JP5729298B2 - 導電積層体およびそれを用いてなるタッチパネル - Google Patents
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Description
(1)基材の少なくとも片面に、線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電層と、保護層とを積層した導電積層体であって、保護層の平均厚みtが100〜1000nmである導電積層体、
(2)酸成分を含有しpHが2.0である除去剤を、130℃、3分間保護層上に塗布した際の保護層の除去厚みをXとして、保護層がXよりも厚い部分と薄い部分を有すること、
(3)前記保護層が、下記のいずれも含まない高分子化合物を用いてなること、
S元素、P元素、金属元素、金属イオン、官能基を構成するN元素
(4)前記保護層の表面が、純水の接触角が80°以上、かつ、オレイン酸の接触角が13°以上であること、
(5)前記高分子化合物が架橋構造を有すること、
(6)前記線状構造体が銀ナノワイヤーであり、かつ、保護層が下記のいずれも含まない多官能アクリル系高分子化合物もしくは多官能メタクリル系高分子化合物であること、
S元素、P元素、金属元素、金属イオン、官能基を構成するN元素
(7)前記線状構造体がカーボンナノチューブであり、かつ、保護層が下記のいずれも含まない多官能アクリル系高分子化合物もしくは多官能メタクリル系高分子化合物であること、
S元素、P元素、金属元素、金属イオン、官能基を構成するN元素
(8)前記保護層中に、2種以上の光開始剤を含有し、各々の極大吸収波長の値の差が20nm以上であること、
(9)保護層側から入射した際のJIS K7361−1(1997年)に基づいた全光線透過率が80%以上であること、
(10)上記いずれかに記載の導電積層体の保護層上に、酸成分を含有しpHが2.0である除去剤を、130℃、3分間塗布することにより得られる酸処理導電積層体であって、導電領域と非導電領域を有し、該非導電領域において導電成分が除去されており、かつ、導電成分の非残存除去痕が存在する酸処理導電積層体、
(11)(1)〜(10)に記載の導電積層体を用いてなるタッチパネル、
とするものである。
(1)純水の接触角を80°以上とすることで除去剤中の水系に近い極性を示す成分に対し、
(2)また、オレイン酸の接触角を13°以上とすることで除去剤中の有機溶剤系(油系)に近い極性を示す成分に対し、
(3)またさらに、水系と有機溶剤系(油系)の成分が混合している中間の極性を示す除去剤に対し、
それぞれ濡れ広がりを抑制することができ、如何なる極性の除去剤であっても所望のパターンに対し、除去剤を微細に且つ綺麗に導電積層体の上に転写・積層することができると推定している。保護層はその表面が少なくとも純水の接触角が80°未満もしくはオレイン酸の接触角が13°未満のどちらか一方である場合、除去剤を導電積層体の上に転写・積層した際に、除去剤が濡れ広がってしまい所望のパターンを得られず、パターンの太りが発生したり、除去剤が不均一に濡れ広がることでパターンを綺麗に形成することができない場合がある。一方、保護層はその表面が、純水の接触角が80°以上、且つ、オレイン酸の接触角が13°以上であると、除去剤が如何なる極性であっても濡れ広がりを抑制することができ、所望のパターンに対し微細且つ綺麗なパターンを形成することができる。ここで、接触角とはJIS R3257(1999)に準じた静滴法にて、水平に設置した本発明の導電積層体の保護層側上に液滴を静置した際に算出される値θのことである。本発明においては、前記液滴を純水及びオレイン酸として実施し、純水の接触角を除去剤中の水系に近い極性を示す成分に対する表面濡れ性の指標、また、オレイン酸の接触角を除去剤中の有機溶剤系(油系)に近い極性を示す成分に対する表面濡れ性の指標として、各々採用したものである。
サンプルの観察したい部分近傍を氷で埋包し凍結固着、もしくはエポキシ樹脂のような氷よりさらに固着力の強い成分で埋包後、日本ミクロトーム研究所(株)製ロータリー式ミクロトームを使用し、ナイフ傾斜角度3°にダイヤモンドナイフをセットしてフィルム平面に垂直な方向に切断する。次いで得られたフィルム断面を、電界放射型走査電子顕微鏡(日本電子(株)製 JSM−6700−F)を用いて加速電圧3.0kV、観察倍率10000〜100000倍にて、画像のコントラストを適宜調節して各倍率にて観察した。得られた断面写真から断面模式図の図4に対応するt1(線状構造体が存在しない部分の保護層厚み)と、t2(単一の線状構造体の頂点上もしくは線状構造体からなる集合体の頂上に積層している保護層厚み)の各任意の5箇所を同様に任意の倍率で測定(拡大倍率から計算)、平均して求めた。
電界放射型走査電子顕微鏡(日本電子(株)製 JSM−6700−F)を用いて(1)と同様に断面を観察し、線状構造体の部分と線状構造体が積層されていない部分の画像のコントラストを適宜調節して観察し判断した。ここで、単一の線状構造体で存在している部分においては、径rとは図4に示す符号28のことであり、線状構造体の頂点上から基材方向に垂直な方向への直線距離のことである。また線状構造体からなる集合体として存在している部分においては、径rとは図4に示す符号29のことであり、線状構造体からなる集合体の頂上から集合体の麓までの基材方向に垂直な方向への直線距離のことである。同様に任意の5箇所を観察し、5箇所の平均値を線状構造体の径rとした。尚、rとtの大小の判断は、断面観察からであれば線状構造体の径rを断定し(1)より求めたtと比較し、表面観察からであれば観察角度20°、30°、45°、90°(真上)方向から同じ箇所を全て同様に観察し、線状構造体の部分の隆起を確認した。
除去剤による保護層の除去厚みXに対し、保護層が厚い部分と薄い部分を有するかの判定は以下の方法にて行った。
保護層の除去厚みXに対する保護層の厚みの判定は、以下の基準にて実施した。
(a)合格判定(保護層が除去厚みXよりも厚い部分と薄い部分を有する。)
・保護層が残存し、導電成分が残存していない状態の場合、合格判定とする。
・保護層が残存していることは、除去厚みXに対し図4に示す符号21の部分が厚いために保護層が残存する。すなわち保護層がXよりも厚い部分を有していることを意味する。
・導電成分が残存していないことは、除去厚みXに対して図4に示す符号22及び23が薄い部分として存在し、その薄い部分が除去された後、その部分から除去剤が浸入し導電成分と接触することで導電成分を除去する。従って、導電成分が残存していない場合は、除去厚みXよりも保護層の薄い部分が存在することを意味する。
(b)不合格1判定(保護層が除去厚みXよりも厚い部分のみであり、薄い部分を有さない。)
・導電成分及び保護層共に残存している状態の場合、不合格1判定とする。
・保護層だけでなく、導電成分が残存している場合、除去剤が導電成分に到達しない、すなわち除去厚みXよりも図4に示す符号22及び23が厚い部分として存在し、保護層が薄い部分を有さないために導電成分が残存する。従って保護層の除去厚みXに対し保護層がXよりも厚い部分のみであり、薄い部分を有さないことを意味する。
(c)不合格2判定(保護層が除去厚みXよりも薄い部分のみであり、厚い部分を有さない。)
・導電成分及び保護層共に残存していない状態の場合、不合格1判定とする。
・導電成分だけでなく、保護層も残存していない場合、除去成分によって全ての保護層が除去される、すなわち除去厚みXよりも図4に示す符号21が薄い部分として存在し、保護層が厚い部分を有さないため保護層が残存しない。従って保護層の除去厚みXに対し保護層がXよりも薄い部分のみであり、厚い部分を有さないことを意味する。
