DE2909023B2 - Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidpulvers - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines SiliciumcarbidpulversInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung «>
eines Siliciumcarbidpulvers durch Brennen eines Pulvergemisches aus Siliciumdioxid und Kohlenstoff in
nicht-oxidierender Atmosphäre bei einer Temperatur von mindestens 13500C.
Siliciumcarbid besitzt eine ausgezeichnete Hochtem- r,
peraturstabilität, mechanische Festigkeit, thermische Leitfähigkeit und dgl., weswegen es umfangreich als
Material in bzw. für beispielsweise Atomreaktoren, chemische Anlagen, Behandlungsvorrichtungen für
heiße Gase, elektrische Heizelemente und elektrische Widerstände verwendet wird. Im besonderen eignet
sich Siliciumcarbid als Hochtemperaturbaumaterial. Im Hinblick darauf hat es nicht an Versuchen gefehlt, unter
Einsparung von Energie und Schonung natürlicher Vorkommen ein Siliciumcarbidmaterial zu entwickeln. 4;
Damit man auf den genannten Anwendungsgebieten einsetzbare Siliciumcarbidmaterialien erhält, ist es
erforderlich, als zu sinterndes Material ein Siliciumcarbidpulver in Form feiner Teilchen gleichmäßiger Form
und Größe zu verwenden. ,0
Zur Herstellung von Siliciumcarbidpulver ist es üblich, Siliciumdioxid und Kohlenstoff miteinander
umzusetzen. Nach den einschlägigen bekannten Verfahren läßt sich jedoch kein Siliciumcarbidpulver aus feinen
Teilchen gleichmäßiger Form und Größe gewinnen, γ,
weswegen es nahezu unmöglich ist, ein gesintertes Siliciumcarbid akzeptabler Eigenschaften herzustellen.
Aus der DE-OS 24 52 799 ist ein Verfahren zur
Herstellung von SiC bekannt, bei dem feinverteilter C und Kieselsäure in einem Molverhältnis zwischen etwa ho
2:1 bis 6 : 1 bei 1350 bis 175O0C umgesetzt werden. Dem Gemisch wird noch fein zerteiltes Silicium
zugegeben. Der Siliciumzusatz dient dazu, die Helligkeit
des Siliciumcarbidpigments zu verbessern. Bei Anwesenheit von Silicium in dem umzusetzenden Pulverge- h,
misch kommt es bei den angegebenen Reaktionstempe- : dtiiren zu einem Aufschmelzen und letztlich Verbacken
des Siliciumpulvers, In aufgeschmolzener Form k;inn es
aber nicht mehr in akzeptabler Weise zu Siliciumcarbid reagieren und als Siliciumcarbidkeimbildner wirken.
Der Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidpulvers
aus feinen Teilchen gleichmäßiger Form und Größe zu schaffen.
Gegenstand der Erfindung ist somit ein Verfahren der
eingangs genannten Art, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß man dem Pulvergemisch pro Gew.-Teil
Siliciumdioxid 0,05 bis 1 Gew.-Teil Siliciumcarbidpulver zusetzt.
Erfindungsgemäß erhält man das gewünschte Siliciumcarbidpulver aus einem Roh- oder Ausgangsmaterial
in From eines pulverförmigen Gemischs aus einem Siliciumdioxidpulver oder einer bei hohen Temperaturen zur Bildung eines Siliciumdioxidpulvers fähigen
Verbindung, Kohlenstoffpulver oder einer bei hohen Temperaturen zur Bildung von Kohlenstoffpulver
fähigen Verbindung und einem Keimbildner in Form eines Siliciumcarbidpulvers oder einer bei hohen
Temperaturen zur Bildung eines Siliciumcarbidpulvers fähigen Verbindung. Es hat sich gezeigt, daß die
Mitverwendung des Keimbildners die Gewinnung eines Siliciumcarbidpulvers aus feinen Teilchen sehr gleichmäßiger Form und Größe gestattet.
Als ein Bestandteil des verwendeten pulverförmigen Gemischs kann im Rahmen des Verfahrens gemäß der
Erfindung ein beliebiges Siliciumdioxidpulver, z. B. ein kristallines Siliciumdioxidpulver, wie gemahlener Kieselsand, gemahlenes kristallines Gestein oder gemahlenes Siliciumdioxidglas, oder ein nicht-kristallines Siliciumdioxidpulver, z. B. verflüchtigtes Siliciumdioxidpulver, durch Dampfphasensynthese hergestelltes wasserfreies Siliciumdioxidpulver oder gefälltes Siliciumdioxidpulver, zum Einsatz gelangen. Bei hohen Temperaturen ein Siliciumdioxidpulver bildende Verbindungen
sind beispielsweise Tctraäthoxysilan [Si(C)I iiO)^. Methylirichlorsilaη(C"HjSiCIi)und
Natriumsulfat (Na^SiO j).
