JPH03232800A - 炭化珪素ウィスカーの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は炭化珪素ウィスカーの製造方法に関し、より詳
しくはウィスカー強化セラミックスに適した直径の太い
炭化珪素ウィスカーの経済的かつ工業的な製造方法に関
する。

〈従来の技術〉 炭化珪素ウィスカーの製造方法は、気体原料法と固体原
料法とに大別でき、また固体原料法は輸送法とバルク法
に分けられる。

気体原料法は、炭素源に炭化水素ガスを、珪素源に５ｉ
Ｃ１ａなどの珪素含有ガスを原料として使用する方法で
あり、具体的には、加熱された基板上に上述のガスを導
入し、基板上に炭化珪素ウィスカーを成長させる方法で
ある。得られるウィスカーのアスペクト比は大きいとい
う長所があるが、多量に収穫しようとすると大面積の基
板が必要であり、また導入ガスの利用率も低いという欠
点があり、大規模生産には向かない。

固体原料法のうち輸送法は、炭素源として炭素粉などの
固体を、珪素源とじてンリカ粉などの固体を使用する方
法で、その原料を加熱し、発生したガスを固体原料充填
層の表面もしくは固体原Ｉｔが置かれている場所から離
れた場所に移動させ、そこでウィスカーを生成させる方
法である。この方法では得られたウィスカーのアスペク
ト比が大きいという長所があるが、多量に収穫しようと
すると大面積を必要とするという欠点があり、この方法
も大規模生産には向かない。

また、固体原料法のうちバルク法は、炭素源として炭素
粉などの固体を、珪素原料としてノリ力わ）などの固体
を使用する方法で、この原料中にあらかしめウィスカー
が成長するに十分な空隙を導入し、不活性雰囲気中で加
熱処理することによりバルクに導入した空隙にウィスカ
ーを成長さ一ヒる方法である。この方法では固体粉末充
填層中にウィスカーが成長するため、大量生産が容易で
あるという長所があるが、空隙の大きさを制御し難いた
めにアスペクト比にばらつきが大きく、かつ平均アスペ
クト比が小さいという欠点を有していた。

また、空隙が十分にないと炭化珪素の粉末が生成し易い
ため、炭化珪素１５ｊ末の混在が避は難く、次工程でウ
ィスカーと粉末との分離が必要となるなどの欠点があっ
た。しかしこのような欠点があるものの現在工業化され
ている方法はいずれもこの方法である。

一方、Ｂｅｃｈｅｒ等が（Ｆｒａｃｔｕｒｅ　　Ｍｅｃ
ｈａｎｉｃｓ　　ｏｒＣｅｒａｍｉｃｓ、　ｖｏｌ、　
７．６１−７３．　Ｐｌｅｎｕｍ　Ｐｒｅｓｓ　　（１
９８６）、〕で、あるいは安田等が〔「セラミックス系
複合材料の製造に関する諸展開、　、３４−３７．日本
金属学会シンポジウム（１９８８）　）で報告している
ごとく、炭化珪素ウィスカー強化セラミ、クスにおいて
はウィスカーの直径が大きくなるほどセラミックスの靭
性が向上する。しかし、前述の固体原料バルク法で製造
される炭化珪素ウィスカーの直径は０．３〜０．８μｍ
と細く、十分な高靭化をはかるごとができなかった。

従来、直径が１μｍより大きい炭化珪素ウィスカーの製
造にはＧａｃ等が（Ｊ、　Ｍａｔｅｒ、Ｓｃｉ、２０，
１１６０６８　　（１９８５）　）で、あるいはＧ、八
、　Ｂｏｏｔｓｍａ等がＣＪ、　Ｃｒｙｒ＋ｔ、　Ｇｒ
ｏｗＬｔ＋、　Ｉｌ、　２９７−３０９　（１９７１）
　）で報告しているごとく、輸送法が用いられてきたが
、これらの方法は前述のごとく実験室的に製造可能でも
工業的には有利な方法ではなかった。

〈発明が解決しようとする課題〉 先に発明者達は固体原料法−バルク法で炭化珪素ウィス
カーを製造する経済的かつ工業的な方法を開発し、特願
昭６３−１９６１９５号として出願したが、本発明はそ
の改良になり、直径が１μｍ以上の炭化珪素ウィスカー
の製造方法を従案することを目的とするものである。

