KR101621551B1 - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents

Abstract

일 실시예는 대향 전극층이 금속 나노파우더 또는 금속 복합체와 TCO 나노파우더를 포함하는 단일층이거나, 또는 금속 나노와이어 또는 탄소나노튜브를 포함하는 제 1 층 및 금속 나노파우더 또는 금속 복합체를 포함하는 제 2 층을 포함하는 태양전지를 제공하고자 한다.

따라서, 일 실시예에 따른 태양전지는, 높은 전도도와 반사율을 갖고, 금속 나노와이어 및 TCO 나노파우더에 의해 광 산란 효과를 향상시킨다. 또한, Si과의 계면에서 금속 실리사이드의 발생을 억제하여 전도도를 향상시키고, Si 계면에서 우수한 접착력을 확보할 수 있다. 또한, 용액 공정에 따른 저온 공정이 가능하고, 진공 공정을 필요로 하지 않아서 비용 절감의 효과도 있다.

금속 나노파우더, 금속 복합체, TCO 나노파우더, 대향 전극층.

Description

태양전지 및 이의 제조방법{SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이고, 특히 새로운 재료로 이루어진 대향 전극층을 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지들에 대한 개발이 진행되고 있다. 이러한 태양전지들에는 CIGS 태양전지, 실리콘 계열 태양전지, 염료감응 태양전지, 반도체 태양전지 등이 있다.

일반적으로 태양전지는, 외부에서 들어온 빛에 의해 태양전지의 반도체 내부에서 전자와 정공의 쌍이 생성되고, 이러한 전자와 정공의 쌍에서 pn 접합에서 발생한 전기장에 의해 전자는 n형 반도체로 이동하고 정공은 p형 반도체로 이동함으로써 전력을 생산한다.

태양전지에 적용되는 투명전극의 경우에, 태양광을 전기로 변환하는 효율이 가장 중요하므로 그 응용분야의 특성상, 전도성 물질이 높은 광투과도와 함께 낮은 비저항을 갖는 것이 필수적인 요소가 되고 있다.

종래에 박막 결정형 실리콘 태양전지는 광흡수율을 높이기 위해 텍스쳐 링(texturing)된 ITO 및 ZnO:Al과 같은 박막 연구가 수행되었다. 텍스쳐링된 ZnO:Al과 같은 기존 전면 투명전도막은 스퍼터링을 통한 증착 및 도핑과 화학적 에칭법을 통한 텍스쳐링 등 매우 정교하고 복잡한 공정을 요구하기 때문에 실행 비용이 높고, 소요 시간이 길어질 수 있다. 또한, 진공 기술 적용에 따른 높은 장비 투자비로 원가 상승을 가져오게 된다.

또한,광흡수층의 낮은 광흡수율로 인하여 전면 투명 전도막과 후면 반사전극의 인위적인 설계가 요구되어졌다. 또한, 텍스쳐링과 같은 인위적인 전극 설계뿐만 아니라 전극의 주재료인 TCO(transparent conducting oxide)의 낮은 전도도 특성 때문에 도핑이 필요하다. 현재, 진공기술을 통한 박막화 공정은 진공 장비 요구에 따른 투자비 절감에 한계를 가지고 있다.

종래의 기술은 Ag/Pd/Ti와 같은 적층 구조를 후면 반사전극에 적용함에 따라 재료비가 상승하고, 택트 타임(tact time)이 증가하였다. 또한, Ag 금속의 합금을 후면 반사전극에 적용함에 따라 Si과의 계면에서 실리사이드(silicide)가 발생하였다. 따라서, 후면 반사전극/후면 금속층에 대해 상기의 문제점을 개선할 필요가 있었다.

실시예는 높은 전도도와 반사율, Si과의 계면에서의 안정성을 갖는 태양전지 및 이를 제조하는 방법을 제공한다.

일 실시예에 따른 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 투명 전극층; 상기 투명 전극층 상에 배치되는 광-전 변환층; 및 상기 광-전 변환층 상에 배치되는 대향 전극층을 포함하고, 상기 대향 전극층은 금속 나노파우더 또는 금속 복합체와 TCO 나노파우더를 포함하는 단일층인 것을 특징으로 한다.

다른 실시예에 따른 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 투명 전극층; 상기 투명 전극층 상에 배치되는 광-전 변환층; 및 상기 광-전 변환층 상에 배치되는 대향 전극층을 포함하고, 상기 대향 전극층은, 금속 나노와이어 또는 탄소나노튜브를 포함하는 제 1 층 및 금속 나노파우더 또는 금속 복합체를 포함하는 제 2 층을 포함하는 것을 특징으로 한다.

