TW201508935A - 光伏裝置及成型光伏裝置之方法 - Google Patents
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Abstract
一種光伏裝置，包括一底材、一背電極層、一背反射器、一吸收物層、一緩衝層及一前接觸層。背電極層係被成型於底材之上。背反射器係被成型於背電極層之上。吸收物層係被成型於背電極層及背反射器之上。緩衝層係被成型於吸收物層之上。前接觸層係被成型於緩衝層之上。
Description
本發明是有關於一種光伏裝置，特別是有關於一種成型光伏裝置之方法。
薄膜太陽能電池係被已知為薄膜光伏電池，其是被使用去直接轉換光能量成為電能。薄膜太陽能電池之製造包括有依序沉積一或多個薄膜層於一底材上之多個步驟。一典型之薄膜太陽能電池包括有一前接觸層、一緩衝層、一吸收物層、一背電極層及一底材。
前接觸層亦是被稱為上接觸層或窗洞層，其典型地是一n-型式透明導電氧化物層，其中，n-型式透明導電氧化物層上方具有一抗反射層。緩衝層典型地是一n-型式材料層，而吸收物層典型地是一p-型式材料層。吸收物層能夠是一以CIGS為基礎之吸收物，其中，CIGS一般係指涉為銅銦鎵硒或Cu(In,Ga)Se2。背電極層一般係為金屬的，並且其典型地是由鉬(Mo)所構成。底材典型地是由玻璃、塑膠或金屬薄片所製成。在具有一金屬薄片底材之薄膜太陽能電池之中，背電極層能夠被省略，因為底材是做為一背電極層。
來自於陽光之光子會通過薄膜太陽能電池，以及電子-對洞對會被產生於吸收物層之中。它們能夠被分離，由
於內建之電場產生於緩衝層-吸收物層接合之空乏區內。所產生之電洞及電子是被背電極及前接觸層所收集，因而會引起光電流。
本發明基本上採用如下所詳述之特徵以為了要解決上述之問題。
本發明之一實施例提供一種光伏裝置，其包括一底材；一背電極層，係被成型於該底材之上；一背反射器，係被成型於該背電極層之上；一吸收物層，係被成型於該背電極層及該背反射器之上；一緩衝層，係被成型於該吸收物層之上；以及一前接觸層，係被成型於該緩衝層之上。
根據上述之實施例，該背反射器係被成型為複數條平行線。
根據上述之實施例，該背反射器係以一網狀結構被成型。
根據上述之實施例，該背反射器係由一單一反射器材料所成型，以及該單一反射器材料具有介於1.2與3.0之間之一折射率。
根據上述之實施例，該背反射器係由一第一反射器材料及一第二反射器材料或者至少一層反射器材料所成型，該第二反射器材料係被成型接觸該背電極層，以及該第一反射器材料係被成型於該第二反射器材料之上。
根據上述之實施例，該第一反射器材料之折射率係大於該第二反射器材料之折射率。
根據上述之實施例，該第一反射器材料具有介於1.5與4.5之間之一折射率，以及該第二反射器材料具有介於1.2與2.5之間之一折射率。
根據上述之實施例，形成該背反射器之該第一反射器材料及該第二反射器材料具有介於30nm與300nm之間之一深度。
根據上述之實施例，該背反射器具有介於該背電極層之一表面積之20%與90%之間之一覆蓋率。
根據上述之實施例，該背電極層係藉由使用濺鍍方式透過一遮罩所成型。
本發明之另一實施例提供一種成型光伏裝置之方法，其包括：成型一背電極層於一底材之上；成型具有複數條平行線之一背反射器於該背電極層之上；成型一吸收物層於該背電極層及該背反射器之上；成型一緩衝層於該吸收物層之上；以及成型一前接觸層於該緩衝層之上。
根據上述之實施例，該背反射器係以一網狀結構被成型。
根據上述之實施例，該背反射器係由單一反射器材料所成型，以及該單一反射器材料具有介於1.2與3.0之間之一折射率。
根據上述之實施例，該背反射器係由一第一反射器材料及一第二反射器材料或者至少一層所成型，該第二反射器材料係被成型接觸該背電極層，以及該第一反射器材料係被成型於該第二反射器材料之上。
根據上述之實施例，該第一反射器材料之折射率係大於該第二反射器材料之折射率。
根據上述之實施例，該第一反射器材料具有介於1.5與4.5之間之一折射率，以及該第二反射器材料具有介於1.2與2.5之間之一折射率。
