JP5793142B2 - 導電積層体およびタッチパネル - Google Patents
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Description
(i)前記架橋層が、構造内に2個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物が重合反応した構造を含む架橋高分子からなり、かつ、前記架橋層の全質量に対する前記炭素−炭素二重結合基由来の構造の炭素−炭素二重結合基の単位構造(>C=C<:式量24)部分の質量含有率が9〜26質量%である。
(ii)前記架橋層の厚みが50nm〜1μmである。
(iii)前記導電層が線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電成分を含む。
(iv)前記保護層の平均厚みtが70nm〜1μmである。
(i)前記架橋層が、構造内に2個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物が重合反応した構造を含む架橋高分子からなり、かつ、架橋層の全質量に対する前記炭素−炭素二重結合基由来の構造の炭素−炭素二重結合基の単位構造(>C=C<:式量24)部分の質量含有率が9〜26質量%である。
(ii)前記架橋層の厚みが50nm〜1μmである。
(iii)前記導電層が線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電成分を含む。
(iv)前記保護層の平均厚みtが70nm〜1μmである。
ガラス基板の材質としては、通常のソーダガラスを用いることができる。
表面抵抗値は、非接触式抵抗率計(ナプソン(株)製 NC−10)を用い渦電流方式で100mm×50mmのサンプルの中央部分を測定した。検出限界を超えて表面抵抗値が得られなかった場合は、次いで以下の方法にて測定した。
いずれの方法も、5サンプルについて測定し、平均値を表面抵抗値R0[Ω/□]とした。
サンプルの観察したい部分近傍を、氷で埋包し凍結固着、もしくはエポキシ樹脂のような氷よりさらに固着力の強い成分で埋包後、日本ミクロトーム研究所(株)製ロータリー式ミクロトームを使用し、ナイフ傾斜角度3°にダイヤモンドナイフをセットしてフィルム平面に垂直な方向に切断した。次いで得られたフィルムの断面を、電界放射型走査電子顕微鏡(日本電子(株)製 JSM−6700−F)を用いて加速電圧3.0kVにて観察した。観察倍率は、2500〜200000倍の範囲から、積層体の厚みが表示装置の縦方向の長さの50〜90%となる倍率を選択し、画像のコントラストを適宜調節して観察した。
先ず、(1)または(2)の方法にて、導電積層体のどちらの側が架橋層側の面かを特定した。次いでサンプルから架橋層を剥離し、架橋層を溶解可能な溶剤に溶解させた。必要に応じ、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、ゲル浸透クロマトグラフィー、液体高速クロマトグラフィー等に代表される一般的なクロマトグラフィー等を適用し、架橋層に含まれる成分を、それぞれ単一物質に分離精製して、以下の定性分析および定量分析に供した。なお、同様の方法を保護層を対象に実施し、保護層の化合物の含有元素、構造および結合様態の同定も実施することができる。
(i)核磁気共鳴分光法(1H−NMR、13C−NMR、29Si−NMR、19F−NMR)、二次元核磁気共鳴分光法(2D−NMR)、赤外分光光度法(IR)、ラマン分光法、各種質量分析法(ガスクロマトグラフィー−質量分析法(GC−MS)、熱分解ガスクロマトグラフィー−質量分析法(熱分解GC−MS)、マトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析(MALDI−MS)、飛行時間型質量分析法(TOF−MS)、飛行時間型マトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析(MALDI−TOF−MS)、ダイナミック二次イオン質量分析法(Dynamic−SIMS)、飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF−SIMS)、その他スタティック二次イオン質量分析法(Static−SIMS)等)。
(ii)X線回折法(XRD)、中性子回折法(ND)、低速電子線回折法(LEED)、高速反射電子線回折法(RHEED)、原子吸光分析法(AAS)、紫外光電子分光法(UPS)、オージェ電子分光法(AES)、X線光電子分光法(XPS)、蛍光X線元素分析法(XRF)、誘導結合プラズマ発光分光法(ICP−AES)、電子線マイクロアナリシス法(EPMA)、荷電粒子励起X線分光法(PIXE)、低エネルギーイオン散乱分光法(RBSまたはLEIS)、中エネルギーイオン散乱分光法(MEIS)、高エネルギーイオン散乱分光法(ISSまたはHEIS)、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)、透過電子顕微鏡−エネルギー分散X線分光分析(TEM−EDX)、走査電子顕微鏡−エネルギー分散X線分光分析(SEM−EDX)、ガスクロマトグラフィー(GC)その他元素分析。
(3)の方法を実施の後、得られた架橋層の剥離物もしくは分離物のうち任意の一部を分取し、質量を測定し、測定サンプルとした。その後、予め質量を測定した1,1,2,2−テトラブロモエタン(以下TBEと略す)を適宜重クロロホルム等で希釈して既知の濃度とする内標溶液を用意した。前記分取したサンプルに前記TBE内標溶液を添加し、この試験溶液を1H−NMRを用いて測定した。得られた1H−NMRスペクトルにおいて、炭素−炭素二重結合基を含む官能基の炭素−炭素二重結合基部分の水素(プロトン、H)に由来するピークのピーク面積と、内標として添加したTBEの水素(プロトン、H)に該当するピーク面積との面積比率、予め測定したサンプルの質量およびTBE内標溶液の濃度から、炭素−炭素二重結合基量を算出した。これと、同様にして算出した、測定サンプル中の他の構造との比較から、測定サンプルの全質量に対する炭素−炭素二重結合基の単位構造部分の質量含有率を算出した。なお、ここで炭素−炭素二重結合基とは、反応して他の構造に変化している炭素−炭素二重結合基由来の基も含む。
先ず、(1)または(2)の方法にて、導電積層体のどちらの側が架橋層側の面かを特定した。(2)と同様にして、導電積層体をフィルム平面に垂直な方向に切断した。次いで得られた断面の架橋層の部分を、電界放射型走査電子顕微鏡(日本電子(株)製 JSM−6700−F)を用いて加速電圧3.0kV、観察倍率10000〜100000倍にて、画像のコントラストを適宜調節して各倍率にて観察した。得られた断面写真から架橋層を厚みと直交する方向に16等分した境界の15箇所において厚みを測定し、平均値を求めた。なお、本測定に当たっては、有効数字3桁が確保できる倍率を選択し、計算に当たっては、4桁目を四捨五入して値を求めた。
