そして323に以下又は423に以上の分解点を有するドーピン
グ成分の使用、前記物質中に置かれた粉末炭素、珪素及び前記ドーピング添加物
の混合物の0.80g/car以下又は1.50g/ca?以上への密度の変化
、及び9 x IQ−’ cat/cm ・s ・deg以上又はI Xl0−
’ cal/cm・s−66g以下の熱伝導率を有する物資の使用に起因する。
窒素及び酸素を含み、そして323〜423にの分解点を有するドーピング成分
として、(NH4)acts、 CD(NH2)2及び(NH4) 2czL又
はそれらの混合物から選択された化合物の使用、及び酸化炭素又は二酸化炭素、
特に酸化炭素又は二酸化炭素の含有物を20〜40体積%含む混合物における窒
素の気体雰囲気の使用、並びに0.5〜100MPaの圧力下での自己上昇性高
温合成の達成及び1:0.8〜1.20モル比での粉末珪素及び炭素の混合は、
それぞれ、最終生成物の高い収量を確保する。
本発明のパラメーターからのずれは、未反応の初期成分による最終生成物の汚染
によりその生成物の収量を低め、そして最終生成物の追加の精製を必要とする。
発明を実施するための最良の態様
本発明のβ−炭化珪素の製造方法は、次の方法で行なわれる。
粉末珪素、炭素、及び窒素及び酸素を含み、且つ323〜423にの分解点を有
するドーピング成分(該成分は0.5〜10.0質量%で使用される)、たとえ
ば(NIl、)2CO,、(NH,)、C20,。
Co (NH−) 2又はその混合物を混合する。
124以下の分散性、結晶性、非晶性の珪素又はそれらの混合物が使用される。
炭素として、カーボンブラック、グラファイト及び他の炭素含有物質が使用され
る。それぞれ珪素/炭素のモル比がに08〜1.2であることが所望される。
(1−9) ・10’cal/cm ・s−degの熱伝導率を有する物質が、
0.80〜1.50g/cutの密度を有する前記得られた混合物に適用され、
そして上記成分が圧力下で自己上昇性高温合成により気体雰囲気において熱処理
される。
アスベスト、板、紙又は雲母が、(1−9) ・10−’ cal/叩・s−d
egの熱伝導率を有する物質として使用される。
気体雰囲気として、窒素、空気とアルゴン(゛たとえば10〜50体積%のアル
ゴン)との混合物、窒素と酸化炭素(たとえば20〜40体積%の酸化炭素)と
の混合物、窒素と二酸化炭素(たとえば20〜40体積%の二酸化炭素)との混
合物が使用される。
自己上昇性高温合成は、たとえばコイルを通して短い電流パルスを適用すること
により開始され、そしてその合成の温度は2000〜3000Kに達する。上記
成分の相互作用はまた、たとえば電気アーク、電気スパーク、光又はレーザー線
の助けにより開始され得る。
自己上昇性高温合成の完結及び反応器の冷却の後、最終生成物が放され、そして
窒素、炭素及び遊離酸素の含有量について分析される。
請求の範囲におけるβ−炭化珪素の製造方法は、簡単な技術に従って、窒素及び
酸素によりドープされたβ−炭化珪素の製造を確保する。
製造されたβ−炭化珪素の比表面積は、0.5〜15.0m”/ gである。
本発明をより理解するために、次の特定の例を例示的に与える。
例1
β−炭化珪素の製造方法は、次の通りにして達成される。
12−以下の粒度を有する粉末珪素を、1.0:1.0のモル比で市販の炭素と
共に混合し、そしてドーピング成分、すなわち炭酸アンモニウム(0,5質量%
の量)と共に混合する。
板(β=3.3 ・10−’ cal/cm−s−deg)を、1.1g/ca
rの密度を有する前記得られた混合物に適用し、その混合物を反応器中に置き、
そして気体雰囲気として50体積%のアルゴンを含む、空気とアルゴンとの混合
物の使用により、0.5 MPaの圧力下で自己上昇性高温合成により熱処理に
ゆだねる。その合成は、上記成分と接触するコイルを通して適用される短い電流
パルスの助けによる成分の局所的な燃焼により開始される。
自己上昇性高温合成は混合物中で始まり、そして3000にで0、5 am/秒
の速度で進行する。
合成過程の完結及び反応器の冷却の後、最終生成物が放され、そして窒素、炭素
及び遊離酸素の含有量について分析される。
窒素及び酸素によりドープされるβ−炭化珪素は7m”/gの比表面積を有する
。製造されたβ−炭化珪素の化学的分析の結果は、下記表に示される。
例2
β−炭化珪素の製造方法を、例1に記載される方法に従って行なう。但し、ドー
ピング成分として、5.0質量%の量で珪素及び炭素の混合物中に導入されるカ