Als weiterer Bestandteil des pulverförmigen Gemischs kann im Rahmen des Verfahrens gemäß der
Erfindung jede Art Kohlenstoffpulver, z. B. Ruß und Graphit, zum Einsatz gelangen. Zur Bildung von
Kohlenstoffpulver bei hohen Temperaturen fähige Verbindungen sind beispielsweise die verschiedensten
Kunststoffe oder -harze.
Schließlich können erfindungsgemäß als Keimbildner auch noch beliebige Arten von Siliciumcarbidpulvern
zum Einsatz gelangen, sofern nur deren Teilchengröße nicht größer ist als die Teilchengröße des angestrebten
Siliciumcarbidpulvers. So kann man beispielsweise den Keimbildner durch Seiben eines üblicherweise hergestellten
und im Handel verfügbaren Siliciumcarbidpulvers bereitstellen. Ferner kann man als Keimbildner das
im Rahmen des Verfahrens gemäß der Erfindung hergestellte Siliciumcarbidpulver zum Einsatz bringen.
Als bei hohen Temperaturen eine Siliciumcarbidpulver bildende Verbindung sei beispielsweise Polycarbosilan
genannt. Schließlich kann man das Siliciumcarbidpulver auch durch Erhitzen von elementarem Silicium mit
Kohlenstoff herstellen.
Vorzugsweise sollten das Siliciumdioxid-, Kohlenstoff- und Siliciumcarbidpulver eine Teilchengröße von
höchstens 0,5 μιη und eine Reinheit von mindestens
99% aufweisen.
Bezogen auf 1.0 (iowichtstcii Silk':unidio\;. iilver
sollten 0.5 bis 4, vorzugsweise Ob his 2 Gewk-iusteüe
Kohlenstoffpulver zum F.insaw gelangen. Wenn d'·.
Menge an Kohlenstoffpulver 0 rt Gew ichtsiiiic hi;l-:
schreitet, enthält das gebildete Siliciumcarbidpulver
noch nicht-umgesetztes Siliciumdioxid. Wenn andererseits die Menge an Kohlenstoffpulver 4,0 Gewichtsteile
übersteigt, sinkt die Ausbeute an Siliciumcarbid.
Bezogen auf 1,0 Gewichtsteil Siliciuindioxidpulver sollte 0,05 bis 1, vorzugsweise 0,1 bis 1 Gewichtsteil
pulverförmiger Siliciumcarbidkeimbildner zum Einsatz
gelangen. Wenn die Menge an Siliciumcarbidpulver 0,05 Gewichtsteile unterschreitet, stellt sich die gewünschte
Wirkung nicht ein. Wenn andererseits die Menge an Siliciumcai-bidpulver 1,0 Gewichtsteil überschreitet,
nimmt das gebildete Siliciunicarbidpulver in merklichem MaBe die Eigenschaften des als Keimbildner eingesetzten
Siliciumcarbids an. Dies ist unzweckmäßig, wenn man ein Siliciumcarbidpulver anderer Eigenschaften, als
sie das als Keimbildner eingesetzte Siliciumcarbidpulver aufweist, herstellen will.
Wenn man eine bei hohen Temperaturen zur Bildung eines Siliciumdioxid-, Kohlenstoff- bzw. Siliciumcarbidpulvers
fähige Verbindung oder Substanz einsetzt, sollte deren Menge so gewählt werden, daß die Menge an
gebildetem Siliciumdioxid-, Kohlenstoff- bzw. Siliciumcarbidpulver innerhalb der angegebenen Grenzen liegt.
Das pulverförmige Gemisch der angegebenen Zusammensetzung wird in nicht-oxidierender Atmosphäre,
z. B. in einer Stickstoff-, Kohlenmonoxid-, Argon-, Ammoniak- und/oder Wasserstoffatmosphäre, bei einer
Temperatur von 1350° bis 1850° C gebacken. Vorzugsweise
sollte in einer Kohlenmonoxid- oder Argonatmosphäre bei einer Temperatur von 1400° bis 1700°C
gebacken werden. Wenn die Backtemperatur 1350° C
unterschreitet, läuft die zur Bildung von Siliciumcarbid führende Reaktion nicht in dem gewünschten Maße ab.
Wenn andererseits die Backtemperatur 185O0C übersteigt,
führt dies zu einem Kornwachstum. Wenn als nicht-oxidierende Atmosphäre Stickstoff oder Ammoniak
verwendet, wird, sollte bei Temperaturen über 1550°C gebacken werden, da sich bei Temperaturen bis
zu 1550° C Siliciumnitrid bildet.
