JPS60191013A - 球状炭化珪素粉末の製造方法 - Google Patents
球状炭化珪素粉末の製造方法Info
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 86
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 19
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000815 Acheson method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 abstract 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 abstract 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 10
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 description 4
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N furfuryl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CO1 XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000219112 Cucumis Species 0.000 description 1
- 235000015510 Cucumis melo subsp melo Nutrition 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000872198 Serjania polyphylla Species 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- FJJCIZWZNKZHII-UHFFFAOYSA-N [4,6-bis(cyanoamino)-1,3,5-triazin-2-yl]cyanamide Chemical compound N#CNC1=NC(NC#N)=NC(NC#N)=N1 FJJCIZWZNKZHII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- JVJQPDTXIALXOG-UHFFFAOYSA-N nitryl fluoride Chemical compound [O-][N+](F)=O JVJQPDTXIALXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は球状炭化珪素粉末の製造方法に関し、詳しくは
アチソン法で得られる炭化珪素粉末又はその他各種方法
で得られる炭化珪素粉末に対し、該炭化珪素粉末中に含
有するシリコン及びシリカに見合うだけの炭素質物を添
加混合し、該混合粉末を非酸化性雰囲気中もしくは真空
中で焼成することによシ、粒形がラウンドで均一であり
且つ高純度な球状炭化珪素粉末を製造する方法に関する
ものでおる。
アチソン法で得られる炭化珪素粉末又はその他各種方法
で得られる炭化珪素粉末に対し、該炭化珪素粉末中に含
有するシリコン及びシリカに見合うだけの炭素質物を添
加混合し、該混合粉末を非酸化性雰囲気中もしくは真空
中で焼成することによシ、粒形がラウンドで均一であり
且つ高純度な球状炭化珪素粉末を製造する方法に関する
ものでおる。
(従来技術)
炭化珪素は硬度が高く、化学的に安定であり、熱伝導率
が高く、熱膨張率の小さい物質である。
が高く、熱膨張率の小さい物質である。
また炭化珪素焼結体は1200℃以上の高温でも強度が
