JPS62128913A - 炭化けい素粉末の製造方法 - Google Patents
炭化けい素粉末の製造方法Info
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- JPS62128913A JPS62128913A JP60265081A JP26508185A JPS62128913A JP S62128913 A JPS62128913 A JP S62128913A JP 60265081 A JP60265081 A JP 60265081A JP 26508185 A JP26508185 A JP 26508185A JP S62128913 A JPS62128913 A JP S62128913A
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- sic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、炭化けい素粉末の製造方法に関するものであ
り、特に原料成形体密度の調整によって、β−５ｉＣの
含を率が高くかつ微細で粒径の揃った高純度の炭化けい
素（ＳｉＣ）を製造する技術についての提案である。
り、特に原料成形体密度の調整によって、β−５ｉＣの
含を率が高くかつ微細で粒径の揃った高純度の炭化けい
素（ＳｉＣ）を製造する技術についての提案である。
かかる炭化けい素（ＳｉＣ） ’は、高温安定性、高温
強度、高熱伝導性等の面で優れた機能を有するセラミン
クスの一種であり、エネルギー材料、化学装置、高温ガ
ス処理・電気加熱要素あるいは電気抵抗器等の分野に供
せられ、特に高温構造用材料としての使途においては、
省エネルギー、省資源化の目的に良く適合する材料とし
て有用である。
強度、高熱伝導性等の面で優れた機能を有するセラミン
クスの一種であり、エネルギー材料、化学装置、高温ガ
ス処理・電気加熱要素あるいは電気抵抗器等の分野に供
せられ、特に高温構造用材料としての使途においては、
省エネルギー、省資源化の目的に良く適合する材料とし
て有用である。
（従来の技術）
従来、ＳｔＣ粉末の工業的製造方法については、すでに
多くの技術が提案されている。例えば、特開昭５２−４
６３９８号公報においては、ＳｉｎｇとＣの混合物を成
形し、これをタンマン炉に充填し、温度１６００℃以上
の高温に加熱し、次式 ％式％（１） の反応を行わせてＳｉＣタリンカーとし、これを粉砕精
製する方法を開示している。すなわち、この方法をさら
に詳しく説明すると、上記（１１式のＳｉＣ生成反応は
通常、 ＳｉＯ□＋Ｃ−＝ ＳｉＯ＋ＣＯ・・・ （２）ＳｉＯ
＋２Ｃ→ＳｉＣ＋ＣＯ・・・ （３）の２段階を反応を
経て進行する。
多くの技術が提案されている。例えば、特開昭５２−４
６３９８号公報においては、ＳｉｎｇとＣの混合物を成
形し、これをタンマン炉に充填し、温度１６００℃以上
の高温に加熱し、次式 ％式％（１） の反応を行わせてＳｉＣタリンカーとし、これを粉砕精
製する方法を開示している。すなわち、この方法をさら
に詳しく説明すると、上記（１１式のＳｉＣ生成反応は
通常、 ＳｉＯ□＋Ｃ−＝ ＳｉＯ＋ＣＯ・・・ （２）ＳｉＯ
＋２Ｃ→ＳｉＣ＋ＣＯ・・・ （３）の２段階を反応を
経て進行する。
要するにこの従来方法は、（２）式の反応で生成するＳ
ｉＯガスの発生を遅らせることにより炭素にＳｉＯガス
を吸収させ、さらに原料が炉内を滑らかに流れるように
するために微粉末の砂石と炭素とを予め成形しておき、
これを加熱し反応させる技術である。
ｉＯガスの発生を遅らせることにより炭素にＳｉＯガス
を吸収させ、さらに原料が炉内を滑らかに流れるように
するために微粉末の砂石と炭素とを予め成形しておき、
これを加熱し反応させる技術である。
また、特開昭５４−１２２３１２号においては、重量で
カーボンブラック１００部とＳｉＯガス１７０〜２１０
部とを１０ｍｍＨｇ以下の減圧下、１２００〜１５００
℃の温度で反応させる方法について提案している。
