TWI402992B - 太陽能電池及其製造方法 - Google Patents

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Description

太陽能電池及其製造方法
本發明是有關於一種太陽能電池(solar cell)，且特別是有關於一種以奈米金屬作為透明導電膜的太陽能電池。
太陽能是一種乾淨無污染且取之不盡的能源，因此在遭遇石化能源所面臨的污染與短缺之問題時，如何有效利用太陽能源已經成為最受矚目的焦點。其中，因太陽能電池(solar cell)可直接將太陽能轉換為電能，而成為目前運用太陽能源之發展重點。
矽基太陽電池為業界常見的一種太陽能電池，矽基太陽能電池的原理是將高純度的半導體材料(矽)加入一些不純物使其呈現不同的性質。當太陽光照射到太陽能電池的半導體材料時，光子所提供的能量可能會把半導體中的電子激發出來，產生電子-電洞對，電子與電洞均會受到內建電位的影響，電洞往電場的方向移動，而電子則往相反的方向移動。如果以導線將此太陽能電池與一負載(load)連接起來，形成一個迴路(loop)就會有電流流過負載，這就是太陽能電池發電的原理。
矽基太陽電池大致可分為矽晶太陽能電池與矽薄膜太陽能電池。其中，由於薄膜太陽能電池(thin film solar cell)具有低成本、容易大面積生產且模組化製程簡單等優點，因此薄膜太陽能電池的研發乃成為目前新的發展方向。一般而言，依照太陽光的入射方向，太陽能電池大致上又可分為覆板式(superstrate)太陽能電池與基板式(substrate)太陽能電池。在覆板式的矽薄膜太陽能電池中，光進入基板後經由主動層的吸收，而剩餘的光穿過背電極後會被背反射層所反射，再被主動層利用。基於反射光的多寡將影響元件效率表現，若要使更多反射光能再被主動層所利用，背電極的透光度特性會顯著地影響太陽能電池的吸光效率。
目前Oerlikon公司所生產的太陽能電池是以透明導電氧化物(transparent conductive oxide,TCO)當作背電極並以白漆(white paint)當作背反射層，而為了能夠從背電極拉出電流，勢必要將透明導電氧化物的厚度增厚到約0.5μm至5μm之間，以獲得較佳的導電性。然而，在使用如此厚的透明導電氧化物之情況下，背電極的光穿透度會顯著下降許多，而影響反射層的反射率。此外，為了製作太陽能電池的前電極與背電極，通常必須利用兩組低壓化學氣相沈積(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)的真空系統來分別製作這兩層透明導電氧化物，其材料成本較高且製程方式較為繁雜。
有鑑於此，本發明提供一種太陽能電池及其製造方法，利用奈米金屬透明導電層作為背電極材料。
本發明提出一種太陽能電池，其包括第一電極、第二電極、光電轉換層以及非導電性反射層。第一電極配置於一透明基板上。第一電極包括奈米金屬透明導電層，其中奈米金屬透明導電層與光電轉換層實質上相接觸。第二電極配置於光電轉換層與透明基板之間。光電轉換層配置於第一電極與第二電極之間。非導電性反射層配置於第一電極上。
本發明另提出一種太陽能電池的製造方法。先於透明基板上形成第二電極，接著於第二電極上形成光電轉換層。之後，於光電轉換層上形成第一電極，第一電極包括奈米金屬透明導電層，且奈米金屬透明導電層與光電轉換層實質上相接觸。隨之，於第一電極上形成非導電性反射層。
在本發明之一實施例中，上述之形成奈米金屬透明導電層的方法例如是先將奈米金屬有機溶液塗佈在光電轉換層上，接著烤乾奈米金屬有機溶液，以於光電轉換層的表面上形成薄膜。將奈米金屬有機溶液塗佈在光電轉換層上的方法例如是旋轉塗佈法、表面塗佈法、噴墨法或網印法。
在本發明之一實施例中，上述之奈米金屬透明導電層具有網狀結構。
在本發明之一實施例中，上述之奈米金屬透明導電層例如是由多條奈米金屬線交錯所構成。
在本發明之一實施例中，上述之奈米金屬透明導電層的材料包括銀、金、銅、鋁或鎳。
在本發明之一實施例中，上述之奈米金屬透明導電層的厚度約介於0.1μm至1μm之間。
在本發明之一實施例中，上述之奈米金屬透明導電層的片電阻值約介於0.01ohm/□至50ohm/□之間。
在本發明之一實施例中，上述之奈米金屬透明導電層的穿透率(transmission)約介於70%至90%之間。
