CN102097502A - 薄膜太阳能电池及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种薄膜太阳能电池及其制作方法，该薄膜太阳能电池，包括一基板、一第一导电层、一催化材料层、一氧化物纳米结构、一本质层、一第一型半导体层以及一第二导电层。第一导电层配置于基板上。催化材料层配置于第一导电层上，其中催化材料层的材质为一金属化合物。氧化物纳米结构位于催化材料层上，其中氧化物纳米结构的材质为一金属氧化合物。本质层覆盖氧化物纳米结构。第一型半导体层配置于本质层上。第二导电层配置于第一型半导体层上。本发明亦提出一种薄膜太阳能电池的制作方法。

Description

薄膜太阳能电池及其制作方法

技术领域

本发明涉及太阳能电池及其制作方法，且特别是有关于一种薄膜太阳能电池及其制作方法。

背景技术

图1为现有的一种薄膜太阳能电池的剖面示意图。请参考图1，薄膜太阳能电池100包括一对基板112、114、二透明导电层122、124、一N型半导体层130、一P型半导体层140、一非晶硅层150。非晶硅层150位于N型半导体层130与P型半导体层140之间。N型半导体层130与P型半导体层140分别位于非晶硅层150与透明导电层122之间以及非晶硅层150与透明导电层124之间，如图1所示。此外，上述透明导电层122、124、N型半导体层130、P型半导体层140与非晶硅层150夹设于基板112、114之间。

承上述结构，当阳光160由外侧照射至薄膜太阳能电池100时，如：靠近P型半导体层的一侧，位于N型半导体层130与P型半导体层140之间的非晶硅层150适于受光能而产生自由电子-空穴对，并通过N型半导体层130与P型半导体层140形成的内电场使电子与空穴会分别往两层移动，而产生一种电能的储存形态，此时若外加负载电路或电子装置，便可提供电能而使电路或装置进行驱动。

一般来说，为了提高太阳能电池100的光电转换效率，通常会在基板112与透明导电层122之间配置一反射电极170，如此一来，光线穿透N型半导体层130后会再被反射电极170反射回非晶硅层150，以提高光线的利用率，而可提升太阳能电池100的光电转换效率。

然而，目前在提升薄膜太阳能电池的光电转换效率上仍有其所面临的瓶颈，因此，如何能还进一步提升薄膜太阳能电池的光电转换效率一直是众所瞩目的问题。

发明内容

本发明提供一种薄膜太阳能电池，其具有较良好的光电转换效率。

本发明提供一种薄膜太阳能电池的制作方法，其能制作出上述的薄膜太阳能电池。

本发明提出一种薄膜太阳能电池，其包括一基板、一第一导电层、一催化材料层、一氧化物纳米结构、一本质层、一第一型半导体层以及一第二导电层。第一导电层配置于基板上。催化材料层配置于第一导电层上，其中催化材料层的材质为一金属化合物。氧化物纳米结构位于催化材料层上，其中氧化物纳米结构的材质为一金属氧化合物。本质层覆盖氧化物纳米结构。第一型半导体层配置于本质层上。第二导电层配置于第一型半导体层上。

在本发明的一实施例中，薄膜太阳能电池还包括一第二型半导体层，位于氧化物纳米结构与本质层之间，并覆盖氧化物纳米结构。

在本发明的一实施例中，金属化合物包含钴、镍或铁元素。

在本发明的一实施例中，氧化物纳米结构包含氧化钴(CoOx)、氧化镍(NiOx)、氧化铁(FeOx)等至少其一。

在本发明的一实施例中，薄膜太阳能电池还包括一金属层，位于第一导电层于催化材料层之间。

在本发明的一实施例中，金属层的材质为铜。

在本发明的一实施例中，第一导电层为透明导电层，其材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化锌、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉铟氧化物、镉锌氧化物、镓锌氧化物及锡氟氧化物等至少其一，而第二导电层包含反射层与透明导电层至少其一。