〈課題を解決するための手段〉 本発明は、珪素含有粉末と炭素質粉末との混合物を、水
素を含む気流中で加熱反応させ炭化珪素ウィスカーを製
造する方法において、予め珪素含有粉末の造粒化ならび
に炭素質粉末の造粒化をはかり、これらを混ぜることに
よりかさ密度０．１ｇ／ｃｌ以下の混合物とすることを
特徴とする炭化珪素ウィスカーの製造方法であり、また
珪素含有粉末、炭素質粉末及び触媒粉との混合物を、水
素を含む気流中で加熱反応させ炭化珪素ウィスカーを製
造する方法において、予め珪素含有粉末の造粒化ならび
に炭素質粉末と触媒粉との混合物の造粒化をはかり、こ
れらを混ぜることによりかさ密度０．１ｇ／ｃｎＪ以下
の混合物とすることを特徴とする炭化珪素ウィスカーの
製造方法である。

〈作用〉 発明者等はウィスカー強化セラミンクスに適した直径の
太い炭化珪素ウィスカーの成長について鋭意研究した結
果以下の知見を得て本発明に到った。すなわち、■バル
ク法においても気相を介した物質移動により炭化珪素ウ
ィスカーは成長する■炭化珪素ウィスカーが成長するに
は空間が必要である。■成長するウィスカーの直径と触
媒径には一定の関係がある。などである。

従って固体原料バルク法で直径の太いウィスカーを合成
するためには■原料の嵩密度と共に■ウィスカーの成長
する空間の確保が重要である。

本発明ではウィスカーの成長する空間を確保するために
、珪素含有物質の造粒化及び炭素質粉末の造粒化又は炭
素質粉末と触媒粉の混合物の造粒化を予めはかった上で
混合物とするものである。

また混合物のかさ密度は０．１ｇ／ｃｍ３以下に限定さ
れる。　　０．１ｇ／ｃ艷超ではウィスカーの成長が十
分ではなく、炭化珪素粉末の生成量が多くなる。

好ましくは０．０７ｇ／ｃ艷以下である。

シリカとカーボンの混合物のかさ密度をＯ，１ｇ／ｃＩ
Ｉｌ以下にするには次の方法などが適用される。

すなわち、造粒体のかさ密度が概略０．１ｇ／ｃｔＡ以
下のカーボンないしはシリカを混合すればかさ密度０．
１ｇ／ｃ−以下の混合物を得ることができる。

また、かさ密度が０．１ｇ／ｃｍ３以上のカーボンある
いはシリカでももう一方の原料のかさ密度がたいへん小
さければこの方法でもかさ密度０．１ｇ／ｃＪの混合物
を得ることは可能である。

本発明においては、シリカ及びカーボン原料又はカーボ
ン原料に触媒を加えたものが共に造粒されていることが
炭化珪素ウィスカーの回収率向上に寄与している。この
際の造粒は、シリカ及びカーボンを別々に造粒すること
が重要である。また、触媒を添加する場合は炭化珪素ウ
ィスカー成長触媒をカーボン原料に加えることが必要で
ある。珪素含有物質に直接触媒を添加すると触媒の働き
が劣化するからである。すなわちシリカは処理温度に近
い１０００°Ｃ付近から焼結をおこしシリカ自体の表面
積が減少し、触媒は焼結したシリカ粒内に封じ込められ
るのに対し、カーボンの場合、焼結をおこさないため触
媒の働きが劣化しないからである。

造粒が有効な理由は必ずしも明らかではないが、次のよ
うに考えられる。すなわち、前述のようにウィスカーは
気相を介しての物質移動によって起こり、また、ウィス
カーの成長する空間が必要なため、原料充填層中でのシ
リカとカーボンが離れて存在している方がウィスカーが
成長し易いものと考えられる。一方、シリカの粉末の生
成も気相を介した反応で起こる可能性があり、シリカと
カーボンの存在位置が近いと粉末が多く生成するものと
考えられる。

造粒においては、パンペレタイザー、静電的造粒法のよ
うな−ｇ的な造粒方法が利用でき、また、とくには造粒
工程を経なくても結果的に造粒されたとしても構わない
、また、すでに造粒された原料を使用することもできる
。造粒粒子の大きさとしては１０〜２０００μｍが好ま
しく、さらに好ましくは１００〜１０００μｓである。

