JP5993028B2 - 導電体及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、銀ナノワイヤを含む透明導電膜と金属膜との間の密着性に関する。
特許文献１には、基板上に銀ナノワイヤの透明導電膜が形成された導電体が開示されている。
ところで銀ナノワイヤは透明導電膜内にて分散されている（特許文献１［００５３］、［００５４］、［０１０３］、［０１０４］等）。このように分散性を確保するために銀ナノワイヤは透明樹脂内にて保持されており、透明導電膜の表面は実質的に有機膜となっている。
そのため、透明導電膜の上に金属膜を成膜したとき、透明導電膜と金属膜間の密着性が不足し金属膜が剥離しやすい問題が生じた。
特開２０１０−５０７１９９号公報
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、透明導電膜と金属膜間の密着性を向上させることが可能な導電体及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明における導電体は、
基材と、
前記基材上に形成された銀ナノワイヤを含む透明導電膜と、
少なくとも一部が前記透明導電膜上に重なるように形成された金属膜と、
を有し、
前記透明導電膜と前記金属膜とが重なった部分に、前記透明導電膜及び前記金属膜のそれぞれに対し密着性を有して前記透明導電膜と前記金属膜との間の導通を妨げないバッファ膜を有する導電体であって、
前記バッファ膜が、透明金属酸化物で形成されること、あるいは、前記透明導電膜及び前記金属膜の夫々に結合する官能基を備えた有機物であることを特徴とするものである。
また本発明における導電体の製造方法は、
基材上に形成された銀ナノワイヤを含む透明導電膜上に、前記透明導電膜と次工程に形成される金属膜のそれぞれと密着性を有して前記透明導電膜と前記金属膜との間の導通を妨げないバッファ膜を形成する工程と、
前記バッファ膜上に前記金属膜の少なくとも一部を形成する工程と、
を有する導電体の製造方法であって、
前記バッファ膜を、透明金属酸化物で形成すること、あるいは、前記透明導電膜及び前記金属膜の夫々に結合する官能基を備えた有機物で形成することを特徴とするものである。
本発明によれば、透明導電膜と金属膜間に、透明導電膜と金属膜とのそれぞれと密着性を有し透明導電膜と金属膜との導通を妨げないバッファ膜を介在させることで、透明導電膜と金属膜間の良好な導通性を維持しつつ密着性を向上させることができる。
また本発明では、前記透明金属酸化物は、ＩＴＯであることが好ましい。これにより、効果的に透明導電膜と金属膜間の密着性を向上させることができる。
また本発明では、前記透明導電膜の上面を逆スパッタした後、前記上面に前記バッファ膜を形成することが好ましい。すなわち、前記透明導電膜の上面は逆スパッタ面であり、前記バッファ膜は前記逆スパッタ面上に形成されることが好ましい。これにより、より効果的に透明導電膜と金属膜間の密着性を向上させることができる。
また本発明では、前記有機物は、アルコキシ基及びチオール基、あるいはアルコキシ基及びアジド基を有するトリアジン化合物であることが好ましい。
また前記トリアジン化合物は、化５あるいは化６に示される構造であることが好ましい。
Figure 0005993028
Figure 0005993028
これにより、効果的に透明導電膜と金属膜間の密着性を向上させることができる。
また本発明では、前記バッファ膜に対して熱処理工程を施すことが好ましい。これにより、より効果的に透明導電膜と金属膜間の密着性を向上させることができる。
本発明によれば、透明導電膜と金属膜間に、透明導電膜及び金属膜のそれぞれとの密着性を有し透明導電膜と金属膜との間の導通を妨げないバッファ膜を介在させることで、透明導電膜と金属膜間の良好な導通性を維持しつつ密着性を向上させることができる。
図１（ａ）（ｂ）は、本実施形態における導電体の縦断面図であり、図１（ｃ）は、導電体の一部分を拡大して示した模式図である。 図２は、本実施形態における導電体の製造方法を示す一工程図（縦断面図）である。 図３は、図２の次に行われる一工程図（縦断面図）である。 図４は、図３の次に行われる一工程図（縦断面図）である。 図５は、図４の次に行われる一工程図（縦断面図）である。 図６は、図５の次に行われる一工程図（縦断面図）である。