根據上述之實施例，形成該背反射器之該第一反射器材料及該第二反射器材料具有介於30nm與300nm之間之一深度。
根據上述之實施例，該背反射器具有占該背電極層之表面積之20%與90%之間之一覆蓋率。
根據上述之實施例，該背電極層係藉由使用濺鍍方式透過一遮罩所成型。
本發明之又一實施例提供一種光伏裝置，其包括一底材，係由玻璃、塑膠或金屬箔片所構成；一背電極層，係位於該底材之上；一背反射器，係位於該背電極層之上，並且占該背電極層表面積之覆蓋率為20%與90%之間，其中，該背反射器係由一第一反射器材料及一第二反射器材料或者至少一層反射器材料所成型，該第二反射器材料係被成型接觸該背電極層，該第一反射器材料係被成型於該第二反射器材料之上，以及該第一反射器材料之折射率係大於該第二反射器材料之折射率；一吸收物層，係位於該背電極層及該背反射器之上；一緩衝層，係位於該吸收物層之上；以及一前接觸層，係位於該緩衝層之上。
為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易
懂，下文特舉較佳實施例並配合所附圖式做詳細說明。
100、200‧‧‧薄膜太陽能電池(光伏裝置)
101‧‧‧前接觸層
103‧‧‧緩衝層
104‧‧‧空乏區
105‧‧‧吸收物層
107‧‧‧背電極層
109‧‧‧底材
111‧‧‧背反射器
113‧‧‧線
115‧‧‧第三側邊
116‧‧‧第四側邊
117‧‧‧第一側邊
118‧‧‧第二側邊
402‧‧‧第一反射器材料
404‧‧‧第二反射器材料
A‧‧‧第一軸心
w‧‧‧寬度
p‧‧‧材料對
d‧‧‧深度
第1圖係顯示根據本發明之一些實施例之具有一背反射器之一薄膜太陽能電池之簡化方塊圖；第2圖係顯示根據本發明之一些實施例之具有一背反射器之一薄膜太陽能電池之簡化方塊圖；第3圖係顯示根據本發明之一些實施例之具有一背反射器之複數個線之俯視示意圖；第4A圖係顯示根據本發明之一些實施例之一背反射器之一單一線之剖面示意圖；第4B圖係顯示根據本發明之一些實施例之被成型於一背電極層與一吸收物層間之一背反射器之剖面示意圖；第5圖係顯示根據本發明之一些實施例之一方法之流程圖；以及第6圖係顯示比較一鉬背電極層之光線反射係數之初步實驗資料圖。
茲配合圖式說明本發明之較佳實施例。
有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之一較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。以下實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。
進入一薄膜太陽能電池之許多光子是被電池所吸收，當它們的能量是大於光吸收物之能帶隙(bandgap)時。然而，進入一薄膜太陽能電池之光子有部分不是被電池所吸收而到達背電極層，這些光子是被反射回至吸收物層之中(可能會產生更多電能)或是被背電極層所吸收。
由鉬(Mo)所製成之背電極層係適當地反射光子。然而，在以CIGS為基礎之吸收物層之成型過程中，硒原子與吸收物層會反應產生二硒化鉬(MoSe2)於背電極層之表面之上，其係進一步地削減背電極層反射光子之能力。
本發明係提供一背反射器，其是被設置於一背電極層與一吸收物層之間，以改善在一薄膜太陽能電池中背電極層光子反射的能力。改善在一薄膜太陽能電池中之光子反射的一方法是被揭露包括薄膜層之依序沉積於一底材之上，以形成一薄膜太陽能電池。
改善背電極層之反射率係導致更多的光子反射回吸收物層而轉換成更多電能。因此，改善背電極層之反射率會改善一薄膜太陽能電池之效率。
第1圖係顯示根據本發明之一些實施例之一薄膜太陽能電池(光伏裝置)100之剖面示意圖之簡化方塊圖。前接觸層101(亦是被稱為上接觸層或窗洞層)是典型地為一n-型式透明導電氧化物(TCO)。在此，n-型式透明導電氧化物(TCO)係具有一抗反射層以防止陽光之光子從薄膜太陽能電池100之表面反射。前接觸層101能夠包括有一單一層或多個層。用於前接觸層101之適當材料之範例包括有(但不限於)透明導電氧化