造粒されたシリカと、造粒されたカーボンとウィスカー
成長触媒の混合物との混合においては、造粒された原料
を壊さないような混合法を採用することが重要である。

混合機としては、Ｖ型混合機、ロッキングミキサーの様
なものが使用できるが、造粒された粒子が壊されないよ
うな混合法であれば他の方法でも構わない。

上記珪素含有粉末と炭素質粉末の混合比は炭化珪素ウィ
スカーの生成反応 ＳｉＯｘ　＋　３　Ｃ→ＳｉＣ（Ｗ　）　＋　２　Ｃｏ
　　−・・−−−−−−−−（１）で示される当量によ
って決定される。（１）式の当量よりカーボンが少なけ
れば未反応のシリカが残留し、また、当量よりカーボン
が多ければ未反応の炭素が残留する。混合比は当量付近
が好ましい。

シリカが残留する時は、例えば弗酸での処理によりそれ
を除去することができ、また、炭素が残留する時は、例
えば空気中７００℃に加熱することで酸化脱炭すること
ができる。それらは工程に応じて使い分けることが可能
である。

本発明においては、炭化珪素ウィスカーを成長させる触
媒粉の添加は、原料中の不純物として添加されるので、
かならずしも必要でないが、添加する場合には、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｃｏ及びＣｒの１種又は２種以上を含む金属粉又
は合金粉が利用でき、その平均粒径は１．５〜２０μｍ
が好ましい。１．５μ−以下では０．５μ−以下のウィ
スカーしか生成しない、２０μ鋼より大きいとウィスカ
ーの成長が困難となる。

好ましくは３〜１０μ−である０本発明は、径ｌμ鋼未
満のウィスカーの合成に対しても適用は可能である。

上記混合物を水素含有気流中で加熱処理することにより
、炭化珪素ウィスカーを効率的に得ることが可能となる
。水素ガスの濃度は、１５％以上が好ましく、より好ま
しくは５０％以上である。残りはＡｒ、ＩＩｅなどの不
活性ガスである。水素ガス濃度が１５％未満であると反
応は十分に進まず、劣悪なウィスカーが生成したり、あ
るいは粉末状の炭化珪素が生成づる。水素含有雰囲気と
することだけでは不十分であり、反応によって生成する
ＣＯを系外に除去するために水素含有気流中で加熱する
ことが必要である。

加熱温度は、＋３００−１７００°Ｃがよい。１３００
°Ｃよりも低い温度ではウィスカーの生成がほとんど見
られない。ｌ７００°Ｃ以上の温度でもウィスカーの生
成はみられるが、蒸発による系外へのロスが多くなり余
り有益でない。より好ましい反応温度は１４００〜１６
００°Ｃである。

加熱処理体から炭化珪素ウィスカーを回収するにあたっ
ては、前述のように原料のＳｉＯ□／Ｃ比に応して公知
の方法を取ることができる。例えば、珪素含有粉末が過
剰の場合、弗酸処理して残留するＳｉＯ２分を熔解除去
して炭化「素ウィスカーを得ることができる。また、炭
素過剰の場合、酸化雰囲気中７００’Ｃ付近の温度で残
留した過剰の炭素質＄５）末を酸化脱炭する方法、もし
くは水・灯油混合液中に混合分散させ、水側に移行した
ウィスカを濾過回収する方法などを取ることができる。

本発明による炭化珪素ウィスカーの製造方法に用いる珪
素含有物質としてはシリカが好ましく、シリカの純度は
９９．７％以上が望ましい。シリカの純度が９９．７％
より悪いとシリカ中に含まれる不純物を触媒としてウィ
スカーが成長するため、直径の微細なウィスカーが生成
する。

シリカとしては、シリカフラワー、ホワイトヵボン、無
水珪酸、シリカゲル、シリカゾルなどが使用できる。

また炭素質粉末としてはＨ，Ｎ、Ｏ，Ｓ以外の不純物が
２００ｐｐｍ以下の純度の高いカーボン粉が望ましい。

上記不純物が２００ｐｐｍより多いと、カーボンに含ま
れる不純物を触媒として直径の微細なウィスカーが成長
する。カーボン源としては、カボンブランク、アセチレ
ンブラック、有機物の不完全燃焼すす、有機物の不完全
燃焼残炭物などの粉末が使用できる。