図１（ａ）は、本実施形態における導電体の縦断面図である。
図１（ａ）に示す導電体１は、透明基材２と、透明基材２の上面２ａに形成された透明導電膜３と、透明導電膜３上に形成されたバッファ膜４と、バッファ膜４上に形成された金属膜５とを有して構成される。
導電体１は、可撓性を備えるフィルム状であってもよいし、剛性の高い板状、パネル状であってもよい。
なおこの明細書において、「透明」「透光性」とは可視光線透過率が５０％以上（好ましくは８０％以上）の状態を指す。
図１（ａ）では、透明導電膜３は、透明基材２上にて透明電極形状にパターン形成されている。透明導電膜３は、図１（ａ）のようにパターン化されて透明基材２上に部分的に形成されていてもよいし、透明基材２の上面２ａ全体に形成されていてもよい。また図１（ａ）に示す縦断面の位置では、各透明導電膜３が分離した状態で現れているが、図示しない位置で一体的にあるいは別の導電膜を介して電気的に接続された形態とすることができる。
図１（ａ）に示す導電体１の用途は限定されない。例えば導電体１は入力表示装置の一部として使用される。例えば導電体１の下方には、液晶ディスプレイなどが配置され、図１（ａ）に示す透明導電膜３のうち、金属膜５が配置されていない中央部分が入力表示部分である。よって中央部分にある透明導電膜３が例えば指等の操作体との間で静電容量変化を生じさせるための透明電極である。また図１（ａ）の両側部分にある、透明導電膜３上に金属膜５が重ねられた部分は、非表示領域であり、例えば中央部分の透明電極と電気的に接続された配線部を構成している。
図１（ａ）に示す導電体１の表面に図示しない透明粘着層を介して表示パネルが配置される形態にすることもできる。また図１（ａ）に示す透明基材２の下面側を入力操作面とすることもできる。
図１（ａ）に示す透明基材２は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルム状の透明基材やガラス基材等で形成される。透明基材２の材質は特に限定されない。また図１（ａ）では透明基材２を使用したが、透明でない、例えば半透明の基材を用いることもできる。
図１（ａ）に示す透明導電膜３は、銀ナノワイヤを含む透明導電膜である。図１（ｃ）に示すように、銀ナノワイヤ６は、銀あるいは銀合金からなる線状構造体である。図１（ｃ）に示すように、銀ナノワイヤ６は、透明な樹脂層７中で、分散されて存在し、銀ナノワイヤ６のそれぞれが、その一部で接触することにより、面内での導電性を保っている。
図１（ｃ）に示すように銀ナノワイヤ６は透明な樹脂層７中にて分散されている。樹脂層７により銀ナノワイヤ６の分散性が確保されている。樹脂層７の材質を特に限定するものでないが、例えば樹脂層７は、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂等である。
図１（ａ）に示すように、透明導電膜３のうち、透明基材２の両側部分に位置する透明導電膜３上にはバッファ膜４を介して金属膜５が形成されている。バッファ膜４は、透明導電膜３と金属膜５とのそれぞれと密着性を有し、透明導電膜３と金属膜５との導通を妨げない中間膜である。
金属膜５は、例えばＣｕ膜である。バッファ膜４は、特にこの金属膜５と銀ナノワイヤを含む透明導電膜３との間の密着性を向上させることができる。なお金属膜５の材質を特に限定するものでなく、Ｃｕのほかに、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｉなどを選択することもできる。
図１（ａ）では、バッファ膜４を透明導電膜３と金属膜５との間にのみ設けているが、バッファ膜４は、図１（ｂ）のように、金属膜５が重ならない透明導電膜３の上面に残されていてもよい。後述する製造方法によれば、金属膜５と重ならないバッファ膜４の部分を、エッチング工程を経て除去することが可能であり、あるいは使用するエッチング液等のエッチング条件によっては、金属膜５が重なっていない部分のバッファ膜４を透明導電膜３の上面に残すこともできる。このとき、バッファ膜４は非常に薄い透明な膜であるため、バッファ膜４が透明導電膜３上に残されていても良好な透光性を確保できる。
