TWI552871B - 導電積層體及觸控面板 - Google Patents

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渡邊修
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Description

導電積層體及觸控面板
本發明係關於導電積層體。更詳細地，係關於在觸控面板、液晶顯示器、有機電致發光、電子紙等的顯示器關聯及太陽電池模組等的電極構件中所使用的導電積層體。再者，關於使用導電積層體之觸控面板。
近年來，搭載觸控面板的行動電話、遊戲機、個人電腦等係正在普及。於觸控面板中使用電極構件，於能複雜的操作的觸控面板中使用複數的電極構件。由於為了將彼等電極構件加工至觸控面板，需要複數的步驟(例如在電極構件的導電層表面上形成所欲圖案之步驟，藉由加壓．加熱來貼合電極構件彼此之步驟等)，而對所使用的電極構件施加各式各樣的能量應力。
作為觸控面板所使用的電極構件，有提案在高分子基材上所設置的導電性薄膜層之上，積層有由具有胺基等的官能基之高分子化合物所構成的層之導電積層體(專利文獻1)，在塑膠基材上所設置的由金屬薄膜或導電性高分子薄膜所構成的導電性薄膜層之上，積層有由氰基等的高分子化合物所構成的層之導電積層體(專利文獻2)，在高分子基材上所設置的含有針狀的導電性金屬氧化物之導電層上，積層有由具有親水性官能基的陽離子性四級銨鹼或磺基之高分子化合物所構成的層之導電積層體(專利文獻3)，更且在含有球狀的金屬微粒子之導電層上，積層有由聚酯樹脂．環氧樹脂．矽等所構成的 金屬烷氧化物之水解物．聚矽氧化合物等的各種層之透明導電膜(專利文獻4)等，在各導電性薄膜層上積層有由具有特定的官能基或骨架結構之高分子化合物所構成的層之導電積層體。
再者，亦有提案在高分子基材上所設置之含有線狀結構體之碳奈米管(以下亦簡稱CNT)的導電層之上，積層有薄膜的矽塗層即矽石層之導電積層體(專利文獻5)，或在聚酯薄膜基材上的單面或兩面上積層有由聚酯樹脂與CNT所構成的薄膜層之導電積層體(專利文獻6)，在基材上的單面或兩面上積層有由具有當作碳-碳雙鍵的各種乙烯基．亞乙烯基之樹脂與CNT所構成的薄膜層之導電積層體(專利文獻7、8、9)。又，也有提案作為導電成分的線狀結構體，使用與CNT不同的銀等之金屬奈米線之導電積層體(專利文獻10)，亦有提案採用一種使用彼等導電性線狀結構體的導電積層體所構成之觸控面板(專利文獻10、11)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-115221號公報
[專利文獻2]日本特開2007-276322號公報
[專利文獻3]日本特開平11-198275號公報
[專利文獻4]日本發明專利第3442082號公報
[專利文獻5]日本發明專利第3665969號公報
[專利文獻6]日本特開2009-96181號公報
[專利文獻7]日本發明專利第4349793號公報
[專利文獻8]日本特開2009-155374號公報
[專利文獻9]日本特開2006-328311號公報
[專利文獻10]日本特表2009-505358號公報
[專利文獻11]日本特開2009-283376號公報
然而，如專利文獻1~3記載的積層體，當在導電層之上所積層的層係以具有胺基、氰基、陽離子性四級銨鹼、磺基等的官能基之高分子化合物為成分時，由於對熱或濕度的耐久性差，故基材受到損傷，引起基材的黃變等問題。尤其當基材為樹脂基材時，由於經過將電極構件加工至製品為止時的複數之步驟，基材內所存的寡聚物之比較低分子量的成分係因熱而析出至基材表面，故成為電極構件的表面白化或異物缺點之原因，對電極構件的光學特性或電特性造成不良影響。進而，使用彼等電極構件的製品(例如觸控面板或液晶顯示器、有機電致發光、電子紙等之顯示器關聯及太陽電池模組等)之品位會變差。
又，即使藉由專利文獻4~10的技術，也與專利文獻1~3同樣地，無法抑制寡聚物析出。因此，使用彼等導電積層體所構成的觸控面板(專利文獻10、11)係品位會變差。
本發明係鑒於如此習知技術的問題點，提供對熱具有良好的耐久性之導電積層體。
本發明為了解決如此的問題，採用如以下的構成。
即，一種導電積層體，其係在基材的一面上積層有交聯層，在基材的另一面上積層有導電層與保護層，滿足下述(i)~(iv)；(i)前述交聯層係由交聯高分子所構成，該交聯高分子含有在結構內具有2個以上的有助於聚合反應之碳-碳雙鍵基的化合物所聚合反應的結構，而且相對於前述交聯層的全部質量而言，來自前述碳-碳雙鍵基的結構之碳-碳雙鍵基的單元結構(>C=C<：式量24)部分之質量含有率為9~26質量%；(ii)前述交聯層的厚度為50nm~1μm；(iii)前述導電層含有具有由線狀結構體所構成的網狀結構之導電成分；(iv)前述保護層的平均厚度t為70nm~1μm。
又，本發明含有使用上述的導電積層體之觸控面板。
依照本發明，可提供對熱具有良好的耐久性之導電積層體。本發明的導電積層體係可適用於觸控面板用途。再者，本發明的導電積層體亦可適用於液晶顯示器、有機電致發光顯示器、電子紙等的顯示器及太陽電池模組等中使用的電極構件。
[實施發明之形態]
本發明的導電積層體係如第1圖中顯示一例，具有在 基材1的一面上積層有交聯層4，在基材的另一面上積層有導電層2及保護層3之構成。各層滿足下述(i)~(iv)的條件；(i)前述交聯層係由交聯高分子所形成，該交聯高分子含有在結構內具有2個以上的有助於聚合反應之碳-碳雙鍵基的化合物所聚合反應的結構，而且相對於前述交聯層的全部質量而言，來自前述碳-碳雙鍵基的結構之碳-碳雙鍵基的單元結構(>C=C<：式量24)部分之質量含有率為9~26質量%；(ii)前述交聯層的厚度為50nm~1μm；(iii)前述導電層含有具有由線狀結構體所構成的網狀結構之導電成分；(iv)前述保護層的平均厚度t為70nm~1μm。
詳細係如後述，但本發明中的導電層係含有具有由線狀結構體所構成的網狀結構之導電成分的層。再者，由於導電成分具有由線狀結構體所構成的網狀結構，當線狀結構體之量為一定以下時，在面內會有線狀結構體不存在的區域散布之情況。即使該區域存在，線狀結構體一樣連續地存在於面內，藉由形成網狀，當在任意的2點間可顯示導電性時，形成導電層。即，於該情況下，將線狀結構體所形成的層狀區域(亦包含散布的線狀結構體不存在的區域)定義為導電層。而且，於該情況下，在線狀結構體不存在的區域中，與線狀結構體的表面相比，會成為保護層的表面存在於基材側(自保護層側來看時，線狀結構體係一部分埋沒在保護層內)之狀態。包含 該情況均將自基材表面至線狀結構體的最表層為止定義為導電層。又，於有線狀結構體的部分中，將自線狀結構體的最表層至積層體的最表面為止定義為保護層。於沒有線狀結構體的部分中，將自基材的表面至積層體的最表面為止定義為保護層。
藉由滿足上述(i)~(iv)的條件，而成為對熱具有良好的耐久性之導電積層體之理由，經推測係如以下。
即，茲認為對於構成導電積層體的各層，藉由加熱等來施加熱能，由於分子鏈的微布朗運動活躍化，形成層的分子鏈間之空間，即自由體積係增大，寡聚物在層內移動而徐徐析出至表面。然而，於本發明的導電積層體中，交聯層係將以上述特定範圍含有在結構內具有2個以上的有助於聚合反應之碳-碳雙鍵基的化合物之組成物予以聚合而得者，推測由於形成緻密的交聯結構，故交聯層的自由體積變小，抑制寡聚物的移動。此處，作為交聯層的交聯結構之緻密度的指標，使用相對於交聯層的全部質量而言，有助於聚合反應之具有碳-碳雙鍵基的化合物所聚合反應的結構(以下亦稱為來自碳-碳雙鍵基的結構)之碳-碳雙鍵基的單元結構，即>C=C<(式量24)，部分的質量含有率(以下亦記載為交聯單元結構質量含有率)。交聯單元結構質量含有率低於9質量%時，推測以來自碳-碳雙鍵基的結構為起點的交聯點變少，由於交聯層的交聯結構之密度變小，故縮小自由體積的效果變不充分，而得不到寡聚物的移動之抑制作用。另一方面，交聯單元結構質量含有率大於26質量%時，交聯點 變過多，無法緩和交聯所伴隨的交聯層內之應力，例如導致導電積層體的捲曲或平面性的惡化。當發生導電積層體的捲曲或平面性的惡化時，由於在導電層內的線狀結構體的網狀結構中發生不良(例如線狀結構體彼此的導電接點不良或線狀結構體本身的折斷等所致的破損等)，導電性降低，變難以達成所欲的表面電阻值。因此，藉由交聯單元結構質量含有率為9質量%~26質量%，而形成緻密的交聯結構，交聯層的自由體積變小，可成為使寡聚物析出之抑制與表面導電性並存之導電積層體。交聯單元結構質量含有率較佳為19質量%~24質量%，更佳為21質量%~24質量%之範圍，因為容易得到前述的寡聚物析出抑制效果，可使交聯層的厚度變薄而較佳。
又，即使交聯層的自由體積小，但當交聯層的厚度低於50nm時，對於厚度方向，寡聚物的總移動距離變短，結果析出寡聚物。另一方面，當交聯層的厚度比1μm厚時，由於前述積層體的捲曲或平面性之惡化而成為線狀結構體之網狀結構不良的原因。因此，交聯層的厚度為50nm~1μm亦重要。
如以上，藉由使交聯層滿足前述條件(i)及(ii)，可使用導電積層體的寡聚物析出之抑制與表面導電性並存。
於本發明的導電積層體中，隔著基材在與交聯層之相反面上，形成有導電層。導電層係如前述，為含有具有由線狀結構體所構成的網狀結構之導電成分之層。導電層中的導電成分若為線狀結構體，則藉由該線狀結構體對導電層面形成網狀結構，即使有線狀結構體不存在 的稀疏部分，由於電通過線狀結構體存在的部分流動，故作為導電積層體全體，表面之電阻值充分低而在實用水準上沒有問題。
特別是為了使用導電積層體於其重要用途之一的觸控面板等，重要的是導電層含有具有由線狀結構體所構成的網狀結構之導電成分。例如，使用導電積層體當作觸控面板的電極構件時，必須有在導電層中形成作為電極構件的所欲圖案之步驟。即，於導電層中，藉由圖案化，形成導電成分殘存而具有導電性之區域(以下稱為導電區域)、與去除導電成分而電絕緣的區域(以下稱為絕緣區域)。絕緣區域的電絕緣若不充分，則作為電極構件使用時，會發生短路等的不良狀況，無法作為電極構件使用。
例如，當導電層由金屬或ITO等的導電性金屬氧化物等所構成時，導電區域的導電性雖然沒有問題，但在絕緣區域，若沒有去除全部的導電層，則得不到充分的絕緣性，故在絕緣區域，基材不得不露出。於該情況下，對於導電區域，導電層雖然某一程度地防止寡聚物之析出，但對於絕緣區域，無法抑制寡聚物之析出。另一方面，若導電成分為線狀結構體，則藉由後述的效果，推測可使寡聚物析出抑制效果與電絕緣容易並存。
若導電成分為線狀結構體，則如第4圖，相對於線狀結構體存在的部分之保護層厚度24或25而言，線狀結構體不存在的部分之保護層厚度23係變厚。藉由使用去除劑，在絕緣區域儘可能地去除部分的線狀結構體，進行 圖案化時，由於去除劑內的去除成分(例如酸成分或鹼成分)侵蝕保護層的速度係不隨著保護層的位置而變化，故在去除厚度薄的線狀結構體之存在部分的保護層之時間點，其他部分仍殘存著保護層。已滲透保護層的去除成分，係在前述線狀結構體的存在部分中，以短時間到達線狀結構體，藉由對線狀結構體的長軸方向選擇地進行侵蝕，去除線狀結構體之速度係比去除其周圍的保護層之速度大。因此，於圖案化時，可殘留保護層，而僅去除線狀結構體。即，即使於已去除導電成分的線狀結構體之絕緣區域中，由於基材表面也不露出而被保護層覆蓋，故推測可抑制寡聚物析出。又，藉由上述機制來進行圖案化，所形成的導電區域與絕緣區域的階差係視覺無法辨認的程度，為非常地小，更推測保護層的局部剝離或溶解係變難以發生。
當保護層的平均厚度t低於70nm時，由於去除成分滲透至保護層及線狀結構體為止的時間變短，故去除成分之滲透完成為止的時間差變小，結果無法選擇地僅去除線狀結構體，由於保護層亦一起去除，故基材變容易露出，得不到寡聚物析出抑制之效果。藉由使保護層的平均厚度t為70nm以上，即使在圖案化後也可殘留保護層，可抑制寡聚物析出。又，當保護層的平均厚度t比1μm厚時，由於導電側(本發明中係積層有導電層及保護層之側)表層的線狀結構體變少而導電性降低，難以達成所欲的表面電阻值，或去除成分無法到達線狀結構體，由於去除不足而電絕緣不充分，發生短路等的不良狀況等之問 題發生。藉由保護層的平均厚度t為1μm以下，不妨礙導電成分的導電性，可得到沒有電阻值的異常上升或導通不良之導電積層體。保護層的平均厚度t較佳為100nm~500nm，更佳為100nm~400nm，最佳為150nm~350nm。保護層的平均厚度t若為100nm~500nm，則在圖案化後保護層充分地殘留，寡聚物析出之防止效果高。保護層的平均厚度t若為100nm~400nm，則具有寡聚物析出之防止效果，同時更容易得到低的表面電阻值。再者，保護層的平均厚度t若為150nm~350nm，則即使導電成分的導電性稍微高，導電積層體也安定而容易成為低的表面電阻值。
此處，保護層的平均厚度t係如以下求得。以冰或如環氧樹脂之固定力比冰更強的成分來包埋樣品的觀察部分後，使用日本微切片機研究所(股)製旋轉式微切片機，以刀傾斜角度3°來固定鑽石刀，在與薄膜平面呈垂直的方向切斷。其次，對所得之薄膜截面，使用電場發射型掃描電子顯微鏡(日本電子(股)製JSM-6700-F)，在3.0kV的加速電壓下，以10000~100000倍的觀察倍率，適宜調節圖像的對比而進行觀察。自所得之截面照片中，測定第4圖中所示之線狀結構體不存在的部分之保護層厚度23(保護層厚度厚的部分)、與單一線狀結構體的頂點上之保護層厚度24或由線狀結構體所構成的集合體之頂點上的保護層厚度25(保護層厚度薄的部分)之各任意的5個地方(由放大倍率來計算)，平均而求得保護層的平均厚度t。再者，於本測定時，選擇可確保有效數字3位 數的倍率，於計算時，將第4位數四捨五入而求得值。
如以上，本發明的導電積層體，係在基材一面，交聯層抑制寡聚物對表面之析出，在另一面，保護層抑制寡聚物對表面之析出。特別是即使進行導電層的圖案化，保護層也殘存，由於基材表面不露出，故可有效地抑制加熱時的寡聚物之析出，對熱具有良好的耐久性。
本發明中的交聯層係如前述，含有來自碳-碳雙鍵基的結構。作為含有有助於聚合反應的碳-碳雙鍵基之官能基，例如可舉出烯丙基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、甲基丙烯酸基、丙烯醯胺基、甲基丙烯醯胺基、亞烯丙基、次烯丙基、乙烯醚基等。又，於碳-碳雙鍵基的碳上鍵結有鹵素元素(例如氟或氯等)或具芳香環的取代基(例如苯基或萘基等)等者，例如可舉出氟乙烯或偏二氟乙烯、氯乙烯或偏二氯乙烯、或具有苯基(苯環)當作芳香環的苯乙烯基等，如異丙烯基、異戊烯基、丁二烯基(例如CH2=C(R1)-C(R2)=CH-、CH2=C(R1)-C(=CH2)-(R1、R2為H或CH3))具有共軛多烯結構者，於前述R1=H的情況具有乙烯基，於R1=CH3的情況具有亞乙烯基般的官能基等。根據所要求的特性或生產性等，使用此等的1種類或2種以上。於此等之中，從提高對熱的耐久性，抑制寡聚物的析出之觀點來看，可較宜地使用碳-碳雙鍵基部分的反應性高，容易形成交聯點之由丙烯醯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯氧基及甲基丙烯醯氧基中選出的基。又，與在碳-碳雙鍵的周邊具有立體障礙大的甲基(-CH3)之甲基丙烯醯基、甲基丙烯醯氧 基相比，具有立體障礙小的氫(-H)之丙烯醯基、丙烯醯氧基者，由於所得之交聯層在結構上容易形成更緻密的交聯結構，對熱的耐久性更高，容易得到寡聚物的析出抑制效果，故可更佳地使用。其中，相對於具有因得到加熱時的熱能之空氣中的水分而有成為水解之基點的可能性之酯基(-COO-)的丙烯醯氧基而言，僅具有安定性更高的羰基(-CO-)之丙烯醯基，由於對熱之耐久性更高，容易得到寡聚物的析出抑制效果，故最佳。