以下実施例により本発明をさらに訂しく説明する。

〈実施例〉 実施例１ ソリ力源として１００重量部の平均粒径２０ｎｍのシリ
カのエアロゾルを静電的造粒法により平均粒径０．４５
ｍｍに造粒した。また、平均粒径１５ｎｍのカーボンブ
ラック６０部をパンペレタイザーにより平均粒径０．３
胴に造粒した。これらの造粒物を■型ブレンダーで造粒
粒子が破壊しないように混合した。

この混合物のかさ密度は０．０４２ｇ／ｃａであった。

この混合物３ｇを黒鉛るつぼに入れ、水素ガス１０１０
０Ｎ／分の気流中１５５０°Ｃ，２時間焼成した。

生成物は緑灰色で、Ｘ線回折分析ではＳｉＣのピークの
みが認められた。得られた生成物を空気中６５０　’Ｃ
で焼成し、若干残留したカーボンを酸化脱炭し、炭化珪
素ウィスカーを得た。得られた炭化珪素ウィスカーの平
均直径は０．３１１ｍ、長さＩＯから１０１００７ｌ径
が揃って、折れ曲がりの少ない炭化硅素ウィスカーであ
った。また、ウィスカーの回収率は原料中のノリニｌン
を基ｆ１１として８９％と高かった。

実施例２ 平均粒径２ｐｍのシリカゲル１００重量部をパンペレタ
イザーにより平均粒径０．８ｍｍに造粒し、また、実施
例１と同しカーボンブラックを０．７ｍｍに造粒した。

これらの造粒物を■型ブレンダーで造粒粒子が破壊しな
いように混合した。この混合物のかさ密度は０．０５２
ｇ／ｃＪであった。

この混合物１００　ｇを黒鉛るつぼに入れ、水素ガスＩ
ＯＮリットル／分の気流中１５８０°Ｃ，２時間焼成し
た。

生成物は緑灰色で、Ｘ線回折分析ではＳｉＣのピークの
みが認められた。得られた生成物を空気中６５０’Ｃで
焼成し、若干残留したカーボンを酸化脱炭し、炭化珪素
ウィスカーを得た。得られた炭化珪素ウィスカーの平均
直径は０．４μｍ、長さ１０から１２０μｍ、径が揃っ
て、折れ曲がりの少ない炭化珪素ウィスカーであった。

また、ウィスカーの回収率は原料中のシリコンを基皐と
して８６％と高かった。

実施例３ 平均粒径２０ｎｍのシリカのエアロゾル１００重量部を
静電的造粒法により平均粒径０　、６　ｍｎ＋に造粒し
、また、実施例１と同しカーボン６０重量部と平均粒径
０．５μＭの鉄系の触媒２重量部をあらかしめミキサー
で均一に混合してから混合粉をパンペレタイザーにより
０．７ｍｍに造粒した。これらの造粒物を■型ブレンダ
ーで造粒粒子が破壊しないように混合した。この混合物
のかさ密度は０．０５７　ｇ　／ｃｔＡであった。

この混合物１００ｇを黒鉛るつぼに入れ、水素ガスＩＯ
Ｎリットル／分の気流中１５８０°Ｃ，２時間焼成した
。

生成物は緑灰色で、Ｘ線回折分析ではＳｉＣのピークの
みが認められた。得られた生成物を空気中６５０°Ｃで
焼成し、若干残留したカーボンを酸化脱炭し、炭化珪素
ウィスカーを得た。得られた炭化珪素ウィスカーの平均
直径は０．３μｍ、長さ２０から１８０μｍ、径が揃っ
て、折れ曲がりの少ない炭化珪素ウィスカーであった。

また、ウィスカーの回収率は原料中のシリコンを基準と
して９４％と高かった。

比較例１ 実施例１と同一の原料を同じ量秤取り、ミキサーを用い
て均一に混合した。この混合粉のがさ密度は、０．０４
８ｇ／ｃ＋Ｉであった。

この混合物３ｇを黒鉛るつぼに入れ、実施例１と同様に
水素ガス１０１００Ｎ／分の気流中１５５０°Ｃ，２時
間焼成した。

生成物は灰白色であり、Ｘ線回折分析ではＳｉＣのピー
クのみが認められた。得られた生成物を空気中６５０°
Ｃで焼成し、若干残留したカーボンを酸化脱炭したとこ
ろ、得られた生成物は、炭化珪素粉末であり、ウィスカ
ーは全く得られなかった。