在本發明之一實施例中，上述之非導電性反射層包括白色非導電性材料。白色非導電性材料例如是有機高分子材料或白色非導電性塗料
在本發明之一實施例中，上述之第二電極具有凹凸結構。
在本發明之一實施例中，上述之第二電極的材料包括透明導電氧化物。透明導電氧化物例如是ITO、IZO、AZO、GZO、In2 O3 、ZnO、TiO2 或SnO2 。
基於上述，本發明之太陽能電池利用奈米金屬透明導電層作為背電極材料，其具有高透光率與低電阻之特性，進而可有助於提升反射層的反射率並增進太陽能電池的效率表現。
此外，本發明之太陽能電池的製造方法以非真空鍍膜系統的方式來製作透明電極，以將奈米金屬透明導電層應用於矽薄膜太陽能電池。因此，可有助於大幅降低設備與材料成本，並能夠與現有的太陽能電池製程相整合，步驟簡單、製程快速且有利於大面積化生產。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
在奈米金屬有機溶液中，奈米金屬離子會呈穩定懸浮在液體中，因此利用化學還原劑或光線的照射等方式激發，可使奈米金屬離子獲得電子而成為金屬態。本發明就是利用奈米金屬離子溶液來形成具有高透光率與低電阻之奈米金屬透明導電層，藉以作為太陽能電池的背電極，以提升光的穿透率及整體反射率，進而增進太陽能電池的效率表現。
下文中參照隨附圖式來更充分地描述本發明。然而，本發明可以多種不同的形式來實踐，並不限於文中所述之實施例。此外，在圖式中為明確起見可能將各層的尺寸以及相對尺寸作誇張的描繪。
圖1是依照本發明之一實施例之太陽能電池的剖面示意圖。
請參照圖1，太陽能電池100包括透明基板102以及配置於其上方之電極104、光電轉換層106、電極108與非導電性反射層110。電極108配置於基板102上。電極104配置於基板102及電極108之間。光電轉換層106配置於電極104及電極108之間。非導電性反射層110配置於電極108上。
透明基板102的材料例如是玻璃、透明樹脂或其他合適之透明材質。上述透明樹脂例如是聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚(polyethersulfone,PES)、聚醯亞胺(polyimide,PI)。
一般而言，太陽能電池可依光射入方向的不同，將其結構分為覆板(superstrate)結構以及基板(substrate)結構。所謂的覆板結構是先從基板下方鍍上透明電極開始，再依序鍍上光電轉化元件，最後再鍍上不透光電極；反之，基板結構則是先從基板上方鍍上不透光電極，再依序鍍上光電轉化元件，最後才鍍上透明電極。本實施例之太陽能電池100例如是一種覆板(superstrate)結構之太陽光電元件。由於覆板結構是指光是從基板端射入，所以光L會從透明基板102側往太陽能電池100的內部射入，如圖1所示。
電極104配置在透明基板102上，以作為前電極層(front contact)。電極104的材料可以是透明導電氧化物(transparent conductive oxide,TCO)，其例如是銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)、氧化鋁鋅(Al doped ZnO,AZO)、摻鎵氧化鋅(Ga doped zinc oxide,GZO)、氧化銦(In2 O3 )、氧化鋅(ZnO)、二氧化鈦(TiO2 )、二氧化錫(SnO2 )或是其他透明導電材質。在一實施例中，為了提昇太陽能電池100的效率，電極104的表面可以是具有凹凸結構(texture)的不平整表面，以減少光的反射量。具有凹凸結構的不平整表面會提高光線在太陽能電池100中散射的機率，並減少入射光之反射，以增加入射光在光電轉換層中之行進距離。因此，通常會將作為前電極的電極104表面製成V字型溝槽、金字塔形(pyramid)結構或逆金字塔形。
電極104的形成方法例如是採用化學氣相沈積法(CVD)、物理氣相沈積法(PVD)或是噴塗法於透明基板102表面上形成透明導電氧化物。為了提昇電池的效率，亦可對透明導電氧化物進行表面處理，而使其具有凹凸結構的不平整表面，以使光線產生散射並減少光的反射量。在一實施例中，還可以選擇性地進行雷射製程，將透明導電氧化物切割成電極104所需的結構。
