TWI426531B - 以奈米線為主之透明導體及其應用 - Google Patents

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TWI426531B
TWI426531B TW096138425A TW96138425A TWI426531B TW I426531 B TWI426531 B TW I426531B TW 096138425 A TW096138425 A TW 096138425A TW 96138425 A TW96138425 A TW 96138425A TW I426531 B TWI426531 B TW I426531B
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conductive
nanowire
transparent
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TW096138425A
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Pierre-Marc Allemand
Haixia Dai
Shuo Na
Hash Pakbaz
Florian Pschenitzka
Xina Quan
Jelena Sepa
Michael A Spaid
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Cambrios Technologies Corp
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Description

以奈米線為主之透明導體及其應用
本發明係關於透明導體，其製造及圖案化之方法，及其應用。
透明導體係指塗佈於高透射率表面或基板上之導電薄膜。透明導體可經製造為具有表面導電性，同時維持合理之光學透明度。該等表面導電透明導體廣泛用作平板液晶顯示器、觸摸式面板、電致發光裝置及薄膜光電電池中之透明電極，用作抗靜電層及用作電磁波屏蔽層。
目前，諸如氧化銦錫(ITO)之真空沈積金屬氧化物為向諸如玻璃及聚合薄膜之介電表面提供光學透明度及導電性之工業標準材料。然而，金屬氧化物薄膜為脆性的且傾向於在彎曲或其他物理應力期間損壞。其亦需要升高之沈積溫度及/或高退火溫度以達到高導電性位準。金屬氧化物薄膜與傾向於吸附濕氣之諸如塑膠及例如聚碳酸酯之有機基板的基板之黏著亦可存在問題。金屬氧化物薄膜於可撓性基板上之應用因此受到嚴格限制。另外，真空沈積為高成本之方法且需要特殊設備。此外，真空沈積之方法不有助於形成圖案及電路。此通常導致需要諸如光微影之昂貴圖案化方法。
導電聚合物亦已用作光學透明導電體。然而，其通常具有與金屬氧化物薄膜相比更低之導電率值及更高之光學吸收(尤其在可見光波長下)，且遭受缺乏化學穩定性及長期 穩定性。
因此，在此項技術中仍需要提供具有理想電學、光學及機械特性之透明導體，尤其為適於任何基板且可以廉價、高生產量方法來製造及圖案化之透明導體。
本發明描述在光學透明基質中以導電奈米線為主之透明導體。透明導體為可圖案化的且適合在包括(但不限於)顯示裝置(例如觸摸式顯示幕、液晶顯示器、電漿顯示面板及其類似物)，電致發光裝置及光電電池之各種裝置中作為透明電極。
一實施例描述一種方法，其包含：在基板上形成奈米線網路，該奈米線網路包含複數個奈米線；根據圖案在奈米線網路上形成基質，該圖案界定該奈米線網路之第一區域及第二區域，其中第一區域中之奈米線網路包含經基質保護之奈米線，且第二區域中之奈米線網路包含未經保護之奈米線；蝕刻該奈米線網路，藉此溶解未經保護之奈米線；及移除未經保護之奈米線。
另一實施例描述一種用於圖案化導電層之方法，其包含：在基板上形成導電層，該導電層包含基質及嵌入其中之複數個導電奈米線；將遮罩置放於導電層上以界定遮蔽區域及未遮蔽區域；及蝕刻該未遮蔽區域。
另一實施例描述一種透明導體，其包含：一基板；及一位於該基板上之導電層，該導電層包括複數個金屬奈米線及一種基質，其中該基質包含經部分固化之聚合材料。
另一實施例描述開關裝置，其包含：一透明電極；及一包括一基板、一閘電極、一半導體活性層、一源電極及一汲電極之薄膜電晶體，其中該透明電極包括複數個導電奈米線。
另一實施例描述一種彩色濾光器，其包含：一透明基板；布置於該透明基板上之複數個有色像素；一上覆於該複數個有色像素之導電層，其中該導電層包括複數個導電奈米線。
另一實施例描述一種液晶顯示器，其包含：一包含複數個薄膜電晶體之底部面板，每一薄膜電晶體連接至一像素電極；一包含複數個彩色像素之上方面板，該複數個彩色像素連接至一共用電極；及一安置於該第一面板與該第二面板之間的液晶層，其中該像素電極與該共用電極中之至少一者包括複數個導電奈米線。
另一實施例描述一種電漿顯示面板，其包含：一包括一位址電極之底部面板；一包括一顯示電極之上方面板；位於該底部面板與該頂部面板之間的複數個電漿放電單元，其中該顯示電極包括複數個導電奈米線。
另一實施例描述一種單接面太陽電池結構，其包含：一底部觸點；一位於該底部觸點上之半導體二極體；及一位於該半導體二極體上之頂部觸點，其中該底部觸點與該頂部觸點中之至少一者包括複數個導電奈米線。
另一實施例描述一種多接面太陽電池，其包含：一底部觸點；一位於該底部觸點上之第一單元，該第一單元包含 一第一半導體二極體；一位於該第一單元上之穿隧二極體；一位於該穿隧二極體上之第二單元，該第二單元包含一第二半導體二極體；及一頂部觸點，其中該底部觸點與該頂部觸點中之至少一者包括複數個導電奈米線，且其中該第一半導體二極體具有比該第二半導體二極體低之能帶隙。
另一實施例描述一種電致發光裝置，其包含：一底部電極；一上覆於該底部電極之電致發光材料層；及一上覆於該電致發光材料層之頂部電極，其中該頂部電極為光學透明的且包括複數個導電奈米線。
另一實施例描述一種用於圖案化導電層之方法，其包含：在一基板上形成導電層，該導電層包含一基質及一嵌入其中之導電奈米線網路；及處理該導電層之一區域以將該區域中之導電奈米線轉化為非導電奈米線，藉此形成一包括一具有一第一電阻率之經處理區域及一具有一第二電阻率之未經處理區域的經圖案化導電層。
另一實施例提供一種電子裝置，其包括：一具有至少一個表面起伏特徵之基板；及一上覆於該基板之透明導電層，該透明導電層包括複數個導電奈米線，其中一或多個奈米線至少部分地輪廓化為該基板之至少一個表面起伏特徵。
另一實施例提供一種透明導體，其包含：一基板；及一位於該基板上之導電層，該導電層包括複數個金屬奈米線，其中該導電層經圖案化以使得該透明導體表面之第一 區域為導電的，且該透明導體表面之第二區域為非導電的且導電區域與非導電區域之間的線寬為5 μm至50 μm。
另一實施例提供一種透明導體，其包含：一基板；及一位於該基板上之導電層，該導電層包括複數個金屬奈米線，其中該導電層經圖案化以使得該透明導體表面之第一區域為導電的，且該透明導體表面之第二區域為非導電的且位於導電區域與非導電區域之間界面處之奈米線的至少一部分被切斷。
另一實施例提供一種觸摸式顯示幕裝置，其包含：一包括金屬奈米線之第一透明導電層，其中該等金屬奈米線位於電學滲透位準處或位於其之上；及一定位於該第一透明導電層之上且藉由一隔片與其分離之第二透明導電層，該第二透明導電層包括金屬奈米線，其中該等金屬奈米線位於電學滲透位準處或位於其之上；其中該第一透明導電層與該第二透明導電層中之至少一者另外經一透明外塗層塗佈，該透明外塗層包括位於電學滲透位準以下之複數個導電粒子。
另一實施例提供一種多層結構，其包含：一基板；一形成於該基板上之導電層，其中該導電層包含一第一複數個金屬奈米線，該第一複數個金屬奈米線達到一電學滲透位準；及一形成於該導電層上之外塗層，該外塗層併入有一第二複數個導電粒子，該第二複數個導電粒子位於該電學滲透位準以下。
另一實施例提供一種用於提供電磁屏蔽之方法，其包 含：提供一包括複數個金屬奈米線及一基質材料之複合物；將該複合物應用於一需要電磁屏蔽之基板；及形成一包括分散於該基質材料中之複數個金屬奈米線的導電層，該導電層具有一不大於108 Ω/□之表面電導率。
某些實施例針對以奈米線之導電層為主之透明導體。詳言之，導電層包括金屬奈米線之稀疏網路。另外，導電層為透明、可撓性的且可包括至少一個導電性表面。其可經塗佈或層壓於包括可撓性基板及剛性基板之各種基板上。導電層亦可形成包括基質材料及奈米線之複合結構之部分。基質材料通常可賦予複合結構某些化學、機械及光學特性。其他實施例描述製造及圖案化導電層之方法。