バッファ膜４は、透明金属酸化物であることが好ましい。透明金属酸化物には、ＩＴＯ（Indium TinOxide）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２等の無機透明導電材料を用いることができ、この中でも特にＩＴＯを選択することが好ましい。これにより、効果的に透明導電膜３と金属膜５間の密着性を向上させることができる。
また透明導電膜３の上面３ａ（図１（ｃ）参照）に逆スパッタを施した後、逆スパッタ面である上面３ａに透明金属酸化物（特にＩＴＯ）からなるバッファ膜４を成膜することが好適である。逆スパッタとは不活性ガス雰囲気下などで、透明導電膜３の表面近傍にプラズマを生じさせて表面を改質する方法を指す。逆スパッタは、通常のスパッタリングにて印加されるターゲットと基板間の電圧を逆にして行う。
逆スパッタにより透明導電膜３の上面３ａは改質され、バッファ膜４を介した透明導電膜３と金属膜５間の密着性をより効果的に向上させることができる。逆スパッタにより、透明導電膜３の上面３ａでは、金属である銀ナノワイヤ６の露出量（露出面積）が大きくなり、または、透明導電膜３の上面３ａが適度に荒らされるものと考えられる。
上記した透明金属酸化物（特にＩＴＯ）からなるバッファ膜４の厚みは、２ｎｍ〜１００ｎｍ程度であることが好ましい。なお、透明導電膜３の上面３ａを逆スパッタせずに透明金属酸化物（特にＩＴＯ）からなるバッファ膜４を成膜した場合、バッファ膜４の厚みは、２０〜１００ｎｍ程度とすることが好ましい。これにより、透明導電膜３と金属膜５間の密着性を効果的に向上させることができる。
また、バッファ膜４の上面４ａ（図１（ｃ）参照）に対して逆スパッタを施した後、金属膜５を成膜することが好ましい。これにより、より効果的に、銀ナノワイヤを含む透明導電膜３と金属膜５との間の密着性を向上させることができる。またバッファ膜４を介した透明導電膜３と金属膜５間の良好な導通性を維持できる。
あるいはバッファ膜４は、透明導電膜３及び金属膜５の夫々に結合する官能基を備えた有機物であってもよい。後述の処理によるバッファ膜４の膜厚は非常に薄く、バッファ膜４を介した透明導電膜３と金属膜５間は電気的に接続された状態とされる。あるいは、バッファ膜４は、透明導電膜３の上面３ａに間欠的に形成されており、バッファ膜４を介した透明導電膜３と金属膜５間は電気的に接続された状態とされる。
上記した有機物は、アルコキシ基及びチオール基、あるいはアルコキシ基及びアジド基を有するトリアジン化合物であることが好ましい。具体的には、トリアジン化合物は、以下の化７あるいは化８に示される構造であることが好適である。
Figure 0005993028
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これにより、効果的に透明導電膜と金属膜間の密着性を向上させることができる。
また、有機物に対して熱処理が施されていることが密着性をより効果的に向上させるうえで好ましい。熱処理は、１００℃前後で数分〜数十分行うことが好適である。この熱処理は、上記の化学式７や化学式８に示すトリアジン化合物を用いたバッファ膜４の形成工程中に施されるものであってもよいし、あるいは、バッファ膜４の形成工程後（金属膜５の成膜前、成膜中、成膜後のいずれであってもよい）に施されるものであってもよい。
図２ないし図６は、本実施形態における導電体１の製造方法を示す工程図（縦断面図）である。
図２に示す工程では、ＰＥＴ等の透明基材２上に形成された銀ナノワイヤを含む透明導電膜３の上面３ａにバッファ膜４を形成する。バッファ膜４は、透明導電膜３及び次工程で形成される金属膜５の双方に密着性を有し、透明導電膜３と金属膜５との導通を妨げない機能を備えたものである。
図２に示すように、透明導電膜３は、透明基材２の上面２ａの略全体に形成されている。ただし、透明導電膜３を透明基材２の上面２ａに最初から部分的に形成することもできる。
透明基材２上に銀ナノワイヤを含む透明導電膜３が予め形成された導電性基材を用意してもよいし、あるいは、銀ナノワイヤを含む塗布液を透明基材２上に塗布し、所定の熱処理を施して、透明導電膜３を透明基材２上に形成することもできる。