光電轉換層106配置在電極104上，以作為主動層。光電轉換層106可以是單層結構或堆疊層(tandem)結構。光電轉換層106的材料例如是非晶矽、微晶矽、多晶矽、硫化鎘(CdS)、銅銦鎵二硒(CuInGaSe2 ,CIGS)、銅銦二硒(CuInSe2 ,CIS)、碲化鎘(CdTe)、有機材料或上述材料堆疊之多層結構。在一實施例中，光電轉換層106可以是具有P型半導體層、N型半導體層及本質層的PIN半導體堆疊結構，或是不具有本質層的PN半導體堆疊結構。本發明並不限制光電轉換層106中所使用光電轉換材料層的數目或結構，本領域具通常知識者當可視需要而加以調整。
光電轉換層106的形成方法例如是在形成電極104之後，利用化學氣相沈積法形成在電極104的表面上。在光電轉換層106中的P型半導體層或N型半導體層中，所掺雜的P型摻質或N型摻質可以在沈積時臨場進行之，或是在沈積製程結束之後，再利用離子植入製程以形成之。在一實施例中，光電轉換層106的形成方法可以採用電漿輔助化學氣相沈積法(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)。在一實施例中，還可以選擇性地進行雷射切割製程，以形成光電轉換層106所需的結構。
電極108配置在光電轉換層106上，以作為背電極層(back contact)。電極108包括奈米金屬透明導電層，且此奈米金屬透明導電層實質上與光電轉換層106相接觸。也就是說，可以利用單一層奈米金屬透明導電層來作為電極108(如圖1所示)；或者，也可以利用一層電極材料與一層奈米金屬透明導電層的結合來作為電極108(未繪示)。詳細說明的是，此奈米金屬透明導電層例如是具有網狀結構，亦即奈米金屬透明導電層中具有多個孔洞108a，以利光線穿透。在一實施例中，奈米金屬透明導電層是由多條奈米金屬線交錯所構成，因而可以形成多個孔洞108a。上述奈米金屬線為實心，其直徑約介於10nm至100nm之間。當然，奈米金屬透明導電層的結構並不限於上述之奈米金屬線，其也可以為奈米管交錯、奈米顆粒聚集或其他含有多孔性之奈米結構的組合，只要使奈米尺寸的金屬材料具有高穿透度而能透光即可。上述奈米金屬透明導電層的厚度約介於0.1μm至1μm之間，其片電阻值約介於0.01ohm/□至50ohm/□之間，而其穿透率約介於70%至90%之間。奈米金屬透明導電層的材料例如是銀、金、銅、鋁或鎳。
電極108的形成方法例如是在形成光電轉換層106之後，利用非真空鍍膜系統的方式將奈米金屬有機溶液均勻地塗佈在光電轉換層106的表面上，之後再以50℃左右的低溫將液體烤乾，使其在光電轉換層106表面上形成奈米金屬網狀薄膜。在一實施例中，將奈米金屬有機溶液塗佈在光電轉換層106上的方法可以採用旋轉塗佈法(spin coating)、表面塗佈法、噴墨法、網印法(screen printing)或其他不需要真空設備的技術。
在此說明的是，本實施例中的電極108是採用非真空鍍膜系統形成奈米金屬透明導電層來取代習知使用真空鍍膜系統形成透明導電氧化物，且可以藉由直接形成電極108所需的結構而減少一次雷射切割製程，因此可有助於大幅降低目前所需的設備成本與材料成本。此外，上述形成電極108的方法能夠與現有的太陽能電池製程相整合，製程簡單快速且可有利於大面積化生產。
非導電性反射層110配置在電極108上，而作為背反射層。非導電性反射層110包括白色非導電性材料，其例如是有機高分子材料、白色非導電性塗料或是其他具有高反射性之非導電性材料。在一實施例中，上述白色非導電性塗料至少包括介質(medium)與分散於介質中的色素(pigment)，其中介質例如是用於形成塑膠之塗料或聚合物，而色素例如是氧化物顆粒(諸如TiO2 或BaSO4 )、氮化物顆粒或碳化物顆粒等。非導電性反射層110的形成方法例如是在形成電極108之後，採用如旋轉塗佈或網印等方式將白色非導電性材料塗覆在最上層。
由圖1可知，當光L從透明基板102側入射至太陽能電池100內，光L進入透明基板102後會經由光電轉換層106吸收，之後剩餘的光穿過電極108後會被非導電性反射層110所反射而被光電轉換層106進行再次吸收，故可產生更多的光電流。由此可知，非導電性反射層110整體所反射光的多寡也會影響太陽能電池100的整體效率表現。