在本发明的一实施例中，第二导电层为透明导电层，其材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化锌、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉铟氧化物、镉锌氧化物、镓锌氧化物及锡氟氧化物等至少其一，而第一导电层包含反射层与透明导电层至少其一。

在本发明的一实施例中，第一导电层与第二导电层至少其一的表面为凹凸结构。

在本发明的一实施例中，本质层包含一非晶硅层与一微晶硅层至少其一。

本发明另提出一种薄膜太阳能电池的制作方法，其至少包括下列步骤。首先，提供一基板。接着，形成一第一导电层于基板上。然后，形成一催化材料层于导电层上，其中催化材料层的材质为一金属化合物。接着，对催化材料层进行一热工艺，以形成一氧化物纳米结构。然后，覆盖一本质层于氧化物纳米结构上。接着，形成一第一型半导体层于本质层上。而后，形成一第二导电层于第一型半导体层上。

在本发明的一实施例中，薄膜太阳能电池的制作方法还包括于氧化物纳米结构上形成一第二型半导体层，以覆盖氧化物纳米结构

在本发明的一实施例中，第一型半导体层为一P型半导体层，而第二型半导体层为一N型半导体层。

在本发明的一实施例中，第一型半导体层为一N型半导体层，而第二型半导体层为一P型半导体层。

在本发明的一实施例中，催化材料层的材质为钨磷化钴(CoWP)、磷化镍(NiP)、或钼磷化镍(NiMoP)，而氧化物纳米结构的材质为一氧化钴(CoOx)化合物。

在本发明的一实施例中，薄膜太阳能电池的制作方法还包括形成一金属层于第一导电层与催化材料层之间，其中金属层的材质为铜。在本发明的一实施例中，催化材料层的材质为钨磷化钴(CoWP)、磷化镍(NiP)、或钼磷化镍(NiMoP)，而氧化物纳米结构的材质为一氧化铜(CuOx)化合物。

在本发明的一实施例中，形成第一导电层的方法还包括形成一透明导电层与一反射层至少其一于基板上，其中第二导电层为一透明导电层。

在本发明的一实施例中，形成第二导电层的方法还包括形成一透明导电层与一反射层至少其一于第一型半导体层上，其中第二导电层为一透明导电层。

在本发明的一实施例中，形成本质层的方法包括形成一非晶硅层与一微晶硅层至少其一于氧化物纳米结构上。

在本发明的一实施例中，第一型半导体层为一N型半导体层。

本发明的薄膜太阳能电池具有氧化物纳米结构，其中此氧化物纳米结构具有良好的导电性，并具有P型半导体的特性，因此，透过覆盖本质层及第一型半导体层于氧化物纳米结构上，即可形成一种PIN的结构。此外，由于氧化物纳米结构具有大表面积对体积比(surface to volume ratio)，如此，可提升氧化物纳米结构与第一型半导体层之间的电场强度，而使得因受光所产生的电子-空穴对可快速地被分离，从而可提高薄膜太阳能电池的光电转换效率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1为现有一种薄膜太阳能电池的剖面示意图；

