JPS6227400A - 窒化けい素ウイスカ−の製造方法 - Google Patents
窒化けい素ウイスカ−の製造方法Info
- Publication number
- JPS6227400A JPS6227400A JP16567585A JP16567585A JPS6227400A JP S6227400 A JPS6227400 A JP S6227400A JP 16567585 A JP16567585 A JP 16567585A JP 16567585 A JP16567585 A JP 16567585A JP S6227400 A JPS6227400 A JP S6227400A
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- JP
- Japan
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- sio
- powder
- silicon nitride
- whiskers
- carbon
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
窒化けい素ウィスカーは、欠陥のない微細な繊維状に成
長した単結晶であり、理想結晶に近い機械的性質を有し
ていることから繊維強化複合材料用基材としていわゆる
セラミックスの分野において重要な位置を占めるもので
ある。
長した単結晶であり、理想結晶に近い機械的性質を有し
ていることから繊維強化複合材料用基材としていわゆる
セラミックスの分野において重要な位置を占めるもので
ある。
即ち本発明は窒化けい素(SiJt)ウィスカー製造方
法に関しての開発成果を提案するものである。
法に関しての開発成果を提案するものである。
(従来の技術)
窒化けい素ウィスカーの製造技術としては、従来から多
くの試みがなされているが、−a的には窒化けい素粉末
合成時の副産物として回収するのが普通であり、この場
合その収率も低く大量生産が望めない。
くの試みがなされているが、−a的には窒化けい素粉末
合成時の副産物として回収するのが普通であり、この場
合その収率も低く大量生産が望めない。
また、窒化けい素ウィスカーの直接製造方法としては、
Stを含有する原料を破砕または造粒して炉内に装填し
、これを常圧下で加熱してSiを含む蒸気を発生させ、
この蒸気に窒素ガスを接触させてウィスカーを成長させ
る気相法がある。この技術の場合、常圧下において加熱
された原料粉に直接窒素ガスを反応させるので、原料粉
末粒子の原料ベレット表面に窒化けい素が生成し、Si
O蒸気の蒸発を妨げるという問題点があった。こうした
問題点に対し、従来種々の研究開発が進められており、
例えば特公昭49−27755号、特公昭50−448
0号あるいは特開昭58−172298号等として、本
発明技術思想に近いものが既に提案されている。
Stを含有する原料を破砕または造粒して炉内に装填し
、これを常圧下で加熱してSiを含む蒸気を発生させ、
この蒸気に窒素ガスを接触させてウィスカーを成長させ
る気相法がある。この技術の場合、常圧下において加熱
された原料粉に直接窒素ガスを反応させるので、原料粉
末粒子の原料ベレット表面に窒化けい素が生成し、Si
O蒸気の蒸発を妨げるという問題点があった。こうした
問題点に対し、従来種々の研究開発が進められており、
例えば特公昭49−27755号、特公昭50−448
0号あるいは特開昭58−172298号等として、本
発明技術思想に近いものが既に提案されている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、特公昭49−27755号開示の技術は
、原料から離れた空間位置で、けい素成分とN2ガスを
主成分とする混合反応ガス中の窒素とを反応させる方法
であるから、炉の天井や側壁でウィスカーが生成成長す
る。その結果原料中のけい素成分が窒化けい素ウィスカ
ーに変換される効率が、例えば特公昭50−4480号
にみられるように0.2〜11.3%というように極め
て低い。
、原料から離れた空間位置で、けい素成分とN2ガスを
主成分とする混合反応ガス中の窒素とを反応させる方法
であるから、炉の天井や側壁でウィスカーが生成成長す
る。その結果原料中のけい素成分が窒化けい素ウィスカ
ーに変換される効率が、例えば特公昭50−4480号
にみられるように0.2〜11.3%というように極め
て低い。
また、特開昭58−172298号開示の技術(よ、原
料中にSi、N、粉末を添加し非酸化物性の雰囲気中に
窒素ガスを流通させつつ、約400℃〜1300℃に主
温度域を間欠的に移動させて不純物成分を連敗除去させ
た後、約1350℃〜1450℃に至る温度域を移動さ
せる方法があるが、その収率は38%と高いものの窒化
けい素粉束の混入は避けられないという大きな問題点が
ある。そして、窒化けい素粉束と窒化けい素ウィスカー