在結構內具有2個以上的有助於聚合反應之碳-碳雙鍵基的化合物，例如可舉出季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基三丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基三甲基丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基四丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇三甲基丙烯酸酯、二季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇五甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷乙氧基三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷乙氧基三甲基丙烯酸酯、二(三羥甲基丙烷)三丙烯酸酯、二(三羥甲基丙烷)三甲基丙烯酸酯、二(三羥甲基丙烷)四丙烯酸酯、二(三羥甲基丙烷)四甲基丙烯酸酯、甘油丙氧基三丙烯酸酯、甘油丙氧基三甲基丙烯酸酯等。又，亦可舉出在分子結構內一部分具有環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己 烷環等之環狀骨架的三丙烯酸酯．三甲基丙烯酸酯．四丙烯酸酯．四甲基丙烯酸酯．五丙烯酸酯．五甲基丙烯酸酯．六丙烯酸酯．六甲基丙烯酸酯等。另外，也可舉出將上述化合物的一部分結構改性之化合物，例如經2-羥基丙酸等改性的2-羥基丙酸改性季戊四醇三丙烯酸酯、2-羥基丙酸改性季戊四醇三甲基丙烯酸酯、2-羥基丙酸改性季戊四醇四丙烯酸酯、2-羥基丙酸改性季戊四醇四甲基丙烯酸酯，還有導入有聚矽氧骨架的聚矽氧三丙烯酸酯、聚矽氧三甲基丙烯酸酯、聚矽氧四丙烯酸酯、聚矽氧四甲基丙烯酸酯、聚矽氧五丙烯酸酯、聚矽氧五甲基丙烯酸酯、聚矽氧六丙烯酸酯、聚矽氧六甲基丙烯酸酯等。再者，亦可舉出在骨架內具有乙烯基及/或亞乙烯基連同其他骨架者，例如具有胺基甲酸酯骨架的胺基甲酸酯三丙烯酸酯、胺基甲酸酯三甲基丙烯酸酯、胺基甲酸酯四丙烯酸酯、胺基甲酸酯四甲基丙烯酸酯、胺基甲酸酯五丙烯酸酯、胺基甲酸酯五甲基丙烯酸酯、胺基甲酸酯六丙烯酸酯、胺基甲酸酯六甲基丙烯酸酯，具有醚骨架的聚醚三丙烯酸酯、聚醚三甲基丙烯酸酯、聚醚四丙烯酸酯、聚醚四甲基丙烯酸酯、聚醚五丙烯酸酯、聚醚五甲基丙烯酸酯、聚醚六丙烯酸酯、聚醚六甲基丙烯酸酯；具有來自環氧基的骨架之環氧基三丙烯酸酯、環氧基三甲基丙烯酸酯、環氧基四丙烯酸酯、環氧基四甲基丙烯酸酯、環氧基五丙烯酸酯、環氧基五甲基丙烯酸酯、環氧基六丙烯酸酯、環氧基六甲基丙烯酸酯，具有酯骨架的聚酯三丙烯酸酯、聚酯三甲基丙烯酸酯、聚 酯四丙烯酸酯、聚酯四甲基丙烯酸酯、聚酯五丙烯酸酯、聚酯五甲基丙烯酸酯、聚酯六丙烯酸酯、聚酯六甲基丙烯酸酯等。根據用途或所要求的特性或生產性等，可使用此等的1種類或2種以上所混合的組成物，或此等的2種以上所共聚合的寡聚物，惟不受此等所限定。作為市售者，例如可舉出共榮社化學(股)製的Light Acrylate系列、Light Ester系列、Epoxyester系列、Urethane Acrylate AH系列、Urethane Acrylate AT系列、Urethane Acrylate UA系列、DAICEL科學(股)製的EBECRYL(註冊商標)系列、PETIA、TMPTA、TMPEOTA、OTA 480、DPHA、PETA-K、綜研化學(股)製的Fullcure(註冊商標)系列、東洋油墨製造(股)製的“LIODURAS(留杜拉斯)(註冊商標)”系列、中國塗料(股)製的Pholucid(註冊商標)系列、Matsui Chemical(股)製的EXP系列等。
此處，交聯層的交聯單元結構質量含有率係如以下地求得。首先，自樣品剝離交聯層，使交聯層溶解在能溶解的溶劑中。另外若需要，可在以矽凝膠管柱層析術、凝膠滲透層析術、液體高速層析術等為代表的一般層析術中，選擇可分離的方法，將所溶解的測定樣品各自分離精製成單一物質後，供用於以下的定性分析及定量分析。
然後，對於各物質，按照需要進行濃縮及稀釋，以調製樣品。首先，進行定性分析，以特定樣品中所含有的成分。分析手法係首先組合(1)之群的分析手法來進行，當有該分析手法無法檢測出的成分時，藉由組合(2)之 群的分析手法來進行分析。再者，各群的分析手法係自先前所示者依順序地採用，當為前一手法無法檢測出的成分時，使用下一手法。又，於組合的情況中，同樣地優先使用先前記載的手法，優先地採用以更少的組合可測定之手法。
(1)核磁共振光譜法(1H-NMR、13C-NMR、29Si-NMR、19F-NMR)、二次元核磁共振光譜法(2D-NMR)、紅外線光譜法(IR)、拉曼光譜法、各種質譜法(氣相層析-質譜法(GC-MS)、熱分解氣相層析-質譜法(熱分解GC-MS)、基質輔助雷射脫離離子化質譜(MALDI-MS)、飛行時間型質譜法(TOF-MS)、飛行時間型基質輔助雷射脫離離子化質譜(MALDI-TOF-MS)、動態二次離子質譜法(Dynamic-SIMS)、飛行時間型二次離子質譜法(TOF-SIMS)、其他靜態二次離子質譜法(Static-SIMS)等)。
(2)X射線繞射法(XRD)、中子繞射法(ND)、低速電子線繞射法(LEED)、高速反射電子線繞射法(RHEED)、原子吸光分析法(AAS)、紫外光電子光譜法(UPS)、歐傑(Auger)電子光譜法(AES)、X射線光電子光譜法(XPS)、螢光X射線元素分析法(XRF)、感應耦合電漿發射光譜法(ICP-AES)、電子線微分析法(EPMA)、荷電粒子激發X射線光譜法(PIXE)、低能離子散射光譜法(RBS或LEIS)、中能離子散射光譜法(MEIS)、高能離子散射光譜法(ISS或HEIS)、凝膠滲透層析術(GPC)、穿透電子顯微鏡-能量色散X射線光譜分析(TEM-EDX)、掃描電子顯微鏡-能量色散X射線光譜分析(SEM-EDX)、其他元素分析。
其次，進行所分離取得的樣品之定量分析。調製在重氯仿等中適宜稀釋已預先測定質量的1,1,2,2-四溴乙烷(以下簡稱TBE)之內部標準溶液。於前述分離取得的樣品中，添加前述TBE內部標準溶液，使用1H-NMR來測定此試驗溶液。接著，於所得之1H-NMR光譜中，在前驅物時間點，使用鍵結於碳-碳雙鍵基的(於測定時點不論是否存在於碳-碳雙鍵基)碳之氫所相當的波峰之波峰面積、與作為內部標準所添加的TBE之氫(質子，H)所相當的波峰面積之面積比率，算出樣品中的碳-碳雙鍵基量。自與此同樣算出的樣品中之其他結構的量之比率，算出交聯單元結構質量含有率。
本發明的導電積層體中之交聯層的厚度為50nm~1μm。交聯層的厚度若為50nm~1μm，則沒有積層體的捲曲或平面性的惡化所伴隨的線狀結構體之網狀結構的不良(例如，線狀結構體彼此的導電接點不良或線狀結構體本身的折斷等所致的破損等)，可得到使加熱時的寡聚物析出之抑制與表面導電性並存之積層體。交聯層的厚度低於50nm時，對於厚度方向，寡聚物的總移動距離變短，寡聚物會析出。另一方面，交聯層的厚度比1μm厚時，由於積層體的捲曲或平面性的惡化而成為發生線狀結構體的網狀結構之不良的原因。本發明中的交聯層之厚度，就是藉由後述的方法所測定之平均厚度。於本發明中，從上述觀點來看，交聯層的厚度較佳為50nm~800nm，更佳為80nm~500nm，尤佳為100nm~350nm。
此處，交聯層的厚度係如以下地求得。以冰或如環 氧樹脂之固定力比冰更強的成分來包埋樣品的觀察部分後，使用日本微切片機研究所(股)製旋轉式微切片機，以刀傾斜角度3°來固定鑽石刀，在與薄膜平面呈垂直的方向中切斷。其次，對所得之薄膜截面，使用電場發射型掃描電子顯微鏡(日本電子(股)製JSM-6700-F)，在3.0kV的加速電壓下，以10000~100000倍的觀察倍率，適宜調節圖像的對比而進行觀察。自所得之截面照片中，在與厚度呈正交的方向中將交聯層16等分的邊界之15個地方，測定厚度(由放大倍率來計算)，平均而求得交聯層的厚度。再者，於本測定時，選擇可確保有效數字3位數的倍率，於計算時，將第4位數四捨五入而求得值。
本發明的導電積層體具有含有由線狀結構體所構成的導電成分之導電層。本發明中的線狀結構體係短軸的長度與長軸之長度比，即縱橫比=長軸的長度/短軸的長度大於10之結構體。另一方面，例如球狀結構體為縱橫比=1。短軸及長軸的較佳長度亦隨著線狀結構體的種類而不同。短軸的長度係比所形成的圖案還小，較佳為1nm~1000nm(1μm)之範圍。又，長軸的長度係相對於短軸的長度，只要前述縱橫比=長軸的長度/短軸的長度大於10之長度即可，較佳為1μm~100μm(0.1mm)。作為線狀結構體，例如可舉出纖維狀導電體或針狀導電體等。
作為纖維狀導電體，可舉出碳系纖維狀導電體、金屬系纖維狀導電體、金屬氧化物系纖維狀導電體等。此等亦可施有表面處理。
作為碳系纖維狀導電體，可舉出聚丙烯腈系碳纖維 、瀝青系碳纖維、縲縈系碳纖維、玻璃狀碳、碳奈米管(CNT)、碳奈米線圈、碳奈米線、碳奈米纖維、石墨原纖維等。
作為金屬系纖維狀導電體，可舉出由金、鉑、銀、鎳、矽、不銹鋼、銅、黃銅、鋁、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、錳、鎝、錸、鐵、鋨、鈷、鋅、鈧、硼、鎵、銦、矽、鍺、錫、鎂所組成之群組中選出的金屬單體或由此等的2種以上之合金所構成的纖維狀導電體。
作為金屬氧化物系纖維狀導電體，可舉出由InO2、InO2Sn、SnO2、ZnO、SnO2-Sb2O4、SnO2-V2O5、TiO2(Sn/Sb)O2、SiO2(Sn/Sb)O2、K2O-nTiO2-(Sn/Sb)O2、K2O-nTiO2-C等中選出的金屬氧化物或金屬氧化物複合物所構成之纖維狀導電體。
再者，在植物纖維、合成纖維、無機纖維等的非金屬材料之表面上塗覆或蒸鍍有前述金屬、前述金屬氧化物或CNT者亦包含於纖維狀導電體中。
作為前述針狀導電體，可舉出由金屬、碳系化合物、金屬氧化物等所構成的鬚晶般之針狀導電體。作為金屬，可舉出屬於元素的週期表中之第2族、第3族、第4族、第5族、第6族、第7族、第8族、第11族、第12族、第13族、第14族或第15族之元素。具體而言，可舉出金、鉑、銀、鎳、不銹鋼、銅、黃銅、鋁、鎵、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、錳、銻、鈀、鉍、鎝、錸、鐵、鋨、鈷、鋅、鈧、硼、鎵、銦、矽、鍺、碲、錫、鎂或含有此等的合金。作為碳系化合物，可舉出碳奈米角、 富樂烯、石墨烯等。作為金屬氧化物，可舉出InO2、InO2Sn、SnO2、ZnO、SnO2-Sb2O4、SnO2-V2O5、TiO2(Sn/Sb)O2、SiO2(Sn/Sb)O2、K2O-nTiO2-(Sn/Sb)O2、K2O-nTiO2-C等。
可使用單獨或複數的此等之線狀結構體，再者，視需要亦可添加其他微米~奈米尺寸的導電性材料。
於此等線狀結構體之中，從透明性等的光學特性及導電性等之觀點，較宜使用銀奈米線或CNT。
作為線狀結構體之一例，說明CNT。CNT可為單層CNT、二層CNT及三層以上的多層CNT。較宜使用直徑0.3~100nm、長度0.1~20μm左右之CNT。再者，為了提高導電積層體的透明性，減低表面電阻值，較佳為直徑10nm以下、長度1~10μm的單層CNT或二層CNT。又，於CNT的集合體中，較佳為儘量不含有非晶形碳或觸媒金屬等的雜質。當含有此等雜質時，可藉由酸處理或加熱處理等來適宜精製。此CNT係藉由電弧放電法、雷射燒蝕法、觸媒化學氣相法(於化學氣相法之中，使用在載體上載有過渡金屬的觸媒之方法)等來製造。其中，較佳為生產性良好，可減少非晶形碳等雜質的生成之觸媒化學氣相法。
藉由將CNT分散液塗布在基材上，可形成導電層。為了得到CNT分散液，一般對CNT連同溶劑，藉由混合分散機或超音波照射裝置進行分散處理。於分散處理時，宜更添加分散劑。
作為分散劑，只要可分散CNT則沒有特別的限定， 但從所得之導電層與基材的密接性、導電層的硬度及耐摩擦性之點來看，較佳為選擇合成高分子、天然高分子等的聚合物。再者，於不損害分散性的範圍內，亦可添加交聯劑。
作為分散劑使用的合成高分子，例如可舉出聚醚二醇、聚酯二醇、聚碳酸酯二醇、聚乙烯醇、部分皂化聚乙烯醇、乙醯乙酸基改性聚乙烯醇、縮乙醛基改性聚乙烯醇、縮丁醛基改性聚乙烯醇、矽烷醇基改性聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物、乙烯-乙烯醇-醋酸乙烯酯共聚合樹脂、丙烯酸二甲基胺基乙酯、甲基丙烯酸二甲基胺基乙酯、丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、改性環氧基系樹脂、苯氧樹脂、改性苯氧系樹脂、苯氧基醚樹脂、苯氧基酯樹脂、氟系樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、酚樹脂、聚丙烯醯胺、聚丙烯酸、聚苯乙烯磺酸、聚乙二醇、聚乙烯吡咯啶酮等。作為分散劑使用的天然高分子，例如可舉出多醣類的澱粉、支鏈澱粉(pullulan)、聚葡萄糖、糊精、瓜爾膠、黃原膠、直鏈澱粉、分枝澱粉(amylopectin)、海藻酸、阿拉伯膠、鹿角菜膠、硫酸軟骨素、玻尿酸、凝乳聚糖、甲殼素、脫乙醯甲殼質、纖維素及其衍生物。此處所謂的衍生物，於具有羧酸基的化合物之情況，就是意味如羧酸基經酯化者，一部分的官能基進行反應者。此等係可混合1種或2種以上而使用。其中，從CNT的分散性優異來看，較佳為多醣類及其衍生物。再者，纖維素及其衍生物係膜形成能力高而較佳。其中，較佳為酯衍生物，具體地，羧甲基纖維素或其鹽等係合適。
又，亦可調整CNT與前述分散劑的摻合比。CNT與分散劑的摻合比，較佳為在與基材的密接性、硬度及耐摩擦性上沒有問題之摻合比。具體地，相對於導電層全體而言，CNT的含量較佳在5質量%~90質量%之範圍，更佳在35質量%~70質量%之範圍。CNT的含量若為5質量%以上，則容易得到觸控面板所需要的導電性。又，於將CNT分散液塗布在基材表面時，不會發生收縮，可容易均勻地塗布，進而可生產性良好地供給具有良好的外觀品位之導電積層體。CNT的含量若為90質量%以下，則CNT在溶劑中的分散性良好，不易凝聚，容易得到良好的CNT塗布層，由於生產性良好而較佳。再者所得之塗布膜亦堅固，在生產步驟中不易發生擦傷，由於可維持表面電阻值的均勻性而較佳。
又，前述金屬或金屬氧化物的奈米線之例，係揭示於日本特表2009-505358號公報、日本特開2009-146747號公報、日本特開2009-70660號公報中。另外，作為如鬚晶的針狀導電體，例如鈦酸鉀纖維與錫及銻系氧化物的複合化合物之Dentall WK系列(大塚化學(股)製)的WK200B、WK300R、WK500，或二氧化矽纖維與錫及銻系氧化物的複合化合物之Dentall TM系列(大塚化學(股)製)的TM100等係有市售。
線狀結構體係如第2圖所示，於導電層中形成網狀結構。當線狀結構體為纖維狀導電體時，藉由單一纖維狀導電體6或纖維狀導電體之集合體7重疊以形成接點，而形成網狀結構。於網狀結構之中，纖維狀導電體係如第2 圖所示，具有直線部及彎曲部的情況多，但於纖維狀導電體之中亦被稱為奈米線的結構體，係如第2圖的符號8所示，作為弧的形狀之情況多。又，如鬚晶的針狀導電體9係成為直線上的形狀。於導電層中，線狀結構體係如第2圖所示，形成具如符號11、12、13之重疊所構成的接點之網狀結構。
藉由線狀結構體形成網狀結構，而面方向的導電通路增加，容易將導電積層體的保護層側之面調整至低的表面電阻值。又，於將導電層圖案化時，由於去除劑中的酸成分係沿著網狀結構而選擇地侵蝕線狀結構體，保護層變容易殘留，可得到對熱具有更良好的耐久性之導電積層體。本發明中所謂的網狀結構，就是藉由至少1個接點連接線狀結構體彼此，最小的網狀結構為2條的線狀結構體具有某一接點之情況。接點係可藉由線結構體的任何部分彼此來形成，或也可線狀結構體的末端部彼此連接，或末端與線狀結構體的末端以外之部分連接，或線狀結構體的末端以外之部分彼此連接。又，所謂的連接，就是該接點可接合或僅接觸。網狀結構係可藉由後述的方法來觀察。
作為本發明中的保護層之成分，較宜使用無機系高分子化合物或有機系高分子化合物。
作為無機系高分子化合物，可舉出無機系的氧化物等。例如，可使用自四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四正丙氧基矽烷、四異丙氧基矽烷、四正丁氧基矽烷等的四烷氧基矽烷類，甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽 烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、正丙基三乙氧基矽烷、異丙基三甲氧基矽烷、異丙基三乙氧基矽烷、正丁基三甲氧基矽烷、正丁基三乙氧基矽烷、正戊基三甲氧基矽烷、正戊基三乙氧基矽烷、正己基三甲氧基矽烷、正庚基三甲氧基矽烷、正辛基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、環己基三甲氧基矽烷、環己基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷、3-氯丙基三乙氧基矽烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷、3,3,3-三氟丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、2-羥基乙基三甲氧基矽烷、2-羥基乙基三乙氧基矽烷、2-羥基丙基三甲氧基矽烷、2-羥基丙基三乙氧基矽烷、3-羥基丙基三甲氧基矽烷、3-羥基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三乙氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧基環己基)乙基三乙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-脲基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷等的三烷氧基矽烷類；甲基三乙醯氧基矽烷、甲基三苯氧基矽烷等的有機 烷氧基矽烷類等，藉由水解及聚合反應所形成之矽氧化物的溶膠-凝膠塗膜或濺鍍蒸鍍膜等。
