CN113808781B - 一种薄膜电极及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种薄膜电极，包括基层；所述基层表面设有电极层，该电极层分为导电区域和绝缘区域；所述电极层内分布有纳米金属线，所述纳米金属线表面包覆有绝缘胶；其中，在所述导电区域对应的电极层内，所述纳米金属线之间的空隙中还填充有掺杂有金属离子纳米硅氧化物。本发明还提供了一种所述的薄膜电极的制备方法及其应用。本发明提供薄膜电极工艺简单，成本低，导电图案消影效果好。本发明提供的薄膜电极的制备方法简单，生产效率高，成品率高。本发明提供的薄膜电极中的导电区域与非导电区域的外观几乎无差别，将其应用于触控屏和显示屏中，消影效果好、抗老化性能好，b值低，可提高显示屏的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及一种纳米金属线的薄膜电极及其制备方法和应用，属于薄膜电极领域。
背景技术
透明导电膜（transparent conductive film，简称TCF），又称透明电极，其广泛应用于触摸屏、太阳能电池、液晶手写板、电子窗帘、加热膜、LED显示等领域。目前市场上所制备的金属线导电透明电极，大多通过先制备完整的导电透明薄膜，然后通过激光蚀刻或黄光蚀刻的工艺来去除不需导电的区域，从而在导电金属线透明薄膜上留下导电线路图案。上述工艺不仅设备昂贵，而且产品良率低，生产效率，同时制备得到的透明电极上的线路图案之间的消影效果差。
发明内容
本发明的第一个目的在于提供一种消影效果好，生产成本低，生产效率高的纳米金属线薄膜电极。
本发明的第二个目的在于提供一种所述纳米金属线薄膜电极的制备方法。
本发明的第三个目的在于提供一种所述纳米金属线薄膜电极的应用。
为实现上述目的，本发明采用以下技术手段：
一种薄膜电极，包括基层；所述基层表面设有电极层，该电极层分为导电区域和绝缘区域，且所述导电区域按照预设线路分布；所述电极层内分布有纳米金属线，所述纳米金属线表面包覆有绝缘胶；所述电极层内分布有纳米金属线，所述纳米金属线表面包覆有绝缘胶；其中，在所述导电区域对应的电极层内，所述纳米金属线之间的空隙中还填充有纳米硅氧化物颗粒Ⅱ，所述纳米硅氧化物颗粒Ⅱ中掺杂有金属离子；
纳米硅氧化物颗粒Ⅱ的制备方法为于有机溶剂中将硅的化合物水解，得到硅溶胶Ⅱ，向硅溶胶Ⅱ中掺杂金属离子并于150-300℃老化后得到导电墨水，将导电墨水于大于120℃的温度下烘烤即得；
纳米硅氧化物颗粒Ⅱ的制备方法中，所述硅的化合物包括含硅的有机化合物或含硅的无机化合物；所述含硅的有机化合物包括正硅酸乙酯或硅烷偶联剂；所述含硅的无机化合物包括水玻璃或硅酸。
优选的，所述基层包括柔性基层或刚性基层；
优选的，所述柔性基层的材质包括PET、PEN或PI；
优选的，所述刚性基层的材质包括玻璃、PMMA或石英板；
优选的，所述纳米金属线包括纳米银线、纳米铜线或纳米金线；
优选的，所述金属离子包括钠离子、镁离子、钾离子、铝离子、铁离子、铜离子、银离子、金离子或铂离子。
优选的，所述绝缘胶包括高分子聚合物；