比較例２ 実施例３と同一の原料を同じ盟秤取り、ミキサーを用い
て均一に混合した。この混合粉のかさ密度は、０．０６
１　ｇ　／ｃ艷であった。

この混合物３ｇを黒鉛るつぼに入れ、実施例１と同様に
水素ガス１０１００Ｎ／分の気流中１５５０’Ｃ１２時
間焼成した。

生成物は灰白色であり、Ｘ線回折分析ではＳｉＣのピー
クのみが認められた。得られた生成物を空気中６５０℃
で焼成し、若干残留したカーボンを酸化脱炭したところ
、得られた生成物は、炭化珪素粉末であり、ウィスカー
は全く得られなかった。

実施例４ 珪素含有粉末として１００重量部の純度９９．８％平均
粒径１５ｎｍのシリカのエアロゾルを用い静電的造粒法
により平均粒径０．５閣に造粒した。また、炭素質粉末
として金属不純物５０ｐｐａ＋、、、１以下、平均粒径
１５ｎｍのカーボンブランクを６０重量部と、触媒とし
て粒径２．５〜７μｍの鉄粉を２重量部とをミキサーに
より均一に混合した後、パンペレタイザーにより平均造
粒径０．３ｍｍに造粒した。これらの造粒物をＶ型ブレ
ンダーで造粒粒子が破埠しないように混合した。この混
合物のかさ密度は０．０４５　ｇ　／ｃｍであった。

この混合物３ｇを黒鉛るつぼに入れ、水素ガス＋０ＯＮ
ｃＪ７分の気流中で１５５０’ｃ、　２時間焼成した。

生成物は緑黒色で、Ｘ線回折分析ではＳｉＣのピークの
みが認められた。得られた生成物を空気中６５０°Ｃで
焼成し、若干残留したカーボンを酸化脱炭し、炭化珪素
ウィスカーを得た。得られた炭化珪素ウィスカーの平均
直径は１，８μｍ、長さは２０〜２００μｍ、アスペク
ト比は２０〜１００であり、径が太く揃って、細いウィ
スカーの混入しない、折れ曲がりの少ない炭化珪素ウィ
スカーであった。

また、ウィスカーの回収率は原料中のシリコンを基準と
して９４％と高かった。

実施例５ 珪素含有粉末として純度９９．７％、平均粒径１．５μ
ｍのシリカゲル１００重量部をパンペレタイザーにより
平均粒径０．８ｍに造粒し、また、実施例４と同じ炭素
含有粉末と触媒の同一量の混合物をパンペレタイザーに
より平均粒径０．７ｍｍに造粒した。

これらの造粒物をＶ型プレンダーで造粒粒子が破壊しな
いように混合した。この混合物のかさ密度は０．０５６
ｇ／ｃｍ３であった。

この混合物１００　ｇを黒鉛るつぼに入れ、水素ガスｌ
０ＮＩＪノトル／分の気流中で１５８０°Ｃ１２時間焼
成した。

生成物は緑黒色で、ＸＳ＃１回折分析ではＳｉＣのピー
クのみが認められた。得られた生成物を空気中６５０°
Ｃで焼成し、若干残留したカーボンを酸化脱炭し、炭化
珪素ウィスカーを得た。得られた炭化珪素ウィスカーの
平均直径は１．７μｍ１長さは２０〜１８０μｍ、アス
ペクト比は２０〜１００であり、径が太く揃って、細い
ウィスカーの混入しない、折れ曲がりの少ない炭化珪素
ウィスカーであった。

また、ウィスカーの回収率は原料中のシリコンを基準と
して９５％と高かった。

比較例３ 実施例４と同一の原料を同じ量秤取り、ミキサーを用い
て均一に混合した。この混合粉のかさ密度は、０．０４
８ｇ／ｃ艷であった。

この混合物３ｇを黒鉛るつぼに入れ、実施例４と同様に
水素ガス１００ＮｃＪ／分の気流中で１５５０°Ｃ１２
時間焼成した。

生成物は灰白色であり、Ｘ線回折分析ではＳｉＣのピー
クのみが認められた。得られた生成物を空気中６５０°
Ｃで焼成し、若干残留したカーボンを酸化脱炭したとこ
ろ、得られた生成物は、炭化珪素粉末であり、ウィスカ
ーは全く得られなかった。