일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 기판 상에 투명 전극층을 형성하는 단계; 상기 투명 전극층 상에 광-전 변환층을 형성하는 단계; 및 상기 광-전 변환층 상에 배치되는 대향 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 대향 전극층을 형성하는 단계는, 금속 나노파우더 또는 금속 복합체와 TCO 나노파우더를 혼합하여 단일층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

다른 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 기판 상에 투명 전극층을 형성하 는 단계; 상기 투명 전극층 상에 광-전 변환층을 형성하는 단계; 및 상기 광-전 변환층 상에 대향 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 대향 전극층을 형성하는 단계는, 금속 나노와이어 또는 탄소나노튜브를 포함하는 제 1 층을 형성하는 단계 및 금속 나노파우더 또는 금속 복합체를 포함하는 제 2 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

일 실시예에 따른 태양전지는, 대향 전극층이 금속 나노파우더 또는 금속 복합체와 TCO 나노파우더를 포함하는 단일층이거나, 또는 금속 나노와이어 또는 탄소나노튜브를 포함하는 제 1 층 및 금속 나노파우더 또는 금속 복합체를 포함하는 제 2 층을 포함하는 것을 특징으로 한다.

따라서, 일 실시예에 따른 태양전지는, 높은 전도도와 반사율을 갖고, 금속 나노와이어 및 TCO 나노파우더에 의해 광 산란 효과를 향상시킨다.

또한, 금속 나노와이어 내의 유기 바인더 및 TCO 나노파우더에 의한 Si과의 계면에서 금속 실리사이드의 발생을 억제하여 전도도를 향상시키고, Si 계면에서 우수한 접착력을 확보할 수 있다.

또한, 금속 나노파우더 및 금속 복합체를 통한 전반사 및 높은 전도도를 달성할 수 있고, 용액 공정에 따른 저온 공정이 가능하고, 진공 공정을 필요로 하지 않아서 비용 절감의 효과도 있다.

실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 막, 전극 또는 층 등이 각 기판, 전극, 막 또는 층 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다.

또한, 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.

이하에서는 첨부된 도면을 참고하여 실시예에 따른 발명을 상세히 설명하도록 한다.

도 1, 도 2, 도 3a 및 도 4는 일 실시예에 따른 단일층으로 형성된 대향 전극층을 포함하는 태양전지의 제조방법을 나타낸 도면이다. 도 1, 도 2, 도 3b 및 도5는 다른 실시예에 따른 2개의 층으로 형성된 대향전극층을 포함하는 태양전지의 제조방법을 나타낸 도면이다. 이하에서는 단일층(도 3a) 및 2개의 층(도 3b)만을 따로 설명하고, 공통된 부분은 함께 설명하도록 한다.

단일층(도 3a)을 포함하여 도 1 내지 도 4를 참고하면, 일 실시예에 따른 태양전지는 기판(100), 투명 전극층(200), 광-전 변환층(300) 및 대향 전극층(400)을 포함한다.

기판(100)의 상면은 식각 용액 또는 식각 기체에 의해 텍스처링될 수 있다. 다르게는, 상기 기판(100)의 상면은 샌드 블래스트와 같은 다양한 공정에 의해서 텍스처링될 수 있다.

기판(100)은 투명하며, 절연체이다. 상기 기판(100)은 예를 들어, 유리 기 판, 석영 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다.

상기 기판(100) 상에는 투명 전극층(200)이 배치된다. 상기 투명 전극층(200)은 투명한 전도성 물질이 증착되어 형성된다.

상기 투명한 전도성 물질의 예로는 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 틴 옥사이드(tin oxide, SnO) 또는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO) 등을 들 수 있다. 또한, 상기 징크 옥사이드에는 갈륨(Ga), 알루미늄(Al) 또는 붕소(B)가 도핑될 수 있고, 상기 틴 옥사이드에는 불소(F)가 도핑될 수 있다.

상기 투명 전극층(200)은 투명하며, 도전층이다. 상기 투명 전극층(200)은 정공을 용이하게 수송한다.

상기 투명 전극층(200)은 화학 기상 증착(CVD: chemical vapor deposition) 공정 또는 스퍼터링(sputtering) 공정을 포함하는 물리 기상 증착(PVD: physical vapor deposition) 공정 등에 의해 형성될 수 있다. 또한, 상기 투명 전극층(200)은 이외에도 박막을 증착하는 다른 여러 공정 등에 의해서도 형성될 수 있다.