パターンの微細化の評価として、後述する直線ラインのパターンにおいて以下(a)〜(c)3指標にて評価した。
(a)除去剤の印刷パターンのライン幅
・導電積層体の上に転写・積層した除去剤のライン幅。
・ライン幅が細いほど微細なパターンが導電積層体の上に転写・積層していることを示し、太いほど線太りが大きいことを示す。
(b)エッチングパターンのライン幅
・導電積層体の上に転写・積層した除去剤を水洗した後のエッチングされた部分のライン幅。
・上記(a)と同様に、ライン幅が細いほど微細なパターンを形成していることを示し、太いほど線太りが大きいことを示す。
(c)エッチングパターンのエッチング境界部のライン直線性(うねり)
・上記(b)にて求めたライン幅の標準偏差(σ)。
・標準偏差(σ)が小さいほど、高精細で綺麗なパターンであることを示す。
(3)にて得た導電層がパターニングされた導電積層体を、安全扉つき恒温器セーフティーオーブン(エスペック(株)製 SPHH−201)にて130℃で30分間加熱し、パターニング部分の表面を光学顕微鏡((株)ニコン製 ECLIPSE−L200)にて観察し、加熱前後でのパターニング部分表面のオリゴマー発生有無を観察した。尚、オリゴマーは加熱前の表面に存在していなかった斑点や斑点模様が、加熱後に存在するか否かで判断した。前記、光学顕微鏡でオリゴマーが観察できない場合は、次いで、トプコン社製走査型電子顕微鏡ABT−32を用いて、同様に表面を観察しオリゴマー発生有無を確認した。任意の10点にて観察を行いオリゴマーの発生がない場合を合格とする。
(3)にて作製した導電層がパターニングされた導電積層体を、各直線のライン長の両端部から1cmの部分を切断し、エッチングラインで仕切られた3cm×10cmの導電積層体を得た。そして、エッチングラインの右側と左側に絶縁抵抗計(三和電気計器(株)製、EA709DA−1)の探針をあて、直流25V印加で10MΩ以上の抵抗を示した場合を合格、10MΩ未満の抵抗を示した場合を不合格とした。
(3)にて作製した導電層がパターニングされた導電積層体のパターニング部分を、(1)又は(2)に記載と同様の方法、もしくは走査透過電子顕微鏡((株)日立ハイテクノロジーズ製 日立走査透過電子顕微鏡HD−2700)にて観察した。
保護層中の化合物の含有元素、化合物の構造(高分子構造等)、結合様態(架橋等)は、先ず、(1)〜(3)に記載のいずれかの方法にて、導電積層体の導電層側もしくは保護層側の面を断定する。次いで、必要な場合は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、ゲル浸透クロマトグラフィー、液体高速クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィー等に代表される一般的なクロマトグラフィーやその他分離・精製が可能な方法にて単一物質に分離精製、また適宜濃縮及び希釈した。
サンプルの導電層側の表面を、(1)又は(2)に記載と同様の方法、もしくは走査透過電子顕微鏡((株)日立ハイテクノロジーズ製 日立走査透過電子顕微鏡HD−2700)にて観察した。表面観察では観察できない場合は、(8)と同様のいずれかの方法にて導電層の成分を離精製後、導電成分に該当する物質を充分量を採取・集めてから、同様に観察し線状構造体の判別(導電成分の構造)を行った。
(8)と同様のいずれかの方法にて保護層の成分を分離精製し、各種成分の内、光開始剤に該当する化合物のみを抽出した。光開始剤への該当・非該当が不明な場合は、活性電子線を照射しラジカル種、カチオン種、アニオン種のいずれかが発生する化合物を光開始剤とした。次いで、光開始剤を各種可溶な溶剤に溶解させた。次いで、この溶液を石英セル中に入れ、紫外可視分光光度計(UV−Bis Spectrophotometer、日本分光(株)製 V−660型)を用いて波長200〜900nmにおける吸収スペクトルを測定し極大吸収波長を求めた。
導電層側の表面抵抗値は、非接触式抵抗率計(ナプソン(株)製 NC−10)を用い渦電流方式で100mm×50mmのサンプルの中央部分を測定した。5サンプルについて平均値を算出し、これを表面抵抗値R0[Ω/□]とした。検出限界を超えて表面抵抗値が得られなかった場合は、次いで以下の方法にて測定した。
濁度計(曇り度計)NDH2000(日本電色工業(株)製)を用いてJIS K7361−1(1997年)に基づいて、導電積層体厚み方向の全光線透過率を、導電層側から光を入射させて測定した。5サンプルについて測定した値から平均値を算出し、これを全光線透過率とした。
(3)にて作製した導電層がパターニングされた導電積層体のパターニング部分を、(1)又は(2)に記載と同様の方法、もしくは走査透過電子顕微鏡((株)日立ハイテクノロジーズ製 日立走査透過電子顕微鏡HD−2700)にて観察した。
JIS R3257(1999)に準じた静滴法にて行った。接触角計(協和界面科学(株)製 FACE接触角計CA−X型(画像処理式))を用いて、(9)より判別した本発明の導電積層体の導電層層側(保護層側)を測定面とし試料台上に水平に設置後、純水を滴下し接触角を求めた。同様の方法にて任意の計10箇所にて接触角を求め、その10点の平均値を本発明における純水の接触角とした。次いで、同様の方法にて別の任意の10箇所にオレイン酸(ナカライテスク(株)製)を滴下し10点の平均値を本発明におけるオレイン酸の接触角とした。
・直鎖アクリル系樹脂(綜研化学(株)製 フォレットGS−1000、固形分濃度30質量%)
(S元素、P元素、金属元素、金属イオン及び官能基を構成するN元素を含まない有機系高分子化合物であって、架橋構造を有さない。)。
・多官能アクリル系樹脂組成物(綜研化学(株)製 フルキュアHC−6、固形分濃度51質量%)
(S元素、P元素、金属元素、金属イオン及び官能基を構成するN元素を含まない有機系高分子化合物であって、光開始剤により架橋構造を形成する。)。
・多官能アクリル系樹脂組成物(綜研化学(株)製 フルキュアUAF−1、固形分濃度48.4質量%)(S元素、P元素、金属元素、金属イオン及び官能基を構成するN元素を含まず、F元素(フッ素元素)を有する有機系高分子化合物であって、光開始剤により架橋構造を形成する。)。
・多官能アクリル系樹脂組成物(中国塗料(株)製 フォルシードNo.420C(旧品番:オーレックスJU−114)、固形分濃度70質量%)(S元素、P元素、金属元素、金属イオン及び官能基を構成するN元素を含まず、アルキル側鎖を有する有機系高分子化合物であって、光開始剤により架橋構造を形成する。)。
・多官能ウレタンアクリレート系樹脂組成物(根上工業(株)製 アートレジンUN−904M、固形分濃度80質量%)(S元素、P元素、金属元素、金属イオン及び官能基を構成するN元素をいずれも含まず、骨格構造内にN元素を含む有機系高分子化合物であって、光開始剤により架橋構造を形成する。)。
・多官能アクリル系樹脂組成物(綜研化学(株)製 フルキュアHCE−022、固形分濃度52.1質量%)(官能基を形成するN元素を含む有機系高分子化合物であって、光開始剤により架橋構造を形成する。)。
・直鎖アクリル系樹脂(下記にて重合、固形分濃度100質量%)(S元素を含む有機系高分子化合物であって、架橋構造を有さない。)
・Acrylamide t−Butyl Sulfonic Acid(別名2−Acrylamide−2−Methyl Propane Sulfonic Acid、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸)とMethyl Methacrylate(別名メタクリル酸メチル、2−メチル−2−プロペン酸メチル、略名MMA)から共重合した。