比較例４ 実施例４のシリカ１００重量部と鉄粉２重量部をミキサ
ーで混合した後、静電的造粒法により平均粒径０．４５
ｍｍに造粒した。また、カーボンブラック６０重量部を
パンペレタイザーにより平均粒径０．３ｍｍに造粒した
。これらの造粒物を■型ブレンダで造粒粒子が破壊しな
いように混合した。この混合物のかさ密度は０．０４９
ｇ／ｃｍ３であった。

この混合物３ｇを黒鉛るつぼに入れ、実施例１と同様に
水素ガス１００Ｎｃｎｌ／分の気流中で１５５０°Ｃ１
２時間焼成した。

生成物は緑灰色で、Ｘ線回折分析ではＳｉＣのピークの
みが認められた。得られた生成物を空気中６５０°Ｃで
焼成し、若干残留したカーボンを酸化脱炭し、炭化珪素
ウィスカーを得た。しかし、得られた炭化珪素ウィスカ
ーの平均直径は１．２μｍ、長さは５〜５Ｑｌ１ｍであ
り、径のばらつきが大きく、折れ曲がりの多い炭化珪素
ウィスカーであった。

また、ウィスカーの回収率は原料中のシリコンを基準と
して６６％と実施例に比べて非常に低かった。

比較例５ 珪素含有粉末として純度９９．７％、平均粒径１．６μ
ｍのシリカゲル１００重量部をパンペレタイザーにより
平均粒径０．７ＷＩＩＭに造粒し、また、炭素質粉末と
して金属不純物ｓｏｐｐｍ以下、平均粒径１５ｎｍのカ
ーボンブランク６０重量部と実施例４と同じ触媒として
の鉄粉の同一量の混合物を平均粒径０．７柵にパンペレ
タイザーにより造粒した。これらの造粒物を■型ブレン
ダーで造粒粒子が破壊しないように混合した。この混合
物のかさ密度は０．１４５　ｇ／ｃＪであった。

この混合物３ｇを黒鉛るつぼに入れ、実施例１と同様に
水素ガス１００Ｎｃｄ／分の気流中で１５５０’Ｃ。

２時間焼成した。

生成物は緑灰色で、Ｘ線回折分析ではＳｉＣのピークの
みが認められた。得られた生成物を空気中６５０’Ｃで
焼成し、若干残留したカーボンを酸化脱炭し、炭化珪素
ウィスカーを得た。しかし、得られた炭化珪素ウィスカ
ーの平均直径は１．０μ鋼、長さ３から１５μｍであり
、径のばらつきが大きく、折れ曲がりも多く、また、長
さの短い劣悪な炭化珪素ウィスカーであった。また、ウ
ィスカーの回収率は原料中のシリコンを基準として４２
％と実施例に比べて格段に低かった。

〈発明の効果〉 本発明により、直径の大きい炭化珪素ウィスカーを工業
的な規模で製造することが可能となった。

また、直径の太い炭化珪素ウィスカーはウィスカー強化
セラミックスに用いることで効果的に靭性を向上させる
ことが可能であるため、セラミックス複合材料のこれか
らの発展に大きく寄与することができ、本発明の経済的
および工業的価値は大きい。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、珪素含有粉末と炭素質粉末との混合物を、水素を含
   む気流中で加熱反応させ炭化珪素ウィスカーを製造する
   方法において、予め珪素含有粉末の造粒化ならびに炭素
   質粉末の造粒化をはかり、これらを混ぜることによりか
   さ密度０．１ｇ／ｃｍ＾３以下の混合物とすることを特
   徴とする炭化珪素ウィスカーの製造方法。 ２、珪素含有粉末、炭素質粉末及び触媒粉との混合物を
   、水素を含む気流中で加熱反応させ炭化珪素ウィスカー
   を製造する方法において、予め珪素含有粉末の造粒化な
   らびに炭素質粉末と触媒粉との混合物の造粒化をはかり
   、これらを混ぜることによりかさ密度０．１ｇ／ｃｍ＾
   ３以下の混合物とすることを特徴とする炭化珪素ウィス
   カーの製造方法。