作為有機系高分子化合物，可舉出熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等，可考慮可見光穿透性、基材的耐熱性、玻璃轉移點及膜硬度等來適宜選擇。作為該樹脂，例如可舉出聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯系樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯丙烯酸酯系樹脂、胺基甲酸酯甲基丙烯酸酯系樹脂、環氧系樹脂、尼龍或苯并胍胺等的聚醯胺系樹脂、ABS樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚乙烯或聚丙烯等的烯烴系樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、三聚氰胺系樹脂、酚系樹脂、聚氯乙烯或聚偏二氯乙烯等之含有氯原子的樹脂、含有氟原子的樹脂(例如聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯或聚丙烯等的烯烴系樹脂等之在樹脂的結構內含有氟原子之樹脂)、聚矽氧系樹脂(直鏈聚矽氧系樹脂、聚矽氧樹脂系樹脂、直鏈聚矽氧系樹脂或聚矽氧樹脂系樹脂與其他樹脂之共聚物或接枝結構的共聚物、在前述直鏈聚矽氧系樹脂．前述聚矽氧樹脂系樹脂．前述與其他樹脂的共聚物或接枝結構的共聚物的聚矽氧之分子鏈末端、分子鏈中、支鏈中等結構內導入有各種官能基的改性聚矽氧系樹脂)等之有機系的高分子化合物。再者，亦可為由前述交聯層所使用之在結構內具有2個以上的有助於聚合反應之碳-碳雙鍵基的化合物所得之樹脂。根據用途或所要求的特性或生產性 等，可使用此等之1種類、含有2種以上的組成物、或此等的2種以上所共聚合的寡聚物。較佳為使用完全不含有S元素、P元素、金屬元素、金屬離子及構成官能基的N元素之高分子化合物。S元素、P元素及N元素，根據其電子軌域狀態，係具有不與其他元素鍵結的電子對(孤立電子對)，或形成具有金屬離子與離子鍵的官能基(例如-ONa、-COONa、-SO3Na等)。又，金屬元素會形成配位鍵。彼等孤立電子對、離子鍵及配位鍵係對熱不安定，或容易與後述的去除劑中之去除成分的酸或鹼成分作用，N元素、S元素、P元素、金屬元素或金屬離子容易將與原本所鍵結的元素之鍵切斷．裂解，結果保護層對熱的耐久性降低，或保護層對前述去除劑的耐性會降低。因此，若使用完全不含有此等S元素、P元素、金屬元素、金屬離子及構成官能基的N元素之高分子化合物，則容易提高對熱的耐久性或對去除劑的耐性，可薄化保護層的厚度，或容易變更去除劑的去除成分而較佳。作為完全不含有S元素、P元素、金屬元素、金屬離子及構成官能基的N元素之高分子化合物之例，可舉出前述的丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯丙烯酸酯系樹脂、胺基甲酸酯甲基丙烯酸酯系樹脂、含有氟元素(F元素)的樹脂、聚矽氧系樹脂等。根據所要求的特性或生產性等，可以使用此等的1種類或2種以上。其中，從透明性等的光學特性優異之點、對去除劑中的酸成分之耐性良好之點來看，較宜使用由多官能丙烯酸系高分子化合物、多官能甲基丙烯酸系高分子化合物、多官能胺基甲 酸酯丙烯酸酯系高分子化合物及多官能胺基甲酸酯甲基丙烯酸酯系高分子化合物中選出的高分子化合物。
作為形成多官能丙烯酸系高分子化合物、多官能甲基丙烯酸系高分子化合物、多官能胺基甲酸酯丙烯酸酯系高分子化合物、多官能胺基甲酸酯甲基丙烯酸酯系高分子化合物之多官能單體或多官能寡聚物，可合適地使用前述交聯層所使用之作為在結構內具有2個以上的有助於聚合反應之碳-碳雙鍵基的化合物所例示之化合物。
再者，構成保護層的高分子化合物若具有交聯結構，則可進一步提高對熱的耐久性與對去除劑的去除成分之耐性而較佳。所謂的交聯結構，就是形成保護層的成分之鍵成為3次元連繫的狀態。藉由採取交聯結構，構成保護層的成分之鍵結變緻密，保護層的自由體積變小，結果抑制來自基材的寡聚物之移動的效果及抑制去除成分對保護層的滲透之效果變高，因此推測使積層體對熱的耐久性升高。具有此交聯結構的效果，雖然不論有機系高分子化合物或無機系高分子化合物皆能同樣地得到，無機系高分子化合物若採取交聯結構，則與有機系高分子化合物比較下，柔軟性或彎曲性降低，保護層變脆，生產時有容易脆性破壞之情形，故較佳為有機系高分子化合物的交聯結構體。
以下顯示使有機系高分子化合物成為交聯結構之方法。再者，以下所示的方法，即使在積層前述的交聯層時，亦可合宜地適用。作為其手法，可舉出使用多官能單體或多官能寡聚物當作原料，加熱硬化之方法，或藉 由紫外光、可見光、電子線等的放射線之照射而光硬化之方法。於熱硬化時，由於熱能是硬化反應的驅動力，若單體或寡聚物成為更多官能，則在反應需要時間，有必須加長硬化時間等的處理之情況。另一方面，於光硬化時，含有如後述的光引發劑，由於藉由對其照射前述放射線而產生的引發種，使連鎖反應進行，故硬化時間可短。基於該理由，更佳為光硬化。
此處，所謂的光引發劑，就是吸收紫外光、可見光、電子線等的放射線，生成反應的引發種之自由基種、陽離子種、陰離子種等的活性種，引發化學反應之物質。此等係可僅使用1種，但較佳為使用2種以上的極大吸收波長之值各自相差20nm以上的光引發劑。
以下顯示其理由。例如，若舉引發種為自由基種的情況，自由基種雖然反應性非常高，但由於該高反應性，在反應之前自由基會失去活性，交聯結構的形成會不如所想地進行。然而，來自發射前述放射線的燈等之發射體，實際上並非只發射出單一波長的放射線，而是發射各式各樣的波長之放射線。混合2種以上的極大吸收波長之差異為20nm以上的光引發劑，可利用於更廣範圍的波長，結果可使反應充分地進行。再者，若含有3種以上的光引發劑，則有進一步的效果。
再者，此處所言的極大吸收波長，就是使光引發劑溶解於溶劑中，藉由紫外-可見光光譜法(UV-Vis)所求得的吸收光譜成為極大值之波長。又，當極大值為複數時，在複數的極大值之內，取吸光度最大的極大值。極大 吸收波長的值之差異小於20nm時，由於混合的光引發劑之吸收帶存在重疊的區域，故推測只能得到與僅1種光引發劑同等的效果。
又，前述反應的引發種由於亦容易與大氣中的氧反應而易失去活性，故為了抑制氧所致的引發種之失去活性，在經氮氣或氬氣等的惰性氣體所置換的環境下或已脫氧氣的環境下等之已降低氧濃度的環境下，亦有效於形成保護層的交聯結構。在已降低氧濃度的環境下，藉由含有2種以上的極大吸收波長之值相差20nm以上的光引發劑，來形成交聯結構者係特佳。
作為光引發劑，例如可使用二苯基酮、羥基二苯基酮、4-苯基二苯基酮等的二苯基酮系光引發劑，苄基二甲基縮酮等的苯偶姻系光引發劑，1-羥基-環己基-苯基-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮、2-甲基1[4-(甲硫基)苯基]-2-啉基丙-1-酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-啉基苯基)-丁酮-1等的α-羥基酮系光引發劑或α-胺基酮光引發劑系，異丙基噻噸酮、2-4-二乙基噻噸酮等的噻噸酮系光引發劑，甲基苯基乙醛酸酯等。於光引發劑的市售品中，例如作為1-羥基-環己基-苯基-酮，可舉出Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)184(汽巴日本(股)製)，作為2-甲基1[4-(甲硫基)苯基]-2-啉基丙-1-酮，可舉出Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)907(汽巴日本(股)製)，作為2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-啉基苯基)-1-丁酮，可舉出Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)369(汽巴日本(股)製)等。
於本發明的導電積層體中，交聯層側與保護層側之間的依據JIS C2151(2006)之靜摩擦係數(以下亦僅記載為靜摩擦係數)較佳為0.75以下，而且依據JIS C2151(2006)的動摩擦係數(以下亦僅記載為動摩擦係數)較佳為0.65以下。一般地，如本發明之導電積層體，將各層積層在基材上時，藉由加工裝置將已捲取成捲筒狀的基材捲出，在基材上形成某一層後，再度捲取而成為捲筒狀，即所謂藉由輥對輥進行生產的情況係多。又，即使於製造後將本發明的導電積層體加工成電極構件時，同樣地採用輥對輥的加工之情況亦多。於輥對輥步驟中，在導電積層體的交聯層側與保護層側接觸的狀態下形成捲筒，於捲筒的捲出及捲取時，由於交聯層與保護層之摩擦，兩層中的任一者或兩者會損傷。如此發生損傷的部分，係成為如各層被挖或破裂的裂紋之缺陷。因此，於該部分中，交聯層及保護層的積層厚度係極端地薄，或基材變露出，故會有因熱而成為寡聚物析出之起點。又，於損傷部分，由於線狀結構體的網狀結構被破壞而阻礙電的流動，因此表面電阻值上升，變成如目視可辨認的損傷部分之缺點，於成為觸控面板或電子紙等的製品時，品位亦會降低。由於交聯層側與保護層側的靜摩擦係數為0.75以下，而且動摩擦係數為0.65以下，交聯層與保護層係適度地光滑，即使藉由複數的輥對輥加工來生產，也不會因摩擦造成傷痕，結果可使導電積層體及使用其的製品成為兼具對熱的耐久性、良好的導電性與高品位者。靜摩擦係數若大於0.75，則交聯層與保護層 接觸的地方會在加工時的動作開始時容易造成傷痕。又，動摩擦係數若大於0.65，則在加工時的動作中會繼續地形成傷痕。前述靜摩擦係數較佳為0.60以下，更佳為0.55以下。前述動摩擦係數較佳為0.50以下，更佳為0.45以下。從上述傷痕的形成之觀點來看，各摩擦係數的下限係沒有特別的限定，但取決於在輥上捲取導電積層體時的捲繞方式或捲繞硬度，會過滑而變難以捲取，或當移送時輥傾斜之際，捲筒形狀會容易崩潰，故較佳為靜摩擦係數0.08以上、動摩擦係數0.05以上。
作為使前述靜摩擦係數及動摩擦係數成為前述特定之範圍之方法，可舉出在交聯層或保護層內混合使滑性提高的添加劑之方法。由於添加劑有滲出之虞，故較佳為採用藉由加熱或照射紫外光、可見光、電子線等的放射線，以使添加劑與形成前述各層時所用的化合物進行反應而固定，或選擇使形成各層時所用的化合物本身能形成滿足前述各摩擦係數的層之方法。再者，於交聯層及保護層的兩層中，可採用使靜摩擦係數及動摩擦係數成為前述特定之範圍之方法，但只要效果能表現，則亦可在僅在一方的層中採用。若考慮對導電材的線狀結構體之作用或影響，則較佳為在交聯層側採用。作為減低前述靜摩擦係數及動摩擦係數之添加劑，例如可舉出含有氟原子的低分子化合物．單體．寡聚物等、聚矽氧系的低分子化合物．單體．寡聚物．樹脂等。而且，可使用導入有聚矽氧骨架的聚矽氧三丙烯酸酯、聚矽氧三甲基丙烯酸酯、聚矽氧四丙烯酸酯、聚矽氧四甲基丙烯酸 酯、聚矽氧五丙烯酸酯、聚矽氧五甲基丙烯酸酯、聚矽氧六丙烯酸酯、聚矽氧六甲基丙烯酸酯等之單體或寡聚物當作添加劑，使此等添加劑與形成前述各層時所用的化合物反應而固定。作為如此的添加劑所市售者，例如可舉出DAICEL科學(股)製的EBECRYL1360、信越化學(股)製的X-12-2456系列等。
又，於本發明的導電積層體中，交聯層面或保護層面之任一者，以根據JIS L0849(2004)的方法，藉由試驗用所附的白布棉(細棉布3號)來往復摩擦50次時，與摩擦方向呈平行的方向中所發生的傷痕之數目，在2cm四方形內較佳為10個以下。如前述，在交聯層及保護層所形成的傷痕，由於係成為使對熱的耐久性、導電性及品位降低之主要原因，故交聯層或保護層本身亦較佳為具有不易造成傷痕的耐損傷性即高的表面摩擦性之層。於與摩擦方向呈平行的方向中所發生的傷痕之數目，在2cm四方形內較佳為5個以下，更佳為3個以下，最佳為0個。作為使在2cm四方形內傷痕的發生個數成為10個以下之方法，可舉出於形成交聯層或保護層用的化合物之中，使用在分子內含有4個以上的含有幫助聚合反應的碳-碳雙鍵基之官能基的化合物，即是使用4官能以上的化合物之方法。推測是藉由導入4官能以上的化合物，在其位置將分子鏈固定，由於對於物理應力(此時為藉由試驗用所附的白布棉(細棉布3號)之50次往復摩擦)，分子鏈變難以切斷，而使表面摩擦性變高。於交聯層或保護層所使用的前述化合物之中，作為容易賦予表面摩擦性的提高者，例如可舉 出季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基四丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇五甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、二(三羥甲基丙烷)四丙烯酸酯、二(三羥甲基丙烷)四甲基丙烯酸酯等。又，亦可舉出在分子結構內一部分具有環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環等之環狀骨架的四丙烯酸酯．四甲基丙烯酸酯．五丙烯酸酯．五甲基丙烯酸酯．六丙烯酸酯．六甲基丙烯酸酯中的任一者。另外，也可舉出將上述化合物的一部分結構改性之化合物，例如經2-羥基丙酸等改性的2-羥基丙酸改性季戊四醇四丙烯酸酯、2-羥基丙酸改性季戊四醇四甲基丙烯酸酯等。還有，亦可舉出導入有聚矽氧骨架的聚矽氧四丙烯酸酯、聚矽氧四甲基丙烯酸酯、聚矽氧五丙烯酸酯、聚矽氧五甲基丙烯酸酯、聚矽氧六丙烯酸酯、聚矽氧六甲基丙烯酸酯等。再者亦可舉出在骨架內具有碳-碳雙鍵基連同其他骨架者，例如具有胺基甲酸酯骨架的胺基甲酸酯四丙烯酸酯、胺基甲酸酯四甲基丙烯酸酯、胺基甲酸酯五丙烯酸酯、胺基甲酸酯五甲基丙烯酸酯、胺基甲酸酯六丙烯酸酯、胺基甲酸酯六甲基丙烯酸酯，具有醚骨架的聚醚四丙烯酸酯、聚醚四甲基丙烯酸酯、聚醚五丙烯酸酯、聚醚五甲基丙烯酸酯、聚醚六丙烯酸酯、聚醚六甲基丙烯酸酯，具有來自環氧基的骨架之環氧基四丙烯酸酯、環氧基四甲基丙烯酸酯、環氧基五丙 烯酸酯、環氧基五甲基丙烯酸酯、環氧基六丙烯酸酯、環氧基六甲基丙烯酸酯，具有酯骨架的聚酯四丙烯酸酯、聚酯四甲基丙烯酸酯、聚酯五丙烯酸酯、聚酯五甲基丙烯酸酯、聚酯六丙烯酸酯、聚酯六甲基丙烯酸酯等。可根據用途或所要求的特性或生產性等來選擇此等而使用。可使用此等的單體或混合有2種以上的組成物，或此等的2種以上所共聚合的寡聚物。
又，於本發明的導電積層體中，交聯層側的表面電阻值較佳為1×1013Ω/□以下。於交聯層側產生靜電時，塵埃或灰塵會附著，塵埃或灰塵係成為傷痕或缺點的原因，成為對熱的耐久性之惡化的主要原因，會使所得之觸控面板或電子紙等的品位惡化。交聯層側的表面電阻值若具有1×1013Ω/□以下的抗靜電性，則在導電積層體的搬運輸送步驟．加工步驟等中，由於即使在非防塵環境下，塵埃或灰塵也不易附著，故沒有附著塵埃所致的傷痕或缺點。因此，不會降低對熱的耐久性，而且可得到高品位的觸控面板或電子紙等之製品，故較佳。交聯層側的表面電阻值較佳為1×1012Ω/□以下，更佳為1×1010Ω/□以下。又，交聯層側的表面電阻值較佳為1×108Ω/□以上。於本發明可採用的抗靜電機構中，有(1)離子導電與(2)電子導電。
為了適用藉由(1)的離子導電之抗靜電機構，可在交聯層的成分中混合陽離子種、陰離子種及非離子種的成分，或藉由與層中的成分直接鍵結，而調整交聯層的表面電阻值。特別是使直接鍵結於層中的成分之方法，由 於賦予抗靜電性的成分之滲出或劣化少，容易長期維持初期的表面電阻值而較佳。具體地，較佳為在交聯層所含有的成分之一部分中，導入具有能賦予抗靜電性的四級銨鹽系官能基之成分。作為混合的手法可使用的成分，於市售者中，例如可舉出花王(股)製的Electrostripper(註冊商標)QN、Electrostripper(註冊商標)AC、Rheodol(註冊商標)TW-L120、Emasol(註冊商標)L-10V、CLARIANT日本(股)製的Hostastat(註冊商標)FA 14、Hostastat(註冊商標)FA 18、Hostastat(註冊商標)FA 38、Hostastat(註冊商標)FE 2、Hostastat(註冊商標)FE 20、三菱化學(股)製的“Saftomer”(註冊商標)ST-1000系列、“Saftomer”(註冊商標)ST-2000系列、“Saftomer”(註冊商標)ST-3000系列等。作為使與交聯層所含有的成分之一部分直接鍵結的手法中可使用的成分，於市售者中，例如可舉出綜研化學(股)製的Fullcure(註冊商標)HCE-022、Fullcure(註冊商標)HCE-032、東洋油墨製造(股)製的“LIODURAS(留杜拉斯)”(註冊商標)LAS1211等。