物，例如，銦錫氧化物(ITO)、氟摻雜錫氧化物(FTO)、鋁摻雜鋅氧化物(AZO)、鎵摻雜ZnO(GZO)、氧化鋁及鎵共摻雜ZnO(AGZO)、硼摻雜ZnO(BZO)以及任何其結合物。用於前接觸層101之適當材料亦能夠是一複合材料，而此複合材料包括有透明導電氧化物(TCO)及另一個導電材料之至少一個，其不會顯著地降低導電性或前接觸層101之光學透明度。前接觸層101之厚度係為奈米或微米等級，例如，介於大約300nm與大約2.5μm之間。
緩衝層103典型地是一n-型式之材料層。在一些實施例之中，緩衝層103是由CdS、ZnS、ZnO、In2S3、In2Se3、Zn1-xMgxO或ZnSe所成型。然而，其他適當之緩衝層亦能夠被採用。緩衝層103之厚度是以奈米等級呈現，例如，介於大約5nm與大約100nm之間。
在一些實施例之中，緩衝層103是透過一適當之製程所成型，例如，濺鍍或化學氣相沉積。舉例來說，在一些實施例之中，緩衝層103係為CdS、ZnS之一層或CdS與ZnS之一混合物，其是透過一熱液反應或一化學浴沉積(chemical bath deposition，CBD)而被沉積。舉例來說，在一些實施例之中，具有有ZnS之一薄膜之一緩衝層103是被成型於具有一以CIGS為基礎之吸收物之吸收物層105之上，其中，CIGS一般係指涉為銅銦鎵硒或Cu(In,Ga)Se2。緩衝層103是被成型於具有ZnSO4、阿摩尼亞(ammonia)及硫脲(thiourea)之一水溶液之中，其溶液溫度為攝氏65度。在一些實施例之中，一適當之溶液包括有0.16M之ZnSO4、7.5M之阿摩尼亞以及0.6M之硫脲。
一空乏區104是被成型於緩衝層103與吸收物層105之間。
吸收物層105典型地是一p-型式之材料層。在一些實施例之中，吸收物層105係為一以CIGS為基礎之吸收物。在一些實施例之中，吸收物層105是使用一CuGa濺鍍靶材(未顯示)以及一以銦為基礎之濺鍍靶材被濺鍍。在其他實施例之中，CuGa材料是先被濺鍍去形成一金屬前驅物層，以及以銦為基礎之材料是接著被濺鍍去形成一含銦金屬前驅物層於CuGa金屬前驅物層之上。在其他實施例之中，CuGa材料以及以銦為基礎之材料是同時地被濺鍍。
在其他實施例之中，吸收物層105包括有銅(Cu)、鎵(Ga)、銦(In)、鋁(Al)、硒(Se)、硫(S)或其結合物。在其他實施例之中，吸收物層105包括有不同之材料，例如，CulnSe2(CIS)、CuGaSe2(CGS)、Cu(In,Ga)Se2(CIGS)、Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSS)、CdTe以及非晶矽。然而，其他之實施例包括有另外之吸收物層材料。
在其他實施例之中，吸收物層105是藉由一不同之技術被成型，其可以提供組成之適當均勻性。舉例來說，Cu、In、Ga及Se2能夠被共蒸鍍以及同時被化學氣相沉積(CVD)所給予，其被加熱至400℃至600℃之一溫度。在其他實施例之中，Cu、In及Ga是先被給予作為前驅物，然後前驅物被退火於一含硒的環境之中，在400℃至600℃之溫度範圍內，最後形成吸收物層105。
在其他實施例之中，吸收物層105是使用化學氣相
沉積(CVD)、印刷、電鍍等方法而被成型。
吸收物層105具有奈米或微米等級之一厚度，例如，介於大約0.2微米與大約10微米之間。在一些實施例之中，吸收物層105具有介於大約200奈米與大約3微米間之一厚度。在一些實施例之中，吸收物層105具有大約1微米之厚度。
背電極層107(亦是被稱為背接觸或下接觸層)係一般為金屬的或典型地是由鉬(Mo)或鉬複合物所構成。其他的實施例包括有其他適當之背接觸材料，例如，Pt、Au、Ag、Ni或Cu。舉例來說，在一些實施例之中，銅或鎳之一背電極層107是被提供，而一碲化鎘(CdTe)吸收物層105是被成型於背電極層107之上。背電極層107之厚度是位於奈米或微米等級之中，例如，背電極層107之厚度是位於大約100奈米與大約20微米之範圍之中。
