JPH0694365B2 - ケイ素の製造方法および製造装置 - Google Patents

ケイ素の製造方法および製造装置

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JPH0694365B2
JPH0694365B2 JP26156485A JP26156485A JPH0694365B2 JP H0694365 B2 JPH0694365 B2 JP H0694365B2 JP 26156485 A JP26156485 A JP 26156485A JP 26156485 A JP26156485 A JP 26156485A JP H0694365 B2 JPH0694365 B2 JP H0694365B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、ケイ素(以下、「Si」で表わす。)の製造
方法および製造装置の改良に関し、更に詳しくはSiの微
粒子集合体を迅速に生成でき、特に半導体工業の技術分
野に好適なSiの製造方法および製造装置に関する。
〈従来の技術分野〉 この種の技術分野におけるSi製造方法および製造装置と
して、従来から知られているもののうち主なものに次の
二つがある。
イそのうちの第1のものは、第3図に示すように、冷却
水流入により冷却可能であり、かつ排気口2、ケイ素製
造原料ガス供給口3、電極4,4を備えた台座5と、台座
5上に取外し自在に設置できる真空ベルジャ1と、ベル
ジャ1内において電極4,4上に取り付けられるSiロッド
6とからなる製造装置を使用するものである。
すなわち、原料ガス供給口3からベルジャ1内にケイ素
製造原料ガス(「たとえばSiHCl3+H2)を導入すると共
に、台座5内に冷却水を流通させる。
そして、電極4,4に電流を流し、ケイ素ロッド6を1,200
℃程度に加熱すると、ベルジャ1内に導入されたケイ素
製造原料ガスはSiロッド6の熱によって分解し、 SiHCl3+H2→Si+3HCl ……(1) なる反応によって生成したケイ素(Si)が出発ロッド
(ケイ素)6の表面に付着、堆積させることができると
する技術内容のものである。
しかし、この方法によると、出発ロッド6の表面に熱分
解によって生成されたSiが付着されるため、出発ロッド
6の径が直径が2〜3mm径のものを使用すると10mm径に
するのに通常、1日を要し、さらに直径100mmにするに
は数日を必要とする欠点があった。また、Siの収率が極
端に悪く、工程全体を通じて10%に足しなかった。さら
に、上述した方向によると、生成するSiロッドの長さは
Si製造装置および出発ロッド6の寸法に制約される欠点
があった。
このような第1の方法の欠点を解消するために、本発明
者によって提案された特許第1,121,423号の「ケイ素製
造装置」がある。この特許1,121,423号において開示さ
れた方法が上述した第2の方法に相当するものである。
第2の方法は第4図に示すように、不活性ガスを入れた
反応容器10の一方の側に合成燃焼トーチ11を配置し、反
応容器10の他方の側には合成燃料トーチ11に向けて出発
ロッド12を突出させかつ装置16によってロッド軸の周り
に回転自在、引上げ可能に配置したものであって、合成
燃料トーチ11内には原料ガス導入管13およびガス導入管
13より原料ガス(たとえばSiH4)およびH2−Cl2ガスを
合成燃焼トーチ11に導き、合成燃焼反応させるように
し、さらに反応容器10内のガス圧を排気調整器15によっ
て、一定圧に維持するようにした装置を使用して実施例
するものであった。
この装置によると、合成燃焼トーチ11により、H2−Cl2
ガスは下記の式(2)のように燃焼し、この発熱によっ
てSiH4は式(3)のように熱分解し、ケイ素が生成す
る。すなわち、 H2+Cl2→2HCl+44.2Kcal ……(2) SiH4+2Cl2→Si+4HCl ……(3) このH2−Cl2ガス炎およびケイ素結晶流17は装置16に接
続した出発ロッド12の先端に付着・体積してケイ素多結
晶体18が形成させることができ、ケイ素形成速度も従来
の5倍程度に高くすることができるようになった。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかし、上述した第2の方法では丸棒状のケイ素多結晶
体を形成させるのがやや難しいという不具合があった。
そこでこの発明は上述した従来のケイ素製造方法および
ケイ素製造装置の欠点を除去し、Si生成が迅速に行うこ