ルバミドを使用する。
ファイバーアスベスト(λ=3.75 ・10−’ cal/ca+−s −d
eg)を、1.2g/catの密度を有する前記得られた混合物に適用し、そし
て自己上昇性高温合成を、気体雰囲気として、20体積%の酸化炭素を含む、窒
素及び酸化炭素の混合物の使用により3、 OMPaの圧力下で行なう。
窒素及び酸素によりドープされたその製造されたβ−炭化珪素は、9m”/gの
比表面積を有する。
最終β−炭化珪素の化学的分析の結果は、下記表に与えられる。
例3
β−炭化珪素の製造方法を、例1に記載される方法に従って行なう。但し、ドー
ピング成分として、10質量%の量で珪素及び炭素の混合物(1,0:0.8の
モル比)中に導入される炭酸アンモニウムを使用する。紙(λ=1.4・10−
’ cal/Cm・s−deg)を、1.0g/ciの密度を有する前記得られ
た混合物に適用し、そして自己上昇性高温合成を、気体雰囲気として、30体積
%の二酸化炭素を含む、窒素及び二酸化炭素の混合物の使用により7.0 MP
aの圧力下で行なう。
窒素及び酸素によりドープされたその製造されたβ−炭化珪素は、15m”7g
の比表面積を有する。
最終β−炭化珪素の化学的分析の結果は、下記表に与えらβ−炭化珪素の製造方
法を、例1に記載される方法に従って行なう。但し、ドーピング成分として、2
.0質量%の量で珪素及び炭素の混合物(1,0:1.2のモル比)中に導入さ
れる修酸アンモニウムを使用する。雲母(λ=5.7・10−’ cal/CI
CIn−8−deを、1.5g/cutの密度を有する前記得られた混合物に適
用し、そして自己上昇性高温合成を、気体雰囲気として、40体積%の空気を含
む、空気及びアルゴンの混合物の使用により10.0MPaの圧力下で行なう。
窒素及び酸素によりドープされたその製造されたβ−炭化珪素は、10m”7g
の比表面積を有する。
最終β−炭化珪素の化学的分析の結果は、下記表に与えられる。
例5
β−炭化珪素の製造方法を、例1に記載される方法に従って行なう。但し、ドー
ピング成分として、6.1質量%の量で珪素及び炭素の混合物(1,0:1.1
のモル比)中に導入されるカルバミドを使用する。アスベスト板を、0.8 g
/crlの密度を有する前記得られた混合物に適用し、そして自己上昇性高温
合成を、気体雰囲気として、40体積%の酸化炭素を含む、窒素及び酸化炭素の
混合物の使用により1.0 MPaの圧力下で行なう。
窒素及び酸素によりドープされたその製造されたβ−炭化珪素は、5.0 m”
/ gの比表面積を有する。
最終β−炭化珪素の化学的分析の結果は、下記表に与えられる。
例6
β〜炭化珪素の製造方法を、例1に記載される方法に従って行なう。但し、ドー
ピング成分として、1.0質量%の量で珪素及び炭素の混合物中に導入される修
酸アンモニウムを使用する。アスベストファイバー(λ=3.0・10−’ c
at/cm・s−deg)を、0.9g/cotの密度を有する前記得られた混
合物に適用し、そして自己上昇性高温合成を、気体雰囲気として、90体積%の
アルゴンを含む、空気及びアルゴンの混合物の使用により4.0 MPaの圧力
下で行なう。
窒素及び酸素によりドープされたその製造されたβ−炭化珪素は、6.0m”7
gの比表面積を有する。
最終β−炭化珪素の化学的分析の結果は、下記表に与えらβ−炭化珪素の製造方
法を、例1に記載される方法に従って行なう。但し、ドーピング成分として、1
.5質量%の量で珪素及び炭素の混合物(1,0:0.9のモル比)中に導入さ
れる修酸アンモニウムを使用する。アスベストファイバー(λ=3.75 ・1
0−’ cal/cm−s−deg)を、前記得られた混合物に適用し、そして
自己上昇性高温合成を、気体雰囲気として、20体積%の二酸化炭素を含む、窒
素及び二酸化炭素の混合物の使用により2.5 MPaの圧力下で行なう。
窒素及び酸素によりドープされたその製造されたβ−炭化珪素は、7.0 m”
/ gの比表面積を有する。
最終β−炭化珪素の化学的分析の結果は、下記表に与えられる。
例8
β−炭化珪素の製造方法を、例1に記載される方法に従って行なう。但し、ドー
ピング成分として、カルバミドを使用する。圧縮されたアスベスト(λ=9・1
0−’ cal/ cm−s・deg)を、1.0g/cotの密度を有する前
記得られた混合物に適用し、そして自己上昇性高温合成を、気体雰囲気として、
40体積%の二酸化炭素を含む、窒素及び二酸化炭素の混合物の使用により6.
