JP2021136085A

JP2021136085A - 透明導電性フィルム

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Publication number: JP2021136085A
Application number: JP2020029371A
Authority: JP
Inventors: 純一長瀬; Junichi Nagase; 佑輔茂手木; Yusuke Motegi
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2020-02-25
Filing date: 2020-02-25
Publication date: 2021-09-13
Also published as: CN115175812A; KR20220146457A; WO2021172086A2; TW202141533A

Abstract

【課題】金属フィラーを含む透明導電層を備える透明導電性フィルムであって、低抵抗な透明導電性フィルムを提供すること。【解決手段】本発明の透明導電性フィルムは、基材と、該基材の少なくとも片側に配置された透明導電層を備え、該透明導電層が、金属フィラーを含み、透明導電層の厚み方向における上記金属フィラーの存在分布の半値幅が、５ｎｍ〜７５ｎｍである。１つの実施形態においては、上記金属フィラーが、金属ナノワイヤである。【選択図】図１

Description

本発明は、透明導電性フィルムに関する。

従来、タッチセンサーを有する画像表示装置において、タッチセンサーの電極として、透明樹脂フィルム上にＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物）などの金属酸化物層を形成して得られる透明導電性フィルムが多用されている。しかし、この金属酸化物層を備える透明導電性フィルムは、屈曲により導電性が失われやすく、フレキシブルディスプレイな
どの屈曲性が必要とされる用途には使用しがたいという問題がある。

一方、屈曲性の高い透明導電性フィルムとして、金属ナノワイヤ等の金属フィラーを含む透明導電性フィルムが知られている。このような透明導電性フィルムは、所定の透明性および導電性を有し、かつ、屈曲性に優れるという利点を有する一方で、さらなる導電性向上（抵抗率抑制）が求められている。

特表２００９−５０５３５８号公報特許第６１９９０３４号

本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、金属フィラーを含む透明導電層を備える透明導電性フィルムであって、低抵抗な透明導電性フィルムを提供することにある。

本発明の透明導電性フィルムは、基材と、該基材の少なくとも片側に配置された透明導電層を備え、該透明導電層が、金属フィラーを含み、透明導電層の厚み方向における上記金属フィラーの存在分布の半値幅が、５ｎｍ〜７５ｎｍである。
１つの実施形態においては、上記金属フィラーが、金属ナノワイヤである。
１つの実施形態においては、本発明の透明導電性フィルムは、表面抵抗値が、１０Ω／□以上３００Ω／□未満である。
１つの実施形態においては、本発明の透明導電性フィルムは、ヘイズ値が、２０％以下である。

本発明によれば、金属フィラーを含む透明導電層を備える透明導電性フィルムであって、低抵抗な透明導電性フィルムを提供することができる。本発明の透明導電性フィルムは、従来の透明導電性フィルムと比較して、透明性低下を抑制しつつ、低抵抗化されている点で有用である。

本発明の１つの実施形態による透明導電性フィルムの概略断面図である。（ａ）は実施例１で得られた透明導電性フィルムの断面ＴＥＭ写真である。（ｂ）は、比較例１で得られた透明導電性フィルムの断面ＴＥＭ写真である。

Ａ．透明導電性フィルム
図１は、本発明の１つの実施形態による透明導電性フィルムの概略断面図である。本発明の透明導電性フィルム１００は、基材１０と、基材１０の少なくとも片側に配置された透明導電層２０とを備える。

透明導電性フィルム１００において、透明導電層２０は、金属フィラーを含む（図示せず）。

本発明においては、透明導電層の厚み方向における上記金属フィラーの存在分布の半値幅が、５ｎｍ〜７５ｎｍである。「透明導電層の厚み方向における金属フィラーの存在分布の半値幅」とは、透明導電層の断面をＴＥＭ撮影して得られた画像を二値化して明らかとした金属フィラーの存在分布について、横軸を厚さ（基材からの距離、単位：ｎｍ）とし、縦軸を頻度（金属フィラーの存在量（画像における面積基準））としてプロットし、頻度が最も高いピークにおける半値幅（ピーク位置における分布の高さの半分の高さにおける分布幅）を意味する。本発明において上記半値幅は、不作為に抽出した１０箇所（撮影幅：１μｍ）での半値幅の平均である。