Im Rahmen des Verfahrens gemäß der Erfindung wird Siliciumdioxid durch den Kohlenstoff unter
Bildung von Siliciumcarbid reduziert. Es sei darauf hingewiesen, daß die zur Bildung von Siliciumcarbid
führende Reaktion über die Teilchen des in dem pulverförmigen Gemisch enthaltenen und als Keimbild
ner wirkenden Siliciumcarbidpulvers abläuft. Hierdurch wird es möglich, ein Siliciumcarbidpulver aus feinen
Teilchen gleichmäßiger Form und Größe herzustellen. Die Teilchengröße des gebildeten Siliciumcurbidpulvers
überschreitet 1 μπι, in der Regel 0,5 μπι nicht.
Wenn als bei hohen Temperaturen zur Bildung eines Siliciumcarbidpulvers geeignete Substanz Siliciumpulver
verwendet wird, muß man Vorkehrungen treffen, ein Aufschmelzen des Siliciumpulvers zu verhindern. In
der Praxis wird das pulverförmige Gemisch auf eine Temperatur unterhalb des Schmelzpunkts von Silicium
vorerhitzt, damit sich durch Umsetzung zwischen dem Siliciumpulver und dem Kohlenstoffpulver Siliciumcarbidpulver
bilden kann. Erst danach wird ai'f Backtemperatur weitererhitzt. In diesem Falle läuft die gewünschte
Umsetzung zur Bildung von Siliciumcarbidpulver über die Teilchen des beim Vorerhitzen gebildeten und als
Keimbildner dienenden Silieiunicurbidpulvers ab.
Wenn das pulverförmige Gemisch eine überschüssig».· Menge Kohlenstoffpulver enthält, enthält das gebildete
Siliciumcarbidpulver noch nicht-umgesel/tes Kohlen
Stoffpulver. In diesen·. Γ,ιΙΙι1 sollte das gebildete Pulver in
oxidierender λπηυΜίΙι,πν 'uiiir-eraturen von bO<
> ;v 850° C ausgesetzt werden, um den nicht-umgesetzten
Kohlenstoff zu oxidieren und zu entfernen.
Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung näher veranschaulichen.
Beis piel 1
100 g eines pulverförmigen Gemischs aus 1 Gewichtsteil Siliciumdioxidpulver einer durchschnittlichen Teilchengröße
von 0,01 μπι, 2,0 Gewichtsteilen Ruß einer
to durchschnittlichen Teilchengröße von 0,05 pm und 0,1
Gewichtsteil /J-Siliciumcarbidpulver einer durchschnittlichen
Teilchengröße von 0,4 μπι wird in einen Kohlenstoffbehälter gefüllt und darin unter einem
Argonstrom von 2 l/min 5 h lang bei einer Temperatur
i> von 1600°C gebacken. Das gebackene Material wird
dann unter Luftatmosphäre 2 h lang bei einer Temperatur von 700°C oxidiert, wobei unter Gewinnung des
gewünschten Siliciumcarbidpulvers nicht-umgesetzter Kohlenstoff entfernt wird.
2» Das erhaltene Pulver besitzt eine durchschnittliche
Teilchengröße von 0,6 μΐη. Durch Röntgenstrahlenbeugungsanalyse
zeigt es sich, daß das gebildete Pulver aus ^-Siliciumcarbid besteht.
Das erhaltene Siliciumcarbidpulver ist in der in F i g. 2
2ΐ abgebildeten elektronenphotomikrographischen Aufnahme
(in 5000facher Vergrößerung) abgebildet. Aus der Aufnahme geht hervor, daß die gebildeten
Siliciumcarbidteilchen in ihrer Form und Größe praktisch gleichförmig sind.
Vergleichsbeispiel
Die Maßnahmen des Beispiels 1 werden wiederholt, wobei man jedoch in dem pulverförmigen Gemisch das
Γι als Keimbildner wirkende Siliciumcarbidpulver wegläßt.
Das hierbei erhaltene (Vergleichs-) Siliciumcarbidpulver ist in der in F i g. 1 abgebildeten elektronenphotomikrographischen
Aufnahme (in 5000facher Vergrößerung) wiedergegeben. Aus der Aufnahme ist ersichtlich,
daß die gebildeten Pulverteilchen in ihrer Form und Größe nicht gleichförmig sind.
