JPS6046912A - 超微粒子状炭化けい素の製造方法 - Google Patents

超微粒子状炭化けい素の製造方法

Info

Publication number
JPS6046912A
JPS6046912A JP58155912A JP15591283A JPS6046912A JP S6046912 A JPS6046912 A JP S6046912A JP 58155912 A JP58155912 A JP 58155912A JP 15591283 A JP15591283 A JP 15591283A JP S6046912 A JPS6046912 A JP S6046912A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon carbide
silane compound
thermal decomposition
gas
hydrogen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58155912A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0121090B2 (ja
Inventor
Morinobu Endo
守信 遠藤
Minoru Takamizawa
高見沢 稔
Yasushi Kobayashi
小林 泰史
Akira Hayashida
章 林田
Nobuaki Urasato
延明 浦里
Hiromi Osaki
浩美 大崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP58155912A priority Critical patent/JPS6046912A/ja
Priority to EP83112256A priority patent/EP0143122A3/en
Publication of JPS6046912A publication Critical patent/JPS6046912A/ja
Publication of JPH0121090B2 publication Critical patent/JPH0121090B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明I工法状形状を有する超微粒子状のβ型多結晶炭
化けい票の製造方法に関するものである。
近年、耐熱性セラミック成形原料として注目されている
炭化けい素粉束C二ついては、電子材料への応用の開発
C伴なってその一層の高純度化、さらには焼結性やその
他の物性の向上が要望されている。
しかして、この炭化けい素の製造方法については、メチ
ルクロロシラン類と水素ガス、四塩化けい素またを工モ
ノνランと炭化水素化合物および水素ガス、またはテト
ラメチルシランと水素ガスを高温で熱分解する方法など
が知られているが、このメチルク(ff cy (/ラ
ン、四塩化けい素のようなグooシラン類を使用する方
法にはその分解速度が遅く、副生ずる塩酸の除去ID問
題がある゛し、またモノシラン使用する場合5二はその
取り扱いが危険で、テトラメチルシランと同様に非常に
高価であるという不利があり、さらにこれらの方法で得
られる炭化けい素の焼結性が従来公知の電炉法などで作
られたものと同様に必ずしも満足すべきものではないと
いう不利があった。
本発明はこのような不利を解決した炭化けい素の製造方
法に関するもので、これに一般式%式% )で示されるメチルハイドロジエンシラン化合物の少な
くとも1種を、キャリヤーガス中に40容@%以下の濃
度で含有させ、これを750〜1.600℃の反応帯域
中で気相熱分解させて一結晶子の大きさがSoX以下で
その集合子の平均粒子径が0.01−1μmの球状体状
の炭化けい素を得ることを特徴とするものである□ これを説明すると6本発明者らはさき≦二分子中に少な
くとも1ケの:SiH結合を含むが−しかし二314結
合(Xはハロゲン原子または酸素原子)は含まない有機
けい素化合物を1,000℃以上で熱分解させて炭化け
い累微粉末を製造する方法を開発しく特願昭57−14
7342号参照〕。
これはまた750〜i、ooo℃未満でも同様の効果を
得ることができることをiihしたが、これについてさ
らg二研究を進め、その始発材料およびこの気相熱分解
条件などについての検討を行なったところ、上記したメ
チルハイドロジエンシラン化合物を始発材とし、上記し
た反応条件で気相熱分解させると、炭化叶い累として結
晶子が5oX以下でその集合体の平均粒径が0.01〜
1μである球状形状のものとして得られることを見出す
と共(二、これ(二ついての物性をしらべたところ、こ
のものは焼結性が特にすぐれていて従来この種の炭化け
い素の焼結を二は不可避とされていた焼結助剤の添加な
しでも容易C二高密度に成形し、焼結できることを確認
して本発明を完成させた。
本発明の方法で始発材とされるメチルハイドロジエンシ
ラン化合物は上記した一般式 %式% ) ) ) などが例示され、これらはその−fikまた2種以上の
混合物として使用されるが、これはポリジメチルシラン
を350℃以上で熱分解するか、あるいは面接法と呼ば
れている金屑けい累とメチルクロライドとの反応による
メチルクロロシラン類ノ合成の際に副生するメチルクロ
ロジシラン類の還元4二よって得られたものを利用でき
る。
本発明の方法は上記したメチルレノ1イドaジエンシラ
ン化合物を縦型または槽中の管状炉中区ニキャリャーガ
スと共に導入し、750〜1,600℃で気相熱分解さ
せるのであるが、このシラン化合物の濃度を40容量俤
以上と、すると得られる炭化けい素の反応管壁への付着
i二よって収率が低下すると共にこの炭化けい素の結晶
子σ)大きさカーi酋加し。
その集合体の粒度分布も広くなって焼結性カニ低下する
という不利が生じるので、このシラン化合物の濃度はキ
ャリヤーガス中で40容t%以下とする必要がある。ま