先ず、(1)または(2)の方法にて、導電積層体のどちらの側が架橋層側の面かを特定した。サンプルの導電層側の表面を、走査透過電子顕微鏡((株)日立ハイテクノロジーズ製 日立走査透過電子顕微鏡HD−2700)を用いて観察した。
先ず、(1)または(2)の方法にて、導電積層体のどちらの側が保護層側の面かを特定した。(2)と同様にして、フィルム平面に垂直な方向に切断した。次いで得られた断面の保護層の部分を、電界放射型走査電子顕微鏡(日本電子(株)製 JSM−6700−F)を用いて加速電圧3.0kVにて観察倍率10000〜100000倍にて、画像のコントラストを適宜調節して観察した。得られた断面写真から図4に示す線状構造体が存在しない部分の保護層厚み23(前記保護層厚みが厚い部分)と、単一の線状構造体の頂点上の保護層厚み24もしくは線状構造体からなる集合体の頂点上の保護層厚み25(前記保護層厚みが薄い部分)に該当する部分について、おのおの任意の5箇所を測定(拡大倍率から計算)し、平均して保護層の平均厚みを求めた。なお、本測定に当たっては、有効数字3桁が確保できる倍率を選択し、計算に当たっては、4桁目を四捨五入して値を求めるものとする。
電界放射型走査電子顕微鏡(日本電子(株)製 JSM−6700−F)を用いて(7)と同様に断面もしくは保護層側表面を観察し、線状構造体の部分と線状構造体が積層していない部分の画像のコントラストを適宜調節して観察した。なお、rとtの大小の判断は、断面観察から線状構造体の径rを測定し(7)より求めたtと比較した。
濁度計(曇り度計)NDH2000(日本電色工業(株)製)を用いてJIS K7361−1(1997)に基づいて、導電積層体の厚み方向のヘイズ値を、導電層側(保護層側)から光を入射させて測定した。5サンプルについて測定した値から平均値を算出し、これを初期ヘイズHz0とした。次いで、5サンプルとも安全扉つき恒温器セーフティーオーブン(エスペック(株)製 SPHH−201)にて130℃で30分間加熱した。加熱後の5サンプルを、加熱前と同様に、導電層側(保護層側)から光を入射させてヘイズ値を測定した。5サンプルについて測定した値から平均値を算出し、これを加熱後ヘイズHzとした。加熱前後のヘイズ変化として、前記初期ヘイズHz0と加熱後ヘイズHzとの比Hz/Hz0が1.20以下である場合を合格とし、Hz/Hz0が1.20より大きい場合を不合格とした。なお、Hz/Hz0が小さいほどオリゴマーの析出が少なく熱に対する耐久性が高いことを意味する。最も耐久性が良いものは加熱前後でのヘイズ変化がない、すなわちHz/Hz0が1.0である。逆にHz/Hz0が大きいほど熱に対する耐久性が悪いことを意味する。
(i)以下のようにして、導電層がパターニングされた導電積層体を得た。
後述する除去剤を用意し、導電積層体上にSUS#500メッシュを用いて、除去剤を乾燥後の膜厚が2.4μmとなるようにスクリーン印刷した。印刷パターンは、ライン長5cm、ライン幅500μmの直線ラインとした。除去剤を塗布後、赤外線オーブンに入れ、130℃で3分間加熱処理し、オーブンから取り出し室温まで放冷した後、25℃の純水を用いて1分間洗浄を行い、付着している除去剤および分解物を除去した。そして、前記基板を圧空を用いて水切りしてから、赤外線オーブンで80℃1分間乾燥し、導電層がパターニングされた導電積層体を得た。
(ii)次いで、パターニングされた導電積層体を恒温器セーフティーオーブン(エスペック(株)製 SPHH−201)にて130℃で30分間加熱した。パターニング部分の表面を光学顕微鏡((株)ニコン製 ECLIPSE−L200)にて観察し、加熱前後でのパターニング部分表面のオリゴマーの析出有無を観察した。なお、オリゴマーの析出有無は、加熱前の表面に存在していなかった斑点や斑点模様が、加熱後に存在するか否かで判断した。光学顕微鏡でオリゴマーが観察できなかった場合は、トプコン社製走査型電子顕微鏡ABT−32を用いて、同様に表面を観察し、オリゴマーの析出有無を確認した。任意の10点にて観察を行いオリゴマーの析出が1カ所もない場合を合格とする。
(10)にて作製した導電層がパターニングされた導電積層体を、直線パターンのライン長の両端部から、それぞれ1cmの部分で切断し、中央を該直線パターン(エッチングライン)で仕切られた3cm×10cmの導電積層体を得た。そして、エッチングラインの右側と左側に絶縁抵抗計(三和電気計器(株)製、EA709DA−1)の探針をあて、直流25V印加で10MΩ以上の電気抵抗を示した場合を合格、10MΩ未満の電気抵抗を示した場合を不合格とした。
(10)にて作製した導電層がパターニングされた導電積層体のパターニング部分を、(7)または(8)に記載と同様の方法、もしくは走査透過電子顕微鏡((株)日立ハイテクノロジーズ製 日立走査透過電子顕微鏡HD−2700)にて観察した。(6)にて判別した導電成分が確認できない場合を合格(導電成分の残存無し)、確認できる場合を不合格(導電成分の残存有り)とした。
(3)と同様のいずれかの方法にて保護層の成分を分離精製し、各種成分の内、光開始剤に該当する化合物のみを抽出した。光開始剤に該当するかしないかが不明な場合は、放射線を照射し、ラジカル種、カチオン種、アニオン種のいずれかが発生する化合物を光開始剤とした。次いで、光開始剤を溶解可能な溶剤に溶解させた。次いで、この溶液を石英セル中に入れ、紫外可視分光光度計(UV−Bis Spectrophotometer、日本分光(株)製 V−660型)を用いて、光路長1cmにて、波長200〜900nmにおける吸収スペクトルを測定し、極大吸収波長を求めた。
濁度計(曇り度計)NDH2000(日本電色工業(株)製)を用いてJIS K7361−1(1997)に基づいて、導電積層体の厚み方向の全光線透過率を、導電層側から光を入射させて測定した。5サンプルについて測定した値から平均値を算出し、これを全光線透過率とした。
JIS C2151(2006)に準拠し、2枚の導電積層体の架橋層側と保護層側を接触させた状態で200gの荷重をかけて摩擦係数を評価した。10サンプルについて静摩擦係数および動摩擦係数を求め、10サンプルの平均値を、それぞれ静摩擦係数および動摩擦係数とした。
JIS L0849(2004)に準拠し、導電積層体の架橋層側と保護層側の表面を試験用添付白布 綿(カナキン3号)によって50往復摩擦した。次いで摩擦面のうち任意の2cm四方を2箇所選び、各箇所を摩擦面に対し10°方向から、蛍光灯で照らしながら、摩擦方向と平行方向(摩擦方向に対し±10°以内)の傷を目視観察し、長さ0.5mm以上の傷を数えた。5サンプルにて評価を行い、計10箇所の平均を小数第1位を四捨五入して整数で求め、摩擦方向と平行方向に傷の数(以下単に傷の数と記す)とした。本発明における判定基準は、下記の3段階に分類し、A、B級であれば合格と判定した。