底材109典型地是由玻璃、塑膠或金屬箔片所構成。在具有一金屬箔片底材109之一薄膜太陽能電池100之中，當底材109做為一背電極層107時，背電極層107能夠被省略。此實施例是進一步地被描述於第2圖之中。
當來自於陽光之光子通過薄膜太陽能電池100時，電子-電洞對是被產生於吸收物層105之中。它們是被空乏區104中之內建電場所分離。電子是被n-型式之前接觸層101所收集；電洞是被背電極層107所收集。
一背反射器111是被設置於吸收物層105之內，並且背反射器111是鄰接於背電極層107。背反射器111是被使用去共同地描述被成型於背電極層107之上部上之複數個線
113，如此一來，第一側邊117係接觸背電極層107。吸收物層105是被成型於背電極層107及背反射器111之上，如此一來，每一個線113之一第二側邊118、一第三側邊115及一第四側邊116係接觸吸收物層105。背反射器111具有奈米或微米等級之一厚度，例如，從大約0.1微米至大約2微米。在一些實施例之中，背反射器111具有介於100奈米與500奈米之間之一厚度。
第2圖係顯示根據本發明之一些實施例之另一薄膜太陽能電池(光伏裝置)200之剖面示意圖之簡化方塊圖。薄膜太陽能電池200具有由金屬箔片所構成之一底材109。當底材109係做為一電導體，其係可取消對於一背電極層107之需求。因此，背反射器111是被設置於吸收物層105之內，並且背反射器111是鄰接於底材109。
第3圖係顯示根據本發明之一些實施例之具有一背反射器111之複數條線113之俯視示意圖。線113是被成型於背電極層107之表面之上，並且線113是平行於一第一軸心A以及平行於彼此。在第3圖之中，線113是被繪示為陰影區域，而背電極層107是被繪示為非陰影區域。
在一些實施例之中，額外之線113是被增加平行於一第二軸心，其中，第一軸心A及第二軸心是垂直或非平行於彼此，以產生一網狀或格子結構於背反射器111。
在形成複數條線113之材料之沉積過程之中，一遮罩或屏幕能夠被使用來產生複數條平行之線113。在一些實施例之中，反射器材料是利用透過一遮罩濺鍍至背電極層107之表面之上。在其他實施例之中，反射器是藉由氣相沉積而被沉
積於背電極層107之表面之上。
背反射器111是被成型於複數條平行之線113之中，以改善背電極層107之反射性，並且可確保吸收物層105與背電極層107可以直接接觸，而不致於降低在背電極層107處之電洞收集效率。
在一些實施例之中，背反射器111對於吸收物層105之覆蓋率是藉由調整一或多個複數條線113之寬度(w)而被調整。覆蓋率應該使薄膜太陽能電池100之反射性最大化，而亦具有一最小的或可接受之衝擊於薄膜太陽能電池100之電性表現上。增加一或多個複數條線113之寬度(w)將會增加薄膜太陽能電池100之電阻，因而會造成電性表現之下降。在一些實施例之中，背反射器111對於吸收物層105之覆蓋率是介於20%與90%之間。在一些實施例之中，背反射器111對於吸收物層105之覆蓋率是介於50%與80%之間。
第4A圖係顯示根據本發明之一些實施例之一背反射器111之一單一線113之剖面示意圖。在一些實施例之中，線113是由一第一反射器材料402之至少一層以及一第二反射器材料404之至少一層所成型。在一些實施例之中，除了第一反射器材料402及第二反射器材料404之額外材料是被採用。
在一些實施例之中，複數條線113之一些或全部包括有一第一反射器材料402之一單一層以及一第二反射器材料404之一單一層，因而可形成一材料對，被標示為p。在一些實施例之中，複數條線113之一些或全部包括有複數個材料對p。
第一反射器材料402及第二反射器材料404是被選
擇去獲得一高光子反射性。在一些實施例之中，第一反射器材料402及第二反射器材料404是根據其折射率而被選擇，其係測量光線如何透過一材料傳播。對於各種光線波長之背反射器111之反射性能夠被調整，藉由改變第一反射器材料402或第二反射器材料404之折射率或厚度。