・直鎖アクリル系樹脂(下記にて重合、固形分濃度100質量%)(S元素、金属イオンを含む有機系高分子化合物であって、架橋構造を有さない。)
・Acrylamide t−Butyl Sulfonic Acid Sodium Sait(別名2−Acrylamide−2−Methyl Propane Sulfonic Acid Sodium Sait、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸ナトリウム)とMethyl Methacrylate(別名メタクリル酸メチル、2−メチル−2−プロペン酸メチル、略名MMA)から共重合した。
・多官能アクリル系樹脂組成物(下記にて作製、固形分濃度40質量%)(P元素を含む有機系高分子化合物であって、光開始剤により架橋構造を形成する。)
・特開2008−222848号公報の実施例1と同様の方法にて、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物には、下記(13)添加剤Aを含有している。
・無機ケイ素酸化物(シリカ)組成物(下記にて作製、固形分濃度3質量%)(S元素、P元素、金属元素、金属イオン及び官能基を構成するN元素を含まない無機系高分子化合物であって、熱により架橋構造を形成する。)
・100mLポリ容器中に、エタノール20gを入れ、n−ブチルシリケート40gを添加し30分間撹拌した。その後、0.1N塩酸水溶液を10g添加した後2時間撹拌を行い(加水分解反応)、4℃で保管した。翌日、この溶液をイソプロピルアルコール/トルエン/n−ブタノール混合液(混合質量比2/1/1)で固形分濃度が、3.0質量%となるように希釈した。
・アクリル系樹脂(綜研化学(株)製 フォレットSBH−1、固形分濃度57質量%)(S元素、P元素、金属元素、金属イオン及び官能基を構成するN元素を含まない有機系高分子化合物であって、熱により多官能イソシアネートと架橋構造を形成する。)
(12)保護層材料L
・エポキシ系樹脂組成物(DIC(株)製 ディックファインEN−0270、固形分濃度20質量%)(S元素、P元素、金属元素、金属イオン及び官能基を構成するN元素をいずれも含まず、骨格構造内にN元素を含む有機系高分子化合物であって、熱によりメラミン/ホルムアルデヒド系樹脂組成物と架橋構造を形成する。)。
・ポリエステル系ウレタン樹脂組成物(DIC(株)製 ハイドランAP−40N、固形分濃度35質量%)(S元素、P元素、金属元素、金属イオン及び官能基を構成するN元素をいずれも含まず、骨格構造内にN元素を含む有機系高分子化合物であって、熱によりメラミン/ホルムアルデヒド系樹脂組成物と架橋構造を形成する。)。
・多官能アクリル系樹脂組成物(綜研化学(株)製 フルキュアUAF−6、固形分濃度50.9質量%)(S元素、P元素、金属元素、金属イオンおよび官能基を構成するN元素をいずれも含まない有機系高分子化合物であって、光開始剤により架橋構造を形成する。)。
・光重合開始剤(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)184)
・極大吸収波長240nm。
・光重合開始剤(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)907)
・極大吸収波長300nm。
・光重合開始剤(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)369)
・極大吸収波長320nm。
・光重合開始剤(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)651)
・極大吸収波長250nm。
・ビウレット型HDI(ヘキサメチレンジイソシアネート)多官能イソシアネート(住化バイエルウレタン(株)製 デスモジュールN3200、固形分濃度100質量%)(N元素を含む熱架橋硬化剤。)。
・メラミン/ホルムアルデヒド系樹脂組成物(DIC(株)製 ベッカミンAPM、固形分濃度80質量%)。
・F元素(フッ素元素)を有する有機系低分子化合物(ダイキン工業(株)製 オプツールDAC(登録商標)、固形分濃度20質量%)(N元素を含む熱架橋硬化剤。)。
バインダー成分として前記保護層材料A(アクリル系樹脂)、導電成分として針状形状の二酸化ケイ素系・ATO(アンチモンドープ酸化錫)複合化合物(大塚化学(株)製 デントールTM100、短軸:700〜900nm、長軸:15〜25μm)を用い、固形分全体に対する導電成分量が60質量%となるように混合(固形分混合比:バインダー成分/導電成分=40質量%/60質量%)し、次いでこの混合液に塗料固形分濃度50質量%となるように酢酸エチルを加えて希釈し濃度調整し、針状二酸化ケイ素系・ATO(アンチモンドープ酸化錫)複合化合物分散塗液を得た。この針状二酸化ケイ素系・ATO(アンチモンドープ酸化錫)複合化合物分散塗液を、材質がsusのシム(シム厚み100μm)を装着したスリットダイコートを使用して基材上に塗布、120℃で5分間乾燥し針状二酸化ケイ素系・ATO(アンチモンドープ酸化錫)複合化合物塗膜を設けた。
特表2009−505358号公報の例1(銀ナノワイヤーの合成)に開示されている方法にて銀ナノワイヤー(短軸:50〜100nm、長軸:20〜40μm)を得た。次いで、同特表2009−505358号公報の例8(ナノワイヤー分散)に開示されている方法にて銀ナノワイヤー分散塗液を得た。この銀ナノワイヤー分散塗液を、塗液全体に対する銀ナノワイヤー量が0.05質量%となるように濃度調整した。この濃度調整した銀ナノワイヤー分散塗液を、材質がsusのシム(シム厚み50μm)を装着したスリットダイコートを使用して基材上に塗布、120℃で2分間乾燥し銀ナノワイヤー塗膜を設けた。
(触媒調整)
クエン酸アンモニウム鉄(緑色)(和光純薬工業(株)製)2.459gをメタノール(関東化学(株)製)500mLに溶解した。この溶液に、軽質マグネシア(岩谷化学工業(株)製)を100g加え、室温で60分間攪拌し、40℃から60℃で攪拌しながら減圧乾燥してメタノールを除去し、軽質マグネシア粉末に金属塩が担持された触媒を得た。
図5の概略図で示す流動床縦型反応装置でCNTを合成した。反応器100は内径32mm、長さは1200mmの円筒形石英管である。中央部に石英焼結板101を具備し、石英管下方部には、不活性ガスおよび原料ガス供給ライン104、上部には排ガスライン105および、触媒投入ライン103を具備する。さらに、反応器を任意温度に保持できるように、反応器の円周を取り囲む加熱器106を具備する。加熱器106には装置内の流動状態が確認できるよう点検口107が設けられている。
50mLの容器に上記CNT組成物を10mg(乾燥時換算)、分散剤としてカルボキシメチルセルロースナトリウム(シグマ社製90kDa,50−200cps)10mgを量りとり、蒸留水を加え10gにし、超音波ホモジナイザー出力20W、20分間で氷冷下分散処理しCNT塗液を調製した。得られた液を高速遠心分離機にて10000G、15分遠心し、上清9mLを得た。この操作を複数回繰り返し得た上清145mLにエタノール5mL加え、コーターで塗布可能なCNT濃度約0.1質量%のCNT分散塗液(CNTと分散剤の配合比1対1)を得た。このCNT分散塗液を石英ガラスに塗布、乾燥したCNT導電層の屈折率は1.82であった。
前記CNT分散塗液をマイクログラビアコーター(グラビア線番150R、グラビア回転比80%)で基材上に塗布、100℃で1分間乾燥しCNT塗膜(CNT塗膜でのCNT集合体として短軸:10〜30nm、長軸:1〜5μm)を設けた。