とができると共に収集効率が高く、かつ高品質のSiを製
造できるケイ素製造方法および製造装置を提供しようと
するものである。
〈問題点を解決するための手段および作用〉 上述した目的を達成するため、この発明のケイ素製造方
法は、四塩化ケイ素(SiCl4)、トリクロルシラン(SiH
Cl3)、シラン(SiH4)およびケイ素のアルコラート(S
i(C2H5O)H4等)を熱分解又は火災熱分解してSiOおよびS
iO2の微粒子集合体を作製した後、この工程で作製したS
iOおよびSiO2の微粒子集合体を200℃以上の還元性雰囲
気中で還元し、Siの多結晶体を生成させることを特徴と
するものである。
上述したSiOおよび/又はSiO2の微粒子集合体を還元す
る還元性雰囲気ガスの温度が200℃以下のときは還元さ
れず、また1500℃以上ではこれらの微粒子集合体や微粒
子集合体の被着体が溶解する。
したがって、200℃〜1500℃の範囲還元性ガス雰囲気で
還元処理することが好ましい。
この発明によるケイ素製造方法は、従来のケイ素製造方
法が電流加熱による熱分解あるいはH2−Cl2炎による火
炎熱分解によって、SiH4,SiHCl3等から直接ケイ素を生
成するのに対し、一旦SiOおよび/又はSiO2の微粒子集
合体を形成した後、この微粒子集合体を温度の高い還元
性雰囲気中で還元処理してSiの多結晶体を生成させるも
のであって、製造方法が基本的に異なっている。
この発明のケイ素製造方法の原理は次の通りである。
まず、還元性の火炎分解によってたとえばSiH4を SiH4+(o)→SiO+2H2↑ (4) によってSiO又はSiO2の微粒子集合体を生成し、これを
被着体に付着・堆積させる。
次いで、その微粒子集合体を、200℃以上の温度下で還
元性雰囲気に曝らし、反応 SiO+CO→Si+CO2↑ (5) により(ただし、COを還元剤とする場合)によってケイ
素を生成させるものである。
また、ケイ素製造装置は、不活性ガスを充填する反応容
器と、反応容器の一方の側に配設した四塩化ケイ素、ト
リクロシラン、シランおよびケイ素のアルコラートガス
のうちの一種の酸素ガスを合成燃焼トーチと、反応容器
内において合成燃焼トーチとは反対側に配設され該合成
燃焼トーチの方向に向けて突設されかつ中心軸の周りに
回転自在に配設された一酸化ケイ素および/又は二酸化
ケイ素の微粒子被着体と、反応容器内のガス圧を調整す
る排気調整器とからなる一酸化および/又は二酸化ケイ
素微粒子集合体製造装置と;一酸化ケイ素および/又は
二酸化ケイ素微粒子集合体被着体をその中心軸の周りに
回転自在に挿入可能の還元性ガスを充填した還元反応容
器と、この還元性ガス充填還元反応容器内還元性ガス雰
囲気を200℃以上に加熱する加熱手段とからなる還元処
理装置とから構成したことを特徴とするものである。
〈実施例〉 次に、本発明のケイ素製造方法の実施に使用するケイ素
製造装置の具体例に基づいて、本発明のケイ素製造方法
の実施例を説明する。
第1図および第2図は本発明のケイ素製造方法を実施す
るときに使用する製造装置である。このケイ素製造装置
は、第1図に示すSiOおよび/又はSiO2微粒子集合体製
造装置20−Iと、第2図に示す還元処理装置20-IIとか
らなっている。
第1図のSiOおよび/又はSiO2微粒子集合体製造装置20
−Iは反応器21−1の上部にO−リング26を介して合成
燃焼トーチ22が、また反応容器21−1の下部にSiOおよ
び/又はSiO2微粒子集合体を堆積させる出発ロッド25
が、その先端を合成燃焼トーチ22に向けて配設され、か
つ回転および上下移動装置(非図示)によってロッド軸
の周りに回転可能、上下に移動自在に設けられている。
さらに上記反応容器21−1には不活性ガス導入口27およ
びガス排出口28が設けられ、排気調整器29によって反応
容器21−1内のガス圧を一定に維持すべく、導入ガス量
およびガス排気量が調整される。
この他、合成燃焼トーチ22には酸、水素ガス供給管22a
およびケイ素原料ガス(たとえばSiCl4)供給管22bが配
設されている。この合成燃焼トーチ22は横断面図である
第1図(b)に示すようにケイ素原料ガス吹き出し口22
0、水素ガス吹き出し口221および酸素ガス吹き出し口22
2を有し、合成燃焼トーチ22先端から酸水素炎によって
ケイ素原料を熱分解し、出発ロッド25にSiOおよび/又
はSiO2微粒子集合体を堆積させる。
すなわち、合成燃焼トーチ22へSiH4ガス、H2ガス、O2
スを供給し、それぞれ吹き出し口220,221,222から吹き
出す。このとき、H2ガスの供給量をO2ガスの供給量より