本発明においては、透明導電層の厚み方向における上記金属フィラーの存在分布の半値幅が上記範囲であることにより、金属フィラー同士の接触が多くなり、抵抗が低い透明導電層を形成することができる。このような透明導電層を備える本発明の透明導電性フィルムは、金属フィラーの含有量を増やすことなく低抵抗化が可能となり、透明性に優れ、かつ、優れた導電性を発現し得る。従来、金属フィラーを含む透明導電性フィルムにおいては、導電性向上のためには金属フィラー添加量を増やす必要があり、そのため、透明性と導電性はトレードオフの関係にあるが、本発明においては、上記のとおり、透明性と導電性を両立することが可能となった。これは、本発明の大きな成果のひとつである。透明導電層の厚み方向における上記金属フィラーの存在分布の半値幅は、好ましくは１０ｎｍ〜７０ｎｍであり、より好ましくは１０ｎｍ〜６０ｎｍであり、さらに好ましくは２０ｎｍ〜５５ｎｍであり、特に好ましくは３５ｎｍ〜５５ｎｍである。このような範囲であれば、上記の効果はより顕著となる。なお、金属フィラーの存在分布は、透明導電層形成の際の塗布層乾燥（送風乾燥）時の条件（例えば、風向き）、透明導電層形成用組成物の組成・特性（例えば、粘度）等により制御することができる。また、透明導電層をプレスすることにより、金属フィラーを偏在させることもできる。

１つの実施形態においては、上記金属フィラーは、透明導電層の基材側に偏在してる。この実施形態において、透明導電層の厚み方向に基材側５０％範囲内に存在する金属フィラーの存在割合は、好ましくは７０％以上であり、より好ましくは８０％以上であり、特に好ましくは９０％以上である。透明導電層の厚み方向に基材側５０％範囲内に存在する金属フィラーの存在割合の上限は、例えば、９５％（好ましくは９８％、より好ましくは１００％）である。「透明導電層の厚み方向に基材側５０％範囲内に存在する金属フィラーの存在割合」は、透明導電層の断面をＴＥＭ撮影して得られた画像を二値化して測定され、当該画像における面積基準の割合として規定される。

上記実施形態に限らず、上記金属フィラーは、透明導電層の厚み方向中央に偏在していてもよく、透明導電層の基材とは反対側の表面近傍に偏在していてもよい。

透明導電性フィルムの表面抵抗値は、好ましくは０．１Ω／□〜１０００Ω／□であり、より好ましくは０．５Ω／□〜３００Ω／□であり、さらに好ましくは１０Ω／□以上３００Ω／□未満であり、特に好ましくは１０Ω／□〜１５０Ω／□であり、最も好ましくは１０Ω／□以上１００Ω／□未満である。表面抵抗値は、三菱ケミカルアナリテック社の「抵抗率自動測定システムＭＣＰ−Ｓ６２０型・ＭＣＰ−Ｓ５２１型」により測定することができる。

上記透明導電性フィルムのヘイズ値は、好ましくは２０％以下であり、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは０．１％〜５％であり、特に好ましくは０．１％〜１％である。

上記透明導電性フィルムの全光線透過率は、好ましくは３０％以上であり、より好ましくは３５％以上であり、特に好ましくは４０％以上である。

Ｂ．透明導電層
上記のとおり、上記透明導電層は、金属フィラーを含む。好ましくは、上記透明導電層は、金属フィラーとして、金属ナノワイヤを含む。金属ナノワイヤを含む透明導電層を形成すれば、屈曲性に優れ、かつ、光透過率に優れる導電性フィルムを得ることができる。