图2为本发明第一实施例的薄膜太阳能电池的剖面示意图；

图3A至图3E为本发明第一实施例的薄膜太阳能电池的制作流程图；

图4为本发明第二实施例的薄膜太阳能电池的剖面示意图；

图5为本发明第三实施例的薄膜太阳能电池的剖面示意图。

【主要元件符号说明】

100、200、300：薄膜太阳能电池

112、114、210：基板

122、124：透明导电层

130：N型半导体层

140：P型半导体层

150：非晶硅层

160：阳光

170：反射电极

202：光线

220：导电层

230：催化材料层

240：氧化物纳米结构

250：本质层

260：第一型半导体层

270：第一导电层

480：金属层

H1、H2厚度

具体实施方式

第一实施例

图2为本发明第一实施例的薄膜太阳能电池的剖面示意图。请参考图2，本实施例的薄膜太阳能电池200，其包括一基板210、一第一导电层220、一催化材料层230、一氧化物纳米结构240、一本质层250、一第一型半导体层260以及一第二导电层270。第一导电层220配置于基板210上。在本实施例中，基板210例如是一透明基板，如：玻璃基板。而第一导电层220可以是一透明导电层，其中透明导电层的材质例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化锌、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉铟氧化物、镉锌氧化物、镓锌氧化物、锡氟氧化物及一般现有的透明导电氧化层等至少其中之一。在另一未绘示的实施例中，第一导电层220也可以是一反射层(未绘示)与上述透明导电层的叠层，其中反射层位于透明导电层与基板之间，而反射层的材质例如是使用银或铝之类反射性较佳的金属。

催化材料层230配置于第一导电层220上，其中催化材料层230的材质为一金属化合物，且此金属化合物可以包含有钴、镍、或铁元素。举例来说，催化材料层230可以是使用钨磷化钴(CoWP)、磷化镍(NiP)、或钼磷化镍(NiMoP)之类的金属化合物。本实施例以钨磷化钴(CoWP)为例，但不限于此。

另外，氧化物纳米结构240位于催化材料层230上，如图2所示。在本实施例中，氧化物纳米结构240例如是多条纳米线(nanowires)，且其材质例如是一氧化钴(CoOx)化合物，其中依据不同的比例或方法制作，x可以是其它可能的数值，本实施例以四氧化三钴(Co3O4)为例，但不限于此。此外，氧化物纳米结构240会与催化材料层230实体连接，如图2所示。

在本实施例中，氧化物纳米结构240主要是对催化材料层230在温度约400℃或小于400℃的条件下进行一退火处理(annealing process)，其中催化材料层230的材质为钨磷化钴，如此一来，即可形成如图2所绘示的氧化物纳米结构240。需要说明的是，以氧化钴或四氧化三钴作为氧化物纳米结构240的材质，其会具有良好的导电性以及P型半导体的特性，且其能隙(energy bandgap)约小于等于2.49eV。

另外，本质层250覆盖上述氧化物纳米结构240，如图2所示。在本实施例中，本质层250可以包含一非晶硅层与一微晶硅层至少其一。本实施例的本质层250是以非晶硅层为例，然而，在其它实施例中，本质层250也可以是微晶硅层，或是由非晶硅层与微晶硅层堆叠。在本实施例中，本质层250的厚度H1约为0.2μm。此外，上述氧化物纳米结构240的最大厚度H2会小于本质层250的厚度H1，如此可避免氧化物纳米结构240实体上与第一型半导体层260接触而形成部分电性短接，进而降低薄膜太阳能电池200的光电转换效率。在本实施例中，氧化物纳米结构240的厚度平均而言约为150nm，其中此部分可依使用者的需求而作调整，上述为举例说明，非限于此。

请继续参考图2，第一型半导体层260配置于本质层250上。在本实施例中，第一型半导体层260例如是N型半导体层，而其材质例如是以硅为基材。如此一来，通过氧化物纳米结构240、本质层250以及第一型半导体层260所形成的膜层结构，即可形成一种PIN型的薄膜太阳能电池200。在本实施例中，第一型半导体层260的厚度例如是20nm。

在一实施例中，可于上述的氧化物纳米结构240上覆盖一第二型半导体层(未绘示)，其中第二型半导体层为一P型半导体层，如此也可形成一种PIN型的膜层结构。

第二导电层270配置于第一型半导体层260上，如图2所示。在本实施例中，第二导电层270包括一透明导电层272，其中透明导电层272例如是采用上述透明导电层所提及的材质，在此不再赘述。在本实施例中，第二导电层270还可以包括一反射层274，其中反射层274位于上述透明导电层272上。在此需要说明的是，当第二导电层270具有反射层274时，第一导电层220仅可为透明导电层。反之，当第一导电层220具有反射层的设计时，第二导电层270仅可为透明导电层272，而无反射层274。此外，第一导电层220与第二导电层270也可以皆为透明导电层，而无反射层的配置。换言之，此部分的设计可依使用者的需求而作调整，上述仅为举例说明，非限于此。