バインダー成分として前記保護層材料A(アクリル系樹脂)、導電成分として針状形状のATO(アンチモンドープ酸化錫、石原産業(株)製 針状透明導電材FS−10P、短軸:10〜20nm、長軸:0.2〜2μm)を用い、固形分全体に対する導電成分量が60質量%となるように混合(固形分混合比:バインダー成分/導電成分=40質量%/60質量%)し、次いでこの混合液に塗料固形分濃度20質量%となるように酢酸エチルを加えて希釈し濃度調整し、針状ATO(アンチモンドープ酸化錫)分散塗液を得た。この針状ATO(アンチモンドープ酸化錫)分散塗液を、松尾産業(株)製 バーコーター#12を使用して基材上に塗布、120℃で2分間乾燥し針状ATO(アンチモンドープ酸化錫)塗膜を設けた。
特開2002−266007号公報に開示されている方法にて銅ナノワイヤー(短軸:10〜20nm、長軸:1〜100μm)を得た。次いで、特表2009−505358号公報の例8(ナノワイヤー分散)に開示されている銀ナノワイヤーを本発明の銅ナノワイヤーに変更し、同様の方法にて銅ナノワイヤー分散塗液を得た。この銅ナノワイヤー分散塗液を、塗液全体に対する銅ナノワイヤー量が0.05質量%となるように濃度調整した。この濃度調整した銅ナノワイヤー分散塗液を、材質がsusのシム(シム厚み50μm)を装着したスリットダイコートを使用して基材上に塗布、120℃で2分間乾燥し銅ナノワイヤー塗膜を設けた。
特開2001−243841号公報の実施例((2)銀ナノコロイド塗布液の調整)に開示されている方法にて銀ナノ微粒子(短軸、長軸(粒径):9〜15nm)分散液を得た。次いで、同特開2001−243841号公報の[実施例1〜8]に開示されている方法にて銀ナノ微粒子分散液を塗布、銀ナノ微粒子塗膜を得た。
特開2001−243841号公報の実施例((2)銀ナノコロイド塗布液の調整)に開示されている方法にて得た銀ナノ微粒子分散液に、特表2009−505358号公報の例8(ナノワイヤー分散)に開示されている方法にて得た銀ナノワイヤー分散塗液を、銀ナノ微粒子と銀ナノワイヤーの質量比が銀ナノ微粒子/銀ナノワイヤー=8/2となるように混合し、銀ナノワイヤー/銀ナノ微粒子混合分散液を得た。次いで、同特開2001−243841号公報の[実施例1〜8]に開示されている方法にて銀ナノワイヤー/銀ナノ微粒子混合分散液を基材上に塗布、銀ナノワイヤー/銀ナノ微粒子混合塗膜を得た。
組成In2O2/SnO2=90/10のインジウム・錫酸化物ターゲットを用いて、真空度10−4Torrにてアルゴン/酸素混合ガス導入のもとスパッタリング法にて、厚み250nmのITO(酸化インジウム錫)導電性薄膜を基材上に設けた。
厚み125μmのポリエチレンテレフタレートフィルム、ルミラー(登録商標)U46(東レ(株)製)を基材として、基材の片面に「導電層A」を積層した。
保護層塗布液の組成を「保護層材料A」500g、「酢酸エチル」1500gとしたこと以外は、実施例1と同様に作成し、厚み800nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
厚み125μmのポリエチレンテレフタレートフィルム、ルミラー(登録商標)U46(東レ(株)製)を基材として、基材の片面に「導電層B」を積層した。
保護層塗布液の組成を「保護層材料B」150g、「添加剤A」3.60g、「添加剤B」7.15g、「酢酸エチル」2288gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み380nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料B」150g、「添加剤A」3.60g、「添加剤B」7.15g、「酢酸エチル」2748gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料C」150g、「添加剤A」3.41g、「添加剤B」6.79g、「酢酸エチル」2600gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料D」100g、「添加剤A」3.29g、「添加剤B」6.55g、「酢酸エチル」2551gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料E」100g、「添加剤A」3.76、「酢酸エチル」2688gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料F」120g、「添加剤A」2.94g、「添加剤B」5.85g、「酢酸エチル」2248gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料B」117g、「保護層材料G」6.63g、「添加剤A」3.12g、「添加剤B」6.20g、「酢酸エチル」2388gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料B」117g、「保護層材料H」6.63g、「添加剤A」3.12g、「添加剤B」6.20g、「酢酸エチル」2388gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料B」117g、「保護層材料I」16.58g、「添加剤B」6.2g、「酢酸エチル」2277gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
厚み125μmのポリエチレンテレフタレートフィルム、ルミラー(登録商標)U46(東レ(株)製)を基材として、基材の片面に「導電層B」を積層した。
保護層塗布液の組成を「保護層材料B」65g、「保護層材料C」68.5g、「添加剤A」3.12g、「添加剤B」6.20g、「酢酸エチル」2378gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料B」78g、「保護層材料C」54.8g、「添加剤A」3.12g、「添加剤B」6.20g、「酢酸エチル」2378gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
(実施例16)
保護層塗布液の組成を「保護層材料B」117g、「保護層材料D」9.47g、「添加剤A」3.12g、「添加剤B」6.20g、「酢酸エチル」2385gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
導電層を「導電層G」としたこと以外は、実施例5と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料E」80g、「添加剤A」3.01g、「添加剤B」5.98g、「酢酸エチル」2344gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料D」100g、「添加剤A」3.29g、「添加剤B」3.27g、「添加剤C」3.27g、「酢酸エチル」2551gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
使用する添加剤を「添加剤B」ではなく「添加剤D」としたこと以外は、実施例18と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