多くし、火炎を還元性とする。
この結果、前記式(4)の反応式に示されるように、火
炎中でSiOの微粒子(粒径100Å〜1000Å)が合成され、
出発ロッド25の先端に付着・堆積し微粒子集合体24が得
られる。そして出発ロッド25を回転させながら引き下げ
ると、付着・堆積する微粒子集合体24は丸棒状となる。
また、反応容器21−1内は流入口27より導入した不活性
ガス雰囲気とし、容器内ガス圧を排気調整器29によって
コントロールする。
たとえば、第1図において、合成燃焼トーチ22に、SiH4
ガスを毎分2lH2ガスを毎分20l、O2ガスを毎分10l、の割
合でそれぞれ供給し、火炎流内でSiOを合成し、約100m
φの微粒子集合体34を合成した。また、流入口37からは
Arガスを流入し、反応容器21−1内を不活性ガス雰囲気
とした。作製した微粒子集合体24の一部より試料を採集
し、分析した結果、99.9%がSiOであり0.1%がSiO2であ
った。また、本実施例におけるSiの収率は80%〜90%程
度と非常に高かった。
次に、第2図の還元処理装置20-IIは還元反応容器21−
2の下部に、第1図(a)の装置20−IによってSiOお
よび/又はSiO2微粒子集合体24を被着した出発ロッド25
を、O−リング26を介して取り付けると共に、還元反応
容器21−2の外周に加熱器32を配置したものであって、
還元反応容器21−2にはガス導入口30からたとえばCO、
H2などの還元性ガスを入れ、反応容器内において生成し
たガスおよび還元性ガスは排出口31から反応容器外へ排
出する構造になっている。
第2図の還元処理装置20-IIによって、SiOおよび/又は
SiO2微粒子集合体24を還元処理するときは、SiOおよび
/又はSiO2微粒子集合体24を堆積した出発ロッド25を還
元反応容器21−2内に挿入し設置した後、反応容器21−
2を密閉し、当該還元反応容器21−2内に、ガス導入口
30よりH2ガスまたはCOガスを導入すると共に、加熱器32
によって反応容器21−2内還元性ガスを流入口30よりH2
ガスまたはCOガスを流入すると共に、加熱器32によって
200℃以上に加熱し、該微粒子集合体を還元し、ケイ素
の集合体33とした。排気口31からは、反応によって生成
したH2O、CO2とH2、COガスがそれぞれ排出された。
たとえば、第2図の装置において、第1図の装置で作製
したSiOの微粒子集合体を還元反応容器21−2内に設置
し、流入口30より、COガスを毎分10lの割合で流入する
と共に、加熱器32によって、800℃に加熱し、該微粒子
集合体を還元処理した。この結果、約3時間の処理によ
って、SiOの微粒子集合体はケイ素(Si)の多結晶体33
となった。さらに、こうして製造したケイ素の多結晶体
を分析し、酸素の残留量を測定したところ、10-9モル%
以下であった。
また、本実施例の第2図において、H2ガス、COガス等に
よる還元処理を行なった後、加熱温度を1400℃程度まで
上昇し、ケイ素の多結晶体を焼結し、密度の高い集合体
とすれば、残留酸素量をさらに低減化できる。
以上、実施例のケイ素製造装置構成において、第1図の
微粒子集合体製造装置20−Iの下方に第2図の還元処理
装置20-IIを設け、各々の部分を密閉しながら接続する
装置構成とすれば、装置の上部においてSiO等の微粒子
集合体を作製し、装置下部において該集合体を還元処理
することができる。この装置構成によれば、ケイ素の多
結晶体を連続して製造することが可能となる。
また、本実施例では、原料として、SiH4のみ使用した場
合を記述したが、SiCl4、SiHCl4、アルコラート,等を使
用した場合にも、上記同様にSiO及びSiO2の微粒子集合
体を形成できる。
また、火炎用ガスについて、H2、O2の場合のみ示した
が、CH4−O2炎、C3H8−O2炎、等も使用できる。さら
に、還元処理に際して、H2を含む雰囲気ガスを使用した
場合、ケイ素の集合体中に微量のH2が添加される事実が
認められた。
また、還元処理雰囲気中のH2濃度を変えることによっ
て、ケイ素体中に添加するH2量を変えることが出来る。
なお、本実施例のSiOおよび/又はSiO2微粒子集合体製
造装置20−1および還元処理装置20-IIの反応容器21−
1、21−2の出発ロッド25の挿入側底部を第1図(a)
および第2図に示すごとく取外し、取り付け自在に形成
した底板AおよびBを設けることによって、出発ロッド
25を、反応容器20−1および還元反応容器20−2内に容
易に出入させることができる。