A級:傷の数が2個以下。
B級:傷の数が3以上10個以下。
C級:傷の数が11個以上。
導電積層体の架橋層側からC光源による光を入射した際の透過率を、JIS Z8729(2004)に基づき、分光光度計(島津製作所製、UV−3150)を用いて測定した。C光源で2゜視野の380〜780nmにおける透過率スペクトルを1nm間隔で測定し、XYZ(CIE1976)表色系の透過色度計算結果にて透過光色調b*値を測定した。5サンプルにて測定し、5サンプルの透過光色調b*値の平均値を透過光色調b*値(C光源)とした。
[保護層]
(1)保護層材料A
・S元素、P元素、金属元素、金属イオン、および、官能基を構成するN元素をいずれも含まず、架橋構造を形成しない直鎖メタクリル系樹脂(綜研化学(株)製 フォレットGS−1000、固形分濃度30質量%)
(2)保護層材料B
・S元素、P元素、金属元素、金属イオン、および、官能基を構成するN元素をいずれも含まず、光開始剤により架橋構造を形成する多官能アクリル系組成物(綜研化学(株)製 フルキュアーHC−6、固形分濃度51質量%)
(3)保護層材料C
・S元素、P元素、金属元素、金属イオン、および、官能基を構成するN元素をいずれも含まず、フッ素を含有し、光開始剤により架橋構造を形成する多官能アクリル系組成物(綜研化学(株)製 フルキュアーUAF−1、固形分濃度48.4質量%)
(4)保護層材料D
・S元素、P元素、金属元素、金属イオンおよび官能基を構成するN元素をいずれも含まず、骨格構造内にN元素を含み、光開始剤により架橋構造を形成する多官能アクリル系/ウレタンアクリレート系混合組成物(中国塗料(株)製 フォルシードNo.420C、固形分濃度50質量%)
(5)保護層材料E
・S元素、P元素、金属元素、金属イオン、および、官能基を構成するN元素をいずれも含まず、骨格構造内にN元素を含み、光開始剤により架橋構造を形成する多官能ウレタンアクリレート系組成物(根上工業(株)製 アートレジンUN−904M、固形分濃度80質量%)
(6)保護層材料F
・官能基を形成するN元素を含み、光開始剤により架橋構造を形成する多官能アクリル系/メタクリレート系混合組成物(綜研化学(株)製 フルキュアーHCE−022、固形分濃度52.1質量%)
(7)保護層材料G
・Acrylamide t−Butyl Sulfonic Acid(別名2−Acrylamide−2−Methyl Propane Sulfonic Acid、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸)およびMethyl Methacrylate(別名メタクリル酸メチル、2−メチル−2−プロペン酸メチル、略名MMA)を共重合して得られた、S元素を含み、架橋構造を形成しない直鎖アクリル系樹脂(固形分濃度100質量%)
(8)保護層材料H
・Acrylamide t−Butyl Sulfonic Acid Sodium Sait(別名2−Acrylamide−2−Methyl Propane Sulfonic Acid Sodium Sait、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸ナトリウム)およびMethyl Methacrylate(別名メタクリル酸メチル、2−メチル−2−プロペン酸メチル、略名MMA)を共重合して得られたS元素および金属イオンを含み、架橋構造を形成しない直鎖アクリル系樹脂(固形分濃度100質量%)
(9)保護層材料I
・特開2008−222848号公報の実施例1に記載の方法で得た、P元素を含み、光開始剤により架橋構造を形成する多官能アクリル系樹脂と下記添加剤Aとを含有した組成物(固形分濃度40質量%)。
(10)添加剤A
・極大吸収波長240nmの光重合開始剤(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)184)
(11)添加剤B
・極大吸収波長300nmの光重合開始剤(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)907)
(12)添加剤C
・極大吸収波長320nmの光重合開始剤(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)369)
(13)添加剤D
・極大吸収波長250nmの光重合開始剤(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)651)。
(1)導電層A「針状二酸化ケイ素系・ATO(アンチモンドープ酸化錫)複合化合物導電層」
バインダー成分として前記保護層材料A(アクリル系樹脂)、導電成分として針状形状の二酸化ケイ素系・ATO(アンチモンドープ酸化錫)複合化合物(大塚化学(株)製 デントール(登録商標)TM100、短軸:700〜900nm、長軸:15〜25μm)を用い、固形分全体に対する導電成分量が60質量%となるように混合(固形分混合比:バインダー成分/導電成分=40質量%/60質量%)した。次いでこの混合液に塗料固形分濃度50質量%となるように酢酸エチルを加えて希釈し、針状二酸化ケイ素系・ATO複合化合物分散塗液を得た。この針状二酸化ケイ素系・ATO複合化合物分散塗液を、材質がSUSのシム(シム厚み100μm)を装着したスリットダイコートを使用して基材上に塗布した後、120℃で5分間乾燥し、針状二酸化ケイ素系・ATO複合化合物導電層を形成した。
特表2009−505358号公報の例1(銀ナノワイヤーの合成)に記載されている方法にて銀ナノワイヤー(短軸:50〜100nm、長軸:20〜40μm)を得た。次いで、同特表2009−505358号公報の例8(ナノワイヤー分散)に記載されている方法にて銀ナノワイヤー分散塗液を得た。この銀ナノワイヤー分散塗液を、塗液全体に対する銀ナノワイヤー量が0.04質量%となるように濃度調整した。この濃度調整した銀ナノワイヤー分散塗液を、材質がSUSのシム(シム厚み50μm)を装着したスリットダイコートを使用して基材上に塗布した後、120℃で2分間乾燥し、銀ナノワイヤー導電層を形成した。
(触媒調製)
クエン酸アンモニウム鉄(緑色)(和光純薬工業(株)製)2.459gをメタノール(関東化学(株)製)500mLに溶解した。この溶液に、軽質マグネシア(岩谷化学工業(株)製)を100g加え、室温で60分間攪拌し、40℃から60℃で攪拌しながら減圧乾燥してメタノールを除去し、軽質マグネシア粉末に金属塩が担持された触媒を得た。