た、この熱分解温度もこれを750℃以下とすると熱分
解反応が充分起らず(=油状の重合体が管壁に生成して
収率が急激に低下するし−1,600℃以上とするとこ
の熱分解?二よって生成した(3Hの分解が促進されて
炭素カニ生成し、これが目的とする炭化けり)素中(=
混在するようになるので、これは750〜1,600℃
の範囲。
好ましくは800〜1,500℃とする必要力(ある。
なお、この熱分解反応は前記したようCニジラン化合物
の濃度を40容量嘔思下とする必要力!ある力(。
これを稀釈するためのキャリヤーガスとして&工水素ガ
ス−ヘリウム、アルゴン、また&工窒素ガスなどの不活
性ガスまたはこれらの混合ガスを使用すればよいが、好
ましいものは水素ガスまたは水素ガス5二窒素ヅ1ス、
ヘリウム、アルゴンを加えたものである。
本発明の方法(二よれば、前記したようC二結晶子の大
きさが50λ以下でその集合体の平均粒径が0.01〜
1μである球状形状をもつ超微粒子状炭化けい素を得る
ことができるが、これは始発材としてのメチルハイドロ
ジエンシラン化合物が蒸留によって容易に高純度に精製
したものとして得られることから不純物の極めて少ない
高純度品として得ることができるし、これにまた、その
熱分解C二よって得られるものが粒度分布の非常直二狭
い均一な粒度なもつ球状体であるということからその後
の粉砕工程が全く不要であり、この粒径も上記したシラ
ン化合物の濃度−熱分解のための反応条件C二よって自
由に調節することができるので、これによれば工業的C
今までにない高純度の超微粒子状炭化けい素を任7位の
粒径で容易(二得ることができるという有利性が与えら
れる。
つぎに本発明方法の実施例をあげる。
実施例1゜ 内径52m−長さ1,000目のアルミナ製反応管を横
型反応炉内に設置し、中心部の温度を1.150℃C二
床ち、こ\Cニテトラメチlレジシラン((OH,) 
H81−3in(OR) )を3容量チ含3 2 3 
2 有する水素ガス400m6/分を8時間導入して気相熱
分解させたところ、茶褐色の炭化けい累°超微粉末15
.5g(収率75%)が得られた。
つぎに、この粉末について化学分析をしたところ、これ
は5i=69.9係、a=29.4%の高純度の炭化け
い累であり1発光分析によるAl。
Or−Ou−Fe−Mg−Mn、−Ni、Ti、Vなど
の不純物ははいずれも10ppm以下であった。また、
これについて電子顕微鏡の明視野像(第1図)およびβ
−8in(111)回折による暗視野像(第2図)を作
り、これにもとづいてその結晶子の大きさおよび粒径を
測定したところ、この結晶子の大きさは20A以下で、
その集合体は平均粒径が0.1〜0.2μの球状形状体
であることが観察された。また、これは遠心式自動粒度
分布測定装置(堀場製作所製0A−PA500型)によ
る測定結果では0.08μm以下および0.5μm以上
の粒子が全くなく、0.1〜0.3μmの粒子が88.
3%の球状粒形なもつものであることは確認された。
なお、この粉末についてX線回折したところ、これは第
3図g二示したようになり、それがβ型SiOであるこ
とが確認されたが、ベット法で測定したこのものの比表
面積は26.8rn”/gでありそのKBr法C二よる
赤外吸収は第4図に示したとおりであった。
実施例2〜7 実施例1の方法(:おいてテトラメチルジシランの濃度
およびキャリヤーガスの種類およびその水素ガス濃度を
第1表に表示したように変えて、実施例1と同様5二処
理して熱分解反応させたところ、第1D’二併記したと
おりの結果が得られた。なお。
比較4Qilは反応時間を4時間とし″だが、これは反
応管内+二SiCが厚く付着し、冷却時に破損した。
実施例8〜17 実施例1においてメチルハイドロジエンシラン化合物の
種類と濃度、キャリヤーガスの組成と導入量、および反
応温度を第2表に示したように変化させ、実施例1と同
様に処理したところ、いずれの場合も70チ以上の収率
で目的とする炭化けい素超微粉末が得られた。
つぎC,こ贋:得られた炭化けい累粉末の物性を実施(
5’!+ 1と同じ方法で測定したところ、第3表に示
したとおりの結果が得られ−これらの粉末を焼結助剤を
全く添加せずにホットプレス用カーボン型C二人れて成
形し、ついでこれをアルゴンガス雰囲気中5=おいて1
,900℃で0.5時間加熱焼結させたところ−これら
はいずれも第3表C二併記したような密!(対f!Pi
=密度%)を示す焼結体となった。
【図面の簡単な説明】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、一般式 (OH3’a PlibH,に1二り=1
    〜12b+1≧ヅ*1!1.2b+1≧0≧l−a+c
    =2b+2)で示されるメチルハイドロジエンシラン化
    合物の少なくとも1種を、キャリヤーガス中g二40容
    量チ以下の濃度で含有させ、これを750℃〜1,60
    0℃の反応帯域中で気相熱分解させて結晶子の大きさが
    501以下でその集合子の平均粒子径が0.01〜Lp
    mの均=キ球状体状の炭化けい素を得ることを特徴とす
    る超微粒子状炭化けい素の製造方法。
JP58155912A 1983-08-26 1983-08-26 超微粒子状炭化けい素の製造方法 Granted JPS6046912A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58155912A JPS6046912A (ja) 1983-08-26 1983-08-26 超微粒子状炭化けい素の製造方法
EP83112256A EP0143122A3 (en) 1983-08-26 1983-12-06 An ultrafine powder of silcon carbide, a method for the preparation thereof and a sintered body therefrom