优选的，所述高分子聚合物中分散有纳米硅氧化物颗粒Ⅰ和/或纳米金属氧化物颗粒。纳米硅氧化物颗粒Ⅰ的制备方法为于有机溶剂中将硅的化合物水解，得到硅溶胶Ⅰ，将硅溶胶Ⅰ中于大于120℃的温度下烘烤即得；
纳米硅氧化物颗粒Ⅰ的制备方法中，所述硅的化合物包括含硅的有机化合物或含硅的无机化合物；所述含硅的有机化合物包括正硅酸乙酯或硅烷偶联剂；所述含硅的无机化合物包括水玻璃或硅酸。
优选的，所述高分子聚合物包括聚酰亚胺、聚苯并恶嗪、聚酯、聚硅氧烷或聚酰胺；
优选的，所述纳米金属氧化物颗粒包括氧化钛、氧化铝、氧化锌、氧化锡、氧化锑或氧化锆中的一种或多种。
优选的，所述电极层表面还设有保护层；
优选的，所述保护层的材质包括硅胶、UV胶、环氧树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂或聚酯树脂。
一种薄膜电极的制备方法，包括如下步骤：
S1 于有机溶剂中将高分子聚合物溶解，加入硅溶胶Ⅰ和/或纳米金属氧化物后干燥，得到纳米绝缘胶；将纳米金属线与所述纳米绝缘胶于有机溶剂中混合，得到纳米金属线墨水；
S2向硅溶胶Ⅱ中掺杂钠离子、镁离子、钾离子、铝离子、铁离子、铜离子、银离子、金离子或铂离子，并于150℃-300℃老化，得到导电墨水；
S3 于所述基层表面铺设所述纳米金属线墨水；
S4 于基层表面预设的导电线路上铺设所述导电墨水，使导电墨水浸润所述纳米金属线墨水；
S5 将所述基层烘烤固化，并铺设保护层即得所述薄膜电极；
其中，步骤S1、S2的顺序可调换。
优选的，所述有机溶剂包括液态的醇、醚、酯、酮、烃或芳香族化合物中的至少一种。
优选的，所述硅的化合物包括含硅的有机化合物或含硅的无机化合物；
优选的，所述含硅的有机化合物包括正硅酸乙酯或硅烷偶联剂；
优选的，所述含硅的无机化合物包括水玻璃或硅酸。
优选的，所述铺设的方法包括挤压涂布、刮涂、丝印、喷涂或喷墨打印；
优选的，所述步骤S1中干燥的温度不超过60℃；
优选的，所述步骤S5中烘烤固化的温度为120-170℃。
一种薄膜电极的应用，作为触摸屏、太阳能电池、液晶手写板、电子窗帘、加热膜或LED显示屏的电极。
与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
1、本发明提供的薄膜电极可通过丝印或喷墨打印的工艺来直接实现导电线路图案，相比普通工艺省去了激光蚀刻或黄光蚀刻的工序，工艺更简便，效率更高，成本更低，并且制成的线路图案消影效果好。
2、本发明提供的薄膜电极的制备方法简单，生产效率高，成品率高。
3、本发明提供的薄膜电极中的导电区域与非导电区域的外观几乎无差别，将其作为电极应用用于触控屏和显示屏中，消影效果好、抗老化性能好，b值低，可明显提高触控屏和显示屏的显示效果。
附图说明
图1为实施例1制备得到的薄膜电极的实物照片；
图2为市售的通过激光蚀刻工艺制备得到的薄膜电极的实物照片。
具体实施方式