劣化しない材料であシ、原子力関係の部品。
劣化しない材料であシ、原子力関係の部品。
化学装置、熱交換器、高温融体搬送装置等の用途に広く
応用されつつある中で特に高温構造材料としての利用が
注目されておシ、省エネルギー装置に欠くことのできな
い材料として研究開発が進められている。
応用されつつある中で特に高温構造材料としての利用が
注目されておシ、省エネルギー装置に欠くことのできな
い材料として研究開発が進められている。
ま九、炭化珪素粉末の用途としては、研削研摩材料、耐
火物材料の他に、樹脂注型絶縁材の充填材、精密研削用
う、ピング材、スペーサー、複合メッキ材等があげられ
、更に微粉末は常圧焼結法。
火物材料の他に、樹脂注型絶縁材の充填材、精密研削用
う、ピング材、スペーサー、複合メッキ材等があげられ
、更に微粉末は常圧焼結法。
反応焼結法による炭化珪素焼結体用原料としても利用が
拡大しつつある。
拡大しつつある。
樹脂注型絶縁材の充填材としては電気絶縁性の観点から
従来アルiす粉末が用いられて含た。アルミナは電気抵
抗が高く、電気絶縁性に優れるが、熱伝導率が悪く放熱
に問題があるため一部、熱伝導率の旨い炭化珪素粉末に
置き換えられている。
従来アルiす粉末が用いられて含た。アルミナは電気抵
抗が高く、電気絶縁性に優れるが、熱伝導率が悪く放熱
に問題があるため一部、熱伝導率の旨い炭化珪素粉末に
置き換えられている。
精密研削用ラッピング材、複合メッキ材としては炭化珪
素の硬度が高い特長を応用して炭化珪素粉末が広く利用
されてきた。こうした充填材、ラッピング材、複合メッ
キ材、高温スペーサー、及び焼結用の原鉱粉末としては
、炭化珪素の優れた特長を発揮させるため、粒子の形状
が球形に近く且つ高品位な炭化珪素粉末が必要である。
素の硬度が高い特長を応用して炭化珪素粉末が広く利用
されてきた。こうした充填材、ラッピング材、複合メッ
キ材、高温スペーサー、及び焼結用の原鉱粉末としては
、炭化珪素の優れた特長を発揮させるため、粒子の形状
が球形に近く且つ高品位な炭化珪素粉末が必要である。
従来、炭化珪素粉末はシリカ粉末の炭素還元法。
アチソン法による炭化珪素結晶の粉徐分級1気相反応法
等により製造されているが、いずれの方法においても粉
末中にシリコン及びシリカ等の不純物を含有している。
等により製造されているが、いずれの方法においても粉
末中にシリコン及びシリカ等の不純物を含有している。
炭化珪素粉末中のシリコン及びシリカ等の不純物は、樹
脂注型絶縁材の充填材の場合、電気絶縁性を著しく劣化
させる。また焼結用原鉱とした場合、焼結を阻害し、炭
化珪素焼結体に欠陥を発生させる原因となるので炭化珪
素の大部分の用途にはフッ硝酸(l(F + HNO,
)等の薬品で精製処理を行ない高純度化を図ることが必
要となる。
脂注型絶縁材の充填材の場合、電気絶縁性を著しく劣化
させる。また焼結用原鉱とした場合、焼結を阻害し、炭
化珪素焼結体に欠陥を発生させる原因となるので炭化珪
素の大部分の用途にはフッ硝酸(l(F + HNO,
)等の薬品で精製処理を行ない高純度化を図ることが必
要となる。
更にアチソン法で製造された炭化珪素結晶を粉砕・分級
して得られる炭化珪素粉末は、形状の異なる不均一な粒
子から構成されている。
して得られる炭化珪素粉末は、形状の異なる不均一な粒
子から構成されている。
シリカの炭素還元法、気相反応法によって製造される炭
化珪素粉末には、一部粒子形状が球状に近いものも見受
けられるが、不均質であシ、本質的にβ晶より成ってい
るので耐摩耗性、研削性がめられる用途には使用できな
い。ま几焼結用原鉱として用いた場合でもβ晶炭化珪素
粉末は焼結時に異常成長し易く、α晶炭化珪素粉末を用
いた時はどの優れた特性が発現されない。
化珪素粉末には、一部粒子形状が球状に近いものも見受
けられるが、不均質であシ、本質的にβ晶より成ってい
るので耐摩耗性、研削性がめられる用途には使用できな
