JPS6148409A - けい素、炭素、窒素からなる微粉末およびその製造方法 - Google Patents
けい素、炭素、窒素からなる微粉末およびその製造方法Info
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- JPS6148409A JPS6148409A JP17079084A JP17079084A JPS6148409A JP S6148409 A JPS6148409 A JP S6148409A JP 17079084 A JP17079084 A JP 17079084A JP 17079084 A JP17079084 A JP 17079084A JP S6148409 A JPS6148409 A JP S6148409A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/02—Amorphous compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は叶い累、炭素、窒素とからなる微粉末。
特には高い熱伝導性と耐熱性、および耐熱衝撃性、靭性
な併せもつセラミック成形体原料となる。けい累、炭素
、窒素からなる新規な微粉末およびその製造方法に関す
るものである。
な併せもつセラミック成形体原料となる。けい累、炭素
、窒素からなる新規な微粉末およびその製造方法に関す
るものである。
(従来の技術)
近年1強度が太き(、耐熱性もよいということからセラ
ミック成形体が工業用材料として注目されており、この
成形体原料については高純度で。
ミック成形体が工業用材料として注目されており、この
成形体原料については高純度で。
しかもサブミクロンオーダーの微粉末体の供給が要望さ
れている。
れている。
しかして、この鰭のセラミック成形体用粉末については
例えば分子中に少なくとも1個のSiH結合を有する有
機けい素化合物を1,000℃以上で気相熱分解させて
炭化げい紫(SiCりa粉末を得る方法が提案されてい
る(特開昭59−39708号公報参照)が、この81
0微粉末はその焼結に当って焼結助剤の添加を必要とせ
ず。
例えば分子中に少なくとも1個のSiH結合を有する有
機けい素化合物を1,000℃以上で気相熱分解させて
炭化げい紫(SiCりa粉末を得る方法が提案されてい
る(特開昭59−39708号公報参照)が、この81
0微粉末はその焼結に当って焼結助剤の添加を必要とせ
ず。
耐熱性の高いセラ5ツク成形体を与えるけれども。
窒化けい素と比較して熱衝撃性、破壊靭性が劣り。
もろいという不利がある。他方、この種のセラミック成
形体用粉末としての窒化ゆい素(Si、N、)は耐熱衝
撃性、破壊靭性が810にくらべてすぐれていることか
らセラミックエンジンへの応用も試みられているが、こ
れには焼結の際K Y2O,+人t20.などの酸化物
系焼結助剤の添加が必要とされるためにこの焼結体には
1,000℃を超えた付近から空気酸化による強度低下
が生じる重大な欠点があり、また熱伝導性かわる(応用
面に制約があるという不利がある。
形体用粉末としての窒化ゆい素(Si、N、)は耐熱衝
撃性、破壊靭性が810にくらべてすぐれていることか
らセラミックエンジンへの応用も試みられているが、こ
れには焼結の際K Y2O,+人t20.などの酸化物
系焼結助剤の添加が必要とされるためにこの焼結体には
1,000℃を超えた付近から空気酸化による強度低下
が生じる重大な欠点があり、また熱伝導性かわる(応用
面に制約があるという不利がある。
(発明の構成)
本発明はこのような不利を解決することのできる新規な
セラミック成形体用のけい素、炭素、窒素からなる微粉
体およびその製造方法に関するものであり、これは分子
中に少なくとも1つの=Si−N結合を含有する有1!
!げい素化合物を1.000 t:以上で気相熱分解さ
せて得られる組成式5iCxNyC0,1≦x≦1.5
.0.1≦Y≦1.2)で示されるけい素、炭素、窒素
から°なる微粉末に関するものである。
セラミック成形体用のけい素、炭素、窒素からなる微粉
体およびその製造方法に関するものであり、これは分子
中に少なくとも1つの=Si−N結合を含有する有1!