特別說明的是，本發明之太陽能電池100利用奈米金屬透明導電層取代習知的透明導電氧化物而作為背電極108材料，其具有高透光率與低電阻之特性，進而可有助於提升非導電性反射層110的反射率並增進太陽能電池100的元件效能。詳言之，當使用非導電性材料作為背反射層，為了使習知作為背電極的透明導電氧化物能夠拉出電流，其厚度必須增厚以獲得較佳的導電性，但卻使得光的穿透度會下降許多。然而，本發明利用奈米金屬透明導電層可提高背電極的穿透率，以提升反射層的整體反射率，使得更多反射光能再被光電轉換層106所利用。此外，相較於習知所使用的透明導電氧化物作為背電極，奈米金屬透明導電層為電阻較小的金屬材料，因此電極108具有高導電性。
為證實用於本發明之太陽能電池背電極的奈米金屬透明導電層確實具有高穿透率與高導電性，接下來將以實驗例說明其特性。以下實驗例之數據結果僅是用來說明使用不同重量百分比之奈米金屬有機溶液所製作出的透明導電膜所觀察到的結構、穿透率與片電阻，但並非用以限定本發明之範圍。
實驗例1
圖2A為根據實驗例1所製作之透明導電膜。圖2B為根據實驗例1所製作之透明導電膜在光學顯微鏡下的影像。
在實驗例1中，利用0.2wt%之奈米銀有機溶液均勻地塗佈在玻璃基板上，之後再以50℃左右的低溫將液體烤乾，因而製作出透明的奈米銀導電膜，其厚度約為0.5μm。如圖2A所示，將形成有實驗例1的奈米銀導電膜之玻璃基板200置於圖樣上，可觀察到即使透過奈米銀導電膜仍能夠清楚地識別玻璃基板200下的圖樣，因而實驗例1所製作的奈米銀導電膜具有高穿透度。如圖2B所示，將透明的奈米銀導電膜置於光學顯微鏡下觀察，奈米銀導電膜是由多條奈米銀線交錯所構成的網狀結構，而交錯的奈米銀線之間具有多個孔洞，因此可以使奈米銀導電膜具有高穿透度而能透光。
圖2C是根據實驗例1所製作之透明導電膜的穿透率與光波長之關係曲線圖。進一步使用具有不同波長的光來量測透明奈米銀導電膜的穿透率，其結果如圖2C所示。從圖2C中可知，不管使用短波長或是長波長，實驗例1所製作出的奈米銀導電膜之光穿透度佳，且奈米銀導電膜之平均穿透率為85.4%(波長：390nm~1200nm)。
圖2D是量測實驗例1所製作之透明導電膜的I-V曲線圖。接著，對實驗例1所製作出的奈米銀導電膜進行電性量測，其結果所得之I-V特性關係圖繪示於圖2D中。從I-V特性關係圖中可以推算出奈米銀導電膜的平均片電阻為31.1±9.2ohm/□，且奈米銀導電膜的最低片電阻為19.8ohm/□。
圖2E是根據實驗例1所製作之透明導電膜及習知所使用之透明導電氧化物的反射率與光波長之關係曲線圖。在實驗例1所製作出的奈米銀導電膜上再塗上白漆以作為反射層，並量測反射層整體對光的反射率。另外，製作一個比較例，在玻璃基板上鍍上厚度為1μm左右的GZO作為透明導電氧化物的背電極層，再塗上白漆，並量測其反射率。將習知透明導電氧化物的比較例與實驗例1的設計相比較，其結果如圖2E所示。
由圖2E的結果顯示，實驗例1的反射率在短波長部分(400nm~800nm)可達到80%以上。當波長大於800nm以後，習知使用透明導電氧化物作為背電極在如此的膜厚下，會因載子吸收的影響而導致反射層的整體反射率會有明顯的降低；而利用實驗例1的奈米銀導電膜作為背電極並不會像比較例會有因載子濃度而導致反射率下降的問題。因此，實驗例1所製作出透明的奈米銀導電膜可大幅提高反射層的整體反射率。此外，進一步經由模擬計算，以微晶矽太陽能電池元件而言，其原本元件的短路電流密度Jsc為18.98mA/cm2 。在使用實驗例1的透明奈米銀導電膜作為微晶矽太陽能電池的背電極結構後，其Jsc將可提高至20.04mA/cm2 ；尤其應用在長波長的部分(700nm~1100nm)，微晶矽太陽能電池的Jsc可由4.13mA/cm2 提高至5.19mA/cm2 ，約可增加25%。
實驗例2
圖3A為根據實驗例2所製作之透明導電膜。圖3B為根據實驗例2所製作之透明導電膜在光學顯微鏡下的影像。圖3C是根據實驗例2所製作之透明導電膜的穿透率與光波長之關係曲線圖。圖3D是量測實驗例2所製作之透明導電膜的I-V曲線圖。