상기 투명 전극층(200) 상에는 광-전 변환층(300)이 배치된다. 상기 광-전 변환층(300)은 상기 투명 전극층(200) 상에 배치된 p형 실리콘층(310), i형 실리콘층(320) 및 n형 실리콘층(330)이 순차적으로 적층되어 형성된다.

상기 p형 실리콘층(310)은 화학 기상 증착 공정에 의해서, 상기 투명 전극층(200) 상에 p형 불순물 및 실리콘이 증착되어 형성된다. 이때, 실리콘 대신에 실리콘 카바이드가 증착될 수 있다.

상기 p형 불순물의 예로서는 붕소, 갈륨 및 인듐 등의 Ⅲ족 원소를 들 수 있 다. 따라서, 상기 p형 실리콘층(310)은 아몰퍼스 실리콘에 p형 불순물이 도핑된 구조를 가질 수 있다.

이후, 상기 p형 실리콘층(310) 상에 화학 기상 증착 공정에 의해서, 실리콘이 증착되어 i형 실리콘층(320)이 형성된다. 상기 i형 실리콘층(320)에는 도전형 불순물이 도핑되지 않는다.

이후, 상기 i형 실리콘층(320) 상에 n형 실리콘층(330)이 형성된다. 상기 n형 실리콘층(330)은 상기 i형 실리콘층(320) 상에 n형 불순물 및 실리콘이 증착되어 형성된다.

상기 n형 불순물의 예로서는 안티몬(Sb), 비소(As) 및 인(P) 등의 Ⅴ족 원소를 들 수 있다. 따라서, 상기 n형 실리콘층(330)은 아몰퍼스 실리콘에 상기 n형 불순물이 도핑된 구조를 가질 수 있다.

상기 p형 실리콘층(310)은 태양광을 입사받아 정공을 생성한다. 상기 p형 실리콘층(310)은 상기 생성된 정공을 상기 투명 전극층(200)에 전달한다.

상기 i형 실리콘층(320)은 상기 p형 실리콘층(310) 상에 배치된다. 상기 i형 실리콘층(320)으로 사용되는 물질은 불순물이 도핑되지 않은 아몰퍼스 실리콘이다. 상기 i형 실리콘층(320)은 상기 p형 실리콘층(310)과 상기 n형 실리콘층(330) 사이에 배치되어, 버퍼 기능을 수행한다.

상기 n형 실리콘층(330)은 상기 i형 실리콘층(320) 상에 배치된다. 상기 n형 실리콘층(330)은 이후에 형성될 대향 전극층(400)에 인접하여 배치된다. 상기 n형 실리콘층(330)은 태양광을 입사받아 전자를 생성한다. 상기 n형 실리콘층(330)은 상기 생성된 전자를 상기 대향 전극층(400)에 전달한다.

상기 광-전 변환층(300) 상에 대향 전극층(400)이 배치된다. 일 실시예에 따른 대향 전극층(400)은 금속 나노파우더 또는 금속 복합체와 TCO 나노파우더를 포함하는 단일층으로 이루어질 수 있다.

도 3a를 참조하면, 상기 대향 전극층(400)은 적당한 용매에서 금속 나노파우더(metal nanopowder ink) 잉크 또는 금속 복합체(metal complex)를 TCO 나노파우더와 혼합한 혼합물을 코팅하여 형성한다.

일 실시예에서, 상기 금속 나노파우더는 Ag, Au, Cu, Pd 및 Pt로 이루어진 그룹에서 선택될 수 있다.

일 실시예에서, 상기 금속 복합체는 금속 원자를 중심 원소로 하고 유기성 재료가 상기 금속의 리간드로 되어 있으며, 상기 금속 원자는 Ag, Au, Cu, Pd 및 Pt로 이루어진 그룹에서 선택될 수 있다.

일 실시예에서, 상기 TCO 나노파우더는 전도성이 있는 금속 산화물이고, 상기 금속 산화물은 ITO, SnOx, TiOx 및 ZnOx로 이루어진 그룹에서 선택되며, x는 0.1 내지 2.0일 수 있다.

여기에서 사용되는 용매의 예는 탈이온수(DI water) 또는 유기 용제(예를 들어, 헥산, 톨루엔, 알콜류 등)일 수 있다. 상기 혼합물을 코팅하는 방법으로는 스핀 코팅(spin coating), 잉크-젯 코팅(ink-jet coating) 또는 롤 프린팅(roll printing) 등을 들 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.

상기 코팅의 조건은 상온 및 상압에서 상기 방법을 이용하여 코팅을 한다. 코팅 후 건조는 상압 및 50℃ 내지 100℃에서 수행하여 용매를 제거한다. 그런 다음, 상압 및 100℃ 내지 300℃에서 경화시키고, 오븐이나 핫 플레이트에서 소결시킨다.