図5の概略図で示す流動床縦型反応装置でCNTを合成した。反応器100は内径32mm、長さは1200mmの円筒形石英管である。反応器100は、中央部に石英焼結板101を具備し、下部には、不活性ガスおよび原料ガス供給ライン104、上部には排ガスライン105および、触媒投入ライン103を具備する。さらに、反応器を任意温度に保持できるように、反応器の円周を取り囲む加熱器106を具備する。加熱器106には装置内の流動状態が確認できるよう点検口107が設けられている。
50mLの容器に硝酸処理後のCNT組成物を10mg(乾燥時換算)および分散剤としてカルボキシメチルセルロースナトリウム(シグマ社製90kDa,50−200cps)10mgを量りとり、蒸留水を加えて総量を10gにし、超音波ホモジナイザー出力20W、20分間で氷冷下分散処理した。得られた液を高速遠心分離機にて10000G、15分遠心し、上清9mLを採取した。この操作を複数回繰り返し得た上清145mLにエタノール5mLを加え、コーターで塗布可能なCNT濃度約0.1質量%のCNT分散塗液(CNTと分散剤の配合比1対1)を得た。このCNT分散塗液を石英ガラスに塗布および乾燥したCNT導電層の屈折率は1.82であった。
前記CNT分散塗液をマイクログラビアコーター(グラビア線番150R、グラビア回転比80%)を用いて基材上に塗布した後、100℃で1分間乾燥し、CNT導電層(CNT塗膜でのCNT集合体として短軸:10〜30nm、長軸:1〜5μm)を形成した。
特開2001−243841号公報の実施例((2)銀ナノコロイド塗布液の調製)に記載されている方法にて銀ナノ微粒子(短軸、長軸(粒径):9〜15nm)分散液を得た。次いで、同特開2001−243841号公報の[実施例1〜8]に記載されている方法にて銀ナノ微粒子分散液を塗布し、銀ナノ微粒子導電層を形成した。
特開2001−243841号公報の実施例((2)銀ナノコロイド塗布液の調製)に記載されている方法にて得た銀ナノ微粒子分散液に、特表2009−505358号公報の例8(ナノワイヤー分散)に記載されている方法にて得た銀ナノワイヤー分散塗液を、銀ナノ微粒子と銀ナノワイヤーの質量比が銀ナノ微粒子/銀ナノワイヤー=8/2となるように混合し、銀ナノワイヤー/銀ナノ微粒子混合分散液を得た。次いで、同特開2001−243841号公報の[実施例1〜8]に開示されている方法にて銀ナノワイヤー/銀ナノ微粒子混合分散液を基材上に塗布および乾燥し、銀ナノワイヤー/銀ナノ微粒子導電層を形成した。
組成In2O2/SnO2=90/10のインジウム・錫酸化物ターゲットを用いて、真空度10−4Torrにてアルゴン/酸素混合ガス導入のもとスパッタリング法にて、厚み250nmのITO(酸化インジウム錫)薄膜導電層を基材上に形成した。
(1)架橋層材料A
・炭素−炭素二重結合基としてスチリル基を有するポリスチレン樹脂(和光純薬工業(株)製 Styrene,Polymer(スチレン,ポリマー)、固形分濃度100質量%、架橋単位構造質量含有率=23質量%)
(2)架橋層材料B
・炭素−炭素二重結合基としてメタクリロイル基を有するメタクリル系樹脂(綜研化学(株)製 フォレットGS−1000、固形分濃度30質量%、架橋単位構造質量含有率=24質量%)
(3)架橋層材料C
・炭素−炭素二重結合基としてアクリロイル基を有するアクリル系組成物(マツイカガク(株)製 EXP8002UVアンカー剤−B、固形分濃度40質量%、架橋単位構造質量含有率=12質量%)
(4)架橋層材料D
・炭素−炭素二重結合基としてメタクリロイル基を有するメタクリル系組成物(共栄社化学(株)製 ライトエステルTMP、固形分濃度100質量%、架橋単位構造質量含有率=20質量%)
(5)架橋層材料E
・炭素−炭素二重結合基としてアクリロイル基を有するアクリル系組成物(綜研化学(株)製 フルキュアーHC−6、固形分濃度51質量%、架橋単位構造質量含有率=24質量%)
(6)架橋層材料F
・炭素−炭素二重結合基としてアクリロイル基を有するウレタンアクリレート系組成物(共栄社化学(株)製 AT−600、固形分濃度100質量%、架橋単位構造質量含有率=9質量%)。
・炭素−炭素二重結合基としてアクリロイル基を有する下記(a)〜(d)からなる組成物(架橋単位構造質量含有率=22質量%)
(a)アクリル系組成物(綜研化学(株)製 フルキュアーHC−6、固形分濃度51質量%)77.80質量部
(b)アクリル系/ウレタンアクリレート系混合組成物(中国塗料(株)製 フォルシードNo.420C、固形分濃度50質量%)6.29質量部
(c)添加剤B(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)907)2.07質量部
(d)添加剤C(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)369)2.07質量部。
・炭素−炭素二重結合基としてアクリロイル基およびメタクリロイル基を有する多官能アクリル系/メタクリレート系混合組成物(綜研化学(株)製 フルキュアーHCE−032、固形分濃度51.4質量%、架橋単位構造質量含有率=26質量%)
(9)架橋層材料I
・炭素−炭素二重結合基としてアクリロイル基を有する下記(a)〜(e)からなる混合組成物(青色素添加剤の含有量は(a)、(b)の総固形分量に対し、0.5質量%、架橋単位構造質量含有率=22質量%)
(a)アクリル系組成物(綜研化学(株)製 フルキュアーHC−6、固形分濃度51質量%)77.80質量部
(b)アクリル系/ウレタンアクリレート系混合組成物(中国塗料(株)製 フォルシードNo.420C、固形分濃度50質量%)6.29質量部。
(c)添加剤B(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)907)2.07質量部
(d)添加剤C(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)369)2.07質量部
(e)アントラキノン系青色素添加剤(日本化薬(株)製 Kayaset Blue A−2R)0.22質量部。
・炭素−炭素二重結合基としてアクリロイル基を有する下記(a)〜(d)からなる混合組成物(滑り性付与添加剤の含有量は(a)の総固形分量に対し、0.3質量%、架橋単位構造質量含有率=23質量%)
(a)アクリル系組成物(綜研化学(株)製 フルキュアーHC−6、固形分濃度51質量%)77.80質量部
(b)添加剤B(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)907)1.87質量部
(c)添加剤C(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)369)1.87質量部