本发明提供了一种薄膜电极，其可由基层、电极层和保护层构成。具体的，所述基层可以是柔性基层也可以是刚性基层。所述柔性基层的材质可以为PET、PEN或PI，当然也可以选择其他化学性质稳定的柔性基层。所述刚性基层的材质可以是玻璃、PMMA或石英板当然也可以选择其他化学性质稳定的刚性基层。所述基层表面设有电极层，所述电极层的制备方法如下：首先分别配制纳米金属线墨水和导电墨水。然后将纳米金属线墨水铺设在基层表面形成一层不导电的电极层，然后在预设的、需要导电的电极层的部位铺设导电墨水，最后烘烤，使绝缘胶逐步完全固化，纳米金属线与纳米金属线之间的搭接也完全固化，从而得到电极层。铺设的方法包括但不限于挤压涂布、喷涂等方法。
具体的，硅溶胶Ⅰ和硅溶胶Ⅱ的制备方法为于有机溶剂中将硅的化合物水解，即得。所述纳米金属线墨水的制备方法如下：向高分子聚合物溶液中加入所述硅溶胶Ⅰ和/或纳米金属氧化物后低温干燥，得到纳米绝缘胶。由于采用低温烘干，所述纳米绝缘胶内存在溶剂残留。然后将纳米金属线、溶剂、纳米绝缘胶混合，得到所述纳米金属线墨水。由于氢键的作用，所述纳米绝缘胶会自发地包覆在所述纳米金属线表面。高分子聚合物和纳米金属氧化物都可以起到绝缘的作用，两者可以一起加，也可以只加一种。
具体的，所述导电墨水的制备方法如下：将硅的化合物水解得到硅溶胶Ⅱ，然后向硅溶胶Ⅱ中参杂钠离子、镁离子、钾离子、铝离子、铁离子、铜离子、银离子、金离子或铂离子，并于150℃-300℃老化，得到导电墨水。
需要进一步说明的是，将纳米金属线墨水通过挤压涂布、喷涂等方式均匀分布在基材上，在常温或低温（一般不超过60℃）干燥后由于纳米金属线表面包覆有绝缘胶，纳米金属线搭接疏松，线与线之间由绝缘胶包裹隔开。由于金属线与金属线之间被绝缘胶包裹，整个膜层宏观上不导电，此时，电极层为一层绝缘层。由于绝缘胶为常温或低温干燥形成，此时的绝缘胶中仍还含有许多未挥发干净的有机溶剂，这使得一方面由绝缘胶包裹的纳米金属线搭接缝隙并未完全固化；另一方面，这些搭接缝隙的存在为具有低表面张力的导电墨水的侵入提供了条件。当向电极层预设的需导电的导电区域铺上金属掺杂硅溶胶导电墨水时，其中硅溶胶会侵入而游离到纳米金属线的搭接缝隙之间，这些掺杂的金属离子可自由移动，这使纳米金属线之间电子的传递更为方便；在高温烘烤（一般大于120℃）过程中，导电墨水中的硅溶胶会发生缩合反应，形成硅氧化物，此过程在一定程度上会拉紧还未完全固化的纳米金属线之间缝隙间距；而且纳米级别的硅氧化物粒子尺寸对纳米金属线之间的电子传播具有很好的隧道效应，为纳米金属线之间的电子传递提供了途径。当铺上导电墨水后，纳米金属线之间的接触电阻将极大降低，从而实现电极层的预设的导电区域由不导电转换为到导电且电阻很低的转变。
作为优选的方案，所述电极层表面还设有保护层；具体的，所述保护层的材质可以选自硅胶、UV胶、环氧树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂或聚酯树脂。所述保护层用于保护所述电极层，使所电极层保持在一个相对稳定的状态。当然也可以选择其他具有保护所述电极层功能的材料。