い。ま几焼結用原鉱として用いた場合でもβ晶炭化珪素
粉末は焼結時に異常成長し易く、α晶炭化珪素粉末を用
いた時はどの優れた特性が発現されない。
いづれの方法によっても従来は粒形がラウンドで均一で
あり且つ高純度なα晶炭化珪素粉末は得られなかった。
あり且つ高純度なα晶炭化珪素粉末は得られなかった。
(発明の目的)
本発明者等は従来技術における上記の問題点を検討し鋭
意研究を行った結果、α晶より成り高品位な球状炭化珪
素粉末の開発に成功し、本発明の完成に至った◎ (発明の構成) 即ち、本発明は、炭化珪素粉末と、該炭化珪素粉末中に
含有するシリコン及びシリカと反応して炭化珪素を生成
する化学量論的量の1.0〜1.5倍の炭素質物質を添
加混合し、該混合物を非酸化性雰囲気、もしくは真空中
で、1300〜1800℃の温度で焼成することを特徴
とする球状炭化珪素粉末の製造方法である。
意研究を行った結果、α晶より成り高品位な球状炭化珪
素粉末の開発に成功し、本発明の完成に至った◎ (発明の構成) 即ち、本発明は、炭化珪素粉末と、該炭化珪素粉末中に
含有するシリコン及びシリカと反応して炭化珪素を生成
する化学量論的量の1.0〜1.5倍の炭素質物質を添
加混合し、該混合物を非酸化性雰囲気、もしくは真空中
で、1300〜1800℃の温度で焼成することを特徴
とする球状炭化珪素粉末の製造方法である。
次に本発明の構成をより詳細に説明する。
本発明の実施に供する原鉱粉末には炭化珪素粉末及び炭
素質物質が用いられる。炭化珪素粉末としてはアチソン
法で得られる炭化珪素結晶を粉砕分級して得られる粉末
の他、シリカの炭素還元法による粉末、気相反応法によ
る粉末等を利用することが可能である。炭素質物質とし
てはカーゴンブラ、り、グラファイト粉末、フェノール
樹脂。
素質物質が用いられる。炭化珪素粉末としてはアチソン
法で得られる炭化珪素結晶を粉砕分級して得られる粉末
の他、シリカの炭素還元法による粉末、気相反応法によ
る粉末等を利用することが可能である。炭素質物質とし
てはカーゴンブラ、り、グラファイト粉末、フェノール
樹脂。
フルフリルアルコール等が挙げられ、高温で焼成して炭
素として残留するものであればいかなる材料を選択して
もかまわない。炭化珪素粉末と均一に混ざり、反応性の
良いものが好ましい。
素として残留するものであればいかなる材料を選択して
もかまわない。炭化珪素粉末と均一に混ざり、反応性の
良いものが好ましい。
本発明の実施に供する炭化珪素粉末及び炭素質物質の粒
子サイズは用途に応じて任意選定される。
子サイズは用途に応じて任意選定される。
即ち充填材スペーサーとしての用途には粒子サイズが1
〜10μmの範囲の炭化珪素粉末を用いることが好まし
い。粒子サイズが10μmを超えると粒形を球状に制御
するのが困難で時間が必要であり、1μm以下では成長
に時間を要する。また常圧焼結用には2μm以下の粒子
サイズが均質性、異常成長の抑制2球状化の迅速化のた
めに好ましい。いずれにおいても用途での必要粒子サイ
ズに応じて焼成に供する炭化珪素粉末の粒子サイズを決
定すれば良い。
〜10μmの範囲の炭化珪素粉末を用いることが好まし
い。粒子サイズが10μmを超えると粒形を球状に制御
するのが困難で時間が必要であり、1μm以下では成長
に時間を要する。また常圧焼結用には2μm以下の粒子
サイズが均質性、異常成長の抑制2球状化の迅速化のた
めに好ましい。いずれにおいても用途での必要粒子サイ
ズに応じて焼成に供する炭化珪素粉末の粒子サイズを決
定すれば良い。
炭素質物質は粒子サイズが大きいと焼成時の反応が不均
一になり、シリコン及びシリカとの反応が不十分で高品
位化が達成されない上、添加炭素質物質が残留炭素とし
て焼成炭化珪素粉末中に残シ、各種欠陥発生の原因とな
る0それ故、本発明の実施には粒子サイズの倣細な炭素
質物質がめられ、好ましくは2μm以下のものが効果的
である。