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58155912A JPS6046912A (ja) 1983-08-26 1983-08-26 超微粒子状炭化けい素の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6046912A true JPS6046912A (ja) 1985-03-14
JPH0121090B2 JPH0121090B2 (ja) 1989-04-19

Family

ID=15616225

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58155912A Granted JPS6046912A (ja) 1983-08-26 1983-08-26 超微粒子状炭化けい素の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6046912A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5011639A (en) * 1986-06-05 1991-04-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for the preparation of a sintered body of silicon carbide

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6046974A (ja) * 1983-08-26 1985-03-14 信越化学工業株式会社 炭化けい素焼結体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6046974A (ja) * 1983-08-26 1985-03-14 信越化学工業株式会社 炭化けい素焼結体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5011639A (en) * 1986-06-05 1991-04-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for the preparation of a sintered body of silicon carbide

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0121090B2 (ja) 1989-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4849196A (en) Process for producing silicon carbide whiskers
US5340417A (en) Process for preparing silicon carbide by carbothermal reduction
US4613490A (en) Process for preparing silicon nitride, silicon carbide or fine powdery mixture thereof
US5221526A (en) Production of silicon carbide whiskers using a seeding component to determine shape and size of whiskers
JPS5913442B2 (ja) 高純度の型窒化珪素の製造法
JPS6126487B2 (ja)
JPS6046912A (ja) 超微粒子状炭化けい素の製造方法
JPS5930645B2 (ja) 高純度α型窒化珪素の製造法
Meng et al. Synthesis of one-dimensional nanostructures—β-SiC nanorods with and without amorphous SiO 2 wrapping layers
JPS5855315A (ja) 窒化珪素粉末の製造方法
JP2000044223A (ja) 炭化珪素の製造方法
JPH0454610B2 (ja)
JPS61127616A (ja) 炭化珪素微粉末の製造方法
JPS6096517A (ja) 超微粒子状炭化けい素
KR950001659B1 (ko) 디실라알칸화합물의 열분해에 의한 베타형 탄화규소 미세분말의 제조방법
JPH062568B2 (ja) 高純度炭化けい素粉末の製造方法
JPS6148409A (ja) けい素、炭素、窒素からなる微粉末およびその製造方法
JPS62105913A (ja) 炭化けい素微粉末の製造方法
JPH07206418A (ja) トリシラアルカン化合物の熱分解によるβ型炭化ケイ素微細粉末の製造方法
JPS6046911A (ja) 炭化けい素微粉末の製造方法
JPS62182162A (ja) 多結晶シリコン製造用反応管
JP2604753B2 (ja) 炭化ケイ素ウイスカーの製造方法
JPS6351966B2 (ja)
JPH0454609B2 (ja)
JPS6117764B2 (ja)