承上述结构，氧化物纳米结构240、本质层250以及第一型半导体层260构成一种PIN型的太阳能电池结构，且第一导电层220与第二导电层270皆为透明导电层，因此，薄膜太阳能电池200适于接受来自两侧的光线202，并可将来自两侧的光线202转换成电能，如图2所示。

当然，若第一导电层220与第二导电层270其中之一包括有反射层的设计时，薄膜太阳能电池200则可仅接收来自一侧的光线202。举例来说，当第二导电层包含有反射层274时，则来自第一导电层220的一侧的光线202会穿透第一导电层220，并在穿透膜层240、250、260后，会被反射层274所反射，如此，可使光线202再次被利用，而可提高薄膜太阳能电池200的光电转换效率。

由于氧化物纳米结构240为良导体，且其具有能隙以及P型半导体特性，意即其为一种导电性良好的P型结构，因此可提升氧化物纳米结构240与第一型半导体层260(N型半导体层)之间的电场效应，从而可提升薄膜太阳能电池200的光电转换效率。此外，也可选择性地于氧化物纳米结构240上的形成有第二型半导体层(未绘示)以覆盖氧化物纳米结构240，其中此第二型半导体层例如是P型半导体层，且其位于氧化物纳米结构240与本质层250之间，如此也可构成PIN型的结构。

此外，氧化物纳米结构240在结构上具有较大的表面积对体积比，因此，当在薄膜太阳能电池200受光而产生电子空穴对时，则可提高其表面电子或空穴的吸收率，从而可进一步提升薄膜太阳能电池200的光电转换效率。

另外，本发明亦提供一种制作上述薄膜太阳能电池200的方法，其说明如下。

图3A至图3E为本发明第一实施例的薄膜太阳能电池的制作流程图。请参考图3A，首先，提供一上述基板210，其中关于基板210的材质可参照上述，在此不再赘述。然后，形成一上述第一导电层220于基板210上，其中第一导电层220例如是使用上述所提及的透明导电层的材质，而形成第一导电层220的方法例如是使用溅镀法(sputtering)、金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition，MOCVD)法、或蒸镀法(evaporation)。

然后，形成一上述催化材料层230于第一导电层220上，如图3B所示，其中催化材料层230的材质为一金属化合物，且此金属化合物可以包含有钴、镍、或铁元素。在本实施例中，催化材料层230的材质可以是钨磷化钴或磷化镍，其中以钨磷化钴为实施范例。详细而言，若催化材料层230为钨磷化钴(CoWP)、磷化镍(NiP)、或钼磷化镍(NiMoP)之类的材质，则通常是采用无电电镀(electroless plating)的方式来形成的，而其形成条件例如是在温度介于70-90℃之间的情况下，其中无电电镀是金属沉积技术中的一种方式。

请参考图3C，接着，对催化材料层230进行一热工艺(thermalprocess)，以形成一氧化物纳米结构240，其中此氧化物纳米结构240的材质例如是氧化钴(CoOx)化合物，而此氧化钴化合物可以是四氧化三钴(Co₃O₄)。在本实施例中，形成氧化物纳米结构240的方法例如是在约400℃或低于400℃环境下进行热工艺，其中此热工艺的工作温度小于400℃，且在此环境条件下会有少量的氧气，以形成上述的氧化钴或四氧化三钴。一般来说，上述方式形成的氧化物纳米结构240通常为多条纳米线，其中上述氧化物纳米结构240会具有良好的导电性及P型半导体的特性。