の混合物から窒化けい素ウィスカーを分離させるために
は、機械的方法やエアーレーション、超音波などの方法
を用いねばならず、煩雑なために工業的製造方法として
望ましい方法ではない。
料中にSi、N、粉末を添加し非酸化物性の雰囲気中に
窒素ガスを流通させつつ、約400℃〜1300℃に主
温度域を間欠的に移動させて不純物成分を連敗除去させ
た後、約1350℃〜1450℃に至る温度域を移動さ
せる方法があるが、その収率は38%と高いものの窒化
けい素粉束の混入は避けられないという大きな問題点が
ある。そして、窒化けい素粉束と窒化けい素ウィスカー
の混合物から窒化けい素ウィスカーを分離させるために
は、機械的方法やエアーレーション、超音波などの方法
を用いねばならず、煩雑なために工業的製造方法として
望ましい方法ではない。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは、先に微細なSiO粉末と炭素含有物質を
混合して窒化性の雰囲気で適度な温度範囲を選択し、熱
処理することにより、ウィスカー状5iJ4が得られる
ことを見い出したが、この技術につきさらに研究を進め
た結果、該ウィスカーの収率はN2分圧に大きく依存す
ることを新たに見い出した。
混合して窒化性の雰囲気で適度な温度範囲を選択し、熱
処理することにより、ウィスカー状5iJ4が得られる
ことを見い出したが、この技術につきさらに研究を進め
た結果、該ウィスカーの収率はN2分圧に大きく依存す
ることを新たに見い出した。
本発明はかような知見に基づき、上記従来技術のような
煩雑な操作あるいは反応装置を用いずにα−3i、N、
ウィスカーの得られる製造方法を提供しようというもの
である。すなわち、本発明は、モル比(C/5iO)が
0.6以下となる割合で混合したSiO粉末と炭素含有
物との混合物もしくはその成形体を、N2分圧を1気圧
以上に調整した窒化性雰囲気中で、1300〜1800
℃で加熱することを特徴とする窒化けい素ウィスカーの
製造方法を、上記従来技術が抱える課題解決の手段とし
て採用することとした。
煩雑な操作あるいは反応装置を用いずにα−3i、N、
ウィスカーの得られる製造方法を提供しようというもの
である。すなわち、本発明は、モル比(C/5iO)が
0.6以下となる割合で混合したSiO粉末と炭素含有
物との混合物もしくはその成形体を、N2分圧を1気圧
以上に調整した窒化性雰囲気中で、1300〜1800
℃で加熱することを特徴とする窒化けい素ウィスカーの
製造方法を、上記従来技術が抱える課題解決の手段とし
て採用することとした。
本発明で原料として用いるSiO粉末は特に限定しない
が、例えばエレクトロニクス分野で利用される蒸着膜形
成用の原料であるSiO粉末などの使用が可能である。
が、例えばエレクトロニクス分野で利用される蒸着膜形
成用の原料であるSiO粉末などの使用が可能である。
また、粒径1μm以下の非晶質SiO超微粉などでもよ
い。通常このSiO粉末は、5i02−C系、5iOt
−Si系などの反応系の高温反応生成物として得られる
。高温で発生したSiO蒸気(以下はrsiO軸)」と
記す)が不均化反応(2SiO→SiO□+St)を起
こさず急冷、凝固した場合には、X線的には非晶質で気
相を介して得られるので非常に微細なものが得られる。
い。通常このSiO粉末は、5i02−C系、5iOt
−Si系などの反応系の高温反応生成物として得られる
。高温で発生したSiO蒸気(以下はrsiO軸)」と
記す)が不均化反応(2SiO→SiO□+St)を起
こさず急冷、凝固した場合には、X線的には非晶質で気
相を介して得られるので非常に微細なものが得られる。
しかも、その表面は活性に冨み、場合によっては空気中
の02と反応して表面のみ5i(hになっている場合も
あり、あるいは窒素と反応して表面のみ窒化しているこ
ともある。
の02と反応して表面のみ5i(hになっている場合も
あり、あるいは窒素と反応して表面のみ窒化しているこ
ともある。
本発明においてSiO粉末を原料として用いるのは次の
理由による。一般に窒化けい素(SiJa)ウィスカー
を製造する場合、Singを出発原料として用いるが、
SiO□は反応活性に乏しく、また加熱途中に容易に軟
化しくSin、 +C−5iO(g) +CO・・・(
1)〕、反応(1)で発生するSiO(g)の流通を阻
害するため、結果的には5iJnばかりでなく 、Si
2ON2やSiCなども不可避的に生成しやすい。
理由による。一般に窒化けい素(SiJa)ウィスカー
を製造する場合、Singを出発原料として用いるが、
SiO□は反応活性に乏しく、また加熱途中に容易に軟
化しくSin、 +C−5iO(g) +CO・・・(
1)〕、反応(1)で発生するSiO(g)の流通を阻
害するため、結果的には5iJnばかりでなく 、Si
2ON2やSiCなども不可避的に生成しやすい。