藉由(2)的電子導電之抗靜電機構，係例如藉由在欲賦予抗靜電性的層中含有其本身通電的成分，例如金屬微粒子、金屬氧化物微粒子或本發明中使用的線狀結構體等，利用彼等成分所具有導電性來調整表面電阻值。作為其本身通電的成分，可採用前述導電層的導電成分之線狀結構體，亦可使用五氧化銻、氧化錫、銻摻雜氧化錫(ATO)、氧化銦、錫摻雜氧化銦(ITO)、或摻雜或表面被覆有由Al．Ga．錫．磷．氟．ATO中選出的成分之 氧化鋅．氧化鈦．氧化鋯．硫酸鋇．氧化錫等。作為市售的微粒子粉末，例如可舉出三井金屬礦業(股)製的Passtran(註冊商標)TYPE-IV 4000系列、Passtran(註冊商標)TYPE-IV 6000系列、HAKUSUITECH(股)製的Pazet CK、Pazet GK、Pazet AK、Pazet AB、23-K等。又，作為在溶劑或黏結劑成分中分散加工或相溶加工有市售的微粒子粉末之塗液，例如可舉出住友大阪水泥(股)製的TR-AS-1(Lot.2，試作品號)、觸媒化成工業(股)製的ELCOM(註冊商標)P-3501、ELCOM(註冊商標)TO-1002 ATC。再者，作為混合有前述交聯層可使用的化合物連同導電成分之市售製品，例如可舉出綜研化學(股)製的Fullcure(註冊商標)LHT-11、東洋油墨製造(股)製的“LIODURAS(留杜拉斯)”(註冊商標)LASTYP系列、“LIODURAS(留杜拉斯)”(註冊商標)LASTYZA系列、“LIODURAS(留杜拉斯)”(註冊商標)LASTYST系列、“LIODURAS(留杜拉斯)”(註冊商標)LASTYPT系列、“LIODURAS(留杜拉斯)”(註冊商標)LASTYA系列。
又，本發明的導電積層體，係於自交聯層側將C光源的光入射時，根據JIS Z8729(2004)的L＊a＊b＊表示色系中之穿透光色調b＊較佳為1.5以下。觸控面板或電子紙，取決於其構成或動作方式，有使用複數片的電極構件。觸控面板或電子紙的顯示原理，由於係利用被稱為背光的在顯示部背面所設置的光源之穿透光、或自外光所入射的光之反射光，故在使用複數片的電極構件時，藉由因導電積層體的各層之光吸收或在空氣及各層之間的 界面之光反射，看見帶黃色調，而會引起所顯示的映像之色再現性降低或畫質的降低。作為黃色調的指標，採用穿透光色調b＊值(C光源)，若自導電積層體的交聯層側將光入射時的穿透光色調b＊值(C光源)為1.5以下，則即使於含有複數的本發明之導電積層體的製品中，也可防止所顯示的映像之色再現性降低或畫質的降低。穿透光色調b＊值(C光源)較佳為1.0以下，更佳為0.5以下。又，b＊值(C光源)較佳為-5.0以上，更佳為-4.0以上，尤佳為-3.0以上。
作為使穿透光的b＊值(C光源)成為1.5以下之方法，將導電積層體著色成黃色的補色之藍色者係有效，藉由添加．分散．相溶或結合藍色系的色素、染料或顏料或帶藍色的樹脂分等添加劑，可謀求b＊值的降低。作為藍色系的色素、染料、顏料等添加劑之例，例如可舉出具有蒽醌骨架的化合物、具有卟啉骨架的化合物、具有四氮雜卟啉骨架的化合物、具有酞花青骨架的化合物、顏料藍15、15：3、15：4、15：6、22、60、64，日本發明專利第3879402號公報及日本發明專利第4440720號公報中揭示的化合物等。作為市售者，例如可舉出日本化藥(股)製的Kayaset(註冊商標)系列的Kayaset(註冊商標)Blue FR、Kayaset(註冊商標)Blue N、Kayaset(註冊商標)Blue A-2R、Kayaset(註冊商標)Blue A-D、Kayaset(註冊商標)Blue A-CR。作為用此等藍色系的添加劑著色之層，可為基材、交聯層、導電層及保護層中的任一層，但考慮對導電材的線狀結構體之影響或生產性等，較佳為 將交聯層著色。藍色系的添加劑之較佳含量，雖然隨著添加劑的種類或添加的層之厚度等而不同，但添加的層之厚度(T)(μm)與相對於添加的層之總固體成分而言藍色系的添加劑之質量含有率(A)(質量%)之乘積(T)×(A)，較佳為0.10以上0.50以下，更佳為0.15以上0.30以下。
本發明的導電積層體，係在自前述導電層側將光入射時，根據JIS K7361-1(1997)的全光線穿透率較佳為80%以上。此係因為併入有全光線穿透率為80%以上的導電積層體之觸控面板，係顯示優異的透明性，可鮮明地辨識在觸控面板的下層所設置的顯示器之顯示。全光線穿透率較佳為85%以上，更佳為90%以上。作為提高全光線穿透率用之方法，例如可舉出提高所使用的基材之全光線穿透率之方法，減薄前述導電層的膜厚之方法，還有以保護層成為光學干涉膜的方式積層之方法，儘量減少前述藍色系的添加劑之添加量等。
作為提高基材的全光線穿透率之方法，可舉出減薄基材的厚度之方法，或選定全光線穿透率大的材質之基材之方法。作為全光線穿透率大的材質，例如可舉出透明度高的樹脂、玻璃等。厚度250μm以下可捲取之薄膜，或厚度超過250μm的基板，只要在上述全光線穿透率之範圍，則可較宜使用。從成本、生產性、操作性等之觀點來看，較佳為厚度250μm以下之樹脂薄膜，更佳為190μm以下，尤佳為150nm以下，最佳為100μm以下。基材的厚度若為100μm以下，則在使用複數片的導電積層體當作電極構件之觸控面板或電子紙中，輕量化或薄型 化變可能，或可改善光學特性，而且降低基材薄的部分、熱加工溫度，縮短熱加工時間，故會抑制加工時的寡聚物之析出，在成為觸控面板或電子紙等的製品時，成本或性能上的優點大。又，作為透明度高的樹脂之材質，可舉出聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等的聚酯、聚醯亞胺、聚苯硫、芳香族聚醯胺、聚丙烯、聚乙烯、聚乳酸、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、脂環式丙烯酸樹脂、環烯烴樹脂、三乙醯纖維素及混合或共聚合有此等樹脂者。作為基材，例如可採用由此等樹脂所構成的未延伸薄膜、一軸延伸薄膜或二軸延伸薄膜。於此等基材之中，從成形性、透明性等的光學特性及生產性等之觀點來看，較宜使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)薄膜等的聚酯薄膜、混合及/或共聚合有PEN之PET薄膜、聚丙烯薄膜、芳香族聚醯胺薄膜等。玻璃基板的材質可使用通常的鈉鈣玻璃。
又，亦可組合此等複數的材質而使用。例如，可為組合有樹脂與玻璃之基材、積層有2種以上的樹脂之基材等的複合基材。再者，基材視需要可施予表面處理。表面處理係可進行輝光放電處理、電暈放電處理、電漿處理、火焰處理等的處理或設置樹脂層。在表面上具有易黏著層的薄膜亦可較宜地使用作為基材。基材的種類係不受上述所限定，可按照用途自透明性或耐久性或可撓性或成本等中選擇最合適者。
其次，以下顯示以保護層成為光學干涉膜的方式積 層之方法的說明。導電層係取決於其導電成分的物性而反射或吸收光。因此，為了提高導電積層體的全光線穿透率，保護層係以成為光學干涉膜的方式設計，有效於將保護層側的波長380~780nm之光的平均反射率降低至4%以下。保護層側的波長380~780nm之光的平均反射率較佳為3%以下，更佳為2%以下。平均反射率若為4%以下，由於可生產性良好地得到用於觸控面板用途等時的全光線穿透率80%以上之性能而較佳。
本發明的導電積層體係導電層側的表面電阻值較佳為1×100Ω/□以上、1×104Ω/□以下，更佳為1×101Ω/□以上、1.5×103以下。藉由在此之範圍，可較宜地使用作為觸控面板用的導電積層體。即，由於表面電阻值為1×100Ω/□以上，可減少消耗電力。又，由於表面電阻值為1×104Ω/□以下，可減小觸控面板之座標讀取的誤差之影響。
於基材及前述各層中，在不妨礙本發明的效果之範圍內，可添加各種的添加劑。作為添加劑，例如可使用有機及/或無機的微粒子、交聯劑、難燃劑、難燃助劑、耐熱安定劑、耐氧化安定劑、均平劑、滑性活化劑、導電劑、抗靜電劑、紫外線吸收劑、光安定化劑、核劑、染料、填充劑、分散劑及偶合劑等。
其次，對於製造本發明的導電積層體之方法，舉例說明。於製造本發明的導電積層體時，較佳為在基材上的一面形成交聯層，在基材上的另一面形成導電層，更在該導電層上形成保護層。
作為形成交聯層、導電層及保護層之方法，可按照形成的材料來選擇最合適的方法，可舉出真空蒸鍍、EB蒸鍍、濺鍍等的乾法，澆鑄、旋塗、浸塗、桿塗、噴灑、刮板塗布、縫模塗布、凹版塗布、逆塗、網版印刷、鑄模塗布、印刷轉印、噴墨等的濕塗法等一般的方法。其中，較佳為使可均勻地積層保護層，而且不易對下層造成傷痕的縫模塗布，或可均勻且生產性良好地形成保護層的微凹版之濕塗法。
其次，舉例說明對於藉由使用去除劑的化學蝕刻，將本發明的導電積層體形成圖案之方法。於欲去除導電積層體的導電層之部分的保護層上，塗布去除劑。當去除劑具有非牛頓流動性時，由於不論導電積層體的種類、大小、形狀為何，可使用眾所周知的方法來塗布而較佳。作為塗布方法，例如可舉出網版印刷法、分配法、模板印刷法、移印法、噴灑塗布、噴墨法、微凹版印刷法、刀塗法、旋塗法、縫塗法、輥塗法、簾幕塗布法、流塗法等，惟不受此等所限定。又，為了進一步減至導電層的蝕刻不均，較佳為均勻地塗布去除劑。
塗布去除劑而形成的去除膜之厚度，係按照所去除的導電層之材質或厚度、加熱溫度或加熱時間來適宜決定。乾燥後的厚度較佳為0.1~200μm，更佳為2~200μm。藉由使乾燥後的去除膜之厚度成為前述範圍內，而在去除膜中含有必要量的導電層去除成分，可在面內更均勻地去除導電層。又，由於可抑制加熱時對橫向的淌流，故可塗布膜邊界線的位置沒有偏差地得到所欲的圖案。
其次，將塗布有去除劑的導電積層體在80℃以上予以加熱處理。加熱處理溫度較佳為比去除劑中所含有的溶劑以外之成分的沸點還低之溫度，較佳為200℃以下。藉由以前述溫度範圍進行加熱處理，塗布有去除劑的部分之導電層及保護層係可被溶解或分解、可溶化。加熱處理的手段係可按照目的或用途來選擇，例如，可舉出加熱板、熱風烘箱、紅外線烘箱、頻率300百萬赫茲~3兆赫茲的微波照射等，惟不受此所限定。
加熱處理後，藉由使用液體的洗淨，移除去除劑及導電層及保護層的溶解或分解物，而得到所欲的導電圖案。洗淨步驟所使用的液體較佳為能溶解去除劑中所含有的樹脂者，具體地可舉出丙酮等的酮類、甲醇等的醇類、四氫呋喃等的有機溶劑。又，亦可舉出含有前述有機溶劑的水溶液、含有氫氧化鈉、乙醇胺、三乙胺等的鹼性水溶液、純水等，惟不受此等所限定。於洗淨步驟中，為了沒有殘存物地洗淨，亦可將前述液體加溫至25~100℃而使用。
其次，說明去除劑。所謂的去除劑，就是含有酸成分或鹼成分的溶液。因含有酸成分或鹼成分，藉由在保護層上塗布去除劑，可選擇地去除導電層的線狀結構體。酸成分或鹼成分較佳為選自由沸點為80℃以上的酸或沸點為80℃以上的鹼、或因外部能量而產生酸或鹼的化合物所組成之群組中的一種以上。去除劑較佳為含有酸成分或鹼成分、溶劑、樹脂及均平劑者。藉由含有均平劑，而對去除劑賦予高的滲透力，亦可容易地去除以往 難以去除的纖維狀導電成分。藉由將去除劑塗布在導電層側的保護層之一部分上，以80℃以上進行加熱處理，然後進行使用液體的洗淨，可選擇地去除塗布有去除劑的部分之導電層。藉由將去除劑塗布在所欲的地方，亦可任意地形成包含銳角或曲線的複雜且高精細之導電圖案。加熱處理溫度較佳為比去除劑中的溶劑以外之成分的沸點還低的溫度，較佳為200℃以下。
此處，沸點係指大氣壓下的值，依據JIS-K5601-2-3(1999)來測定。去除劑所用的酸之沸點較佳為100℃以上，更佳為200℃以上。再者，於本發明中，在大氣壓下不具有明確的沸點，升溫時於氣化之前先開始熱分解的酸，亦只要熱分解開始的溫度為80℃以上，則當作沸點為80℃以上的酸中所包含者。又，在去除導電層時的加熱處理溫度下，較佳為蒸氣壓是30kPa以下者。作為沸點為80℃以上的酸，例如可舉出甲酸、醋酸、丙酸等的單羧酸；草酸、琥珀酸、酒石酸、丙二酸等的二羧酸；檸檬酸、均丙三甲酸等的三羧酸；甲磺酸等的烷基磺酸；苯磺酸等的苯基磺酸；甲苯磺酸、十二基苯磺酸等的烷基苯磺酸；苯酚磺酸；硝基苯磺酸；苯乙烯磺酸；聚苯乙烯磺酸等的磺酸化合物；三氟乙酸等之有機酸經一部分氟化的衍生物；硫酸、鹽酸、硝酸及磷酸等的無機酸等。亦可混合此等的2種以上而使用。
於此等之中，較佳為具有高氧化力的酸，更佳為硫酸或磺酸化合物。由於硫酸在大氣壓下的沸點為290℃，例如在150℃的硫酸之蒸氣壓為1.3kPa以下，故即使在此 溫度加熱也保持液狀，深深地滲透進導電層內的線狀結構體。再者，硫酸由於具有高的氧化力，故即使在80~200℃左右的低溫下，也容易與導電層反應，可藉由比硝酸或醋酸還短時間的加熱處理，不對基材造成影響地去除導電層。又，磺酸化合物由於在大氣壓下為固體酸，故不蒸發，例如由於在150℃下的蒸氣壓為1.3kPa以下，故即使在此溫度加熱，也不會蒸發或昇華，由於加熱時高效率地促進反應，故可藉由短時間的加熱處理來去除導電層。再者，含有固體酸的去除劑，由於非牛頓流動性的控制變容易，例如可減少線寬的偏差(起伏)而形成線寬30μm左右的線寬小之直線圖案等，可形成高精細的圖案形成而特佳。
去除劑所用的鹼之沸點較佳為100℃以上，更佳為150℃以上。再者，在大氣壓下不具有明確的沸點，升溫時於氣化之前先開始熱分解的鹼，亦只要熱分解開始的溫度為80℃以上，則當作沸點為80℃以上的鹼中所包含者。又，在去除導電層時的加熱處理溫度下，較佳為蒸氣壓是30kPa以下者。作為沸點為80℃以上的鹼，例如可舉出氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銫、氫氧化四甲銨、氫氧化鋇、胍、氫氧化三甲基鋶、乙氧化鈉、二氮雜雙環十一烯、肼、磷腈、前氮雜磷烷(proazaphosphatrane)、乙醇胺、乙二胺、三乙胺、三辛胺、具有胺基的烷氧基矽烷等。亦可混合此等的2種以上而使用。
作為因外部能量而產生酸的化合物，可舉出因紫外線等的放射線之照射及/或熱而產生酸的化合物。例如可 舉出4-羥基苯基二甲基鋶六氟銻酸鹽、三氟甲烷磺酸酯等的鋶化合物；4,4-雙(二甲基胺)二苯基酮、4,4-二氯二苯基酮等的二苯基酮化合物；苯偶姻甲基醚等的苯偶姻化合物；4-苯甲醯基-4-甲基二苯基酮、二苄基酮等的苯基酮化合物；2,2-二乙氧基苯乙酮、2-羥基-2-甲基苯丙酮等的苯乙酮化合物；2,4-二乙基噻噸-9-酮、2-氯噻噸酮等的噻噸化合物；2-胺基蒽醌、2-乙基蒽醌等的蒽醌化合物；苯并蒽酮、亞甲基蒽酮等的蒽酮化合物；2,2-雙(2-氯苯基)-4,4,5,5-四苯基-1,2-聯二咪唑等的咪唑化合物；2-(3,4-二甲氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三、2-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三等的三化合物；2-苯甲醯基苯甲酸、過氧化苯甲醯基等的苯甲醯基化合物；2-吡啶基三溴甲基碸、三溴甲基苯基碸等的碸化合物；4-異丙基-4-甲基二苯基碘鎓肆(五氟苯基)硼酸酯、二苯基碘鎓三氟甲磺酸等的碘鎓化合物；四甲基秋蘭姆二硫化物、9-茀酮、二苯并環庚酮、N-甲基吖啶酮、硝苯吡啶、樟腦醌、四溴化碳等。亦可混合此等的2種以上而使用。
作為因外部能量而產生鹼的化合物，可舉出因紫外線等的放射線之照射及/或熱而產生鹼的化合物。例如可舉出雙[(α-甲基)-2,4,6-三硝基苄氧基羰基]甲烷二伸苯二胺、N-[(2-硝基苯基)-1-甲基甲氧基]羰基-2-丙基胺等的胺化合物；胺基甲酸苄酯、苄基磺醯胺、苄基四級銨鹽、亞胺、亞銨鹽、鈷胺錯合物、肟化合物等。亦可混合此等的2種以上而使用。
於去除劑中，酸成分或鹼成分的含量較佳為溶劑以外的成分中1~80質量%。其中，沸點為80℃以上的酸之含量較佳在溶劑以外的成分中之質量比例為10~70質量%，更佳為20~70質量%。沸點為80℃以上的鹼之含量較佳為溶劑以外的成分中0.01~70質量%。又，因外部能量而產生酸的化合物之含量較佳為溶劑以外的成分中0.1~70質量%。因外部能量而產生鹼的化合物之含量較佳為溶劑以外的成分中1~80質量%。惟，不受此範圍所限定，可按照化合物的分子量、產生的酸或鹼之量、所去除的導電層之材質或膜厚、加熱溫度及加熱時間來適宜選擇。
作為去除劑所使用的溶劑之具體例，可舉出醋酸乙酯、醋酸丁酯等的醋酸酯類；丙酮、苯乙酮、乙基甲基酮、甲基異丁基酮等的酮類；甲苯、二甲苯、苯甲醇等的芳香族烴類；甲醇、乙醇、1,2-丙二醇、萜品醇、乙醯基萜品醇、丁基卡必醇、乙基溶纖劑、乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、丙三醇等的醇類；三乙二醇單丁基醚等的乙二醇單烷基醚類；乙二醇二烷基醚類；二乙二醇單烷基醚乙酸酯類；乙二醇單芳基醚類；聚乙二醇單芳基醚類；丙二醇單烷基醚類；二丙二醇二烷基醚類；丙二醇單烷基醚乙酸酯類；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、γ-丁內酯、溶劑油、水、N-甲基吡咯啶酮、二甲亞碸、六甲基磷酸三醯胺、二甲基伸乙基脲、N,N’-二甲基伸丙基脲、四甲基脲等。亦可混合此等的2種以上而使用。
