JP2012183737A - 導電積層体およびそれを用いてなるタッチパネル - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、導電積層体をタッチパネル等に使用する電極部材に加工形成する際のアルカリ処理に対し耐性を有する導電積層体を提供せんとするものである。
【解決手段】基材の少なくとも片面に、下地層、線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電成分を含む導電層と、保護層とを積層した導電積層体であって、該下地層が下記（Ｉ）（ＩＩ）を満たす導電積層体。
（Ｉ）Ｓ元素、および、金属イオンを、いずれも含まない親水性官能基（Ａ）を有する。
（ＩＩ）メラミン系架橋剤（Ｂ）を含む。
【選択図】なし

Description

本発明は、下地層と、線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電成分を含む導電層と、保護層とを積層した導電積層体に関する。さらに詳しくは、導電積層体をタッチパネル等に使用する電極部材に加工形成する際のアルカリ処理に対し耐性を有する導電積層体に関するものである。またさらに、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンス、電子ペーパーなどのディスプレイ関連および太陽電池モジュールなどの使用される電極部材にも使用される導電積層体に関するものである。

近年、タッチパネル、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンス、電子ペーパーなどのディスプレイ関連や太陽電池モジュールなどには電極用の導電部材が使用されており導電部材の導電層表面を導電領域と非導電領域とに分ける加工処理によって所望のパターンを形成して用いられている。

導電部材としては基材に、下地層と導電層を積層したものがある。その一例として、導電層に金属層がパターン形状に加工された金属パターン層を使用し、その金属パターン層と基材との密着性を向上させる下地層を積層したものが提案されている（特許文献１）。

また、導電層に従来の導電性薄膜の他に、カーボンナノチューブ（以下ＣＮＴと略す。）や金属ナノワイヤーなどの線状形状の導電成分を用いたものが提案されている。その一例として、無機物の下地層上にＣＮＴを導電成分とした導電層を積層したものが提案されている（特許文献２）。また、樹脂系の下地層上に金属ナノワイヤーを導電成分とした導電層を積層したものも提案されている（特許文献３）。さらに、樹脂と硬化剤からなる下地層上に各種極細導電繊維を導電成分とした導電層を積層したものも提案されている（特許文献４）。

一方これら導電部材のパターン形成方法としては、フォトレジストやエッチング液を用いたケミカルエッチング法が一般的に用いられており（特許文献５）、レジストを剥離する工程等においてアルカリ成分を含む処理液にて導電部材をアルカリ処理することが知られている。従って、導電部材がアルカリ処理に対して耐性のない場合は、導電層の剥離や導電性の低下等の問題が発生し所望のパターンを形成することができない。

特開２０１０−１０３２１２号公報 特開２００８−２４３６２２号公報 特表２００９−５０７１９９号公報 特開２００６−３５７７５号公報 特開２００１−３０７５６７号公報

しかしながら、特許文献１は、導電層が金属パターン層であるため金属が積層している部分は光を透過することができず、光学特性（特に光透過率）が劣る。また、特許文献２は、下地層が無機物からなるため、導電層との親和性が低く線状構造体が均一に積層できないため導電性が劣るだけでなく、無機物の下地層は導電層との密着性も悪くアルカリ処理にて導電層が剥離してしまいアルカリ処理に対し耐性がない。特許文献３は、下地層の樹脂自体にアルカリ処理に対する耐性がなく、また、特許文献４は、下地層が硬化剤の添加にて架橋構造を形成しているが、添加する硬化剤がアルカリ処理に対する耐性がなく、その成分からなる下地層を積層してもアルカリ処理に対する耐性が得られない。

本発明は、かかる従来技術の背景に鑑み、下地層、導電層を改良することでアルカリ処理に対する耐性を改善し、優れた光学特性の導電積層体を提供するものである。

本発明は、かかる課題を解決するために、次のような構成を採用する。すなわち、
（１）基材の少なくとも片面に、下地層と、線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電成分を含む導電層と、保護層とを積層した導電積層体であって、該下地層が下記（Ｉ）（ＩＩ）を満たす導電積層体である。
（Ｉ）Ｓ元素、および、金属イオンを、いずれも含まない親水性官能基（Ａ）を有する。
（ＩＩ）メラミン系架橋剤（Ｂ）を含む。
またさらに好ましい様態としては、
（２）前記Ｓ元素、および、金属イオンを、いずれも含まない親水性官能基（Ａ）がカルボン酸基であり、且つ、側鎖に前記カルボン酸基及びスルホン酸基を有するポリエステル樹脂（Ｃ）を主たる構成成分とする組成物から形成されたものであること、
（３）前記ポリエステル樹脂（Ｃ）が、下記（ｃ１）〜（ｃ３）からなる群より選ばれる少なくとも１種のポリエステル樹脂からなること、
（ｃ１）１分子中の側鎖にカルボン酸基とスルホン酸基とを有するポリエステル樹脂。
（ｃ２）１分子中の側鎖にカルボン酸基を有するポリエステル樹脂。
（ｃ３）１分子中の側鎖にスルホン酸基を有するポリエステル樹脂。
（４）前記組成物におけるメラミン系架橋剤（Ｂ）の含有量が、ポリエステル樹脂（Ｃ）１００質量部に対して４０質量部以上７５質量部未満であること、
（５）前記保護層が下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）を満たすこと、
（ｉ）構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物が重合反応した構造を含む高分子からなる。
（ｉｉ）保護層の全質量に対する前記炭素−炭素二重結合基由来の構造の炭素−炭素二重結合基の単位構造（＞Ｃ＝Ｃ＜：式量２４）部分の質量含有率が９質量％以上である。
（ｉｉｉ）ＦＴ−ＩＲ法にて求めた前記炭素−炭素二重結合の伸縮振動のピーク強度ν１と炭素−水素単結合（Ｃ−Ｈ）の伸縮振動のピーク強度ν２の比ν１／ν２がν１／ν２≦０．３である。
（６）前記保護層が、Ｓ元素、Ｐ元素、金属元素、金属イオン、および、官能基を構成するＮ元素をいずれも含まない化合物からなること、
（７）前記線状構造体が、銀ナノワイヤーであること、（８）上記のいずれかに記載の導電積層体を、導電領域と非導電領域とに分ける加工処理をした後、導電領域と非導電領域を有する加工処理導電積層体、
（９）（１）〜（８）に記載の導電積層体を用いてなるタッチパネル。
とするものである。

また、本発明の導電積層体はタッチパネル用途に好適に使用されるものである。さらに、本発明の導電積層体は、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンス、電子ペーパーなどのディスプレイ関連および太陽電池モジュールなどの使用される電極部材にも好適に使用することができる。

本発明によれば、導電性を損なわない薄膜でありながら、導電積層体をタッチパネル等に使用する電極部材に加工形成する際のアルカリ処理に対し耐性を有する導電積層体を提供できる。

本発明の導電積層体の断面模式図の一例である。 本発明の導電積層体の導電層側から観察した線状構造体の模式図の一例である。 本発明の一様態であるタッチパネルの一例を示した断面模式図である。 流動床縦型反応装置の概略図である。

本発明の導電積層体は、基材の少なくとも片面に、下地層と、線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電成分を含む導電層と、保護層とを積層した導電積層体であって、該下地層が下記（Ｉ）（ＩＩ）を満たす導電積層体である。
（Ｉ）Ｓ元素、および、金属イオンを、いずれも含まない親水性官能基（Ａ）を有する。
（ＩＩ）メラミン系架橋剤（Ｂ）を含む。

なお、導電成分が線状構造体からなるネットワーク構造を有することから、線状構造体の量が一定以下の場合には、面内において線状構造体が存在しない領域が散在する場合があるが、かかる領域が存在しても面内において線状構造体が連続的に一様に存在しネットワークを形成することで任意の２点間で導電性を示しうる場合には導電層を形成しているものとする。すなわち、かかる場合においては、線状構造体が形成する層状領域（散在する線状構造体が存在しない領域も含めて）を導電層と定義するものである。そして、かかる場合において線状構造体が存在しない領域では保護層の表面が線状構造体の表面に比較して、基材側に存在する（保護層側から見た場合、保護層内に線状構造体が一部埋没した様な）状態となる場合があるが、かかる場合も含めて基材表面から線状構造体の最表層までを導電層、線状構造体の最表層（導電層表面）から積層体の最表面までを保護層とそれぞれ定義する。

導電成分がネットワーク構造を有する線状構造体であると、線状構造体が存在しない疎な部分があっても線状構造体から電気が流れるため、表面の抵抗値は充分低く、且つ、優れた光学特性を付与することができ、実用レベルで問題ない程度の抵抗値を得ることができる。また、保護層を積層することで、導電層及び下地層へのアルカリ成分の移動を制限し通過を抑制・阻害することが出来ると推定している。

さらに、下地層が親水性官能基を有することで線状構造体からなる導電層をとの親和性が高くなり、導電層を均一に積層でき導電性の低下や不均一積層に起因する外観不良を抑制することができる。また、その親水性官能基のうちＳ元素、および、金属イオンを、いずれも含まない親水性官能基（Ａ）を有し、メラミン系架橋剤にて架橋することでアルカリ処理に対する耐性を付与できる。

本発明の導電積層体は、基材の少なくとも片面に、下記（Ｉ）（ＩＩ）を満たす下地層を有する。
（Ｉ）Ｓ元素、および、金属イオンを、いずれも含まない親水性官能基（Ａ）を有する。
（ＩＩ）メラミン系架橋剤（Ｂ）を含む。
（Ｉ）（ＩＩ）を満たす下地層からなることで、アルカリ処理に対する耐性を付与できる。

以下に（Ｉ）項に関する説明をする。本発明における、Ｓ元素、および、金属イオンを、いずれも含まない親水性官能基（Ａ）とは例えば、ヒドロキシル基、カルボン酸基、リン酸基、アミノ基、４級アンモニウム塩基等、が挙げられ、これらを１種類または２種以上混合していても良い。これら官能基のうち、アルカリ処理に対する耐性の観点からカルボン酸基を好ましくは使用することができる。一方、前記親水性官能基（Ａ）とは異なりＳ元素、および、金属イオンの少なくとも一方を有する親水性官能基としては、スルホン酸基、またスルホン酸基や前記親水性官能基（Ａ）に例示した官能基の一部がＮａ^＋、Ｋ^＋等のカウンターカチオンを有した状態（例えば、−ＯＮａ、−ＣＯＯＮａ、−ＳＯ_３Ｎａなど）が挙げられ、これらを１種類または２種以上混合していても良い。本発明の下地層には、前記親水性官能基（Ａ）を有していれば、Ｓ元素、および、金属イオンの少なくとも一方を有する親水性官能基を有していても、アルカリ処理に対する耐性を付与することができる。従って、前記親水性官能基（Ａ）のみを有していても良く、または、前記親水性官能基（Ａ）とＳ元素、および、金属イオンの少なくとも一方を有する親水性官能基を混合で有していても良い。

以下に（ＩＩ）項に関する説明をする。本発明におけるメラミン系架橋剤（Ｂ）は、例えば、メラミン、メラミンとホルムアルデヒドを縮合して得られるメチロール化メラミン誘導体、メチロール化メラミンに低級アルコールを反応させて部分的あるいは完全にエーテル化した化合物、またはこれらの混合物等が挙げられる。また、メラミン系架橋剤（Ｂ）としては、単量体、２量体以上の多量体からなる縮合物、あるいはこれらの混合物などを用いることができる。ここで、上記のエーテル化に用いられる低級アルコールとしては、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール、イゾブタノールなどを挙げることができる。メラミン系架橋剤（Ｂ）中の官能基としては、イミノ基、メチロール基、あるいはメトキシメチル基やブトキシメチル基等のアルコキシメチル基を１分子中に有するものであり、官能基を有するメラミン樹脂としては、イミノ基型メチル化メラミン樹脂、メチロール基型メラミン樹脂、メチロール基型メチル化メラミン樹脂、完全アルキル型メチル化メラミン樹脂などがある。これらの中でも、イミノ基型メラミン樹脂、メチロール化メラミン樹脂が好ましく用いられる。更に、メラミン系架橋剤（Ｂ）の熱硬化を促進するために、例えばｐ−トルエンスルホン酸などの酸性触媒を用いてもよい。

本発明において、下地層における前記Ｓ元素、および、金属イオンを、いずれも含まない親水性官能基（Ａ）がカルボン酸基であり、且つ、側鎖に前記カルボン酸基及びスルホン酸基を有するポリエステル樹脂（Ｃ）を主たる構成成分とする組成物から形成されたものであると、アルカリ処理に対する耐性をさらに付与しやすく好ましい。ここで、下地層を形成するための組成物が、側鎖に前記カルボン酸基及びスルホン酸基を有するポリエステル樹脂（Ｃ）を主たる構成成分とするとは、ポリエステル樹脂（Ｃ）とメラミン系架橋剤（Ｂ）の合計量が、該組成物全成分（溶剤は含まない）１００質量％に対して５０質量％以上含有されることを意味し、好ましくは８０質量％以上含有されることであり、より好ましくは９０質量％以上含有されることである。ポリエステル樹脂（Ｃ）とメラミン系架橋剤（Ｂ）の合計量の上限は、該組成物全成分（溶剤は含まない）１００質量％に対して１００質量％である。

本発明のポリエステル樹脂（Ｃ）は、側鎖にカルボン酸基とスルホン酸基を有する。かかるポリエステル樹脂（Ｃ）は、１分子中の側鎖にカルボン酸基とスルホン酸基を有するポリエステル樹脂（ｃ１）、１分子中の側鎖にカルボン酸基を有するポリエステル樹脂（ｃ２）、及び１分子中の側鎖にスルホン酸基を有するポリエステル樹脂（ｃ３）からなる群より選ばれる少なくとも１種のポリエステル樹脂を用いることによって得られる。例えば、ポリエステル樹脂（Ｃ）の構成として下記の（１）〜（４）の構成が挙げられる。
（１）ポリエステル樹脂（ｃ１）を単独で用いる。
（２）ポリエステル樹脂（ｃ２）とポリエステル樹脂（ｃ３）を組み合わせて用いる。
（３）ポリエステル樹脂（ｃ１）とポリエステル樹脂（ｃ２）を組み合わせて用いる。
（４）ポリエステル樹脂（ｃ１）とポリエステル樹脂（ｃ３）を組み合わせて用いる。
（５）ポリエステル樹脂（ｃ１）、ポリエステル樹脂（ｃ２）、及びポリエステル樹脂（ｃ３）を組み合わせて用いる。

上記の構成例の中でも、（２）及び（３）が好ましく、特に（３）が好ましい。

以下に、上記のポリエステル樹脂（ｃ１）、ポリエステル樹脂（ｃ２）、及びポリエステル樹脂（ｃ３）について詳細に説明する。

一般にポリエステル樹脂とは主鎖あるいは側鎖にエステル結合を有するものであり、本発明のポリエステル樹脂（Ｃ）を構成するポリエステル樹脂も、上記と同様に主鎖あるいは側鎖にエステル結合を有するものである。かかるポリエステル樹脂は、例えば、公知のカルボン酸成分とグリコール成分から重縮合して得ることができる。

