JP7253550B2 - 自己支持型3層積層体を含む基板 - Google Patents

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Description

基板は、様々なディスプレイ用途で使用される。例えば、ディスプレイの発光層を基板上に配置することができる。別の例として、ディスプレイに使用されるタッチセンサの電極を基板上に配置することができる。
本明細書のいくつかの態様では、自己支持型3層積層体を含む基板が提供される。3層積層体は、第1及び第2の外層と、第1の外層と第2の外層との間に配置されており、第1及び第2の外層と直接接触している2軸配向層と、を含む。2軸配向層は、45モルパーセントを超えるナフタレート単位と45モルパーセントを超えるエチレン単位とを有する第1のポリエステルを含む。第1及び第2の外層の各々は、40~50モルパーセントのナフタレート単位と、少なくとも25モルパーセントのエチレン単位と、10~25モルパーセントの分枝状又は環状C4~C10アルキル単位と、を含む第2のポリエステルを含む。
本明細書のいくつかの態様では、自己支持型3層積層体を含む基板が提供される。3層積層体は、第1及び第2の外層と、第1の外層と第2の外層との間に配置されており、第1及び第2の外層と直接接触している2軸配向層と、を含む。2軸配向層は、複数の第1のモノマー単位を含む第1のポリエステルを含み、第1の外層と第2の外層の各々は、第2のポリエステルを含む。第1のポリエステルは、少なくとも90℃のガラス転移温度を有する。第2のポリエステルは、複数の第1のモノマー単位と複数の第2のモノマー単位とを含むコポリエステルである。第2のモノマー単位は、第2のポリエステルの結晶化を妨げる。
本明細書のいくつかの態様では、自己支持型3層積層体を含む基板が提供される。3層積層体は、第1及び第2の外層と、第1の外層と第2の外層との間に配置されており、第1及び第2の外層と直接接触している2軸配向層と、を含む。第1及び第2の外層の各々は、0.02未満の面内複屈折率及び0.02未満の面外複屈折率を有する。2軸配向層は、複数の第1のモノマー単位を含む第1のポリエステルを含み、第1の外層と第2の外層の各々は、第2のポリエステルを含む。第1のポリエステルは、少なくとも90℃のガラス転移温度を有する。第2のポリエステルは、複数の第1のモノマー単位を含むコポリエステルである。
基板の概略断面図である。 発光層及び基板を含むディスプレイの概略図である。 タッチセンサの概略断面図である。 湾曲ディスプレイの概略断面図である。
以下の説明では、本明細書の一部を構成し、様々な実施形態が実例として示される、添付図面が参照される。図面は、必ずしも正確な比率の縮尺ではない。本開示の範囲又は趣旨から逸脱することなく、他の実施形態が想定され、実施され得ることを理解されたい。したがって、以下の発明を実施するための形態は、限定的な意味では解釈されないものとする。
本明細書のいくつかの実施形態によれば、押出、配向、及び従来のウェブ処理技術を介して容易に処理され、ディスプレイ用途及び他の用途での使用に好適である基板が開発されてきた。いくつかの実施形態では、基板は、高い弾性率及び高い強靭性を提供し、例えば、フレキシブルディスプレイ用途での使用に好適である。いくつかの実施形態では、基板はまた、低ヘイズ、場合によっては高いUV遮断を提供し、基板がディスプレイの可視部分を覆うディスプレイ用途、例えばタッチセンサなどに好適である。いくつかのポリエステルを使用して基板を提供することができるが、ポリエステルの単一の隔離層における機械的特性は、多くの用途にとって許容できないことが判明している。場合によっては、基板が高弾性率(例えば、少なくとも4.5GPa)を有することが望ましく、他の必要な機械的特性(例えば、強靭性)を犠牲にすることなく、好適に高い弾性率を有するモノリシック単層基板を提供することが困難であることが判明している。例えば、2軸配向ポリエチレンナフタレート(PEN)は、高弾性率基板(例えば、約5GPaのヤング率)として使用することができるが、2軸配向PENのモノリシック単層は、多くの用途にとって脆すぎる可能性がある。しかしながら、本明細書のいくつかの態様によれば、PEN又は他のポリエステルが、PEN又は他のポリエステル層と直接接触している外層にcoPEN又は他のコポリエステルを含む自己支持型3層積層体に使用されてもよく、この3層積層体は機械的に堅牢(例えば、弾性率が高く、同じ厚さのモノリシック2軸配向PEN層よりも脆性が実質的に低い)であり、例えば、フレキシブルディスプレイ及び/又は湾曲ディスプレイ用途に使用することができることが見出された。
いくつかの実施形態では、基板は、共押出、その後の2軸延伸、及び任意のヒートセットによって作製される。2軸延伸は、直交する第1の方向及び第2の方向(例えば、長手方向及び横断方向)において、等しい又はほぼ等しい(例えば、20%以内、又は10%以内、又は5%以内)延伸比で実施されてもよい。ヒートセットは、外層のコポリエステルの融点よりも高温で起こり得る。いくつかの実施形態では、200℃~240℃又は210℃~230℃の範囲のヒートセット温度が使用される。いくつかの実施形態では、ヒートセット温度は約220℃である。予想外に、基板の外層の等方性がヒートセットによって改善でき、この改善された等方性は、基板の耐久性(例えば、強靭性)の改善をもたらすことが判明している。