於去除劑中，溶劑的含量較佳為去除劑中1質量%以 上，更佳為30質量%以上，尤佳為50質量%以上。藉由使溶劑的含量成為1質量%以上，可提高去除劑的流動性，進一步提高塗布性。溶劑的含量較佳為99.9質量%以下，更佳為95質量%以下。藉由使溶劑的含量成為99.9質量%以下，可將加熱時的流動性保持在恰當的範圍，可高精度地維持所欲的圖案。
去除劑較佳為含有樹脂。由於含有樹脂，可對去除劑賦予非牛頓流動性，可藉由眾所周知的方法容易地塗布在導電積層體上。又，可抑制加熱處理時的去除劑之流動，提高塗布位置的精度。作為該目的可使用的樹脂，例如可舉出聚苯乙烯樹脂、聚丙烯酸樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸樹脂、三聚氰胺樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯并胍胺樹脂、酚樹脂、聚矽氧樹脂、氟樹脂等。亦可含有2種以上的此等。另外，若含有非離子性親水性樹脂、陰離子性親水性樹脂、兩性離子親水性樹脂、陽離子性親水性樹脂等的親水性樹脂，則可藉由水或鹼性水溶液或有機溶劑的水溶液來容易洗淨，可減低去除面的殘存物。作為該親水性樹脂，具體地可舉出聚乙烯吡咯啶酮、親水性聚胺基甲酸酯、聚乙烯醇、聚乙基唑啉、聚丙烯酸、明膠、羥基烷基瓜爾膠、瓜爾膠、角豆膠、鹿角菜膠、海藻酸、阿拉伯膠、果膠、黃原膠、纖維素、乙基纖維素、羥基丙基纖維素、羧甲基纖維素、羧甲基羥基乙基纖維素鈉、丙烯醯胺系共聚物、聚乙烯亞胺、聚胺鋶、聚乙烯吡啶、聚二烷基胺基乙基甲基丙烯酸酯、聚二烷基胺基乙基丙烯酸酯、 聚二烷基胺基乙基甲基丙烯醯胺、聚二烷基胺基乙基丙烯醯胺、聚環氧基胺、聚醯胺胺、二氰二胺-福馬林縮合物、聚二甲基二烯丙基氯化銨、聚胺聚醯胺環氧氯丙烷、聚乙烯胺、聚丙烯醯胺等及此等的改性物等。於此等之中，更佳為即使在酸存在下或高溫條件下也不易變性，在極性溶劑中顯示高的溶解性之陽離子性樹脂。陽離子性樹脂由於具有高的溶解性，在加熱處理後，於藉由使用液體的洗淨而去除導電層的步驟中，可短時間去除導電層。再者，作為陽離子性樹脂，例如可舉出聚二烷基胺基乙基甲基丙烯酸酯、聚二烷基胺基乙基丙烯酸酯、聚二烷基胺基乙基甲基丙烯醯胺、聚二烷基胺基乙基丙烯醯胺、聚環氧基胺、聚醯胺胺、二氰二胺-福馬林縮合物、聚二甲基二烯丙基氯化銨、瓜兒膠羥丙基三甲基氯化銨、聚胺聚醯胺環氧氯丙烷、聚乙烯胺、聚烯丙胺、聚丙烯醯胺、Polyquaternium-4、Polyquaternium-6、Polyquaternium-7、Polyquaternium-9、Polyquaternium-10、Polyquaternium-11、Polyquaternium-16、Polyquaternium-28、Polyquaternium-32、Polyquaternium-37、Polyquaternium-39、Polyquaternium-51、Polyquaternium-52、Polyquaternium-44、Polyquaternium-46、Polyquaternium-55、Polyquaternium-68等及此等的改性物等。例如，Polyquaternium-10由於在側鏈末端具有三甲基銨基，故在酸性條件下，三甲基銨基進行陽離子化，藉由靜電排斥的作用而顯示高的溶解性，而且不易發 生因加熱而脫水聚縮合，即使在加熱後也保持高的溶劑溶解性。因此，在加熱處理後，於藉由使用液體的洗淨來去除導電層的步驟中，可短時間去除導電膜而較佳。
使用於去除劑中含有樹脂者時，樹脂的含量較佳為溶劑以外的成分中0.01~80質量%。於該範圍內，去除劑中的樹脂含量，為了壓低導電層去除時所需要的加熱溫度，使縮短加熱時間者成為可能，較佳為在能維持非牛頓流動性的範圍內儘量地少。
去除劑的黏度在25℃較佳為2~500Pa．S左右。由於黏度在該範圍，可藉由網版印刷法來容易地形成均勻的塗布膜。去除劑的黏度例如可藉由溶劑與樹脂的含量來調整。
去除劑所用的均平劑較佳為具有使去除劑的表面張力降低至低於50mN/m的性質之化合物。再者，於本發明中，只要是具有使表面張力降低至低於50mN/m的性質之化合物，則即使為高分子化合物，也歸類為均平劑。作為均平劑之具體例，可舉出改性聚丙烯酸酯等的丙烯酸系化合物或丙烯酸系樹脂；在分子骨架中具有雙鍵的乙烯系化合物或乙烯系樹脂；具有烷氧基矽烷基及/或聚矽氧烷骨架等的聚矽氧系化合物或聚矽氧系樹脂；具有氟化烷基及/或氟化苯基等的氟系化合物或氟系樹脂等。可按照保護層表面的材質或極性狀態，適宜地選擇此等而使用。特佳為使用具有氟化烷基及/或氟化苯基等的氟系化合物或氟系樹脂，因為表面張力減低能力強。
於去除劑中，均平劑的含量，從對導電積層體的潤 濕性或均平性等的界面活性能力，與所得之塗膜的酸含量之平衡來看，較佳為溶劑以外的成分中0.001~10質量%，更佳為0.01~5質量%，尤佳為0.05~3質量%。
當去除劑含有沸點80℃以上的酸或因外部能量而產生酸之化合物時，較佳為更含有硝酸鹽或亞硝酸鹽。酸與導電成分的反應，雖然取決於各自的種類而反應速度會有差異，但藉由含有硝酸鹽或亞硝酸鹽，在加熱處理時，由於酸與硝酸鹽或亞硝酸鹽反應，在系中生成硝酸，故可進一步促進導電成分的溶解。因此，可藉由短時間的加熱處理來去除導電層。作為硝酸鹽，例如可舉出硝酸鋰、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鈣、硝酸銨、硝酸鎂、硝酸鋇或彼等硝酸鹽的水合物。作為亞硝酸鹽，例如可舉出亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、亞硝酸鈣、亞硝酸銀、亞硝酸鋇等。亦可含有2種以上的此等。於此等之中，若考慮硝酸生成的反應速度等，則較佳為硝酸鹽，更佳為硝酸鈉或硝酸鉀。
去除劑係按照目的，亦可含有氧化鈦、氧化鋁、矽石等的無機微粒子；可賦予搖變性的搖變劑；抗靜電劑、消泡劑、黏度調整劑、耐光安定劑、耐候劑、耐熱劑、抗氧化劑、防銹劑、滑劑、蠟、脫模劑、互溶劑、分散劑、分散安定劑、流變控制劑等的添加劑。
對於去除劑的製造方法，舉例說明。首先，於溶劑中添加樹脂，充分地攪拌而使溶解。其次，添加由沸點為80℃以上的酸、沸點為80℃以上的鹼及因外部能量而產生酸或鹼的化合物中選出的化合物、均平劑及視需要 的前述添加劑及攪拌。添加方法及添加順序係沒有特別的限定。各階段中的攪拌亦可在加熱條件下進行，以提高溶解速度為目的，較佳為在50~80℃下攪拌。
其次，說明本發明的觸控面板。本發明的觸控面板係搭載有單獨或複數片的本發明之導電積層體，亦可更與其他構件組合而搭載。作為觸控面板之例，可舉出電阻膜式觸控面板或靜電容量式觸控面板等。本發明的觸控面板例如係如第3圖所示，藉由接著劑或黏著劑等的接合層19來接合複數片的導電層經圖案化之導電積層體14而積層者。再者，於該積層物的一側，積層觸控面板的畫面側之基材20、及在該基材20的表面上所積層的硬塗層21。該觸控面板例如係安裝引線與驅動單元等，併入液晶顯示器的正面而使用。
[實施例]
以下，以實施例為基礎來具體說明本發明。惟，本發明不受下述實施例所限定。首先，說明各實施例及比較例中的評價方法。
(1)表面電阻值R0
表面電阻值係使用非接觸式電阻率計(NAPSON(股)製NC-10)，以渦電流方式測定100mm×50mm的樣品之中央部分。超過檢測極限而得不到表面電阻值時，接著藉由以下的方法來測定。
使用高電阻率計(三菱化學(股)製Hiresta(註冊商標)-UP MCP-HT450)，連接環型探針(三菱化學(股)製URS探針MCP-HTP14)，以雙環方式測定100mm×100mm的樣 品之中央部分。
任一方法皆測定5個樣品，將平均值當作表面電阻值R0[Ω/□]。
(2)積層體的構成之觀察
將樣品之欲觀察的部分附近，以冰包埋而冷凍固定，或以如環氧樹脂之比冰固定力更強的成分來包埋後，使用日本微切片機研究所(股)製旋轉式微切片機，以刀傾斜角度3°來固定鑽石刀，在與薄膜平面呈垂直的方向中切斷。其次，對所得之薄膜的截面，使用電場發射型掃描電子顯微鏡(日本電子(股)製JSM-6700-F)，在3.0kV的加速電壓下觀察。觀察倍率係自2500~200000倍之範圍中，選擇積層體的厚度成為顯示裝置的縱向之長度的50~90%之倍率，適宜調節圖像的對比而觀察。
(3)交聯層所含有的官能基種類及結構之鑑定
首先，藉由(1)或(2)的方法來特定導電積層體的哪一側為交聯層側之面。其次，自樣品剝離交聯層，使交聯層溶解於能溶解的溶劑中。按照需要，採用以矽凝膠管柱層析術、凝膠滲透層析術、液體高速層析術等為代表的一般層析術等，將交聯層所含有的成分各自分離精製成單一物質，供用於以下的定性分析及定量分析。再者，以保護層為對象，實施同樣的方法，亦可實施保護層的化合物之含有元素、結構及結合樣態之鑑定。
然後，對於各物質，視需要進行濃縮及稀釋，以調製樣品。首先，進行定性分析，以特定樣品中所含有的成分。分析手法係首先組合(1)之群的分析手法來進行， 對於分析無法檢測出的成分，藉由組合(ii)之群的分析手法來進行分析。再者，各群的測定手法係自先前所示者依順序地採用，當為前者無法檢測出時，使用下一個測定法。又，於組合的情況中，同樣地優先使用先前記載者，優先地採用以更少的組合可測定者。
(i)核磁共振光譜法(1H-NMR、13C-NMR、29Si-NMR、19F-NMR)、二次元核磁共振光譜法(2D-NMR)、紅外線光譜法(IR)、拉曼光譜法、各種質譜法(氣相層析-質譜法(GC-MS)、熱分解氣相層析-質譜法(熱分解GC-MS)、基質輔助雷射脫離離子化質譜(MALDI-MS)、飛行時間型質譜法(TOF-MS)、飛行時間型基質輔助雷射脫離離子化質譜(MALDI-TOF-MS)、動態二次離子質譜法(Dynamic-SIMS)、飛行時間型二次離子質譜法(TOF-SIMS)、其他靜態二次離子質譜法(Static-SIMS)等)。
(ii)X射線繞射法(XRD)、中子繞射法(ND)、低速電子線繞射法(LEED)、高速反射電子線繞射法(RHEED)、原子吸光分析法(AAS)、紫外光電子光譜法(UPS)、歐傑電子光譜法(AES)、X射線光電子光譜法(XPS)、螢光X射線元素分析法(XRF)、感應耦合電漿發射光譜法(ICP-AES)、電子線微分析法(EPMA)、荷電粒子激發X射線光譜法(PIXE)、低能離子散射光譜法(RBS或LEIS)、中能離子散射光譜法(MEIS)、高能離子散射光譜法(ISS或HEIS)、凝膠滲透層析術(GPC)、穿透電子顯微鏡-能量色散X射線光譜分析(TEM-EDX)、掃描電子顯微鏡-能量色散X射線光譜分析(SEM-EDX)、氣相層析(GC)、其他元素分析。
(4)交聯單元結構質量含有率之測定
於實施(3)之方法後，分離取得所得之交聯層的剝離物或分離物中的任意一部分，測定質量，當作測定樣品。然後，用重氯仿等來適宜稀釋已預先測定質量的1,1,2,2-四溴乙烷(以下簡稱TBE)，而準備已知濃度的內部標準溶液。於前述分離取得的樣品中，添加前述TBE內部標準溶液，使用1H-NMR來測定此試驗溶液。於所得之1H-NMR光譜中，自含有碳-碳雙鍵基的官能基之碳-碳雙鍵基部分之氫(質子，H)而來的波峰之波峰面積、作為內部標準所添加的TBE之氫(質子，H)所相當的波峰面積之面積比率、預先測定的樣品之質量及TBE內部標準溶液之濃度，算出碳-碳雙鍵基量。自此與同樣算出的測定樣品中之其他結構的比較，算出相對於測定樣品的全部質量而言碳-碳雙鍵基的單元結構部分之質量含有率。再者，此處所謂的碳-碳雙鍵基，亦包含反應而在其他結構發生變化的來自碳-碳雙鍵基之基。
(5)交聯層之厚度
首先，藉由(1)或(2)的方法來特定導電積層體的哪一側為交聯層側之面。與(2)同樣地，在與薄膜平面呈垂直的方向中切斷導電積層體。其次，對所得之截面的交聯層之部分，使用電場發射型掃描電子顯微鏡(日本電子(股)製JSM-6700-F)，在3.0kV的加速電壓下，以10000~100000倍的觀察倍率，適宜調節圖像的對比，以各倍率進行觀察。自所得之截面照片中，在與厚度呈正交的方向中將交聯層16等分的等分線之15個地方，測定 厚度，求得平均值。再者，於本測定時，選擇可確保有效數字3位數的倍率，於計算時，將第4位數四捨五入而求得值。
(6)線狀結構體之判別(導電成分之結構)、線狀結構體之網狀狀態
首先，藉由(1)或(2)的方法來特定導電積層體的哪一側為交聯層側之面。使用掃描穿透電子顯微鏡(日立高科技(股)製日立掃描穿透電子顯微鏡HD-2700)來觀察樣品的導電層側之表面。
以前述方法難以觀察時，使用電場發射型掃描電子顯微鏡(日本電子(股)製JSM-6700-F)，在3.0kV的加速電壓下，以10000~200000倍的觀察倍率，適宜調節圖像的對比而觀察。
再者，以前述方法難以觀察時，接著使用彩色3D雷射顯微鏡(KEYENCE(股)製VK-9710)，藉由附屬的標準物鏡10X(NIKON(股)製CF IC EPI Plan 10X)、20X(NIKON(股)製CF IC EPI Plan 20X)、50X(NIKON(股)製CF IC EPI Plan Apo 50X)、150X(NIKON(股)製CF IC EPI Plan Apo 150XA)，以各倍率對保護層側的相同位置進行表面觀察，自其圖像數據，使用觀察應用軟體(KEYENCE(股)製VK-HV1)進行圖像解析而確認。
當彼等亦難以觀察時，接著使用原子力顯微鏡(Digital Instruments公司製Nanoscope(註冊商標)III)，懸臂為矽單晶，掃描模式為間歇接觸式，測定環境為溫度25℃及相對濕度65%RH，進行觀察。
(7)保護層之平均厚度t
首先，藉由(1)或(2)的方法來特定導電積層體的哪一側為保護層側之面。與(2)同樣地，在與薄膜平面呈垂直的方向中切斷。其次，對所得之截面的保護層之部分，使用電場發射型掃描電子顯微鏡(日本電子(股)製JSM-6700-F)，在3.0kV的加速電壓下，以10000~100000倍的觀察倍率，適宜調節圖像的對比而進行觀察。自所得之截面照片中，對於第4圖中所示之線狀結構體不存在的部分之保護層厚度23(前述保護層厚度厚的部分)，與單一線狀結構體的頂點上之保護層厚度24或由線狀結構體所構成的集合體之頂點上的保護層厚度25(前述保護層厚度薄的部分)所相當的部分，測定各自的任意5個地方(由放大倍率來計算)，平均而求得保護層的平均厚度。再者，於本測定時，選擇可確保有效數字3位數的倍率，於計算時，將第4位數四捨五入而求得值。
(8)線狀結構體之直徑r、保護層之平均厚度t的觀察
使用電場發射型掃描電子顯微鏡(日本電子(股)製JSM-6700-F)，與(7)同樣地觀察截面或保護層側表面，適宜調節線狀結構體的部分與線狀結構體沒有積層的部分之圖像的對比，進行觀察。再者，r與t的大小之判斷，係自截面觀察，測定線狀結構體的直徑r，與(7)所求得t進行比較。
(9)對熱的耐久性(圖案化前)之評價
使用濁度計(霧濁度計)NDH2000(日本電色工業(股)製)，根據JIS K7361-1(1997)，使光自導電層側(保護層 側)入射，測定導電積層體的厚度方向之霧值。對於5個樣品，自所測定的值來算出平均值，將此當作初期霧度Hz0。接著，藉由附安全門的恆溫器安全烘箱(ESPEC(股)製SPHH-201)，將5個樣品皆以130℃加熱30分鐘。與加熱前同樣地，使光自導電層側(保護層側)入射，測定加熱後的5個樣品之霧值。對於5個樣品，自所測定的值算出平均值，將此當作加熱後霧度Hz。作為加熱前後的霧度變化，將前述初期霧度Hz0與加熱後霧度Hz之比Hz/Hz0為1.20以下的情況當作合格，將Hz/Hz0大於1.20的情況當作不合格。再者，Hz/Hz0愈小，意味寡聚物之析出愈少，對熱的耐久性愈高。耐久性最佳者係加熱前後的霧度沒有變化，即Hz/Hz0為1.0。相反地，Hz/Hz0愈大，意味對熱的耐久性愈差。
(10)對熱的耐久性(圖案化後)之評價
(i)如以下地，得到導電層經圖案化的導電積層體。準備後述的去除劑，於導電積層體上，使用SUS#500篩網，以乾燥後的膜厚成為2.4μm的方式，網版印刷去除劑。印刷圖案為線長5cm、線寬500μm的直線線條。塗布去除劑後，置入紅外線烘箱中，以130℃加熱處理3分鐘，自烘箱取出，放置冷卻至室溫為止後，使用25℃的純水，進行1分鐘洗淨，以去除所附著的去除劑及分解物。而且，使用加壓空氣將前述基板去除水分後，在紅外線烘箱中以80℃乾燥1分鐘，而得到導電層經圖案化之導電積層體。
(ii)其次，藉由恆溫器安全烘箱(ESPEC(股)製SPHH- 201)，以130℃將經圖案化的導電積層體加熱30分鐘。用光學顯微鏡((股)NIKON製ECLIPSE-L200)觀察圖案化部分的表面，觀察加熱前後的圖案化部分表面之有無寡聚物的析出。再者，有無寡聚物的析出，係藉由加熱前在表面上不存在的斑點或斑點花樣是否在加熱後存在來判斷。用光學顯微鏡無法觀察寡聚物時，使用TOPCON公司製掃描型電子顯微鏡ABT-32，同樣地觀察表面，確認有無寡聚物的析出。在任意的10點進行觀察，將1個地方也沒有寡聚物的析出之情況當作合格。