!げい素化合物を1.000 t:以上で気相熱分解さ
せて得られる組成式5iCxNyC0,1≦x≦1.5
.0.1≦Y≦1.2)で示されるけい素、炭素、窒素
から°なる微粉末に関するものである。
これを説明すると1本発明者らは上記したような不利を
伴なわない新規なセラミック成形体用の微粉末について
種々検討した結果1分子中に少なくとも1つのEisL
−N結合を含有する有機げい素化合物を気相熱分解させ
れば叶い累、炭素、窒素とからなるセラミック成形体用
の微粉末が得られることを見出すと共に、こ\に得られ
た微粉末についての研究を進め、このような方法で得ら
れた微粉末がサブミクロンオーダーであるため、焼結性
がよく、焼結時の焼結助剤の添加が不要か、非常に微量
の添Wでよいこと、始発材となる上記の有機けい素化合
物を適宜に選択すればsl、C1Nの組成比を任意に変
えることができるので用途に応じた各種の微粉末が容易
に得られる一始発材としての上記の有機げい素化合物は
化学的精製が容易であるため高純度の微粉末を得ること
ができ。
伴なわない新規なセラミック成形体用の微粉末について
種々検討した結果1分子中に少なくとも1つのEisL
−N結合を含有する有機げい素化合物を気相熱分解させ
れば叶い累、炭素、窒素とからなるセラミック成形体用
の微粉末が得られることを見出すと共に、こ\に得られ
た微粉末についての研究を進め、このような方法で得ら
れた微粉末がサブミクロンオーダーであるため、焼結性
がよく、焼結時の焼結助剤の添加が不要か、非常に微量
の添Wでよいこと、始発材となる上記の有機けい素化合
物を適宜に選択すればsl、C1Nの組成比を任意に変
えることができるので用途に応じた各種の微粉末が容易
に得られる一始発材としての上記の有機げい素化合物は
化学的精製が容易であるため高純度の微粉末を得ること
ができ。
得られる焼結体は不純物による汚染を極度に嫌う分野に
使用することができるということを確認して本発明を完
成させた。
使用することができるということを確認して本発明を完
成させた。
本発明のけい素、炭素、窒素からなる微粉末を得るため
の始発材料とされる上記の分子中に少な(とも1つの=
Si−N結合を含有するWalげい素化合物は分子中に
げい累−炭素結合(=Si−0=)とげい素、窒素結合
(H81−N=)をもつ化合物で揮発性のものであれば
よいが、蒸発が容易であり、その合成または入手がし易
いということからは低分子量のものとすることがよ(、
これには下記のものが例示される。
の始発材料とされる上記の分子中に少な(とも1つの=
Si−N結合を含有するWalげい素化合物は分子中に
げい累−炭素結合(=Si−0=)とげい素、窒素結合
(H81−N=)をもつ化合物で揮発性のものであれば
よいが、蒸発が容易であり、その合成または入手がし易
いということからは低分子量のものとすることがよ(、
これには下記のものが例示される。
1) 0111,81(NH(OH,))、。
cH8aH,5i(Nu(oH,))、。
OH,81(N(OH,)り、。
OH,810t(N(OH,)、 〕、−H8iO2(
N(OH,0H3)、)、。
N(OH,0H3)、)、。
OH,810j、(N(OH,)、] 。
’ C’N81HOL、 。
OH,0H2an、 sir、 (N(cm<北3 )
2)−(OH) 81(NH(OH,))、 。
2)−(OH) 81(NH(OH,))、 。