図２に示すバッファ膜４を透明金属酸化物で形成することが好ましい。また透明金属酸化物をＩＴＯで形成することがより好ましい。さらに、透明導電膜３の上面３ａを逆スパッタした後、前記上面３ａに透明金属酸化物（特にＩＴＯ）からなるバッファ膜４をスパッタ法等の既存の方法で成膜することが好ましい。逆スパッタの条件としては、Ａｒなどの不活性雰囲気下あるいは真空雰囲気にて、圧力を、５０〜５００ｍＴｏｒｒ程度、パワーを０．０１〜１０ｍＷ／ｃｍ２程度に制御する。
あるいは、バッファ膜４を、透明導電膜３及び図３の工程で形成される金属膜５の夫々に結合する官能基を備えた有機物で形成することもできる。このとき、前記有機物を、アルコキシ基及びチオール基、あるいはアルコキシ基及びアジド基を有するトリアジン化合物で形成し、具体的には、上記の化学式７あるいは化学式８に示すトリアジン化合物で形成することが好ましい。また、有機物に対して熱処理を施すことが好ましい。この熱処理は、有機物の形成工程中、あるいは有機物の形成工程後、例えば、図３の工程での金属膜５の形成後、施してもよい。
有機物によるバッファ膜４の形成は、有機物を含む溶液の浸漬工程、洗浄工程、及び乾燥工程等を経て行われる。
図２では、バッファ膜４を透明導電膜３の上面３ａ全体に形成しているが、図２の工程でバッファ膜４を透明導電膜３の上面３ａの所定領域だけに形成することもできる。
図３に示す工程では、バッファ膜４上に金属膜５をスパッタ法等の既存の方法により成膜する。図３では、金属膜５をバッファ膜４の上面４ａ全体に形成しているが、所定領域だけに形成することも可能である。
金属膜５をＣｕ膜で形成することが好ましい。
続いて金属膜５の上面５ａにレジスト層８を塗布する。レジスト層８に対しプリベーク処理や露光現像処理を施して、図３に示すパターンのレジスト層８を残す。
続いて図４に示す工程では、レジスト層８に覆われていない金属膜５をエッチングにて除去する。このときのエッチング液により、金属膜５が除去されたことで露出したバッファ膜４が除去されてもよい。これにより図４に示すように透明導電膜３の表面が露出した状態になる。なお図４の工程で、露出したバッファ膜４がエッチングにより除去されなくてもよい。
次に図５の工程では、レジスト層８を除去し、続いて、全面にレジスト層９を塗布する。レジスト層９に対しプリベーク処理や露光現像処理を施して、図５に示すパターンのレジスト層９を残す。
続いて図６では、レジスト層９に覆われていない金属膜５をエッチングにより除去する。このとき、金属膜５を除去したことで露出したバッファ膜４もエッチング工程にて除去することができる。
さらにレジスト層９を除去することで図６に示す導電体１が完成する。
上記した製造方法では、透明導電膜３上にバッファ膜４を介して金属膜５を形成している。これにより銀ナノワイヤを含む透明導電膜３と金属膜５との間の密着性を効果的に向上させることが可能になる。
図１では金属膜５全体が透明導電膜３と重なり、透明導電膜３と金属膜５とが重なった部分に、バッファ膜４が介在する構成となっている。ただし、金属膜５の一部が透明導電膜３上にて重なり、その重なった部分にバッファ膜４が介在する構成とすることも可能である。
実験では、比較例１〜比較例４及び実施例１〜実施例８の各導電体を形成した。
いずれの導電体も、透明基材上に銀ナノワイヤを含む透明導電膜が形成された共通の導電基材を使用し、さらに金属膜として膜厚が１５０ｎｍのＣｕ膜を成膜した。
Figure 0005993028
表１に示すように、比較例１では、金属膜（Ｃｕ膜）を成膜する前に、透明導電膜上に前処理を施さなかった。
また表１に示すように、比較例２では、透明導電膜の表面にＵＶ−オゾンにより表面処理を行った後、金属膜（Ｃｕ膜）を成膜した。また比較例３では、透明導電膜の表面にエキシマＵＶ処理を行った後、金属膜（Ｃｕ膜）を成膜した。
なお、実施例１、２については、透明導電膜の上面を逆スパッタしていない。
表１に示すように、実施例１では、銀ナノワイヤを含む透明導電膜の上面にＩＴＯからなるバッファ膜を２０ｎｍの膜厚で成膜した後、前記バッファ膜上に金属膜（Ｃｕ膜）を成膜した。また実施例２では、銀ナノワイヤを含む透明導電膜の上面にＩＴＯからなるバッファ膜を１００ｎｍの膜厚で成膜した後、前記バッファ膜上に金属膜（Ｃｕ膜）を成膜した。