(11)圖案化部分的電絕緣性之評價
將(10)所製作之導電層經圖案化的導電積層體，自直線圖案的線長之兩端部，各自切斷1cm的部分，得到中央經該直線圖案(蝕刻線)所隔開的3cm×10cm之導電積層體。而且，在蝕刻線的右側與左側，碰觸絕緣電阻計(三和電氣計器(股)製EA709DA-1)的探針，施加25V的直流，將顯示10MΩ以上的電阻之情況當作合格，將顯示低於10MΩ的電阻之情況當作不合格。
(12)圖案化部分之導電成分有無殘存之觀察
藉由與(7)或(8)記載同樣的方法或掃描穿透電子顯微鏡(日立高科技(股)製日立掃描穿透電子顯微鏡HD-2700)，觀察(10)所製作之導電層經圖案化的導電積層體之圖案化部分。將無法看到(6)所判別的導電成分之情況當作合格(導電成分無殘存)，將可看到的情況當作不合格(導電成分有殘存)。
(13)光引發劑的極大吸收波長之差的測定
藉由與(3)同樣的任一方法，分離精製保護層的成分，於各種成分之中，僅提取相當於光引發劑的化合物。當不清楚是否相當於光引發劑時，照射放射線，將產生自由基種、陽離子種、陰離子種中的任一者之化合物當作光引發劑。其次，使光引發劑溶解於能溶解的溶劑中。其次，將此溶液置入石英容器中，使用紫外-可見光光譜儀(UV-Bis Spectrophotometer，日本分光(股)製V-660型)，以1cm的光路長度，測定在波長200~900nm的吸收光譜，求得極大吸收波長。
於各光引發劑，同樣地測定3次吸收光譜，求得極大吸收波長，將其平均值當作光引發劑的極大吸收波長。對於保護層所含有的複數之光引發劑，求得極大吸收波長之差。
再者，當吸收波長的極大值為複數時，將以下當作極大吸收波長。於吸收光譜中的200~400nm之區域所存在的複數之極大值內，將吸光度最大的極大值時之波長當作極大吸收波長。此處，溶解於溶劑中時的光引發劑之濃度若過高，則在吸光度最大的極大值中，由於吸光度會超過所使用的裝置之檢測極限，宛如觀察到沒有該極大值，故適宜地改變光引發劑的濃度，同樣地測定，將各同濃度中相對地吸光度最大的極大值時之波長當作極大吸收波長。
(14)全光線穿透率之測定
使用濁度計(霧濁度計)NDH2000(日本電色工業(股)製)，根據JIS K7361-1(1997)，使光自導電層側入射，測 定導電積層體的厚度方向之全光線穿透率。對於5個樣品，自所測定之值算出平均值，將此當作全光線穿透率。
(15)交聯層側與保護層側之間的摩擦係數之測定
根據JIS C2151(2006)，於使2片的導電積層體之交聯層側與保護層側接觸的狀態下，施加200g的荷重，評價摩擦係數。對於10個樣品，求得靜摩擦係數及動摩擦係數，將10個樣品的平均值各自當作靜摩擦係數及動摩擦係數。
(16)表面摩擦性之測定
根據JIS L0849(2004)，藉由試驗用所附的白布棉(細棉布3號)來往復摩擦導電積層體的交聯層側與保護層側的表面50次。接著，在摩擦面之中，選擇2個地方的任意之2cm四方形，自相對於摩擦面的10°方向，一邊以螢光燈照射各地方，一邊目視觀察與摩擦方向呈平行的方向(相對於摩擦方向的±10°以內)之傷痕，計數長度0.5mm以上的傷痕。對5個樣品進行評價，將計10個地方的平均予以四捨五入小數第1位，以求得整數，當作與摩擦方向呈平行的方向中之傷痕的數目(以下僅記載為傷痕的數目)。本發明中的判定基準係分類為下述的3等級，若為A、B級則判定合格。
A級：傷痕的數目為2個以下。
B級：傷痕的數目為3以上10個以下。
C級：傷痕的數目為11個以上。
(17)穿透光色調b ＊值(C光源)之測定
根據JIS Z8729(2004)，使用光譜儀(島津製作所製 UV-3150)，測定自導電積層體的交聯層側將C光源的光入射時之穿透率。以1nm間隔測定C光源以2°視野之在380~780nm的穿透率光譜，由XYZ(CIE1976)表色系的穿透色度計算結果，測定穿透光色調b＊值。測定5個樣品，將5個樣品的穿透光色調b＊值之平均值當作穿透光色調b＊值(C光源)。
以下顯示各實施例及比較例所使用的材料等。
[保護層] (1)保護層材料A
．完全不含有S元素、P元素、金屬元素、金屬離子及構成官能基的N元素，未形成交聯結構之直鏈甲基丙烯酸系樹脂(綜研化學(股)製Foret GS-1000，固體成分濃度30質量%)
(2)保護層材料B
．完全不含有S元素、P元素、金屬元素、金屬離子及構成官能基的N元素，藉由光引發劑形成交聯結構之多官能丙烯酸系組成物(綜研化學(股)製Fullcure HC-6，固體成分濃度51質量%)
(3)保護層材料C
．完全不含有S元素、P元素、金屬元素、金屬離子及構成官能基的N元素，含有氟，藉由光引發劑形成交聯結構之多官能丙烯酸系組成物(綜研化學(股)製Fullcure UAF-1，固體成分濃度48.4質量%)
(4)保護層材料D
．完全不含有S元素、P元素、金屬元素、金屬離子 及構成官能基的N元素，在骨架結構內含有N元素，藉由光引發劑形成交聯結構之多官能丙烯酸系/胺基甲酸酯丙烯酸酯系混合組成物(中國塗料(股)製Pholucid No.420C，固體成分濃度50質量%)
(5)保護層材料E
．完全不含有S元素、P元素、金屬元素、金屬離子及構成官能基的N元素，在骨架結構內含有N元素，藉由光引發劑形成交聯結構之多官能胺基甲酸酯丙烯酸酯系組成物(根上工業(股)製Artresin UN-904M，固體成分濃度80質量%)
(6)保護層材料F
．含有形成官能基的N元素，藉由光引發劑形成交聯結構之多官能丙烯酸系/甲基丙烯酸酯系混合組成物(綜研化學(股)製Fullcure HCE-022，固體成分濃度52.1質量%)
(7)保護層材料G
．將Acrylamide t-Butyl Sulfonic Acid(別名2-Acrylamide-2-Methyl Propane Sulfonic Acid、2-丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸)及Methyl Methacrylate(別名甲基丙烯酸甲酯、2-甲基-2-丙烯酸甲酯，簡稱MMA)共聚合而得，含有S元素，不形成交聯結構之直鏈丙烯酸系樹脂(固體成分濃度100質量%)
(8)保護層材料H
．將Acrylamide t-Butyl Sulfonic Acid Sodium Sait(別名2-Acrylamide-2-Methyl Propane Sulfonic Acid Sodium Sait、2-丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸鈉)及Methyl Methacrylate(別名甲基丙烯酸甲酯、2-甲基-2-丙酸甲酯，簡稱MMA)共聚合而得之含有S元素及金屬離子，不形成交聯結構之直鏈丙烯酸系樹脂(固體成分濃度100質量%)
(9)保護層材料I
．含有藉由日本特開2008-222848號公報的實施例1記載之方法所得，含P元素，藉由光引發劑形成交聯結構之多官能丙烯酸系樹脂與下述添加劑A之組成物(固體成分濃度40質量%)。
[添加劑] (10)添加劑A
．極大吸收波長240nm的光聚合引發劑(汽巴日本(股)製Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)184)
(11)添加劑B
．極大吸收波長300nm的光聚合引發劑(汽巴日本(股)製Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)907)
(12)添加劑C
．極大吸收波長320nm的光聚合引發劑(汽巴日本(股)製Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)369)
(13)添加劑D
．極大吸收波長250nm的光聚合引發劑(汽巴日本(股)製Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)651)。
[導電層] (1)導電層A「針狀二氧化矽系．ATO(銻摻雜氧化錫)複合 化合物導電層」
使用前述保護層材料A(丙烯酸系樹脂)當作黏結劑成分，使用針狀形狀的二氧化矽系．ATO(銻摻雜氧化錫)複合化合物(大塚化學(股)製Dentall(註冊商標)TM100，短軸：700~900nm，長軸：15~25μm)當作導電成分，以相對於固體成分全體而言導電成分量成為60質量%之方式進行混合(固體成分混合比：黏結劑成分/導電成分=40質量%/60質量%)。接著，於此混合液中，添加醋酸乙酯，稀釋直到塗料固體成分濃度50質量%，而得到針狀二氧化矽系．ATO複合化合物分散塗液。使用裝有材質為SUS的墊片(墊片厚度100μm)之縫模塗布機，將此針狀二氧化矽系．ATO複合化合物分散塗液塗布於基材上後，在120℃乾燥5分鐘，而形成針狀二氧化矽系．ATO複合化合物導電層。
(2)導電層B「銀奈米線導電層」
藉由日本特表2009-505358號公報之例1(銀奈米線之合成)記載的方法，得到銀奈米線(短軸：50~100nm，長軸：20~40μm)。其次，藉由同特表2009-505358號公報之例8(奈米線分散)記載的方法，得到銀奈米線分散塗液。調整此銀奈米線分散塗液的濃度，以使得相對於塗液全體而言，銀奈米線量成為0.04質量%。使用裝有材質為SUS的墊片(墊片厚度50μm)之縫模塗布機，將此經濃度調整的銀奈米線分散塗液塗布於基材上後，在120℃乾燥2分鐘，而形成銀奈米線導電層。
(3)導電層C「CNT導電層」 (觸媒調製)
將2.459g檸檬酸銨鐵(綠色)(和光純藥工業(股)製)溶解於500mL甲醇(關東化學(股)製)中。於此溶液中，添加100g輕質氧化鎂(岩谷化學工業(股)製)，在室溫下攪拌60分鐘，從40℃至60℃一邊攪拌，一邊減壓乾燥以去除甲醇，而得到在輕質氧化鎂粉末上載持有金屬鹽的觸媒。
(CNT組成物製造)
藉由第5圖的概略圖所示之流動床縱型反應裝置來合成CNT。反應器100係內徑32mm、長度1200mm的圓筒形石英管。反應器100係在中央部具備石英燒結板101，在下部具備惰性氣體及原料氣體供給管線104，在上部具備排氣管線105及觸媒投入管線103。再者，為了可將反應器保持在任意溫度，具備環繞反應器的圓周之加熱器106。於加熱器106中，設置可確認裝置內的流動狀態之檢查口107。
取12g前述觸媒，自密閉型觸媒供給器102通過觸媒投入管線103投入，在石英燒結板101上固定觸媒108。接著，自原料氣體供給管線104，以1000mL/分鐘開始供給氬氣。於反應器內成為氬氣環境下後，將溫度加熱至850℃。
於反應器內的溫度到達850℃後，保持溫度，將原料氣體供給管線104的氬氣流量提高至2000mL/分鐘，開始石英燒結板上的觸媒108之流動化。由加熱爐檢查口107確認流動化後，在自原料氣體供給管線104所供給的氬氣中，以95mL/分鐘的流量混合甲烷。供給90分鐘的該混合 氣體後，切換至僅氬氣的流通，完成合成。
停止加熱，放置直到反應器成為室溫為止後，自反應器取出含有觸媒與CNT的CNT組成物。
於磁性皿中取23.4g上述所示之附觸媒的CNT組成物，藉由預先加熱到446℃為止的蒙孚爐(YAMATO科學(股)製FP41)，在大氣下以446℃加熱2小時後，自蒙孚爐中取出。為了去除觸媒，將加熱處理後的CNT組成物加到6N的鹽酸水溶液中，於室溫下攪拌1小時。將過濾所得之回收物再加到6N的鹽酸水溶液中，於室溫下攪拌1小時。將此過濾，數次水洗後，藉由在120℃的烘箱中乾燥過濾物一夜，可得到已去除觸媒的57.1mg CNT組成物。藉由重複上述操作，準備已去除氧化鎂及金屬的500mg CNT組成物。
將已去掉觸媒的80mg CNT組成物加到27mL濃硝酸(和光純藥工業(股)製1級Assay 60~61%)中，於130℃的油浴中邊攪拌5小時邊加熱。加熱攪拌結束後，過濾含CNT的硝酸溶液，以蒸餾水來水洗後，得到1266.4mg含有水的濕狀態之CNT組成物。
(CNT分散塗液)
於50mL的容器中，量取10mg(乾燥時換算)硝酸處理後的CNT組成物及10mg作為分散劑的羧甲基纖維素鈉(SIGMA公司製90kDa，50-200cps)，添加蒸餾水以使總量成為10g，以20W的超音波均質機輸出，費20分鐘在冰冷下分散處理。藉由高速離心分離機，以10000G將所得之液離心15分鐘，採集9mL的上清液。重複數次的此操作 ，於145mL的所得之上清液中加入5mL的乙醇，得到塗布機可塗布的CNT濃度約0.1質量%之CNT分散塗液(CNT與分散劑的摻合比1：1)。在石英玻璃上塗布及乾燥有此CNT分散塗液的CNT導電層之折射率為1.82。
(CNT導電層之形成)
使用微凹版塗布機(凹版線號150R，凹版旋轉比80%)，將前述CNT分散塗液塗布於基材上後，在100℃乾燥1分鐘，形成CNT導電層(作為在CNT塗膜的CNT集合體，短軸：10~30nm，長軸：1~5μm)。
(4)導電層D「銀奈米微粒子導電層」
藉由日本特開2001-243841號公報的實施例((2)銀奈米膠態塗布液之調製)記載之方法，得到銀奈米微粒子(短軸、長軸(粒徑)：9~15nm)分散液。接著，藉由同特開2001-243841號公報的[實施例1~8]記載之方法，塗布銀奈米微粒子分散液，形成銀奈米微粒子導電層。
(5)導電層E「銀奈米線/銀奈米微粒子混合導電層」
於藉由日本特開2001-243841號公報的實施例((2)銀奈米膠態塗布液之調製)記載之方法所得的銀奈米微粒子分散液中，混合藉由日本特表2009-505358號公報之例8(奈米線分散)記載之方法所得的銀奈米線分散塗液，以使銀奈米微粒子與銀奈米線的質量比成為銀奈米微粒子/銀奈米線=8/2，而得到銀奈米線/銀奈米微粒子混合分散液。接著，藉由同特開2001-243841號公報的[實施例1~8]揭示之方法，在基材上塗布及乾燥銀奈米線/銀奈米微粒子混合分散液，而形成銀奈米線/銀奈米微粒子導電層。
(6)導電層F「ITO(氧化銦錫)薄膜導電層」
使用組成In2O2/SnO2=90/10的銦．錫氧化物靶，在10-4Torr的真空度下，藉由基於氬氣/氧氣混合氣體導入的濺鍍法，在基材上形成厚度250nm的ITO(氧化銦錫)薄膜導電層。
[交聯層] (1)交聯層材料A
．具有苯乙烯基當作碳-碳雙鍵基的聚苯乙烯樹脂(和光純藥工業(股)製Styrene,Polymer(苯乙烯，聚合物)，固體成分濃度100質量%，交聯單元結構質量含有率=23質量%)
(2)交聯層材料B
．具有甲基丙烯醯基當作碳-碳雙鍵基的甲基丙烯酸系樹脂(綜研化學(股)製Foret GS-1000，固體成分濃度30質量%，交聯單元結構質量含有率=24質量%)
(3)交聯層材料C
．具有丙烯醯基當作碳-碳雙鍵基的丙烯酸系組成物(Matsui Chemical(股)製EXP8002UV增黏劑-B，固體成分濃度40質量%，交聯單元結構質量含有率=12質量%)
(4)交聯層材料D
．具有甲基丙烯醯基當作碳-碳雙鍵基的甲基丙烯酸系組成物(共榮社化學(股)製Light Ester TMP，固體成分濃度100質量%，交聯單元結構質量含有率=20質量%)
(5)交聯層材料E
．具有丙烯醯基當作碳-碳雙鍵基的丙烯酸系組成 物(綜研化學(股)製Fullcure HC-6，固體成分濃度51質量%，交聯單元結構質量含有率=24質量%)
(6)交聯層材料F
．具有丙烯醯基當作碳-碳雙鍵基的胺基甲酸酯丙烯酸酯系組成物(共榮社化學(股)製AT-600，固體成分濃度100質量%，交聯單元結構質量含有率=9質量%)。
(7)交聯層材料G
．具有丙烯醯基當作碳-碳雙鍵基的由下述(a)~(d)所構成的組成物(交聯單元結構質量含有率=22質量%)
(a)丙烯酸系組成物(綜研化學(股)製Fullcure HC-6，固體成分濃度51質量%)77.80質量份
(b)丙烯酸系/胺基甲酸酯丙烯酸酯系混合組成物(中國塗料(股)製Pholucid No.420C、固體成分濃度50質量%)6.29質量份
(c)添加劑B(汽巴日本(股)製Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)907)2.07質量份
(d)添加劑C(汽巴日本(股)製Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)369)2.07質量份。
(8)交聯層材料H
．具有丙烯醯基及甲基丙烯醯基當作碳-碳雙鍵基的多官能丙烯酸系/甲基丙烯酸酯系混合組成物(綜研化學(股)製Fullcure HCE-032，固體成分濃度51.4質量%，交聯單元結構質量含有率=26質量%)
(9)交聯層材料I
．具有丙烯醯基當作碳-碳雙鍵基的由下述(a)~(e) 所組成的混合組成物(藍色素添加劑的含量係相對於(a)、(b)的總固體成分量而言為0.5質量%，交聯單元結構質量含有率=22質量%)