かかるポリエステル樹脂を得るために用いられるカルボン酸成分としては、芳香族、脂肪族、脂環族のジカルボン酸が使用できる。芳香族ジカルボン酸としては、テレフタル酸、イソフタル酸、オルソフタル酸、フタル酸、２，５−ジメチルテレフタル酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、ビフェニルジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，２−ビスフェノキシエタン−ｐ，ｐ’−ジカルボン酸、フェニルインダンジカルボン酸などを挙げることができる。下地層の強度や耐熱性の点で、これらの芳香族ジカルボン酸は、ポリエステル樹脂を得るために用いられる全カルボン酸成分１００モル％において３０モル％以上、好ましくは３５モル％以上、更に好ましくは４０モル％以上が望ましい。ポリエステル樹脂を得るために用いられる全カルボン酸成分１００モル％における、芳香族ジカルボン酸の上限は１００モル％である。

脂肪族及び脂環族のジカルボン酸としては、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸、ダイマー酸、１，３−シクロペンタンジカルボン酸、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸など及びそれらのエステル形成性誘導体が挙げられる。

ポリエステル樹脂を得るためのグリコール成分としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、２，４−ジメチル−２−エチルヘキサン−１，３−ジオール、ネオペンチルグリコール、２−エチル−２−ブチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−２−イソブチル−１，３−プロパンジオール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、２，２，４−トリメチル−１，６−ヘキサンジオール、１，２−シクロヘキサンジメタノール、１，３−シクロヘキサンジメタノール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、２，２，４，４−テトラメチル−１，３−シクロブタンジオール、４，４’−チオジフェノール、ビスフェノールＡ、４，４’−メチレンジフェノール、４，４’−（２−ノルボルニリデン）ジフェノール、４，４’−ジヒドロキシビフェノール、ｏ−，ｍ−，及びｐ−ジヒドロキシベンゼン、４，４’−イソプロピリデンフェノール、４，４’−イソプロピリデンビンジオール、シクロペンタン−１，２−ジオール、シクロヘキサン−１，２−ジオール、シクロヘキサン−１，４−ジオールなどを挙げることができる。

側鎖にカルボン酸基とスルホン酸基を有するポリエステル樹脂（Ｃ）に好適に用いられるポリエステル樹脂（ｃ１）は、上記のカルボン酸成分とグリコール成分を用いて得られるポリエステル樹脂に、３価以上の多価カルボン酸及びスルホン酸基を有するジカルボン酸を共重合することによって、あるいはカルボン酸成分としては上記のジカルボン酸に加えて３価以上の多価カルボン酸及びスルホン酸基を有するジカルボン酸を用いることによって得ることができる。

側鎖にカルボン酸基とスルホン酸基を有するポリエステル樹脂（Ｃ）に好適に用いられるポリエステル樹脂（ｃ２）は、上記のカルボン酸成分とグリコール成分を用いて得られるポリエステル樹脂に、３価以上の多価カルボン酸を共重合することによって、あるいはカルボン酸成分としては上記のジカルボン酸に加えて３価以上の多価カルボン酸を用いることによって得ることができる。

側鎖にカルボン酸基とスルホン酸基を有するポリエステル樹脂（Ｃ）に好適に用いられるポリエステル樹脂（ｃ３）は、上記のカルボン酸成分とグリコール成分を用いて得られるポリエステル樹脂に、スルホン酸基を有するジカルボン酸を共重合することによって、あるいはカルボン酸成分としては上記のジカルボン酸に加えてスルホン酸基を有するジカルボン酸を用いることによって得ることができる。

ポリエステル樹脂（ｃ１）及びポリエステル樹脂（ｃ２）を得るために用いられる３価以上の多価カルボン酸としては、例えばトリメリット酸、無水トリメリット酸、ピロメリット酸、無水ピロメリット酸、４−メチルシクロヘキセン−１，２，３−トリカルボン酸、トリメシン酸、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸、１，２，３，４−ペンタンテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフルフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフルフリル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸、エチレングリコールビストリメリテート、２，２’，３，３’−ジフェニルテトラカルボン酸、チオフェン−２，３，４，５−テトラカルボン酸、エチレンテトラカルボン酸などあるいはこれらのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩が挙げられるが、これに限定されるものではない。

ポリエステル樹脂（ｃ１）及びポリエステル樹脂（ｃ３）を得るために用いられるスルホン酸基を有するジカルボン酸としては、スルホテレフタル酸、５−スルホイソフタル酸、２−スルホイソフタル酸、４−スルホイソフタル酸、４−スルホナフタレン−２，６−ジカルボン酸、及びこれらのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩等を挙げることができる。これらの中でも、５−スルホイソフタル酸、スルホテレフタル酸のリチウム、ナトリウム、カリウム塩がより好ましく用いられる。

ポリエステル樹脂（ｃ１）における３価以上の多価カルボン酸の使用割合は、全カルボン酸成分１００モル％に対して５モル％以上６０モル％以下の範囲が好ましく、１０モル％以上４０モル％以下の範囲がより好ましい。ポリエステル樹脂（ｃ１）におけるスルホン酸基を有するジカルボン酸の使用割合は、全カルボン酸成分１００モル％に対して３モル％以上３０モル％以下の範囲が好ましく、特に５モル％を越えて１５モル％以下が好ましい。

ポリエステル樹脂（ｃ２）における３価以上の多価カルボン酸の使用割合は、全カルボン酸成分１００モル％に対して５モル％以上６０モル％以下の範囲が好ましく、１０モル％以上４０モル％以下の範囲がより好ましい。

ポリエステル樹脂（ｃ３）におけるスルホン酸基を有するジカルボン酸の使用割合は、全カルボン酸成分１００モル％に対して３モル％以上３０モル％以下の範囲が好ましく、特に５モル％を越えて１５モル％以下が好ましい。

ポリエステル樹脂（ｃ１）のガラス転移点は、４０〜１５０℃の範囲が好ましく、５０〜１３０℃の範囲がより好ましい。ポリエステル樹脂（ｃ２）のガラス転移点は、４０〜１１０℃の範囲が好ましく、４５〜９５℃の範囲がより好ましい。ポリエステル樹脂（ｃ３）のガラス転移点は、８０〜１５０℃の範囲が好ましく、１００〜１３０℃の範囲がより好ましい。

本発明のポリエステル樹脂（Ｃ）は、上記したように、ポリエステル樹脂（ｃ１）、ポリエステル樹脂（ｃ２）、及びポリエステル樹脂（ｃ３）からなる群より選ばれる少なくとも１種のポリエステル樹脂を用いて構成されるが、これらのポリエステル樹脂で構成されるポリエステル樹脂（Ｃ）としては、ポリエステル樹脂（Ｃ）を得るために用いられる全カルボン酸成分１００モル％に対して、３価以上の多価カルボン酸の割合は、５モル％以上６０モル％以下の範囲が好ましく、１０モル％以上４０モル％以下の範囲がより好ましい。一方、ポリエステル樹脂（Ｃ）におけるスルホン酸基を有するジカルボン酸の割合は、ポリエステル樹脂（Ｃ）を得るために用いられる全カルボン酸成分１００モル％に対して、３モル％以上３０モル％以下の範囲が好ましく、特に５モル％を越えて１５モル％以下が好ましい。

本発明のポリエステル樹脂は、従来から公知の製造技術によって製造することができる。例えば、特開昭５４−４６２９４号公報、特開昭６０−２０９０７３号公報、特開昭６２−２４０３１８号公報、特開昭５３−２６８２８号公報、特開昭５３−２６８２９号公報、特開昭５３−９８３３６号公報、特開昭５６−１１６７１８号公報、特開昭６１−１２４６８４号公報、特開昭６２−２４０３１８号公報などに記載の方法で製造することができるが、これら以外の方法であってもよい。

本発明の下地層を形成するための組成物におけるポリエステル樹脂（Ｃ）の含有比率は、組成物１００質量％に対して３０質量％以上８０質量％以下の範囲が好ましく、４０質量％以上７０質量％以下の範囲がより好ましい。

また、本発明の下地層を形成するための組成物には、本発明の効果を阻害しない範囲内で、他の樹脂、例えばポリエステル樹脂（Ｃ）以外のポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂などを配合してもよい。この場合、他の樹脂の配合比率は、ポリエステル樹脂１００質量部に対して１０質量部以下が好ましい。

本発明において、下地層を形成するために用いられる組成物におけるポリエステル樹脂（Ｃ）とメラミン系架橋剤（Ｂ）の比率は、ポリエステル樹脂（Ｃ）１００質量部に対して、メラミン系架橋剤（Ｂ）を２０質量部以上１００質量部以下の範囲で用いるのが好ましく、特に４０質量部を越えて７５質量部未満の範囲でメラミン系架橋剤（Ｂ）を用いることが好ましい。

更に、下地層を形成するための組成物には、本発明の効果を阻害しない範囲内で公知の添加剤、例えば酸化防止剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、紫外線吸収剤、有機の易滑剤、顔料、染料、有機または無機の微粒子、充填剤、帯電防止剤、核剤などを配合してもよい。特に、下地層を形成するための組成物中に無機粒子を添加配合し二軸延伸したものは、易滑性が向上するので更に好ましい。

添加する無機粒子としては例えば、シリカ、コロイダルシリカ、アルミナ、アルミナゾル、カオリン、タルク、マイカ、炭酸カルシウム等を挙げることができる。無機粒子は平均粒径０．０１μｍ〜１０μｍが好ましく、より好ましくは０．０５〜５μｍ、更に好ましくは０．０８〜２μｍである。無機微粒子の配合量は、下地層を形成するための組成物の全成分１００質量％に対して、０．１〜３質量％の範囲が好ましい。

本発明の導電積層体は、線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電成分を含む導電層を有する。上記導電層を設けない場合は、導電性を示さない。

本発明における線状構造体とは短軸の長さと長軸の長さの比、すなわちアスペクト比＝長軸の長さ／短軸の長さが１より大きい構造体のことである（一方、例えば球状はアスペクト比＝１である。）。線状構造体としては、例えば、繊維状導電体、ウィスカーのような針状導電体等が挙げられる。前記短軸及び長軸の長さは、線状構造体の種類によっても異なるため一義的に限定することはできないが、短軸の長さは形成するパターンよりも小さく１ｎｍ〜１０００ｎｍ（１μｍ）が好ましく、また長軸の長さは短軸の長さに対し、前記アスペクト比＝長軸の長さ／短軸の長さが１より大きくなるような長さであれば良く１μｍ〜１００μｍ（０．１ｍｍ）が好ましい。

前記、繊維状導電体としては、炭素系繊維状導電体、金属系繊維状導電体、金属酸化物系繊維状導電体などが挙げられる。炭素系繊維状導電体としては、ポリアクリルニトリル系炭素繊維、ピッチ系炭素繊維、レーヨン系炭素繊維、ガラス状カーボン、ＣＮＴ、カーボンナノコイル、カーボンナノワイヤー、カーボンナノファイバー、カーボンウィスカー、グラファイトフィブリルなどが挙げられる。金属系繊維状導電体としては、金、白金、銀、ニッケル、シリコン、ステンレス鋼、銅、黄銅、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、オスミウム、コバルト、亜鉛、スカンジウム、ホウ素、ガリウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム、錫、マグネシウムなどから製造される繊維状であったりナノワイヤー状の金属および合金などが挙げられる。金属酸化物系繊維状導電体としては、ＩｎＯ_２、ＩｎＯ_２Ｓｎ、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２−Ｓｂ_２Ｏ_４、ＳｎＯ_２−Ｖ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２（Ｓｎ／Ｓｂ）Ｏ_２、ＳｉＯ_２（Ｓｎ／Ｓｂ）Ｏ_２、Ｋ_２Ｏ−ｎＴｉＯ_２−（Ｓｎ／Ｓｂ）Ｏ_２、Ｋ_２Ｏ−ｎＴｉＯ_２−Ｃなどから製造された繊維状であったり、ナノワイヤー状の金属酸化物および金属酸化物複合体などが挙げられる。尚、ナノワイヤーとは、前述のアスペクト比＝長軸の長さ／短軸の長さが１より大きく、さらに図２における符号８に例示している通り、弧の形状をしている構造体である。また繊維状とは図２における符号６に例示している通り、直線部及び屈曲部を有する構造体である。これらは表面処理を施されていてもよい。さらに、植物繊維、合成繊維、無機繊維などの非金属材料の表面に前記金属、前記金属酸化物またはＣＮＴでコーティングまたは蒸着したものも繊維状導電体に含まれる。

前記ウィスカーのような針状導電体とは、金属、炭素系化合物、金属酸化物などからなる化合物である。金属としては、元素の短周期型周期律表におけるＩＩＡ属、ＩＩＩＡ属、ＩＶＡ属、ＶＡ属、ＶＩＡ属、ＶＩＩＡ属、ＶＩＩＩ属、ＩＢ属、ＩＩＢ属、ＩＩＩＢ属、ＩＶＢ属またはＶＢ属に属する元素が挙げられる。具体的には、金、白金、銀、ニッケル、ステンレス鋼、銅、黄銅、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、マンガン、アンチモン、パラジウム、ビスマス、テクネチウム、レニウム、鉄、オスミウム、コバルト、亜鉛、スカンジウム、ホウ素、ガリウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム、テルル、錫、マグネシウムや、これらを含む合金が挙げられる。炭素系化合物としては、カーボンナノホーン、フラーレン、グラフェンなどが挙げられる。金属酸化物としては、ＩｎＯ_２、ＩｎＯ_２Ｓｎ、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２−Ｓｂ_２Ｏ_４、ＳｎＯ_２−Ｖ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２（Ｓｎ／Ｓｂ）Ｏ_２、ＳｉＯ_２（Ｓｎ／Ｓｂ）Ｏ_２、Ｋ_２Ｏ−ｎＴｉＯ_２−（Ｓｎ／Ｓｂ）Ｏ_２、Ｋ_２Ｏ−ｎＴｉＯ_２−Ｃなどが挙げられる。これら線状構造体のうち、透明性等の光学特性、導電性等の観点から銀ナノワイヤーもしくはＣＮＴを好ましく使用することができる。

前記線状構造体の一例としてＣＮＴについて説明する。本発明において、導電層の成分に用いられるＣＮＴは、単層ＣＮＴ、二層ＣＮＴ、三層以上の多層ＣＮＴのいずれでもよい。直径が０．３〜１００ｎｍ、長さ０．１〜２０μｍ程度のものが好ましく用いられる。尚、後述する導電積層体の透明性を高め、表面抵抗値を低減するためには、直径１０ｎｍ以下、長さ１〜１０μｍの単層ＣＮＴ、二層ＣＮＴがより好ましい。また、ＣＮＴの集合体にはアモルファスカーボンや触媒金属などの不純物は極力含まれないことが好ましい。これら不純物が含まれる場合は、酸処理や加熱処理などによって適宜精製することができる。このＣＮＴは、アーク放電法、レーザーアブレーション法、触媒化学気相法（化学気相法の中で担体に遷移金属を担持した触媒を用いる方法）などによって合成、製造されるが、なかでも生産性よくアモルファスカーボン等の不純物の生成を少なくできる触媒化学気相法が好ましい。

本発明において、ＣＮＴ分散液を塗布して導電層を形成することができる。ＣＮＴ分散液を得るには、ＣＮＴを溶媒とともに、混合分散機や超音波照射装置によって分散処理を行うことが一般的であり、さらに分散剤を添加することが望ましい。