カーボンブラック１００部とＳｉＯガス１７０〜２１０
部とを１０ｍｍＨｇ以下の減圧下、１２００〜１５００
℃の温度で反応させる方法について提案している。
さらに、特開昭５９〜２２７７０６号においては、非酸
化性ガス中に浮遊させた炭素微粉末とＳｉＯガスを温度
１５００℃以上で反応させる方法について提案している
。
化性ガス中に浮遊させた炭素微粉末とＳｉＯガスを温度
１５００℃以上で反応させる方法について提案している
。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記各従来技術の場合、解決を必要とす
る次のような問題点を抱えていた。まず特開昭５２−４
６３９８号の方法においては、得られたＳｉＣクリンカ
ー中のＳｉＣは互いに焼結し、微粉末状のＳｉＣを得る
ためには長時間粉砕する必要があり、経済的でない。ま
た特開昭５４−１２２３１２号の方法においては、減圧
上高温反応をさせるためには、操作が繁雑であり、実用
的でない。
る次のような問題点を抱えていた。まず特開昭５２−４
６３９８号の方法においては、得られたＳｉＣクリンカ
ー中のＳｉＣは互いに焼結し、微粉末状のＳｉＣを得る
ためには長時間粉砕する必要があり、経済的でない。ま
た特開昭５４−１２２３１２号の方法においては、減圧
上高温反応をさせるためには、操作が繁雑であり、実用
的でない。
さらに特開昭５９−２２７７０６号で提案の方法におい
ては、非酸化性雰囲気中に浮遊させた炭素微粉末にＳｉ
Ｏガスを導入してＳｉＣを得る装置として、Ｃを浮遊さ
せる設備、さらにＣとＳｉＯのモル比を浮遊層中でＣ／
５ｔｏ＝ ２に保つ設備等が不可欠と考えられるので製
造装置が煩雑となる欠点が挙げられる。
ては、非酸化性雰囲気中に浮遊させた炭素微粉末にＳｉ
Ｏガスを導入してＳｉＣを得る装置として、Ｃを浮遊さ
せる設備、さらにＣとＳｉＯのモル比を浮遊層中でＣ／
５ｔｏ＝ ２に保つ設備等が不可欠と考えられるので製
造装置が煩雑となる欠点が挙げられる。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、上述した従来技術が抱える問題点に対し
て鋭意研究した結果、次の事項を骨子とする手段を採用
すれば、玉揚の課題を有利に解決できることを知見した
。
て鋭意研究した結果、次の事項を骨子とする手段を採用
すれば、玉揚の課題を有利に解決できることを知見した
。
すなわち、ＳｉＯ微粉末および炭素含有材料を混合し成
形して得られる密度１．５ｇ／Ｃｍ３以下の成形体を原
料として、この成形体を非酸化性雰囲気のもとて１４０
０〜２０００℃の温度範囲で熱処理（焼成）する方法を
開発したのであり、この方法によれば、原料成形体が炭
素還元後完全にＳｉＣ粉末からなる塊状成形物となり、
高純度で微細なＳｉＣ粉末が高収率で得られるのである
。
形して得られる密度１．５ｇ／Ｃｍ３以下の成形体を原
料として、この成形体を非酸化性雰囲気のもとて１４０
０〜２０００℃の温度範囲で熱処理（焼成）する方法を
開発したのであり、この方法によれば、原料成形体が炭
素還元後完全にＳｉＣ粉末からなる塊状成形物となり、
高純度で微細なＳｉＣ粉末が高収率で得られるのである
。
（作 用）
本発明は、使用する原料粉末・原料形体および熱処理の
方法に特徴を有するが、以下にそれらの特徴的要件につ
き具体的に説明する。
方法に特徴を有するが、以下にそれらの特徴的要件につ
き具体的に説明する。
まず原料として使用するＳｉＯＣ粉末であるが、これに
は例えば、エレクトロニクスの分野で利用されている蒸
着薄膜形成用の原料であるＳｉＯ粉末などである。また
粒径１μｍ以下の非晶質のＳｉＯ超微粉なども使用可能
であり、微細なＳｉＣ粉末を得るためには原料のＳｉＯ
粉末も細かい方が望ましい。
は例えば、エレクトロニクスの分野で利用されている蒸
着薄膜形成用の原料であるＳｉＯ粉末などである。また
粒径１μｍ以下の非晶質のＳｉＯ超微粉なども使用可能
であり、微細なＳｉＣ粉末を得るためには原料のＳｉＯ