しかし、SiO粉末を用いた場合、(SiO(s)−S
iO(g)・・・(2)〕のような反応により、SiO
(g)が発生し、5i02にその流通を阻害されること
が無くなる。
iO(g)・・・(2)〕のような反応により、SiO
(g)が発生し、5i02にその流通を阻害されること
が無くなる。
その上、実験的にSiOの不均化反応もおこらず、Si
O□やSiなどの生成も認められない。一方では微細な
SiO(g)を用いることにより、Si0分圧が非常に
高まることも期待されるので、SiO粉末を出発原料と
して用いる利点は大きい。SiO粉末を用いることによ
り、生成物は焼結した5i2ONzとα−5iJ。
O□やSiなどの生成も認められない。一方では微細な
SiO(g)を用いることにより、Si0分圧が非常に
高まることも期待されるので、SiO粉末を出発原料と
して用いる利点は大きい。SiO粉末を用いることによ
り、生成物は焼結した5i2ONzとα−5iJ。
ウィスカーの混合物であり、しかもこれらは相互に非常
に分離しやすいので有利である。
に分離しやすいので有利である。
次に本発明において使用する炭素含有物としては、特に
限定しないが、SiO粉末と均一な混合状態が達成され
、かつ炭素以外の不純物が少ないものが望ましい。例え
ば、天分の少ない石油コークス、石油ピッチ、カーボン
ブランクあるいは各種有機樹脂などが好適である。
限定しないが、SiO粉末と均一な混合状態が達成され
、かつ炭素以外の不純物が少ないものが望ましい。例え
ば、天分の少ない石油コークス、石油ピッチ、カーボン
ブランクあるいは各種有機樹脂などが好適である。
本発明においては、前記SiO粉末と炭素含有物質との
混合物を利用するが、使用の形態としては混合粉末のま
ま、あるいはその混合粉末を金型成形機などで成形体に
したものを使用してもよい。
混合物を利用するが、使用の形態としては混合粉末のま
ま、あるいはその混合粉末を金型成形機などで成形体に
したものを使用してもよい。
さて、製造に当っては上記SiO粉末と炭素含有物質と
の混合粉末もしくはその成形体を、窒化性ガスを充填し
た雰囲気中で加熱焼成するが、ここで使用する窒化性ガ
ス雰囲気としては、N2やN113N2−H□、 N2
−Arなどの雰囲気が挙げられるが、どのガス雰囲気で
も本発明の目的は達成される。
の混合粉末もしくはその成形体を、窒化性ガスを充填し
た雰囲気中で加熱焼成するが、ここで使用する窒化性ガ
ス雰囲気としては、N2やN113N2−H□、 N2
−Arなどの雰囲気が挙げられるが、どのガス雰囲気で
も本発明の目的は達成される。
加熱焼成の温度は、1300〜1800°Cの範囲が選
ばれる。この温度範囲限定の理由は、1300°C未満
では窒化けい素ウィスカー(α−3iJ4ウイスカー)
が生成しd(SiO□や5izONzの生成量が多く収
率低下を招く。また1800°Cを超えるとβ−5iJ
4の生成が増加し、結局所望のα−3iJ4ウイスカー
の収率が2=&少するばかりか、炭素の含有量の多い場
合にはSiCの生成が見られるからである。
ばれる。この温度範囲限定の理由は、1300°C未満
では窒化けい素ウィスカー(α−3iJ4ウイスカー)
が生成しd(SiO□や5izONzの生成量が多く収
率低下を招く。また1800°Cを超えるとβ−5iJ
4の生成が増加し、結局所望のα−3iJ4ウイスカー
の収率が2=&少するばかりか、炭素の含有量の多い場
合にはSiCの生成が見られるからである。
さらに本発明においては、出発原料として用いるSiO
粉末と炭素含有物質中の炭素との混合比を、モル比(C
/SiO)でウィスカーの場合0.6以下に限定する。
粉末と炭素含有物質中の炭素との混合比を、モル比(C
/SiO)でウィスカーの場合0.6以下に限定する。
C/Si0モル比が0.6を超えると、窒化けい素粉束
、炭化けい素粉束の生成が増加し、結果的に5iJ4ウ
イスカーの収量が現象するからである。好ましくは、0
.4以下である。
、炭化けい素粉束の生成が増加し、結果的に5iJ4ウ
イスカーの収量が現象するからである。好ましくは、0
.4以下である。
次に本発明において出発原料を焼成する際、窒化性ガス
雰囲気中のN2分圧を1気圧以上に保つのは次の理由に
よる。一般にSi3N4 ウィスカーの生成機構は、V
LS機構(ヘーパーーリキソドーソリッド機構)である
と考えられている。これを詳しく説明すると、sio(
g)が黒鉛るつぼ中に含まれる不純物におけるFe粉末
表面の析出カーボンで還元され、(3)式に示すような
反応によりSiがFe中に溶融しく共晶温度1280℃
)液滴となる。
雰囲気中のN2分圧を1気圧以上に保つのは次の理由に
よる。一般にSi3N4 ウィスカーの生成機構は、V
LS機構(ヘーパーーリキソドーソリッド機構)である
と考えられている。これを詳しく説明すると、sio(
g)が黒鉛るつぼ中に含まれる不純物におけるFe粉末
表面の析出カーボンで還元され、(3)式に示すような