分散剤としては、ＣＮＴが分散できれば特に限定はないが、ＣＮＴ分散液を基材上に塗布、乾燥させたＣＮＴを含有する導電層の基材との密着性、膜の硬度、耐擦過性の点で、合成高分子、天然高分子のポリマーを選択することが好ましい。さらに、分散性を損なわない範囲で架橋剤を添加してもよい。

合成高分子は、例えば、ポリエーテルジオール、ポリエステルジオール、ポリカーボネートジオール、ポリビニルアルコール、部分けん化ポリビニルアルコール、アセトアセチル基変性ポリビニルアルコール、アセタール基変性ポリビニルアルコール、ブチラール基変性ポリビニルアルコール、シラノール基変性ポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、エチレン−ビニルアルコール−酢酸ビニル共重合樹脂、ジメチルアミノエチルアクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ系樹脂、フェノキシ樹脂、変性フェノキシ系樹脂、フェノキシエーテル樹脂、フェノキシエステル樹脂、フッ素系樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、フェノール樹脂、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリエチレングリコール、ポリビニルピロリドンである。天然高分子は、例えば、多糖類であるデンプン、プルラン、デキストラン、デキストリン、グアーガム、キサンタンガム、アミロース、アミロペクチン、アルギン酸、アラビアガム、カラギーナン、コンドロイチン硫酸、ヒアルロン酸、カードラン、キチン、キトサン、セルロースおよびその誘導体から選択できる。誘導体とはエステルやエーテルなどの従来公知の化合物を意味する。これらは、１種または２種以上を混合して用いることができる。中でも、ＣＮＴの分散性に優れることから、多糖類ならびにその誘導体が好ましい。さらにセルロースならびにその誘導体が、膜形成能が高く好ましい。中でもエステルやエーテル誘導体が好ましく、具体的には、カルボキシメチルセルロースやその塩などが好適である。

また、ＣＮＴと前記分散剤との配合比を調整することも可能である。ＣＮＴと分散剤の配合比は、基材との密着性、硬度、耐擦過性に問題のない配合比が好ましい。具体的には、ＣＮＴが導電層全体に対し１０質量％〜９０質量％の範囲にあることが好ましい。より好ましくは、３０質量％〜７０質量％の範囲である。ＣＮＴが１０質量％以上であると、タッチパネルに必要な導電性が得られ易く、またさらに、基材表面に塗布する際にはじくことなく均一に塗布しやすくなり、ひいては良好な外観・品位を有する導電積層体を生産性良く供給することができる。９０質量％以下であると、ＣＮＴの溶媒中での分散性が良化、凝集し難くなり、良好なＣＮＴ塗布層が得られ易くなり、生産性が良いので好ましい。さらに塗布膜も強固で、生産工程中に擦過傷が発生し難くなり、表面抵抗値の均一性を維持できるので好ましい。

また、前記線状構造体として挙げられる金属や金属酸化物のナノワイヤーは、特表２００９−５０５３５８号公報、特開２００９−１４６７４７号公報、特開２００９−７０６６０号公報に開示されており、また、ウィスカーのような針状導電体としては、例えば、チタン酸カリウム繊維とスズ及びアンチモン系酸化物の複合化合物であるデントールＷＫシリーズ（大塚化学（株）製）のＷＫ２００Ｂ、ＷＫ３００Ｒ、ＷＫ５００や、二酸化ケイ素繊維とスズ及びアンチモン系酸化物の複合化合物であるデントールＴＭシリーズ（大塚化学（株）製）のＴＭ１００等が市販されており、前記線状構造体を単独、又は複数を組み合わせて混合させ使用することができ、さらに、必要に応じて他のマイクロ〜ナノサイズの導電性材料を添加しても良く、特にこれらに限定されるものではない。

本発明において、線状構造体は導電層中においてネットワーク構造で存在している。ネットワーク構造となることで、保護層側の面方向への導電パスが増え、導電積層体の保護層側を低い表面抵抗値に調整しやすく、また、除去剤中の酸成分がネットワーク構造を伝って侵食することで、より選択的に線状構造体を侵食することでさらに保護層が残りやすくなり、熱に対してより良好な耐久性を有することができる。本発明におけるネットワーク構造とは、少なくとも１つの接点で線状構造体同士が接していることで、最も小さいネットワーク構造は２本の線状構造体が、ある一接点を有している場合である。接点は線状構造体のいかなる部分同士で形成されていてもよく、線状構造体の末端部同士が接していたり、末端と線状構造体の末端以外の部分が接していたり、線状構造体の末端以外の部分同士が接していてもよく、また、接するとはその接点が接合していても、単に接触しているだけでもよい。ネットワーク構造は、後述する方法にて観察することができるが、特に限定されるものではない。

本発明の導電積層体は、保護層を積層する必要がある。保護層を積層することで、アルカリ処理に対する耐性を付与できる。保護層の成分としては、有機または無機系の高分子化合物などが挙げられる。

無機系高分子化合物としては、無機系の酸化物等が挙げられ、例えば、珪素酸化物である、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシランなどのテトラアルコシシラン類、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｉ−プロピルトリメトキシシラン、ｉ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ペンチルトリメトキシシラン、ｎ−ペンチルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘプチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、３，３，３−トリフロロプロピルトリメトキシシラン、３，３，３−トリフロロプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、２−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、２−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン等のトリアルコキシシラン類、メチルトリアセチルオキシシラン、メチルトリフェノキシシランなどのオルガノアルコシシランのアルコール、水、酸などから、加水分解・重合反応によって形成させるゾル−ゲルコーティング膜、珪素酸化物のスパッタ蒸着膜などが使用できる。

有機系高分子化合物としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂などが挙げられ、可視光透過性、基材の耐熱性、ガラス転移点および膜硬度などの観点から、適宜選択することができる。これら樹脂として、例えば、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ナイロンやベンゾグアナミン等のポリアミド系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエチレンやポリプロピレン等のオレフィン系樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂、ポリ塩化ビニルやポリ塩化ビニリデン等の塩素元素（Ｃｌ元素）を含有する樹脂、フッ素元素（Ｆ元素）を含有する樹脂、シリコーン系樹脂、等の有機系の高分子化合物やその他無機系化合物が挙げられるが、これらを要求する特性や生産性等をふまえ少なくとも１種類を任意に選択し、またこれらを２種以上混合しても良いが、本発明の導電積層体に使用する保護層が下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）を満たすことがより好ましい。下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）を満たすことで、アルカリ処理に対する耐性をより容易に付与しやすくなる。
（ｉ）構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物が重合反応した構造を含む高分子からなる。
（ｉｉ）保護層の全質量に対する前記炭素−炭素二重結合基由来の構造の炭素−炭素二重結合基の単位構造（＞Ｃ＝Ｃ＜：式量２４）部分の質量含有率が９質量％以上である。
（ｉｉｉ）ＦＴ−ＩＲ法にて求めた前記炭素−炭素二重結合の伸縮振動のピーク強度ν１と炭素−水素単結合（Ｃ−Ｈ）の伸縮振動のピーク強度ν２の比ν１／ν２がν１／ν２≦０．３である。

以下に（ｉ）項に関する説明をする。本発明の保護層が、構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物が重合反応した構造を含む高分子からなると、架橋点を形成して保護層内の自由空間が小さくなり、アルカリ成分の移動を制限し通過を阻害することでアルカリ処理に対する耐性をより容易に付与しやすくなる。保護層の前記高分子は、構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を含む官能基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマーからなる組成物を、該炭素−炭素二重結合基内の炭素−炭素二重結合を反応点として別のモノマー、オリゴマー、ポリマーの炭素−炭素二重結合基と結合反応することで炭素−炭素単結合を形成して得られた高分子化合物である。前記炭素−炭素二重結合基を含む官能基としては、例えば、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、メタクリル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基、アリリデン基、アリリジン基、ビニルエーテル基、また、炭素−炭素二重結合基の炭素にハロゲン元素（例えば、フッ素や塩素等）や芳香環を有する置換基（例えばフェニル基やナフチル基等）等が結合したもの、例えば、フッ化ビニル基やフッ化ビニリデン基、塩化ビニル基や塩化ビニリデン基、また芳香環としてフェニル基（ベンゼン環）を有するスチリル基等、イソプロペニル基、イソペンテニル基、ブタジエニル基（例えば、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｒ_１）−Ｃ（Ｒ_２）＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｒ_１）−Ｃ（＝ＣＨ_２）−（Ｒ_１、Ｒ_２はＨまたはＣＨ_３））のように共役ポリエン構造を有するもので、前記Ｒ_１＝Ｈの場合ビニル基を有し、Ｒ_１＝ＣＨ_３の場合ビニリデン基を有するような官能基、等が挙げられる。これらを要求する特性や生産性等をふまえて、１種類または２種以上混合して使用する。

構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物としては、例えば、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ペンタエリスリトールエトキシトリアクリレート、ペンタエリスリトールエトキシトリメタクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラアクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールトリメタクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリアクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリメタクリレート、ジトリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパントリメタクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラメタクリレート、グリセリンプロポキシトリアクリレート、グリセリンプロポキシトリメタクリレート、また、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環等の環状骨格を分子構造内に一部有する、トリアクリレート・トリメタクリレート・テトラアクリレート・テトラメタクリレート・ペンタアクリレート・ペンタメタクリレート・ヘキサアクリレート・ヘキサメタクリレートのいずれか等、また上記化合物の一部構造を変性した化合物、例えば２−ヒドロキシプロパン酸等で変性した２−ヒドロキシプロパン酸変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、２−ヒドロキシプロパン酸変性ペンタエリスリトールトリメタクリレート、２−ヒドロキシプロパン酸変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート、２−ヒドロキシプロパン酸変性ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、また、シリコーン骨格を導入したシリコーントリアクリレート、シリコーントリメタクリレート、シリコーンテトラアクリレート、シリコーンテトラメタクリレート、シリコーンペンタアクリレート、シリコーンペンタメタクリレート、シリコーンヘキサアクリレート、シリコーンヘキサメタクリレート、さらに骨格内にビニル基及び／又はビニリデン基と共にその他骨格を有するもの、例えばウレタン骨格を有するウレタントリアクリレート、ウレタントリメタクリレート、ウレタンテトラアクリレート、ウレタンテトラメタクリレート、ウレタンペンタアクリレート、ウレタンペンタメタクリレート、ウレタンヘキサアクリレート、ウレタンヘキサメタクリレート、エーテル骨格を有するポリエーテルトリアクリレート、ポリエーテルトリメタクリレート、ポリエーテルテトラアクリレート、ポリエーテルテトラメタクリレート、ポリエーテルペンタアクリレート、ポリエーテルペンタメタクリレート、ポリエーテルヘキサアクリレート、ポリエーテルヘキサメタクリレート、エポキシ由来の骨格を有するエポキシトリアクリレート、エポキシトリメタクリレート、エポキシテトラアクリレート、エポキシテトラメタクリレート、エポキシペンタアクリレート、エポキシペンタメタクリレート、エポキシヘキサアクリレート、エポキシヘキサメタクリレート、エステル骨格を有するポリエステルトリアクリレート、ポリエステルトリメタクリレート、ポリエステルテトラアクリレート、ポリエステルテトラメタクリレート、ポリエステルペンタアクリレート、ポリエステルペンタメタクリレート、ポリエステルヘキサアクリレート、ポリエステルヘキサメタクリレート等が挙げられ、これらを用途や要求する特性や生産性等をふまえて、少なくとももしくは２種以上混合した組成物、またこれら単体もしくは２種以上が共重合した２量体以上のオリゴマーから形成される組成物を使用することができるが、特にこれらに限定されるものではない。これら化合物のうち、重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基部分を分子内に４個以上、すなわち４官能以上の化合物が、アルカリ処理に対する耐性をより付与しやすく、特に好ましく用いることができる。４官能以上の化合物は、例えば、前記２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物のうちの、４官能のテトラアクリレート、テトラメタクリレート、５官能のペンタアクリレート、ペンタメタクリレート、６官能のヘキサアクリレート、ヘキサメタクリレート、のものが挙げられ、さらに７官能以上のものでもよい。

これら化合物は、具体的に市販されているものとして例えば、共栄社化学（株）製のライトアクリレートシリーズ、ライトエステルシリーズ、エポキシエステルシリーズ、ウレタンアクリレートＡＨシリーズ、ウレタンアクリレートＡＴシリーズ、ウレタンアクリレートＵＡシリーズ、ダイセル・サイテック（株）製のＥＢＥＣＲＹＬシリーズ、ＰＥＴＩＡ、ＴＭＰＴＡ、ＴＭＰＥＯＴＡ、ＯＴＡ ４８０、ＤＰＨＡ、ＰＥＴＡ−Ｋ、綜研化学（株）製のフルキュアシリーズ、東洋インキ製造（株）製のＬＩＯＤＵＲＡＳ（リオデュラス）（登録商標）シリーズ、中国塗料（株）製のフォルシードシリーズ、マツイカガク（株）製のＥＸＰシリーズ、ダイセル・サイテック（株）製のＥＢＥＣＲＹＬ１３６０、信越化学（株）製のルＸ−１２−２４５６シリーズ等が挙げられる。

以下に（ｉｉ）項に関する説明をする。本発明における保護層が、前記構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物が重合反応した構造を含む高分子からなり、且つ、保護層の全質量に対する前記炭素−炭素二重結合基由来の構造の炭素−炭素二重結合基の単位構造（＞Ｃ＝Ｃ＜：式量２４）部分の質量含有率（以下、架橋単位構造質量含有率とする。）が９質量％以上であると、架橋点を形成するための部分を多数存在させることができ、アルカリ成分の通過を阻害する架橋点が多くなり、アルカリ処理に対する耐性をより容易に付与しやすくなる。架橋単位構造質量含有率は、好ましくは１９質量％以上、より好ましくは２１質量％以上である。１９質量％以上であると架橋点が多くなり、保護層の架橋構造がより緻密になることで、アルカリ処理に対してより高い耐性付与することができる。２１質量％以上であると、架橋構造がより緻密になり、高いを耐性付与したまま保護層を薄くすることができるため、導電積層体の光学特性が改善したり生産性が向上するため好ましい。本発明において保護層は、構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を含む官能基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマーからなる組成物を、該炭素−炭素二重結合基内の炭素−炭素二重結合を反応点として別のモノマー、オリゴマー、ポリマーの炭素−炭素二重結合基と結合反応することで炭素−炭素単結合を形成して得られた高分子化合物である。従って、本発明における架橋単位構造質量含有率とは、反応した炭素−炭素二重結合基部分を後述する方法にて反応前の炭素−炭素二重結合基の単位構造（＞Ｃ＝Ｃ＜：式量２４）に由来する部分として特定し、上記単位構造（＞Ｃ＝Ｃ＜：式量２４）の含有量として算出することで得られた値と未反応の上記単位構造（＞Ｃ＝Ｃ＜：式量２４）の含有量との和を指すものとする。尚、保護層の架橋単位構造質量含有率は後述する方法にて求める。