(OIEI、)((OH,)、1si(NHり2゜CH
1 OH。
1 OH。
(OH,)、1(N(OHs)、)、。
(OH,)、810t(N(OH,)り +(OH,)
、81F(N(OH,)り 。
、81F(N(OH,)り 。
(OH)H5i(N(on、)、) 。
(CH,)、5i(NH(OH,)) 。
(an、)、5i(N(on、)、)。
(OH) 5i(Naaa 0H=OH2,] 。
!12
(OH1○H,)、(OH,0R)SINH,−(OH
,)、131(NHOH,OH,oca=oH,)。
,)、131(NHOH,OH,oca=oH,)。
1 ) ((OHs ) ! B r S ’ f
Nh 。
Nh 。
(COH,)、F81→了NCH,。
((OH,)H,81→y−Non3−(COH,)、
H8i+rNH+ ((OH,)、81÷rNH。
H8i+rNH+ ((OH,)、81÷rNH。
((OH,)、Si+r−NOH,。
m) −(−(aH,)、5i−NOH,○H1−)
T −−[: (OH、) 2B 1−Nu−+T。
T −−[: (OH、) 2B 1−Nu−+T。
1i1H・
−[−(an2=on)si−wney 。
+(OH,)H81−NH+r 。
+ (OHs ) * S 1−NH+r−。
÷(OH,OH,)、 B i NH+r−。
OH8
+(OH,=C!H)Si NH−3T 。
−E−(OH,)H8i−NH+2−。
IV) 81(N(OH,)、)4 。
(−(OH,)(OH3NH)Si−N(OH,)±口
。
。
この分子中に少なくとも1つの=Si−N結合を、含有
する有8!けい素化合物の気相熱分解は上記したような
有機けい素化合物をLOOO℃以上の所定温度に加熱し
た反応帯域にぼり常圧下にガス相で導入し、この反応帯
域中で熱分解させればよいが。
する有8!けい素化合物の気相熱分解は上記したような
有機けい素化合物をLOOO℃以上の所定温度に加熱し
た反応帯域にぼり常圧下にガス相で導入し、この反応帯
域中で熱分解させればよいが。
このものは水素ガスまたは窒素、ヘリウム、アルゴンな
どの不活性ガスあるいはこれらの混合ガスをキャリヤー
ガスとして搬送させるようにすればよい。この反応帯域
の温度は2.ooot:以下ではこの有機けい素化合物
の熱分解速度が遅くなるし、得られる微粉末中に有機基
が残存するようになるので、目的とする微粉末を収率よ
く高純度で得るためには1.000℃以上とする必要が
あり、焼結性のよい微粉末を得るためにはL200℃以
上とすることがよい。なおこの反応を1,000〜1,
400℃で行なうと生成した微粉末がアモルファス状と
なり、これをさらに高い温度1例えばzooo℃以上で
行! なうと結晶構造をもつ粒径
が0.05μ以下の超微粉末とすることができるが、こ
れは高温プラズマ法で実施してもよい。比較的低い温度
1例えば1.000〜1,400℃で生成した微粉末は
ホットプレスなどの方法で良好な焼結体とすることがで
きるが、より生産性の高い常圧焼結法では極めて微量の
有機基によって密度が期待するところまで上がらない場
合があるので、この場合には得られた微粉末を1830
0℃以上の温度で好ましくは0.5〜2時間程度熱処理
すればよく、これによれば常圧焼結法でも高密度の焼結
体が得られるという有利性が与えられる。
どの不活性ガスあるいはこれらの混合ガスをキャリヤー
ガスとして搬送させるようにすればよい。この反応帯域