在一实施例中，可选择性于上述的氧化物纳米结构240上形成一第二型半导体层(未绘示)，以覆盖氧化物纳米结构，其中第二型半导体层为一P型半导体层。详细而言，形成此第二型半导体层的方法例如是采用等离子体化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)，其中此P型半导体层的沉积厚度可视使用者的需求而定，本实施例以15nm为例。

然后，覆盖一本质层250于上述氧化物纳米结构240上，如图3D所示。在本实施例中，形成本质层250的方法例如是使用等离子体化学气相沉积法，其中本质层250的材质可以是非晶硅或是微晶硅，或是二者的叠层。同样地，本质层250的沉积厚度亦可根据使用者的需求而定，本实施例是以0.2μm为例。需要说明的是，本质层250的厚度主要是以大于氧化物纳米结构240的平均厚度为限，亦即是，避免氧化物纳米结构240会与接下来欲形成的第一型半导体层260直接地实体接触，而影响薄膜太阳能电池200的电性表现。

而后，形成上述第一型半导体层260于本质层250上，如图3E所示。在本实施例中，形成第一型半导体层260的方法例如是采用等离子体化学气相沉积法，其中此第一型半导体层270为N型半导体层，而其沉积厚度可视使用者的需求而定，本实施例以20nm为举例说明。

接着，形成上述第一导电层270于第一型半导体层260上，如此一来即可形成如图2所示的薄膜太阳能电池200的结构。详细而言，形成第一导电层270的方法例如是使用上述溅镀法、金属有机化学气相沉积法、或蒸镀法，而其材质例如是前述的透明导电层材质，在此便不再赘述。至此，便完成上述薄膜太阳能电池200的制作流程。

需要说明的是，若第二导电层270为叠层结构，如：透明导电层272与反射层274。此时，可先形成透明导电层272于第一型半导体层260上，再形成反射层274于透明导电层272上，接着再进行上述的图3B至图3F的制作步骤，即可形成一种仅可使用单面照光的薄膜太阳能电池。

此外，值得一提的是，第一导电层220也可以是形成叠层结构，如：反射层与透明导电层的叠层，如此亦可形成另一种单面照光的薄膜太阳能电池，其制作方法可参考上述，在此不再赘述，惟须注意的是，此时第二导电层270仅可为透明导电层。

第二实施例

图4为本发明第二实施例的薄膜太阳能电池的剖面示意图。请同时比较参考图2与图4，薄膜太阳能电池300与薄膜太阳能电池200结构相似，惟二者不同处在于，第一型半导体层260a为P型半导体层，而位于氧化物纳米结构240与本质层250之间的第二型半导体层(未绘示)为N型半导体层。

在本实施例中，薄膜太阳能电池300与薄膜太阳能电池200仅是将第一型半导体层260a与第二型半导体层的膜层材料分别置换为P型半导体层与N型半导体层，而其余膜层结构同于上述的薄膜太阳能电池200。如此，可增加电子-空穴对分离效率，从而可提升薄膜太阳能电池300的光电转换效率。换言之，薄膜太阳能面板300同样地具有薄膜太阳能电池200所描述的优点，在此便不再赘述。

需要提醒的是，图4是绘示第二导电层270包含有反射层274，在另一未绘示的实施例中，第二导电可以不包含有反射层274，而仅具有透明导电层272，此时，第一导电层可以是透明导电层，或是透明导电层与反射层的叠层，端视使用者欲设计薄膜太阳能电池300为双面受光或单面受光而定，此部分可参考第一实施例的说明，在此不再赘述。

另外，形成薄膜太阳能电池300的方式与形成薄膜太阳能电池200的方式类似，惟二者不同处在于，在分别形成第一型半导体层260a与第二型半导体层的步骤时，其所使用的材料分别为P型半导体层与N型半导体层。换言之，形成薄膜太阳能电池300的方式可依序地完成图3A至图3F与图2的流程步骤，其中相关的工艺描述与步骤，请参照上述。惟须注意的是，在分别形成第一型半导体层250a与第二型半导体层270a的步骤时，二者膜层材料如上述。如此，即可形成如图4所绘示的薄膜太阳能电池300。