１つの実施形態においては、透明導電層は、バインダー樹脂をさらに含む。この実施形態においては、バインダー樹脂中に、金属フィラー（例えば、金属ナノワイヤ）が存在する。バインダー樹脂から構成される透明導電層においては、バインダー樹脂により金属フィラー（例えば、金属ナノワイヤ）が保護される。その結果、金属フィラー（例えば、金属ナノワイヤ）の腐食が防止され、耐久性により優れる導電性フィルムを得ることができる。

上記透明導電層の厚みは、好ましくは１０ｎｍ〜１０００ｎｍであり、より好ましくは２０ｎｍ〜５００ｎｍであり、特に好ましくは２０ｎｍ〜１００ｎｍである。このような範囲であれば、耐久性に優れ、かつ、表面の接触導通性に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。

１つの実施形態においては、上記透明導電層はパターン化されている。パターン化の方法としては、透明導電層の形態に応じて、任意の適切な方法が採用され得る。透明導電層のパターンの形状は、用途に応じて任意の適切な形状であり得る。例えば、特表２０１１−５１１３５７号公報、特開２０１０−１６４９３８号公報、特開２００８−３１０５５０号公報、特表２００３−５１１７９９号公報、特表２０１０−５４１１０９号公報に記載のパターンが挙げられる。透明導電層は基材上に形成された後、透明導電層の形態に応じて、任意の適切な方法を用いてパターン化することができる。

上記透明導電層の全光線透過率は、好ましくは８５％以上であり、より好ましくは９０％以上であり、さらに好ましくは９５％以上である。

上記金属ナノワイヤとは、材質が金属であり、形状が針状または糸状であり、径がナノメートルサイズの導電性物質をいう。金属ナノワイヤは直線状であってもよく、曲線状であってもよい。金属ナノワイヤで構成された透明導電層を用いれば、金属ナノワイヤが網の目状となることにより、少量の金属ナノワイヤであっても良好な電気伝導経路を形成することができ、電気抵抗の小さい導電性フィルムを得ることができる。さらに、金属ナノワイヤが網の目状となることにより、網の目の隙間に開口部を形成して、光透過率の高い導電性フィルムを得ることができる。

上記金属ナノワイヤの太さｄと長さＬとの比（アスペクト比：Ｌ／ｄ）は、好ましくは１０〜１００，０００であり、より好ましくは５０〜１００，０００であり、特に好ましくは１００〜１０，０００である。このようにアスペクト比の大きい金属ナノワイヤを用いれば、金属ナノワイヤが良好に交差して、少量の金属ナノワイヤにより高い導電性を発現させることができる。その結果、光透過率の高い導電性フィルムを得ることができる。なお、本明細書において、「金属ナノワイヤの太さ」とは、金属ナノワイヤの断面が円状である場合はその直径を意味し、楕円状である場合はその短径を意味し、多角形である場合は最も長い対角線を意味する。金属ナノワイヤの太さおよび長さは、走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡によって確認することができる。

上記金属ナノワイヤの太さは、好ましくは５００ｎｍ未満であり、より好ましくは２００ｎｍ未満であり、特に好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍであり、最も好ましくは１０ｎｍ〜６０ｎｍである。このような範囲であれば、光透過率の高い透明導電層を形成することができる。

上記金属ナノワイヤの長さは、好ましくは１μｍ〜１０００μｍであり、より好ましくは１μｍ〜５００μｍであり、特に好ましくは１μｍ〜１００μｍである。このような範囲であれば、導電性の高い導電性フィルムを得ることができる。

上記金属ナノワイヤを構成する金属としては、導電性の高い金属である限り、任意の適切な金属が用いられ得る。上記金属ナノワイヤを構成する金属としては、例えば、銀、金、銅、ニッケル等が挙げられる。また、これらの金属にメッキ処理（例えば、金メッキ処理）を行った材料を用いてもよい。金属ナノワイヤは、金、白金、銀および銅からなる群より選ばれた１種以上の金属により構成されることが好ましい。