使用する添加剤を「添加剤C」ではなく「添加剤D」としたこと以外は、実施例19と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料A」500g、「添加剤G」0.75g、「酢酸エチル」1501.25gとしたこと以外は、実施例1と同様に作成し、厚み800nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料N」150.3g、「添加剤A」3.60g、「添加剤B」7.15g、「酢酸エチル」2747gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料E」87.5g、「添加剤A」3.29g、「添加剤B」3.27g、「添加剤C」3.27g、「酢酸エチル」2563gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料D」100g、「添加剤A」3.29g、「添加剤B」3.27g、「添加剤C」3.27g、「酢酸エチル」2551gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料C」123.3g、「保護層材料H」6.63g、「添加剤A」3.12g、「添加剤B」6.20g、「酢酸エチル」2382gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、厚み310nmの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。
厚み125μmのポリエチレンテレフタレートフィルム、ルミラー(登録商標)U46(東レ(株)製)を、導電層及び保護層を設けずに、積層体とした。
厚み125μmのポリエチレンテレフタレートフィルム、ルミラー(登録商標)U46(東レ(株)製)を基材として、基材の片面に「導電層B」のみを積層し保護層を設けずに、導電積層体とした。
厚み125μmのポリエチレンテレフタレートフィルム、ルミラー(登録商標)U46(東レ(株)製)を基材として、基材の片面に「導電層C」のみを積層し保護層を設けずに、導電積層体とした。
導電層を「導電層F」としたこと以外は、実施例5と同様に作成し、非線状構造体で球状の導電成分からなる導電層上に、厚み310nmの保護層を設け、導電積層体を得た。
導電層を「導電層H」としたこと以外は、実施例5と同様に作成し、非線状構造体で薄膜の導電成分からなる導電層上に、厚み310nmの保護層を設け、導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を「保護層材料B」450g、「添加剤A」10.79g、「添加剤B」21.46g、「酢酸エチル」2056gとしたこと以外は、実施例3と同様に作成し、線状構造体に対して保護層の平均厚みtが充分に厚い、厚みt=厚み1100nmの保護層を設け、導電積層体を得た。
厚み125μmのポリエチレンテレフタレートフィルム、ルミラー(登録商標)U46(東レ(株)製)を基材として、基材の片面に「導電層C」を積層した。
2:導電層
3:保護層
4:積層面に垂直な方向より観察した導電面
5:単一の繊維状導電体(線状構造体の一例)
6:繊維状導電体の集合体(線状構造体の一例)
7:金属や金属酸化物のナノワイヤー(線状構造体の一例)
8:ウィスカーのような針状導電体(線状構造体の一例)
10:繊維状導電体の重なりによって形成した接点
11:金属や金属酸化物のナノワイヤーの重なりによって形成した接点
12:ウィスカーのような針状導電体の重なりよって形成した接点
13:導電領域と非導電領域を有する導電積層体
14:導電領域と非導電領域を有する導電積層体の基材
15:導電領域と非導電領域を有する導電積層体の導電層
16:導電領域と非導電領域を有する導電積層体の保護層
17:接着剤や粘着剤による、導電領域と非導電領域を有する導電積層体を積層するための接合層
18:タッチパネルの画面側の基材
19:タッチパネルの画面側の基材に積層したハードコート層
20:保護層表面
21:線状構造体が存在しない部分の保護層厚みt1
22:単一の線状構造体の頂点上に積層している保護層厚みt2
23:線状構造体からなる集合体の頂上に積層している保護層厚みt2
24:集合体を形成しない線状構造体
25:集合体を形成する単一の線状構造体
26:線状構造体からなる集合体
27:基材
28:単一の線状構造体の径r
29:線状構造体からなる集合体の径r
100:反応器
101:石英焼結板
102:密閉型触媒供給機
103:触媒投入ライン
104:原料ガス供給ライン
105:排ガスライン
106:加熱器
107:点検口
108:触媒
Claims (10)
- 基材の少なくとも片面に、線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電層と、保護層とを積層した導電積層体であって、保護層の平均厚みtが100〜1000nmであり、レベリング剤を含有する酸成分を含有しpHが2.0である除去剤を、130℃、3分間保護層上に塗布した際の保護層の除去厚みをXとして、保護層がXよりも厚い部分と薄い部分を有することを特徴とする導電積層体。
- 前記保護層が、下記のいずれも含まない高分子化合物を用いてなる請求項1に記載の導電積層体。
S元素、P元素、金属元素、金属イオン、官能基を構成するN元素 - 前記保護層の表面が、純水の接触角が80°以上、かつ、オレイン酸の接触角が13°以上である請求項1または2に記載の導電積層体。
- 前記高分子化合物が架橋構造を有する請求項2または3に記載の導電積層体。
- 前記線状構造体が銀ナノワイヤーであり、かつ、保護層が下記のいずれも含まない多官能アクリル系高分子化合物もしくは多官能メタクリル系高分子化合物である請求項1〜4のいずれかに記載の導電積層体。
S元素、P元素、金属元素、金属イオン、官能基を構成するN元素 - 前記線状構造体がカーボンナノチューブであり、かつ、保護層が下記のいずれも含まない多官能アクリル系高分子化合物もしくは多官能メタクリル系高分子化合物である請求項1〜4のいずれかに記載の導電積層体。
S元素、P元素、金属元素、金属イオン、官能基を構成するN元素 - 前記保護層中に、2種以上の光開始剤を含有し、各々の極大吸収波長の値の差が20nm以上である請求項1〜6のいずれかに記載の導電積層体。
- 保護層側から入射した際のJIS K7361−1(1997年)に基づいた全光線透過率が80%以上である請求項1〜7のいずれかに記載の導電積層体。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の導電積層体の保護層上に、酸成分を含有しpHが2.0である除去剤を、130℃、3分間塗布することにより得られる酸処理導電積層体であって、導電領域と非導電領域を有し、該非導電領域において導電成分が除去されており、かつ、導電成分の非残存除去痕が存在する酸処理導電積層体。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の導電積層体を用いてなるタッチパネル。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101756260B1 (ko) * | 2016-03-29 | 2017-07-20 | 재단법인 구미전자정보기술원 | 은나노와이어 전도층을 포함하는 터치센서 적층체 및 이의 제조방법 |
Families Citing this family (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI451538B (zh) * | 2010-01-19 | 2014-09-01 | Gen Mems Corp | 微機電系統(mems)麥克風封裝體及其製造方法 |
JP5428924B2 (ja) * | 2010-02-16 | 2014-02-26 | 東レ株式会社 | 導電積層体およびそれを用いてなるタッチパネル |
US9313883B2 (en) * | 2011-03-28 | 2016-04-12 | Lg Chem, Ltd. | Conductive substrate and touch screen having same |