第三实施例

图5为本发明第三实施例的薄膜太阳能电池的剖面示意图。请同时比较参考图2、图4与图5，薄膜太阳能电池400与薄膜太阳能电池200、300结构相似，惟二者不同处在于，薄膜太阳能电池400还包括一金属层480，其中金属层480位于第一导电层220与催化材料层230之间，其中此金属层480的材质例如为铜。在一实施例中，当具有铜材料的金属层480够薄时，如小于10nm，其亦可透光。换言之，适当地选择金属层480的厚度亦可使光线可由金属层480进入(意即光线可穿透金属层480而进入薄膜太阳能电池400的内部)。

详细而言，为了可产生不同材质与特性的氧化物纳米结构240，因此，金属层480会配置于第一导电层220与催化材料层230之间，如此，在形成氧化物纳米结构240时，其材料便可包含有金属层480的材质，进而形成一种金属氧化物纳米结构。换言之，包含有金属层480材质的氧化物纳米结构240同样地具有导电性良好与P型半导体的特性。

在一实施例中，亦可于上述的氧化物纳米结构240上覆盖一第二型半导体层(未绘示)，其中此第二型半导体层为一P型半导体层，而第一型半导体层260为一N型半导体层，如此可构成一种如上述的PIN型的膜层结构。在另一实施例中，上述第二型半导体层可以是一N型半导体层，而上述第一型半导体层260为一P型半导体层。

承上述可知，薄膜太阳能面板400同样地具有薄膜太阳能电池200、300所描述的优点，在此便不再赘述。

需要提醒的是，图5是绘示第二导电层270包含有反射层274，在另一未绘示的实施例中，第二导电层270可不包含有反射层274，而是仅具有透明导电层272，此时，第一导电层220可以是透明导电层，或是透明导电层与反射层的叠层，端视使用者欲将薄膜太阳能电池400设计为双面受光或单面受光而定，此部分可参考第一实施例的说明，在此不再赘述。

另外，形成薄膜太阳能电池400的方式与形成薄膜太阳能电池200、300的方式类似，惟二者不同处在于，形成催化材料层230于第一导电层220前，还包括于第一导电层220上形成上述金属层480，如图5所示。详细来说，形成薄膜太阳能电池400的方式可先完成图3A的步骤后，再形成金属层480于第一导电层220上，其中形成金属层480的方式可以是使用溅镀法、金属有机化学气相沉积法、或蒸镀法，且金属层480的材质例如是铜。

而后，再依序地进行图3B至图3E与图2的流程步骤，其中相关的工艺描述与步骤，请参照上述，在此不再赘述。如此，完成上述步骤后，即可形成如图5所绘示的薄膜太阳能电池300。

综上所述，本发明的薄膜太阳能电池至少具有下列优点。首先，由于薄膜太阳能电池具有氧化物纳米结构，其中此氧化物纳米结构具有良好的导电性，并具有P型半导体的特性，因此，透过覆盖本质层及第一型半导体层于氧化物纳米结构上，即可形成一种PIN的结构，而无须再沉积传统的P型半导层于其上，而可缩减部分工艺步骤与材料。在另一选择性的实施例中，亦可以形成第二型半导体层于氧化物纳米结构上，其中第二型半导体层为P型半导体层或N型半导体层。

此外，氧化物纳米结构还具有大表面积对体积比(surface to volumeratio)，因此，可提升氧化物纳米结构与第一型半导体层之间的电场强度，从而使得因受光所产生的电子-空穴对可快速地被分离，且可提高电子与空穴吸收率，从而可提高薄膜太阳能电池的光电转换效率。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的还动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (26)