粉末も細かい方が望ましい。
かかるＳｉＯ粉末は、ＳｉＯ□−Ｃ系、ＳｔＯ□−Ｓｉ
系などの反応系の高温反応生成物として得られるが、い
わゆる高温で発生したＳｉＯ蒸気（ＳｉＯｆｇ））が不
均化反応を起こさずに、急冷、凝固した場合、１μｍ以
下の非常に微細な粉末として得られるものである。
系などの反応系の高温反応生成物として得られるが、い
わゆる高温で発生したＳｉＯ蒸気（ＳｉＯｆｇ））が不
均化反応を起こさずに、急冷、凝固した場合、１μｍ以
下の非常に微細な粉末として得られるものである。
該ＳｉＯ粉末はＸ線回折法で調査した結果非晶質であり
、また気相を介して得られるので、非常に微細（≦１μ
ｍ）でその表面は活性に冨み、場合によっては空気中の
酸素あるいは窒素と反応して表面がＳｉＯ□になってい
たり、表面が窒化していたりするものもある。
、また気相を介して得られるので、非常に微細（≦１μ
ｍ）でその表面は活性に冨み、場合によっては空気中の
酸素あるいは窒素と反応して表面がＳｉＯ□になってい
たり、表面が窒化していたりするものもある。
本発明においてＳｉＯ微粉末を原料として用いる理由は
次のような点にある。ここで、一般的なＳｉＯ□粉末と
Ｃ粉末を出発原料としてＳｉＣを合成する場合を比較の
ために述べると、この慣用法は、ＳｉＯ□十Ｃ→ＳｉＯ
＋（：Ｏ・・・（１）の反応により発生するＳｉＯ（ｇ
）を中間体として、ＳｉＯ＋２Ｃ→ＳｉＣ＋ＣＯ・・・
（２）の反応によりＳｉＣを生成させる方法である。し
かしながら、この反応においてＳｉｎ、は、ＳｉＯ粉末
に比べて反応活性に乏しく、加熱途中に軟化して（１）
弐の反応で得られたＳｉＯ（ｇ）の流通を妨げるばかり
かＣＯ（ｇ）の逸散を妨げたり、雰囲気ガスの流通をも
妨げ、系内のＳｉ０分圧の減少とともに６０分圧の上昇
をもたらして反応（２）の進行を阻害する。
次のような点にある。ここで、一般的なＳｉＯ□粉末と
Ｃ粉末を出発原料としてＳｉＣを合成する場合を比較の
ために述べると、この慣用法は、ＳｉＯ□十Ｃ→ＳｉＯ
＋（：Ｏ・・・（１）の反応により発生するＳｉＯ（ｇ
）を中間体として、ＳｉＯ＋２Ｃ→ＳｉＣ＋ＣＯ・・・
（２）の反応によりＳｉＣを生成させる方法である。し
かしながら、この反応においてＳｉｎ、は、ＳｉＯ粉末
に比べて反応活性に乏しく、加熱途中に軟化して（１）
弐の反応で得られたＳｉＯ（ｇ）の流通を妨げるばかり
かＣＯ（ｇ）の逸散を妨げたり、雰囲気ガスの流通をも
妨げ、系内のＳｉ０分圧の減少とともに６０分圧の上昇
をもたらして反応（２）の進行を阻害する。
しかし、ＳｉＯ粉末中に（２）式の反応量論比程度ある
いはやや多めにＣ粉末を配合すれば、系内の０□分圧を
減少させることができ、ＳｉＯ（ｇ） ＋ ’ＡＯ□＝
ＳｉＯ□（ｓ）・・・（３）の反応に伴うＳｉＯ□の生
成が抑制され、ＳｉＯ（Ｓ）−＝ＳｉＯ（ｇ）・・・（
４）の式に従うＳｉＯ（ｇ）の蒸発が円滑におこり、系
内のＳｉ０分圧が、ＳｉＯ□−Ｃ系に比べ高くなって反
応（２）式の進行が促進される。さらに５ｉＯ（ｓ）と
しては非晶質で微細なものを用いれば、非常に反応活性
であるため、反応（２）を一層促進することができるよ
うになる。
いはやや多めにＣ粉末を配合すれば、系内の０□分圧を
減少させることができ、ＳｉＯ（ｇ） ＋ ’ＡＯ□＝
ＳｉＯ□（ｓ）・・・（３）の反応に伴うＳｉＯ□の生
成が抑制され、ＳｉＯ（Ｓ）−＝ＳｉＯ（ｇ）・・・（
４）の式に従うＳｉＯ（ｇ）の蒸発が円滑におこり、系
内のＳｉ０分圧が、ＳｉＯ□−Ｃ系に比べ高くなって反
応（２）式の進行が促進される。さらに５ｉＯ（ｓ）と
しては非晶質で微細なものを用いれば、非常に反応活性
であるため、反応（２）を一層促進することができるよ
うになる。
次に、本発明において使用する炭素含有材料としては、
とくに限定しないが、ＳｉＯ粉末との均一な混合状態が
達成され、かつ炭素以外の不純物が少ないほうが望まし
い。例えば、天分の少ない石油コークスや石油ピッチ、
石炭ピッチ、カーボンブラック、各種有機樹脂などの粉