KR101305705B1 (ko) | 2011-07-12 | 2013-09-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 터치 패널 및 전극 제조 방법 |
EP2780281A4 (en) * | 2011-11-14 | 2015-05-27 | Vorbeck Materials Corp | GRAPHENE COMPOSITIONS |
CN103959397B (zh) * | 2011-11-29 | 2016-09-07 | 东丽株式会社 | 导电层合体及使用该导电层合体而成的显示体 |
TW201324594A (zh) * | 2011-12-02 | 2013-06-16 | Dalux Technology Co Ltd | 觸控面板之低阻抗電控線路及其製造方法 |
CN102637103B (zh) * | 2012-03-29 | 2015-01-21 | 意力(广州)电子科技有限公司 | 触摸屏导电层及其制作工艺 |
KR101960532B1 (ko) * | 2012-04-19 | 2019-03-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치용 정전용량 방식 터치 스크린 패널 및 그 제조방법 |
JP5803825B2 (ja) * | 2012-06-28 | 2015-11-04 | 日立化成株式会社 | 静電容量結合方式タッチパネルおよびその製造方法 |
KR101310864B1 (ko) * | 2012-08-22 | 2013-09-25 | (주)이엔에이치 | 메탈 나노와이어 투명 도전성 필름 및 그 제조방법 |
CN103777793B (zh) * | 2012-10-17 | 2017-05-31 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 触控面板及其制备方法 |
KR101989809B1 (ko) * | 2012-11-14 | 2019-06-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
US20140170427A1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | Carestream Health, Inc. | Anticorrosion agents for transparent conductive film |
CN105122387B (zh) * | 2013-02-21 | 2019-01-11 | 恩耐公司 | 非烧蚀性激光图案化 |
US10464172B2 (en) | 2013-02-21 | 2019-11-05 | Nlight, Inc. | Patterning conductive films using variable focal plane to control feature size |
US9842665B2 (en) | 2013-02-21 | 2017-12-12 | Nlight, Inc. | Optimization of high resolution digitally encoded laser scanners for fine feature marking |
WO2014130895A1 (en) | 2013-02-21 | 2014-08-28 | Nlight Photonics Corporation | Laser patterning multi-layer structures |
KR20140122338A (ko) | 2013-04-09 | 2014-10-20 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 터치패널, 그 제조방법 및 터치패널용 Ag-Pd-Nd 합금 |
KR101372534B1 (ko) * | 2013-07-15 | 2014-03-11 | 엘지전자 주식회사 | 터치 패널 |
EP3011569B1 (en) | 2013-06-20 | 2020-11-11 | Lg Electronics Inc. | Conductive film and touch panel including the same |
TWI632207B (zh) * | 2013-07-01 | 2018-08-11 | 德商漢高智慧財產控股公司 | 奈米粒子墨水組成物、方法及應用 |
CN104378907B (zh) * | 2013-08-12 | 2017-06-30 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 电路板及其制作方法 |
KR20150025454A (ko) * | 2013-08-29 | 2015-03-10 | 삼성전기주식회사 | 와이어 피그먼트를 이용한 접착제 및 그 제조방법 |
EP2863290B1 (en) * | 2013-10-18 | 2017-12-06 | Applied Materials, Inc. | Layer stack for a touch panel and method for forming a layer stack |
TW201523364A (zh) * | 2013-12-10 | 2015-06-16 | Henghao Technology Co Ltd | 具網格狀合金觸控電極的觸控面板 |
KR20150084458A (ko) | 2014-01-14 | 2015-07-22 | 삼성전기주식회사 | 터치 패널 |
KR20150107091A (ko) * | 2014-03-13 | 2015-09-23 | 주식회사 에이든 | 헤이즈 및 전기전도도가 개선된 은 나노와이어를 이용한 투명 도전체 |
TWI686821B (zh) * | 2014-03-20 | 2020-03-01 | 英屬維京群島商天材創新材料科技股份有限公司 | 光穩定之光學堆疊 |
US10618131B2 (en) | 2014-06-05 | 2020-04-14 | Nlight, Inc. | Laser patterning skew correction |
TWI486969B (zh) * | 2014-06-11 | 2015-06-01 | Nat Univ Tsing Hua | 複合導電材料的製作方法及其導電薄膜 |
KR102287289B1 (ko) * | 2014-07-08 | 2021-08-06 | 주식회사 동진쎄미켐 | 투명 전극 복합체 |
US10310201B2 (en) | 2014-08-01 | 2019-06-04 | Nlight, Inc. | Back-reflection protection and monitoring in fiber and fiber-delivered lasers |
CN104299721B (zh) * | 2014-09-05 | 2018-01-23 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种通过清洗处理提高金属纳米线透明导电薄膜光学性质的方法 |
CN104575701B (zh) * | 2014-12-17 | 2017-01-11 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 高分子透明导电膜及其制备方法 |