一になり、シリコン及びシリカとの反応が不十分で高品
位化が達成されない上、添加炭素質物質が残留炭素とし
て焼成炭化珪素粉末中に残シ、各種欠陥発生の原因とな
る0それ故、本発明の実施には粒子サイズの倣細な炭素
質物質がめられ、好ましくは2μm以下のものが効果的
である。
炭素質物質の添加量は焼成原鉱として用いる炭化珪素粉
末中に含有するシリコン及びシリカと反応して炭化珪素
を生成する化学当量の1.0〜1.5倍の範囲に限定さ
れる。炭素の化学当量としては炭化珪素粉末中のシリコ
ン及びシリカと反応し、次式に従い炭化珪素を生成する
値を意味する。
末中に含有するシリコン及びシリカと反応して炭化珪素
を生成する化学当量の1.0〜1.5倍の範囲に限定さ
れる。炭素の化学当量としては炭化珪素粉末中のシリコ
ン及びシリカと反応し、次式に従い炭化珪素を生成する
値を意味する。
Sl+C−+SIC曲順・(1)
810 +3C−+ SIC+2CO・・・・山・・(
2)炭素質物質の疾加量を決定するに際しては炭化珪素
粉末中の遊離炭素も勘案し、算出量から含有遊離炭素量
を差し引いた値を添加量とする。
2)炭素質物質の疾加量を決定するに際しては炭化珪素
粉末中の遊離炭素も勘案し、算出量から含有遊離炭素量
を差し引いた値を添加量とする。
炭素質物質の添加量が上述した化学当量の1.0倍未満
であれば、未反応なシリコン及びシリカが炭化珪素粉末
中に残存し、高品位化が達成されず球状化も不十分とな
る。また炭素質物質の添加量が化学当量の1.5倍を超
えると過剰の炭素が、焼成炭化珪素粉末中に未反応炭素
として残留し、炭化珪素粉末を各用途に応用した場合、
欠陥を生ずる原因となるからである。従って炭素質物質
の添加量は焼成に供する炭化珪素粉末中に含有するシリ
コン及びシリカと反応して炭=化珪素を生成する炭素相
当量の化学当量の1.0〜1.5倍の範囲に限定される
。
であれば、未反応なシリコン及びシリカが炭化珪素粉末
中に残存し、高品位化が達成されず球状化も不十分とな
る。また炭素質物質の添加量が化学当量の1.5倍を超
えると過剰の炭素が、焼成炭化珪素粉末中に未反応炭素
として残留し、炭化珪素粉末を各用途に応用した場合、
欠陥を生ずる原因となるからである。従って炭素質物質
の添加量は焼成に供する炭化珪素粉末中に含有するシリ
コン及びシリカと反応して炭=化珪素を生成する炭素相
当量の化学当量の1.0〜1.5倍の範囲に限定される
。
炭化珪素粉末と炭素質物質の混合は通常の方法に従い充
分均質になるまで行う必要がある。一般的には有機溶媒
を用いた振動ミルによる湿式混合が混合粉末を均質にす
る上で好ましい。
分均質になるまで行う必要がある。一般的には有機溶媒
を用いた振動ミルによる湿式混合が混合粉末を均質にす
る上で好ましい。
次に炭化珪素粉末と炭素質物質との混合物は非酸化性雰
囲気下、もしくは真空中で焼成される。
囲気下、もしくは真空中で焼成される。
非酸化性雰囲気としてはアルゴン、ヘリウム等の不活性
ガスや水素等の還元性ガスが好ましく、窒素、−酸化炭
素等も適する。更に真空にすればシリコン及びシリカと
炭素との反応ガス分圧が低減され、反応速度が速くなシ
短時間で高品位化、及び球状化が完了する。酸化性雰囲
気では炭化珪素が酸化するので適さない。
ガスや水素等の還元性ガスが好ましく、窒素、−酸化炭
素等も適する。更に真空にすればシリコン及びシリカと
炭素との反応ガス分圧が低減され、反応速度が速くなシ
短時間で高品位化、及び球状化が完了する。酸化性雰囲
気では炭化珪素が酸化するので適さない。
焼成温度は1300−1800℃の範囲に限定される。
1300℃未満では反応速度が遅く、焼成炭化珪素粉末
の球状化、高品位化が不十分である。
の球状化、高品位化が不十分である。
また1800℃を超えると高品位化という目的は達せら
れるが、焼成時に粒成長が不統一で一部異常成長し、異
形な粒子が成長する事が多くなり易い。