の温度は2.ooot:以下ではこの有機けい素化合物
の熱分解速度が遅くなるし、得られる微粉末中に有機基
が残存するようになるので、目的とする微粉末を収率よ
く高純度で得るためには1.000℃以上とする必要が
あり、焼結性のよい微粉末を得るためにはL200℃以
上とすることがよい。なおこの反応を1,000〜1,
400℃で行なうと生成した微粉末がアモルファス状と
なり、これをさらに高い温度1例えばzooo℃以上で
行! なうと結晶構造をもつ粒径
が0.05μ以下の超微粉末とすることができるが、こ
れは高温プラズマ法で実施してもよい。比較的低い温度
1例えば1.000〜1,400℃で生成した微粉末は
ホットプレスなどの方法で良好な焼結体とすることがで
きるが、より生産性の高い常圧焼結法では極めて微量の
有機基によって密度が期待するところまで上がらない場
合があるので、この場合には得られた微粉末を1830
0℃以上の温度で好ましくは0.5〜2時間程度熱処理
すればよく、これによれば常圧焼結法でも高密度の焼結
体が得られるという有利性が与えられる。
この反応帯域に供給される分子中に少なくとも1つのm
5i−N結合を含有する有機けい素化合物は必要に応じ
蒸留などの精製法で不純物を除去した高純度品とするこ
とがよく、またこれは二種以上のこの種の有機けい素化
合物を混合して、または別々に反応帯域に供給してもよ
く、これによレバ単一の化合物を使用した場合には得ら
れない81、O,Hの組成比をもつ微粉末を得ることが
できるという有利性が与えられる。
5i−N結合を含有する有機けい素化合物は必要に応じ
蒸留などの精製法で不純物を除去した高純度品とするこ
とがよく、またこれは二種以上のこの種の有機けい素化
合物を混合して、または別々に反応帯域に供給してもよ
く、これによレバ単一の化合物を使用した場合には得ら
れない81、O,Hの組成比をもつ微粉末を得ることが
できるという有利性が与えられる。
上ご己の方法で得られるけい素、炭素、窒素からなる微
粉末は組成式810xNy で示されるものとなるが
、このX、7値はz = Q、l〜1.5. y wO
,1−1,2の範囲とすることがよく、この範囲外では
炭化げい累(sio)または窒化けい素(81,N4)
の性質と酷似したものとなll−前記したような性質
を具現しないものとなるので、こ\に使用する分子中に
少なくとも1つの5B i−N結合を含有する有81け
い素化合物の種類は期待する7x、y値が得られるよう
に設定する必要がある。本発明の微粉末ははゾ完全な球
形をしており、かつ粒径の揃ったものになるという特徴
を有するし、この粒径は反応温度忙より0.05〜1.
0μの筒口で自由に制御することができ、温度を高くす
るとより微細な粒子が得られる傾向にある。
粉末は組成式810xNy で示されるものとなるが
、このX、7値はz = Q、l〜1.5. y wO
,1−1,2の範囲とすることがよく、この範囲外では
炭化げい累(sio)または窒化けい素(81,N4)
の性質と酷似したものとなll−前記したような性質
を具現しないものとなるので、こ\に使用する分子中に
少なくとも1つの5B i−N結合を含有する有81け
い素化合物の種類は期待する7x、y値が得られるよう
に設定する必要がある。本発明の微粉末ははゾ完全な球
形をしており、かつ粒径の揃ったものになるという特徴
を有するし、この粒径は反応温度忙より0.05〜1.