本发明提供的所述薄膜电极的方法中，首先应配制绝缘胶。所述绝缘胶的制备过程如下：向高分子聚合物的水溶液中加入硅溶胶Ⅰ和/或金属氧化物低温下烘干即得。具体的，所述硅溶胶Ⅰ与高分子聚合物的质量比为1：200-300；或者高分子聚合物与金属氧化物质量比为200-300：20-25；或者所述硅溶胶Ⅰ、高分子聚合物与金属氧化物质量比为1：200-300：20-25。然后将所述纳米金属线、有机溶剂和纳米绝缘胶混合，即得所述纳米金属墨水，其中所述纳米金属线、有机溶剂和纳米绝缘胶的质量比为：1：100-200：5-25。所述有机溶剂包括液态的醇、醚、酯、酮、烃或芳香族化合物中的至少一种。优选为丁醇。可水解得到硅溶胶的物质可以选正硅酸乙酯，也可以选水玻璃。当然也可选其他硅的化合物。所述有机高分子聚合物可以选聚酰亚胺、聚苯并恶嗪、聚酯、聚硅氧烷或聚酰胺。所述纳米金属氧化物颗粒可以选择氧化钛、氧化铝、氧化锌、氧化锡、氧化锑或氧化锆中的一种或多种。优选为氧化钛。然后配制导电墨水。具体的，将硅的化合物水解得到硅溶胶Ⅱ，然后在在硅溶胶Ⅱ中参杂金属化合物，待两者混合后再150℃-300℃老化4-48h，室温冷却后静置24h以上即可使用。其中硅的化合物、水、金属化合物和溶剂的质量比1：0.5-100：1-10：100-1000；其中硅的化合物包括水玻璃、硅酸、硅酸酯、硅烷偶联剂等中的一种或两种以上；所述金属化合物包括钠、镁、钾、铝、铁、铜、银、金、铂等金属的盐中的一种或两种以上；溶剂包括醇类、醚类、酯类、酮类、烃类、芳香族等中的一种或两种以上。然后在预设的、需要导电的电极层的部位铺设导电墨水，最后烘烤，使绝缘胶逐步完全固化，得到所述薄膜电极。硅溶胶Ⅰ和硅溶胶Ⅱ的制备方法为于有机溶剂中将硅的化合物水解，即得。
本发明提供的薄膜电极，由于消影效果好，可作为触摸屏、太阳能电池、液晶手写板、电子窗帘、加热膜或LED显示屏的电极。
以下结合具体实施方式对本发明进行进一步说明。
实施例1
于乙醇中将正硅酸乙酯水解，即得硅溶胶。将硅溶胶分成两份，其中用于制备绝缘胶的为硅溶胶Ⅰ，一份用于掺杂金属离子的为硅溶胶Ⅱ。
S1乙醇中将聚酰亚胺溶解，加入所述硅溶胶Ⅰ于50℃干燥，得到纳米绝缘胶；其中，硅溶胶Ⅰ和聚酰亚胺的质量比为1：200。将纳米金属银线与所述纳米绝缘胶于丁醇中混合，得到纳米金属线墨水。纳米金属银线、丁醇和绝缘胶的质量比为1：100：5。
S2 于水中将正硅酸乙酯水解得到硅溶胶Ⅱ，然后向硅溶胶Ⅱ中参杂氯化钠，并于180℃老化8h，得到导电墨水；其中，正硅酸乙酯、水、氯化钠和丁醇的质量比1：5：1：200。
S3 采用喷涂法于所述基层表面铺设所述纳米金属线墨水；
S4 于基层表面预设的导电线路上丝印所述导电墨水，使导电墨水浸润所述纳米金属线墨水；
S5 将所述基层于140℃烘烤固化，并铺设硅胶即得所述薄膜电极；
其中，步骤S1、S2的顺序可调换。
实施例2
于乙醇中将正硅酸乙酯水解，即得硅溶胶。将硅溶胶分成两份，其中用于制备绝缘胶的为硅溶胶Ⅰ，一份用于掺杂金属离子的为硅溶胶Ⅱ。
S1乙醇中将聚苯并恶嗪溶解，加入所述硅溶胶Ⅰ于50℃干燥，得到纳米绝缘胶；其中，硅溶胶Ⅰ和聚酰亚胺的质量比为1：250。将纳米金属金线与所述纳米绝缘胶于丁醇中混合，得到纳米金属线墨水。纳米金属银线、丁醇和绝缘胶的质量比为1：150：8。
S2 于水中将正硅酸乙酯水解得到硅溶胶Ⅱ，然后向硅溶胶Ⅱ中参杂氯化铝，并于180℃老化12h，得到导电墨水；其中，正硅酸乙酯、水、氯化铝和丁醇的质量比1：20：5：400。