在一些實施例之中，第一反射器材料402具有介於1.5與4.5之間之一折射率。在一些實施例之中，第二反射器材料404具有介於1.2與2.5之間之一折射率。
第一反射器材料402及第二反射器材料404之每一層之深度(d)能夠被調整去改善反射性，根據所選擇用於第一反射器材料402及第二反射器材料404之材料。在一些實施例之中，第一反射器材料402及第二反射器材料404之每一層之深度(d)是介於30nm與300nm之間。
在一些實施例之中，第一反射器材料402係為具有3.6之折射率之矽(Si)，以及第二反射器材料404係為具有1.46之折射率之氧化矽(SiOx)。
在一些實施例之中，背反射器111之線113只是由具有折射率介於1.2與3.0間之一第一反射器材料402所成型。
第4B圖係顯示根據本發明之一些實施例之被成型於一背電極層107與一吸收物層105間之一背反射器111之剖面示意圖。第二反射器材料404是被成型接觸背電極層107。第一反射器材料402是被增加於第二反射器材料404之上。在第4B圖所示之實施例之中，線113包括有一第一反射器材料402之一單一層以及一第二反射器材料404之一單一層，因而可形成一
材料對，被標示為p。
在一些實施例之中(未被第4B圖所繪示)，背反射器111是由複數個材料對p所成型。第一反射器材料402及第二反射器材料404之額外的層是隨後被增加於第二反射器材料404之初始層之上，其係與背電極層107接觸。
薄膜太陽能電池100是藉由複數個薄膜層之隨後沉積被成型於一底材109之上。薄膜層能夠藉由任何適當之方法被沉積於一底材109之上，其包括有化學沉積或物理沉積(例如，濺鍍)。本發明係進一步提供成型具有一背反射器111之一薄膜太陽能電池100之一方法。
第5圖係顯示根據本發明之一些實施例之一方法500之流程圖。
在方法500開始於方塊502之後，一背電極層107是被成型於底材109之上，於方塊504。在一些實施例之中，一鉬背電極層107是藉由濺鍍被成型底材109之上。
於方塊506，具有複數條線113之背反射器111是被成型於背電極層107之上。在一些實施例之中，此步驟包括有濺鍍一第二反射器材料404於背電極層107之上以及濺鍍一第一反射器材料402於第二反射器材料404之第一層之上，其中，第一層及第二層之反射器材料具有不同之折射率。
於方塊508，一吸收物層105是被成型於背電極層107及背反射器111之上。
於方塊510，一緩衝層103是被成型於吸收物層105之上。
於方塊512，一前接觸層101是被成型於緩衝層103之上。接著，製程是結束於方塊514。
第6圖係比較一鉬背電極層107在具有一背反射器111以及不具有一背反射器111之情況下之之光反射係數之初步實驗資料圖。背反射器111包括有Si做為第一反射器材料402以及SiOx做為第二反射器材料404。背電極層是被背反射器111完全覆蓋，以用於光學測量之目的。對於不具有一背反射器111之一鉬背電極層107而言，在光子波長400nm與1200nm間之光子反射率介於大約50%與大約65%之間。然而，對於具有一背反射器111之一鉬背電極層107而言，波長在大約580nm的光子反射率下降到20%以下，然而，在光子波長在750nm與1200nm之間，光子反射率上升到80%。因此，第6圖係顯示在一鉬背電極層107上應用一背反射器111可以大幅增加背電極層107的光子反射能力。
以上所述之具有背反射器之薄膜太陽能電池具有多個優點。首先，背反射器可以有效改善光子反射能力，此會導致在薄膜太陽能電池中之更多陽光光子的吸收，進而產生一更有效率之薄膜太陽能電池。
其次，提升的背電極層107反射性可以允許降低吸收物層之深度，其可以降低一太陽能電池之製造成本。並且有機會達到完全空乏(fully depleted)的吸收物層之深度。在一完全空乏之電池之內，整個吸收物層是位於p-n接合之空乏區域之內，其中，p-n接合是由緩衝層及吸收物層所成型。空乏區域係提供內建電場以有效分離電子-電洞對，另外，當吸收物