図1は、第1及び第2の外層110及び112と、第1の外層110と第2の外層112との間に配置されており、第1及び第2の外層110及び112に直接接触している2軸配向層101とを含む、自己支持型3層積層体105を含む基板100の概略断面図である。いくつかの実施形態では、基板100は、追加の層(例えば、コーティング、3層積層体105の外側の追加ポリマー層、及び3層積層体105の外面上の接着剤層のうちの1つ以上)を含み、いくつかの実施形態では、基板100は追加の層を含まない。いくつかの実施形態では、2軸配向層101は、複数の第1のモノマー単位を含む第1のポリエステルを含む。いくつかの実施形態では、第1のモノマー単位は、ナフタレート単位であり、第1のポリエステルはエチレン単位を更に含む。例えば、いくつかの実施形態では、第1のポリエステルは、45モルパーセントを超えるナフタレート単位と45モルパーセントを超えるエチレン単位とを含む。いくつかの実施形態では、第1のポリエステルは、47モルパーセントを超える、又は48モルパーセントを超える、又は49モルパーセントを超えるナフタレート単位と、47モルパーセントを超える、又は48モルパーセントを超える、又は49モルパーセントを超えるエチレン単位とを含む。例えば、第1のポリエステルはポリエチレンナフタレート(PEN)であってもよく、これはポリ(エチレン-2,6-ナフタレート)と呼ばれることもあり、50モルパーセントのナフタレート単位と50モルパーセントのエチレン単位とを含む。このようなポリエステルは、ナフタレンジカルボン酸とエチレングリコールと間の縮合反応により製造することができる。より全般的には、1つ以上の二塩基酸及び1つ以上のジオールを使用して、第1のポリエステルを生成し得る。例示的な例として、第1のポリエステルは、46モルパーセントのナフタレンジカルボン酸と、4モルパーセントのテレフタル酸と、49モルパーセントのエチレングリコールと、1モルパーセントの1,4-ブタンジオールとの反応生成物であってもよい。いくつかの実施形態では、第1のポリエステルの形成において、二塩基酸の代わりにジエステルが使用される。
自己支持型3層積層体は、支持のために追加の層を必要としない3層積層体である。自己支持型3層積層体は、追加の層を有さない基板として使用されてもよいが、基板は、3層積層体及び追加のコーティング又は層を含んでもよい。例えば、約1マイクロメートル未満の厚さを有するコーティング及びポリマー層は、そのような薄いコーティング又は層を支持するために追加の層が必要であることから、典型的には、自己支持型ではない。典型的には、本明細書の3層積層体は、自己支持型であるために、少なくとも10マイクロメートルの厚さである。
いくつかの実施形態では、第1及び第2の外層110及び112の各々は、第2のポリエステルを含み、第2のポリエステルは、複数の第1のモノマー単位と複数の第2のモノマー単位とを含むコポリエステルである。いくつかの実施形態では、第1のモノマー単位は、ナフタレート単位であり、第2のモノマー単位は、第2のポリエステルの結晶化を妨げるために含まれ得る分枝状又は環状C4~C10アルキル単位である。例えば、いくつかの実施形態では、第2のポリエステルは、40~50モルパーセントのナフタレート単位と、少なくとも25モルパーセントのエチレン単位と、10~25モルパーセントの分枝状又は環状C4~C10アルキル単位とを含む。第2のポリエステルは、例えば、テレフタレート単位などの追加の単位を含んでもよい。いくつかの実施形態では、第2のポリエステルは、40~50モルパーセントの2,6-ナフタレンジカルボン酸又はナフタレンジカルボン酸のジエステル(例えば、ジメチル-2,6-ナフタレンジカルボキシレート)と;少なくとも25モルパーセントのエチレングリコールと;10~25モルパーセントの分枝状若しくは環状C4~C10アルキルジオール、及び/又は最大10モルパーセントの分枝状若しくは環状C4~C10アルキル二塩基酸、及び/又は最大10モルパーセントの分枝状若しくは環状C4~C10アルキルジエステルと、を含む組成物の反応生成物である。異なる表示があるか、又はコンテクストが明らかに異なることを示す場合を除き、二塩基酸又はジエステルのモルパーセントとジオールのモルパーセントは加えると100モルパーセントになる。得られるポリエステルの一部を形成しない追加成分(例えば、触媒)は、上記のモルパーセントに含まれない。酢酸ナトリウム及び/又はテトラブチルチタネートなどの触媒もまた、組成物中に含まれ得る。いくつかの実施形態では、組成物は、追加のジオール、二塩基酸、又はジエステルを更に含む。例えば、いくつかの実施形態では、最大10%のジメチルナトリウムスルホイソフタレートが含まれる。いくつかの実施形態では、第2のポリエステルは、40~50モルパーセント、又は45~50モルパーセントのナフタレート単位と、25~50モルパーセント、又は25~40モルパーセントのエチレン単位と、10~25モルパーセントの分枝状又は環状C4~C10アルキル単位とを含む。
いくつかの実施形態では、第2のポリエステルは、50モルパーセントのナフタレート単位と、25~40モルパーセントのエチレン単位と、10~25モルパーセントの分枝状又は環状C4~C10アルキル単位とを含み、エチレン単位のモルパーセントと分枝状又は環状C4~C10アルキル単位のモルパーセントとを加えると50モルパーセントになる。いくつかの実施形態では、エチレン単位のモルパーセントと分枝状又は環状C4~C10アルキル単位のモルパーセントとを加えると50モルパーセント未満であり、1つ以上の他のグリコールモノマー分子から形成される追加の単位が含まれる。好適なグリコールモノマー分子としては、例えば、プロピレングリコール;1,4-ブタンジオール及びその異性体;1,6-ヘキサンジオール;ポリエチレングリコール;ジエチレングリコール;トリシクロデカンジオール;及びその異性体;ノルボルネンジオール;ビシクロオクタンジオール;トリメチロールプロパン;ペンタエリスリトール;1,4-ベンゼンジメタノール及びその異性体;ビスフェノールA;1,8-ジヒドロキシビフェニル及びその異性体;並びに1,3-ビス(2-ヒドロキシエトキシ)ベンゼンが挙げられる。典型的には、他のグリコールモノマー分子(すなわち、エチレングリコール及びC4~C10アルキルグリコールとは異なる、ネオペンチルグリコール又はシクロヘキサングリコールなど)から誘導されるモノマー単位の量は、5モルパーセント以下である。いくつかの実施形態では、他のグリコールモノマー分子から誘導される単位は、1又は2モルパーセント以下である。合成に他のグリコールモノマー分子が存在しない場合、コポリエステルポリマーは、場合によっては、約0.5~3モル%のジエチレングリコールを副反応副生成物として含有し得る。