(d)シリコーンアクリレート系滑り性付与添加剤(ダイセル・サイテック(株)製 EBECRYL1360、ポリシロキサンヘキサアクリレート、固形分濃度100質量%)0.12質量部。
・炭素−炭素二重結合基としてアクリロイル基を有する下記(a)〜(d)からなる混合組成物(滑り性付与添加剤の含有量は(a)の総固形分量に対し、1.0質量%、架橋単位構造質量含有率=23質量%)
(a)アクリル系組成物(綜研化学(株)製 フルキュアーHC−6、固形分濃度51質量%)77.80質量部
(b)添加剤B(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)907)1.87質量部
(c)添加剤C(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)369)1.87質量部
(d)シリコーンアクリレート系滑り性付与添加剤(ダイセル・サイテック(株)製 EBECRYL1360、ポリシロキサンヘキサアクリレート、固形分濃度100質量%)0.40質量部。
・炭素−炭素二重結合基としてアクリロイル基を有する下記(a)〜(d)からなる混合組成物(滑り性付与添加剤の含有量は(a)の総固形分量に対し、3.0質量%、架橋単位構造質量含有率=23質量%)
(a)アクリル系組成物(綜研化学(株)製 フルキュアーHC−6、固形分濃度51質量%)77.80質量部
(b)添加剤B(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)907)1.87質量部
(c)添加剤C(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)369)1.87質量部
(d)シリコーンアクリレート系(ポリシロキサンヘキサアクリレート)滑り性付与添加剤(ダイセル・サイテック(株)製 EBECRYL1360、固形分濃度100質量%)1.19質量部。
・炭素−炭素二重結合基を含有しないポリエステル変性シリコーン系(末端水酸基(ヒドロキシル基)ポリエステル変性ジメチルポリシロキサン)組成物(信越化学(株)製 X−22−8300、固形分濃度25質量%、架橋単位構造質量含有率=0質量%)
(14)架橋層材料N
・炭素−炭素二重結合基としてアクリロイル基を有するアクリル系組成物(共栄社化学(株)製 ライトアクリレートBP−10EA、固形分濃度100質量%、架橋単位構造質量含有率=6質量%)
(15)架橋層材料O
・炭素−炭素二重結合基としてアクリロイル基を有するアクリル系組成物(共栄社化学(株)製 ライトアクリレートPE−4A、固形分濃度100質量%、架橋単位構造質量含有率=27質量%)
(16)架橋層材料P
・炭素−炭素二重結合基としてアクリロイル基を有する下記(a)〜(e)からなる混合組成物(青顔料添加剤の含有量は(a)、(b)の総固形分量に対し、0.3質量%、架橋単位構造質量含有率=22質量%)
(a)アクリル系組成物(綜研化学(株)製 フルキュアーHC−6、固形分濃度51質量%)77.80質量部
(b)アクリル系/ウレタンアクリレート系混合組成物(中国塗料(株)製 フォルシードNo.420C、固形分濃度50質量%)6.29質量部
(c)添加剤B(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)907)2.07質量部
(d)添加剤C(チバ・ジャパン(株)製 Ciba(登録商標)IRGACURE(登録商標)369)2.07質量部
(e)青顔料添加剤(ピグメントブルー15:6)0.15質量部。
除去剤(酸を含有する除去剤)の製法を以下に示す。
容器にエチレングリコール(和光純薬工業(株)製)70g、N,N’−ジメチルプロピレン尿素(東京化成工業(株)製)30gおよび硝酸ナトリウム5gを入れて混合した。これに、ポリクオタニウム−10(ISPジャパン製)5gとチキソ剤としてチクサトロールMAX(エレメンティスジャパン(株)製、ポリエステルアミド誘導体)0.5gを加え、オイルバスで60℃に加熱しながら30分間撹拌した。
厚み125μmのポリエチレンレテフタレートフィルム、ルミラー(登録商標)U48(東レ(株)製)を基材として用いた。次いで、前記架橋層材料A 100g、ベンゼン 1026gを混合、撹拌し、架橋層塗布液を調製した。この架橋層塗布液を、基材上に材質がSUSのシム(シム厚み50μm)を装着したスリットダイコートを使用して塗布した後、120℃で2分間乾燥し、厚み950nmの架橋層を形成した。
次いで、前記保護層材料A 296g、酢酸エチル 704gを混合、撹拌し、保護層塗布液を調製した。この保護層塗布液を、前記導電層Aの上に材質がSUSのシム(シム厚み50μm)を装着したスリットダイコートを使用して塗布した後、120℃で2分間乾燥し、厚み950nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
厚み125μmのポリエチレンレテフタレートフィルム、ルミラー(登録商標)U48(東レ(株)製)を基材として用いた。次いで、前記架橋層材料B 500g、酢酸エチル 1382gを混合、撹拌し、架橋層塗布液を調製した。この架橋層塗布液を、基材上に材質がSUSのシム(シム厚み50μm)を装着したスリットダイコートを使用して塗布した後、120℃で2分間乾燥し、厚み850nmの架橋層を形成した。
次いで、前記保護層材料A 500g、「酢酸エチル 1500gを混合、撹拌し、保護層塗布液を調製した。この保護層塗布液を、前記導電層Aの上に材質がSUSのシム(シム厚み50μm)を装着したスリットダイコートを使用して塗布した後、120℃で2分間乾燥し、厚み800nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
厚み125μmのポリエチレンレテフタレートフィルム、ルミラー(登録商標)U48(東レ(株)製)を基材として用いた。次いで、前記架橋層材料C 300g、トルエン 764g、メチルエチルケトン 764gを混合、撹拌し、架橋層塗布液を調製した。この架橋層塗布液を、基材上に材質がSUSのシム(シム厚み50μm)を装着したスリットダイコートを使用して塗布し、100℃で2分間乾燥した後、紫外線を1.2J/cm2照射して硬化させ、厚み700nmの架橋層を形成した。
次いで、前記保護層材料B 150g、前記添加剤A 3.60g、前記添加剤B 7.15g、酢酸エチル 1907gを混合、撹拌し、保護層塗布液を調製した。この保護層塗布液を、前記導電層Bの上に材質がSUSのシム(シム厚み50μm)を装着したスリットダイコートを使用して塗布し、120℃で2分間乾燥した後、紫外線を1.2J/cm2照射して硬化させ、厚み450nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を前記保護層材料B 150g、前記添加剤A 3.60g、前記添加剤B 7.15g、酢酸エチル 2288gとしたこと以外は、実施例3と同様にして、厚み380nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を前記保護層材料B 150g、前記添加剤A 3.60g、前記添加剤B 7.15g、酢酸エチル 2748gとしたこと以外は、実施例3と同様にして、厚み310nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を前記保護層材料B 150g、前記添加剤A 3.60g、前記添加剤B 7.15g、酢酸エチル 3561gとしたこと以外は、実施例3と同様にして、厚み250nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料D 76.5g、前記添加剤A 3.60g、前記添加剤B 7.15g、トルエン 990g、酢酸エチル 990gとしたこと以外は、実施例6と同様にして、厚み450nmの架橋層を設け、本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料E 78.4g、前記添加剤B 1.88g、前記添加剤C 1.88g、酢酸エチル 1423gとしたこと以外は、実施例6と同様にして、厚み310nmの架橋層を設け、本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料F 40.0g、前記添加剤B 1.88g、前記添加剤C 1.88g、酢酸エチル 1462gとしたこと以外は、実施例6と同様にして、厚み310nmの架橋層を設け、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を前記保護層材料C 150g、前記添加剤A 3.41g、前記添加剤B 6.79g、酢酸エチル 3373gとしたこと以外は、実施例8と同様にして、厚み250nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を前記保護層材料B 77.80g、前記保護層材料D 6.29g、前記添加剤A 2.07g、前記添加剤B 2.07g「酢酸エチル 1916gとしたこと以外は、実施例8と同様にして、厚み250nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を前記保護層材料E 100g、前記添加剤A 3.76、酢酸エチル 3470gとしたこと以外は、実施例8と同様にして、厚み250nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を前記保護層材料F 120g、前記添加剤A 2.94g、前記添加剤B 5.85g、酢酸エチル 2913gとしたこと以外は、実施例8と同様にして、厚み250nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を前記保護層材料B 117g、前記保護層材料G 6.63g、前記添加剤A 3.12g、前記添加剤B 6.20g、酢酸エチル 3094gとしたこと以外は、実施例8と同様にして、厚み250nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を前記保護層材料B 117g、前記保護層材料H 6.63g、前記添加剤A 3.12g、前記添加剤B 6.20g、酢酸エチル 3094gとしたこと以外は、実施例8と同様にして、厚み250nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を前記保護層材料B 117g、前記保護層材料I 16.58g、前記添加剤B 6.2g、酢酸エチル 2954gとしたこと以外は、実施例8と同様にして、厚み250nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
実施例8と同様に、架橋層および導電層を積層した。次いで、特開2001−243841号公報の実施例((2)銀ナノコロイド塗布液の調製)に開示されている方法にて得た銀ナノ微粒子分散液を蒸発乾固し、銀ナノ微粒子を得た。
厚み125μmのポリエチレンレテフタレートフィルム、ルミラー(登録商標)U48(東レ(株)製)を基材として用いた。次いで、前記架橋層材料E 78.4g、前記添加剤B 1.88g、前記添加剤C 1.88g、酢酸エチル 3566gを混合、撹拌し、架橋層塗布液を調製した。この架橋層塗布液を、基材上にマイクログラビアコート(グラビア線番80R、グラビア回転比100%)で塗布し、120℃で2分間乾燥した後、紫外線を1.2J/cm2照射して硬化させ、厚み70nmの架橋層を形成した。
次いで、前記保護層材料B 50g、前記添加剤A 1.20g、前記添加剤B 2.38g、酢酸エチル 2370gを混合、撹拌し、保護層塗布液を調製した。この保護層塗布液を、前記導電層Cの上にマイクログラビアコート(グラビア線番80R、グラビア回転比100%)で塗布し、120℃で2分間乾燥した後、紫外線を1.2J/cm2照射して硬化させ、厚み75nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を前記保護層材料B 77.80g、前記保護層材料D 6.29g、前記添加剤A 2.07g、前記添加剤B 2.07g、酢酸エチル 3825gとしたこと以外は、実施例18と同様にして、厚み75nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料G 100g、酢酸エチル 4752gとしたこと以外は、実施例19と同様にして、厚み70nmの架橋層を設け、本発明の導電積層体を得た。
導電層を前記導電層Eとしたこと以外は、実施例8と同様にして、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を前記保護層材料B 77.80g、前記保護層材料D 6.29g、前記添加剤A 1.38g、前記添加剤B 1.38g、前記添加剤C 1.38g、酢酸エチル 1916gとしたこと以外は、実施例8と同様にして、厚み250nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