導電奈米線
圖1說明具有等於長度L1 除以直徑d1 之縱橫比的奈米線2。合適奈米線通常具有10至100,000範圍內之縱橫比。較大縱橫比可有利於獲得透明導體層，因為其可使得形成更有效之導電網路，同時允許降低導線之總密度以達成高透明度。換言之，當使用具有高縱橫比之導電奈米線時，達成導電網路之奈米線的密度可足夠低以便導電網路實質上為透明的。
一種定義層對光之透明度的方法為藉由其吸收係數。光穿過層之照明可定義為：I＝Io e－ax 其中Io 為層之第一側上之入射光，I為存在於層之第二側上 之照明位準，且e－ax 為透明度因子。在透明度因子中，a為吸收係數且x為層之厚度。具有接近1但小於1之透明度因子的層可視為實質上透明的。
圖2－5說明導電奈米線之一些光學及電學特徵。
圖2展示銀奈米橢球在各種光波長下之光吸收的理論模型。視寬度及長度而定，銀奈米橢球對400與440奈米之間波長之窄光帶及700 nm以上之光波長顯示高消光係數。然而，其在落於可見光範圍內之約440至約700 nm之間為實質上透明的。
圖3展示沈積於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板上之銀奈米線層的吸收光譜。如由吸收曲線所示，PET基板上之銀奈米線層在約440 nm至700 nm之間為實質上透明的，其與圖2中所示之理論模型結果相符。
圖4及5展示金屬奈米線基於其直徑之電阻率的理論模型化結果。對於較大直徑之奈米線而言，儘管其將吸收更多光，但電阻率實質上降低。如圖4中可見，基於晶界及表面散射對電阻率之影響在小於10 nm之直徑下為高的。隨直徑增加，該等影響急劇降低。因此，對於自10 nm增加至100 nm以上之直徑而言，總電阻率大幅降低(亦參見圖5)。然而，對於需要透明導體之應用而言，此電學特性之改良必須與降低之透明度相平衡。
圖6展示在兩個其他電學末端6a及6b之間延伸以提供自末端6a至末端6b之導電路徑的單一Ag奈米線4。術語"末端"包括接觸焊墊、導電節點及可電性連接之任何其他起始 點及端點。選擇奈米線之縱橫比、尺寸、形狀及物理參數分布以提供所要之光學及電學特性。選擇將提供給定密度之Ag奈米線之該等導線之數目以提供用於將末端6a與末端6b耦接之可接受的電導特性。舉例而言，數百條Ag奈米線4可自末端6a延伸至6b以提供低電阻電導路徑，且可選擇濃度、縱橫比、尺寸及形狀以提供實質上透明之導體。因此，使用複數個Ag奈米線自末端6a至末端6b提供透明之電傳導。
如可瞭解，末端6a至末端6b之距離可如此以使得所要光學特性並非由單一奈米線而獲得。可需要複數個諸多奈米線以在各種點處彼此連接以提供自末端6a至末端6b之導電路徑。根據本發明，基於所要光學特性來選擇奈米線。隨後，選擇提供所要導電路徑及彼路徑上之總電阻之奈米線的數目以達成末端6a至末端6b之電導層可接受之電學特性。
透明層之電導率主要由a)單一奈米線之電導率、b)末端之間的奈米線數目及c)奈米線之間的連接性來控制。在某些奈米線濃度(亦稱為滲透臨限或電學滲透位準)以下，末端之間之電導率為零，亦即不提供連續電流路徑，因為奈米線間隔分離太遠。在大於此濃度下，存在至少一條可用之電流路徑。當提供更多電流路徑時，層之總電阻將降低。
導電奈米線包括金屬奈米線及具有高縱橫比(例如高於10)之其他導電粒子。非金屬奈米線之實例包括(但不限於) 碳奈米管(CNT)、金屬氧化物奈米線、導電聚含物纖維及其類似物。
如本文中所使用，"金屬奈米線"係指包含元素金屬、金屬合金或金屬化合物(包括金屬氧化物)之金屬線。金屬奈米線之至少一個橫截面尺寸係小於500 nm，且小於200 nm，且更佳小於100 nm。如上所述，金屬奈米線具有大於10，較佳大於50，且更佳大於100之縱橫比(長度：直徑)。合適之金屬奈米線可以包括(但不限於)銀、金、銅、鎳及鍍金銀之任何金屬為主。
金屬奈米線可藉由此項技術中已知之方法來製備。詳言之，銀奈米線可在多元醇(例如乙二醇)及聚(乙烯吡咯啶酮)之存在下，經由銀鹽(例如硝酸銀)之溶液相還原來合成。具有均勻尺寸之銀奈米線的大規模生產可根據描述於(例如)Xia,Y.等人，Chem .Mater .(2002),14,4736－4745及Xia,Y.等人，Nanoletters (2003)3(7),955－960中之方法來製備。
或者，金屬奈米線可使用可經礦化之生物學模板(或生物學骨架)來製備。舉例而言，諸如病毒及噬菌體之生物材料可充當用以產生金屬奈米線之模板。在某些實施例中，生物學模板可經工程化以顯示對諸如金屬或金屬氧化物之特定類型材料的選擇性親和力。奈米線之生物製造的更詳細描述可見於(例如)Mao,C.B.等人，"Virus－Based Toolkit for the Directed Synthesis of Magnetic and Semiconducting Nanowires,"(2004)Science ,303,213－ 217；Mao,C.B.等人，"Viral Assembly of Oriented Quantum Dot Nanowires,"(2003)PNAS，第 100卷，第12期，6946－6951；Mao,C.B.等人，"Viral Assembly of Oriented Quantum Dot Nanowires,"(2003)PNAS, 100(12),6946－6951，美國申請案第10/976,179號及美國臨時申請案第60/680,491號，該等參考文獻全文併入本文中。
更特定而言，導電材料或導體(例如金屬奈米線)可基於導電材料與生物學模板上之某些結合位點(例如肽序列)之間的親和力而直接結合至生物學模板。
在其他實施例中，導電材料可藉由成核方法而產生，在此方法期間，前驅體經轉化為結合至生物學模板之導電粒子，該等導電粒子能夠進一步生長為連續導電層。該方法亦稱為"礦化"或"電鍍"。舉例而言，金屬前驅體(例如金屬鹽)可在還原劑存在下轉化為元素金屬。所得元素金屬結合至生物學模板且生長為連續金屬層。
在其他實施例中，晶種材料層最初成核於生物材料上。其後，金屬前驅體可轉化為金屬且電鍍於晶種材料層上。例如，可基於引起金屬在含有相應金屬前驅體之溶液外成核及生長的材料來選擇晶種材料。為說明，含有鈀之晶種材料層可引起Cu或Au之礦化。作為一特定實例，為產生Cu導體，可接受之晶種材料可含有鈀、以鈀為主之分子、Au或以Au為主之分子。對於氧化物導體而言，氧化鋅可用作成核材料。晶種材料之實例包括Ni、Cu、Pd、Co、Pt、Ru、Ag、Co合金或Ni合金。可電鍍之金屬、金屬合 金及金屬氧化物包括(但不限於)Cu、Au、Ag、Ni、Pd、Co、Pt、Ru、W、Cr、Mo、Ag、Co合金(例如CoPt)、Ni合金、Fe合金(例如FePt)或TiO2 、Co3 O4 、Cu2 O、HfO2 、ZnO、氧化釩、氧化銦、氧化鋁、氧化銦錫、氧化鎳、氧化銅、氧化錫、氧化鉭、氧化鈮、氧化釩或氧化鋯。
多種不同生物材料之任何者均可用以提供用於產生金屬奈米線之模板，該等生物材料包括蛋白、肽、噬菌體、細菌、病毒及其類似物。用於選擇、形成及工程化將耦接至所要金屬或導電材料之生物材料的技術係描述於美國申請案第10/155,883號及第10/158,596號中；兩個申請案均以Cambrios Technologies Corporation之名義且係以引用的方式併入本文中。
如上所述，諸如蛋白、肽或其他生物材料之生物學模板可經工程化以具有用於所選晶種材料或所選導電材料之親和力位點。對特定材料具有親和力之蛋白或肽可經由諸如噬菌體呈現、酵母呈現、細胞表面呈現或其他之蛋白發現方法來識別。舉例而言，在噬菌體呈現之情況下，噬菌體(例如M13噬菌體)之庫可藉由將多種不同之肽序列插入噬菌體群體中而產生。可分離對特定標靶分子具有高親和力之蛋白且可識別其肽結構。
詳言之，可控制生物分子之遺傳序列以提供某些類型噬菌體粒子中之特定肽序列的許多複本。舉例而言，P8蛋白之約3000個複本可沿M13噬菌體粒子之長度以有序陣列排列。P8蛋白可經修飾以包括可使導電材料之形成成核或結 合導電材料，藉此提供具有高電導率之導電奈米線的特異性肽序列。有利地，該技術使得能夠經由使用生物學模板分子，例如具有經特定設計或控制之肽序列的蛋白，來控制奈米線之幾何形狀及結晶結構。為此，已識別與銀、金或鈀具有結合親和力之肽或蛋白，其可併入噬菌體結構中以產生具有基於噬菌體粒子之彼等尺寸之尺寸的奈米線。
不同於噬菌體之生物材料可用作用於形成導電奈米線之模板。舉例而言，自組裝成長度為數十微米之長股束的絲狀蛋白可用作替代性模板(參見圖7)。有利地，該模板蛋白可經合成為具有比噬菌體大得多之縱橫比，其導致較低滲透臨限濃度之導電奈米線。另外，蛋白易於合成比噬菌體粒子大之體積。蛋白(諸如用作清潔劑添加劑之酶)之大規模製造已得以充分發展。
圖8展示具有許多與導電粒子8b耦接之結合位點8a之蛋白骨架8的圖解版本。選擇對諸如Au、Ag、Cu及Ni之導電粒子具有親和力之結合位點。或者，結合位點8a對可進一步使諸如Cu及其類似物之導電粒子成核之晶種材料層(例如Pd及Au)具有親和力。蛋白骨架8亦可經工程化為具有複數個具有該親和力之結合位點8a。較佳使其以頻繁及規則之間隔沿其長度隔開，以增加最終導電層之電導率。
易於使用已知技術工程化諸如蛋白之生物材料的長度以及其直徑。其經工程化為具有對光學特性而言正確之尺寸。一旦已選擇尺寸、形狀及縱橫比，即可將生物材料暴露於諸如金屬或金屬前驅體之導電材料8b。
圖9說明使用生物學模板製造導電奈米線之另一實施例。蛋白骨架8可經進一步工程化以包括諸如各個末端處之締合肽9a及9b之結合搭配物。結合搭配物可經由任何類型之締合相互作用，包括(例如)離子相互作用、共價鍵結、氫鍵結、疏水性相互作用及其類似作用而彼此偶合。締合肽9a與9b之間的相互作用促使導電奈米線自組裝成如圖8之最終序列中所示之2－D互連網狀網路。締合肽及其位置可為促使形成導電層之網格、端對端連接(end to end connection)、交叉連接及其他所要形狀之類型。在圖8中所示之實例中，導電材料8b已在蛋白骨架形成網路之前結合至蛋白骨架8。應瞭解，蛋白骨架8亦可在結合導電材料之前形成網路。
因此，使用具有締合肽或其他結合搭配物之生物學模板使得可形成與用隨機奈米線可能之情況相比，具有高連接網路之導電層。因此，可選擇生物學模板之特定網路以在導電層中達到所要有序度。
基於模板之合成尤其適合於製造具有特定尺寸、形態及組成之奈米線。基於生物學製造奈米材料之其他優點包括：可經修改以達成高生產量之溶液處理、環境溫度沈積、優越仿形性及導電層之產生。
導電層及基板
作為一說明性實例，圖10A展示包含塗佈於基板14上之導電層12的透明導體10。導電層12包含複數個金屬奈米線16。金屬奈米線形成導電網路。
圖10B展示透明導體10'之另一實例，其中導電層12'形成於基板14上。導電層12'包括嵌入基質18中之複數個金屬奈米線16。
"基質"係指金屬奈米線分散或嵌入其中之固態材料。奈米線之部分可自基質材料突出以致能夠到達導電網路。基質為金屬奈米線之主體且提供實體形式之導電層。基質保護金屬奈米線以避免諸如腐蝕及磨損之不利環境因素。詳言之，基質顯著降低腐蝕性元素(諸如濕氣、痕量酸、氧、硫及其類似物)在環境中之滲透性。
另外，基質向導電層提供有利之物理及機械特性。舉例而言，其可向基板提供黏著力。此外，不同於金屬氧化物薄膜，嵌入有金屬奈米線之聚合基質或有機基質為穩固及可撓性的。如將在本文中更詳細論述，可撓性基質使得可能以低成本及高生產量方法製造透明導體。
此外，導電層之光學特性可藉由選擇適當之基質材料來調整。舉例而言，可藉由使用具有理想折射率、組成及厚度的基質來有效降低反射損失及不良眩光。
通常，基質為光學透明材料。若材料之光透射率在可見光區域(400 nm－700 nm)內為至少80%，則認為材料為"光學透明(optically clear)"或"光學透明(optically transparent)"的。除非另外規定，否則本文所述透明導體中之所有層(包括基板及奈米線網路層)較佳為光學透明的。基質之光學透明度通常藉由包括(但不限於)以下之大量因素來確定：折射率(RI)、厚度、貫穿整個厚度之RI的 一致性、表面(包括界面)反射及濁度(藉由表面粗糙度及/或嵌入粒子所引起之散射損失)。
在某些實施例中，基質為約10 nm至5 μm厚，約20 nm至1 μm厚，或約50 nm至200 nm厚。在其他實施例中，基質具有約1.3至2.5，或約1.35至1.8之折射率。
在某些實施例中，基質為聚合物，其亦稱為聚合基質。光學透明聚合物在此項技術中為已知的。合適聚合基質之實例包括(但不限於)：諸如聚甲基丙烯酸酯(例如聚(甲基丙烯酸甲酯))、聚丙烯酸酯及聚丙烯腈之聚丙烯酸系物，聚乙烯醇，聚酯(例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酯萘二甲酸酯及聚碳酸酯)，具有高芳香度之聚合物(諸如酚系樹脂或甲酚－甲醛樹脂(Novolacs)、聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚硫醚、聚碸、聚苯及聚苯醚)，聚胺基甲酸酯(PU)，環氧樹脂，聚烯烴(例如聚丙烯、聚甲基戊烯及環狀烯烴)，丙烯腈－丁二烯－苯乙烯共聚物(ABS)，纖維素，聚矽氧及其他含矽聚合物(例如聚倍半矽氧烷及聚矽烷)，聚氯乙烯(PVC)，聚乙酸酯，聚降冰片烯，合成橡膠(例如EPR、SBR、EPDM)及氟聚合物(例如聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯(TFE)或聚六氟丙烯)，氟烯烴及烯烴之共聚物(例如Lumiflon)，以及非晶形氟碳化物聚合物或共聚物(例如Asahi Glass Co.之CYTOP，或Du Pont之TeflonAF)。
在其他實施例中，本文所述之聚合基質包含部分聚合或 部分固化之聚合物。與完全聚合或完全固化之基質相比，部分固化之基質具有較低之交聯度及/或聚合度及較低之分子量。因此，部分聚合之基質可在某些條件下經蝕刻且可能使用習知光微影進行圖案化。在適當之聚合條件下，部分固化之基質可經進一步固化，藉此進行進一步交聯及聚合以提供具有比部分固化基質之分子量更高之分子量的基質。部分固化之基質可經蝕刻，繼而進行另一固化步驟以提供經圖案化且完全固化之透明導體薄膜。合適部分固化聚合物之實例包括(但不限於)部分固化之丙烯酸酯、聚矽氧－環氧樹脂、矽氧烷、酚醛清漆、環氧樹脂、胺基甲酸酯、倍半矽氧烷或聚醯亞胺。
熟習此項技術者將認識到，聚合度可影響蝕刻條件(溶液)，部分聚合基質及/或奈米線可在此條件下溶解。通常，聚合度愈高，愈難以蝕刻基質。
較佳地，部分固化基質具有可接受之物理完整度以保護其中之奈米線。其為理想的，此係因為終端使用者可自己進行圖案化及後續固化，以獲得最終之透明導體薄膜。
在其他實施例中，基質為無機材料。舉例而言，可使用以以下各物為主之溶膠－凝膠基質：矽石、富鋁紅柱石、氧化鋁、SiC、MgO－Al2 O3 －SiO2 、Al2 O3 －SiO2 、MgO－Al2 O3 －SiO2 －Li2 O或其混合物。
在某些實施例中，基質自身為導電的。舉例而言，基質可為導電聚合物。導電聚合物在此項技術中為熟知的，其包括(但不限於)：聚(3,4－伸乙二氧基噻吩)(PEDOT)、聚苯 胺、聚噻吩及聚二乙炔。
"導電層"或"導電薄膜"係指金屬奈米線之網路層，其提供透明導體之導電介質。當存在基質時，金屬奈米線網路層與基質之組合亦稱為"導電層"。因為電導率係藉由自一條金屬奈米線滲透至另一條金屬奈米線之電荷達成，所以在導電層中必須存在足夠之金屬奈米線以達到電學滲透臨限且成為導電性的。導電層之表面電導率與其表面電阻率(有時稱為薄片電阻)成反比，該表面電阻率可藉由此項技術中已知之方法來量測。
同樣，當基質存在時，基質必須經足夠之金屬奈米線填充以成為導電性的。如本文中所使用，"臨限負載位準"係指在負載導電層後，金屬奈米線之重量百分比，在該位準下，導電層具有不大於約106 歐姆/平方(或Ω/□)之表面電阻率。更通常地，表面電阻率不大於105 Ω/□、不大於104 Ω/□、不大於1,000 Ω/□、不大於500 Ω/□或不大於100 Ω/□。臨限負載位準視諸如金屬奈米線之縱橫比、對準度、凝聚度及電阻率之因素而定。
如藉由熟習此項技術者所瞭解，基質之機械及光學特性可能藉由其中任何粒子之高負載而改變或受損。有利地，金屬奈米線之高縱橫比使得對於銀奈米線而言，可在較佳約0.05 μg/cm2 至約10 μg/cm2 ，更佳約0.1 μg/cm2 至約5 μg/cm2 及更佳約0.8 μg/cm2 到約3 μg/cm2 之臨限表面負載位準下形成穿過基質之導電網路。該等表面負載位準不影響基質之機械或光學特性。該等值強烈地視奈米線之尺寸及 空間分散度而定。有利地，可藉由調整金屬奈米線之負載位準來提供具有可調節電導率(或表面電阻率)及光學透明度之透明導體。