いくつかの実施形態では、第2のポリエステルは、50モルパーセント未満のナフタレート単位を含む。いくつかの実施形態では、第2のポリエステルは、2,6-ナフタレンジカルボン酸又はその異性体と、1つ以上の他の(すなわち、ナフタレンジカルボン酸モノマー及びその異性体とは異なる)カルボキシレートモノマー分子との組み合わせから形成される。第2のポリエステルが1種を超えるカルボキシレート単位を含有する実施形態では、第2のポリエステルは、ブロック又はランダムコポリエステルであってもよい。他のカルボキシレートモノマー分子の総量は、コポリエステルの最大10モルパーセントの範囲であり得る。典型的には、他のカルボキシレートモノマー分子の総量は、コポリエステルの8、6、4、3又は2モルパーセント以下である。好適な他のカルボキシレートモノマー分子としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、フタル酸、アゼライン酸、アジピン酸、セバシン酸、ノルボルネンジカルボン酸、ビシクロオクタンジカルボン酸、t-ブチルイソフタル酸、トリメリット酸、スルホン化イソフタル酸ナトリウム、4,4’-ビフェニルジカルボン酸及びこれらの異性体、並びにこれらの酸の低級アルキルエステル、例えば、メチル又はエチルエステルが挙げられる。用語「低級アルキル」は、本明細書のコンテクストでは、C1~C10、好ましくはC1~C4、より好ましくはC1~C2の直鎖又は分枝状アルキル基を指す。
好適な分枝状又は環状C4~C10アルキルジオールとしては、例えば、シクロヘキサンジメタノール、ネオペンチルグリコール、及びこれらの混合物が挙げられる。分枝状又は環状C4~C10アルキルジオールの代わりに、又はそれに加えて、対応する分枝状又は環状C4~C10アルキル二塩基酸又は分枝状若しくは環状C4~C10アルキルジエステルを使用してもよい。例えば、ジメチル1,4-シクロヘキサンジカルボキシレート又は1,4-シクロヘキサンジカルボン酸を、シクロヘキサンジメタノールの代わりに、又はその一部の代わりに、使用してもよい。いくつかの実施形態では、分枝状又は環状C4~C10アルキルジオールは、第2のポリエステルが50モルパーセント、又は50モルパーセントに近い、ナフタレート単位を含むことができるように使用される。
多くの場合、第1の外層110の第2のポリエステルの組成は、第2の外層112の第2のポリエステルの組成と同じであることが好ましい。しかしながら、いくつかの実施形態では、第1の外層110の第2のポリエステルと第2の外層112の第2のポリエステルの組成は、類似の組成範囲にありながら、異なっていてもよい。例えば、第1の外層110の第2のポリエステルと第2の外層112の第2のポリエステルは、異なっていてもよいが、両方とも40~50モルパーセントのナフタレート単位と、少なくとも25モルパーセントのエチレン単位と、10~25モルパーセントの分枝状又は環状C4~C10アルキル単位とを含んでもよい。いくつかの実施形態では、第1の外層110の第2のポリエステルと第2の外層112の第2のポリエステルとは、名目上同じ組成を有するが、この組成は、例えば、通常の製造上の変動に起因して異なり得る。
いくつかの実施形態では、第2のポリエステルは、第2のポリエステルの結晶化を妨げる第2のモノマー単位を含む。この目的のための好適な第2のモノマー単位としては、本明細書の他の箇所で更に記載される分枝状又は環状C4~C10アルキル単位が挙げられる。結晶化を妨げる第2のモノマー単位を使用することにより、非晶質若しくは実質的に非晶質である、及び/又は等方性若しくは実質的に等方性である、第1及び第2の外層110及び112を提供することができる。等方性の程度は、外層の複屈折率によって特徴付けることができる。面内複屈折率はnx-ny[式中、nx及びnyは、図1のx-y-z座標系を参照して、それぞれx軸及びy軸に沿った電界を有する光の屈折率であり、x-は、最大屈折率を有する面内方向である]を指す。したがって、面内複屈折率はゼロ以上である。屈折率は、異なる指定のない限り、633nmの波長で決定される。屈折率は、試験規格ASTM D542-14「Standard Test Method for Index of Refraction of Transparent Organic Plastics」に従って決定することができる。面外複屈折率は、
Figure 0007253550000001
[式中、nzは、z軸に沿った電界を有する光の屈折率である]を指す。面外複屈折率は、典型的にはゼロ以上である。いくつかの実施形態では、第1及び第2の外層の各々は、0.02未満の面内複屈折率及び0.02未満の面外複屈折率を有する。いくつかの実施形態では、第1及び第2の外層の各々は、0.01未満の面内複屈折率及び0.01未満の面外複屈折率を有する。いくつかの実施形態では、基板は、湾曲ディスプレイ及び/又はフレキシブルディスプレイ内で使用される湾曲フィルム及び/又はフレキシブルフィルムである。基板が湾曲している場合、面内複屈折率及び面外複屈折率は、基板の湾曲に接する平面を基準として決定される複屈折成分を指す。
第1及び/又は第2のポリエステルの融点は、示差走査熱量測定(DSC)から測定され得る。いくつかの実施形態では、第2のポリエステルは、誘起結晶化後、220℃未満、又は210℃未満、又は200℃未満の融解転移温度を有する。結晶化は、加熱又は延伸によって誘起され得る。いくつかの実施形態では、融解転移温度は示差走査熱量測定によって決定され、結晶化は示差走査熱量測定中に加熱によって誘起される。いくつかの実施形態では、第2のポリエステルは、示差走査熱量測定によって検出可能な融点を有さない。これに当てはまるのは、アニーリング誘起結晶相に関連するDSC曲線にピークが存在せず、誘起結晶相の融解に関連するピークが存在しない場合である。いくつかの実施形態では、融解転移温度は、存在する場合、150℃よりも高い。
融解エンタルピーは、示差走査熱量測定によって、試験規格ASTM E793-06(2012)「Standard Test Method for Enthalpies of Fusion and Crystallization by Differential Scanning Calorimetry」に記載の示差走査熱量測定を使用して決定できる。いくつかの実施形態では、第2のポリエステルは、10J/g未満、又は5J/g未満、又は3J/g未満、又は1J/g未満の融解エンタルピーを有する。第2のポリエステルは、第2のポリエステルが示差走査熱量測定によって検出可能な融点を有さない場合、又は誘起結晶化後に220℃未満の融解転移温度を有する場合、又は10J/g未満の融解エンタルピーを有する場合に、実質的に非晶質として記載されてもよい。