以下に（ｉｉ）項に関する説明をする。本発明における保護層が、ＦＴ−ＩＲ法にて求めた前記炭素−炭素二重結合の伸縮振動のピーク強度ν１と炭素−水素単結合（Ｃ−Ｈ）の伸縮振動のピーク強度ν２の比ν１／ν２がν１／ν２≦０．３である。ν１／ν２がν１／ν２≦０．３であると、前記炭素−炭素二重結合基が充分に反応し架橋点が多数形成した保護層となり、アルカリ成分の移動を制限し通過を阻害することでアルカリ処理に対する耐性をより容易に付与しやすくなる。ν１／ν２は好ましくはν１／ν２≦０．２、さらに好ましくはν１／ν２≦０．１６である。ν１／ν２≦０．２であると、アルカリ処理に対してより高い耐性付与することができる。さらに、ν１／ν２≦０．１６であると高い耐性を付与したまま保護層を薄くすることができるため、導電積層体の光学特性が改善したり生産性が向上するため好ましい。尚、ν１は及びν２は、基材に由来するピークに重ならない波数領域のものを選択する。炭素−炭素二重結合の伸縮振動のピークは、例えば１６５０〜１６００ｃｍ^−１の波数領域のもの、また、炭素−水素単結合（Ｃ−Ｈ）の伸縮振動のピークは、例えば３０００〜２８００ｃｍ^−１の波数領域のものを選択し、各波数領域に存在するピークの極大値をν１及びν２の値とする。

ここで保護層の炭素−炭素二重結合の伸縮振動のピーク強度ν１と炭素−水素単結合（Ｃ−Ｈ）の伸縮振動のピーク強度ν２はＦＴ−ＩＲ法のうちＦＴ−ＩＲ−ＡＴＲ（減衰全反射、Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ Ｔｏｔａｌ Ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ）法にて後述する方法にて求める。

本発明における保護層は、好ましくはＳ元素、Ｐ元素、金属元素、金属イオン、および、官能基を構成するＮ元素を、いずれも含まない高分子化合物を用いてなることがより好ましい。Ｓ元素、Ｐ元素、Ｎ元素はその電子軌道状態からその他元素と結合しない電子対を有することがあったり、金属イオンとイオン結合を有する官能基（例えば、−ＯＮａ、−ＣＯＯＮａ、−ＳＯ_３Ｎａなど）を形成したりし、また金属元素は配位結合を形成することがある。それらその他元素と結合しない電子対、イオン結合、配位結合は、アルカリ成分と容易に作用してしまい、Ｓ元素、Ｐ元素、金属元素、金属イオン、または、官能基を構成するＮ元素がもともと結合していた元素との結合を容易に切断・開裂してしまい、耐アルカリ性を低下させてしまう場合があると推定している。従って、これらＳ元素、Ｐ元素、金属元素、金属イオン、および、官能基を構成するＮ元素を、いずれも含まない高分子化合物を用いると、アルカリ処理に対する耐性をさらに付与しやすくなり、高い耐性を付与したまま保護層を薄くすることができるため、導電積層体の光学特性が改善したり生産性を向上させることができる。

本発明において保護層の架橋構造を形成する方法として、前述の構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物を加熱硬化したり、紫外光、可視光、電子線等の活性電子線を照射して光硬化させる方法がある。熱硬化の場合は熱エネルギーが硬化反応のドライビングフォースであるため、モノマーやオリゴマーをより多官能にすると反応するのに時間を要するので硬化時間を長くする等の対処が必要な場合がある、一方、光硬化の場合は、光開始剤を含有し、そこに前記活性電子線を照射することで発生する開始種によって連鎖的に容易に反応が進行するため、硬化時間が短い等の理由からより好ましい。

ここで、光開始剤とは、紫外領域の光、可視領域の光、電子線等の活性電子線を吸収し、反応の開始種であるラジカル種、カチオン種、アニオン種等の活性種を生成し、前述の構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物の反応を開始する物質である。

本発明においては、使用する前記活性電子線の種類から光開始剤を１種のみ単独で使用してもよいが、より好ましくは極大吸収波長の値が各々２０ｎｍ以上異なる光開始剤を２種以上選定し含有させて使用することが好ましい。

その理由を以下に示す。例えば開始種がラジカル種である場合を挙げると、ラジカル種は非常に反応性が高い一方、その高い反応性が故に前述の構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物と反応する前にラジカルが失活してしまう場合があり、架橋構造の形成が思うように進行しない場合がある。ところが、前記活性電子線を放出するランプ等の放出体からは、実際は単一波長のみを放出しているわけではなく様々な波長を放出しているおり、極大吸収波長の差が２０ｎｍ以上の光開始剤を２種以上混合することで、より広い領域の波長を吸収することができ、結果、放出した活性電子線を効率よく捕捉・使用することで、大気下であっても充分に硬化反応を進行させ得ることができる。従って、光開始剤を３種以上含有する場合は、それぞれの極大吸収波長の差が２０ｎｍ以上であるとさらに効果的である。

尚、ここでいう極大吸収波長とは、光開始剤を可溶な溶剤に溶解させた際の紫外可視分光光度法（ＵＶ−Ｖｉｓ）より求めた吸収スペクトルの極大値における波長のことである。また、極大値が複数ある場合は以下を極大吸収波長とする。光路長１ｃｍにて求めた吸収スペクトルにおける２００〜４００ｎｍの領域に存在する複数の極大値の内、最も吸光度の大きい極大値における波長を極大吸収波長とする。ここで、溶剤に溶解させた際の光開始剤の濃度が高すぎると、前記最も吸光度の大きい極大値が使用する装置の検出限界を越えてしまい、あたかもその前記最も吸光度の大きい極大値が無いように観察されてしまうことがあるので、適宜光開始剤の濃度を変えて同様に測定し、各同濃度において相対的に最も吸光度の大きい極大値における波長を極大吸収波長とする。極大吸収波長の値の差が２０ｎｍ未満の場合は、混合した光開始剤の吸収帯の重なってしまう領域が存在し、あたかも１種の光開始剤のみと同等の効果しか得られないと推定している。また、前記反応の開始種は大気中の酸素とも容易に作用して失活しやすいため、その酸素阻害を抑制するために、窒素やアルゴン等の不活性ガスにて置換した雰囲気下や酸素脱気した雰囲気下等の酸素濃度を低くした特定の雰囲気下で保護層の架橋構造を形成する方法も有効であり、酸素濃度を低くした特定の雰囲気下にて、極大吸収波長の値が各々２０ｎｍ以上異なる光開始剤を２種以上選定し含有させて使用することが特に好ましい。

使用可能な光開始剤としては例えば、ベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、４−フェニルベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系、ベンジルジメチルケタールなどのベンゾイン系、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２−メチル１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モリフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１などのα−ヒドロキシケトン系やα−アミノケトン系、イソプロピルチオキサントン、２−４−ジエチルチオキサントンなどのチオキサントン系、メチルフェニルグリオキシレートなどが使用でき、極大吸収波長の値、吸光度、色見、着色度合い等の観点から、これら光開始剤のうち好ましく使用することができる。好ましく用いられるものは、例えば市販品としては、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトンとしてＣｉｂａ（登録商標）ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）１８４（チバ・ジャパン（株）製）、２−メチル１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モリフォリノプロパン−１−オンとしてＣｉｂａ（登録商標）ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）９０７（チバ・ジャパン（株）製）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１としてＣｉｂａ（登録商標）ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）３６９（チバ・ジャパン（株）製）等が挙げられる。

本発明においては、保護層の平均厚みは１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。平均厚みが１０００ｎｍより厚いと、導電側（本発明では導電層及び保護層が積層されている側）表層の線状構造体が少なくなり、導電性の低下、所望の表面抵抗値を達成しづらくなる、等の問題で電極部材として使用に制限が生じる場合があるが保護層の平均厚みを１０００ｎｍ以下とすることで、導電成分の導電性を妨げず、抵抗値の異常な上昇や導通不良のない導電積層体となる。また保護層の平均厚みが１００ｎｍ未満である場合は、アルカリ処理に対し耐性が低下する場合がある。保護層の平均厚みは、線状構造体の径や保護層の成分にも依存するため一義的に限定することはできないが、好ましくはｔ≦５００ｎｍであるとアルカリ処理に対する耐性が高く、ｔ≦３５０ｎｍであるとアルカリ処理に対する耐性を有しつつ低い表面抵抗値がさらに得やすくなり、さらにｔ≦２５０ｎｍであると導電成分の導電性が多少高いものであっても、導電積層体が安定して低い表面抵抗値となりやすい。

本発明にかかる導電積層体は、前記導電層側から入射した際のＪＩＳ Ｋ７３６１−１（１９９７年）に基づいた全光線透過率が８０％以上である透明導電積層体であることが好ましい。本発明の導電積層体を透明導電積層体として組み込んだタッチパネルは、優れた透明性を示し、この透明導電積層体を用いたタッチパネルの下層に設けたディスプレイの表示を鮮やかに認識することができる。本発明における透明性とは、前記導電層側から入射した際のＪＩＳ Ｋ７３６１−１（１９９７年）に基づいた全光線透過率が８０％以上であることを意味し、好ましくは８５％以上、より好ましくは９０％以上である。全光線透過率を上げるための方法としては、例えば、使用する基材の全光線透過率を上げる方法、前記導電層の膜厚をより薄くする方法、また、保護層が光学干渉膜となるように積層する方法等が挙げられる。

基材の全光線透過率を上げる方法としては、基材の厚みを薄くする方法、あるいは全光線透過率の大きな材質の基材を選定する方法が挙げられる。本発明の透明導電積層体における基材は、可視光線の全光線透過率が高い基材が好適に使用でき、具体的にはＪＩＳ Ｋ７３６１−１（１９９７年）に基づいた全光線透過率が８０％以上のもの、より好ましくは９０％以上の透明性を有しているものである。具体的には例えば透明な樹脂、ガラスなどを挙げることができ、厚み２５０μｍ以下で巻き取り可能なフィルムであっても、厚み２５０μｍを超える基板であっても上記全光線透過率の範囲で有ればよい。コスト、生産性、取り扱い性等の観点からは２５０μｍ以下の樹脂フィルムが好ましく、より好ましくは１９０μｍ以下、さらに好ましくは１５０ｎｍ以下、特に好ましくは１００μｍ以下である。樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、アラミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ乳酸、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系・メタクリル系樹脂、脂環式アクリル樹脂、シクロオレフィン樹脂、トリアセチルセルロース、ＡＢＳ、ポリ酢酸ビニル、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂、ポリ塩化ビニルやポリ塩化ビニリデン等の塩素元素（Ｃｌ元素）を含有する樹脂、フッ素元素（Ｆ元素）を含有する樹脂、シリコーン系樹脂及びこれら樹脂の混合及び／又は共重合したものが挙げられ、例えばその樹脂を未延伸、一軸延伸、二軸延伸してフィルムとすることができる。これら基材のうち、基材への成形性、透明性等の光学特性、生産性当の観点から、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのポリエステルフィルム、またＰＥＮとの混合及び／又は共重合したＰＥＴフィルム、ポリプロピレンフィルムを好ましく使用することができる。

ガラスとしては、通常のソーダガラスを用いることができる。また、これらの複数の基材を組み合わせて用いることもできる。例えば、樹脂とガラスを組み合わせた基材、２種以上の樹脂を積層した基材などの複合基材であってもよい。さらに、基材は、必要に応じ、表面処理を施してあっても良い。表面処理は、グロー放電、コロナ放電、プラズマ処理、火炎処理等の物理的処理、あるいは樹脂層を設けてあっても良い。フィルムの場合、易接着層のあるものでも良い。基材の種類は上述に限定されることはなく、用途に応じて透明性や耐久性や可撓性やコスト等から最適なものを選ぶことができる。

尚、本発明において、前記基材自体がアルカリ処理に対する耐性が劣る場合は、基材に対し導電側（本発明では導電層及び保護層が積層されている側）とは反対の面に、本発明の下地層と保護層と同様の層とを積層することで基材を封止しても良い。

本発明において、基材に下地層を設けるのに好ましい方法の一例として、基材が樹脂フィルムの場合を示す。基材の製造工程中に、本発明のポリエステル樹脂（Ｃ）とメラミン系架橋剤（Ｂ）を主たる構成成分とする組成物を塗布し、基材と共に延伸する方法が最も好適である。例えば溶融押し出しされた結晶配向前の基材を長手方向に２．５〜５倍程度延伸し、塗布する面にコロナ放電処理を施し、連続的にその処理面にポリエステル樹脂（Ｃ）とメラミン系架橋剤（Ｂ）を主たる構成成分とする組成物を塗布する。塗布された基材は段階的に加熱されたゾーンを通過しつつ乾燥され、幅方向に２．５〜５倍程度延伸される。さらに連続的に１５０〜２５０℃の加熱ゾーンに導かれ結晶配向を完了させる方法によって得られる。この場合に用いる組成物は環境汚染や防爆性の点で水系が好ましい。

このような方法によって設けられた下地層は、導電層及び保護層との密着性に優れると同時に、基材との密着性に優れる。

本発明に係る下地層の厚みは、高い密着性を得るという観点から、０．０１〜１μｍの範囲が好ましく、０．０２〜０．５μｍの範囲がより好ましく、特に０．０３〜０．３μｍの範囲が好ましい。

下地層を形成するためのポリエステル樹脂（Ｃ）とメラミン系架橋剤（Ｂ）を主たる構成成分とする組成物の基材への塗布の方法は公知の塗布方法、例えばリバースコート法、グラビアコート法、ロッドコート法、バーコート法、ダイコート法、スプレーコート法などを用いることができる。

次に、保護層が光学干渉膜となるように積層する方法の説明を以下に示す。

導電層は、その導電成分自身の物性により光を反射や吸収する。そのため、基材上に設けた導電層を含む透明導電積層体の全光線透過率を上げるには、保護層が透明な材料で光学干渉膜となるように設け、この光学干渉膜側の波長３８０〜７８０ｎｍでの平均反射率を４％以下に下げることが効果的であり、好ましくは３％以下、より好ましくは２％以下である。平均反射率が４％以下であると、タッチパネル用途などに用いる場合の全光線透過率８０％以上の性能を生産性良く得ることができるので好ましい。

本発明の導電積層体は、線状構造体の導電成分が如何なるものであっても、その導電層側の表面抵抗値が、１×１０^０Ω／□以上、１×１０^４Ω／□以下であることが好ましく、より好ましくは１×１０^１Ω／□以上、１．５×１０^３以下である。この範囲にあることで、タッチパネル用の導電積層体として好ましく用いることができる。すなわち、１×１０^０Ω／□以上であれば消費電力を少なくすることができ、１×１０^４Ω／□以下であれば、タッチパネルの座標読みとりにおける誤差の影響を小さくすることができる。

本発明における導電層、および、保護層を導電層上に形成する方法としては、形成する物質により最適な方法を選択すれば良く、真空蒸着、ＥＢ蒸着、スパッタなどのドライ法、キャスト、スピンコート、ディップコート、バーコート、スプレー、ブレードコート、スリットダイコート、グラビアコート、リバースコート、スクリーン印刷、鋳型塗布、印刷転写、インクジェットなどのウエットコート法等、一般的な方法を挙げることができる。なかでも、導電層、保護層を均一に積層できかつ導電層への傷が入りにくいスリットダイコート、もしくは導電層、保護層を均一にかつ生産性良く形成できるマイクログラビアを使用したウエットコート法が好ましい。

本発明にかかる基材及び／或いは各層には、本発明の効果を阻害しない範囲内で各種の添加剤を添加することができる。添加剤としては、例えば、有機および／又は無機の微粒子、架橋剤、難燃剤、難燃助剤、耐熱安定剤、耐酸化安定剤、レベリング剤、滑り賦活剤、導電剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、光安定化剤、核剤、染料、充填剤、分散剤およびカップリング剤などを用いることができる。