前記添加剤Cの代わりに前記添加剤Dを用いた以外は、実施例22と同様にして、厚み250nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料C 300g、トルエン 764g、メチルエチルケトン 764gとしたこと以外は、実施例22と同様にして、厚み700nmの架橋層を設け、本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料G 100g、酢酸エチル 4267gとしたこと以外は、実施例22と同様にして、厚み130nmの架橋層を設け、本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料G 100g、酢酸エチル 3596gとし、この架橋層塗布液を、基材上にマイクログラビアコート(グラビア線番80R、グラビア回転比100%)で塗布し、120℃で2分間乾燥した後、紫外線を1.2J/cm2照射して硬化させて、厚み90nmの架橋層を形成したこと以外は、実施例22と同様にして、本発明の導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を前記保護層材料B 77.80g、前記保護層材料D 6.29g、前記添加剤A 1.38g、前記添加剤B 1.38g、前記添加剤C 1.38g、酢酸エチル 4086gとしたこと以外は、実施例26と同様にして、厚み120nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料H 77.80g、前記添加剤B 1.88g、前記添加剤C 1.88g、酢酸エチル 1423gとして、厚み310nmの架橋層を形成したこと以外は、実施例22と同様にして、本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料H 155.6g、前記添加剤B 3.76g、前記添加剤C 3.76g、酢酸エチル 1630gとして、厚み310nmの架橋層を設けたこと以外は、実施例22と同様にして、本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料H 233.4g、前記添加剤B 5.64g、前記添加剤C 5.64g、酢酸エチル 1227gとして、厚み310nmの架橋層を設けたこと以外は、実施例22と同様にして本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料I 50.0g、酢酸エチル 2138gとして、厚み130nmの架橋層を設けたこと以外は、実施例22と同様にして、本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料I 100g、酢酸エチル 1735gとして、厚み310nmの架橋層を設けたこと以外は、実施例22と同様にして、本発明の導電積層体を得た。
厚み50μmのポリエチレンレテフタレートフィルム、ルミラー(登録商標)U48(東レ(株)製)を基材として用いた。次いで、前記架橋層材料C 300g、トルエン 764g、メチルエチルケトン 764gを混合、撹拌し、架橋層塗布液を調製した。この架橋層塗布液を、基材上に材質がSUSのシム(シム厚み50μm)を装着したスリットダイコートを使用して塗布し、100℃で2分間乾燥した後、紫外線を1.2J/cm2照射して硬化させ、厚み700nmの架橋層を形成した。
次いで、前記保護層材料B 77.80g、前記保護層材料D 6.29g、前記添加剤A 1.38g、前記添加剤B 1.38g、前記添加剤C 1.38g、酢酸エチル 1916gを混合、撹拌し、保護層塗布液を調製した。この保護層塗布液を、前記導電層Bの上に材質がSUSのシム(シム厚み50μm)を装着したスリットダイコートを使用して塗布し、120℃で2分間乾燥した後、紫外線を1.2J/cm2照射して硬化させ、厚み250nmの保護層を形成し、本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料G 100g、酢酸エチル 4267gとして、厚み130nmの架橋層を設けたこと以外は、実施例33と同様にして本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料J 100g、酢酸エチル 1734gとして、厚み310nmの架橋層を設けたこと以外は、実施例33と同様にして、本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料K 100g、酢酸エチル 1740gとして、厚み310nmの架橋層を設けたこと以外は、実施例33と同様にして本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料L 100g、酢酸エチル 1755gとして、厚み310nmの架橋層を設けたこと以外は、実施例33と同様にして、本発明の導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料P 300g、酢酸エチル 2190gとして、厚み700nmの架橋層を設けたこと以外は、実施例22と同様にして、本発明の導電積層体を得た。
厚み125μmのポリエチレンレテフタレートフィルム、ルミラー(登録商標)U48(東レ(株)製)を、架橋層、導電層および保護層を設けずに、各種評価を行った。
実施例22と同様に導電層および保護層を形成し、架橋層のみを設けずに、導電積層体を得た。
実施例8と同様に架橋層および導電層を設け、保護層のみを設けずに、導電積層体を得た。
実施例18と同様に架橋層および導電層を設け、保護層のみを設けずに、導電積層体を得た。
厚み125μmのポリエチレンレテフタレートフィルム、ルミラー(登録商標)U48(東レ(株)製)を基材として用いた。次いで、前記架橋層材料E 78.4g、前記添加剤B 1.88g、前記添加剤C 1.88g、酢酸エチル 3566gを混合、撹拌し、架橋層塗布液を調製した。この架橋層塗布液を、基材上にマイクログラビアコート(グラビア線番80R、グラビア回転比100%)で塗布し、120℃で2分間乾燥した後、紫外線を1.2J/cm2照射して硬化させ、厚み70nmの架橋層を形成した。
次いで、前記保護層材料B 150g、前記添加剤A 3.60g、前記添加剤B 7.15g、酢酸エチル 2748gを混合、撹拌し、保護層塗布液を調製した。この保護層塗布液を、前記導電層Dの上に材質がSUSのシム(シム厚み50μm)を装着したスリットダイコートを使用して塗布し、120℃で2分間乾燥した後、紫外線を1.2J/cm2照射して硬化させ、厚み310nmの保護層を形成し、導電積層体を得た。
導電層を前記導電層Fとしたこと以外は、比較例5と同様にして、導電積層体を得た。
厚み125μmのポリエチレンレテフタレートフィルム、ルミラー(登録商標)U48(東レ(株)製)を基材として用いた。次いで、前記架橋層材料E 78.4g、前記添加剤B 1.88g、前記添加剤C 1.88g、酢酸エチル 6752gを混合、撹拌し、架橋層塗布液を調製した。この架橋層塗布液を、基材上にマイクログラビアコート(グラビア線番80R、グラビア回転比100%)で塗布し、120℃で2分間乾燥した後、紫外線を1.2J/cm2照射して硬化させ、厚み40nmの架橋層を形成した。