0μの筒口で自由に制御することができ、温度を高くす
るとより微細な粒子が得られる傾向にある。
また、この収率もその殆んどが90%前后の高収率とな
り、これは反応温度が1,0OOt以上であれば条件に
よる影響はない。
り、これは反応温度が1,0OOt以上であれば条件に
よる影響はない。
つぎに本発明に関する上記方法を添付の図面にもとづい
て説明する。
て説明する。
第1図、第2図はいずれも本発明の微粉末を得るための
上記の方法を実施するための反応装置の縦断面略図を示
したものであり、第1図は反応管として縦型管状電気炉
を使用したもの、@2図はこの反応管としてプラズマ炎
加熱炉を使用したものを例示したものである。
上記の方法を実施するための反応装置の縦断面略図を示
したものであり、第1図は反応管として縦型管状電気炉
を使用したもの、@2図はこの反応管としてプラズマ炎
加熱炉を使用したものを例示したものである。
第1図に示した装置を使用してこの方法を実施するには
、宮温で液状を示す分子中に少なくとも1つの=Si−
N結合を含有する有機げい累化合をガス入口3からも導
入して−この有機けい素化合物をこのキャリヤーガスに
搬流させて−これを縦型管状電気炉4の中に設置された
炉心管5の中に導入する。この互機けい素化合物は炉心
管が1.000℃以上の所定温度に加熱されているので
。
、宮温で液状を示す分子中に少なくとも1つの=Si−
N結合を含有する有機げい累化合をガス入口3からも導
入して−この有機けい素化合物をこのキャリヤーガスに
搬流させて−これを縦型管状電気炉4の中に設置された
炉心管5の中に導入する。この互機けい素化合物は炉心
管が1.000℃以上の所定温度に加熱されているので
。
この中で熱分解されてSiO工Nyとなり、これは炉心
tr!5の管壁に付着すると共に炉下部に設置された受
器6に堆積され、排ガスはガス出ロアから系外に排出さ
れる。この場合−この有機けい素化合物に他のシラザン
化合物を混入する必要があるときには上記した有機けい
素化合物収容器1とならべて他のシラザン化合物容器1
’−を設け、必要に応じこれにキャリヤーガスを吹き込
んでこれを有81けい素化合物に混合するようにすれば
よい。
tr!5の管壁に付着すると共に炉下部に設置された受
器6に堆積され、排ガスはガス出ロアから系外に排出さ
れる。この場合−この有機けい素化合物に他のシラザン
化合物を混入する必要があるときには上記した有機けい
素化合物収容器1とならべて他のシラザン化合物容器1
’−を設け、必要に応じこれにキャリヤーガスを吹き込
んでこれを有81けい素化合物に混合するようにすれば
よい。
また、第2図に示したプラズマ炎を使用する装置では1
g1図と同様の方法で分子中に少なくとも1つの55S
i−N結合を含有する有機けい素化合物をキャリヤーガ
スで搬送し、ガス吹込口8からアルゴンなどのガスを吹
込みプラズマ炎を発生させている高周波発生機9を備え
たプラズマ炎加熱炉10の中にこのガスを導入して熱分
解させる9 ものであり、これによ
り生成したSiON は受y 器11に堆積され、排ガスはガス出口12から外部に排
出される。
g1図と同様の方法で分子中に少なくとも1つの55S
i−N結合を含有する有機けい素化合物をキャリヤーガ
スで搬送し、ガス吹込口8からアルゴンなどのガスを吹
込みプラズマ炎を発生させている高周波発生機9を備え
たプラズマ炎加熱炉10の中にこのガスを導入して熱分
解させる9 ものであり、これによ
り生成したSiON は受y 器11に堆積され、排ガスはガス出口12から外部に排
出される。
つぎに本発明方法の実施例をあげる。
実施例1゜
内径52絽、長さ1.000 trttの磁製炉心管を
備えた第1図に示したような縦型管状電気炉を1.30
0℃に加熱し、これにヘキサメチルジシラザン OB、 0H8 0,217分をキャリヤーガスとしての水素ガス400
cc/分に搬流させて導入したところ、この炉心管中
には直ちに黒茶色のスス状の微粉末が生成し、これが磁
製管の壁に析出すると共に下部の容器中に堆積された。
備えた第1図に示したような縦型管状電気炉を1.30
0℃に加熱し、これにヘキサメチルジシラザン OB、 0H8 0,217分をキャリヤーガスとしての水素ガス400
cc/分に搬流させて導入したところ、この炉心管中
には直ちに黒茶色のスス状の微粉末が生成し、これが磁
製管の壁に析出すると共に下部の容器中に堆積された。
2時間後に加熱を止め、炉内を水嵩ガスだけを流すこと
によって冷却し一冷却後反応管を取り外して反応管壁に
析出付着した微粉末をかき落し。
によって冷却し一冷却後反応管を取り外して反応管壁に
析出付着した微粉末をかき落し。
下部容器中の堆積物と合したところ、微粉末10.0.