在實驗例2中，利用0.8wt%之奈米銀有機溶液均勻地塗佈在玻璃基板上，並以類似於以上實驗例1的方式製作透明的奈米銀導電膜，其厚度約為0.8μm。接下來，對實驗例2所製作出的奈米銀導電膜進行如實驗例1所述之相關測試，其結果分別顯示於圖3A-3D。
同樣地，在圖3A中，將形成有實驗例2的奈米銀導電膜之玻璃基板300置於圖樣上，仍可以透過奈米銀導電膜清楚地識別玻璃基板300下的圖樣，因而實驗例2所製作的奈米銀導電膜具有高穿透度。如圖3B所示，將透明的奈米銀導電膜置於光學顯微鏡下觀察，奈米銀導電膜是由多條奈米銀線交錯所構成的網狀結構，而交錯的奈米銀線之間具有多個孔洞，因此可以使奈米銀導電膜具有高穿透度而能透光。
如圖3C所示，使用具有不同波長的光來量測透明奈米銀導電膜的穿透率，可得知實驗例2所製作出的奈米銀導電膜在短波長或長波長之光穿透度佳，且奈米銀導電膜之平均穿透率為70.3%(波長：390nm~1200nm)。
如圖3D所示，對實驗例2所製作出的奈米銀導電膜進行電性量測，從I-V特性關係圖中可以推算出奈米銀導電膜的平均片電阻為4.7±0.5ohm/□，且奈米銀導電膜的最低片電阻為3.9ohm/□。
由以上實驗例可知，本發明之太陽能電池利用奈米金屬透明導電層具有高透光率與低電阻之特性，可有助於提升整體反射率以達到太陽光的最佳利用率，進而增加短路電流密度以及元件效率。
綜上所述，本發明之太陽能電池利用高穿透率與高導電性的奈米金屬透明導電層取代習知透明導電氧化物作為背電極，並在奈米金屬透明導電層上再塗佈一層非導電性白色反射層，因而可提高背反射光的反射率，改善以透明導電氧化物當作背電極在厚度0.5μm以上的穿透度不高導致整體反射層反射率降低的缺點。也就是說，本發明之太陽能電池可提高背電極的穿透度，以提升整體反射率，使得更多反射光能再被光電轉換層所利用，藉此提升太陽能電池的整體效率表現。
此外，本發明之太陽能電池的製造方法以塗佈技術、噴墨或網印等不需要真空設備技術的方式將奈米金屬有機溶液應用於矽薄膜太陽能電池的背電極，並減少一次雷射切割製程，因此可有助於大幅降低設備與材料成本。再者，此方法設計能夠與現有的太陽能電池製程相整合，步驟簡單、製程快速且有利於大面積化生產。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．太陽能電池
102．．．透明基板
104、108．．．電極
106．．．光電轉換層
108a．．．孔洞
110．．．非導電性反射層
200、300．．．玻璃基板
L．．．光
圖1是依照本發明之一實施例之太陽能電池的剖面示意圖。
圖2A為根據實驗例1所製作之透明導電膜。
圖2B為根據實驗例1所製作之透明導電膜在光學顯微鏡下的影像。
圖2C是根據實驗例1所製作之透明導電膜的穿透率與光波長之關係曲線圖。
圖2D是量測實驗例1所製作之透明導電膜的I-V曲線圖。
圖2E是根據實驗例1所製作之透明導電膜及習知所使用之透明導電氧化物的反射率與光波長之關係曲線圖。
圖3A為根據實驗例2所製作之透明導電膜。
圖3B為根據實驗例2所製作之透明導電膜在光學顯微鏡下的影像。
圖3C是根據實驗例2所製作之透明導電膜的穿透率與光波長之關係曲線圖。
圖3D是量測實驗例2所製作之透明導電膜的I-V曲線圖。
100．．．太陽能電池
102．．．透明基板
104、108．．．電極
106．．．光電轉換層
108a．．．孔洞
110．．．非導電性反射層
L．．．光

Claims (24)

  1. 一種太陽能電池，包括：一第一電極，配置於一透明基板上，該第一電極為單一層奈米金屬透明導電層全面地覆蓋該透明基板；一光電轉換層，配置於該第一電極與該透明基板之間；一第二電極，配置於該光電轉換層與該透明基板之間；以及一非導電性反射層，配置於該第一電極上，其中該奈米金屬透明導電層直接與該光電轉換層實質上相接觸。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該奈米金屬透明導電層是由多條奈米金屬線交錯所構成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該奈米金屬透明導電層的材料包括銀、金、銅、鋁或鎳。