(a)丙烯酸系組成物(綜研化學(股)製FullcureHC-6、固體成分濃度51質量%)77.80質量份
(b)丙烯酸系/胺基甲酸酯丙烯酸酯系混合組成物(中國塗料(股)製Pholucid No.420C、固體成分濃度50質量%)6.29質量份。
(c)添加劑B(汽巴日本(股)製Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)907)2.07質量份
(d)添加劑C(汽巴日本(股)製Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)369)2.07質量份
(e)蒽醌系藍色素添加劑(日本化藥(股)製Kayaset Blue A-2R)0.22質量份。
(10)交聯層材料J
．具有丙烯醯基當作碳-碳雙鍵基的由下述(a)~(d)所構成的混合組成物(滑性賦予添加劑之含量係相對於(a)的總固體成分量而言為0.3質量%，交聯單元結構質量含有率=23質量%)
(a)丙烯酸系組成物(綜研化學(股)製Fullcure HC-6，固體成分濃度51質量%)77.80質量份
(b)添加劑B(汽巴日本(股)製Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)907)1.87質量份
(c)添加劑C(汽巴日本(股)製Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)369)1.87質量份
(d)聚矽氧丙烯酸酯系滑性賦予添加劑(DAICEL科學(股)製EBECRYL1360，聚矽氧烷六丙烯酸酯，固體成分濃度100質量%)0.12質量份。
(11)交聯層材料K
．具有丙烯醯基當作碳-碳雙鍵基的由下述(a)~(d)所構成的混合組成物(滑性賦予添加劑之含量係相對於(a)的總固體成分量而言為1.0質量%，交聯單元結構質量含有率=23質量%)
(a)丙烯酸系組成物(綜研化學(股)製Fullcure HC-6、固體成分濃度51質量%)77.80質量份
(b)添加劑B(汽巴日本(股)製Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)907)1.87質量份
(c)添加劑C(汽巴日本(股)製Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)369)1.87質量份
(d)聚矽氧丙烯酸酯系滑性賦予添加劑(DAICEL科學(股)製EBECRYL 1360，聚矽氧烷六丙烯酸酯，固體成分濃度100質量%)0.40質量份。
(12)交聯層材料L
．具有丙烯醯基當作碳-碳雙鍵基的由下述(a)~(d)所構成的混合組成物(滑性賦予添加劑之含量係相對於(a)的總固體成分量而言為3.0質量%，交聯單元結構質量含有率=23質量%)
(a)丙烯酸系組成物(綜研化學(股)製Fullcure HC-6，固體成分濃度51質量%)77.80質量份
(b)添加劑B(汽巴日本(股)製Ciba(註冊商標) IRGACURE(註冊商標)907)1.87質量份
(c)添加劑C(汽巴日本(股)製Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)369)1.87質量份
(d)聚矽氧丙烯酸酯系(聚矽氧烷六丙烯酸酯)滑性賦予添加劑(DAICEL科學(股)製EBECRYL1360，固體成分濃度100質量%)1.19質量份。
(13)交聯層材料M
．不含有碳-碳雙鍵基的聚酯改性聚矽氧系(末端羥基(羥基)聚酯改性二甲基聚矽氧烷)組成物(信越化學(股)製X-22-8300，固體成分濃度25質量%，交聯單元結構質量含有率=0質量%)
(14)交聯層材料N
．具有丙烯醯基當作碳-碳雙鍵基的丙烯酸系組成物(共榮社化學(股)製Light Acrylate BP-10EA，固體成分濃度100質量%，交聯單元結構質量含有率=6質量%)
(15)交聯層材料O
．具有丙烯醯基當作碳-碳雙鍵基的丙烯酸系組成物(共榮社化學(股)製Light Acrylate PE-4A，固體成分濃度100質量%，交聯單元結構質量含有率=27質量%)
(16)交聯層材料P
．具有丙烯醯基當作碳-碳雙鍵基的由下述(a)~(e)所構成的混合組成物(藍顏料添加劑的含量係相對於(a)、(b)的總固體成分量而言為0.3質量%，交聯單元結構質量含有率=22質量%)
(a)丙烯酸系組成物(綜研化學(股)製Fullcure HC-6 ，固體成分濃度51質量%)77.80質量份
(b)丙烯酸系/胺基甲酸酯丙烯酸酯系混合組成物(中國塗料(股)製Pholucid No.420C，固體成分濃度50質量%)6.29質量份
(c)添加劑B(汽巴日本(股)製Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)907)2.07質量份
(d)添加劑C(汽巴日本(股)製Ciba(註冊商標)IRGACURE(註冊商標)369)2.07質量份
(e)藍顏料添加劑(顏料藍15：6)0.15質量份。
[去除劑]
以下顯示去除劑(含有酸的去除劑)之製法。
於容器中置入70g乙二醇(和光純藥工業(股)製)、30g N,N’-二甲基伸丙基脲(東京化成工業(股)製)及5g硝酸鈉並混合。於其中加入5g Polyquaternium-10(ISP日本製)與0.5g作為搖變劑的Thixatrol MAX(ELEMENTIS日本(股)製，聚酯醯胺衍生物)，於油浴中邊加熱至60℃邊攪拌30分鐘。
其次，自油浴移出容器，放置冷卻至室溫為止後，添加0.5g均平劑(DIC(股)製F-555)與10g對甲苯磺酸一水合物(東京化成工業(股)製，大氣壓下的沸點：103~106℃)，攪拌15分鐘。藉由薄膜過濾器(MILLIPORE(股)製Omniporemembrane PTFE，標準規格0.45μm直徑)來過濾所得之溶液，而得到去除劑。
(實施例1)
使用厚度125μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜 Lumirror(註冊商標)U48(東麗(股)製)當作基材。其次，混合、攪拌100g前述交聯層材料A、1026g苯，調製交聯層塗布液。使用裝有材質為SUS的墊片(墊片厚度50μm)之縫模塗布機，將此交聯層塗布液塗布於基材上後，在120℃乾燥2分鐘，而形成厚度950nm的交聯層。
其次，在基材之與交聯層相反之面，如前述地，形成前述導電層A。
接著，混合、攪拌296g前述保護層材料A、704g醋酸乙酯，調製保護層塗布液。使用裝有材質為SUS的墊片(墊片厚度50μm)之縫模塗布機，將此保護層塗布液塗布於前述導電層A上後，在120℃乾燥2分鐘，形成厚度950nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例2)
使用厚度125μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜Lumirror(註冊商標)U48(東麗(股)製)當作基材。其次，混合、攪拌500g前述交聯層材料B、1382g醋酸乙酯，調製交聯層塗布液。使用裝有材質為SUS的墊片(墊片厚度50μm)之縫模塗布機，將此交聯層塗布液塗布於基材上後，在120℃乾燥2分鐘，而形成厚度850nm的交聯層。
其次，在基材之與交聯層相反之面，如前述地，形成前述導電層A。
接著，混合、攪拌500g前述保護層材料A、1500g醋酸乙酯，調製保護層塗布液。使用裝有材質為SUS的墊片(墊片厚度50μm)之縫模塗布機，將此保護層塗布液塗布於前述導電層A上後，在120℃乾燥2分鐘，形成厚度 800nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例3)
使用厚度125μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜Lumirror(註冊商標)U48(東麗(股)製)當作基材。其次，混合、攪拌300g前述交聯層材料C、764g甲苯、764g甲基乙基酮，調製交聯層塗布液。使用裝有材質為SUS的墊片(墊片厚度50μm)之縫模塗布機，將此交聯層塗布液塗布於基材上，在100℃乾燥2分鐘後，照射1.2J/cm2的紫外線而使硬化，形成厚度700nm的交聯層。
其次，在基材之與交聯層相反之面，如前述地，形成前述導電層B。
接著，混合、攪拌150g前述保護層材料B、3.60g前述添加劑A、7.15g前述添加劑B、1907g醋酸乙酯，調製保護層塗布液。使用裝有材質為SUS的墊片(墊片厚度50μm)之縫模塗布機，將此保護層塗布液塗布於前述導電層B上，在120℃乾燥2分鐘後，照射1.2J/cm2的紫外線而使硬化，形成厚度450nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例4)
除了保護層塗布液的組成為150g前述保護層材料B、3.60g前述添加劑A、7.15g前述添加劑B、2288g醋酸乙酯以外，與實施例3同樣地，形成厚度380nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例5)
除了保護層塗布液的組成為150g前述保護層材料B 、3.60g前述添加劑A、7.15g前述添加劑B、2748g醋酸乙酯以外，與實施例3同樣地，形成厚度310nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例6)
除了保護層塗布液的組成為150g前述保護層材料B、3.60g前述添加劑A、7.15g前述添加劑B、3561g醋酸乙酯以外，與實施例3同樣地，形成厚度250nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例7)
除了交聯層塗布液的組成為76.5g前述交聯層材料D、3.60g前述添加劑A、7.15g前述添加劑B、990g甲苯、990g醋酸乙酯以外，與實施例6同樣地，設置厚度450nm的交聯層，得到本發明的導電積層體。
(實施例8)
除了交聯層塗布液的組成為78.4g前述交聯層材料E、1.88g前述添加劑B、1.88g前述添加劑C、1423g醋酸乙酯以外，與實施例6同樣地，設置厚度310nm的交聯層，得到本發明的導電積層體。
(實施例9)
除了交聯層塗布液的組成為40.0g前述交聯層材料F、1.88g前述添加劑B、1.88g前述添加劑C、1462g醋酸乙酯以外，與實施例6同樣地，設置厚度310nm的交聯層，得到本發明的導電積層體。
(實施例10)
除了保護層塗布液的組成為150g前述保護層材料C 、3.41g前述添加劑A、6.79g前述添加劑B、3373g醋酸乙酯以外，與實施例8同樣地，形成厚度250nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例11)
除了保護層塗布液的組成為77.80g前述保護層材料B、6.29g前述保護層材料D、2.07g前述添加劑A、2.07g前述添加劑B、1916g醋酸乙酯以外，與實施例8同樣地，形成厚度250nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例12)
除了保護層塗布液的組成為100g前述保護層材料E、3.76前述添加劑A、3470g醋酸乙酯以外，與實施例8同樣地，形成厚度250nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例13)
除了保護層塗布液的組成為120g前述保護層材料F、2.94g前述添加劑A、5.85g前述添加劑B、2913g醋酸乙酯以外，與實施例8同樣地，形成厚度250nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例14)
除了保護層塗布液的組成為117g前述保護層材料B、6.63g前述保護層材料G、3.12g前述添加劑A、6.20g前述添加劑B、3094g醋酸乙酯以外，與實施例8同樣地，形成厚度250nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例15)
除了保護層塗布液的組成為117g前述保護層材料B 、6.63g前述保護層材料H、3.12g前述添加劑A、6.20g前述添加劑B、3094g醋酸乙酯以外，與實施例8同樣地，形成厚度250nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例16)
除了保護層塗布液的組成為117g前述保護層材料B、16.58g前述保護層材料I、6.2g前述添加劑B、2954g醋酸乙酯以外，與實施例8同樣地，形成厚度250nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例17)
與實施例8同樣地，積層交聯層及導電層。其次，將藉由日本特開2001-243841號公報的實施例((2)銀奈米膠態塗布液的調製)揭示之方法所得之銀奈米微粒子分散液蒸發乾燥硬化，而得到銀奈米微粒子。
其次，混合、攪拌123.5g前述保護層材料B、3.32g前述銀奈米微粒子、3.12g前述添加劑A、6.20g前述添加劑B、3090g醋酸乙酯，調製保護層塗布液。使用裝有材質為SUS的墊片(墊片厚度50μm)之縫模塗布機，將此保護層塗布液塗布於前述導電層B上，在120℃乾燥2分鐘後，照射1.2J/cm2的紫外線而使硬化，形成厚度250nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例18)
使用厚度125μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜Lumirror(註冊商標)U48(東麗(股)製)當作基材。其次，混合、攪拌78.4g前述交聯層材料E、1.88g前述添加劑B、1.88g前述添加劑C、3566g醋酸乙酯，調製交聯層塗布 液。藉由微凹版塗布(凹版線號80R，凹版旋轉比100%)，將此交聯層塗布液塗布於基材上，在100℃乾燥2分鐘後，照射1.2J/cm2的紫外線而使硬化，形成厚度70nm的交聯層。
其次，在基材之與交聯層相反之面，如前述地，形成前述導電層C。
接著，混合、攪拌50g前述保護層材料B、1.20g前述添加劑A、2.38g前述添加劑B、2370g醋酸乙酯，調製保護層塗布液。藉由微凹版塗布(凹版線號80R，凹版旋轉比100%)，將此保護層塗布液塗布於前述導電層C上，在120℃乾燥2分鐘後，照射1.2J/cm2的紫外線而使硬化，形成厚度75nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例19)
除了保護層塗布液的組成為77.80g前述保護層材料B、6.29g前述保護層材料D、2.07g前述添加劑A、2.07g前述添加劑B、3825g醋酸乙酯以外，與實施例18同樣地，形成厚度75nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例20)
除了交聯層塗布液的組成為100g前述交聯層材料G、4752g醋酸乙酯以外，與實施例19同樣地，設置厚度70nm的交聯層，得到本發明的導電積層體。
(實施例21)
除了導電層為前述導電層E以外，與實施例8同樣地，得到本發明的導電積層體。
(實施例22)
除了保護層塗布液的組成為77.80g前述保護層材料B、6.29g前述保護層材料D、1.38g前述添加劑A、1.38g前述添加劑B、1.38g前述添加劑C、1916g醋酸乙酯以外，與實施例8同樣地，形成厚度250nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例23)
除了代替前述添加劑C，使用前述添加劑D以外，與實施例22同樣地，形成厚度250nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例24)
除了交聯層塗布液的組成為300g前述交聯層材料C、764g甲苯、764g甲基乙基酮以外，與實施例22同樣地，設置厚度700nm的交聯層，得到本發明的導電積層體。
(實施例25)
除了交聯層塗布液的組成為100g前述交聯層材料G、4267g醋酸乙酯以外，與實施例22同樣地，設置厚度130nm的交聯層，得到本發明的導電積層體。
(實施例26)
除了交聯層塗布液的組成為100g前述交聯層材料G、3596g醋酸乙酯，藉由微凹版塗布(凹版線號80R，凹版旋轉比100%)，將此交聯層塗布液塗布於基材上，在120℃乾燥2分鐘後，照射1.2J/cm2的紫外線而使硬化，形成厚度90nm的交聯層以外，與實施例22同樣地，得到本發明的導電積層體。
(實施例27)