在某些實施例中，如圖10B中所示，導電層跨越基質之整個厚度。有利地，金屬奈米線之某一部分由於基質材料(例如聚合物)之表面張力而暴露於基質之表面19上。該特徵尤其適用於觸摸式顯示幕應用。詳言之，透明導體可在其至少一個表面上呈現表面導電性。圖10C說明如何相信嵌入基質中之金屬奈米線網路實現表面導電性。如所示，雖然諸如奈米線16a之一些奈米線可完全"浸沒"於基質18中，但諸如末端16b之其他奈米線末端突出於基質18之表面19以上。又，諸如中間區段16c之奈米線中間區段之一部分可突出於基質18之表面19以上。若足夠之奈米線末端16b及中間區段16c突出於基質18以上，則透明導體之表面變為導電性的。圖10D為透明導體之一實施例之表面的掃描電子顯微照片，其展示透明導體中突出於基質以上之奈米線之末端及中間區段的輪廓。
在其他實施例中，如圖10E中所示，導電層係藉由嵌入基質之一部分中之金屬奈米線而形成。導電層12"僅占基質18之一部分且完全"浸沒"於基質18中。
另外，經奈米線填充之導電層可經一或多個保護或增強導電層效能之介電塗層(例如外塗層或抗眩光薄膜)覆蓋。在該等情況下，導電層可不為表面導電的，但由平面內導電性來表徵。
在某些實施例中，外塗層中之表面導電性可藉由向外塗層中併入複數個奈米尺寸之導電粒子而產生。如圖10F中所示，以奈米線為主之導電層10沈積於基板14上。導電層10包含奈米線16，其達到滲透臨限且產生平面內導電性。外塗層17係形成於導電層10上。複數個導電粒子17a嵌入外塗層17中。有利地，奈米尺寸之導電粒子在外塗層中之負載位準無需達到展示表面導電性之滲透臨限。導電層仍作為帶電介質，其中奈米線已達到電學滲透位準。外塗層中之導電粒子因其與穿過外塗層厚度之下伏奈米線接觸而提供表面導電性。
因此，一實施例提供一種多層結構，其包含：一基板；一形成於該基板上之導電層，其中該導電層包含一第一複數個金屬奈米線，該第一複數個金屬奈米線達到電學滲透位準；及一形成於該導電層上之外塗層，該外塗層併入有一第二複數個導電粒子，該第二複數個導電粒子在該電學滲透位準以下。
如本文中所使用，奈米尺寸之導電粒子係指具有至少一個不大於500 nm，更通常不大於200 nm之尺寸的導電粒子。合適導電粒子之實例包括(但不限於)ITO、ZnO、摻雜ZnO、金屬奈米線(包括本文所述之彼等金屬奈米線)、金屬奈米管、碳奈米管(CNT)及其類似物。
"基板''或"所選基板"係指導電層塗佈或層壓於其上之材料。基板可為剛性的或可撓性的。基板可為透明或不透明的。如將在本文中所論述，術語"所選基板"通常結合層壓 方法一起使用。例如，合適剛性基板包括玻璃、聚碳酸酯、丙烯酸系物及其類似物。合適可撓性基板包括(但不限於)：聚酯(例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酯萘二甲酸酯及聚碳酸酯)，聚烯烴(例如直鏈、分枝狀及環狀聚烯烴)，聚乙烯(例如聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯縮醛、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯及其類似物)，纖維素酯基質(例如三乙酸纖維素、乙酸纖維素)，諸如聚醚碸之聚碸、聚醯亞胺、聚矽氧及其他習知聚合薄膜。合適基板之其他實例可見於(例如)美國專利第6,975,067號中。
通常，導電層之光學透明性或透明度可藉由包括光透射率及濁度之參數來定量定義。"光透射率(Light transmission)"(或"光透射率(light transmissivity)")係指經傳輸穿過介質之入射光的百分比。在各種實施例中，導電層之光透射率為至少80%且可高達98%。對於其中導電層沈積或層壓於基板上之透明導體而言，總體結構之光透射率可輕微地減小。諸如黏接層、抗反射層、抗眩光層之效能增強層可進一步有助於降低透明導體之總光透射率。在各種實施例中，透明導體之光透射率可為至少50%、至少60%、至少70%或至少80%且可高達至少91%至92%。
濁度為光擴散之指數。其係指自入射光分離且在透射期間散射之光之量的百分比。不同於主要為介質特性之光透射率，濁度常常為生產所關注之問題且通常由表面粗糙度及介質中之嵌入粒子或組成異質性而引起。在各種實施例中，透明導體之濁度不大於10%，不大於8%或不大於5% 且可低至不大於2%至0.5%。
效能增強層
如上所述，導電層由於基質而具有優越之物理及機械特徵。該等特徵可藉由在透明導體結構中引入額外層而進一步增強。因此，在其他實施例中，描述一種多層透明導體，其包含一或多個層，諸如抗反射層、抗眩光層、黏接層、障壁層及硬塗層。
作為一說明性實例，圖11展示一種包含如上所述之一導電層12及一基板14之多層透明導體20。該多層透明導體20另外包含一位於導電層12上之第一層22、一位於導電層12與基板14之間之第二層24及一位於基板14下方之第三層26。除非另外陳述，否則層22、24及26各自可為一或多個抗反射層、抗眩光層、黏接層、障壁層、硬塗層及保護薄膜。
層22、24及26提供各種功能，諸如增強總光學效能且改良透明導體之機械特性。該等額外層(亦稱為"效能增強層")可為一或多個抗反射層、抗眩光層、黏接層、障壁層及硬塗層。在某些實施例中，一個效能增強層提供多種益處。舉例而言，抗反射層亦可充當硬塗層及/或障壁層。除其特定特性之外，如本文中所定義，效能增強層為光學透明的。
在一實施例中，層22為抗反射層，層24為黏接層且層26為硬塗層。
在另一實施例中，層22為硬塗層，層24為障壁層且層26 為抗反射層。
在另一實施例中，層22為抗反射層、抗眩光層、障壁層及硬塗層之組合，層24為黏接層且層26為抗反射層。
"抗反射層"係指可在透明導體之反射表面降低反射損失之層。因此，抗反射層可位於透明導體之外表面上，或作為層之間的界面。適合作為抗反射層之材料在此項技術中為熟知的，其包括(但不限於)：氟聚合物、氟聚合物摻合物或共聚物，參見(例如)美國專利第5,198,267號、第5,225,244號及第7,033,729號。
在其他實施例中，反射損失可藉由控制抗反射層之厚度而有效降低。舉例而言，關於圖11，可控制層22之厚度以使得表面28及表面30之光反射相互抵消。因此，在各種實施例中，抗反射層為約100 nm厚或200 nm厚。
反射損失亦可藉由適當使用刻花表面而降低，參見(例如)美國專利第5,820,957號及關於來自MacDiarmid Autotype之Autoflex MARAGTM 及MotheyeTM 產品之文獻。
"抗眩光層"係指在透明導體之外表面處，藉由在該表面上提供精細粗糙度以散射反射來降低不良反射之層。合適之抗眩光材料在此項技術中為熟知的，其包括(但不限於)矽氧烷、聚苯乙烯/PMMA摻合物、漆(例如乙酸丁酯/硝化纖維/蠟/酸醇樹脂)、聚噻吩、聚吡咯、聚胺基甲酸酯、硝化纖維及丙烯酸酯，所有其均可包含諸如膠態二氧化矽或煙霧狀二氧化矽之光擴散材料。參見(例如)美國專利第6,939,576號、第5,750,054號、第5,456,747號、第 5,415,815號及第5,292,784號。該等材料之摻合物及共聚物可具有微尺度之組成異質性，其亦可展示降低眩光之光擴散性能。
"硬塗層"或"抗磨損層"係指提供額外表面保護以抵抗刮痕及磨損之塗層。合適硬塗層之實例包括合成聚合物，諸如聚丙烯酸系物、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯、聚矽烷、聚矽氧、聚(矽－丙烯酸)等。通常，硬塗層亦包含膠態二氧化矽。(參見(例如)美國專利第5,958,514號、第7,014,918號、第6,825,239號及其中所引用之參考文獻。)硬塗層之厚度通常為約1至50 μm。硬度可藉由此項技術中已知之方法來評估，諸如藉由在300 g/cm2 之負荷下，在2 cm之距離內，用鋼棉#000以2次往復/秒鐘刮劃塗層往復50次來評估(參見(例如)美國專利第6,905,756號)。硬塗層可藉由此項技術中已知之方法而進一步暴露於抗眩光製程或抗反射處理。
"黏接層"係指將兩個相鄰層(例如導電層及基板)接合在一起而不影響任一層之物理、電學或光學特性的任何光學透明材料。光學透明黏接材料在此項技術中為熟知的，其包括(但不限於)：丙烯酸系樹脂、氯化烯烴樹脂、氯乙烯－乙酸乙烯酯共聚物之樹脂、順丁烯二酸樹脂、氯化橡膠樹脂、環化橡膠樹脂、聚醯胺樹脂、香豆酮茚樹脂、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物之樹脂、聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯乙烯樹脂、聚矽氧烷及其類似物。