US9837783B2 (en) | 2015-01-26 | 2017-12-05 | Nlight, Inc. | High-power, single-mode fiber sources |
CN104616838B (zh) | 2015-02-10 | 2018-02-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电子器件的制作方法及电子器件 |
US10050404B2 (en) | 2015-03-26 | 2018-08-14 | Nlight, Inc. | Fiber source with cascaded gain stages and/or multimode delivery fiber with low splice loss |
CN104731413B (zh) * | 2015-04-02 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控单元及其制作方法和柔性触控显示装置 |
CN114311899B (zh) | 2015-04-06 | 2023-10-24 | 大日本印刷株式会社 | 导电性层叠体、触控面板和导电性层叠体的制造方法 |
KR102402759B1 (ko) * | 2015-05-29 | 2022-05-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN107924023B (zh) | 2015-07-08 | 2020-12-01 | 恩耐公司 | 具有用于增加的光束参数乘积的中心折射率受抑制的纤维 |
KR102646460B1 (ko) * | 2015-07-24 | 2024-03-11 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | 조성물 및 표시 장치 |
US10434600B2 (en) | 2015-11-23 | 2019-10-08 | Nlight, Inc. | Fine-scale temporal control for laser material processing |
US10074960B2 (en) | 2015-11-23 | 2018-09-11 | Nlight, Inc. | Predictive modification of laser diode drive current waveform in order to optimize optical output waveform in high power laser systems |
US11179807B2 (en) | 2015-11-23 | 2021-11-23 | Nlight, Inc. | Fine-scale temporal control for laser material processing |
CN108698164B (zh) | 2016-01-19 | 2021-01-29 | 恩耐公司 | 处理3d激光扫描仪系统中的校准数据的方法 |
US10732439B2 (en) | 2016-09-29 | 2020-08-04 | Nlight, Inc. | Fiber-coupled device for varying beam characteristics |
US10730785B2 (en) | 2016-09-29 | 2020-08-04 | Nlight, Inc. | Optical fiber bending mechanisms |
CN109791252B (zh) | 2016-09-29 | 2021-06-29 | 恩耐公司 | 可调整的光束特性 |
JP6929533B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2021-09-01 | 平岡織染株式会社 | 産業資材用フレキシブル膜材 |
JP6883319B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2021-06-09 | 平岡織染株式会社 | シートシャッター用膜材 |
CN110651218B (zh) | 2017-04-04 | 2022-03-01 | 恩耐公司 | 用于检流计扫描仪校准的设备、系统和方法 |
JP6940363B2 (ja) * | 2017-10-10 | 2021-09-29 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 保持パッド及びその製造方法 |
CN108958536A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控与显示驱动器集成模组及其制造方法、电子设备 |
CN110473655B (zh) * | 2018-05-10 | 2021-05-11 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种透明导电薄膜及其制备方法 |
TWI740400B (zh) * | 2020-03-02 | 2021-09-21 | 力哲科技股份有限公司 | 電池材料及其製備方法 |
CN113808781B (zh) * | 2021-08-23 | 2023-11-21 | 湖南兴威新材料有限公司 | 一种薄膜电极及其制备方法和应用 |
CN116426203B (zh) * | 2023-04-11 | 2024-05-14 | 滨州学院 | 一种建筑表面涂层材料及其制备方法与应用 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009503825A (ja) * | 2005-07-25 | 2009-01-29 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 酸化物の透明な導電層をエッチングするためのエッチング媒体 |
JP2009505358A (ja) * | 2005-08-12 | 2009-02-05 | カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション | ナノワイヤに基づく透明導電体 |
WO2009035059A1 (ja) * | 2007-09-12 | 2009-03-19 | Kuraray Co., Ltd. | 導電膜、導電部材および導電膜の製造方法 |
JP2010003964A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Fujimori Kogyo Co Ltd | 周波数選択型の電磁波シールド材、及びそれを用いた電磁波吸収体 |
JP2010021137A (ja) * | 2008-06-10 | 2010-01-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電層のパターニング方法とエッチングペースト、及びパターン透明導電フィルム並びにそれを用いたフレキシブル機能性素子 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0848386B1 (en) | 1996-06-11 | 2005-10-26 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Transparent conductive film, low-reflection transparent conductive film, and display |