れるが、焼成時に粒成長が不統一で一部異常成長し、異
形な粒子が成長する事が多くなり易い。
焼成温度は炭化珪素粉末の用途に応じである程度選択を
要する。即ち、2〜20μm程度の粒子サイズがめられ
る充填材、スペーサー、ラッピング制1反応焼結用には
、1500〜1800℃の温度範囲の比較的高温で球状
化、高品位化する方が望ましい。また常圧焼結用として
は微粉が好ましいので1300〜1600℃の温度範囲
の比較的低温で粒成長を抑制しながら反応させる方が望
ましい。
要する。即ち、2〜20μm程度の粒子サイズがめられ
る充填材、スペーサー、ラッピング制1反応焼結用には
、1500〜1800℃の温度範囲の比較的高温で球状
化、高品位化する方が望ましい。また常圧焼結用として
は微粉が好ましいので1300〜1600℃の温度範囲
の比較的低温で粒成長を抑制しながら反応させる方が望
ましい。
従って焼成温度は1300〜1800℃の範囲に限られ
る。
る。
焼成方法としてはバッチタイプの炉を採用することも可
能であり、更にシリカ粉末の炭素還元法に用いられてい
る連続焼成法に従っても良い。また一般的な加熱炉であ
る高周波肪導炉、黒鉛抵抗炉の他に焼成温度が1800
℃以下であることからガス炉、炭化珪素発熱休炉等も利
用可能である。
能であり、更にシリカ粉末の炭素還元法に用いられてい
る連続焼成法に従っても良い。また一般的な加熱炉であ
る高周波肪導炉、黒鉛抵抗炉の他に焼成温度が1800
℃以下であることからガス炉、炭化珪素発熱休炉等も利
用可能である。
(発明の効果)
以上に説明したごとく本発明方法に従えば、炭化珪素粉
末中に含有するシリコン及びシリカの合計含有量を0.
5重景チ以下の値に低減でき、炭化珪素結晶の高品位化
が達成されるとともに、粒子形状が球形に近い均質な球
状炭化珪素粉末が得られる。
末中に含有するシリコン及びシリカの合計含有量を0.
5重景チ以下の値に低減でき、炭化珪素結晶の高品位化
が達成されるとともに、粒子形状が球形に近い均質な球
状炭化珪素粉末が得られる。
即ち、従来のアチソン法から得られる炭化珪素結晶を粉
砕・分級して製造される炭化珪素粉末は、その粉末の長
短径比が2.0〜2.5の範囲でおるのに対し、本発明
方法では長短経年を1.)〜1.5の均質な範囲に収め
ることができ、球状で且つ高品位な炭化珪素粉末が製造
できる。更に焼成温度。
砕・分級して製造される炭化珪素粉末は、その粉末の長
短径比が2.0〜2.5の範囲でおるのに対し、本発明
方法では長短経年を1.)〜1.5の均質な範囲に収め
ることができ、球状で且つ高品位な炭化珪素粉末が製造
できる。更に焼成温度。
焼成時間及び焼成に供する原鉱炭化珪素粉末の粒子サイ
ズを適切に選択することにより、0.5μmから20μ
rn!1度の粒子サイズの球状炭化珪素粉末が得られる
。
ズを適切に選択することにより、0.5μmから20μ
rn!1度の粒子サイズの球状炭化珪素粉末が得られる
。
尚、焼成時に炭化珪素粉末が球状化するのは今のところ
明確ではないが、加熱により炭化珪素粒子の表面拡散が
盛んになり、エネルギー的に安定になろうとして球状化
すると共に、粉末の表面及び周辺のシリコン及びシリカ
が添加した炭系質物質と反応して、上記反応に併合され
るためと考えられる。
明確ではないが、加熱により炭化珪素粒子の表面拡散が
盛んになり、エネルギー的に安定になろうとして球状化
すると共に、粉末の表面及び周辺のシリコン及びシリカ
が添加した炭系質物質と反応して、上記反応に併合され
るためと考えられる。
本発明方法による球状炭化珪素粉末は本質的にα晶より
成るので研削性を有し、また熱的にも安定であるため焼
結時においても相転移がなく、微細で均質な組織の炭化
珪素焼結体を製造するのに適する。
成るので研削性を有し、また熱的にも安定であるため焼
結時においても相転移がなく、微細で均質な組織の炭化
珪素焼結体を製造するのに適する。