"障壁層"係指減少或防止氣體或液體滲透進入透明導體 中之層。已展示，經腐蝕金屬奈米線可引起導電層之電導率以及光透射率顯著降低。障壁層可有效抑制大氣腐蝕性氣體進入導電層及接觸基質中之金屬奈米線。障壁層在此項技術中為熟知的，其包括(但不限於)：參見(例如)美國專利申請案第2004/0253463號、美國專利第5,560,998號及第4,927,689號、EP專利第132,565號且JP專利第57,061,025號。此外，抗反射層、抗眩光層及硬塗層之任何者亦可充當障壁層。
在某些實施例中，多層透明導體可另外包含一位於導電層(例如層22)之上之保護薄膜。保護薄膜通常為可撓性的且可由與可撓性基板相同之材料製得。保護薄膜之實例包括(但不限於)：聚酯、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯、三乙酸酯(TAC)、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇縮丁醛、金屬離子交聯之乙烯－甲基丙烯酸共聚物、聚胺基甲酸酯、塞璐芬(cellophane)、聚烯烴或其類似物；PET、PC、PMMA或TAC由於其高強度而尤其較佳。
腐蝕抑制劑
在其他實施例中，透明導體除如上所述之障壁層以外可包含腐蝕抑制劑，或可包含腐蝕抑制劑替代如上所述之障壁層。不同腐蝕抑制劑可基於不同機制向金屬奈米線提供保護。應瞭解，適當選擇腐蝕抑制劑可對金屬奈米線提供 抵抗包括氧化及硫化之不利環境影響的多種保護。
根據一種機制，腐蝕抑制劑易於結合至金屬奈米線，在金屬表面上形成保護薄膜。其亦稱為障壁形成腐蝕抑制劑。
在一實施例中，障壁形成腐蝕抑制劑包括某些含氮及含硫有機化合物，諸如芳族三唑、咪唑及噻唑。已證明該等化合物在金屬表面上形成穩定錯合物以在金屬與其環境之間提供障壁。舉例而言，苯幷三唑(BTA)為用於銅或銅合金之通用有機腐蝕抑制劑(流程1)。亦可使用經烷基取代之苯幷三唑，諸如甲苯三唑及丁基苄基三唑。(參見(例如)美國專利第5,270,364號。)腐蝕抑制劑之額外合適實例包括(但不限於)：2－胺基嘧啶、5,6－二甲基苯幷咪唑、2－胺基－5－巰基－1,3,4－噻二唑、2－巰基嘧啶、2－巰基苯幷噁唑、2－巰基苯幷噻唑及2－巰基苯幷咪唑。
另一類障壁形成腐蝕抑制劑包括對金屬表面展示特定親和力之生物分子。該等生物分子包括例如半胱胺酸之小生物分子，及具有對金屬具有親和力之融合肽序列之合成肽及蛋白骨架，例如EEEE；參見(例如)美國申請案第 10/654,623號、第10/665,721號、第10/965,227號、第10/976,179號及第11/280,986號，美國臨時申請案第60/680,491號、第60/707,675號及第60/680,491號。
其他障壁形成腐蝕抑制劑包括二硫基噻二唑、烷基二硫基噻二唑及烷基硫醇，其中烷基為飽和C6 －C24 直鏈烴鏈。該類型之腐蝕抑制劑可在金屬表面上自組裝以形成單層(流程2)，藉此保護金屬表面以避免腐蝕。
在一特定實施例中，透明導體可包含一含有腐蝕抑制劑之儲集器，其提供呈氣相之腐蝕抑制劑的連續供應。適合於該持續傳遞之腐蝕抑制劑包括"氣相抑制劑"(VPI)。VPI通常為揮發性固體材料，其昇華且在金屬奈米線表面上形成單層。有利地，VPI可傳遞至金屬表面且以持續方式補給以用於持久保護。合適之VPI包括障壁形成抑制劑，諸如如本文所述之三唑、二硫基噻二唑、烷基二硫基噻二唑及烷基硫醇。
圖12說明適用於觸摸式顯示幕之該透明導體結構。更特定而言，邊緣密封件32及隔片36位於兩個導電層12之間。在兩個導電層12之間的空間中，存在一或多個儲集器40。 儲集器40為微觀的且稀疏分布以便其存在不引起透明導體透射率之降低。儲集器含有可併入聚合物基質中或浸入多孔材料中之腐蝕抑制劑，該腐蝕抑制劑可自該聚合物基質或多孔材料昇華成氣相以在金屬奈米線表面上形成單層44(參見插頁)。
根據另一機制，與金屬奈米線相比，腐蝕抑制劑更易於與腐蝕性元素(例如H2 S)結合。該等腐蝕抑制劑稱為"淨化劑"或"除氣劑"，其與金屬競爭且螯合腐蝕性元素。H2 S淨化劑之實例包括(但不限於)：丙烯醛、乙二醛、三嗪及正氯琥珀醯亞胺。(參見(例如)經公開之美國申請案第2006/0006120號。)
在某些實施例中，腐蝕抑制劑(例如H2 S淨化劑)可分散於基質中，其限制條件為其存在不會不利地影響導電層之光學或電學特性。
在其他實施例中，金屬奈米線可在沈積於基板上之前或之後用腐蝕抑制劑預處理。舉例而言，金屬奈米線可用例如BTA及二硫基噻二唑之障壁形成腐蝕抑制劑預塗佈。另外，金屬奈米線亦可用防鏽溶液處理。金屬防鏽處理在此項技術中為已知的。靶向H2 S腐蝕之特定處理描述於(例如)美國專利第4,083,945號及美國公開申請案第2005/0148480號中。
在其他實施例中，金屬奈米線可用較不傾向於由大氣元素腐蝕之另一金屬來合金化或電鍍。舉例而言，銀奈米線可經金電鍍，金較不易於氧化及硫化。
在某些實施例中，本文所述之透明導體可藉由包括薄片塗佈及高生產量網式塗佈之各種塗佈方法來製造。在其他實施例中，可使用層壓方法。有利地，與金屬氧化物薄膜之目前製造法相比，本文所述之製造方法不需要真空沈積。相反，該等製造方法可使用習知溶液處理設備來進行。此外，該等製造方法可與直接圖案化透明導體相容。
奈米線沈積及透明導體製造
在某些實施例中，本文中因此描述一種製造透明導體之方法，其包含：將複數個金屬奈米線沈積於一基板上，該等金屬奈米線係分散於流體中；及在該基板上藉由使該流體乾燥而形成一金屬奈米線網路層。
金屬奈米線可如上所述來製備。金屬奈米線通常分散於液體中以促進沈積。應瞭解，如本文中所使用，"沈積"及"塗佈"可交替使用。可使用金屬奈米線可於其中形成穩定分散液(亦稱為"金屬奈米線分散液")之任何非腐蝕性液體。較佳地，金屬奈米線係分散於水、醇、酮、醚、烴或芳族溶劑(苯、甲苯、二甲苯等)中。更佳地，液體為揮發性的，其具有不大於200℃，不大於150℃或不大於100℃之沸點。
另外，金屬奈米線分散液可含有添加劑及黏合劑以控制黏度、腐蝕、黏著力及奈米線分散液。合適添加劑及黏合劑之實例包括(但不限於)羧甲基纖維素(CMC)、2－羥乙基纖維素(HEC)、羥丙基甲基纖維素(HPMC)、甲基纖維素(MC)、聚乙烯醇(PVA)、三丙二醇(TPG)及三仙膠(XG)及 界面活性劑，諸如乙氧化物、烷氧化物、氧化乙烯及氧化丙烯及其共聚物、磺酸鹽、硫酸鹽、二磺酸鹽、磺基琥珀酸鹽、磷酸酯及氟界面活性劑(例如DuPont之Zonyl)。
在一實例中，奈米線分散液或"墨水"包括以重量計，0.0025%至0.1%之界面活性劑(例如，對於ZonylFSO－100而言，較佳範圍為0.0025%至0.05%)，0.02%至4%之黏度改質劑(例如，對於HPMC而言，較佳範圍為0.02%至0.5%)，94.5%至99.0%之溶劑及0.05%至1.4%之金屬奈米線。合適界面活性劑之代表性實例包括ZonylFSN、ZonylFSO、ZonylFSH、Triton(x100、x114、x45)、Dynol(604、607)、正十二烷基b－D－麥芽糖苷及Novek。合適黏度改質劑之實例包括羥丙基甲基纖維素(HPMC)、甲基纖維素、三仙膠、聚乙烯醇、羧甲基纖維素及羥乙基纖維素。合適溶劑之實例包括水及異丙醇。
分散液中之奈米線濃度可影響或確定諸如奈米線網路層之厚度、電導率(包括表面電導率)、光學透明度及機械特性之參數。可調整溶劑之百分比以提供所要之奈米線於分散液中之濃度。然而，在較佳實施例中，其他成份之相對比率可保持相同。詳言之，界面活性劑與黏度改質劑之比率較佳在約80至約0.01之範圍內；黏度改質劑與金屬奈米線之比率較佳在約5至約0.000625之範圍內；且金屬奈米線與界面活性劑之比率較佳在約560至約5之範圍內。分散液各組份之比率可視基板及所使用之應用方法而改變。奈米線分散液之較佳黏度範圍在約1 cP與100 cP之間。
視情況，基板可經預處理以製備用以更佳接受奈米線之後續沈積的表面。表面預處理提供多種功能。舉例而言，其致使能夠沈積均勻之奈米線分散液層。另外，其可將奈米線固定於基板上以用於後續處理步驟。此外，預處理可連同圖案化步驟一起進行以產生奈米線之圖案化沈積。如將在下文進一步更詳細論述，預處理包括對視情況經圖案化之中間層的溶劑或化學洗滌、加熱、沈積以使將奈米線分散液呈現適當之化學或離子狀態，以及諸如電漿處理、UV－臭氧處理或電暈放電之其他表面處理。
沈積之後，藉由蒸發移除液體。蒸發可藉由加熱(例如烘焙)來加速。所得奈米線網路層可需要後處理以使其具導電性。該後處理可為如下所述涉及暴露於熱、電漿、電暈放電、UV－臭氧或壓力之方法步驟。