反応によりSiがFe中に溶融しく共晶温度1280℃
)液滴となる。
SiO(g) +C(onFe) →Si (inFe
) +CO↑・(3+また窒化性雰囲気によりN2が液
滴中に固溶しており、別に固溶しているSiと反応して
5iJ4を生成する。
) +CO↑・(3+また窒化性雰囲気によりN2が液
滴中に固溶しており、別に固溶しているSiと反応して
5iJ4を生成する。
Nz−2N(inFe) ・・−(4)3Si(i
nFe) +4N(inFe)→Si:+L ・
・・+51生成した5iJ4は、液滴中で過飽和になり
析出する。従ってN2分圧を高く設定することにより、
液滴中へのN2の溶解度が増加し、(5)式は著しく、
促進され、5iJ4の析出速度が増加する。N2分圧を
1気圧以下にするとこの様な効果が期待できず、その結
果としてα−5i3N4ウイスカーの収率が現象するこ
とになる。
nFe) +4N(inFe)→Si:+L ・
・・+51生成した5iJ4は、液滴中で過飽和になり
析出する。従ってN2分圧を高く設定することにより、
液滴中へのN2の溶解度が増加し、(5)式は著しく、
促進され、5iJ4の析出速度が増加する。N2分圧を
1気圧以下にするとこの様な効果が期待できず、その結
果としてα−5i3N4ウイスカーの収率が現象するこ
とになる。
(実施例)
平均粒度0.2μmのSiO粉末とカーボンブランクと
の第1表に示すモル比(C/SiO)の配合割合で、均
一に混合して原料混合粉末を調整した。これらの混合粉
末をカーボンるつぼに軽く充填して第1表に示す条件に
て2時間の熱処理を行なった。
の第1表に示すモル比(C/SiO)の配合割合で、均
一に混合して原料混合粉末を調整した。これらの混合粉
末をカーボンるつぼに軽く充填して第1表に示す条件に
て2時間の熱処理を行なった。
こうした熱処理で得た生成物を、粉末X線回折によって
生成結晶相を同定し、α−3i3N、ウィスカーの生成
割合を測定した。
生成結晶相を同定し、α−3i3N、ウィスカーの生成
割合を測定した。
(発明の効果)
以上説明したように本発明によれば、比較滴簡便な方法
でかつ非常に回収しやすい形で、α−3il14を高濃
度に含む窒化けい素ウィスカーを高収率で生産すること
できる。
でかつ非常に回収しやすい形で、α−3il14を高濃
度に含む窒化けい素ウィスカーを高収率で生産すること
できる。
Claims (1)
- 1、モル比(C/SiO)が0.6以下となる割合で混
合したSiO粉末と炭素含有物との混合物もしくはその
成形体を、N_2分圧を1気圧以上に調整した窒化性雰
囲気中で、1300〜1800℃の温度で加熱すること
を特徴とする窒化けい素ウィスカーの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16567585A JPS6227400A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 窒化けい素ウイスカ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16567585A JPS6227400A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 窒化けい素ウイスカ−の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6227400A true JPS6227400A (ja) | 1987-02-05 |
Family
ID=15816894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16567585A Pending JPS6227400A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 窒化けい素ウイスカ−の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6227400A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01239100A (ja) * | 1987-06-04 | 1989-09-25 | Ind Res Inst Japan | 単結晶ウイスカ−の製造方法 |
-
1985
- 1985-07-29 JP JP16567585A patent/JPS6227400A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01239100A (ja) * | 1987-06-04 | 1989-09-25 | Ind Res Inst Japan | 単結晶ウイスカ−の製造方法 |
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