pが得られたが、これはその平均粒径が0.2μmの微
粉状物であり、X線回折でしらへたところ、アモルファ
スの微粉末であり、また元素分析から8101.37
’0.54 の組成を有するものであることが確認さ
れ、このものの原料であるヘキサメチルジシラザンから
の収率は96.7%であった。
pが得られたが、これはその平均粒径が0.2μmの微
粉状物であり、X線回折でしらへたところ、アモルファ
スの微粉末であり、また元素分析から8101.37
’0.54 の組成を有するものであることが確認さ
れ、このものの原料であるヘキサメチルジシラザンから
の収率は96.7%であった。
実施例2゜
実施例1におけるヘキサメチルジシラザンに代えて1,
1,3,3,5.5−へキサメチルシクロトリシラザン
0.03,97分を使用したほかは実施例1と同様に処
理したところ、平均粒径が0.2μmのアモルファスな
微粉末が得られ、このものは元素分析の結果S i C
0,SsN、95 の組成を有するもので、この収率
は87.9%であった。
1,3,3,5.5−へキサメチルシクロトリシラザン
0.03,97分を使用したほかは実施例1と同様に処
理したところ、平均粒径が0.2μmのアモルファスな
微粉末が得られ、このものは元素分析の結果S i C
0,SsN、95 の組成を有するもので、この収率
は87.9%であった。
実施例3゜
実施例1におけるヘキサメチルジシラザンに代えてメチ
ルトリ(メチルアt))シラン0.111/分を使用し
たほかは実施例1と同様に処理したところ、平均粒径が
0.2μmのアモルファスな微粉 −末が得られ、
このものは元素分析の結果810OJ!N1.12
の組成を有するものであり、この収率は92.3%であ
った。
ルトリ(メチルアt))シラン0.111/分を使用し
たほかは実施例1と同様に処理したところ、平均粒径が
0.2μmのアモルファスな微粉 −末が得られ、
このものは元素分析の結果810OJ!N1.12
の組成を有するものであり、この収率は92.3%であ
った。
実施例4゜
実施例1の方法におけるヘキサメチルジシラザンを第1
表に示したものとしたほかは実施例1と同様に処理した
ところ、5iOxNア で示される組成を有する微粉末
が得られ、そのものの平均粒径、収率および組成比につ
いて第2表に併起したとおりの結果が得られた。
表に示したものとしたほかは実施例1と同様に処理した
ところ、5iOxNア で示される組成を有する微粉末
が得られ、そのものの平均粒径、収率および組成比につ
いて第2表に併起したとおりの結果が得られた。
実施例5゜
ヘキサメチルジシラザン0.2.9 /分とテトラキス
−(ジメチルアミノ)−シラン0.3117分とを別々
の配管から反応管に常温で供給したほかは実施例1と同
様に処理したところ−8” !、1゜NO,’12の組
成をもつ、平均粒径が0.2μmの微粉末が得られ、こ
のとぎの反応収率は96.5%であった。
−(ジメチルアミノ)−シラン0.3117分とを別々
の配管から反応管に常温で供給したほかは実施例1と同
様に処理したところ−8” !、1゜NO,’12の組
成をもつ、平均粒径が0.2μmの微粉末が得られ、こ
のとぎの反応収率は96.5%であった。
また、上巳においてテトラキス−(ジメチルアξ))−
シランを60℃で反応管に供給したところ、この場合に
は$10゜、工N01. の微粉末が得られた。
シランを60℃で反応管に供給したところ、この場合に
は$10゜、工N01. の微粉末が得られた。
実施例6゜
実施例1におけるヘキサメチルジシラザンに代えて第2
表に示したような等貴兄の2種の有機げい素化合物Iそ
れぞれ0.2117分を常温で反応管に供給したほかは
実施例工と同様に処理したところ一アそル7アスなS
i 0xNyの組成をもつ微粉末が得られ−これらの平
均粒径、収率、組成は第2表に併記したとおりであった
。
表に示したような等貴兄の2種の有機げい素化合物Iそ
れぞれ0.2117分を常温で反応管に供給したほかは
実施例工と同様に処理したところ一アそル7アスなS
i 0xNyの組成をもつ微粉末が得られ−これらの平
均粒径、収率、組成は第2表に併記したとおりであった
。
実施例7゜
実施例1の方法における反応温度なM3表に示したもの
としたほかは実施例1と同様の方法でヘキサメチルジシ
ラザンを処理したところ、第3表に併記したとおりの結
果が得られた。
としたほかは実施例1と同様の方法でヘキサメチルジシ
ラザンを処理したところ、第3表に併記したとおりの結
果が得られた。
実施例8゜
プラズマ炎発生装置を備えた第2図に示したような反応
装置を用いて、こ\にArガスプラズマを発生させたと
ころ−このプラズマ炎の外側の温度は2300℃となっ
た。つぎに、こ\に石英製導管を経てヘキサメチルジシ