0 MPaの圧力下で行なう。
窒素及び酸素によりドープされたその製造されたβ−炭化珪素は、6.5 m”
/ gの比表面積を有する。
最終β−炭化珪素の化学的分析の結果は、下記表に与えられる。
例9
β−炭化珪素の製造方法を、例1に記載される方法に従って行なう。但し、ドー
ピング成分として、修酸アンモニウム85質量%を含む、カルバミド及び修酸ア
ンモニウムの混合物を5.0質量%の量で使用する。ファイバーアスベスト(λ
=3.75・1O−4Cal/cIn−8−deg)を、前記得られた混合物に
適用し、そして自己上昇性高温合成を、気体雰囲気として、窒素の使用により3
.0 MPaの圧力下で行なう。
窒素及び酸素によりドープされたその製造されたβ−炭化珪素は、9m”/Hの
比表面積を有する。
最終β−炭化珪素の化学的分析の結果は、下記表に与えられる。
例10
β−炭化珪素の製造方法を、例1に記載される方法に従って行なう。但し、ドー
ピング成分として、修酸アンモニウム10質量%を含む、修酸アンモニウム及び
炭酸アンモニウムの混合物を5.0質量%の量で使用する。紙(λ=1.0・1
O−4ca1/CA−5−deg)を、0.85g/c++fの密度を有する前
記得られた混合物に適用し、そして自己上昇性高温合成を、気体雰囲気として、
50体積%の酸化炭素を含む、窒素及び酸化炭素の混合物の使用により0.4
MPaの圧力下で行なう。
窒素及び酸素によりドープされたその製造されたβ−炭化珪素は、8m″/gの
比表面積を有する。
最終β−炭化珪素の化学的分析の結果は、下記表に与えられる。
例11
β−炭化珪素の製造方法を、例1に記載される方法に従って行なう。但し、ドー
ピング成分として、カルバミド50質量%を含む、炭酸アンモニウム及びカルバ
ミドの混合物を5.0質量%の量で使用する。紙(λ=2.0・1O−4ca1
/cffI−8・deg)を、1.0g/cofの密度を有する前記得られた混
合物に適用し、そして自己上昇性高温合成を、気体雰囲気として、90体積%の
酸化炭素を含む、窒素及び酸化炭素の混合物の使用により15.0MPaの圧力
下で行なう。
窒素及び酸素によりドープされたその製造されたβ−炭化珪素は、6m″/gの
比表面積を有する。
最終β−炭化珪素の化学的分析の結果は、下記表に与えら1 0、20 1.5
0 1.80
2 0、30 2.50 2.40
3 0、40 2. DO2,10
40、602,302,60
50、502,402,30
60、302,002,70
70、401,502,50
80、502,002,00
90,151,502,50
100,202,702,60
既知の方法
手続補正書(方式)
%式%
1、事件の表示
PCT/SU88100256
4、代理人
住所 〒105東京都港区虎ノ門−丁目8番10号5、補正命令の日付
平成2年゛10月9日(発送日)
6、補正の対象
明細書及び請求の範囲の翻訳文
7、補正の内容
明細書、請求の範囲の翻訳文の浄書(内容に変更なし)
8、添附書類の目録
明細書及び請求の範囲の翻訳文 各 1 通国際調査報告
1″″″″″′M1′″□”’PCT/SLI 88100256
Claims (8)
- 1.粉末珪素及び炭素を混合し、続いて気体雰囲気下でそれらの混合物を熱処理 し、そして最終生成物を単離することを含んで成るβ−炭化珪素の製造方法であ って、ドーピング成分がまた、窒素及び酸素を含み、そして323〜423Kの 分解点を有する、炭素及び珪素の混合物に0.5〜10.0質量%の量で添加さ れ、(1−9)・10−4cal/cm・s・degの熱伝導率を有する物質が 、0.80〜1.50g/cm3の密度を有するその得られた混合物に適用され 、そして前記気体雰囲気下での前記成分の熱処理が圧力下で自己上昇性高温合成 により行なわれることを特徴とする方法。
- 2.窒素及び酸素を含み、そして323〜423Kの分解点を有するドーピング 成分を、炭酸アンモニウム、カルバミド、炭酸アンモニウム又はそれらの混合物 から成る群から選択することを特徴とする請求の範囲第1項記載の方法。
- 3.前記気体雰囲気が、窒素又はその混合物と酸化炭素又は二酸化炭素とを含ん で成ることを特徴とする請求の範囲第2項記載の方法。
- 4.酸化炭素20〜40体積%を含む、窒素及び酸化炭素の混合物が気体雰囲気 として使用されることを特徴とする請求の範囲第3項記載の方法。
- 5.二酸化炭素20〜40体積%を含む、窒素及び二酸化炭素の混合物が気体雰 囲気として使用されることを特徴とする請求の範囲第4項記載の方法。