在某些實施例中，本文中因此描述一種製造透明導體之方法，其包含：將複數個金屬奈米線沈積於一基板上，該等金屬奈米線係分散於流體中；在該基板上藉由使該流體乾燥而形成一金屬奈米線網路層，將基質材料塗佈於該金屬奈米線網路層上，及將該基質材料固化以形成基質。
如本文中所定義，"基質材料"係指可固化為基質之材料或材料混合物。"固化"係指其中單體或部分聚合物(少於150個單體)聚合及/或交聯以便形成固體聚合基質之過程。合適聚合條件在此項技術中為熟知的且包括(舉例而言)加熱單體，用可見光或紫外(UV)光、電子束及其類似物照射單體。另外，同時由溶劑移除而引起之聚合物/溶劑系統 之"凝固"亦在"固化"之含義內。
固化度可藉由選擇單體之初始濃度及交聯劑之量來控制。其另外可藉由調整諸如允許用於聚合之時間及發生聚合之溫度及其類似物之固化參數來操控。在某些實施例中，部分固化之基質可經驟冷以停止固化過程。例如，可藉由固化聚合物之分子量或藉由在指示反應性化學物質之波長下之光學吸光度來監控固化或聚合程度。
因此，在某些實施例中，基質材料包含可完全或部分固化之聚合物。光學透明聚合物在此項技術中為已知的。合適聚合基質之實例包括(但不限於)：諸如聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯及聚丙烯腈之聚丙烯酸酯(或"丙烯酸酯")，聚乙烯醇，聚酯(例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酯萘二甲酸酯及聚碳酸酯)，具有高芳香度之聚合物(諸如酚系樹脂或甲酚－甲醛樹脂(Novolacs)、聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚硫醚、聚碸、聚苯及聚苯醚)，聚胺基甲酸酯(PU)，環氧樹脂，聚矽氧－環氧樹脂，聚烯烴(例如聚丙烯、聚甲基戊烯及環狀烯烴)，丙烯腈－丁二烯－苯乙烯共聚物(ABS)，纖維素，聚矽氧及其他含矽聚合物(例如聚倍半矽氧烷及聚矽烷)，聚矽氧－矽氧烷，聚氯乙烯(PVC)，聚乙酸酯，聚降冰片烯，合成橡膠(例如EPR、SBR、EPDM)及氟聚合物(例如聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯(TFE)或聚六氟丙烯)，氟烯烴及烯烴之共聚物(例如Lumiflon)，及非晶形氟碳化物聚合物或共聚物(例如 Asahi Glass Co.之CYTOP，或Du Pont之TeflonAF)。
在其他實施例中，基質材料包含預聚物。"預聚物"係指可聚合及/或交聯以形成如本文所述之聚合基質之單體之混合物或寡聚物或部分聚合物之混合物。鑒於理想之聚合基質來選擇合適之單體或部分聚合物係在熟習此項技術者之知識範圍內。
在一較佳實施例中，預聚物為可光固化的，亦即，預聚物在暴露於照射後聚合及/或交聯。如將更詳細描述，以可光固化預聚物為主之基質可藉由在選擇性區域中暴露於照射來圖案化。在其他實施例中，預聚物為可熱固化的，其可藉由選擇性暴露於熱源來圖案化。
通常，基質材料為液體。基質材料可視情況包含溶劑。可使用可有效溶劑化或分散基質材料之任何非腐蝕性溶劑。合適溶劑之實例包括水、醇、酮、四氫呋喃、烴(例如環己烷)或芳族溶劑(苯、甲苯、二甲苯等)。更佳地，溶劑為揮發性的，其具有不大於200℃，不大於150℃或不大於100℃之沸點。
在某些實施例中，基質材料可包含交聯劑、聚合引發劑、穩定劑(例如包括用於較長產品壽命之抗氧化劑及UV穩定劑及用於較大存放期之聚合抑制劑)、界面活性劑及其類似物。在其他實施例中，基質材料可另外包含腐蝕抑制劑。
如本文中所述，透明導體可藉由(例如)薄片塗佈、網式塗佈、印刷及層壓來製造。
(a)薄片塗佈 薄片塗佈適合於在任何基板(尤其為剛性基板)上塗佈導電層。
圖13A－13B展示藉由薄片塗佈製造透明導體之一實施例。金屬奈米線分散液(未圖示)最初可沈積於基板14。滾筒100可滾動穿越基板14之頂部表面105，於頂部表面105上留下金屬奈米線分散液層110(圖13A)。使層110乾燥且於表面105上形成金屬奈米線網路層114(圖13B)。
基板可需要預處理以致使黏附於基板之均勻奈米線分散液層110沈積以用於後續處理步驟。該處理可包括對視情況經圖案化之中間層的溶劑或化學洗滌、加熱、沈積以使奈米線分散液呈現適當之化學或離子狀態，以及諸如電漿處理、UV－臭氧處理或電暈放電之其他表面處理。
舉例而言，中間層可沈積於基板表面上以固定奈米線。中間層使表面功能化且改質以促進奈米線與基板之結合。在某些實施例中，中間層可在沈積奈米線之前塗佈於基板上。在其他實施例中，中間層可與奈米線共沈積。
在某些實施例中，諸如多肽之多官能生物分子可用作中間層。多肽係指藉由肽(醯胺)鍵連接之胺基酸(單體)的聚合序列。多肽中之胺基酸單體可為相同或不同的。具有側鏈官能基(例如胺基或羧酸基團)之胺基酸為較佳的。因此，合適多肽之實例包括聚－L－離胺酸、聚－L－麩胺酸及其類似物。多肽可在奈米線沈積之前塗佈於基板上。或者，多肽可與奈米線分散液一起共沈積於基板上。包括玻璃、 聚酯基板(例如聚對苯二甲酸乙二酯)之許多基板對多肽展示親和力。
有利地，中間層可以預定圖案沈積，其致使奈米線可根據相同圖案沈積。
其他預處理方法亦可連同圖案化步驟一起進行以執行圖案化沈積。舉例而言，電漿表面處理可經由具有所要圖案之孔眼遮罩來進行。因此，基板表面包含至少一個預處理區域及至少一個未經處理之區域。沈積於預處理區域上之奈米線黏附至基板，此優於其黏附於未經處理之區域。因此，圖案化沈積可藉由(例如)洗滌而移除未經處理區域上之奈米線來達成。
應瞭解，上文所述之預處理亦適用於根據下文描述製造透明導體之其他方法。
所形成之奈米線網路層可另外需要後處理以使其具導電性。該後處理可為如將在下文更詳細論述之涉及暴露於熱、電漿、電暈放電、UV－臭氧或壓力之方法步驟。
在一些實施例中，基質材料可塗佈於奈米線網路層114上以形成基質材料層116(圖13C)。如圖13D中所示，使基質材料層116固化以獲得基質且可獲得圖10A－10E之結構。
應瞭解，可使用刷、印模、噴霧施料器、槽模施料器或任何其他合適施料器來替代滾筒100。另外，如下文進一步論述，亦可使用反向及前向凹版印刷、槽模塗佈、反向及前向液滴塗佈及下引台將奈米線沈積至基板上。有利地，可使用具有預定圖案凹座之滾筒或印模來塗佈經圖案 化之金屬奈米線分散液層或基質材料層，因此印刷經圖案化之導電層(例如凹版印刷)。導電層亦可藉由將奈米線或基質調配物經由孔眼遮罩噴霧至基板上來圖案化。若基質材料層沈積或固化為圖案化層，則可藉由移除足夠數量之奈米線以將奈米線之濃度降至滲透臨限以下而將圖案轉移至金屬奈米線層中。奈米線可藉由用合適溶劑將其洗滌或刷除或藉由將其轉移至黏性或黏接滾筒而移除。
另外應瞭解，可進行額外沈積或塗佈，同時允許在兩個連續塗佈步驟之間乾燥或固化。舉例而言，任何數量之效能增強層可以與上文所述相同之方式來塗佈。
(b)網式塗佈 在紡織品及紙工業中已使用網式塗佈以用於高速(高生產量)塗佈應用。其可與用於透明導體製造之沈積(塗佈)方法相容。有利地，網式塗佈使用習知設備且可為完全自動化的，其顯著降低製造透明導體之成本。詳言之，網式塗佈在可撓性基板上產生均勻及可再現之導電層。方法步驟可在完全整合之生產線上運作或作為獨立操作連續運作。
圖14A展示一實施例，其中呈薄膜或網形式之可撓性基板可沿移動路徑連續塗佈。更特定而言，安裝於捲軸118上之基板14藉由馬達(未圖示)牽引且沿行進路徑120移動。基板可直接或經由傳送帶系統(未圖示)饋送至捲軸。儲存槽122位於基板14之上。儲存槽122含有用於金屬奈米線沈積之金屬奈米線分散液124。儲存槽122中之孔眼128將金屬奈米線分散液132之連續流傳遞於基板14上，以於基板 14之頂部表面105上形成層110。
應瞭解，基質材料儲存於另一儲存槽(未圖示)中，且基質材料可以與上文所述相同之方式塗佈。
另外應瞭解，可使用任何分配裝置來替代儲存槽，包括噴霧裝置(例如傳遞加壓分散液之霧化器)、刷塗裝置、傾倒裝置及其類似物。如同薄片塗佈，亦可使用印刷裝置來提供圖案化塗層。
圖14B展示網式塗佈之替代方法，其中在基板之底部表面上進行塗佈。如同圖14A中說明之方法，基板14沿行進路徑120移動。塗佈滾筒140位於基板以下且部分浸沒於儲存於儲存槽122中之金屬奈米線分散液124中。塗佈滾筒140將金屬奈米線分散液層110傳遞於基板14之底部表面144上。塗佈滾筒140可在行進路徑120之方向上或在相反方向上旋轉。基質材料之塗佈可以相同方式進行。