末状のものが好適である。
とくに限定しないが、ＳｉＯ粉末との均一な混合状態が
達成され、かつ炭素以外の不純物が少ないほうが望まし
い。例えば、天分の少ない石油コークスや石油ピッチ、
石炭ピッチ、カーボンブラック、各種有機樹脂などの粉
末状のものが好適である。
さて、本発明においてＳｉＯ粉末と炭素含有材料中の炭
素との混合は、モル比（Ｃ／５ｉＯ）で１．４〜３．０
の範囲を示すように配合することにより、ＳｉＣ粉末の
収率向上が期待できる。これは次の理由による。ＳｉＯ
：１モルあたりＣが１．４モル未満ではＳｉＯ□の生成
が認められ、ＳｉＣの収率が低下する。
素との混合は、モル比（Ｃ／５ｉＯ）で１．４〜３．０
の範囲を示すように配合することにより、ＳｉＣ粉末の
収率向上が期待できる。これは次の理由による。ＳｉＯ
：１モルあたりＣが１．４モル未満ではＳｉＯ□の生成
が認められ、ＳｉＣの収率が低下する。
一方、Ｓｉ０１モルあたりＣが３．０モルを超えると未
反応のフＩＪ Ｃが増加し、結局ＳｉＣの収率が減少
するからである。
反応のフＩＪ Ｃが増加し、結局ＳｉＣの収率が減少
するからである。
次に本発明においては上記ＳｉＯＦＡ末とＣ含有材料と
の混合成形体の密度を１．５ｇ／ｃｍ１以下となるよう
に成形することを特徴の１つとするが、これは次の理由
による。
の混合成形体の密度を１．５ｇ／ｃｍ１以下となるよう
に成形することを特徴の１つとするが、これは次の理由
による。
原料成形体の密度を１．５ｇ／ｃｍ’より高（した場合
、生成物中にＳｉＣの他にＳｉｎ、が一部生成し、結果
的にＳｉＣの収率が減少する。すなわち、ＳｉＯ粉末か
らＳｉＣが得られる反応は、ＳｉＯ＋２Ｃ→ＳｉＣ＋Ｃ
Ｏ↑・・・（１）で示される。原料成形体密度が１．５
ｇ／ｃｍ３以下の場合、この成形体は、多孔質状であり
、成形体内部にまで開気孔が存在する。そのために非酸
化性雰囲気で焼成する際、発生するＣＯはこの開気孔か
ら系外に容易に逸散すると考えられる。したがって、開
気孔内でおこる上記反応（１）において、００分圧が高
まることなく容易にＳｉＯが還元炭化することになる。
、生成物中にＳｉＣの他にＳｉｎ、が一部生成し、結果
的にＳｉＣの収率が減少する。すなわち、ＳｉＯ粉末か
らＳｉＣが得られる反応は、ＳｉＯ＋２Ｃ→ＳｉＣ＋Ｃ
Ｏ↑・・・（１）で示される。原料成形体密度が１．５
ｇ／ｃｍ３以下の場合、この成形体は、多孔質状であり
、成形体内部にまで開気孔が存在する。そのために非酸
化性雰囲気で焼成する際、発生するＣＯはこの開気孔か
ら系外に容易に逸散すると考えられる。したがって、開
気孔内でおこる上記反応（１）において、００分圧が高
まることなく容易にＳｉＯが還元炭化することになる。
またこのようなミクロな空孔内で上記反応（１）のよう
な気相反応が起こることにより、粉末状の原料から出発
するよりも過飽和度の上昇が期待できるため、微細なＳ
ｉＣ粉末が得られる。
な気相反応が起こることにより、粉末状の原料から出発
するよりも過飽和度の上昇が期待できるため、微細なＳ
ｉＣ粉末が得られる。
これに対して、原料成形体の密度が１．５ｇ／ｃｍ’よ
り高く場合、上記反応（１）で生成するＣＯガスの系外
への逸散が容易でなくなるため反応（１）が進みにくく
なると考えられる。そしてＳｉＯの不均化反応；２Ｓｉ
Ｏ＝ＳｉＯ□＋Ｓｔ・・・（２）などの副反応が起こり
、ＳｉＯ□が一部残留すると思われる。
り高く場合、上記反応（１）で生成するＣＯガスの系外
への逸散が容易でなくなるため反応（１）が進みにくく
なると考えられる。そしてＳｉＯの不均化反応；２Ｓｉ
Ｏ＝ＳｉＯ□＋Ｓｔ・・・（２）などの副反応が起こり
、ＳｉＯ□が一部残留すると思われる。
さらに本発明においては、上記の如き原料成形体を出発
原料として採用することにより、頻雑な設備を用いずに
容易にＳｉＣ粉末が得られることとなった。すなわち、
原料成形体を非酸化性雰囲気で焼成することにより、原
料成形体は黒鉛ルツボ内で、そのままの形を保ちなから
ＳｉＣ粉末の塊状生成物となるため、非常に簡単な雰囲