上記金属ナノワイヤの製造方法としては、任意の適切な方法が採用され得る。例えば溶液中で硝酸銀を還元する方法、前駆体表面にプローブの先端部から印可電圧又は電流を作用させ、プローブ先端部で金属ナノワイヤを引き出し、該金属ナノワイヤを連続的に形成する方法等が挙げられる。溶液中で硝酸銀を還元する方法においては、エチレングリコール等のポリオール、およびポリビニルピロリドンの存在下で、硝酸銀等の銀塩の液相還元することにより、銀ナノワイヤが合成され得る。均一サイズの銀ナノワイヤは、例えば、Ｘｉａ，Ｙ．ｅｔａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．（２００２）、１４、４７３６−４７４５、Ｘｉａ，Ｙ．ｅｔａｌ．，Ｎａｎｏｌｅｔｔｅｒｓ（２００３）３（７）、９５５−９６０に記載される方法に準じて、大量生産が可能である。

上記透明導電層における金属ナノワイヤの含有割合は、透明導電層の全重量に対して、好ましくは３０重量％〜１００重量％であり、より好ましくは３０重量％〜９０重量％であり、さらに好ましくは４５重量％〜８０重量％である。このような範囲であれば、導電性および光透過性に優れる導電性フィルムを得ることができる。

上記バインダー樹脂としては、任意の適切な樹脂が用いられ得る。該樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂；ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系樹脂；ポリスチレン、ポリビニルトルエン、ポリビニルキシレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等の芳香族系樹脂；ポリウレタン系樹脂；エポキシ系樹脂；ポリオレフィン系樹脂；アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ）；セルロース；シリコン系樹脂；ポリ塩化ビニル；ポリアセテート；ポリノルボルネン；合成ゴム；フッ素系樹脂等が挙げられる。好ましくは、ペンタエリスリトールトリアクリレート（ＰＥＴＡ）、ネオペンチルグリコールジアクリレート（ＮＰＧＤＡ）、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ）、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート（ＤＰＰＡ）、トリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）等の多官能アクリレートから構成される硬化型樹脂（好ましくは紫外線硬化型樹脂）が用いられる。

透明導電層の目付けは、好ましくは０．００１ｇ／ｍ^２〜０．０９ｇ／ｍ^２であり、より好ましくは０．００５ｇ／ｍ^２〜０．０５ｇ／ｍ^２である。

上記透明導電層における金属ナノワイヤの含有割合は、透明導電層を構成するバインダー樹脂１００重量部に対して、好ましくは０．１重量部〜５０重量部であり、より好ましくは０．１重量部〜３０重量部である。このような範囲であれば、導電性および光透過性に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。

Ｃ．基材
上記基材を構成する材料は、任意の適切な材料が用いられ得る。具体的には、例えば、フィルムやプラスチックス基材などの高分子基材が好ましく用いられる。基材の平滑性および透明導電層形成用組成物に対する濡れ性に優れ、また、ロールによる連続生産により生産性を大幅に向上させ得るからである。

上記基材を構成する材料は、代表的には熱可塑性樹脂を主成分とする高分子フィルムである。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエステル系樹脂；ポリノルボルネン等のシクロオレフィン系樹脂；アクリル系樹脂；ポリカーボネート樹脂；セルロース系樹脂等が挙げられる。なかでも好ましくは、ポリエステル系樹脂、シクロオレフィン系樹脂またはアクリル系樹脂である。これらの樹脂は、透明性、機械的強度、熱安定性、水分遮蔽性などに優れる。上記熱可塑性樹脂は、単独で、または２種以上組み合わせて用いてもよい。また、偏光板に用いられるような光学フィルム、例えば、低位相差基材、高位相差基材、位相差板、輝度向上フィルム等を基材として用いることも可能である。