상기와 같은 과정의 결과로 생성된 단일층의 대향 전극층(400)은 Si과의 계면에서 TCO 나노파우더가 많이 존재하게 된다. 즉, 도 3a에서 원형의 입자로 표시한 것은 TCO 나노파우더를 나타낸다. 따라서, 일반적으로 TCO가 SiOx보다 산화가 더 잘 되기 때문에(즉, △H(oxidatioin of TCO, 150 kcal/mol 내지 300 kcal/mol) 〉△H(oxidatioin of SiOx, 26 kcal/mol)임), 상기 단일층의 대향 전극층(400)은 TCO에 의해 접착력이 확보되고, TCO에 의해 Si과의 계면에서 안정성이 확보된다.

또한, 금속 나노파우더 및 금속 복합체에 의해 높은 전도도와 반사율을 확보할 수 있다. 그리고, TCO 나노파우더 및 액상 재료는 부피가 수축함에 따라 러프니스(roughness)가 증가하여 산란 패턴이 형성되며, 이에 의해 광 산란의 효과를 증가시킬 수 있다.

또한, 단일층으로 이루어지기 때문에, 1번의 코팅만으로 대향 전극층(400)을 형성할 수 있고, 용액 공정을 사용하기 때문에 진공 공정을 필요로 하지 않아서 비용 절감의 효과도 있다.

도 3b를 참조하면, 다른 실시예에서, 상기 대향 전극층(400)은 금속 나노와이어 또는 탄소나노튜브를 포함하는 제 1 층(410) 및 금속 나노파우더 또는 금속 복합체를 포함하는 제 2 층(420)을 포함한다.

일 실시예에서, 상기 제 1 층(410)은 유기 바인더(organic binder)를 포함할 수 있다.

상기 제 1 층(410)은 금속 나노 와이어 또는 탄소나노튜브를 성장시키고, 상온 및 상압에서 계면활성제(예를 들어, 소듐 도데실 설페이트(sodium dodecyl sulfate) 등이 있으나, 이에 제한되지 않음)와 함께 혼합하여 초음파 처리한다. 이로 인해 분산 용액을 제조한다.

상기 제 2 층(420)은 금속 나노파우더 또는 금속 복합체를 용매에 혼합하여 형성한다. 상기 금속 나노파우더는 박막처럼 조밀한 구조를 가지고 있다. 일 실시예에서, 상기 금속 나노파우더는 Ag, Au, Cu, Pd 및 Pt로 이루어진 그룹에서 선택될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 금속 복합체는 금속 원자를 중심 원소로 하고 유기성 재료가 상기 금속의 리간드로 되어 있으며, 상기 금속 원자는 Ag, Au, Cu, Pd 및 Pt로 이루어진 그룹에서 선택될 수 있다.

상기와 같은 과정으로 형성된 제 1 층(410)은 Si과 계면층을 형성시키지 않으면서 광 산란을 증가시키는 역할을 한다. 예를 들어, 상기 제 1 층(410)에서 금속 나노와이어 또는 탄소나노튜브는 유기 바인더에 의해 Si과의 반응성이 낮아서 Si과의 계면에서 실리사이드를 형성하지 않는다. 따라서, Si과의 계면에서 안정성을 높여준다. 또한, 금속 나노와이어 또는 탄소나노튜브 표면으로 입사된 광은 표면 산란을 하게 된다. 즉, 도 3b에서 바(bar) 형태의 양끝단에 원형의 입자를 도시한 것은 상기 금속 나노와이어 또는 탄소나노튜브를 나타낸다.

또한, 상기 제 2 층(420)은 순수한 금속층으로써 높은 전도도와 높은 반사율을 확보할 수 있다. 그리고, 이와 같은 용액 공정으로 진행하기 때문에 진공 공정 을 필요로 하지 않기 때문에 비용 절감이 가능하다.

상기와 같은 태양전지에서, 태양광은 상기 기판(100)을 통하여, 실시예에 따른 태양전지에 입사된다. 상기 입사된 태양광은 투명 전극층(200)을 거쳐서, 광-전 변환층(300)에 흡수된다. 상기 광-전 변환층(300)은 입사된 광을 이용하여 전자 및 정공을 생성한다. 생성된 전자는 대향 전극층(400)으로 이동되고, 정공은 투명 전극층(200)으로 이동된다.

실시예에 따른 태양전지는 위와 같은 방식으로 전위차, 즉 전기에너지를 생성한다.