本発明のタッチパネルの一例を示した断面模式図を図３に示す。本発明のタッチパネルは、図１に示す、下地層と、線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電層と、保護層とを積層した本発明の導電積層体を単独もしくは複数枚、さらには他の部材と組み合わせて搭載したものであり、その例として抵抗膜式タッチパネルや静電容量式タッチパネル等が挙げられる。本発明の導電積層体の導電層は、図２に示すように符号６、７、８、９のような線状構造体を含み、符号１０、１１、１２のような重なりからなる接点を有するネットワーク構造を形成している。本発明の導電積層体を搭載してなるタッチパネルは、図３に示すように導電領域と非導電領域を有している本発明の導電積層体１３を、接着剤や粘着剤等の接合層によって接合して積層したものであり、さらに例えば、リード線と駆動ユニットを取り付け、液晶ディスプレイの前面に組み込んで用いられる。

以下、本発明を実施例に基づき、具体的に説明する。ただし、本発明は下記実施例に限定されるものではない。まず、各実施例および比較例における評価方法を説明する。

（１）導電成分の構造（形状）、導電成分のネットワーク状態
絶縁抵抗計（三和電気計器（株）製、ＤＧ６）を用いて、サンプルの各面に探針をあて、通電の有無からサンプルの導電側（本発明では導電層及び保護層が積層されている側）を特定する。特定が困難な場合は、低抵抗率計Ｌｏｒｅｓｔａ−ＥＰ ＭＣＰ−Ｔ３６０（三菱化学（株）、もしくは、リングタイププローブ（三菱化学（株）製 ＵＲＳプローブ ＭＣＰ−ＨＴＰ１４）を接続した高抵抗率計（三菱化学（株）製 Ｈｉｒｅｓｔａ−ＵＰ ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて同様にサンプルの各面を評価し導電側を特定する。

次いでサンプルの導電層側の表面を、走査透過電子顕微鏡（（株）日立ハイテクノロジーズ製 日立走査透過電子顕微鏡ＨＤ−２７００）もしくは電界放射型走査電子顕微鏡（日本電子（株）製 ＪＳＭ−６７００−Ｆ）を用いて加速電圧３．０ｋＶ、観察倍率と画像のコントラストを適宜調節して各倍率にて観察した。

前記方法にて観察が困難な場合は、次いでカラー３Ｄ レーザー顕微鏡（（株）キーエンス製 ＶＫ−９７１０）を用いて、付属の標準対物レンズ１０Ｘ（（株）ニコン製 ＣＦ ＩＣ ＥＰＩ Ｐｌａｎ １０Ｘ）、２０Ｘ（（株）ニコン製 ＣＦ ＩＣ ＥＰＩ Ｐｌａｎ ２０Ｘ）、５０Ｘ（（株）ニコン製 ＣＦ ＩＣ ＥＰＩ Ｐｌａｎ Ａｐｏ ５０Ｘ）、１５０Ｘ（（株）ニコン製 ＣＦ ＩＣ ＥＰＩ Ｐｌａｎ Ａｐｏ １５０ＸＡ）にて各倍率で導電側の同位置を表面観察し、その画像データから観察アプリケーション（（株）キーエンス製 ＶＫ−ＨＶ１）を用いて画像解析した。

さらに観察が困難な場合は、次いで原子間力顕微鏡（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製 ＮａｎｏＳｃｏｐｅIII）を用いて、カンチレバーをシリコン単結晶、走査モードをタッピングモード、測定環境を温度２５℃及び相対湿度６５％ＲＨにて観察した。

表面観察では観察できない場合は、後述する（２）と同様のいずれかの方法にて導電層の成分を分離精製後、導電成分に該当する物質を充分量を採取・集めてから、同様に観察した。

（２）下地層の同定、保護層の化合物の含有元素及び構造の同定
下地層の同定、保護層中の化合物の含有元素及び化合物の構造（骨格構造、高分子構造等）は、先ず、（１）に記載のいずれかの方法にて、導電積層体の導電側（本発明では導電層及び保護層が積層されている側）の面を断定する。次いで、必要な場合は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、ゲル浸透クロマトグラフィー、液体高速クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィー等に代表される一般的なクロマトグラフィーやその他分離・精製が可能な方法にて単一物質に分離精製、また適宜濃縮及び希釈した。

次いで、下地層もしくは保護層を対象に、ダイナミック二次イオン質量分析法（Ｄｙｎａｍｉｃ−ＳＩＭＳ）、飛行時間型二次イオン質量分析（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）、その他スタティック二次イオン質量分析法（Ｓｔａｔｉｃ−ＳＩＭＳ）、核磁気共鳴分光法（^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭＲ、^２９Ｓｉ−ＮＭＲ、^１９Ｆ−ＮＭＲ）、二次元核磁気共鳴分光法（２Ｄ−ＮＭＲ）、赤外分光光度法（ＩＲ）、ラマン分光法、質量分析法（Ｍａｓｓ）、Ｘ線回折法（ＸＲＤ）、中性子回折法（ＮＤ）、低速電子線回折法（ＬＥＥＤ）、高速反射電子線回折法（ＲＨＥＥＤ）、原子吸光分析法（ＡＡＳ）、紫外光電子分光法（ＵＰＳ）、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）、蛍光Ｘ線元素分析法（ＸＲＦ）、誘導結合プラズマ発光分光法（ＩＣＰ−ＡＥＳ）、電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）、透過電子顕微鏡−エネルギー分散Ｘ線分光分析（ＴＥＭ−ＥＤＸ）、走査電子顕微鏡−エネルギー分散Ｘ線分光分析（ＳＥＭ−ＥＤＸ）、その他元素分析、から方法を適宜選択・組み合わせて、下地層の同定、保護層の化合物の含有元素及び構造の同定・分析を行った。

（３）導電成分の同定
先ず、（１）に記載のいずれかの方法にて、導電積層体の導電側（本発明では導電層及び保護層が積層されている側）の面を断定する。次いで、導電成分を対象に、（２）と同様のいずれかの方法にて導電成分の同定を行った。

同定が困難な場合は、後述する（２）と同様のいずれかの方法にて導電層の成分を分離精製後、導電成分に該当する物質を充分量を採取・集めてから、同様に観察した。

（４）架橋単位構造質量含有率
先ず、サンプルから保護層を剥離する。必要であれば溶解度の高い溶剤にて保護層を溶解させる。また必要で有れば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、ゲル浸透クロマトグラフィー、液体高速クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィー等に代表される一般的なクロマトグラフィーのうち分離可能な方法を選択し、それぞれ単一物質に分離精製する。他成分と結合して分離が困難な場合はそのまま用いてもよい。

その後各物質について適宜濃縮及び希釈を行い、核磁気共鳴分光法（^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭＲ、^２９Ｓｉ−ＮＭＲ、^１９Ｆ−ＮＭＲ）、二次元核磁気共鳴分光法（２Ｄ−ＮＭＲ）、赤外分光光度法（ＩＲ）、ラマン分光法、各種質量分析法（ガスクロマトグラフィー−質量分析法（ＧＣ−ＭＳ）、熱分解ガスクロマトグラフィー−質量分析法（熱分解ＧＣ−ＭＳ）、マトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析（ＭＡＬＤＩ−ＭＳ）、飛行時間型質量分析法（ＴＯＦ−ＭＳ）、飛行時間型マトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析（ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ）、ダイナミック二次イオン質量分析法（Ｄｙｎａｍｉｃ−ＳＩＭＳ）、飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）、その他スタティック二次イオン質量分析法（Ｓｔａｔｉｃ−ＳＩＭＳ）等）、Ｘ線回折法（ＸＲＤ）、中性子回折法（ＮＤ）、低速電子線回折法（ＬＥＥＤ）、高速反射電子線回折法（ＲＨＥＥＤ）、原子吸光分析法（ＡＡＳ）、紫外光電子分光法（ＵＰＳ）、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）、蛍光Ｘ線元素分析法（ＸＲＦ）、誘導結合プラズマ発光分光法（ＩＣＰ−ＡＥＳ）、電子線マイクロアナリシス法（ＥＰＭＡ）、荷電粒子励起Ｘ線分光法（ＰＩＸＥ）、低エネルギーイオン散乱分光法（ＲＢＳまたはＬＥＩＳ）、中エネルギーイオン散乱分光法（ＭＥＩＳ）、高エネルギーイオン散乱分光法（ＩＳＳまたはＨＥＩＳ）、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）、透過電子顕微鏡−エネルギー分散Ｘ線分光分析（ＴＥＭ−ＥＤＸ）、走査電子顕微鏡−エネルギー分散Ｘ線分光分析（ＳＥＭ−ＥＤＸ）、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）その他元素分析、等から分析方法を適宜選択・組み合わせて、官能基の構造同定を行い、保護層に含まれる官能基種を特定し、前駆体である炭素−炭素二重結合基を有する化合物を推定する。

次いで、得られた保護層の剥離物もしくは分離物のうち任意の一部を分取し質量を測定する。その後、予め質量を測定した１，１，２，２−テトラブロモエタン（以下ＴＢＥと略す。）を適宜重クロロホルム等で希釈した内標溶液を調製する。前記分取した保護層の剥離物もしくは分離物に前記ＴＢＥ内標溶液を添加し、この試験溶液を^１Ｈ−ＮＭＲ測定を行う。次いで得られた^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルの前駆体時点で炭素−炭素二重結合基であった（測定時点で炭素−炭素二重結合基で存在するかどうかは問わない）炭素に結合した水素に該当するピークのピーク面積と、内標準として添加したＴＢＥの水素（プロトン、Ｈ）に該当するピーク面積との面積比率を用いて、保護層の剥離物もしくは分離物の分取物質量中の炭素−炭素二重結合基量を算出し、これを用いて架橋単位構造質量含有率を算出した。

（５）伸縮振動のピーク強度比ν１／ν２
炭素−炭素二重結合の伸縮振動のピーク強度ν１、炭素−水素単結合（Ｃ−Ｈ）の伸縮振動のピーク強度ν２、及びそのピーク強度比ν１／ν２は、ＦＴ−ＩＲ法のうちＦＴ−ＩＲ−ＡＴＲ（減衰全反射、Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ Ｔｏｔａｌ Ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ）法にて以下のようにして求める。

先ず、（１）に記載のいずれかの方法にて、導電積層体の導電側（本発明では導電層及び保護層が積層されている側）の面を断定する。次いで、フーリエ変換赤外分光光度計ＦＴＳ−５５Ａ（Ｂｉｏ−Ｒａｄ Ｄｉｇｌａｂ製）にＡＴＲ結晶としてＧｅ結晶を設置し、サンプルの導電側（本発明では導電層及び保護層が積層されている側）をＡＴＲ結晶に圧着する。次いで、窒素ガス下で測定範囲４０００〜６００ｃｍ^−１間を分解能２ｃｍ^−１、積算回数５１２回で測定する。次いで得られた分光スペクトルから、基材に帰属されるピークに重ならない波数領域にて、炭素−炭素二重結合の伸縮振動のピーク及び炭素−水素単結合（Ｃ−Ｈ）の伸縮振動のピークをそれぞれ帰属する。帰属した各ピークの強度のうち極大値の値をそれぞれν１及びν２とし、ν１／ν２を算出した。同様に計１０水準にて測定し、計１０点の平均値を算出し、この値を本発明における炭素−炭素二重結合の伸縮振動のピーク強度ν１と炭素−水素単結合（Ｃ−Ｈ）の伸縮振動のピーク強度ν２の比ν１／ν２とする。

（６）光開始剤の極大吸収波長の差
（２）と同様のいずれかの方法にて保護層の成分を分離精製し、各種成分の内、光開始剤に該当する化合物のみを抽出した。光開始剤への該当・非該当が不明な場合は、活性電子線を照射しラジカル種、カチオン種、アニオン種のいずれかが発生する化合物を光開始剤とした。次いで、光開始剤を各種可溶な溶剤に溶解させた。次いで、この溶液を石英セル中に入れ、紫外可視分光光度計（ＵＶ−Ｂｉｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ、日本分光(株)製 Ｖ−６６０型）を用いて波長２００〜９００ｎｍにおける吸収スペクトルを測定し極大吸収波長を求めた。

各光開始剤において、同様に３回吸収スペクトルを測定し極大吸収波長を求めて、その平均値を光開始剤の極大吸収波長とし、各光開始剤の極大吸収波長の差を求めた。

尚、極大値が複数ある場合は以下を極大吸収波長とする。光路長１ｃｍにて求めた吸収スペクトルにおける２００〜４００ｎｍの領域に存在する複数の極大値の内、最も吸光度の大きい極大値における波長を極大吸収波長とする。ここで、溶剤に溶解させた際の光開始剤の濃度が高すぎると、前記最も吸光度の大きい極大値が使用する装置の検出限界を越えてしまい、あたかもその前記最も吸光度の大きい極大値が無いように観察されてしまうことがあるので、適宜光開始剤の濃度を変えて同様に測定し、各同濃度において相対的に最も吸光度の大きい極大値における波長を極大吸収波長とした。

（７）アルカリ処理に対する耐性（表面抵抗値の変化Ｒ／Ｒ_０）
まず、後述する（９）と同様の方法にてサンプルの表面抵抗値Ｒ_０［Ω／□］を測定する。次いで、以下に記載する処理１、処理２の２種類のアルカリ処理をそれぞれ実施した。次いで、各アルカリ処理後に処理部分の表面抵抗値Ｒ［Ω／□］を測定する。Ｒの値をＲ_０の値で除し、アルカリ処理前後での表面抵抗値の比Ｒ／Ｒ_０を求めた。５サンプルについて同様に測定したＲ／Ｒ_０の平均値を算出した。

各アルカリ処理共にＲ／Ｒ_０の値が１．１以下の場合は、表面抵抗値の変化が小さく耐性を有していると判断し合格とした。Ｒ／Ｒ_０の値が１．１より大きい場合、もしくはＲが測定不能で絶縁した場合（Ｒ／Ｒ_０の値が無限大に発散）は、表面抵抗値の変化があると判断し不合格とした。尚、アルカリ処理は、処理２よりも処理１の方がより厳しく、処理２のみ合格の場合よりも、処理１及び２共に合格の場合のほうが優れた耐性を有していることを意味する。一方、処理１及び２）共に不合格の場合は、耐性を有していないと判断する。
（処理１：３質量％水酸化ナトリウム水溶液処理）
水酸化ナトリウム（ナカライテスク（株）製）３０ｇを蒸留水９７０ｇに溶解し、３質量％水酸化ナトリウム水溶液を用意した。その水酸化ナトリウム水溶液の液温が６０℃になるまで昇温させ、液温が６０℃±０．５℃を維持するように調整しながらサンプルを５分間浸漬させた。サンプルを取り出した後、蒸留水で洗浄し付着している水滴を拭き取り乾燥させた。
（処理２：１質量％炭酸ナトリウム水溶液処理）
炭酸ナトリウム（ナカライテスク（株）製）１０ｇを蒸留水９９０ｇに溶解し、１質量％炭酸ナトリウム水溶液を用意した。その炭酸ナトリウム水溶液の液温が４０℃になるまで昇温させ、液温が３０℃±０．５℃を維持するように調整しながらサンプルを５分間浸漬させた。サンプルを取り出した後、蒸留水で洗浄し付着している水滴を拭き取り乾燥させた。