更に本発明方法による球状炭化珪素粉末は不純物が少な
く、粒子形状が球形に近いため樹脂注入型絶縁材の充填
材フィラーとして用いた場合、樹脂との混合物の粘度が
低く、充填性が良く、また電気絶縁性も優れたものにな
る。また本発明方法による球状炭化珪素粉末は球形に近
い粒子形状を有することから水力分級が容易になシ粒度
巾の狭い粉末も分級できる。従って各種微細スペーサー
。
く、粒子形状が球形に近いため樹脂注入型絶縁材の充填
材フィラーとして用いた場合、樹脂との混合物の粘度が
低く、充填性が良く、また電気絶縁性も優れたものにな
る。また本発明方法による球状炭化珪素粉末は球形に近
い粒子形状を有することから水力分級が容易になシ粒度
巾の狭い粉末も分級できる。従って各種微細スペーサー
。
精密研削用ラッピング材、複合メッキ添加材として利用
できる。
できる。
更に本発明方法による微粉末は常圧焼結法、及び反応焼
結法による炭化珪素焼結体用の原料としても好適で、均
質で欠陥の少ない機械的特性の優れた焼結体が製造でき
る。
結法による炭化珪素焼結体用の原料としても好適で、均
質で欠陥の少ない機械的特性の優れた焼結体が製造でき
る。
よって本発明は産業上極めて利用価値の高い球状炭化珪
素粉末を製造できるものである。
素粉末を製造できるものである。
(実施例)
以下、実施例によυ本発明を更に詳細に説明する。
(実施例−1)
研削材用の炭化珪素を粉砕及び分級して得た平均粒子径
が0.7μmで、シリコン及びシリカの含有量がそれぞ
れ2.0重量係、2.5重量係の炭化珪素粉末に、平均
粒子径が0.05μmのカーゲンブラックを炭化珪素1
00部に対して3部添加し、溶媒としてエタノールを加
えプラスチックゴールをメディアとして振動ミルにて1
0時間混合した。該混合粉末を乾燥し、黒鉛ルッデに装
填し、高周波誘導炉にてアルゴン雰囲気中1500℃で
30分間焼成を行った。
が0.7μmで、シリコン及びシリカの含有量がそれぞ
れ2.0重量係、2.5重量係の炭化珪素粉末に、平均
粒子径が0.05μmのカーゲンブラックを炭化珪素1
00部に対して3部添加し、溶媒としてエタノールを加
えプラスチックゴールをメディアとして振動ミルにて1
0時間混合した。該混合粉末を乾燥し、黒鉛ルッデに装
填し、高周波誘導炉にてアルゴン雰囲気中1500℃で
30分間焼成を行った。
その結果、シリコンとシリカの合計含有量が0.2重量
係で、平均長短径比が1.12、平均粒子径が1.3μ
mの均質な球状炭化珪素粉末を得た。本実施例で得られ
た球状炭化珪素粉末の電子顕微鏡による粒形写A(50
00倍)を第1図に示す。この球状炭化珪素粉末はX線
回折の結果、はとんどα晶(6■)から成ることが研認
された。
係で、平均長短径比が1.12、平均粒子径が1.3μ
mの均質な球状炭化珪素粉末を得た。本実施例で得られ
た球状炭化珪素粉末の電子顕微鏡による粒形写A(50
00倍)を第1図に示す。この球状炭化珪素粉末はX線
回折の結果、はとんどα晶(6■)から成ることが研認
された。
(実施例−2)
平均J)1子径が15μm1シリコン及びシリカの含有
−がそれぞれ1.0屯:辻チ、2.o重着チの市販炭化
珪素微粉末100部に対し、平均粒子径が0.05μm
のカーピンブランクを2部添加し、アセトンを加えてプ
ラスチックが−ルミルにて20時時間式混合した。該混
合物を乾燥後、黒鉛ルッぎに装填し、高周波誘導炉にて
アルゴン雰囲気中1800℃で30分間焼成を行った。
−がそれぞれ1.0屯:辻チ、2.o重着チの市販炭化
珪素微粉末100部に対し、平均粒子径が0.05μm
のカーピンブランクを2部添加し、アセトンを加えてプ
ラスチックが−ルミルにて20時時間式混合した。該混
合物を乾燥後、黒鉛ルッぎに装填し、高周波誘導炉にて
アルゴン雰囲気中1800℃で30分間焼成を行った。
その結果、シリコンとシリカの合計含有量が0.15i
、i%、平均長短径比が1.15、平均粒子径が10.