JP2001243841A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 低反射透明導電性積層フイルム |
JP2001307567A (ja) | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基板及びその製造方法 |
JP3560333B2 (ja) | 2001-03-08 | 2004-09-02 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 金属ナノワイヤー及びその製造方法 |
JP3665969B2 (ja) | 2001-03-26 | 2005-06-29 | エイコス・インコーポレーテッド | カーボンナノチューブ含有フィルムの製造方法及びカーボンナノチューブ含有コーティング |
JP2003115221A (ja) | 2001-10-05 | 2003-04-18 | Bridgestone Corp | 透明導電性フィルムとタッチパネル |
JP4974071B2 (ja) | 2006-04-10 | 2012-07-11 | 東レフィルム加工株式会社 | タッチパネル用透明導電性フィルム |
ES2601558T3 (es) * | 2006-10-05 | 2017-02-15 | Olam International Limited | Procedimiento de producción de polvo de cacao de brillo alto y composiciones relacionadas |
EP3595016A1 (en) * | 2006-10-12 | 2020-01-15 | Cambrios Film Solutions Corporation | Nanowire-based transparent conductors and method of making them |
US8018568B2 (en) * | 2006-10-12 | 2011-09-13 | Cambrios Technologies Corporation | Nanowire-based transparent conductors and applications thereof |
JP2008222848A (ja) | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Aica Kogyo Co Ltd | 紫外線硬化型ハードコート樹脂組成物および成形物 |
JP5221088B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2013-06-26 | 株式会社クラレ | 透明導電膜およびその製造方法 |
JP5245113B2 (ja) | 2007-12-14 | 2013-07-24 | コニカミノルタ株式会社 | 透明補助電極フィルム及び透明補助電極フィルムの製造方法と、透明導電性フィルム及び透明導電性フィルムの製造方法 |
JP5652201B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2015-01-14 | 東レ株式会社 | 導電性複合体およびその製造方法 |
US9400911B2 (en) * | 2009-10-30 | 2016-07-26 | Synaptics Incorporated | Fingerprint sensor and integratable electronic display |
-
2010
- 2010-12-16 KR KR1020127016679A patent/KR101811068B1/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-12-16 WO PCT/JP2010/072627 patent/WO2011081023A1/ja active Application Filing
- 2010-12-16 CN CN201080053205.6A patent/CN102630327B/zh active Active
- 2010-12-16 JP JP2011523239A patent/JP5729298B2/ja active Active
- 2010-12-16 EP EP10840881.6A patent/EP2521138A4/en not_active Withdrawn
- 2010-12-16 US US13/519,488 patent/US20120295071A1/en not_active Abandoned
- 2010-12-24 TW TW099145689A patent/TW201140622A/zh unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009503825A (ja) * | 2005-07-25 | 2009-01-29 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 酸化物の透明な導電層をエッチングするためのエッチング媒体 |
JP2009505358A (ja) * | 2005-08-12 | 2009-02-05 | カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション | ナノワイヤに基づく透明導電体 |
WO2009035059A1 (ja) * | 2007-09-12 | 2009-03-19 | Kuraray Co., Ltd. | 導電膜、導電部材および導電膜の製造方法 |
JP2010021137A (ja) * | 2008-06-10 | 2010-01-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電層のパターニング方法とエッチングペースト、及びパターン透明導電フィルム並びにそれを用いたフレキシブル機能性素子 |
JP2010003964A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Fujimori Kogyo Co Ltd | 周波数選択型の電磁波シールド材、及びそれを用いた電磁波吸収体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101756260B1 (ko) * | 2016-03-29 | 2017-07-20 | 재단법인 구미전자정보기술원 | 은나노와이어 전도층을 포함하는 터치센서 적층체 및 이의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011081023A1 (ja) | 2011-07-07 |
EP2521138A1 (en) | 2012-11-07 |
KR101811068B1 (ko) | 2017-12-20 |
CN102630327B (zh) | 2014-07-16 |
EP2521138A4 (en) | 2015-11-25 |
CN102630327A (zh) | 2012-08-08 |
TW201140622A (en) | 2011-11-16 |
US20120295071A1 (en) | 2012-11-22 |
KR20120098823A (ko) | 2012-09-05 |
JPWO2011081023A1 (ja) | 2013-05-09 |
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