S3 采用喷涂法于所述基层表面铺设所述纳米金属线墨水；
S4 于基层表面预设的导电线路上丝印所述导电墨水，使导电墨水浸润所述纳米金属线墨水；
S5 将所述基层于150℃烘烤固化，并铺设环氧树脂即得所述薄膜电极；
其中，步骤S1、S2的顺序可调换。
实施例3
于乙醇中将正硅酸乙酯水解，即得硅溶胶。将硅溶胶分成两份，其中用于制备绝缘胶的为硅溶胶Ⅰ，一份用于掺杂金属离子的为硅溶胶Ⅱ。
S1乙醇中将聚硅氧烷溶解，加入所述硅溶胶Ⅰ于50℃干燥，得到纳米绝缘胶；其中，硅溶胶Ⅰ和聚酰亚胺的质量比为1：300。将纳米金属铜线与所述纳米绝缘胶于丁醇中混合，得到纳米金属线墨水。纳米金属银线、丁醇和绝缘胶的质量比为1：200：20。
S2 于水中将正硅酸乙酯水解得到硅溶胶Ⅱ，然后向硅溶胶Ⅱ中参杂氯化铜，并于180℃老化20h，得到导电墨水；其中，正硅酸乙酯、水、氯化铜和丁醇的质量比1：5：1：200。
S3 采用喷涂法于所述基层表面铺设所述纳米金属线墨水；
S4 于基层表面预设的导电线路上丝印所述导电墨水，使导电墨水浸润所述纳米金属线墨水；
S5 将所述基层于160℃烘烤固化，并铺设聚氨酯树脂即得所述薄膜电极；
其中，步骤S1、S2的顺序可调换。
以下为实施例1-3所制备得到的薄膜电极的性能测试结果。测试过程中采用的市售产品为通过激光蚀刻工艺制备得到的薄膜电极。
老化性能测试结果：
测试条件：于温度85℃，湿度85%的环境下持续通电500h，测试线阻的变化率。
表1实施例1-3所制备得到的薄膜电极的线阻的变化率
由于线阻升高越多，耐高温高湿性能越差。由上表1可知，实施例1-3制备得到的薄膜电极的抗老化性能明显优于市售产品。
氙灯测试结果：
测试条件：1.1W/m2 @420nm ，50W@300-400nm，环境温度45℃，黑板温度60℃，湿度50%，测试时间500H，测试线阻的变化率以及表观变化
表2实施例1-3所制备得到的薄膜电极的线阻的b值
| 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 市售产品 | |
| 250h | 0.8% | 0.9% | 0.8% | 2.1% |
| 500h | 1.5% | 1.6% | 1.4% | 4.5% |
| b值（500h） | 20.5% | 18.1% | 21.3% | 50.6% |
由于b值越高，膜材黄度越黄，受光照的影响越大。从上表2中可知，实施例1-3制备得到的薄膜电极的颜色明显优于市售产品。
图1为实施例1制备得到的薄膜电极的实物照片；图2为市售的通过激光蚀刻工艺制备得到的薄膜电极的实物照片。从图1和图2中也可以看出，实施例1制备得到的薄膜电极消影效果良好，而市售的薄膜电极消影效果较差。
实施例4
于乙醇中将正硅酸乙酯水解，即得硅溶胶。将硅溶胶分成两份，其中用于制备绝缘胶的为硅溶胶Ⅰ，一份用于掺杂金属离子的为硅溶胶Ⅱ。
S1乙醇中将聚硅氧烷溶解，加入纳米氧化锌后于50℃干燥，得到纳米绝缘胶；其中纳米氧化锌和聚硅氧烷的质量比为200：25。将纳米金属铜线与所述纳米绝缘胶于丁醇中混合，得到纳米金属线墨水。纳米金属银线、丁醇和绝缘胶的质量比为1：200：25。