ラザン0.5117分トH! ガス500.0.7分の
混合ガスを導入して、これを気相熱分解させたところ−
これらは直ちに黒黄色の微粉末状となり一下部の受器に
堆積された。
装置を用いて、こ\にArガスプラズマを発生させたと
ころ−このプラズマ炎の外側の温度は2300℃となっ
た。つぎに、こ\に石英製導管を経てヘキサメチルジシ
ラザン0.5117分トH! ガス500.0.7分の
混合ガスを導入して、これを気相熱分解させたところ−
これらは直ちに黒黄色の微粉末状となり一下部の受器に
堆積された。
1時間後にこの反応を停止させたのち、この堆積物を集
めたところ、これは平均粒径が0.18μmのげい素、
炭素、Im累からなる微粉末であって。
めたところ、これは平均粒径が0.18μmのげい素、
炭素、Im累からなる微粉末であって。
この収率は85.0%であり、これは元素分析の結果
8101.41 NO,11m の組成比をもつもの
であった。
8101.41 NO,11m の組成比をもつもの
であった。
なお、これをX線回折したところ、これには810 お
よび81.N4 と思われる回折ピークが現れた。
よび81.N4 と思われる回折ピークが現れた。
実施例9゜
実施例1で得られた微粉末をアルゴン気流中で1.50
0℃で1時間熱処理を行ない、これをX線回折で分析し
たところ、これには81181.N4にもとづ(回折ピ
ークが現われ、11g晶構造をもつ微粉末であることが
明らかになった。
0℃で1時間熱処理を行ない、これをX線回折で分析し
たところ、これには81181.N4にもとづ(回折ピ
ークが現われ、11g晶構造をもつ微粉末であることが
明らかになった。
図はいずれも本発明の微粉末を得るための方法を実施す
る反応装置を例示したもので1M1図はR復管状電気炉
、第2図はプラズマ炎発庄装置を備えた反応装置の縦断
面略図を示したものである。 1・・・有機けい素化合物容器。 2−3・・・キャリヤーガス入口。 4・・・縦型管状電気炉。 5・・・炉心管。 6.11・・・受器。 7.12・・・ガス出口。 8・・・プラズマ用ガス入口− 9・・・高周波電源。 10・・・プラズマ炎加熱炉。
る反応装置を例示したもので1M1図はR復管状電気炉
、第2図はプラズマ炎発庄装置を備えた反応装置の縦断
面略図を示したものである。 1・・・有機けい素化合物容器。 2−3・・・キャリヤーガス入口。 4・・・縦型管状電気炉。 5・・・炉心管。 6.11・・・受器。 7.12・・・ガス出口。 8・・・プラズマ用ガス入口− 9・・・高周波電源。 10・・・プラズマ炎加熱炉。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、分子中に少なくとも1つの≡Si−N結合を含有す
る有機けい素化合物を、1,000℃以上で気相熱分解
させて得られる組成式SiC_xN_y(0.1≦x≦
1.5、0.1≦y≦1.2)で示されるけい素、炭素
、窒素からなる微粉末 2、分子中に少なくとも1つの≡Si−N結合を含有す
る有機けい素化合物が、 i)R^1_aSiX_b(NR^2R^3)_c(こ
ゝにR^1は水素原子あるいは同種または異種の非置換
または置換1価炭化水素基、Xはハロゲン原子、アミノ
基、−NC基、−NCO基、−NCS基から選択される
原子または基、R^2、R^3は水素原子、同種または
異種の非置換または置換1価炭化水素基、R^1_3S
i−基から選択される原子または基、1≦a≦3、0≦
b≦2、1≦c≦3、a+b+c=4) ii)(R^1_aX_bSi)_2NR^2(R^1
、X、R^2、a、bは上記に同じ、たゞしa+b=3
) iii)−(R^1_cX_dSiNR^2)−_n(
R^1、X、R^2は上記に同じ、1≦c≦2、0≦d
≦1、c+d=2、2≦n≦4) iv)Si(NR^2R^3)_4(R^2、R^3は
上記に同じ) から選択される1種または2種以上の混合物である特許
請求の範囲第1項記載のけい素、炭素、窒素からなる微
粉末。 3、気相熱分解を2,000℃以上で行なって得られる
特許請求の範囲第1項または第2項記載のけい素、炭素
、窒素からなる微粉末。 4、気相熱分解で得た微粉末を1,300℃以上で熱処
理をした特許請求の範囲第1項または第2項記載のけい
素、炭素、窒素からなる微粉末。 5、分子中に少なくとも1つの≡Si−N結合を含有す
る有機けい素化合物を1,000℃以上で気相熱分解さ
せて組成式SiC_xN_y(0.1≦x≦1.5、0
.1≦y≦1.2)で示される微粉末を得ることを特徴