いくつかの実施形態では、第1のポリエステルは、少なくとも100℃のガラス転移温度を有する。いくつかの実施形態では、第2のポリエステルは、少なくとも90℃又は少なくとも100℃のガラス転移温度を有する。いくつかの実施形態では、第1及び第2のポリエステルの各々は、少なくとも90℃又は少なくとも100℃のガラス転移温度を有する。いくつかの実施形態では、第1及び第2のポリエステルの一方又は両方は、160℃未満のガラス転移温度を有する。ガラス転移温度は、試験規格ASTM E1356-08(2014)「Standard Test Method for Assignment of the Glass Transition Temperatures by Differential Scanning Calorimetry」に記載されている示差走査熱量測定によって決定できる。
ポリマー層を2軸配向することにより、層のヤング率を増加させることができる。いくつかの実施形態では、2軸配向層101のヤング率は、少なくとも4.5GPa、又は少なくとも5GPaである。いくつかの実施形態では、2軸配向層101のヤング率は、15GPa以下、又は10GPa以下である。ヤング率は、異なる指示がない限り、25℃で決定される。ヤング率は、試験規格ASTM E111-04(2010)「Standard Test Method for Young’s Modulus,Tangent Modulus,and Chord Modulus」に記載のように決定することができる。ポリマー層を2軸配向することにより、比較的低い面内複屈折率及び比較的高い面外複屈折率を得ることができる。いくつかの実施形態では、2軸配向層101は、0.1未満、又は0.05未満、又は0.03未満、又は0.02未満、又は0.01未満の面内複屈折率を有する。いくつかの実施形態では、2軸配向層101は、少なくとも0.18、又は少なくとも0.2の面外複屈折率を有する。
いくつかの実施形態では、3層積層体105は、10マイクロメートル、又は20マイクロメートル、又は25マイクロメートル~200マイクロメートル又は125マイクロメートルの範囲の厚さTsを有する。いくつかの実施形態では、2軸配向層101の厚さTbは、3層積層体105の厚さTsの少なくとも80パーセント、又は少なくとも90パーセントである。いくつかの実施形態では、2軸配向層101の厚さTbは、3層積層体100の厚さTsの99パーセント以下である。これらの範囲内の厚さ及び厚さ比を使用することで、3層積層体105の所望の全体厚さTsに対して所望の機械的特性がもたらされることが判明している。いくつかの実施形態では、基板100は、いかなる追加の層も含まず、総厚はTsである。他の実施形態では、基板100は追加の層を含んでもよく、したがって、総厚はTsよりも大きくなり得る。
第1及び第2のポリエステルに共通の第1のモノマー単位(例えば、ナフタレート単位)を使用することにより、共通の第1のモノマー単位を共有しない第1及び第2のポリエステルを使用する場合と比較して、より良好な層間剥離性能(2軸配向層101から外層110及び/又は112の分離)が得られることが判明した。理論に制限されることを意図するものではないが、これは、層の熱膨張係数における類似性により、外層110、112と2軸配向層101との間の化学結合がない場合に生じると考えられる。
いくつかの実施形態では、追加のコーティング又は層が、外層110及び112の一方又は両方の外面に適用される。いくつかの実施形態では、外層110及び112の一方又は両方の外面は光学的に滑らかである。すなわち、存在する任意の表面粗さは、可視光の波長と比べて小さい(例えば、550nmと比べて小さい)ピークから谷までの高さを有し得る。いくつかの実施形態では、外面は、100nm未満、又は50nm未満、又は20nm未満、又は更には10nm未満の表面粗さRaを有する。Raは、表面高さと平均表面位置との間の差の絶対値の算術平均を指す。Raは、American Society of Mechanical Engineers(ASME)B46.1-2009試験規格に従って決定できる。
基板100は、例えば、ディスプレイによって発生した光が基板100を透過する位置でディスプレイに使用されるときに、基板が画質を劣化させないように、低いヘイズを有することが望ましい場合がある。いくつかの実施形態では、基板100は、2パーセント未満、又は1パーセント未満のヘイズを有する。このような低いヘイズは、本明細書の他の箇所に記載されるポリエステル組成物を使用して得ることができる。ヘイズは、試験規格ASTM D1003-13「Standard Test Method for Haze and Luminous Transmittance of Transparent Plastics」に従って決定できる。
例えば、ディスプレイに含まれる他の層を保護するために、基板が紫外線を遮断することが望ましい場合がある。第1のポリエステルにナフタレートモノマー単位を使用する(例えば、PENを使用する)ことにより、紫外線中で所望の吸収度をもたらすことができる。ナフタレートモノマー単位が使用されるか他のモノマー単位が使用されるかにかかわらず、基板100の紫外線吸収を増加させるために、第1及び第2のポリエステルの一方又は両方に1つ以上の紫外線吸収剤を含むことが望ましい場合がある。好適な紫外線吸収剤としては、例えば、トリアジン、ベンゾトリアゾール、及びベンゾフェノンが挙げられる。
本明細書に記載のポリエステルは、本明細書と矛盾しない範囲で、参照により本明細書に組み込まれる2017年11月30日出願、発明の名称「Retarder」の同時係属米国特許仮出願第62/592,545号に記載されているリターダフィルムなどの他の用途で使用されてもよい。
図2は、発光層260と基板200とを含むディスプレイ250の概略図である。基板200は、本明細書の他の箇所に記載されている任意の基板であってもよい。例えば、基板200及び3層積層体205は、それぞれ、基板100及び3層積層体105に対応し得る。発光層260は、液晶ディスプレイ(LCD)パネル又は有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイパネルなどのディスプレイパネルであってもよく、又は発光層260は表示パネルの構成要素であってもよい。例えば、発光層260は、OLEDディスプレイパネルの発光層であってもよい。図2のx-y-z座標系を参照して、z方向の発光層260によって光が放出される。いくつかの実施形態では、基板200は、発光層260の光出力方向と反対側に位置決めされている。いくつかの実施形態では、本明細書の基板は、発光層260から光を受けるように位置決めされている。いくつかの実施形態では、基板200は発光層260から分離され、いくつかの実施形態では、基板200は、直接的又は間接的に(例えば、1つ以上の追加層を介して)発光層260に(例えば、光学的に透明な接着剤を介して)取り付けられる。いくつかの実施形態では、ディスプレイ250は、図2に示されていない追加の層又は構成要素を含み得る。例えば、タッチセンサは、発光層260に近接して基板200と向かい合って配置されてもよい。タッチセンサは、本明細書の基板を1つ以上含み得る。