除了保護層塗布液的組成為77.80g前述保護層材料B、6.29g前述保護層材料D、1.38g前述添加劑A、1.38g前述添加劑B、1.38g前述添加劑C、4086g醋酸乙酯以外，與實施例26同樣地，形成厚度120nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例28)
除了交聯層塗布液的組成為為77.80g前述交聯層材料H、1.88g前述添加劑B、1.88g前述添加劑C、1423g醋酸乙酯，形成厚度310nm的交聯層以外，與實施例22同樣地，得到本發明的導電積層體。
(實施例29)
除了交聯層塗布液的組成為155.6g前述交聯層材料H、3.76g前述添加劑B、3.76g前述添加劑C、1630g醋酸乙酯，設置厚度310nm的交聯層以外，與實施例22同樣地，得到本發明的導電積層體。
(實施例30)
除了交聯層塗布液的組成為233.4g前述交聯層材料H、5.64g前述添加劑B、5.64g前述添加劑C、1227g醋酸乙酯，設置厚度310nm的交聯層以外，與實施例22同樣地，得到本發明的導電積層體。
(實施例31)
除了交聯層塗布液的組成為50.0g前述交聯層材料I、2138g醋酸乙酯，設置厚度130nm的交聯層以外，與實施例22同樣地，得到本發明的導電積層體。
(實施例32)
除了交聯層塗布液的組成為100g前述交聯層材料I、1735g醋酸乙酯，設置厚度310nm的交聯層以外，與實施例22同樣地，得到本發明的導電積層體。
(實施例33)
使用厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜Lumirror(註冊商標)U48(東麗(股)製)當作基材。其次，混合、攪拌300g前述交聯層材料C、764g甲苯、764g甲基乙基酮，調製交聯層塗布液。使用裝有材質為SUS的墊片(墊片厚度50μm)之縫模塗布機，將此交聯層塗布液塗布於基材上，在100℃乾燥2分鐘後，照射1.2J/cm2的紫外線而使硬化，形成厚度700nm的交聯層。
其次，在基材之與交聯層相反之面，如前述地，形成前述導電層B。
接著，混合、攪拌77.80g前述保護層材料B、6.29g前述保護層材料D、1.38g前述添加劑A、1.38g前述添加劑B、1.38g前述添加劑C、1916g醋酸乙酯，調製保護層塗布液。使用裝有材質為SUS的墊片(墊片厚度50μm)之縫模塗布機，將此保護層塗布液塗布於前述導電層B上，在120℃乾燥2分鐘後，照射1.2J/cm2的紫外線而使硬化，形成厚度250nm的保護層，得到本發明的導電積層體。
(實施例34)
除了交聯層塗布液的組成為100g前述交聯層材料G、4267g醋酸乙酯，設置厚度130nm的交聯層以外，與實施例33同樣地，得到本發明的導電積層體。
(實施例35)
除了交聯層塗布液的組成為100g前述交聯層材料J、1734g醋酸乙酯，設置厚度310nm的交聯層以外，與實施例33同樣地，得到本發明的導電積層體。
(實施例36)
除了交聯層塗布液的組成為100g前述交聯層材料K、1740g醋酸乙酯，設置厚度310nm的交聯層以外，與實施例33同樣地，得到本發明的導電積層體。
(實施例37)
除了交聯層塗布液的組成為100g前述交聯層材料L、1755g醋酸乙酯，設置厚度310nm的交聯層以外，與實施例33同樣地，得到本發明的導電積層體。
(實施例38)
除了交聯層塗布液的組成為300g前述交聯層材料P、2190g醋酸乙酯，設置厚度700nm的交聯層以外，與實施例22同樣地，得到本發明的導電積層體。
(比較例1)
不在厚度125μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜Lumirror(註冊商標)U48(東麗(股)製)設置交聯層、導電層及保護層，進行各種評價。
(比較例2)
與實施例22同樣地形成導電層及保護層，僅不設置交聯層，而得到導電積層體。
(比較例3)
與實施例8同樣地設置交聯層及導電層，僅不設置保 護層，而得到導電積層體。
(比較例4)
與實施例18同樣地設置交聯層及導電層，僅不設置保護層，而得到導電積層體。
(比較例5)
使用厚度125μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜Lumirror(註冊商標)U48(東麗(股)製)當作基材。其次，混合、攪拌78.4g前述交聯層材料E、1.88g前述添加劑B、1.88g前述添加劑C、3566g醋酸乙酯，調製交聯層塗布液。藉由微凹版塗布(凹版線號80R，凹版旋轉比100%)，將此交聯層塗布液塗布於基材上，在120℃乾燥2分鐘後，照射1.2J/cm2的紫外線而使硬化，形成厚度70nm的交聯層。
其次，在基材之與交聯層相反之面，如前述地，形成前述導電層D。
接著，混合、攪拌150g前述保護層材料B、3.60g前述添加劑A、7.15g前述添加劑B、2748g醋酸乙酯，調製保護層塗布液。使用裝有材質為SUS的墊片(墊片厚度50μm)之縫模塗布機，將此保護層塗布液塗布於前述導電層D上，在120℃乾燥2分鐘後，照射1.2J/cm2的紫外線而使硬化，形成厚度310nm的保護層，得到導電積層體。
(比較例6)
除了導電層為前述導電層F以外，與比較例5同樣地，得到導電積層體。
(比較例7)
使用厚度125μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜Lumirror(註冊商標)U48(東麗(股)製)當作基材。其次，混合、攪拌78.4g前述交聯層材料E、1.88g前述添加劑B、1.88g前述添加劑C、6752g醋酸乙酯，調製交聯層塗布液。藉由微凹版塗布(凹版線號80R，凹版旋轉比100%)，將此交聯層塗布液塗布於基材上，在120℃乾燥2分鐘後，照射1.2J/cm2的紫外線而使硬化，形成厚度40nm的交聯層。
其次，在基材之與交聯層相反之面，如前述地，形成前述導電層B。
接著，混合、攪拌311.2g前述保護層材料B、25.16g前述保護層材料D、5.52g前述添加劑A、5.52g前述添加劑B、5.52g前述添加劑C、2152g醋酸乙酯，調製保護層塗布液。使用裝有材質為SUS的墊片(墊片厚度50μm)之縫模塗布機，將此保護層塗布液塗布於前述導電層B上，在120℃乾燥2分鐘後，照射1.2J/cm2的紫外線而使硬化，形成厚度800nm的保護層，得到導電積層體。
(比較例8)
除了交聯層塗布液的組成為784g前述交聯層材料E、18.8g前述添加劑B、18.8g前述添加劑C、3420g醋酸乙酯，設置厚度1100nm的交聯層以外，與實施例22同樣地，得到導電積層體。
(比較例9)
除了保護層塗布液的組成為77.80g前述保護層材料B、6.29g前述保護層材料D、1.38g前述添加劑A、1.38g 前述添加劑B、1.38g前述添加劑C、8260g醋酸乙酯，形成厚度60nm的保護層以外，與實施例8同樣地，得到導電積層體。
(比較例10)
除了保護層塗布液的組成為778.0g前述保護層材料B、62.9g前述保護層材料D、13.8g前述添加劑A、13.8g前述添加劑B、13.8g前述添加劑C、3672g醋酸乙酯，形成厚度1100nm的保護層以外，與實施例8同樣地，得到導電積層體。
(比較例11)
除了交聯層塗布液的組成為1000g前述交聯層材料M、1800g醋酸乙酯，使用裝有材質為SUS的墊片(墊片厚度50μm)之縫模塗布機，將此交聯層塗布液塗布於基材上，在120℃乾燥2分鐘後，形成厚度950nm的交聯層以外，與實施例22同樣地，得到導電積層體。
(比較例12)
除了交聯層塗布液的組成為153g前述交聯層材料N、7.20g前述添加劑A、14.3g前述添加劑B、892g甲苯、892g醋酸乙酯，設置厚度950nm的交聯層以外，與實施例22同樣地，得到導電積層體。
(比較例13)
除了交聯層塗布液的組成為153g前述交聯層材料O、7.20g前述添加劑A、14.3g前述添加劑B、2915g甲苯、2915g醋酸乙酯，設置厚度310nm的交聯層以外，與實施例33同樣地，得到導電積層體。
(比較例14)
除了交聯層塗布液的組成為15.3g前述交聯層材料O、0.72g前述添加劑A、1.43g前述添加劑B、1355g甲苯、1355g醋酸乙酯，藉由微凹版塗布(凹版線號80R，凹版旋轉比100%)，將此交聯層塗布液塗布於基材上，在120℃乾燥2分鐘後，照射1.2J/cm2的紫外線而使硬化，形成厚度40nm的交聯層以外，與實施例22同樣地，得到導電積層體。
於實施例的1~38的任一者中，在圖案化前後，導電積層體對熱的耐久性皆良好。又，藉由圖案化已去除導電成分的部分，係顯示良好的電絕緣性。其中，具有含有丙烯醯基當作碳-碳雙鍵基的交聯層者，與不含有丙烯醯基者(實施例1、2、7)比較下，係熱所致的霧度上升小，可得到良好的耐久性。若在交聯層中含有丙烯醯基，則即使交聯層的交聯單元結構質量含有率少(實施例3~6)，即使減薄交聯層的厚度(實施例8、25~27)，即使含有丙烯醯基以外的結構(實施例9)，即使含有含有其他成分(實施例25~27)，也熱所致的霧度上升小，可得到更良好的耐久性。又，即使在交聯層中含有抗靜電成分時(實施例28~30)、含有修正色調的添加劑(實施例31、32、38)或含有提高滑性的添加劑(實施例35~37)時，也可得到良好的耐久性。
交聯層表面的摩擦係數小而滑性良好時(實施例35~37)，係藉由調節使滑性提高的添加劑之添加量，而可減少因往復摩擦所發生的傷痕之個數。
即使變更保護層成分的組成或所含有的元素(實施例10、11)，或導電成分的種類不同(實施例1~3、18~20)，因圖案化而去除導電成分的部分，也顯示良好的電絕緣性，而且對熱的耐久性亦良好。
即使保護層的成分不為交聯結構，不含有前述特定的元素，而且保護層的平均厚度t為厚時(實施例1、2)，因圖案化而去除導電成分的部分，也顯示良好的電絕緣性，而且對熱的耐久性亦良好。即使保護層的成分含有 前述特定的元素時，當具有交聯結構，而且保護層厚度t為特定之範圍時(實施例12~17)，亦同樣地，因圖案化而去除導電成分的部分，也顯示良好的電絕緣性，而且對熱的耐久性亦良好。
當保護層的平均厚度t為相對地厚時，雖然有全光線穿透率相對地變低之情況(實施例1~4、21)，但在作為導電積層體的實用水準中，為能充分耐得住的水準。又，當保護層的平均厚度t為相對地薄時，雖然對熱的耐久性有相對地降低之情況(實施例18~20)，但在作為導電積層體的實用水準中，為能充分耐得住的水準。
再者，混合使保護層交聯時，極大吸收波長的值之差異為特定範圍的光引發劑(實施例22、24)，與不混合該光引發劑的情況(實施例6、8)或混合使極大吸收波長的值之差異為特定範圍外的光引發劑之情況(實施例23)比較下，係提高對去除劑的耐性與對熱的耐久性。
當為更含有非線狀結構體成分當作導電成分的導電層時(實施例21)，與不含有非線狀結構體成分時(實施例8)比較下，由於非線狀結構體成分密集地存在，故全光線穿透率相對地變低，而且於去除導電成分時，保護層變容易被侵蝕，或對去除劑的耐性相對地變低。
當基材的厚度相對地薄時(實施例33、34)，與基材的厚度厚時(實施例24、25)比較下，全光線穿透率變高。
未設置導電層時，表面電阻值過大而無法測定，無法使用作為導電積層體(比較例1)。
未設置交聯層時(比較例2)，或即使設置交聯層也厚 度比特定範圍薄時，(比較例7)，對熱的耐久性差。又，即使交聯層的厚度為充分，當交聯層不含有來自碳-碳雙鍵基的結構時(比較例11)，或交聯層中來自碳-碳雙鍵基的結構之質量含有率比特定範圍小時(比較例12)，也對熱的耐久性差。相反地，當來自碳-碳雙鍵基的結構之質量含有率比特定範圍大時(比較例13)，或交聯層厚度比特定範圍還厚時(比較例8)，可知由於導電積層體的捲曲或平面性不良，而發生表面電阻值極端變高的異常。於來自碳-碳雙鍵基的結構之質量含有率比特定範圍大的情況中，將交聯層減薄直到可避免導電積層體的捲曲或平面性不良時(比較例14)，結果為交聯層的厚度變比特定範圍還薄，成為對熱的耐久性差者。
未設置保護層時(比較例3、4)，為不含有線狀結構體當作導電成分之導電層時(比較例5、6)，及保護層的平均厚度t比特定範圍薄時(比較例9)，其因圖案化而去除導電成分的部分，皆對熱的耐久性不足。
保護層的平均厚度t比特定範圍極端地厚時(比較例10)，表面電阻值過大而無法測定，無法使用作為導電積層體。又，因保護層過厚，不僅保護層、連導電成分也未被去除，故無法藉由化學蝕刻來形成圖案化。
[產業上之可利用性]
本發明的導電積層體係對形成觸控面板等所使用的電極構件時之加工步驟的熱，具有良好的耐久性。又，本發明的導電積層體亦可使用於液晶顯示器、有機電致發光、電子紙等的顯示器關聯及太陽電池模組等之電極 構件。
1‧‧‧基材
2‧‧‧導電層
3‧‧‧保護層
4‧‧‧交聯層
5‧‧‧自與積層面呈垂直的方向所觀察的導電面
6‧‧‧單一的纖維狀導電體(線狀結構體之一例)
7‧‧‧纖維狀導電體的集合體(線狀結構體之一例)
8‧‧‧金屬或金屬氧化物的奈米線(線狀結構體之一例)
9‧‧‧如鬚晶的針狀導電體(線狀結構體之一例)
10‧‧‧導電性薄膜
11‧‧‧纖維狀導電體之重疊所形成的接點
12‧‧‧金屬或金屬氧化物的奈米線之重疊所形成的接點
13‧‧‧如鬚晶的針狀導電體之重疊所形成的接點
14‧‧‧導電層及保護層經圖案化之導電積層體
15‧‧‧導電層及保護層經圖案化之導電積層體的基材
16‧‧‧經圖案化的導電層
17‧‧‧經圖案化的保護層
18‧‧‧交聯層
19‧‧‧接著劑或黏著劑等的接合層
20‧‧‧觸控面板的畫面側之基材
21‧‧‧在觸控面板的畫面側之基材上所積層的硬塗層
22‧‧‧保護層表面
23‧‧‧線狀結構體不存在的部分之保護層厚度t1
24‧‧‧線狀結構體存在的部分之保護層厚度t2(單一線狀結構體之情況)
25‧‧‧線狀結構體存在的部分之保護層厚度t2(由線狀結構體所構成的集合體之情況)
26‧‧‧形成集合體之單一線狀結構體
27‧‧‧由線狀結構體所構成的集合體
28‧‧‧基材
100‧‧‧反應器
101‧‧‧石英燒結板
102‧‧‧密閉型觸媒供給機
103‧‧‧觸媒投入管線
104‧‧‧原料氣體供給管線
105‧‧‧排氣管線
106‧‧‧加熱器
107‧‧‧檢查口
108‧‧‧觸媒
第1圖係本發明的導電積層體之截面模型圖之一例。
第2圖係本發明的導電積層體之自導電層側所觀察的線狀結構體之模型圖之一例。
第3圖係顯示本發明的一形態之觸控面板的一例之模型圖。
第4圖係本發明的線狀結構體附近的截面模型圖之一例。
第5圖係流動床縱型反應裝置之概略圖。
1‧‧‧基材
2‧‧‧導電層
3‧‧‧保護層
4‧‧‧交聯層

Claims (8)

  1. 一種導電積層體，其係在基材的一面上積層有交聯層，在基材的另一面上積層有導電層與保護層之導電積層體，其滿足下述(i)~(iv)：(i)該交聯層係由交聯高分子所構成，該交聯高分子含有在結構內具有2個以上的有助於聚合反應之碳-碳雙鍵基的化合物所聚合反應的結構，且相對於該交聯層的全部質量而言，來自該碳-碳雙鍵基的結構之碳-碳雙鍵基的單元結構部分之質量含有率為9~26質量%；(ii)該交聯層的厚度為50nm~1μm；(iii)該導電層含有具有由線狀結構體所構成的網狀結構之導電成分；(iv)該保護層的平均厚度t為70nm~1μm。
  2. 如申請專利範圍第1項之導電積層體，其中該交聯層係由作為該碳-碳雙鍵基所聚合反應的結構，含有丙烯醯基所聚合反應的結構之交聯高分子所構成。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之導電積層體，其中該交聯層側與該保護層側之間的根據JIS C2151(2006)之靜摩擦係數為0.75以下，且根據JIS C2151(2006)之動摩擦係數為0.65以下。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之導電積層體，其中該交聯層面及該保護層面中的任一者，當以根據JIS L0849(2004)的方法，藉由試驗用所附的白布棉(細棉布3號)往復摩擦50次時，與摩擦方向呈平行的方向中所發生的傷痕之數目，在2cm四方形內為10個以下。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之導電積層體，其中於自該交聯層側將C光源的光入射時，根據JIS Z8729(2004)的L ＊ a ＊ b ＊表示色系中之穿透光色調b ＊為1.5以下。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之導電積層體，其中該交聯層側的表面電阻值為1×1013Ω/□以下。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之導電積層體，其中該基材的厚度為100μm以下。
  8. 一種觸控面板，其使用如申請專利範圍第1至7項中任一項之導電積層體。
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