在圖14A及14B中所述之方法中，應注意，可在各個沈積步驟之前或之後應用各種表面處理。如將在下文中更詳細描述，表面處理可增強所形成之導電層的透明度及/或電導率。合適表面處理包括(但不限於)溶劑或化學洗滌、電漿處理、電暈放電、UV/臭氧處理、壓力處理及其組合。
圖15A展示一種用於製造透明導體之綜合方法流程。如所示，網式塗佈系統146包括一藉由馬達(未圖示)驅動之捲取軸147。捲取軸147沿行進路徑150自供應捲軸148牽引基板14(例如可撓性聚合物薄膜)。隨後基板14沿行進路徑150 經受連續處理及塗佈製程。對於熟習此項技術者而言將顯而易見，捲軸速度、沈積速度、基質材料濃度及乾燥及固化方法之適合性尤其為確定所形成之導電層之均勻性及厚度的因素。
此外，在某些實施例中，進行預處理以製備用於後續塗佈製程之基板。更特定而言，基板14可視情況在預處理台160處經表面處理以改良後續奈米線沈積之效率。另外，基板在沈積之前之表面處理可增強隨後沈積之奈米線的均勻性。
表面處理可藉由此項技術中已知之方法來進行。舉例而言，電漿表面處理可用以改質基板表面之分子結構。使用諸如氬、氧或氮之氣體，電漿表面處理可在低溫下產生高反應性物質。通常，該方法中僅涉及表面上之少數原子層，因此基板(例如聚合物薄膜)之整體特性仍不因化學作用而改變。在許多情況下，電漿表面處理提供用於增強濕潤及黏接接合之足夠表面活化作用。作為一說明性實例，可在March PX250系統中，使用以下操作參數進行氧電漿處理：150 W，30秒鐘，O2 流量：62.5 sccm，壓力：約400毫托(mTorr)。
在其他實施例中，表面處理可包括將中間層沈積於基板上。如上所述，中間層通常對奈米線及基板兩者均展示親和力。因此，中間層能夠固定奈米線且使奈米線黏附至基板。適合作為中間層之代表性材料包括多官能生物分子，包括多肽(例如聚－L－離胺酸)。
其他例示性表面處理包括用溶劑洗滌表面、電暈放電及UV/臭氧處理，其全部均為熟習此項技術者所已知。
其後，基板14前進至金屬奈米線沈積台164，其傳遞如本文所定義之金屬奈米線分散液166。沈積台可為如圖14A中所述之儲存槽、噴霧裝置、刷塗裝置及其類似物。金屬奈米線分散液層168沈積於表面105上。或者，印刷裝置可用以將金屬奈米線分散液之圖案化塗層塗覆於基板上。舉例而言，可使用具有預定圖案之凹座的印模或滾筒。印模或滾筒可藉由此項技術中已知之方法連續浸入金屬奈米線分散液中。
層168可視情況在沖洗台172處沖洗。其後，層168在乾燥台176處乾燥以形成金屬奈米線網路層180。
視情況，可在後處理台184處處理網路層180。舉例而言，用氬或氧電漿對金屬奈米線進行表面處理可改良網路層180之透明度及電導率。作為一說明性實例，可在March PX250系統中，使用以下操作參數進行Ar或N2 電漿：300 W，90秒鐘(或45秒鐘)，Ar或N2 氣體流量：12 sccm，壓力約300毫托。亦可使用其他已知之表面處理，例如電暈放電或UV/臭氧處理。舉例而言，Enercon系統可用於電暈處理。
作為後處理之一部分，網路層可進一步經壓力處理。更特定而言，網路層180經由滾筒186及187饋送，該等滾筒對網路層180之表面185施加壓力。應瞭解，亦可使用單一滾筒。
有利地，對根據本文所述方法製造之金屬奈米線網路施加壓力可增加導電層之電導率。
詳言之，可藉由使用一或多個滾筒(例如圓柱條)對根據本文所述方法製造之導電薄片透明導體之一或兩個表面施加壓力，該等滾筒之一或兩者可(但不必)具有比導電層之寬度尺寸更大之長度尺寸。若使用單一滾筒，則網路層可置放於剛性表面上且單一滾筒使用已知方法滾動穿過導電層之暴露表面，同時對滾筒施加壓力。若使用兩個滾筒，則網路層可如圖15A中所示在兩個滾筒之間滾動。
在一實施例中，可藉由一或多個滾筒對透明導體施加50至10,000 psi。亦認為可施加100至1000 psi、200至800 psi或300至500 psi。較佳地，在塗覆任何基質材料之前對透明導體施加壓力。
若使用兩個或兩個以上滾筒對導電薄片施加壓力，則可使用"夾壓"或"夾持"滾筒。夾壓滾筒或夾持滾筒在此項技術中為充分瞭解的且論述於(例如)3M Technical Bulletin "Lamination Techniques for Converters of Laminating Adhesives," 2004年3月，其以引用的方式全部併入本文中。
已確定，在應用如上文論述之電漿處理之前或之後對金屬奈米線網路層施加壓力改良其電導率，且可在有或無先前或後續電漿處理下進行。如圖15A中所示，滾筒186及187可滾動穿越網路層180之表面185一次或多次。若滾筒滾動穿越網路層180多次，則滾動可在相對於平行於薄片 滾動表面之軸的相同方向上(例如沿行進路徑150)或在不同方向上(未圖示)進行。
圖15B為在使用不鏽鋼滾筒施加約1000 psi至約2000 psi後，金屬奈米線導電網路810之一部分的SEM影像。導電網路810包括複數個奈米線交叉點，諸如交叉點812a、812b及812c。如所示，各交叉點812a、812b及812c處之至少頂部奈米線814、816及818具有平坦橫截面，其中相交導線已藉由施加壓力而壓入彼此之中，藉此增強奈米線導電網路之連接性以及電導率。
亦可在該點施加熱以用作後處理。通常，將透明導體暴露於80℃至250℃之任何溫度歷時至多10 min，且更佳為暴露於100℃至160℃之任何溫度歷時約10秒鐘至2分鐘之任何時間。透明導體亦可暴露於高於250℃之溫度且可視基板類型而高達400℃。舉例而言，玻璃基板可在約350℃至400℃之溫度範圍內經熱處理。然而，在較高溫度(例如高於250℃)下之後處理可能需要存在諸如氮或稀有氣體之非氧化性氣氛。
加熱可線上或離線進行。舉例而言，在離線處理中，可將透明導體置放於設定為給定溫度之薄片乾燥烘箱中歷時預定量之時間。以此方式加熱透明導體可改良如本文所述製造之透明導體的電導率。舉例而言，將使用如本文所述之捲軸式(reel－to－reel)方法製造之透明導體置放於設定為200℃溫度之薄片乾燥烘箱中歷時30秒鐘。在此熱後處理之前，透明導體具有約12 kΩ/□之表面電阻率，其在後處 理之後降至約58 Ω/□。
在另一實例中，將經類似製備之第二透明導體在100℃下之薄片烘箱中加熱30秒鐘。第二透明導體之電阻率自約19 kΩ/□降至約400 Ω/□。亦認為，透明導體可使用不同於薄片烘箱之方法來加熱。舉例而言，紅外燈可用作線上或離線方法來加熱透明導體。RF電流亦可用以加熱金屬奈米線網路。可藉由經由與奈米線網路之電接觸而誘導之廣播微波或電流而於金屬奈米線網路中誘導RF電流。
另外，可使用對透明導體施加熱及壓力之後處理。詳言之，為施加壓力，透明導體可經由如上所述之一或多個滾筒來置放。為同時施加熱，可加熱滾筒。藉由滾筒所施加之壓力較佳為10至500 psi，且更佳為40至200 psi。較佳地，將滾筒加熱至約70℃與200℃之間，且更佳加熱至約100℃與175℃之間。該熱與壓力之組合施加可改良透明導體之電導率。可用以同時施加適當壓力及熱之機器為Banner American Products of Temecula,CA之層壓機。可在如下所述之沈積及固化基質或其他層之前或之後進行熱與壓力之組合施加。
可用以增加透明導體之電導率的另一種後處理技術為將如本文所揭示製造之透明導體的金屬線導電網路暴露於金屬還原劑。詳言之，銀奈米線導電網路可較佳暴露於諸如硼氫化鈉之銀還原劑，較佳歷時約10秒鐘至約30分鐘且更佳約1分鐘至約10分鐘之任何時間。如將由一般熟習此項技術者所瞭解，該暴露可線上或離線進行。
如上所述，該處理可增加透明導體之電導率。舉例而言，將位於PET基板上且根據本文所揭示之捲軸式方法所製備之銀奈米線透明導體暴露於2%之NaBH4 歷時1分鐘，隨後將其在水中沖洗且在空氣中乾燥。在該後處理之前，透明導體具有約134 Ω/□之電阻率且在該後處理之後，透明導體具有約9 Ω/□之電阻率。在另一實例中，將位於玻璃基板上之銀奈米線透明導體暴露於2%之NaBH4 歷時7分鐘，在水中沖洗且風乾。在該後處理之前，透明導體具有約3.3 MΩ/□之電阻率且在該後處理之後，透明導體具有約150 Ω/□之電阻率。不同於硼氫化鈉之還原劑可用於該後處理。其他合適之還原劑包括諸如硼氫化鈉之其他硼氫化物；諸如二甲基胺基硼烷(DMAB)之硼氮化合物；及諸如氫氣(H2 )之氣體還原劑。
其後，基板14前進至基質沈積台188，其傳遞如本文所定義之基質材料190。基質沈積台188可為如圖14A中所述之儲存槽、噴霧裝置、刷塗裝置、印刷裝置及其類似物。因此，基質材料層192沈積於網路層180上。有利地，基質材料可藉由印刷裝置來沈積以形成圖案化層。