따라서, 실시예에 따른 태양전지는 단일층 또는 2개의 층을 갖는 대향 전극층(400)을 구비하여, 높은 전도도와 반사율을 갖고, 금속 나노와이어 및 TCO 나노파우더에 의해 광 산란 효과를 향상시킨다.

또한, 금속 나노와이어 내의 유기 바인더 및 TCO 나노파우더에 의한 Si과의 계면에서 금속 실리사이드의 발생을 억제하여 전도도를 향상시키고, Si 계면에서 우수한 접착력을 확보할 수 있다.

또한, 금속 나노파우더 및 금속 복합체를 통한 전반사 및 높은 전도도를 달성할 수 있고, 용액 공정에 따른 저온 공정이 가능하고, 진공 공정을 필요로 하지 않아서 비용 절감의 효과도 있다.

본 실시예에서는 설명한 태양전지의 제조방법은 CIGS계 태양전지, 실리콘 계열 태양전지, 연료감응 계열 태양전지, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 태양전지 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 태양전지 등 다양한 태양전지에 적용될 수 있다.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나, 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 평균적 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고, 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

도 1, 도 2, 도 3a 및 도 4는 일 실시예에 따른 단일층으로 형성된 대향 전극층을 포함하는 태양전지의 제조방법을 나타낸 도면이다.

도 1, 도 2, 도 3b 및 도5는 다른 실시예에 따른 2개의 층으로 형성된 대향전극층을 포함하는 태양전지의 제조방법을 나타낸 도면이다.

Claims (12)

1. 기판;

   상기 기판 상에 배치되는 투명 전극층;

   상기 투명 전극층 상에 배치되는 광-전 변환층; 및

   상기 광-전 변환층 상에 배치되는 대향 전극층을 포함하고,

   상기 대향 전극층은 금속 나노파우더 또는 금속 복합체와 TCO 나노파우더를 포함하는 단일층이며

   상기 TCO 나노파우더는 ITO, SnOx, TiOx 및 ZnOx로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 상기 x는 0.1 내지 2.0인 태양전지.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 금속 나노파우더는 Ag, Au, Cu, Pd 및 Pt로 이루어진 그룹에서 선택되는 태양전지.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 금속 복합체는 금속 원자를 중심 원소로 하고 유기성 재료가 상기 금속의 리간드로 되어 있으며, 상기 금속 원자는 Ag, Au, Cu, Pd 및 Pt로 이루어진 그룹에서 선택되는 태양전지.
4. 삭제
5. 삭제
6. 기판;

   상기 기판 상에 배치되는 투명 전극층;

   상기 투명 전극층 상에 배치되는 광-전 변환층; 및

   상기 광-전 변환층 상에 배치되는 대향 전극층을 포함하고,

   상기 대향 전극층은, 금속 나노와이어 또는 탄소나노튜브를 포함하는 제 1 층 및 금속 나노파우더 또는 금속 복합체를 포함하는 제 2 층을 포함하는 태양전지.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 제 1 층은 유기 바인더를 더 포함하는 태양전지.
8. 제 6 항에 있어서,

   상기 금속 나노파우더는 Ag, Au, Cu, Pd 및 Pt로 이루어진 그룹에서 선택되는 태양전지.
9. 제 6 항에 있어서,

   상기 금속 복합체는 금속 원자를 중심 원소로 하고 유기성 재료가 상기 금속의 리간드로 되어 있으며, 상기 금속 원자는 Ag, Au, Cu, Pd 및 Pt로 이루어진 그룹에서 선택되는 태양전지.
10. 기판 상에 투명 전극층을 형성하는 단계;

    상기 투명 전극층 상에 광-전 변환층을 형성하는 단계; 및

    상기 광-전 변환층 상에 배치되는 대향 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,

    상기 대향 전극층을 형성하는 단계는, 금속 나노파우더 또는 금속 복합체와 TCO 나노파우더를 혼합하여 단일층을 형성하는 단계를 포함하며

    상기 TCO 나노파우더는 ITO, SnOx, TiOx 및 ZnOx로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 상기 x는 0.1 내지 2.0인 태양전지 제조방법.
11. 기판 상에 투명 전극층을 형성하는 단계;

    상기 투명 전극층 상에 광-전 변환층을 형성하는 단계; 및

    상기 광-전 변환층 상에 대향 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,

    상기 대향 전극층을 형성하는 단계는, 금속 나노와이어 또는 탄소나노튜브를 포함하는 제 1 층을 형성하는 단계 및 금속 나노파우더 또는 금속 복합체를 포함하는 제 2 층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법.
12. 제 11 항에 있어서,

    상기 제 1 층을 형성하는 단계는 유기 바인더를 더 포함하는 태양전지 제조방법.

Images