また表１に示すように、実施例３では、銀ナノワイヤを含む透明導電膜の上面を逆スパッタした後、前記上面にＩＴＯからなるバッファ膜を２ｎｍの膜厚で成膜し、続いて前記バッファ膜上に金属膜（Ｃｕ膜）を成膜した。また実施例４では、銀ナノワイヤを含む透明導電膜の上面を逆スパッタした後、前記上面にＩＴＯからなるバッファ膜を２０ｎｍの膜厚で成膜し、続いて前記バッファ膜上に金属膜（Ｃｕ膜）を成膜した。また実施例５では、銀ナノワイヤを含む透明導電膜の上面を逆スパッタした後、前記上面にＩＴＯからなるバッファ膜を１００ｎｍの膜厚で成膜し、続いて前記バッファ膜上に金属膜（Ｃｕ膜）を成膜した。また実施例６では、銀ナノワイヤを含む透明導電膜の上面を逆スパッタした後、前記上面にＩＴＯからなるバッファ膜を２０ｎｍの膜厚で成膜し、次に一度スパッタ装置から取り出して、１日程度大気雰囲気に放置した後、再度、スパッタ装置に投入して、真空引きした後、前記バッファ膜の上面を逆スパッタし、さらに前記バッファ膜上に金属膜（Ｃｕ膜）を成膜した。
上記した逆スパッタの条件を、いずれも、不活性雰囲気下（Ａｒ下）にて、圧力を、２００ｍｍｔｏｒｒ程度、パワーを５ｍＷ／ｃｍ２程度、とした。
また実施例７では、銀ナノワイヤを含む透明導電膜の上面に上記した化学式７に示すトリアジン化合物（以下、ＴＥＳと称する）からなるバッファ膜を形成し、続いて、前記バッファ膜上に金属膜（Ｃｕ膜）を成膜した。実施例７におけるバッファ膜を、ＫＯＨ水溶液（３％）に浸漬−Ｈ２Ｏリンス−ＴＥＳ／エタノール液に浸漬−Ｈ２Ｏリンス−ホットプレート（８０℃）の各工程を経て形成した（ＴＥＳ処理）。さらに、金属膜を形成した後、１００℃で１０分間の熱処理を施した。
また実施例８では、銀ナノワイヤを含む透明導電膜の上面に上記した化学式８に示すトリアジン化合物（以下、Ｐ−ＴＥＳと称する）からなるバッファ膜を形成し、続いて、前記バッファ膜上に金属膜（Ｃｕ膜）を成膜した。実施例８におけるバッファ膜を、Ｐ−ＴＥＳ／ＩＰＡ（０．１％）に浸漬−ドライヤー乾燥−ＵＶ照射−エタノールリンスの各工程を経て形成した（Ｐ−ＴＥＳ処理）。さらに、金属膜を形成した後、１００℃で１０分間の熱処理を施した。
そして比較例１−４及び実施例１−８の各試料に対してクロスカットテスト（ＪＩＳ Ｋ５６００−５−６）を行った。クロスカットテストでは、各試料の中心（center）及び端（Edge）の夫々で行った。
表１に示す◎は、全く剥離が無い場合、○は、ほんの一部に剥離が見られる場合、×は、全面的に剥離が見られる場合の結果である。
表１に示すように、実施例は比較例に比べてクロスカットテストの結果が良好であり、銀ナノワイヤを含む透明導電膜と金属膜（Ｃｕ膜）との間の密着性が良好であることがわかった。
また表１に示すように、実施例３〜実施例６のほうが、実施例１及び実施例２に比べて、良好な密着性が得られることがわかった。したがって、透明導電膜の表面を逆スパッタした後、ＩＴＯからなるバッファ膜を成膜することで、より効果的に、透明導電膜と金属膜との間の密着性を向上させることができるとわかった。さらに、実施例６のように、バッファ膜を成膜後、一度大気雰囲気に放置しても、バッファ膜の上面を逆スパッタすることで、効果的に密着性を向上させることができるとわかった。
ＴＥＳ処理を施した実施例７及びＰ−ＴＥＳ処理を施した実施例８では、いずれも熱処理を施しており、これにより、良好な密着性が得られることがわかった。
次に、前処理をしていない比較例１、ＴＥＳ処理を施した実施例９及びＰ−ＴＥＳ処理を施した実施例１０において、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）により透明導電膜表面の元素及び組成比を求めた。その実験結果が表２に示されている。
Figure 0005993028
表２に示すように、実施例９及び実施例１０からは、処理液中に含まれるＳｉが検出された。
また、実施例９及び実施例１０でも、前処理を施していない比較例１で検出されたＡｇが少量検出された。
以上から、実施例９のＴＥＳ処理や実施例１０のＰ−ＴＥＳ処理を施すことで、有機物（トリアジン化合物）からなるバッファ膜が透明導電膜の上面に形成されていることがわかった。またこれらバッファ膜は、非常に薄くあるいは間欠的に形成されているものと考えられる。
また、比較例１、実施例９及び実施例１０について、ヘイズ値、Ｔｔ値（透過率(Transmittance)）、及びシート抵抗を測定した。その結果を以下の表３に示す。
Figure 0005993028