- 6.アスベスト、板、紙又は雲母から成る群からのいづれかの物質が、(1−9 )x10−4cal/cm・s・degの熱伝導率を有する物質として使用され ることを特徴とする請求の範囲第5項記載の方法。
- 7.自己上昇性高温合成が、0.5〜10.0MPaの圧力下で行なわれること を特徴とする請求の範囲第6項記載の方法。
- 8.粉末珪素及び炭素が、それぞれ1:0.8〜1.2のモル比で混合されるこ とを特徴とする請求の範囲第7項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884409571A SU1706963A1 (ru) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | Способ получени @ -карбида кремни |
SU4409571/26 | 1988-04-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03500528A true JPH03500528A (ja) | 1991-02-07 |
Family
ID=21368455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1502225A Pending JPH03500528A (ja) | 1988-04-28 | 1988-12-14 | β‐炭化珪素の製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0364592A4 (ja) |
JP (1) | JPH03500528A (ja) |
CN (1) | CN1037689A (ja) |
CS (1) | CS274745B2 (ja) |
DD (1) | DD283793A5 (ja) |
HU (1) | HUT52738A (ja) |
SU (1) | SU1706963A1 (ja) |
WO (1) | WO1989010329A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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-
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- 1988-04-28 SU SU884409571A patent/SU1706963A1/ru active
- 1988-12-14 WO PCT/SU1988/000256 patent/WO1989010329A1/ru not_active Application Discontinuation
- 1988-12-14 HU HU891329A patent/HUT52738A/hu unknown
- 1988-12-14 EP EP19890902352 patent/EP0364592A4/de not_active Ceased
- 1988-12-14 JP JP1502225A patent/JPH03500528A/ja active Pending
-
1989
- 1989-04-19 CN CN89103262A patent/CN1037689A/zh active Pending
- 1989-04-26 DD DD89327987A patent/DD283793A5/de not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1037689A (zh) | 1989-12-06 |
CS263089A2 (en) | 1990-10-12 |
DD283793A5 (de) | 1990-10-24 |
CS274745B2 (en) | 1991-10-15 |
SU1706963A1 (ru) | 1992-01-23 |
EP0364592A1 (de) | 1990-04-25 |
HUT52738A (en) | 1990-08-28 |
HU891329D0 (en) | 1990-07-28 |
EP0364592A4 (en) | 1991-08-28 |
WO1989010329A1 (en) | 1989-11-02 |
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