上記基材の厚みは、好ましくは２０μｍ〜２００μｍであり、より好ましくは３０μｍ〜１５０μｍである。

上記基材の全光線透過率は、好ましくは３０％以上であり、より好ましくは３５％以上であり、さらに好ましくは４０％以上である。

Ｄ．導電性フィルムの製造方法
本発明の導電性フィルムは、例えば、基材上に、金属ナノワイヤを含む透明導電層形成用組成物を塗布し、その後、塗布層を乾燥させて、透明導電層を形成することにより得られ得る。

透明導電層形成用組成物は、金属ナノワイヤを含む。１つの実施形態においては、金属ナノワイヤを任意の適切な溶媒に分散させて透明導電層形成用組成物が調製される。当該溶媒としては、水、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒等が挙げられる。また、透明導電層形成用組成物は、樹脂（バインダー樹脂）、金属ナノワイヤ以外の導電性材料（例えば、導電性粒子）、レベリング剤等の添加剤をさらに含んでいてもよい。また、透明導電層形成用組成物は、可塑剤、熱安定剤、光安定剤、滑剤、抗酸化剤、紫外線吸収剤、難燃剤、着色剤、帯電防止剤、相溶化剤、架橋剤、増粘剤、無機粒子、界面活性剤、および分散剤等の添加剤を含み得る。

透明導電層形成用組成物の粘度は、好ましくは５ｍＰ・ｓ／２５℃〜３００ｍＰ・ｓ／２５℃であり、より好ましくは１０ｍＰ・ｓ／２５℃〜１００ｍＰ・ｓ／２５℃である。このような範囲であれば、金属フィラーが良好に偏在した透明導電層を得ることができる。透明導電層形成用組成物の粘度は、レオメータ(例えば、アントンパール社のＭＣＲ３０２)により測定することができる。

透明導電層形成用組成物中の金属ナノワイヤの分散濃度は、好ましくは０．０１重量％〜５重量％である。このような範囲であれば、金属フィラーが良好に偏在した透明導電層を得ることができる。

上記透明導電層形成用組成物の塗布方法としては、任意の適切な方法が採用され得る。塗布方法としては、例えば、スプレーコート、バーコート、ロールコート、ダイコート、インクジェットコート、スクリーンコート、ディップコート、凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法等が挙げられる。１つの実施形態においては、上記基材として長尺状の基材を用い、当該基材を搬送しながら、上記透明導電層形成用組成物を塗布する。基材の搬送方法としては、任意の適切な方法が採用され得る。例えば、搬送ロールによる搬送、搬送ベルトによる搬送、これらの組み合わせ等が挙げられる。搬送速度は、例えば、５ｍ／ｍｉｎ〜５０ｍ／ｍｉｎである。

上記塗布層の目付けは、好ましくは０．３ｇ／ｍ^２〜３０ｇ／ｍ^２であり、より好ましくは１．６ｇ／ｍ^２〜１６ｇ／ｍ^２である。このような範囲であれば、金属フィラーが良好に偏在した透明導電層を得ることができる。

塗布層の乾燥方法として、代表的には、送風による乾燥が挙げられる。塗布層への送風は、任意の適切な方法により行うことができる。１つの実施形態においては、塗布層の上方（基材とは反対側）に配置された送風機を用いて、塗布層への送風が行われ得る。送風方向は、例えば、送風機にルーバーを設け、当該ルーバーの方向により調整することができる。塗布層への風は、らせん状に吹かせた風であってもよい。

上記風の風速は、好ましくは０．５ｍ／ｓ〜１０ｍ／ｓであり、より好ましくは１ｍ／ｓ〜５ｍ／ｓである。このような範囲であれば、金属フィラーが良好に偏在した透明導電層を得ることができる。風速は、透明導電層形成用組成物に含まれる溶媒等に応じて、適切に設定され得る。水により調製された透明導電層形成用組成物を用いる場合、上記風速は、好ましくは０．５ｍ／ｓ〜１０ｍ／ｓであり、より好ましくは１ｍ／ｓ〜５ｍ／ｓである。なお、本明細書において風速とは、塗布層に到達する時点での風速を意味する。