（８）アルカリ処理に対する耐性（表面の外観変化）
サンプルを（７）と同様の方法にて２種類のアルカリ処理をそれぞれ実施した。導電積層体の導電側を、該導電面に対し９０度方向（垂直方向）、４５度方向、１０度方向から、蛍光灯下にて目視観察し、アルカリ処理部分と未処理部分を比較した。本発明における判定基準は、導電層欠点（層の剥離、表面の荒れ、浸食痕、等）の目視認識可否を判断し、全角度方向において欠点がない場合を合格、いずれかの角度方向にて欠点がある場合を不合格と判定した。

（９）表面抵抗値Ｒ_０
導電層側の表面抵抗値は、非接触式抵抗率計（ナプソン（株）製 ＮＣ−１０）を用い渦電流方式で１００ｍｍ×５０ｍｍのサンプルの中央部分を測定した。５サンプルについて平均値を算出し、これを表面抵抗値Ｒ_０［Ω／□］とした。検出限界を超えて表面抵抗値が得られなかった場合は、次いで以下の方法にて測定した。

高抵抗率計（三菱化学（株）製 Ｈｉｒｅｓｔａ−ＵＰ ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用い、リングタイププローブ（三菱化学（株）製 ＵＲＳプローブ ＭＣＰ−ＨＴＰ１４）を接続して二重リング方式で１００ｍｍ×１００ｍｍのサンプルの中央部分を測定した。５サンプルについて平均値を算出し、これを表面抵抗値Ｒ_０［Ω／□］とした。

（１０）全光線透過率
濁度計（曇り度計）ＮＤＨ２０００（日本電色工業（株）製）を用いてＪＩＳ Ｋ７３６１−１（１９９７年）に基づいて、導電積層体厚み方向の全光線透過率を、導電側（本発明では導電層及び保護層が積層されている側）から光を入射させて測定した。５サンプルについて測定した値から平均値を算出し、これを全光線透過率とした。

（１１）下地層及び保護層の平均厚み
サンプルの観察したい部分近傍を氷で埋包し凍結固着、もしくはエポキシ樹脂のような氷よりさらに固着力の強い成分で埋包後、日本ミクロトーム研究所（株）製ロータリー式ミクロトームを使用し、ナイフ傾斜角度３°にダイヤモンドナイフをセットしてフィルム平面に垂直な方向に切断する。次いで得られたフィルム断面を、電界放射型走査電子顕微鏡（日本電子（株）製 ＪＳＭ−６７００−Ｆ）を用いて加速電圧３．０ｋＶ、観察倍率１００００〜１０００００倍にて、画像のコントラストを適宜調節して観察した。各任意の２０箇所を同様に任意の倍率で測定（拡大倍率から計算）、平均して求めた。

各実施例及び比較例に使用した基材を以下に示す。

（１）基材Ａ
・２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
・厚み１２５μｍ
（２）基材Ｂ
・２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
・厚み５０μｍ
各実施例及び比較例における、下地層を以下に示す。各下地層は実施例及び比較例における基材上に積層した。
（１）下地層Ａ
下記＜ポリエステル樹脂（ｃ１）＞と下記＜ポリエステル樹脂（ｃ２）＞とを、質量比１：１で混合して＜ポリエステル樹脂（Ｃ１）＞を得た。次いで、前記＜ポリエステル樹脂（Ｃ１）＞を１００質量部、下記＜メラミン系架橋剤（Ｂ）＞を５０質量部含有する下地層用組成物を得た。この下地層用組成物を厚み０．１μｍにて基材上に積層し、これを下地層Ａとした。
＜ポリエステル樹脂（ｃ１）＞
（親水性官能基成分）
・下記（ｉ）／（ｉｉ）／（ｉｉｉ）の成分比率＝１２モル％／７６モル％／１２モル％
（ｉ）５−ナトリウムスルホイソフタル酸（親水性官能基（Ａ）とＳ元素と金属イオンを有する親水性官能基を有する。）
（ｉｉ）２，６−ナフタレンジカルボン酸（親水性官能基（Ａ）のみを有する。）
（ｉｉｉ）トリメリット酸（親水性官能基（Ａ）のみを有する。）
（グリコール成分）
・エチレングリコール １００モル％
＜ポリエステル樹脂（ｃ２）＞
（親水性官能基成分）
・下記（ｉ）／（ｉｉ）の成分比率＝７６モル％／２４モル％
（ｉ）テレフタル酸（親水性官能基（Ａ）のみを有する。）
（ｉｉ）トリメリット酸（親水性官能基（Ａ）のみを有する。）
（グリコール成分）
・エチレングリコール １００モル％
＜メラミン系架橋剤（Ｂ）＞
・メチロール化メラミン樹脂

（２）下地層Ｂ
下地層Ａで使用した＜ポリエステル樹脂（ｃ１）＞の代わりに、下記＜ポリエステル樹脂（ｃ３）＞を用いた以外は、下地層Ａと同様にして下地層用組成物を作製し、この下地層用組成物を厚み０．１μｍにて基材上に積層し、下地層Ｂとした。
＜ポリエステル樹脂（ｃ３）＞
（親水性官能基成分）
・下記（ｉ）／（ｉｉ）／（ｉｉｉ）の成分比率＝１２モル％／７５モル％／１３モル％
（ｉ）５−ナトリウムスルホイソフタル酸（親水性官能基（Ａ）とＳ元素と金属イオンを有する親水性官能基を有する。）
（ｉｉ）２，６−ナフタレンジカルボン酸（親水性官能基（Ａ）のみを有する。）
（ｉｉｉ）テレフタル酸（親水性官能基（Ａ）のみを有する。）
（グリコール成分）
・下記（ｉｖ）／（ｖ）の成分比率＝９５モル％／５モル％
（ｉｖ）エチレングリコール
（ｖ）ジエチレングリコール

（３）下地層Ｃ
下地層Ａで使用した＜ポリエステル樹脂（ｃ１）＞の代わりに、下記＜ポリエステル樹脂（ｃ４）＞を用いた以外は、下地層Ａと同様にして下地層用組成物を作製し、この下地層用組成物を厚み０．１μｍにて基材上に積層し、下地層Ｃとした。
＜ポリエステル樹脂（ｃ４）＞
（親水性官能基成分）
・下記（ｉ）／（ｉｉ）／（ｉｉｉ）の成分比率＝７５モル％／１３モル％／１２モル％
（ｉ）２，６−ナフタレンジカルボン酸（親水性官能基（Ａ）のみを有する。）
（ｉｉ）テレフタル酸（親水性官能基（Ａ）のみを有する。）
（ｉｉｉ）トリメリット酸（親水性官能基（Ａ）のみを有する。）
（グリコール成分）
・下記（ｉｖ）／（ｖ）の成分比率＝９５モル％／５モル％
（ｉｖ）エチレングリコール
（ｖ）ジエチレングリコール

（４）下地層Ｄ
下記＜アクリル系共重合樹脂組成物（ｄ１）＞と下記＜アクリル系共重合樹脂組成物（ｄ２）＞とを、質量比１：１で混合して＜アクリル系共重合樹脂組成物（Ｄ１）＞を得た。次いで、前記＜アクリル系共重合樹脂組成物（Ｄ１）＞を１００質量部、下記＜メラミン系架橋剤（Ｂ）＞を５０質量部含有する下地層用組成物を得た。この下地層用組成物を厚み０．１μｍにて基材上に積層し、これを下地層Ｄとした。
＜アクリル系共重合樹脂組成物（ｄ１）＞
（親水性官能基成分）
・下記（ｉ）／（ｉｉ）の成分比率＝１５モル％／８５モル％
（ｉ）２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸ナトリウム（Ｓ元素と金属イオンを有する親水性官能基のみを有する。）
（ｉｉ）メタクリル酸メチル（親水性官能基を有さない。）
（開始剤）
・α，α'−アゾビスイソブチロニトリル（略名ＡＩＢＮ） ０．５モル％
（グリコール成分）
・エチレングリコール １００モル％
＜アクリル系共重合樹脂組成物（ｄ２）＞
（親水性官能基成分）
・下記（ｉ）／（ｉｉ）の成分比率＝１３モル％／８７モル％
（ｉ）２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸（Ｓ元素を有する親水性官能基のみを有する。）
（ｉｉ）メタクリル酸メチル（親水性官能基を有さない。）
（開始剤）
・α，α'−アゾビスイソブチロニトリル（略名ＡＩＢＮ） ０．５モル％
（グリコール成分）
・エチレングリコール １００モル％
＜メラミン系架橋剤（Ｂ）＞
・メチロール化メラミン樹脂

（５）下地層Ｅ
下地層Ａの下地層用組成物において、メラミン系架橋剤（Ｂ）を添加しない以外は、下地層Ａと同様にして下地層用組成物を調製し、この下地層用組成物を厚み０．１μｍにて基材上に積層し、下地層Ｅとした。

（６）下地層Ｆ
下地層Ａの下地層用組成物において、メラミン系架橋剤（Ｂ）に代えてエポキシ樹脂（ Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジルメタキシリレンジアミン）を用いた以外は、下地層Ａと同様にして下地層用組成物を調製し、この下地層用組成物を厚み０．１μｍにて基材上に積層し、下地層Ｆとした。

（７）下地層Ｇ
下記＜アクリル系組成物（ｇ１）＞を重合し、＜ポリメタクリル酸メチル（略名ＰＭＭＡ）樹脂組成物（Ｇ１）＞を得た。次いで、前記＜ポリメタクリル酸メチル（略名ＰＭＭＡ）樹脂組成物（Ｇ１）＞を１００質量部、下記＜メラミン系架橋剤（Ｂ）＞を５０質量部含有する下地層用組成物を得た。この下地層用組成物を厚み０．１μｍにて基材上に積層し、これを下地層Ｇとした。
＜アクリル系組成物（ｇ１）＞
（官能基成分）
・メタクリル酸メチル（親水性官能基を有さない。） １００モル％
（開始剤）
・α，α'−アゾビスイソブチロニトリル（略名ＡＩＢＮ） ０．５モル％
＜メラミン系架橋剤（Ｂ）＞
・メチロール化メラミン樹脂

各実施例及び比較例における、導電層を以下に示す。各導電層は実施例及び比較例における下地層上、もしくは基材上に以下の各方法で積層した。

（１）導電層Ａ「銀ナノワイヤー導電層」
特表２００９−５０５３５８号公報の例１（銀ナノワイヤーの合成）に開示されている方法にて銀ナノワイヤー（短軸：５０〜１００ｎｍ、長軸：２０〜４０μｍ）を得た。次いで、同特表２００９−５０５３５８号公報の例８（ナノワイヤー分散）に開示されている方法にて銀ナノワイヤー分散塗液を得た。この銀ナノワイヤー分散塗液を、塗液全体に対する銀ナノワイヤー量が０．０５質量％となるように濃度調整した。この濃度調整した銀ナノワイヤー分散塗液を、材質がｓｕｓのシム（シム厚み５０μｍ）を装着したスリットダイコートを使用して塗布、１２０℃で２分間乾燥し銀ナノワイヤー塗膜を設けた。

（２）導電層Ｂ「針状二酸化ケイ素系・ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化錫）複合化合物導電層」
バインダー成分として前記保護層材料Ａ（アクリル系樹脂）、導電成分として針状形状の二酸化ケイ素系・ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化錫）複合化合物（大塚化学（株）製 デントールＴＭ１００、短軸：７００〜９００ｎｍ、長軸：１５〜２５μｍ）を用い、固形分全体に対する導電成分量が６０質量％となるように混合（固形分混合比：バインダー成分／導電成分＝４０質量％／６０質量％）し、次いでこの混合液に塗料固形分濃度５０質量％となるように酢酸エチルを加えて希釈し濃度調整し、針状二酸化ケイ素系・ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化錫）複合化合物分散塗液を得た。この針状二酸化ケイ素系・ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化錫）複合化合物分散塗液を、材質がｓｕｓのシム（シム厚み１００μｍ）を装着したスリットダイコートを使用して塗布、１２０℃で５分間乾燥し針状二酸化ケイ素系・ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化錫）複合化合物塗膜を設けた。

（３）導電層Ｃ「ＣＮＴ導電層」
（触媒調整）
クエン酸アンモニウム鉄（緑色）（和光純薬工業（株）製）２．４５９ｇをメタノール（関東化学（株）製）５００ｍＬに溶解した。この溶液に、軽質マグネシア（岩谷化学工業（株）製）を１００ｇ加え、室温で６０分間攪拌し、４０℃から６０℃で攪拌しながら減圧乾燥してメタノールを除去し、軽質マグネシア粉末に金属塩が担持された触媒を得た。

（ＣＮＴ組成物製造）
図５の概略図で示す流動床縦型反応装置でＣＮＴを合成した。反応器１００は内径３２ｍｍ、長さは１２００ｍｍの円筒形石英管である。中央部に石英焼結板１０１を具備し、石英管下方部には、不活性ガスおよび原料ガス供給ライン１０４、上部には排ガスライン１０５および、触媒投入ライン１０３を具備する。さらに、反応器を任意温度に保持できるように、反応器の円周を取り囲む加熱器１０６を具備する。加熱器１０６には装置内の流動状態が確認できるよう点検口１０７が設けられている。

前記触媒１２ｇを取り、密閉型触媒供給器１０２から触媒投入ライン１０３を通して、石英焼結板１０１上に前記「触媒調整」部分で示した触媒１０８をセットした。次いで、原料ガス供給ライン１０４からアルゴンガスを１０００ｍＬ／分で供給開始した。反応器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、温度を８５０℃に加熱した。

８５０℃に到達した後、温度を保持し、原料ガス供給ライン１０４のアルゴン流量を２０００ｍＬ／分に上げ、石英焼結板上の固体触媒の流動化を開始させた。加熱炉点検口１０７から流動化を確認した後、さらにメタンを９５ｍＬ／分で反応器に供給開始した。該混合ガスを９０分供給した後、アルゴンガスのみの流通に切り替え、合成を終了させた。

加熱を停止させ室温まで放置し、室温になってから反応器から触媒とＣＮＴを含有するＣＮＴ組成物を取り出した。

上記で示した触媒付きＣＮＴ組成物２３．４ｇを磁性皿に取り、予め４４６℃まで加熱しておいたマッフル炉（ヤマト科学（株）製、ＦＰ４１）にて大気下、４４６℃で２時間加熱した後、マッフル炉から取り出した。次に、触媒を除去するため、ＣＮＴ組成物を６Ｎの塩酸水溶液に添加し、室温で１時間攪拌した。濾過して得られた回収物を、さらに６Ｎの塩酸水溶液に添加し、室温で１時間攪拌した。これを濾過し、数回水洗した後、濾過物を１２０℃のオーブンで一晩乾燥することでマグネシアおよび金属が除去されたＣＮＴ組成物を５７．１ｍｇ得ることができ、上記操作を繰り返すことによりマグネシアおよび金属が除去されたＣＮＴ組成物を５００ｍｇ用意した。

