CN102637103B - 触摸屏导电层及其制作工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种触摸屏导电层及其制作工艺，该触摸屏导电层包括纳米级银丝及填充料，纳米级银丝占导电层的97.5％至99.5％，填充料占导电层的0.5％至2.5％；纳米级银丝的线径为5纳米至30纳米，线长为10纳米至40纳米。本发明的生产成本低，产品质量好。

Description

触摸屏导电层及其制作工艺
技术领域
本发明涉及一种触摸屏导电层及其制作工艺。
背景技术
目前，市场普遍使用的一种电容触摸屏是由钢化玻璃、光学胶及ITO导电薄膜构成，其特性是不易破损、容易加工、产品成本较低、良品率高、厚度薄、透光度高达89％的-种高透光度电容触摸屏，但现有的触摸屏存在如下缺陷：
1、采用这种ITO薄膜很难做成大尺寸的触摸屏；
2、ITO导电薄膜是以树脂作为基材涂上ITO，ITO是在氧化铟(In2O3)中添加氧化锡(SnO2)而形成的化合物，英文名称为Indium Tin Oxide，而这种化合物中的铟和锡均属于稀有金属，其开发成本及生产成本均较高；
3、ITO薄膜外观偏黄，影响产品的视觉美观。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种触摸屏导电层及其制作工艺，本发明的生产成本低，产品质量好。
其技术方案如下。
一种触摸屏导电层，包括纳米级银丝及填充料，纳米级银丝占导电层的97.5％至99.5％，填充料占导电层的0.5％至2.5％；纳米级银丝的线径为5纳米至30纳米，线长为10纳米至40纳米。
下面对本发明进一步技术方案进行说明。
所述纳米级银丝的线径为10纳米至20纳米，线长为20纳米至30纳米。
一种触摸屏导电层制作工艺，制作溶剂，并将纳米级银丝及填充料搅拌入溶剂中形成导电混合物，使纳米级银丝的线径为10纳米至20纳米，线长为20纳米至30纳米；将导电混合物涂覆于基板上，并以90至110度的温度进行干燥，再涂覆表面层，并进行干燥。
涂覆所述表面层后，通过紫外光源的方式进行干燥。
所述溶剂包括98％至99.5％的纯水，其余为0.2％至0.5％的乙酸乙酯和0.5％至2％的乙醇。
所述填充料为聚氨酯或丙烯酸树脂。
下面对本发明的优点或原理进行说明：
1、采用纳米级银丝形成的触摸屏导电层，由于减少了稀土材料的应用，降低了研发成本及生产成本，使得所生产的触摸屏具有极强的市场竞争力；
2、采用纳米级银丝作为导电层，可以通过印刷技术，以建立面向大尺寸面板的大规模生产体制；
3、采用纳米级银丝作为导电层，其透光性更好，产品更美观。
具体实施方式
下面对本发明的实施例进行详细说明。
一种触摸屏导电层，包括纳米级银丝及填充料，纳米级银丝占导电层的97.5％至99.5％，填充料占导电层的0.5％至2.5％；纳米级银丝的线径为5纳米至30纳米，线长为10纳米至40纳米。
进一步，所述纳米级银丝的线径为10纳米至20纳米，线长为20纳米至30纳米。
本实施例中，触摸屏导电层制作工艺为：
首先采用roll to roll wet coating(卷对卷湿式涂布工艺，也叫“slotdie coating狭缝型挤压式涂布方式)涂布纳米银导电油墨，再以100度温度干燥，接着以相同的方式涂布覆盖层油墨，以UV紫外光源干燥。具体如下：
制作溶剂，并将纳米级银丝及填充料搅拌入溶剂中形成导电混合物，使纳米级银丝的线径为10纳米至20纳米，线长为20纳米至30纳米；将导电混合物涂覆于基板上，并以90至110度的温度进行干燥，再涂覆表面层，并通过紫外光源的方式进行干燥。
所述溶剂包括98％至99.5％的纯水，其余为0.2％至0.5％的乙酸乙酯和0.5％至2％的乙醇。
所述填充料为聚氨酯或丙烯酸树脂。
本实施例具有如下优点：
1、采用纳米级银丝形成的触摸屏导电层，由于减少了稀土材料的应用，降低了研发成本及生产成本，使得所生产的触摸屏具有极强的市场竞争力；
2、采用纳米级银丝作为导电层，可以通过印刷技术，以建立面向大尺寸面板的大规模生产体制；
3、采用纳米级银丝作为导电层，其透光性更好，产品更美观。
以上仅为本发明的具体实施例，并不以此限定本发明的保护范围；在不违反本发明构思的基础上所作的任何替换与改进，均属本发明的保护范围。

Claims (1)

1.一种触摸屏导电层制作工艺，其特征在于，制作溶剂，并将纳米级银丝及填充料搅拌入溶剂中形成导电混合物，使纳米级银丝的线径为10纳米至20纳米，线长为20纳米至30纳米；将导电混合物涂覆于基板上，并以90至110度的温度进行干燥，再涂覆表面层，并进行干燥；涂覆所述表面层后，通过紫外光源的方式进行干燥；所述溶剂包括98％至99.5％的纯水，其余为0.2％至0.5％的乙酸乙酯和0.5％至2％的乙醇；所述填充料为聚氨酯或丙烯酸树脂。
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