1.一种薄膜太阳能电池，其特征在于包括：

一基板；

一第一导电层，配置于该基板上；

一催化材料层，配置于该第一导电层上，其中该催化材料层的材质为一金属化合物；

一氧化物纳米结构，位于该催化材料层上，其中该氧化物纳米结构的材质为一金属氧化合物；

一本质层，覆盖该氧化物纳米结构；

一第一型半导体层，配置于该本质层上；以及

一第二导电层，配置于该第一型半导体层上。

2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该金属化合物包含钴、镍或铁元素。

3.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该催化材料层的材质为钨磷化钴、钨磷化钴、磷化镍、或钼磷化镍。

4.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该氧化物纳米结构的材质包含氧化钴、氧化镍、氧化铁等至少其一。

5.如权利要求4所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该氧化钴为四氧化三钴。

6.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，还包括一金属层，位于该第一导电层于该催化材料层之间。

7.如权利要求6所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该金属层的材质为铜。

8.如权利要求7所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该催化材料层的材质为钨磷化钴、磷化镍、或钼磷化镍，而该氧化物纳米结构的材质为一氧化铜化合物。

9.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该第一型半导体层为一N型半导体层。

10.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，还包括一第二型半导体层，位于该氧化物纳米结构与该本质层之间，并覆盖该氧化物纳米结构。

11.如权利要求10所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该第一型半导体为一N型半导体层，而该第二型半导体层为一P型半导体层。

12.如权利要求10所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该第一型半导体为一P型半导体层，而该第二型半导体层为一N型半导体层。

13.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该第一导电层为透明导电层，其材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化锌、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉铟氧化物、镉锌氧化物、镓锌氧化物及锡氟氧化物等至少其一，而该第二导电层包含反射层与透明导电层至少其一。

14.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该第二导电层为透明导电层，其材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化锌、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉铟氧化物、镉锌氧化物、镓锌氧化物及锡氟氧化物等至少其一，而该第一导电层包含反射层与透明导电层至少其一。

15.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该第一导电层与该第二导电层至少其一的表面为凹凸结构。

16.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该本质层包含一非晶硅层与一微晶硅层至少其一。

17.一种薄膜太阳能电池的制作方法，包括：

提供一基板；

形成一第一导电层于该基板上；

形成一催化材料层于该第一导电层上，其中该催化材料层的材质为一金属化合物；

对该催化材料层进行一热工艺，以形成一氧化物纳米结构；

覆盖一本质层于该氧化物纳米结构上；

形成一第一型半导体层于该本质层上；以及

形成一第二导电层于该第一型半导体层上。

18.如权利要求17所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，还包括于该氧化物纳米结构上形成一第二型半导体层，以覆盖该氧化物纳米结构，其中当该第一型半导体层为一P型半导体层，该第二型半导体层为一N型半导体层，而该当第一型半导体层为一N型半导体层，该第二型半导体层为一P型半导体层。

19.如权利要求17所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，该催化材料层的材质为钨磷化钴、钨磷化钴、磷化镍、或钼磷化镍。

20.如权利要求17所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，该氧化物纳米结构的材质包含氧化钴、氧化镍、氧化铁等至少其一。

21.如权利要求17所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，还包括形成一金属层于该第一导电层与该催化材料层之间，其中该金属层的材质为铜。

22.如权利要求21所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，该催化材料层的材质为钨磷化钴、磷化镍、或钼磷化镍，而该氧化物纳米结构的材质为一氧化铜化合物。

23.如权利要求17所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，形成该第一导电层的方法还包括形成一透明导电层与一反射层至少其一于该基板上，其中该第二导电层为一透明导电层。

24.如权利要求17所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，形成该第二导电层的方法还包括形成一透明导电层与一反射层至少其一于该第一型半导体层上，其中该第二导电层为一透明导电层。

25.如权利要求17所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，形成该本质层的方法包括：

形成一非晶硅层与一微晶硅层至少其一于该氧化物纳米结构上。

26.如权利要求17所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，该第一型半导体层为一N型半导体层。

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