とするけい素、炭素、窒素とからなる微粉末の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17079084A JPS6148409A (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | けい素、炭素、窒素からなる微粉末およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17079084A JPS6148409A (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | けい素、炭素、窒素からなる微粉末およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6148409A true JPS6148409A (ja) | 1986-03-10 |
Family
ID=15911406
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17079084A Pending JPS6148409A (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | けい素、炭素、窒素からなる微粉末およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6148409A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63159204A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-02 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 非晶質球状複合粉末およびその製造法 |
JPH06154194A (ja) * | 1992-11-25 | 1994-06-03 | Toshiba Corp | 乳房x線撮影装置 |
EP0756580A4 (en) * | 1994-04-22 | 1997-07-16 | Univ Rutgers | PROCESS AND DEVICE FOR PRODUCING NANOSTRUCTURED CERAMIC POWDERS AND BARBES |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6028190A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-13 | 宮下 朝三 | サイズの異るアプリケ−タ−を装着できる端子圧着機 |
JPS60221311A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-06 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 非晶質複合粉末組成物 |
JPS60235707A (ja) * | 1984-05-08 | 1985-11-22 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 複合微粉末の製造方法 |
-
1984
- 1984-08-16 JP JP17079084A patent/JPS6148409A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6028190A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-13 | 宮下 朝三 | サイズの異るアプリケ−タ−を装着できる端子圧着機 |
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JPS60235707A (ja) * | 1984-05-08 | 1985-11-22 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 複合微粉末の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH0535683B2 (ja) * | 1986-12-23 | 1993-05-27 | Mitsubishi Gas Chemical Co | |
JPH06154194A (ja) * | 1992-11-25 | 1994-06-03 | Toshiba Corp | 乳房x線撮影装置 |
EP0756580A4 (en) * | 1994-04-22 | 1997-07-16 | Univ Rutgers | PROCESS AND DEVICE FOR PRODUCING NANOSTRUCTURED CERAMIC POWDERS AND BARBES |
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