図3は、第1の基板300aの第1主面325a上に配置された第1の複数の電極330aを有する第1の基板300aを含むタッチセンサ310の概略断面図である。タッチセンサ310はまた、第2の基板300bの第1主面325b上に配置された第2の複数の電極330b(図3の断面では電極330bのうちの1つのみが見える)を有する第2の基板300bを含む。第1の複数の電極330aは第1の方向(例えば、図3に示されるx-y-z座標系を参照すると、y方向)に沿って延びてもよく、第2の複数の電極330bは、直交する第2の方向(例えば、x方向)に沿って延びてもよく、それにより、第1及び第2の複数の電極330a及び330bは、タッチセンサにおいて従来用いられているとおりの電極の交差した格子を形成する。代替的な実施形態では、第2の基板300bは省略され、第2の複数の電極330bは、第1の基板300aの第2主面327a上に配置されている。第1の基板300aは、基板100に対応してもよく、例えば、本明細書の他の箇所で更に記載されるように、3層積層体(図3には示さず)を含んでもよい。同様に、第2の基板300bは、基板100に対応してもよく、例えば、本明細書の他の箇所で更に記載されるように、3層積層体(図3には図示せず)を含んでもよい。いくつかの実施形態では、第1及び第2の基板300a及び300bの両方が基板100に対応するが、他の実施形態では、第1及び第2の基板300a及び300bのうちの一方のみが基板100に対応する。
第1及び/又は第2の複数の電極は、タッチセンサでの使用に好適な任意の種類の電極であってもよい。例としては、透明導体電極(例えば、酸化インジウムスズ(ITO))及び本明細書と矛盾しない範囲で参照により本明細書に組み込まれる米国特許第8,933,906号(Frey)に記載されているものなどの金属メッシュ電極が挙げられる。電極は、当該技術分野において既知のように、スパッタリング又はエッチングプロセスを使用することによって、基板上に堆積させることができる。本明細書の基板を使用できる他の有用なタッチセンサ、及びタッチセンサの製造方法は、米国特許第8,384,961号(Frey et al.)、同第8,865,027号(Alden et al.)、及び同第9,023,229号(Sebastian et al.)及び米国特許出願公開第2015/316955号(Doddsら)に記載されており、この各々が、本明細書と矛盾しない範囲で参照により本明細書に組み込まれる。
いくつかの実施形態では、タッチセンサ310は、ディスプレイからの発光がタッチセンサ310を通って透過されるようにディスプレイ上に配置される。例えば、タッチセンサ310はディスプレイ250の上に配置されてもよい。
いくつかの実施形態では、本明細書の1つ以上の基板を含むディスプレイは、フレキシブルで及び/又は湾曲している。図4は、曲率半径Rに湾曲されたディスプレイ450の概略断面図である。実線の曲線によって概略的に示されているディスプレイ450は、少なくとも1つの本明細書の基板を含む。いくつかの実施形態では、ディスプレイ450は、目に見える損傷が生じることなく20cmの曲率半径Rに屈曲可能であり、これは、ディスプレイをオン又はオフにした通常の部屋の照明において視覚補助具なしで20/20の視力を有する人に見える損傷がないことを意味すると理解されるべきである。ディスプレイは、目に見える損傷が生じることなく、より小さい曲率半径(例えば、10cmの曲率半径R)に屈曲可能であり得る。いくつかの実施形態では、ディスプレイは、目に見える損傷が生じることなく、少なくとも100回、平坦から20cmの曲率半径Rに屈曲され、平坦まで戻ることができる。
以下は、本明細書の例示的な実施形態の列挙である。
実施形態1は、自己支持型3層積層体を含む基板であって、上記3層積層体は、第1及び第2の外層と、第1の外層と第2の外層との間に配置されており、第1及び第2の外層と直接接触している2軸配向層と、を含み、2軸配向層は、45モルパーセントを超えるナフタレート単位と45モルパーセントを超えるエチレン単位とを有する第1のポリエステルを含み、第1及び第2の外層の各々は、40~50モルパーセントのナフタレート単位と、少なくとも25モルパーセントのエチレン単位と、10~25モルパーセントの分枝状又は環状C4~C10アルキル単位を含む第2のポリエステルと、を含む、基板である。
実施形態2は、2軸配向層が、少なくとも4.5GPaのヤング率を有する、実施形態1に記載の基板である。
実施形態3は、2軸配向層が、少なくとも0.18、又は少なくとも0.2の面外複屈折率を有する、実施形態1又は2に記載の基板である。
実施形態4は、3層積層体が、10マイクロメートル~200マイクロメートル、又は20マイクロメートル~200マイクロメートル、又は25マイクロメートル~125マイクロメートルの範囲の厚さを有する、実施形態1~3のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態5は、2軸配向層の厚さが、3層積層体の厚さの少なくとも80パーセント又は少なくとも90パーセントである、実施形態1~4のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態6は、第2のポリエステルが実質的に非晶質である、実施形態1~5のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態7は、第2のポリエステルが示差走査熱量測定によって検出可能な融点を有さない、実施形態1~6のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態8は、第2のポリエステルが、誘起結晶化後に220℃未満の融解転移温度を有する、実施形態1~6のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態9は、第2のポリエステルが、10J/g未満、又は5J/g未満、又は3J/g未満の融解エンタルピーを有する、実施形態1~6のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態10は、第1及び第2の外層の各々が、0.02未満の面内複屈折率及び0.02未満の面外複屈折率を有する、実施形態1~9のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態11は、第1及び第2の外層の各々が、0.01未満の面内複屈折率及び0.01未満の面外複屈折率を有する、実施形態1~9のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態12は、第2のポリエステルが、25~50モルパーセントのエチレン単位又は25~40モルパーセントのエチレン単位を含む、実施形態1~11のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態13は、第1のポリエステルが、ポリエチレンナフタレート(PEN)である、実施形態1~12のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態14は、第2のポリエステルについては、ナフタレート単位のモルパーセントと、エチレン単位のモルパーセントと、分枝状又は環状C4~C10アルキル単位のモルパーセントとを加えると100モルパーセントになり、第1のポリエステルについては、ナフタレート単位のモルパーセントとエチレン単位のモルパーセントとを加えると100モルパーセントになる、実施形態1~13のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態15は、2パーセント未満又は1パーセント未満のヘイズを有する、実施形態1~14のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態16は、自己支持型3層積層体を含む基板であって、上記3層積層体は、第1及び第2の外層と、第1の外層と第2の外層との間に配置されており、第1及び第2の外層と直接接触している2軸配向層と、を含み、2軸配向層は、複数の第1のモノマー単位を含む第1のポリエステルを含み、第1及び第2の外層の各々は第2のポリエステルを含み、第1のポリエステルは少なくとも90℃のガラス転移温度を有し、第2のポリエステルは、複数の第1のモノマー単位と複数の第2のモノマー単位とを含むコポリエステルであり、第2のモノマー単位は第2のポリエステルの結晶化を妨げる、基板である。
実施形態17は、第1及び第2の外層の各々が、0.02未満の面内複屈折率及び0.02未満の面外複屈折率を有する、実施形態16に記載の基板である。
実施形態18は、第1のモノマー単位がナフタレート単位である、実施形態16又は17に記載の基板である。
実施形態19は、第1のポリマーがエチレン単位を更に含む、実施形態16~18のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態20は、第2のモノマー単位が、分枝状又は環状C4~C10アルキル単位である、実施形態16~19のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態21は、第1のポリエステルが45モルパーセントを超えるナフタレート単位と45モルパーセントを超えるエチレン単位とを含む、実施形態16~20のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態22は、第2のポリエステルが、40~50モルパーセントのナフタレート単位と、少なくとも25モルパーセントのエチレン単位と、10~25モルパーセントの分枝状又は環状C4~C10アルキル単位とを含む、実施形態16~21のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態23は、第2のポリエステルが25~50モルパーセントのエチレン単位又は25~40モルパーセントのエチレン単位を含む、実施形態22に記載の基板である。
実施形態24は、自己支持型3層積層体を含む基板であって、3層積層体は、第1及び第2の外層と、第1の外層と第2の外層との間に配置されており、第1及び第2の外層と直接接触している2軸配向層と、を含み、第1及び第2の外層の各々は、0.02未満の面内複屈折率及び0.02未満の面外複屈折率を有し、2軸配向層は、複数の第1のモノマー単位を含む第1のポリエステルを含み、第1及び第2の外層の各々は第2のポリエステルを含み、第1のポリエステルは少なくとも90℃のガラス転移温度を有し、第2のポリエステルは複数の第1のモノマー単位を含むコポリエステルである、基板である。
実施形態25は、第2のポリエステルが、第2のポリエステルの結晶化を妨げる複数の第2のモノマー単位を含む、実施形態24に記載の基板である。
実施形態26は、第2のモノマー単位が環状C4~C10アルキル単位を含む、実施形態25に記載の基板である。
実施形態27は、第1のモノマー単位がナフタレート単位である、実施形態24~26のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態28は、第1のポリエステルが45モルパーセントを超えるナフタレート単位と45モルパーセントを超えるエチレン単位とを含む、実施形態24~27のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態29は、第2のポリエステルが、40~50モルパーセントのナフタレート単位と、少なくとも25モルパーセントのエチレン単位と、10~25モルパーセントの分枝状又は環状C4~C10アルキル単位とを含む、実施形態24~28のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態30は、第2のポリエステルが、25~50モルパーセントのエチレン単位又は25~40モルパーセントのエチレン単位を含む、実施形態24~29のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態31は、実施形態1~15のいずれか1つによって更に特徴付けられる、実施形態16~30のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態32は、第1のポリエステルが少なくとも100℃のガラス転移温度を有する、実施形態1~31のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態33は、第1及び第2のポリエステルの各々が、少なくとも90℃、又は少なくとも100℃のガラス転移温度を有する、実施形態1~32のいずれか1つに記載の基板である。