上記風の温度は、好ましくは１０℃〜５０℃であり、より好ましくは１５℃〜３０℃である。風速は、透明導電層形成用組成物に含まれる溶媒等に応じて、適切に設定され得る。水により調製された透明導電層形成用組成物を用いる場合、上記風の温度は、好ましくは１０℃〜５０℃であり、より好ましくは１５℃〜３０℃である。なお、本明細書において風の温度とは、塗布層に到達する時点での風の温度を意味する。

送風時間は、好ましくは１分〜１０分であり、より好ましくは２分〜５分である。

送風工程においては、送風を多段階に分けて行ってもよい。例えば、風向、風速、温度等が異なるようにゾーン分けして、送風を段階的に行ってもよい。また、送風工程の前にオーブン加熱、自然乾燥等の方法により、塗布層の厚みを減じてもよい。送風工程を開始する際の塗布層の目付けは、好ましくは０．００１ｇ／ｍ^２〜０．０９ｇ／ｍ^２であり、より好ましくは０．００５ｇ／ｍ^２〜０．０５ｇ／ｍ^２である。

送風工程の後、任意の適切な処理を行ってもよい。例えば、バインダー樹脂を含む透明導電層形成用組成物を用いた場合、紫外線照射等による硬化処理を行ってもよい。また、送付工程の後に、乾燥工程を行ってもよい。乾燥方法としては、例えば、オーブン加熱、自然乾燥等が挙げられる。また、乾燥後の塗布層をプレスして、透明導電層を形成してもよい。このようにすれば、金属フィラーが良好に偏在した透明導電層を得ることができる。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例になんら限定されるものではない。実施例における評価方法は以下のとおりである。なお、厚みは、エポキシ樹脂にて包埋処理後ウルトラマイクロトームで切削することで断面を形成し、日立ハイテクノロジーズ社製の走査型電子顕微鏡「Ｓ−４８００」を使用して測定した。

（１）表面抵抗値
透明導電性フィルムの表面抵抗値（ＭＤおよびＴＤの表面抵抗値）を、ナプソン株式会社製の非接触表面抵抗計商品名「ＥＣ−８０」を用いて、渦電流法により測定した。測定温度は２３℃とした。

（２）ヘイズ値
透明導電性フィルムのヘイズ値を、ＪＩＳ７１３６で定める方法により、ヘイズメーター（村上色彩科学研究所社製、商品名「ＨＮ−１５０」）を用いて測定した。

（３）透明導電層の厚み方向における金属ナノワイヤの存在分布の半値幅
透明導電層の断面をＴＥＭ撮影して得られた画像を二値化して明らかとした金属ナノワイヤの存在分布について、横軸を厚さ（基材からの距離、単位：ｎｍ）とし、縦軸を頻度（金属フィラーの存在量（画像における面積基準））としてプロットし、頻度が最も高いピークにおける半値幅（ピーク位置における分布の高さの半分の高さにおける分布幅）を求めた。
不作為に抽出した１０箇所について、上記のように半値幅を求め、その平均値により、金属ナノワイヤの偏在度合いを評価した。

（４）透明導電層の厚み方向に基材側５０％範囲内に存在する金属ナノワイヤの存在割合
上記（３）と同様にして金属ナノワイヤの存在分布をプロットし、透明導電層の厚み方向に基材側５０％範囲内に存在する金属ナノワイヤの存在割合を求めた。
不作為に抽出した１０箇所について、上記のように存在割合を求め、その平均値により、金属ナノワイヤの偏在度合いを評価した。

［製造例１］透明導電層形成用組成物の調製
Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４，４７３６−４７４５に記載の方法に基づいて、銀ナノワイヤを合成した。
純水に、上記で得られた銀ナノワイヤを０．２重量％、および、ドデシル−ペンタエチレングリコールを０．１重量％の濃度となるように分散し、透明導電層形成用組成物を得た。