気炉を用いることが容易となる。
原料として採用することにより、頻雑な設備を用いずに
容易にＳｉＣ粉末が得られることとなった。すなわち、
原料成形体を非酸化性雰囲気で焼成することにより、原
料成形体は黒鉛ルツボ内で、そのままの形を保ちなから
ＳｉＣ粉末の塊状生成物となるため、非常に簡単な雰囲
気炉を用いることが容易となる。
なお成形に先立ち出発原料を混合して混合粉末を調整す
る方法としては、湿式又は乾式のボールミル法が挙げら
れる。また、本発明において原料混合粉末の造粒は、水
、アルコール、アセトン等で用いた湿式法で行い、乾燥
させてもよいし、ポリビニルアルコール、レジン等の有
機バインダー。
る方法としては、湿式又は乾式のボールミル法が挙げら
れる。また、本発明において原料混合粉末の造粒は、水
、アルコール、アセトン等で用いた湿式法で行い、乾燥
させてもよいし、ポリビニルアルコール、レジン等の有
機バインダー。
コローイダルシリカ、シランカップリング剤等の無機バ
インダーを使用して造粒、乾燥して成形体を得てもよい
。また成形法としては押出し成形機。
インダーを使用して造粒、乾燥して成形体を得てもよい
。また成形法としては押出し成形機。
ブリケノティングマシン金型成形機等のいずれを使用し
てもさしつかえない。
てもさしつかえない。
次に本発明においては、上記ＳｉＯ扮末とＣ含有材料と
の混合成形体原料を、非酸化性ガスを充填した雰囲気中
で加熱焼成する。使用するガス雰囲気は、計、 Ｉｌｅ
、 Ｎｚ＋ Ａｒ−Ｈｚ、 Ａｒ−Ｎｚ、 Ａｒ−Ｈｅ
など不活性ガス、不活性ガス＋還元性ガスの組合わせ、
あるいは不活性ガスどうしの組合わせなどのガス雰囲気
が挙げられるが、いずれにしても主体をなすのは不活性
ガスである。
の混合成形体原料を、非酸化性ガスを充填した雰囲気中
で加熱焼成する。使用するガス雰囲気は、計、 Ｉｌｅ
、 Ｎｚ＋ Ａｒ−Ｈｚ、 Ａｒ−Ｎｚ、 Ａｒ−Ｈｅ
など不活性ガス、不活性ガス＋還元性ガスの組合わせ、
あるいは不活性ガスどうしの組合わせなどのガス雰囲気
が挙げられるが、いずれにしても主体をなすのは不活性
ガスである。
加熱焼成の温度としては、１４００’Ｃ〜２０００℃の
範囲が望ましい。この温度範囲を採用すると、１４００
°Ｃ未満ではＳｉＣの生成が難しく、逆にＳｉＯ□等が
生成しやすい。また２０００℃を超えると生成粉末の焼
結がおこり、微細なＳｉＣが得られない。
範囲が望ましい。この温度範囲を採用すると、１４００
°Ｃ未満ではＳｉＣの生成が難しく、逆にＳｉＯ□等が
生成しやすい。また２０００℃を超えると生成粉末の焼
結がおこり、微細なＳｉＣが得られない。
本発明において、原料の配合比（Ｃ／５ｉＯ）が大きい
場合、焼成後炭素が残留することがある。そうした場合
、さらに、酸化性雰囲気中で焼成し、残留した炭素を燃
焼させることにより除去することができる。酸化性雰囲
気中での焼成温度としては７００°Ｃ以下が好適である
。
場合、焼成後炭素が残留することがある。そうした場合
、さらに、酸化性雰囲気中で焼成し、残留した炭素を燃
焼させることにより除去することができる。酸化性雰囲
気中での焼成温度としては７００°Ｃ以下が好適である
。
（実施例）
種々の粒径のＳｉＯ粉末と、炭素含有材料としてカーボ
ンブラックとを、第１表に示す配合割合で均一に混合し
金型成形機で成形して種々の密度の原料成形体を調整し
た。これら種々の密度の原料成形体をカーボンルツボ内
で非酸化性雰囲気に保持して第１表に示す温度範囲にお
いて２時間熱処理を行った。こうした熱処理で得た生成
物を粉末Ｘ線回折によってＳｉＣの生成割合を測定した
。さらに走査型電子顕微鏡観察によりＳｉＣ粉末の粒径
を測定した。その結果を第１表に示したが、所期したと
おりの結果が得られた。
ンブラックとを、第１表に示す配合割合で均一に混合し
金型成形機で成形して種々の密度の原料成形体を調整し
た。これら種々の密度の原料成形体をカーボンルツボ内
で非酸化性雰囲気に保持して第１表に示す温度範囲にお
いて２時間熱処理を行った。こうした熱処理で得た生成