〈発明の効果〉 以上の説明から明らかなように、この発明にかかるケイ
素製造方法は、一旦SiO、SiO2等の微粒子集合体を作製
した後、当該SiO、SiO2微粒子集合体を還元処理してケ
イ素微結晶集合体を生成させるため、 高品質のケイ素を収率よく製造することができる。
また、ガス供給量を増やすことによってケイ素の製造
速度を向上させることができる。
さらに、ケイ素製造に要する電力消費が少いため、ケ
イ素の製造価格を下げることができ、製造技術分野にお
ける経済上の利点もある。
また、本方法によって製造した微結晶ケイ素集合体を
用い、ケイ素の単結晶を製造すれば、極めて高品質の単
結晶ケイ素が得られる。
さらに、還元処理雰囲気ガス組成を変えることによっ
て、H2等を添加してケイ素体を製造することができ、ま
た、水素を添加したアモルフアスシリコンを製造できる
利点もある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明の実施例のケイ素製造装置を構成
する一酸化ケイ素および/又は二酸化ケイ素微粒子集合
体製造装置の構成を示す要部断面図、第1図(b)は第
1図(a)の一酸化ケイ素および/又は二酸化ケイ素微
粒子集合体製造装置中の合成燃焼トーチの構造を示す横
断面図、第2図は実施例のケイ素製造装置の還元処理装
置の要部断面図、第3図および第4図は従来のケイ素製
造装置の構成を示す要部断面図である。 図面中、 12……従来方法で使用する出発ロッド、 15,29……排気調整器、 18……従来方法により作製したケイ素多結晶体、 20−I…SiOおよび/又はSiO2微粒子集合体製造装置、 20-II…還元処理装置、 21−1……反応容器、 21−2……還元反応容器、 22……合成燃焼トーチ(本発明)、 24……SiOおよび/又はSiO2微粒子集合体、 25……本発明で使用する出発ロッド、 26……O−リング、 27……不活性ガス導入口(反応容器20−1)、 28……ガス排出口(反応容器20−1)、 30……ガス流入口(還元反応容器)、 31……ガス排出口(還元反応容器)、 32……加熱器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 保坂 敏人 茨城県那珂郡東海村大字白方字白根162番 地 日本電信電話株式会社茨城電気通信研 究所内 (72)発明者 大森 保治 茨城県那珂郡東海村大字白方字白根162番 地 日本電信電話株式会社茨城電気通信研 究所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】四塩化ケイ素、トリクロルシラン、シラン
    およびケイ素のアルコラートを熱分解又は火炎熱分解し
    て一酸化ケイ素および/又は二酸化ケイ素の微粒子集合
    体を生成する工程と、この工程によって作製された一酸
    化ケイ素および/又は二酸化ケイ素の微粒子集合体を20
    0℃以上の還元性雰囲気中で還元し、ケイ素の多結晶体
    を生成させる工程とから成ることを特徴とするケイ素の
    製造方法。
  2. 【請求項2】不活性ガスを充填する反応容器と、反応容
    器の一方の側に配設した四塩化ケイ素、トリクロシラ
    ン、シランおよびケイ素のアルコラートガスのうちの一
    種と酸素ガスを合成燃焼させるトーチと、反応容器内に
    おいて合成燃焼トーチと反対側に配設され該合成燃焼ト
    ーチの方向に向けて突設されかつ中心軸の周りに回転自
    在に配設された一酸化ケイ素および/又は二酸化ケイ素
    の微粒子被着体と、反応容器内のガス圧を調整する排気
    調整器とからなる一酸化および/又は二酸化ケイ素微粒
    子集合体製造装置と;一酸化ケイ素および/又は二酸化
    ケイ素微粒子集合体被着体をその中心軸の周りに回転自
    在に挿入可能の還元性ガスを充填した還元反応容器と、
    この還元性ガス充填還元反応容器内還元性ガス雰囲気を
    200℃以上に加熱する加熱手段とからなる還元処理装置
    とからなることを特徴とするケイ素製造装置。
  3. 【請求項3】前記ケイ素製造装置において、一酸化ケイ
    素および/又は二酸化ケイ素微粒子集合体製造装置の下
    方に、一酸化ケイ素および/又は二酸化ケイ素微粒子集
    合体の還元処理装置をそれぞれ各装置を密閉しながら接
    続したことを特徴とする特許請求の範囲第(2)項記載
    のケイ素製造装置。
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