S2 于水中将正硅酸乙酯水解得到硅溶胶Ⅱ，然后向硅溶胶Ⅱ中参杂氯化铜，并于180℃老化48h，得到导电墨水；其中，正硅酸乙酯、水、氯化铜和丁醇的质量比1：5：1：200。
S3 采用喷墨打印于所述基层表面铺设所述纳米金属线墨水；
S4 于基层表面预设的导电线路上喷墨打印所述导电墨水，使导电墨水浸润所述纳米金属线墨水；
S5 将所述基层于160℃烘烤固化，并铺设聚氨酯树脂即得所述薄膜电极；
其中，步骤S1、S2的顺序可调换。
实施例5
于乙醇中将正硅酸乙酯水解，即得硅溶胶。将硅溶胶分成两份，其中用于制备绝缘胶的为硅溶胶Ⅰ，一份用于掺杂金属离子的为硅溶胶Ⅱ。
S1乙醇中将聚硅氧烷溶解，加入纳米氧化锡于50℃干燥，得到纳米绝缘胶；其中，纳米氧化锡和聚硅氧烷的质量比为300：25。将纳米金属铜线与所述纳米绝缘胶于丁醇中混合，得到纳米金属线墨水。纳米金属银线、丁醇和绝缘胶的质量比为1：200：20。
S2 于水中将正硅酸乙酯水解得到硅溶胶Ⅱ，然后向硅溶胶Ⅱ中参杂氯化铜，并于180℃老化20h，得到导电墨水；其中，正硅酸乙酯、水、氯化铜和丁醇的质量比1：100：10：1000。
S3 采用丝印于所述基层表面铺设所述纳米金属线墨水；
S4 然后于基层表面预设的导电线路上丝印所述导电墨水；，使导电墨水浸润所述纳米金属线墨水；
S5 将所述基层于160℃烘烤固化，并铺设聚氨酯树脂即得所述薄膜电极；
其中，步骤S1、S2的顺序可调换。
实施例6
于乙醇中将正硅酸乙酯水解，即得硅溶胶。将硅溶胶分成两份，其中用于制备绝缘胶的为硅溶胶Ⅰ，一份用于掺杂金属离子的为硅溶胶Ⅱ。
S1乙醇中将聚酰胺溶解，加入纳米氧化钛和硅溶胶Ⅰ于50℃干燥，得到纳米绝缘胶；其中，硅溶胶Ⅰ、纳米氧化锡和聚酰胺的质量比为1：200：20。将纳米金属银线与所述纳米绝缘胶于丁醇中混合，得到纳米金属线墨水。纳米金属银线、丁醇和绝缘胶的质量比为1：100：5。
S2 于水中将正硅酸乙酯水解得到硅溶胶Ⅱ，然后向硅溶胶Ⅱ中参杂氯化钾，并于180℃老化8h，得到导电墨水；其中，正硅酸乙酯、水、氯化钾和丁醇的质量比1：5：1：200。
S3 采用喷涂法于所述基层表面铺设所述纳米金属线墨水；
S4 于基层表面预设的导电线路上丝印所述导电墨水，使导电墨水浸润所述纳米金属线墨水；
S5 将所述基层于140℃烘烤固化，并铺设硅胶即得所述薄膜电极；
其中，步骤S1、S2的顺序可调换。
综上所述，以上仅为本发明的较佳实施例，然而并非用以限制本发明。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种薄膜电极，其特征在于：
包括基层；
所述基层表面设有电极层，该电极层分为导电区域和绝缘区域，且所述导电区域按照预设线路分布；
所述电极层内分布有纳米金属线，所述纳米金属线表面包覆有绝缘胶；其中，在所述导电区域对应的电极层内，所述纳米金属线之间的空隙中还填充有纳米硅氧化物颗粒Ⅱ，所述纳米硅氧化物颗粒Ⅱ中掺杂有金属离子；
纳米硅氧化物颗粒Ⅱ的制备方法为于有机溶剂中将硅的化合物水解，得到硅溶胶Ⅱ，向硅溶胶Ⅱ中掺杂金属离子并于150-300℃老化后得到导电墨水，将导电墨水于大于120℃的温度下烘烤即得；