実施形態34は、実施形態1~33のいずれか1つに記載の基板上に配置された発光層を含むディスプレイである。
実施形態35は、目に見える損傷が生じることなく20cmの曲率半径まで屈曲可能である、実施形態34に記載のディスプレイである。
実施形態36は、湾曲している、実施形態34又は35に記載のディスプレイである。
実施形態37は、実施形態1~33のいずれか1つに記載の基板と、基板上に配置された複数の電極と、を備える、タッチセンサである。
実施形態38は、実施形態37のタッチセンサを備えるディスプレイである。
実施例1~3及び比較例C1~C3:コポリエステルの製造及び特性評価
一連のポリエステルコポリマーを、以下の手順を使用して生成した。
室温において、高温油温度制御、オーバーヘッド分離カラム、及び真空ポンプを備えたステンレス鋼の10ガロン反応器に、以下の成分を加えた。
ジメチル-2,6-ナフタレンジカルボキシレート(NDC)
(Indorama Ventures(Decatur,AL)から入手)
エチレングリコール(EG)
(Huntsman Petrochemical(The Woodlands,TX)から入手)
シクロヘキサンジメタノール(CHDM)
(Eastman Chemical(Kingsport,TN)から入手)
テトラブチルチタネート(TBT)
(Dorf Ketal(Houston,TX)から入手)
酢酸コバルト(CoAc)
(Shepherd Chemical(Cincinnati,OH)から入手)
酢酸亜鉛(ZnAc)
(Mallinckrodt Baker(Phillipsburg,NJ)から入手)
三酢酸アンチモン(SbAc)
(Arkema(Philadelphia,PA)から入手)
以下の表1は、各実施例及び比較例において各成分に使用される量を与える。これらの材料は、添加後、加熱し、138kPa(20psig)のN2下において、125rpmで混合した。エステル交換反応温度を、約2時間かけて257℃(495°F)まで上昇させた。メタノールを分離カラムを通して追い出し、受け器に回収した。次いで、ケトル内の圧力をゆっくりと大気圧まで低下させた。比較例C1及びC2の場合は、安定剤を添加した。安定剤は、トリエチルホスホノアセテート(TEPA)(Rhodia(Cranbury,NJ)から入手)であった。
実施例では、真空をケトルに適用し、バッチ粘度が許容する限り増加した。過剰なエチレングリコールを追い出した。約285℃(545°F)の温度及び約0.13kpa(1mmHg)の低真空で約2時間後、反応は、所望の終点(約0.48dL/gの固有粘度(IV))まで進行した。ケトルを空にし、反応生成物の樹脂を室温まで冷却し、その後、樹脂を更に評価するために小片に粉砕した。表1は、各実施例及び比較例において各成分に使用される量を与える。「名称」の列の材料の%CHDMは、ポリエステルのジオール部分中のCHDMのモル%を指す。例えば、PEN w/30%CHDMは、ポリエステルのジオール部分が30モル%のCHDMを含有することを意味する。ジオール及び酸/エステルの合計に基づいて、PEN w/30%CHDMは、50モルパーセントのナフタレート単位と、35モルパーセントのエチレン単位と、15モルパーセントのCHDM単位とを含有する。
Figure 0007253550000002
次いで、各実施例及び比較例の樹脂の試験片を、冷結晶化のために、150℃に維持したオーブン内に48時間置いた。これらの結晶化材料の各々を、示差走査熱量計、すなわちDSC(TA Instruments(New Castle,DE)から商品名「Q2000」で入手)を使用して試験した。試験には、30℃~290℃の温度範囲で3段階の加熱-冷却-加熱の温度勾配を用いた。試験片を、第1の加熱勾配の後、290℃で3分間保持した。勾配率は、加熱及び冷却勾配の各々ついて20℃/分であった。第1の加熱スキャン及び第2の加熱スキャンの両方を分析した。各試験片について、融点及び関連する融解エンタルピー、並びにガラス転移温度を決定し、記録した。表2は、融点及び関連する融解エンタルピー(ΔH)、及びガラス転移(Tg)に関する所見を示す。
Figure 0007253550000003
表2からわかるように、実施例1、2、及び3(それぞれPENg30、PENg40、及びPENg50)は210℃以下の融点を呈し、融解エンタルピーをほとんど又は全く有さない(3J/g未満)。全ての試験片のTgは、115℃~120℃であることが判明した。
実施例4~8及び比較例C4~C6:フィルムの製造及び特性評価
共押出、延伸共配向、及びアニーリングによって一連の3層フィルムを作製した。投入材料として使用した樹脂は、以下のとおりであった。
PENは、0.48 IVポリエチレンナフタレート樹脂を指す。
(ポリエステル製造の当業者に既知の方法によって工場内で製造)
PETgは、0.73 IVコポリエステルを指す。
(「GN071」の商品名で Eastman Corporation(Kingsport,TN)から入手)
PENg30、PENg40、PENg50、及びPENg60
(それぞれ実施例1、2、及び3及び比較例C3で上述した材料)
ABAフィルム積層体の層のための投入材料の詳細を、これらの実施例の各々について表3に与える。
Figure 0007253550000004