2μmの均質な球状炭化珪素粉末を得た。
、i%、平均長短径比が1.15、平均粒子径が10.
2μmの均質な球状炭化珪素粉末を得た。
(実施例−3)
平均粒子径が0.45μm1シリコン及びシリカの含有
i、lがそれぞれ2.8重’11%、4.1重−itチ
の炭化珪素微粉末100部に対し、フェノール樹脂を8
部添加し、エタノールを加えてプラスチックボールミル
で2時間湿式混汗した。該混合粉末を乾燥後、黒鉛ルツ
ボに装填し、sic発熱体による管状炉で真空中145
0℃で30分間焼成を行った。。
i、lがそれぞれ2.8重’11%、4.1重−itチ
の炭化珪素微粉末100部に対し、フェノール樹脂を8
部添加し、エタノールを加えてプラスチックボールミル
で2時間湿式混汗した。該混合粉末を乾燥後、黒鉛ルツ
ボに装填し、sic発熱体による管状炉で真空中145
0℃で30分間焼成を行った。。
その結果、シリコンとシリカの合イ[よ有filが0.
38瓜諺チ、平均長短所比1,18、・F!−吻粒子径
0.8μmの均質な球状炭化珪素粉末を得た。
38瓜諺チ、平均長短所比1,18、・F!−吻粒子径
0.8μmの均質な球状炭化珪素粉末を得た。
次に本実施例で得た球状炭化珪素粉末にホウ素1重肴チ
、炭素1直喰チを添加し、1000 k!7/cm2の
圧力にて加圧成形後、アルゴン坏囲気中2100℃で3
0分間常圧焼結させ炭化珪素焼結体を得た。
、炭素1直喰チを添加し、1000 k!7/cm2の
圧力にて加圧成形後、アルゴン坏囲気中2100℃で3
0分間常圧焼結させ炭化珪素焼結体を得た。
得られた炭化珪素焼結体は、密度3.15 g/cm’
、常温曲げ強度55 kg7mn2でバラツキの小さい
均質で緻密な焼結体となった。
、常温曲げ強度55 kg7mn2でバラツキの小さい
均質で緻密な焼結体となった。
第1図は本発明方法における実施例−1で得られた球状
炭化珪素粉末の走査型電子顕微鏡による粒子形状を示す
写真である。
炭化珪素粉末の走査型電子顕微鏡による粒子形状を示す
写真である。
Claims (1)
- 炭化珪素粉末と、該炭化珪素粉末中に含有するシリコン
及びシリカと反応して炭化珪素を生成する化学量論的量
の1.0〜1.5倍の炭素質物質を混合し、該混合物を
非酸性雰囲気もしくは真空中で、1300℃〜1800
℃の温度で焼成することを特徴とする球状炭化珪素粉末
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59044064A JPS60191013A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | 球状炭化珪素粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59044064A JPS60191013A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | 球状炭化珪素粉末の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60191013A true JPS60191013A (ja) | 1985-09-28 |
Family
ID=12681191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59044064A Pending JPS60191013A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | 球状炭化珪素粉末の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60191013A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6217841B1 (en) * | 1991-11-21 | 2001-04-17 | Pechiney Recherche | Process for the preparation of metal carbides having a large specific surface from activated carbon foams |
KR100477949B1 (ko) * | 2001-09-14 | 2005-03-18 | 주식회사 엘지화학 | 구형 탄화규소계 화합물 및 그의 제조방법 |
-
1984
- 1984-03-09 JP JP59044064A patent/JPS60191013A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6217841B1 (en) * | 1991-11-21 | 2001-04-17 | Pechiney Recherche | Process for the preparation of metal carbides having a large specific surface from activated carbon foams |
KR100477949B1 (ko) * | 2001-09-14 | 2005-03-18 | 주식회사 엘지화학 | 구형 탄화규소계 화합물 및 그의 제조방법 |
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