次いで、前記保護層材料B 311.2g、前記保護層材料D 25.16g、前記添加剤A 5.52g、前記添加剤B 5.52g、前記添加剤C 5.52g、酢酸エチル 2152gを混合、撹拌し、保護層塗布液を調製した。この保護層塗布液を、前記導電層Bの上に材質がSUSのシム(シム厚み50μm)を装着したスリットダイコートを使用して塗布し、120℃で2分間乾燥した後、紫外線を1.2J/cm2照射して硬化させ、厚み800nmの保護層を形成し、導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料E 784g、前記添加剤B 18.8g、前記添加剤C 18.8g、酢酸エチル 3420gとし、厚み1100nmの架橋層を設けたこと以外は、実施例22と同様にして、導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を前記保護層材料B 77.80g、前記保護層材料D 6.29g、前記添加剤A 1.38g、前記添加剤B 1.38g、前記添加剤C 1.38g、酢酸エチル 8260gとし、厚み60nmの保護層を形成したこと以外は、実施例8と同様にして、導電積層体を得た。
保護層塗布液の組成を前記保護層材料B 778.0g、前記保護層材料D 62.9g、前記添加剤A 13.8g、前記添加剤B 13.8g、前記添加剤C 13.8g、酢酸エチル 3672gとし、厚み1100nmの保護層を形成したこと以外は、実施例8と同様にして、導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料M 1000g、酢酸エチル 1800gとし、この架橋層塗布液を、基材上に材質がSUSのシム(シム厚み50μm)を装着したスリットダイコートを使用して塗布した後、120℃で2分間乾燥させて、厚み950nmの架橋層を形成したこと以外は、実施例22と同様にして、導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料N 153g、前記添加剤A 7.20g、前記添加剤B 14.3g、トルエン 892g、酢酸エチル 892gとして、厚み950nmの架橋層を設けたこと以外は、実施例22と同様にして、導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料O153g、前記添加剤A7.20g、前記添加剤B 14.3g、トルエン 2915g、酢酸エチル 2915gとして、厚み310nmの架橋層を設けたこと以外は、実施例33と同様にして、導電積層体を得た。
架橋層塗布液の組成を前記架橋層材料O 15.3g、前記添加剤A 0.72g、前記添加剤B 1.43g、トルエン 1355g、酢酸エチル 1355gとし、この架橋層塗布液を、基材上にマイクログラビアコート(グラビア線番80R、グラビア回転比100%)で塗布し、120℃で2分間乾燥した後、紫外線を1.2J/cm2照射して硬化させて、厚み40nmの架橋層を形成したこと以外は、実施例22と同様にして、導電積層体を得た。
2:導電層
3:保護層
4:架橋層
5:積層面に垂直な方向より観察した導電面
6:単一の繊維状導電体(線上構造体の一例)
7:繊維状導電体の集合体(線上構造体の一例)
8:金属や金属酸化物のナノワイヤー(線上構造体の一例)
9:ウィスカーのような針状導電体(線上構造体の一例)
10:導電性薄膜
11:繊維状導電体の重なりよって形成した接点
12:金属や金属酸化物のナノワイヤーの重なりよって形成した接点
13:ウィスカーのような針状導電体の重なりよって形成した接点
14:導電層および保護層がパターン化された導電積層体
15:導電層および保護層がパターン化された導電積層体の基材
16:パターン化された導電層
17:パターン化された保護層
18:架橋層
19:接着剤や粘着剤等の接合層
20:タッチパネルの画面側の基材
21:タッチパネルの画面側の基材に積層したハードコート層
22:保護層表面
23:線状構造体が存在しない部分の保護層厚みt1
24:線状構造体の存在する部分の保護層厚みt2(単一の線状構造体の場合)
25:線状構造体の存在する部分の保護層厚みt2(線状構造体からなる集合体の場合)
26:集合体を形成する単一の線状構造体
27:線状構造体からなる集合体
28:基材
100:反応器
101:石英焼結板
102:密閉型触媒供給機
103:触媒投入ライン
104:原料ガス供給ライン
105:排ガスライン
106:加熱器
107:点検口
108:触媒
Claims (8)
- 基材の一方の面に架橋層を、基材のもう一方の面に導電層と、保護層とを積層した導電積層体であって、下記(i)〜(iv)を満たす導電積層体;
(i)前記架橋層が、構造内に2個以上の重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を有する化合物が重合反応した構造を含む架橋高分子からなり、かつ、前記架橋層の全質量に対する前記炭素−炭素二重結合基由来の構造の炭素−炭素二重結合基の単位構造部分の質量含有率が9〜26質量%である;
(ii)前記架橋層の厚みが50nm〜1μmである;
(iii)前記導電層が線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電成分を含む;
(iv)前記保護層の平均厚みtが70nm〜1μmである。 - 前記架橋層は、前記炭素−炭素二重結合基が重合反応した構造として、アクリロイル基が重合反応した構造を含む架橋高分子からなる請求項1に記載の導電積層体。
- 前記架橋層側と前記保護層側との間の、JIS C2151(2006)に基づいた静摩擦係数が0.75以下、かつ、JIS C2151(2006)に基づいた動摩擦係数が0.65以下である請求項1または2に記載の導電積層体。
- 前記架橋層面および前記保護層面のいずれかが、JIS L0849(2004)に基づいた方法にて試験用添付白布 綿(カナキン3号)によって50往復摩擦した際に、摩擦方向と平行方向に発生する傷の数が、2cm四方内に10個以下である請求項1〜3のいずれかに記載の導電積層体。
- 前記架橋層側からC光源による光を入射したときのJIS Z8729(2004)に基づいたL*a*b*表示色系における透過光色調b*が1.5以下である請求項1〜4のいずれかに記載の導電積層体。
- 前記架橋層側の表面抵抗値が1×1013Ω/□以下である請求項1〜5のいずれかに記載の導電積層体。
- 前記基材の厚みが100μm以下である請求項1〜6のいずれかに記載の導電積層体。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の導電積層体を用いた、タッチパネル。
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