外層(又はスキン層、又は「A」層)は、27mmの2軸押出機(TSE)を使用して上記の樹脂を押出成形し、ギヤポンプを使用してネックチューブを介して搬送し、3層フィードブロックの外層に供給することによって製造した。このメルトトレイン(melt train)は、282℃のピーク温度を有する漸進的温度押出プロファイルを使用した。内層(又はコア層、又は「B」層)は、27mm TSEを使用してPEN樹脂を約282℃の漸進的温度プロファイルで押出し、ギヤポンプを使用してネックチューブを介して搬送し、3層フィードブロックの中間層に供給することによって製造した。フィードブロック及び20.3cm(8インチ)のフィルムダイを各々282℃の目標温度に維持し、同時にフィルムキャスティングホイールを約50℃に維持した。914ミクロン(36mil)の厚さのフィルムキャストウェブを、このプロセスによって製造した。
次いで、押出成形及びキャスティングプロセスから製造されたキャストウェブの各々からの試験片を延伸(配向)し、実験用延伸機(Brueckner Maschinenbau GmbH&Co.KG(Siegsdorf,Germany)から商品名「KARO IV」で入手)を使用してアニールした。各フィルムの延伸は、140℃に維持したオーブン内で実施した。延伸前の予熱時間は45秒であった。各フィルムを、長手方向(MD)に元のサイズの350%、及び横方向(TD)に元のサイズの350%の最終寸法まで2軸延伸し、76ミクロン(3mil)の完成フィルムを得た。次いで、延伸フィルムを、225℃に維持したアニーリングオーブンに搬送し、15秒間保持した。次いで、延伸配向され、アニールされた各フィルムを、ヘイズ、屈折率、層間剥離力、及びGraves引裂きについて評価した。
ヘイズを、ヘイズメーター(BYK-Gardner USA(Columbia,MD)から商品名「HAZE-GARD」で入手)を使用して試験した。ヘイズをASTM D-1003に従って測定し、「ヘイズ%」として報告する。
フィルム試験片の屈折率を、プリズムカップラー(Metricon Corporation(Pennington,NJ)から入手)を使用して、長手方向(MD)、横断方向(TD)、及び厚さ(TM)方向で測定した。MD、TD及びTMの屈折率はそれぞれ、Nx、Ny、及びNzとして標識される。面外複屈折率は、平均面内屈折率、すなわちNxとNyの平均と、フィルムに垂直な方向の屈折率(Nz)との間の差を表す。
Graves最大荷重及びGraves面積値は、ASTM D1004-13に従って、Instron(Norwood,MA)のInstron 5500-Rで得た。
剛性の平坦なガラス板に貼り付けたベースフィルムで、IMASS,Inc.(Accord,MA)のIMASS SP-2100を使用して層間剥離力試験値を得た。剥離力の測定値は、:90度剥離、60インチ/分のスライド速度で測定し、剥離力を剥離の移動距離にわたって平均した。得られた剥離力の値を、グラム/インチ単位で記録した。
これらの試験の結果を、表4に示す。
Figure 0007253550000005
実施例及び比較例の各々は、低ヘイズのフィルム(1%未満のヘイズ)をもたらした。比較例C5及び実施例4~8の各々は、低い面外複屈折率(0.01未満)を示し、これらのフィルムが所望の非晶質(コーティング受容性及び可撓性)表面であることを示し得る。また、これらのフィルムの各々は、375nmで5%未満の透過率を示した。
比較例C5を除いて、各フィルムは、高い層間剥離性能を示した(すなわち、この試験によって剥離が不可能であるか、又は「分離不可能」であった)。比較例C6を除き、全ての試料は、優れたGraves引裂き(最大荷重が20ニュートン(4.5lb)を超え、Graves面積が62ニュートン%(14lb %)を超える)を示した。
図中の要素の説明は、別段の指示がない限り、他の図中の対応する要素に等しく適用されるものと理解されたい。具体的な実施形態を本明細書において例示し記述したが、様々な代替及び/又は同等の実施により、図示及び記載した具体的な実施形態を、本開示の範囲を逸脱することなく置き換え可能であることが、当業者には理解されるであろう。本出願は、本明細書において説明した具体的な実施形態のあらゆる適合例又は変形例を包含することを意図する。したがって、本開示は、特許請求の範囲及びその同等物によってのみ限定されるものとする。

Claims (11)

  1. 自己支持型3層積層体を含む基板であって、前記3層積層体は、第1及び第2の外層と、前記第1の外層と第2の外層との間に配置されており、前記第1及び第2の外層と直接接触している2軸配向層と、を含み、前記2軸配向層は、45モルパーセントを超えるナフタレート単位と45モルパーセントを超えるエチレン単位とを有する第1のポリエステルを含み、前記第1及び第2の外層の各々は、40~50モルパーセントのナフタレート単位と、少なくとも25モルパーセントのエチレン単位と、10~25モルパーセントの分枝状又は環状C4~C10アルキル単位を含む第2のポリエステルと、を含前記第2のポリエステルについては、ナフタレート単位のモルパーセントと、エチレン単位のモルパーセントと、分枝状又は環状C4~C10アルキル単位のモルパーセントとを加えると100モルパーセントになり、前記第1のポリエステルについては、ナフタレート単位のモルパーセントとエチレン単位のモルパーセントを加えると100モルパーセントになる、基板。
  2. 前記2軸配向層が、少なくとも4.5GPaのヤング率を有する、請求項1に記載の基板。
  3. 前記2軸配向層が、少なくとも0.18の面外複屈折率を有する、請求項1に記載の基板。
  4. 前記2軸配向層の厚さが、前記3層積層体の厚さの少なくとも80パーセントである、請求項1に記載の基板。
  5. 前記第2のポリエステルが示差走査熱量測定によって検出可能な融点を有さない、請求項1に記載の基板。
  6. 前記第2のポリエステルが、10J/g未満の融解エンタルピーを有する、請求項1に記載の基板。
  7. 前記第1及び第2の外層の各々が、0.02未満の面内複屈折率及び0.02未満の面外複屈折率を有する、請求項1に記載の基板。
  8. 2パーセント未満のヘイズを有する、請求項1に記載の基板。
  9. 請求項1~のいずれか一項に記載の基板上に配置された発光層を含むディスプレイ。
  10. 目に見える損傷が生じることなく20cmの曲率半径まで屈曲可能である、請求項に記載のディスプレイ。
  11. 請求項1~のいずれか一項に記載の基板と、前記基板上に配置された複数の電極と、を備える、タッチセンサ。
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