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該奈米金屬透明導電層的厚度約介於0.1 μm至1 μm之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該奈米金屬透明導電層的片電阻值約介於0.01 ohm/□至50 ohm/□之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該奈米金屬透明導電層的穿透率約介於70%至90%之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該非導電性反射層包括一白色非導電性材料。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之太陽能電池，其中該白色非導電性材料為有機高分子材料或白色非導電性塗料。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第二電極具有凹凸結構。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第二電極的材料包括一透明導電氧化物。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之太陽能電池，其中該透明導電氧化物為ITO、IZO、AZO、GZO、In2 O3 、ZnO、TiO2 或SnO2 。
  12. 一種太陽能電池的製造方法，包括：於一透明基板上形成一第二電極；於該第二電極上形成一光電轉換層；於該光電轉換層上形成一第一電極，該第一電極為單一層奈米金屬透明導電層，且該奈米金屬透明導電層全面地覆蓋該光電轉換層，且該奈米金屬透明導電層直接與該光電轉換層實質上相接觸；以及於該第一電極上形成一非導電性反射層。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之太陽能電池的製造方法，其中形成該奈米金屬透明導電層的方法包括：將一奈米金屬有機溶液塗佈在該光電轉換層上；以及烤乾該奈米金屬有機溶液，以於該光電轉換層的表面上形成薄膜。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之太陽能電池的製 造方法，其中將該奈米金屬有機溶液塗佈在該光電轉換層上的方法包括旋轉塗佈法、表面塗佈法、噴墨法或網印法。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之太陽能電池的製造方法，其中該奈米金屬透明導電層是由多條奈米金屬線交錯所構成。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之太陽能電池的製造方法，其中該奈米金屬透明導電層的材料包括銀、金、銅、鋁或鎳。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之太陽能電池的製造方法，其中該奈米金屬透明導電層的厚度約介於0.1 μm至1 μm之間。
  18. 如申請專利範圍第12項所述之太陽能電池的製造方法，其中該奈米金屬透明導電層的片電阻值約介於0.01 ohm/□至50 ohm/□之間。
  19. 如申請專利範圍第12項所述之太陽能電池的製造方法，其中該奈米金屬透明導電層的穿透率約介於70%至90%之間。
  20. 如申請專利範圍第12項所述之太陽能電池的製造方法，其中該非導電性反射層包括一白色非導電性材料。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之太陽能電池的製造方法，其中該白色非導電性材料為有機高分子材料或白色非導電性塗料。
  22. 如申請專利範圍第12項所述之太陽能電池的製造方法，更包括於該第二電極的表面形成凹凸結構。
  23. 如申請專利範圍第12項所述之太陽能電池的製造方法，其中該第二電極的材料包括一透明導電氧化物。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之太陽能電池的製造方法，其中該透明導電氧化物為ITO、IZO、AZO、GZO、In2 O3 、ZnO、TiO2 或SnO2 。
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