纳米硅氧化物颗粒Ⅱ的制备方法中，所述硅的化合物包括含硅的有机化合物或含硅的无机化合物；所述含硅的有机化合物包括正硅酸乙酯或硅烷偶联剂；所述含硅的无机化合物包括水玻璃或硅酸。
2.如权利要求1所述的薄膜电极，其特征在于：
所述基层包括柔性基层或刚性基层；
所述柔性基层的材质包括PET、PEN或PI；
所述刚性基层的材质包括玻璃、PMMA或石英板；
所述纳米金属线包括纳米银线、纳米铜线或纳米金线；
所述金属离子包括钠离子、镁离子、钾离子、铝离子、铁离子、铜离子、银离子、金离子或铂离子。
3.如权利要求1所述的薄膜电极，其特征在于：
所述绝缘胶包括高分子聚合物；
所述高分子聚合物中分散有纳米硅氧化物颗粒Ⅰ和/或纳米金属氧化物颗粒；
纳米硅氧化物颗粒Ⅰ的制备方法为于有机溶剂中将硅的化合物水解，得到硅溶胶Ⅰ，将硅溶胶Ⅰ中于大于120℃的温度下烘烤即得；
纳米硅氧化物颗粒Ⅰ的制备方法中，所述硅的化合物包括含硅的有机化合物或含硅的无机化合物；所述含硅的有机化合物包括正硅酸乙酯或硅烷偶联剂；所述含硅的无机化合物包括水玻璃或硅酸。
4.如权利要求3所述的薄膜电极，其特征在于：
所述高分子聚合物包括聚酰亚胺、聚苯并恶嗪、聚酯、聚硅氧烷或聚酰胺；
所述纳米金属氧化物颗粒包括氧化钛、氧化铝、氧化锌、氧化锡、氧化锑或氧化锆中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的薄膜电极，其特征在于：
所述电极层表面还设有保护层；
所述保护层的材质包括硅胶、UV胶、环氧树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂或聚酯树脂。
6.如权利要求1-5任一项所述的薄膜电极的制备方法，其特征在于，
包括如下步骤：
S1于有机溶剂中将高分子聚合物溶解，加入硅溶胶Ⅰ和/或纳米金属氧化物后干燥，得到纳米绝缘胶；将纳米金属线与所述纳米绝缘胶于有机溶剂中混合，得到纳米金属线墨水；
S2向硅溶胶Ⅱ中掺杂钠离子、镁离子、钾离子、铝离子、铁离子、铜离子、银离子、金离子或铂离子，并于150℃-300℃老化，得到导电墨水；
S3于所述基层表面铺设所述纳米金属线墨水；
S4于基层表面预设的导电线路上铺设所述导电墨水，使导电墨水浸润所述纳米金属线墨水；
S5将所述基层烘烤固化，并铺设保护层即得所述薄膜电极；
其中，步骤S1、S2的顺序可调换。
7.如权利要求6所述的薄膜电极的制备方法，其特征在于：
所述有机溶剂包括液态的醇、醚、酯、酮、烃或芳香族化合物中的至少一种。
8.如权利要求6所述的薄膜电极的制备方法，其特征在于：
所述铺设的方法包括挤压涂布、刮涂、丝印、喷涂或喷墨打印；
所述步骤S1中干燥的温度不超过60℃；
所述步骤S5中烘烤固化的温度为120-170℃。
9.如权利要求1-5任一项所述的薄膜电极的应用，其特征在于：
作为触摸屏、太阳能电池、液晶手写板、电子窗帘、加热膜或LED显示屏的电极。
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