層的厚度相當於空乏區域深度時能夠有效使用吸收物材料，因為沒有額外或不必要之吸收物材料是被使用。在一些實施例之中，大約0.5-1微米之吸收物層厚度係可產生一完全空乏之電池。
此外，藉由使用複數條平行線，背反射器不會降低太陽能電池之電性表現。透過一金屬遮罩之使用，在背反射器之沉積過程之中，線結構是很容易製造的。因此，製造成本應該不會被一背反射器之製作而大幅增加。
雖然本發明是有關於薄膜太陽能電池，但背反射器能夠進一步地被應用於其他型式之太陽能電池、其他的光伏系統或裝置以及其他的半導體或光學裝置。
雖然本發明已以較佳實施例揭露於上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧薄膜太陽能電池(光伏裝置)
101‧‧‧前接觸層
103‧‧‧緩衝層
104‧‧‧空乏區
105‧‧‧吸收物層
107‧‧‧背電極層
109‧‧‧底材
111‧‧‧背反射器
113‧‧‧線
115‧‧‧第三側邊
116‧‧‧第四側邊
117‧‧‧第一側邊
118‧‧‧第二側邊
Claims (10)
- 一種光伏裝置，包括：一底材；一背電極層，係被成型於該底材之上；一背反射器，係被成型於該背電極層之上；一吸收物層，係被成型於該背電極層及該背反射器之上；一緩衝層，係被成型於該吸收物層之上；以及一前接觸層，係被成型於該緩衝層之上。
- 如申請專利範圍第1項所述之光伏裝置，其中，該背反射器係被成型為複數條平行線。
- 如申請專利範圍第1項所述之光伏裝置，其中，該背反射器係以一網狀結構被成型。
- 如申請專利範圍第2項所述之光伏裝置，其中，該背反射器係由一第一反射器材料所成型，以及該第一反射器材料具有介於1.2與3.0之間之一折射率。
- 如申請專利範圍第2項所述之光伏裝置，其中，該背反射器係由一第一反射器材料及一第二反射器材料之至少一層所成型，該第二反射器材料係被成型接觸該背電極層，以及該第一反射器材料係被成型於該第二反射器材料之上。
- 如申請專利範圍第5項所述之光伏裝置，其中，該第一反射器材料之一折射率係大於該第二反射器材料之一折射率。
- 如申請專利範圍第6項所述之光伏裝置，其中，該第一反射器材料具有介於1.5與4.5之間之一折射率，以及該第二反射器材料具有介於1.2與2.5之間之一折射率。
- 如申請專利範圍第7項所述之光伏裝置，其中，形成該背反射器之該第一反射器材料及該第二反射器材料具有介於30nm與300nm之間之一深度，以及該背反射器具有占該背電極層表面積之20%與90%之間之一覆蓋率。
- 一種成型光伏裝置之方法，包括：成型一背電極層於一底材之上；成型具有複數條平行線之一背反射器於該背電極層之上；成型一吸收物層於該背電極層及該背反射器之上；成型一緩衝層於該吸收物層之上；以及成型一前接觸層於該緩衝層之上。
- 一種光伏裝置，包括：一底材，係由玻璃、塑膠或金屬箔片所構成；一背電極層，係位於該底材之上；一背反射器，係位於該背電極層之上，並且其占背電極層表面積之覆蓋率於20%與90%之間，其中，該背反射器係由一第一反射器材料及一第二反射器材料之至少一層所成型，該第二反射器材料係被成型接觸該背電極層，該第一反射器材料係被成型於該第二反射器材料之上，以及該第一反射器材料之一折射率係大於該第二反射器材料之一折射率；一吸收物層，係位於該背電極層及該背反射器之上；一緩衝層，係位於該吸收物層之上；以及一前接觸層，係位於該緩衝層之上。
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| US10840400B2 (en) | 2020-11-17 |
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| CN109638100A (zh) | 2019-04-16 |
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