!- Γ) Die im Beispiel 1 durchgeführten Maßnahmen
werden wiederholt, wobei man jedoch das im Beispiel 1 verwendete Siliciumcarbidpulver einer durchschnittlichen
Teilchengröße von 0,4 μηι durch 0,1 Gewichtsteil
eines durch Dampfphasensynthese hergestellten Siliciumcarbidpulvers einer durchschnittlichen Teilchengröße
von 0,1 μπι ersetzt. Das gebildete Pulver besitzt eine
durchschnittliche Teilchengröße von 0,3 μηι. Durch Röntgenstrahlenbeugungsanalyse zeigt es sich, daß das
gebildete Pulver aus ^-Siliciumcarbid besteht. Eine elektronenphotomikrographische Aufnahme des gebildeten
pulverförmigen Produkts entspricht der in 1- i g 2 abgebildeten Aufnahme, d. h. auch im vorliegenden
Falle besitzen die gebildeten Süiciumcsrbidteilchcn praktisch gleichmäßige Form und Größe.
Beispiele 3 bis 12
Pulverförmige Mischungen mit den versrhiedensteri
Mengenverhältnissen an Siliciumdioxidpulver einer durchschnittlichen Teilchengröße von 0,01 μιη Kohlen
sioffpiilvcr einer durchschnittlichen leilchiMigrölie von
0,0 3 um und Siliciunicarbidpuiver einer diir» -sehiuttli
dien Teilchengroße von döchsiens 0.4 μπι werden unter
den verschiedensten Bedingungen gebacken, um Siliciumcarbidpulver gleichmäßiger Form und Größe herzustellen.
Sämtliche verwendeten Ausgangs- bzw. Roh-
Tabclle
materialien besitzen eine ausreichend hohe Reinheit. In
der folgenden Tabelle sind die Ergebnisse der verschiedenen Beispiele zusammengefaßt:
Roh- bzw. | Ausgangsmaterialien | C | SiC | liuckiicdingungcn | /cit | Atmosphäre | Kigcnschaflcn des gebildeten | Phase | Si + | |
in Gcwichtstcilcn | in h | Produkts | in "ν | |||||||
0,5 | 0,1 | Tempera | Teilchen | |||||||
SiO, | 0,6 | 0,1 | tur in C | 3 | Argon | größe in [JJi | ß | >98 | ||
Beispiel | 0,8 | 0,1 | 3 | Argon | ß | >98 | ||||
3 | 1 | I | 0,5 | 1650 | 4 | Argon | 0,6 | ß | >98 | |
4 | 1 | I | 0,5 | 1600 | 4 | Argon | 0,6 | ß | >98 | |
5 | 1 | 2 | 0,05 | 1550 | 3 | N2-HCO | 0,5 | ß | >98 | |
6 | 1 | 2 | 0,1 | 1500 | 3 | Argon | 0,5 | ß | >98 | |
7 | 1 | 2 | 0,5 | 1600 | 2 | Argon | 0,6 | ß | >98 | |
8 | 1 | 2 | 1 | 1650 | 3 | Argon | 0,7 | ß | >98 | |
9 | 1 | 4 | 0,1 | 1650 | 5 | Argon | 0,6 | ß | >98 | |
10 | 1 | 1600 | 3 | Argon | 0,5 | ß | >98 | |||
11 | 1 | 1400 | 0,5 | |||||||
12 | 1 | 1500 | 0,6 | |||||||
* Nach dem Backen wird das gebackene Material 5 h lang unter Luflatmosphäre zur iintlernung des nicht-umgesetzten Kohlenstoffs
bei einer Temperatur von 700 C oxidiert.
Die vorhergehenden Beispiele zeigen, daß man nach dem Verfahren gemäß der Erfindung ein Siliciumcarbidpulver
aus feinen Teilchen gleichmäßiger Form und Größe herstellen kann.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidpulvers durch Brennen eines Pulvergemisches aus
Siliciumdioxid und Kohlenstoff in nicht-oxidierender Atmosphäre bei einer Temperatur von mindestens
13500C, dadurch gekennzeichnet, daß man dem Pulvergemisch pro Gew.-%Teil Siliciumdioxid 0,05 bis 1 Gew.-Teil Siliciumcarbidpulver
zusetzt
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man, bezogen auf 1 Gewichtsteil
Siliciumdioxidpulver, 0,6 bis 2 Gewichtsteile Kohlenstoffpulver und 0,1 bis 1 Gewichtsteil Siliciumcarbid- is
pulver verwendet
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man in der Mischung ein Siliciumdioxidpulver, Kohlenstoffpulver und Siliciumcarbidpulver einer durchschnittlichen Teilchengröße von
höchstens 0,5 μηι verwendet.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als nicht-oxidierende Atmosphäre
eine Argonatmosphäre wählt.
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