［実施例１］
基材としてＰＥＴフィルム（三菱樹脂製、商品名「Ｓ１００」）を用いた。この基材を搬送ロールを用いて搬送しながら、当該基材上に、バーコーター（第一理科株式会社製、製品名「バーコーターＮｏ．１６」）を用いて製造例１で調製した透明導電層形成用組成物を塗布してＷｅｔ膜厚（光干渉膜厚計による）１２μｍの塗布層を形成した。その後、塗布層が形成された基材を搬送しながら、塗布層に整流風を送風して塗布層を乾燥させて、透明導電層を形成し、基材および透明導電層を備える透明導電性フィルムを得た。
得られた透明導電性フィルムの透明導電層においては、図２（ａ）の断面ＴＥＭ写真図に示すように、金属ナノワイヤが偏在していた。また、ＩＣＰ測定により、Ａｇ量（金属ナノワイヤ量）を測定したところ、１５．３ｍｇ／ｍ^２であった。
得られた透明導電性フィルムを上記評価（１）〜（４）に供した。結果を表１に示す。

［実施例２］
塗布層のＷｅｔ厚みを１５μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得た。ＩＣＰ測定によるＡｇ量（金属ナノワイヤ量）は、１７．４ｍｇ／ｍ^２であった。得られた透明導電性フィルムを上記評価（１）〜（４）に供した。結果を表１に示す。

［実施例３］
塗布層のＷｅｔ厚みを１７μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得た。ＩＣＰ測定によるＡｇ量（金属ナノワイヤ量）は、１８．７ｍｇ／ｍ^２であった。得られた透明導電性フィルムを上記評価（１）〜（４）に供した。結果を表１に示す。

［比較例１］
実施例１と同様にして、塗布層を形成した。その後、塗布層が形成された基材を炉内温度１００℃のオーブンに２分間投入して、透明導電性フィルムを得た。ＩＣＰ測定によるＡｇ量（金属ナノワイヤ量）は、１５．４ｍｇ／ｍ^２であった。得られた透明導電性フィルムを上記評価（１）〜（４）に供した。結果を表１に示す。また、図２（ｂ）に、透明導電層の断面ＴＥＭ写真を示す。

［比較例２］
塗布層のＷｅｔ厚みを１５μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得た。ＩＣＰ測定によるＡｇ量（金属ナノワイヤ量）は、１７．５ｍｇ／ｍ^２であった。得られた透明導電性フィルムを上記評価（１）〜（４）に供した。結果を表１に示す。

［比較例３］
塗布層のＷｅｔ厚みを１７μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得た。ＩＣＰ測定によるＡｇ量（金属ナノワイヤ量）は、１８．５ｍｇ／ｍ^２であった。得られた透明導電性フィルムを上記評価（１）〜（４）に供した。結果を表１に示す。

実施例１と比較例１との比較、実施例２と比較例２との比較、および実施例３と比較例３との比較から明らかなように、実施例の透明導電性フィルムにおいては、比較例の透明導電性フィルムと同等のヘイズ値でありつつも、表面抵抗値が小さい。すなわち、本発明によれば、透明性に優れ、かつ、優れた導電性を有する透明導電性フィルムを得ることができる。

１０基材
２０透明導電層
１００透明導電性フィルム

Claims

基材と、該基材の少なくとも片側に配置された透明導電層を備え、
該透明導電層が、金属フィラーを含み、
透明導電層の厚み方向における上記金属フィラーの存在分布の半値幅が、５ｎｍ〜７５ｎｍである、
透明導電性フィルム。
前記金属フィラーが、金属ナノワイヤである、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
表面抵抗値が、１０Ω／□以上３００Ω／□未満である、請求項１または２に記載の透明導電性フィルム。
ヘイズ値が、２０％以下である、請求項１から３のいずれかに記載の透明導電性フィルム。