なおシート抵抗は、２５×５０ｍｍのシートの両端５ｍｍに銀ペーストを塗布し、１２０℃、３０分の焼成後、バルク抵抗を求めた。
表３に示すように、ヘイズ値、Ｔｔ値、及びシート抵抗は、各試料ともほぼ同じであった、このように実施例では透光性、導電性の諸特性を維持しつつ、透明導電膜と金属膜との間の密着性を向上させることができるとわかった。
１ 導電体
２ 透明基材
３ 透明導電膜
４ バッファ膜
５ 金属膜
６ 銀ナノワイヤ
７ 樹脂層
８、９ レジスト層

Claims (15)

  1. 基材と、
    前記基材上に形成された銀ナノワイヤを含む透明導電膜と、
    少なくとも一部が前記透明導電膜上に重なるように形成された金属膜と、
    を有し、
    前記透明導電膜と前記金属膜とが重なった部分に、前記透明導電膜及び前記金属膜のそれぞれに対し密着性を有して前記透明導電膜と前記金属膜との間の導通を妨げないバッファ膜を有する導電体であって、
    前記バッファ膜は、透明金属酸化物で形成されることを特徴とする導電体。
  2. 前記透明金属酸化物は、ＩＴＯである請求項１記載の導電体。
  3. 前記透明導電膜の上面は逆スパッタ面であり、前記バッファ膜は前記逆スパッタ面上に形成される請求項１又は２に記載の導電体。
  4. 基材と、
    前記基材上に形成された銀ナノワイヤを含む透明導電膜と、
    少なくとも一部が前記透明導電膜上に重なるように形成された金属膜と、
    を有し、
    前記透明導電膜と前記金属膜とが重なった部分に、前記透明導電膜及び前記金属膜のそれぞれに対し密着性を有して前記透明導電膜と前記金属膜との間の導通を妨げないバッファ膜を有する導電体であって、
    前記バッファ膜は、前記透明導電膜及び前記金属膜の夫々に結合する官能基を備えた有機物であることを特徴とする導電体。
  5. 前記有機物は、アルコキシ基及びチオール基、あるいはアルコキシ基及びアジド基を有するトリアジン化合物である請求項４記載の導電体。
  6. 前記トリアジン化合物は、化１あるいは化２に示される構造である請求項５記載の導電体。
    Figure 0005993028
    Figure 0005993028
  7. 前記有機物に対して熱処理が施されている請求項４ないし６のいずれか１項に記載の導電体。
  8. 前記金属膜は、Ｃｕで形成される請求項１ないし７のいずれか１項に記載の導電体。
  9. 基材上に形成された銀ナノワイヤを含む透明導電膜上に、前記透明導電膜と次工程に形成される金属膜のそれぞれと密着性を有して前記透明導電膜と前記金属膜との間の導通を妨げないバッファ膜を形成する工程と、
    前記バッファ膜上に前記金属膜の少なくとも一部を形成する工程と、
    を有する導電体の製造方法であって、
    前記バッファ膜を、透明金属酸化物で形成することを特徴とする導電体の製造方法。
  10. 前記透明金属酸化物を、ＩＴＯで形成する請求項９記載の導電体の製造方法。
  11. 前記透明導電膜の上面を逆スパッタした後、前記上面に前記バッファ膜を形成する請求項９又は１０に記載の導電体の製造方法。
  12. 基材上に形成された銀ナノワイヤを含む透明導電膜上に、前記透明導電膜と次工程に形成される金属膜のそれぞれと密着性を有して前記透明導電膜と前記金属膜との間の導通を妨げないバッファ膜を形成する工程と、
    前記バッファ膜上に前記金属膜の少なくとも一部を形成する工程と、
    を有する導電体の製造方法であって、
    前記バッファ膜を、前記透明導電膜及び前記金属膜の夫々に結合する官能基を備えた有機物で形成することを特徴とする導電体の製造方法。
  13. 前記有機物を、アルコキシ基及びチオール基、あるいはアルコキシ基及びアジド基を有するトリアジン化合物で形成する請求項１２記載の導電体の製造方法。
  14. 前記トリアジン化合物を、化３あるいは化４に示される構造で形成する請求項１３記載の導電体の製造方法。
    Figure 0005993028
    Figure 0005993028
  15. 前記バッファ膜に対し熱処理工程を施す請求項１２ないし１４のいずれか１項に記載の導電体の製造方法。
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