次に、マッフル炉で加熱して触媒を取り除いたＣＮＴ組成物８０ｍｇを濃硝酸（和光純薬工業（株）製 １級 Ａｓｓａｙ６０〜６１％）２７ｍＬに添加し、１３０℃のオイルバスで５時間攪拌しながら加熱した。加熱攪拌終了後、ＣＮＴを含む硝酸溶液をろ過し、蒸留水で水洗後、水を含んだウエット状態のままＣＮＴ組成物を１２６６．４ｍｇ得た。

（ＣＮＴ分散塗液）
５０ｍＬの容器に上記ＣＮＴ組成物を１０ｍｇ（乾燥時換算）、分散剤としてカルボキシメチルセルロースナトリウム(シグマ社製９０ｋＤａ，５０−２００ｃｐｓ）１０ｍｇを量りとり、蒸留水を加え１０ｇにし、超音波ホモジナイザー出力２０Ｗ、２０分間で氷冷下分散処理しＣＮＴ塗液を調製した。得られた液を高速遠心分離機にて１００００Ｇ、１５分遠心し、上清９ｍＬを得た。この操作を複数回繰り返し得た上清１４５ｍＬにエタノール５ｍＬ加え、コーターで塗布可能なＣＮＴ濃度約０．１質量％のＣＮＴ分散塗液（ＣＮＴと分散剤の配合比１対１）を得た。このＣＮＴ分散塗液を石英ガラスに塗布、乾燥したＣＮＴ導電層の屈折率は１．８２であった。

（ＣＮＴ導電層の形成）
前記ＣＮＴ分散塗液をマイクログラビアコーター（グラビア線番１５０Ｒ、グラビア回転比８０％）で塗布、１００℃で１分間乾燥しＣＮＴ塗膜（ＣＮＴ塗膜でのＣＮＴ集合体として短軸：１０〜３０ｎｍ、長軸：１〜５μｍ）を設けた。

（４）導電層Ｄ「銀ナノ微粒子導電層」
特開２００１−２４３８４１号公報の実施例（（２）銀ナノコロイド塗布液の調整）に開示されている方法にて銀ナノ微粒子（短軸、長軸（粒径）：９〜１５ｎｍ）分散液を得た。次いで、同特開２００１−２４３８４１号公報の［実施例１〜８］に開示されている方法にて銀ナノ微粒子分散液を塗布、乾燥し、銀ナノ微粒子塗膜を得た。

（５）導電層Ｅ「銀ナノワイヤー／銀ナノ微粒子混合導電層」
特開２００１−２４３８４１号公報の実施例（（２）銀ナノコロイド塗布液の調整）に開示されている方法にて得た銀ナノ微粒子分散液に、特表２００９−５０５３５８号公報の例８（ナノワイヤー分散）に開示されている方法にて得た銀ナノワイヤー分散塗液を、銀ナノ微粒子と銀ナノワイヤーの質量比が銀ナノ微粒子／銀ナノワイヤー＝８／２となるように混合し、銀ナノワイヤー／銀ナノ微粒子混合分散液を得た。次いで、同特開２００１−２４３８４１号公報の［実施例１〜８］に開示されている方法にて銀ナノワイヤー／銀ナノ微粒子混合分散液を塗布、乾燥し、銀ナノワイヤー／銀ナノ微粒子混合塗膜を得た。

各実施例及び比較例の保護層に使用した材料を以下に示す。各保護層は導電層の上に実施例及び比較例の各方法で積層した。

（１）保護層材料Ａ
・アクリル系組成物（綜研化学（株）製 フルキュアＨＣ−６、固形分濃度５１質量％）
・構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物の組成物。
・Ｓ元素、Ｐ元素、金属元素、金属イオン、および、官能基を構成するＮ元素を、いずれも含まない。

（２）保護層材料Ｂ
・アクリル系／ウレタンアクリレート系混合組成物（中国塗料（株）製 フォルシードＮｏ．４２０Ｃ、固形分濃度５０質量％）
・構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物の組成物。
・Ｓ元素、Ｐ元素、金属元素、金属イオン、および、官能基を構成するＮ元素を、いずれも含まず、骨格構造内にＮ元素を含む。

（３）保護層材料Ｃ
・メタクリル系組成物（共栄社化学（株）製 ライトエステルＴＭＰ、固形分濃度１００質量％）
・構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物の組成物。
・Ｓ元素、Ｐ元素、金属元素、金属イオン及び官能基を構成するＮ元素を含まない。

（４）保護層材料Ｄ
・ウレタンアクリレート系組成物（根上工業（株）製 アートレジンＵＮ−９０４Ｍ、固形分濃度８０質量％）
・構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物の組成物。
・Ｓ元素、Ｐ元素、金属元素、金属イオン、および、官能基を構成するＮ元素を、いずれも含まず、骨格構造内にＮ元素を含む。

（５）保護層材料Ｅ
・ウレタンアクリレート系組成物（共栄社化学（株）製 ＡＴ−６００、固形分濃度１００質量％）
・構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物の組成物。
・Ｓ元素、Ｐ元素、金属元素、金属イオン、および、官能基を構成するＮ元素を、いずれも含まず、骨格構造内にＮ元素を含む。

（６）保護層材料Ｆ
・アクリル系／メタクリレート系混合組成物（綜研化学（株）製 フルキュアＨＣＥ−０３２、固形分濃度５１．４質量％）
・構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物の組成物。
・官能基を形成するＮ元素を含む。

（７）保護層材料Ｇ
・アクリル系／メタクリレート系混合組成物（下記にて重合、固形分濃度１００質量％）
・Ａｃｒｙｌａｍｉｄｅ ｔ−Ｂｕｔｙｌ Ｓｕｌｆｏｎｉｃ Ａｃｉｄ（別名２−Ａｃｒｙｌａｍｉｄｅ−２−Ｍｅｔｈｙｌ Ｐｒｏｐａｎｅ Ｓｕｌｆｏｎｉｃ Ａｃｉｄ、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）とＭｅｔｈｙｌ Ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ（別名メタクリル酸メチル、２−メチル−２−プロペン酸メチル、略名ＭＭＡ）から共重合した。
・Ｓ元素を含む。

（８）保護層材料Ｈ
・アクリル系／メタクリレート系混合組成物（下記にて重合、固形分濃度１００質量％）
・Ａｃｒｙｌａｍｉｄｅ ｔ−Ｂｕｔｙｌ Ｓｕｌｆｏｎｉｃ Ａｃｉｄ Ｓｏｄｉｕｍ Ｓａｉｔ（別名２−Ａｃｒｙｌａｍｉｄｅ−２−Ｍｅｔｈｙｌ Ｐｒｏｐａｎｅ Ｓｕｌｆｏｎｉｃ Ａｃｉｄ Ｓｏｄｉｕｍ Ｓａｉｔ、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸ナトリウム）とＭｅｔｈｙｌ Ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ（別名メタクリル酸メチル、２−メチル−２−プロペン酸メチル、略名ＭＭＡ）から共重合した。
・Ｓ元素、金属イオンを含む。

（９）保護層材料Ｉ
・アクリル系組成物（下記にて作製、固形分濃度４０質量％）
・特開２００８−２２２８４８号公報の実施例１と同様の方法にて、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物には、下記（１３）添加剤Ａを含有している。
・Ｐ元素を含む。

（１０）保護層材料Ｊ
・メタクリル系組成物（下記にて、重合固形分濃度１００質量％）
・Ｍｅｔｈｙｌ Ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ（別名メタクリル酸メチル、２−メチル−２−プロペン酸メチル、略名ＭＭＡ）を、開始剤として２，２’−Ａｚｏｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐｉｏｎｉｔｒｉｌｅ）（別名α，α'‐アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスイソブチロニトリル、略名ＡＩＢＮ）を使用して重合し、Ｐｏｌｙ（ｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）（略名ＰＭＭＡ）を得た。
・Ｓ元素、Ｐ元素、金属元素、金属イオン、および、官能基を構成するＮ元素を、いずれも含まない。

（１１）保護層材料Ｋ
・アクリル系組成物（共栄社化学（株）製 ライトアクリレートＢＰ−１０ＥＡ、固形分濃度１００質量％）
・構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物の組成物。
・Ｓ元素、Ｐ元素、金属元素、金属イオン、および、官能基を構成するＮ元素を、いずれも含まない。

（１２）保護層材料Ｌ
・無機ケイ素酸化物（シリカ）組成物（下記にて作製、固形分濃度１．２質量％）
・１００ｍＬポリ容器中に、エタノール２０ｇを入れ、ｎ−ブチルシリケート４０ｇを添加し３０分間撹拌した。その後、０．１Ｎ塩酸水溶液を１０ｇ添加した後２時間撹拌を行い（加水分解反応）、４℃で保管した。翌日、この溶液をイソプロピルアルコール／トルエン／ｎ−ブタノール混合液（混合質量比２／１／１）で固形分濃度が１．２質量％となるように希釈した。
・構造内に重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有さない化合物の組成物で、熱により硬化し無機系高分子化合物となる。
・Ｓ元素、Ｐ元素、金属元素、金属イオン、および、官能基を構成するＮ元素を、いずれも含まない。

（１３）添加剤Ａ
・光重合開始剤（チバ・ジャパン（株）製 Ｃｉｂａ（登録商標）ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）１８４）
・極大吸収波長２４０ｎｍ
（１４）添加剤Ｂ
・光重合開始剤（チバ・ジャパン（株）製 Ｃｉｂａ（登録商標）ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）９０７）
・極大吸収波長３００ｎｍ
（１５）添加剤Ｃ
・光重合開始剤（チバ・ジャパン（株）製 Ｃｉｂａ（登録商標）ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）３６９）
・極大吸収波長３２０ｎｍ
（１６）添加剤Ｄ
・光重合開始剤（チバ・ジャパン（株）製 Ｃｉｂａ（登録商標）ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）６５１）
・極大吸収波長２５０ｎｍ
（実施例１）
「基材Ａ」に「下地層Ａ」を積層し、次いで「下地層Ａ」上に「導電層Ａ」を積層した。

次いで、「保護層材料Ｅ」７６．５ｇ、「添加剤Ａ」３．６０ｇ、「添加剤Ｂ」３．６０ｇ、「酢酸エチル」１４００ｇを混合、撹拌し、保護層塗布液を作った。

次いで、この保護層塗布液を、「導電層Ａ」の上に材質がｓｕｓのシム（シム厚み５０μｍ）を装着したスリットダイコートを使用して塗布、１２０℃で２分間乾燥後、紫外線を１．２Ｊ／ｃｍ^２照射し硬化させ、厚み６００ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。

（実施例２）
保護層塗布液の組成を「保護層材料Ｄ」９５．６ｇ、「添加剤Ａ」３．６０ｇ、「添加剤Ｂ」３．６０ｇ、「酢酸エチル」２１４０ｇとしたこと以外は、実施例１と同様に作成し、厚み４００ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。

（実施例３）
保護層塗布液の組成を「保護層材料Ｃ」７６．５ｇ、「添加剤Ａ」３．６０ｇ、「添加剤Ｂ」３．６０ｇ、「酢酸エチル」２９００ｇとしたこと以外は、実施例１と同様に作成し、厚み３００ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。

（実施例４）
保護層塗布液の組成を「保護層材料Ｃ」７６．５ｇ、「添加剤Ａ」３．６０ｇ、「添加剤Ｂ」３．６０ｇ、「酢酸エチル」３２３０ｇとしたこと以外は、実施例１と同様に作成し、厚み２７０ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。

（実施例５）
保護層塗布液の組成を「保護層材料Ｃ」７６．５ｇ、「添加剤Ａ」３．６０ｇ、「添加剤Ｂ」３．６０ｇ、「酢酸エチル」３５００ｇとし、紫外線を１．５Ｊ／ｃｍ^２照射し硬化させたこと以外は、実施例１と同様に作成し、厚み２５０ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。

（実施例６）
保護層塗布液の組成を「保護層材料Ａ」１５０ｇ、「添加剤Ａ」３．６０ｇ、「添加剤Ｂ」３．６０ｇ、「酢酸エチル」３４３０ｇとしたこと以外は、実施例１と同様に作成し、厚み２５０ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。

（実施例７）
保護層塗布液の組成を「保護層材料Ａ」５８．２ｇ、「保護層材料Ｂ」４．７ｇ、「添加剤Ａ」１．５６ｇ、「添加剤Ｂ」１．５６ｇ、「酢酸エチル」１５００ｇとし、紫外線を１．５Ｊ／ｃｍ^２照射し硬化させたこと以外は、実施例１と同様に作成し、厚み２５０ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。

（実施例８）
保護層塗布液の組成を「保護層材料Ａ」５８．２ｇ、「保護層材料Ｂ」４．７ｇ、「添加剤Ａ」１．５６ｇ、「添加剤Ｂ」１．５６ｇ、「酢酸エチル」２０６０ｇとし、紫外線を１．５Ｊ／ｃｍ^２照射し硬化させたこと以外は、実施例１と同様に作成し、厚み１８０ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。

（実施例９）
保護層塗布液の組成を「保護層材料Ｆ」１４９ｇ、「添加剤Ａ」３．６０ｇ、「添加剤Ｂ」３．６０ｇ、「酢酸エチル」４８２０ｇとしたこと以外は、実施例１と同様に作成し、厚み２５０ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。

（実施例１０）
保護層塗布液の組成を「保護層材料Ａ」５８．２ｇ、「保護層材料Ｇ」１．０ｇ、「添加剤Ａ」１．５６ｇ、「添加剤Ｂ」１．５６ｇ、「酢酸エチル」１９３０ｇとし、紫外線を１．５Ｊ／ｃｍ^２照射し硬化させたこと以外は、実施例１と同様に作成し、厚み１８０ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。

（実施例１１）
保護層塗布液の組成を「保護層材料Ａ」５８．２ｇ、「保護層材料Ｈ」１．０ｇ、「添加剤Ａ」１．５６ｇ、「添加剤Ｂ」１．５６ｇ、「酢酸エチル」１９３０ｇとし、紫外線を１．５Ｊ／ｃｍ^２照射し硬化させたこと以外は、実施例１と同様に作成し、厚み１８０ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。

（実施例１２）
保護層塗布液の組成を「保護層材料Ａ」５８．２ｇ、「保護層材料Ｉ」２．５ｇ、「添加剤Ｂ」１．５６ｇ、「酢酸エチル」１８３０ｇとし、紫外線を１．５Ｊ／ｃｍ^２照射し硬化させたこと以外は、実施例１と同様に作成し、厚み１８０ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。

（実施例１３）
「基材Ａ」に「下地層Ａ」を積層し、次いで「下地層Ａ」上に「導電層Ａ」を積層した。

次いで、前記導電層Ｄ「銀ナノ微粒子導電層」項に記載の特開２００１−２４３８４１号公報の実施例（（２）銀ナノコロイド塗布液の調整）に開示されている方法にて得た銀ナノ微粒子分散液を蒸発乾固し、銀ナノ微粒子を得た。

次いで、「保護層材料Ａ」１２３．５ｇ、「前記銀ナノ微粒子」３．３２ｇ、「添加剤Ａ」３．１２ｇ、「添加剤Ｂ」３．１２ｇ、「酢酸エチル」４１４０ｇを混合、撹拌し、保護層塗布液を作った。

次いで、保護層塗布液を、「導電層Ａ」の上に材質がｓｕｓのシム（シム厚み５０μｍ）を装着したスリットダイコートを使用して塗布、１２０℃で２分間乾燥後、紫外線を１．５Ｊ／ｃｍ^２照射し硬化させ、厚み１８０ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。