物を粉末Ｘ線回折によってＳｉＣの生成割合を測定した
。さらに走査型電子顕微鏡観察によりＳｉＣ粉末の粒径
を測定した。その結果を第１表に示したが、所期したと
おりの結果が得られた。
※原料混合物を成形せず、そのままルツボに充填して熱
処理した。
処理した。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、・高純度で微細な
ＳｉＣ粉末を簡易な設備で安価に高収率で製造できる。
ＳｉＣ粉末を簡易な設備で安価に高収率で製造できる。
Claims (1)
- １、けい素含有物の成形体を原料とし、これを非酸化性
雰囲気の下で熱処理することにより炭化けい素粉末を製
造する方法において、前記原料としてＳｉＯ微粉末およ
び炭素含有材料とを混合し密度が１．５ｇ／ｃｍ＾３以
下となるように成形したものを用い、この成形体を１４
００〜２０００℃の温度範囲に保持して熱処理すること
を特徴とする炭化けい素粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60265081A JPS62128913A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 炭化けい素粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60265081A JPS62128913A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 炭化けい素粉末の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128913A true JPS62128913A (ja) | 1987-06-11 |
Family
ID=17412332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60265081A Pending JPS62128913A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 炭化けい素粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128913A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02180710A (ja) * | 1988-11-10 | 1990-07-13 | Pechiney Electrometall | 微粉状αまたはβ炭化ケイ素の製造方法 |
| JP2008207633A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 車両用浄化装置 |
| JP2013503099A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 炭化ケイ素粉体製造方法及びシステム |
-
1985
- 1985-11-27 JP JP60265081A patent/JPS62128913A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02180710A (ja) * | 1988-11-10 | 1990-07-13 | Pechiney Electrometall | 微粉状αまたはβ炭化ケイ素の製造方法 |
| JP2008207633A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 車両用浄化装置 |
| JP2013503099A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 炭化ケイ素粉体製造方法及びシステム |
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