（実施例１４）
保護層塗布液の組成を「保護層材料Ａ」５８．２ｇ、「保護層材料Ｂ」４．７ｇ、「添加剤Ａ」１．０４ｇ、「添加剤Ｂ」１．０４ｇ、「添加剤Ｃ」１．０４ｇ、「酢酸エチル」２０６０ｇとし、紫外線を１．０Ｊ／ｃｍ^２照射し硬化させたこと以外は、実施例８と同様に作成し、厚み１８０ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。

（実施例１５）
保護層塗布液の組成を「保護層材料Ｃ」７６．５ｇ、「添加剤Ａ」２．４０ｇ、「添加剤Ｂ」２．４０ｇ、「添加剤Ｃ」２．４０ｇ、「酢酸エチル」３２３０ｇとし、紫外線を１．０Ｊ／ｃｍ^２照射し硬化させたこと以外は、実施例４と同様に作成し、厚み２７０ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。

（実施例１６）
使用する基材を「基材Ｂ」としたこと以外は、実施例８と同様に作成し、本発明の導電積層体を得た。

（実施例１７）
積層する下地層を「下地層Ｂ」としたこと以外は、実施例１４と同様に作成し、本発明の導電積層体を得た。

（実施例１８）
積層する下地層を「下地層Ｃ」としたこと以外は、実施例１４と同様に作成し、本発明の導電積層体を得た。

（実施例１９）
「基材Ａ」に「下地層Ｃ」を積層し、次いで「下地層Ｃ」上に「導電層Ｂ」を積層した。

次いで、「保護層材料Ｊ」１１１ｇ、「酢酸エチル」１１３９ｇを混合、撹拌し、構造内に１個の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物の組成物からなる保護層塗布液を作った。

次いで、この保護層塗布液を、「導電層Ｂ」の上に材質がｓｕｓのシム（シム厚み５０μｍ）を装着したスリットダイコートを使用して塗布、１２０℃で２分間乾燥し厚み９５０ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。この保護層は、構造内に１個の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物の組成物からなり架橋構造を形成しない保護層である。

（実施例２０）
「基材Ａ」に「下地層Ｃ」を積層し、次いで「下地層Ｃ」上に「導電層Ｃ」を積層した。

次いで、「保護層材料Ｌ」の塗液を、構造内に重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を含有さない化合物の組成物からなる保護層塗布液として用意した。

次いで、この保護層塗布液を、マイクログラビアコート（グラビア線番８０Ｒ、グラビア回転比１００％）で塗布、１２５℃で１分間乾燥し厚み７５ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。この保護層は、構造内に重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を含有さない化合物の組成物からなる保護層である。

（実施例２１）
積層する下地層を「下地層Ｃ」とし、さらに保護層塗布液の組成を「保護層材料Ｋ」７６．５ｇ、「添加剤Ａ」３．６０ｇ、「添加剤Ｂ」３．６０ｇ、「酢酸エチル」１４００ｇとしたこと以外は、実施例１と同様に作成し、厚み６００ｎｍの保護層を設け、導電積層体を得た。この保護層は、架橋単位構造質量含有率（すなわち保護層の全質量に対する炭素−炭素二重結合基由来の構造の炭素−炭素二重結合基の単位構造（＞Ｃ＝Ｃ＜：式量２４）部分の質量含有率）が６質量％であった。

（実施例２２）
積層する下地層を「下地層Ｃ」とし、さらに保護層塗布液を塗布、乾燥後に照射する紫外線を０．５Ｊ／ｃｍ^２としたこと以外は、実施例６と同様に作成し、厚み２５０ｎｍの保護層を設け、導電積層体を得た。この保護層は、ＦＴ−ＩＲ法にて求めた前記炭素−炭素二重結合の伸縮振動のピーク強度ν１と炭素−水素単結合（Ｃ−Ｈ）の伸縮振動のピーク強度ν２の比ν１／ν２の値が０．３２であった。

（実施例２３）
「基材Ａ」に「下地層Ｃ」を積層し、次いで「下地層Ｃ」上に「導電層Ｅ」を積層した。

次いで、「保護層材料Ａ」５８．２ｇ、「保護層材料Ｂ」４．７ｇ、「添加剤Ａ」１．５６ｇ、「添加剤Ｂ」１．５６ｇ、「酢酸エチル」１１０６ｇを混合、撹拌し、保護層塗布液を作った。

次いで、この保護層塗布液を、「導電層Ｇ」の上に材質がｓｕｓのシム（シム厚み５０μｍ）を装着したスリットダイコートを使用して塗布、１２０℃で２分間乾燥後、紫外線を１．５Ｊ／ｃｍ^２照射し硬化させ、厚み３１０ｎｍの保護層を設け、本発明の導電積層体を得た。

（比較例１）
「基材Ａ」に、導電層及び保護層を設けずに、基材のみとした。

（比較例２）
「基材Ａ」に「下地層Ａ」を積層した。

次いで、前記導電層Ａ「銀ナノワイヤー導電層」項に記載の、塗液全体に対する銀ナノワイヤー量が０．０５質量％となるように濃度調整した銀ナノワイヤー分散塗液をさらに希釈して、銀ナノワイヤー量が０．０１質量％なるように濃度を再調整した銀ナノワイヤー希釈分散塗液を得た。この銀ナノワイヤー希釈分散塗液を、材質がｓｕｓのシム（シム厚み５０μｍ）を装着したスリットダイコートを使用して「下地層Ａ」に塗布、１２０℃で２分間乾燥し、銀ナノワイヤーが非ネットワーク状態の塗膜を設けた。

次いで、実施例６と同様に保護層を積層し、導電層が非ネットワーク状態の銀ナノワイヤーからなる積層体を得た。

（比較例３）
「基材Ａ」に「下地層Ａ」を積層し、次いで「下地層Ａ」上に「導電層Ａ」のみを積層し保護層を設けずに、導電積層体とした。

（比較例４）
導電層を「導電層Ｄ」としたこと以外は、実施例６と同様に作成し、非線状構造体である球状の導電成分からなる導電層上に、厚み２５０ｎｍの保護層を設け、導電積層体を得た。

（比較例５）
積層する下地層を、親水性官能基（Ａ）を有さない（Ｓ元素または金属イオンを有する官能基のみからなる）「下地層Ｄ」としたこと以外は、実施例１４と同様に作成し、本発明の導電積層体を得た。

（比較例６）
積層する下地層を、メラミン系架橋剤（Ｂ）を添加しない「下地層Ｅ」としたこと以外は、実施例１４と同様に作成し、本発明の導電積層体を得た。

（比較例７）
積層する下地層を、メラミン系架橋剤（Ｂ）とは異なる添加剤（エポキシ樹脂）を添加した「下地層Ｆ」としたこと以外は、実施例１４と同様に作成し、本発明の導電積層体を得た。

（比較例８）
「基材Ａ」に下地層を設けずに、直接「基材Ａ」上へ「導電層Ｃ」のＣＮＴ分散塗液の塗布を試みたが、はじいてしまい、「導電層Ｃ」を積層することができなかった。そのため、保護層の積層及び各種評価もできなかった。

（比較例９）
「基材Ａ」に親水性官能基を有さない「下地層Ｇ」を積層した。次いで、「下地層Ｇ」上へ「導電層Ｃ」のＣＮＴ分散塗液の塗布を試みたが、はじいてしまい、「導電層Ｃ」を積層することができなかった。そのため、保護層の積層及び各種評価もできなかった。

実施例のいずれにおいても導電性を示すと共に、保護層の種類や厚み、また、導電成分の種類に関係なく、いずれかのアルカリ処理に対する耐性を有していた。下地層の組成を変更しても、親水性官能基（Ａ）有していれば導電層を積層でき、アルカリ処理に対する耐性も付与できる（実施例１４、１７、１８）。

導電層に使用する線状構造体の導電成分の種類を変更した場合（実施例１９、２０）や、導電層に非線状構造体を含有した混合成分の導電層の場合（実施例２３）も、線状構造体がネットワーク構造をとることで導電性を示し、表面抵抗値及び光学特性を調整することができる。なかでも、導電成分が銀ナノワイヤーのみの導電層である実施例１〜１６、２３、２４は、低い表面抵抗値、高い全光線透過率のいずれかを示すか、もしくは低い表面抵抗値と高い全光線透過率を共に実現し、良好な導電積層体になった。

実施例１よりも保護層の架橋単位構造質量含有率が大きい実施例２〜４は、保護層厚みを薄くしてもアルカリ処理に対する耐性を維持し、特に、架橋単位構造質量含有率が好ましい範囲の実施例６は、アルカリ処理に対する高い耐性を有していた。また、架橋単位構造質量含有率が同様である成分からなるものであっても（実施例４、５）、ＦＴ−ＩＲ法にて求めた前記炭素−炭素二重結合の伸縮振動のピーク強度ν１と炭素−水素単結合（Ｃ−Ｈ）の伸縮振動のピーク強度ν２の比ν１／ν２が小さくし好ましい範囲のものは（実施例５）、アルカリ処理に対する耐性が向上していた。

保護層を形成させる際に、極大吸収波長の値の差が特定の範囲となる光開始剤を混合することで（実施例１４）、該当する光開始剤を混合しない場合（実施例８）と比較して、紫外線の照射が少ないにも関わらずν１／ν２が小さくすることができ、より容易に導電積層体を作製することができた。一方、極大吸収波長の値の差が特定の範囲外である光開始剤を混合する場合は（実施例１５）、該当する光開始剤を混合しない場合（実施例４）と比較しても、光開始剤を混合することによるアルカリ処理に対する耐性の向上効果は得られなかった。

保護層が異なる骨格構造を有するも混合成分であっても、アルカリ処理に対する耐性を得ることができるが（実施例７、８）、保護層内に特定の元素を含んでいる場合（実施例９〜１３）、構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有さない成分からなる保護層（実施例２０）、重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基が少なく架橋構造を形成しない場合（実施例１９）、架橋単位構造質量含有率が極端に小さい場合（実施例２１）、ν１／ν２が極端に小さい場合（実施例２２）、アルカリ処理に対する耐性の変化が発生した。

導電層を設けない場合や（比較例１）、線状構造体かなら導電成分を含んでいてもネットワークを形成していない場合は（比較例２）は、導電性を示さない。また、親水性が不足している基材上（比較例８）や親水性官能基を有さない下地層上（比較例９）には線状構造体からなる導電層は積層できなかった。

導電成分が線状構造体でない場合や（比較例４）、保護層を設けない場合は（比較例３）は、アルカリ処理に対する耐性を得られなかった。さらに、下地層を設け、且つ、保護層が好ましい様態であったとしても、下地層が親水性官能基（Ａ）を有さない場合（比較例５）、下地層がメラミン系架橋剤（Ｂ）を有さない場合（比較例６）、下地層がメラミン系架橋剤（Ｂ）とは異なる添加剤が含有している場合（比較例７）は、いずれにおいてもアルカリ処理に対する耐性を得られなかった。

本発明は、導電積層体をタッチパネル等に使用する電極部材に加工形成する際のアルカリ処理に対し耐性を有する導電積層体に関するものである。またさらに、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンス、電子ペーパーなどのディスプレイ関連および太陽電池モジュールなどの使用される電極部材にも使用される導電積層体に関するものである。

１：基材
２：下地層
３：導電層
４：保護層
５：積層面に垂直な方向より観察した導電面
６：単一の繊維状導電体（線状構造体の一例）
７：繊維状導電体の集合体（線状構造体の一例）
８：金属や金属酸化物のナノワイヤー（線状構造体の一例）
９：ウィスカーのような針状導電体（線状構造体の一例）
１０：繊維状導電体の重なりによって形成した接点
１１：金属や金属酸化物のナノワイヤーの重なりによって形成した接点
１２：ウィスカーのような針状導電体の重なりよって形成した接点１３：導電領域と非導電領域を有する導電積層体
１４：導電領域と非導電領域を有する導電積層体の基材
１５：導電領域と非導電領域を有する導電積層体の下地層
１６：導電領域と非導電領域を有する導電積層体の導電層
１７：導電領域と非導電領域を有する導電積層体の保護層
１８：接着剤や粘着剤による、導電領域と非導電領域を有する導電積層体を積層するための接合層
１９：タッチパネルの画面側の基材
２０：タッチパネルの画面側の基材に積層したハードコート層
１００：反応器
１０１：石英焼結板
１０２：密閉型触媒供給機
１０３：触媒投入ライン
１０４：原料ガス供給ライン
１０５：排ガスライン
１０６：加熱器
１０７：点検口
１０８：触媒

Claims (9)

1. 基材の少なくとも片面に、下地層、線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電成分を含む導電層と、保護層とを積層した導電積層体であって、該下地層が下記（Ｉ）（ＩＩ）を満たす導電積層体。
   （Ｉ）Ｓ元素、および、金属イオンを、いずれも含まない親水性官能基（Ａ）を有する。
   （ＩＩ）メラミン系架橋剤（Ｂ）を含む。
2. 前記Ｓ元素、および、金属イオンを、いずれも含まない親水性官能基（Ａ）がカルボン酸基であり、且つ、側鎖に前記カルボン酸基及びスルホン酸基を有するポリエステル樹脂（Ｃ）を主たる構成成分とする組成物から形成されたものである請求項1に記載の導電積層体。
3. 前記ポリエステル樹脂（Ｃ）が、下記（ｃ１）〜（ｃ３）からなる群より選ばれる少なくとも１種のポリエステル樹脂からなる、請求項１又は２に記載の導電積層体。
   （ｃ１）１分子中の側鎖にカルボン酸基とスルホン酸基とを有するポリエステル樹脂。
   （ｃ２）１分子中の側鎖にカルボン酸基を有するポリエステル樹脂。
   （ｃ３）１分子中の側鎖にスルホン酸基を有するポリエステル樹脂。
4. 前記組成物におけるメラミン系架橋剤（Ｂ）の含有量が、ポリエステル樹脂（Ｃ）１００質量部に対して４０質量部以上７５質量部未満である、請求項１〜３のいずれかに記載の導電積層体。
5. 前記保護層が下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）を満たす、請求項１〜４のいずれかに記載の導電積層体。
   （ｉ）構造内に２個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物が重合反応した構造を含む高分子からなる。
   （ｉｉ）保護層の全質量に対する前記炭素−炭素二重結合基由来の構造の炭素−炭素二重結合基の単位構造（＞Ｃ＝Ｃ＜：式量２４）部分の質量含有率が９質量％以上である。
   （ｉｉｉ）ＦＴ−ＩＲ法にて求めた前記炭素−炭素二重結合の伸縮振動のピーク強度ν１と炭素−水素単結合（Ｃ−Ｈ）の伸縮振動のピーク強度ν２の比ν１／ν２がν１／ν２≦０．３である。
6. 前記保護層が、Ｓ元素、Ｐ元素、金属元素、金属イオン、および、官能基を構成するＮ元素を、いずれも含まない化合物からなる請求項１〜５のいずれかに記載の導電積層体。
7. 前記線状構造体が、銀ナノワイヤーである請求項１〜６のいずれかに記載の導電積層体。
8. 請求項１〜７のいずれかに記載の導電積層体を、導電領域と非導電領域とに分ける加工処理をした後、導電領域と非導電領域を有する加工処理導電積層体。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載の導電積層体を用いてなるタッチパネル。

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