隨後使層192在固化台200處固化。在基質材料為聚合物/溶劑系統時，層192可藉由使溶劑蒸發來固化。固化製程可藉由加熱(例如烘焙)來加速。當基質材料包含可輻射固化之預聚物時，層192可藉由照射來固化。視預聚物之類型而定，亦可使用熱固化(熱誘導之聚合作用)。
視情況，圖案化步驟可在基質材料層192固化之前進 行。圖案化台198可位於基質沈積台188之後及固化台200之前。圖案化步驟將在下文中更詳細地論述。
固化製程於基質210中形成一包含金屬奈米線網路層180之導電層204。導電層204可在後處理台214處經進一步處理。
在一實施例中，導電層204可在後處理台214處經表面處理以將金屬奈米線之一部分暴露於導電層之表面上。舉例而言，微小量之基質可藉由溶劑、電漿處理、電暈放電或UV/臭氧處理而蝕刻掉。所暴露之金屬奈米線尤其適用於觸摸式顯示幕應用。
在另一實施例中，金屬奈米線之一部分在固化製程後暴露於導電層204之表面上(亦參見圖10C及10D)，且無需蝕刻步驟。詳言之，當適當控制基質材料層192之厚度及基質調配物之表面張力時，基質將不會濕潤金屬奈米線網路之頂部部分且金屬奈米線之一部分將暴露於導電層之表面上。
導電層204及基板14隨後藉由捲取軸147而向上牽引。該製造流程方法亦稱為"捲軸式"或"捲筒式"方法。視情況，基板可藉由沿傳送帶行進來穩定。
在"捲軸式"方法中，可沿移動基板之行進路徑進行多次塗佈步驟。因此，可定製或另外調適網式塗佈系統146以視需要併入任何數量之額外塗佈台。舉例而言，效能增強層(抗反射層、黏接層、障壁層、抗眩光層、保護層或保護薄膜)之塗佈可完全整合至該流程方法中。
有利地，捲軸式方法能夠以高速及低成本產生均勻透明導體。詳言之，由於塗佈方法之連續流程，塗佈層不具有後邊緣。
(c)層壓 不管其通用性如何，"捲軸式"方法不可與諸如玻璃之剛性基板相容。雖然剛性基板可藉由薄片塗佈來塗佈且可能在傳送帶上運載，但其通常經歷邊緣缺陷及/或缺乏均勻性。另外，薄片塗佈為較低生產量之方法，其可顯著增加生產成本。
因此，本文描述一種經由使用可撓性供體基板來製造透明導體之層壓方法。該方法可與剛性基板及可撓性基板相容。更特定而言，該層壓方法包含：在一可撓性供體基板上塗佈一導電層，該導電層包括複數個可嵌入基質中之金屬奈米線；自該可撓性供體基板分離該導電層；及將該導電層轉移至所選基板。有利地，可藉由捲軸式方法於可撓性供體基板上進行塗佈步驟，此係因為供體基板為可撓性的。其所形成之導電層隨後可經由標準層壓方法轉移至可為剛性或可撓性之所選基板。若僅將奈米線沈積於可撓性供體基板上且不使用基質材料，則可使用層壓黏接劑將導電層附著至所選基板。
"可撓性供體基板"係指呈薄片、薄膜、網及其類似物形式之可撓性基板。可撓性供體基板不受特定限制，只要其可與導電層分離即可。可撓性供體基板可為如本文所述之任何可撓性基板。另外，可撓性供體基板可為編織或非編 織紡織品、紙及其類似物。可撓性供體基板不必為光學透明的。
在某些實施例中，可撓性供體基板可在塗佈導電層之前經釋放層預塗佈。"釋放層"係指黏附於供體基板且可藉由網式塗佈於其上形成導電層之薄層。釋放層必須允許供體基板易於自導電層移除而不損壞導電層。通常，釋放層係由具有低表面能之材料形成，該材料包括(但不限於)：以矽為主之聚合物、氟化聚合物、澱粉及其類似物。
圖16A說明層壓結構230之一實例，其包含一可撓性供體基板240、一塗佈於該可撓性供體基板240上之釋放層244及一塗佈於該釋放層244上之導電層250。
層壓結構230可使用可撓性供體基板，以與結合圖15A所述相同之方式來製造。在金屬奈米線沈積之前，將釋放層244沈積或塗佈於可撓性供體基板上。如本文所述，導電層250可藉由金屬奈米線沈積，繼而基質沈積而形成。
導電層隨後經均勻地轉移至所選基板。詳言之，通常不適於捲軸式塗佈方法之剛性基板(例如玻璃)可與導電層一起層壓。如圖16B中所示，層壓結構230藉由使導電層250之表面262與基板260接觸而轉移至基板260(例如玻璃)。在某些實施例中，聚合基質(例如PET、PU、聚丙烯酸酯)向基板260提供足夠之黏著力。其後，如圖16C中所示，可撓性供體基板240可藉由自導電層250分離釋放層244而移除。
在其他實施例中，可使用黏接層以於層壓步驟期間提供 導電層與基板之間的良好接合。圖17A展示一種層壓結構270，其除可撓性供體基板240、釋放層244及導電層250以外亦包含一外塗層274及一黏接層278。該黏接層278具有一黏接表面280。
層壓結構270可藉由如結合圖15A所述之捲軸式方法來製造，其條件為網式塗佈系統146經調適以提供用於塗佈黏接層及外塗層之額外台面。黏接層係如本文所定義(例如聚丙烯酸酯、聚矽氧烷)，且可為壓敏性、熱熔融、可輻射固化及/或可熱固化的。外塗層可為包括硬塗層、抗反射層、保護薄膜、障壁層及其類似物之效能增強層中之一或多者。
在圖17B中，層壓結構270經由黏接表面280與基板260接合。其後，如圖17C中所示，可撓性供體基板240係藉由自外塗層274分離釋放層244而移除。
在某些實施例中，可在層壓方法期間使用熱或壓力來增強黏接層(或在不存在黏接層時為導電層)與基板之間的接合。
在其他實施例中，由於導電層關於可撓性供體基板及所選基板之親和力差異，因此釋放層並非必要的。舉例而言，導電層可對玻璃具有比對紡織品供體基板高得多之親和力。在層壓方法之後，可移除紡織品供體基板，而導電層與玻璃基板牢固接合。
在某些實施例中，可能在層壓方法期間進行圖案化轉移。舉例而言，可藉由熱梯度來加熱基板，其根據預定圖 案而在基板上提供加熱區域及非加熱區域。僅加熱區域將由於增強之親和力(例如黏著力)而與導電層層壓，因此在基板上提供圖案化導電層。例如，基板上之加熱區域可藉由位於待加熱基板區域下方之鎳鉻合金線加熱器而產生。
在其他實施例中，圖案化轉移可藉由基於由某些基質材料或黏接劑所呈現之壓敏性親和力的壓力梯度而實現。舉例而言，圖案化層壓滾筒可用以根據預定圖案來施加不同壓力。圖案化層壓滾筒亦可經加熱以增進受壓區域與未受壓區域之間的親和力差異。
在其他實施例中，導電層可根據預定圖案，在層壓方法之前預切割(例如模切割)。在將預切割之導電層轉移至基板之後，保留具有預定圖案之導電層，而沿預切割輪廓移除其餘部分。
圖案化
如上所述，可藉由根據圖案選擇性地固化預聚物塗層而形成圖案化導電層。固化方法可光解進行或熱進行。圖18說明其中導電層經光圖案化之一實施例。更特定而言，金屬奈米線網路層114係根據本文所述之方法(例如圖13A－13D)而沈積於基板14上。應瞭解，基板14可為任何基板，包括可撓性供體基板。
其後，預聚物塗層300沈積於金屬奈米線網路層114上。照射源310提供用於固化預聚物塗層之光子能。遮罩314位於預聚物塗層300與照射源310之間。暴露之後，僅暴露於照射之區域經固化(亦即區域320)；未固化區域324中之預 聚物塗層及奈米線可藉由用合適溶劑洗滌或刷塗或藉由用黏性滾筒將其卸除而移除。
可光固化之預聚物在此項技術中為熟知的。在某些實施例中，可光固化之預聚物包括包含適合於鏈伸長及交聯之一或多個雙鍵或官能基(例如氫化物或羥基)的單體。在其他實施例中，可光固化之預聚物包含含有適合於交聯或鏈伸長之一或多個雙鍵或官能基(例如氫化物或羥基)的部分聚合物或寡聚物。
含有雙鍵之單體的實例為丙烯酸烷酯或丙烯酸羥基烷酯或甲基丙烯酸烷酯或甲基丙烯酸羥基烷酯，諸如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2－乙基己酯及丙烯酸2－羥基乙酯、丙烯酸異冰片酯、甲基丙烯酸甲酯及甲基丙烯酸乙酯，聚矽氧丙烯酸酯，丙烯腈，丙烯醯胺，甲基丙烯醯胺，經N－取代之(甲基)丙烯醯胺，諸如乙酸乙烯酯之乙烯基酯，諸如異丁基乙烯醚之乙烯基醚，苯乙烯，烷基苯乙烯及鹵基苯乙烯，N－乙烯基吡咯啶酮，乙烯基氯及偏二氯乙烯。
含有兩個或兩個以上雙鍵之單體的實例為乙二醇、丙二醇、新戊二醇、己二醇之二丙烯酸酯及雙酚A之二丙烯酸酯，及4,4'－雙(2－丙烯醯基氧基乙氧基)二苯基丙烷，三羥甲基丙烷三丙烯酸酯，異戊四醇三丙烯酸酯或異戊四醇四丙烯酸酯，丙烯酸乙烯酯，二乙烯基苯，琥珀酸二乙烯酯，鄰苯二甲酸二烯丙酯，磷酸三烯丙酯，異三聚氰酸三烯丙酯或異三聚氰酸參(2－丙烯醯基乙基)酯。
部分聚合物之實例包括(但不限於)丙烯酸化環氧樹脂、丙烯酸化聚酯、含有乙烯基醚或環氧基之聚酯、聚胺基甲酸酯及聚醚、不飽和聚酯樹脂。在一較佳實施例中，預聚物為丙烯酸酯。術語"丙烯酸酯"係指包含丙烯醯基部分之單體(例如甲基丙烯酸酯)。"丙烯酸酯"亦可係指藉由聚合包含丙烯醯基部分之單體而形成之部分聚合物或聚合物。丙烯酸酯之實例係如本文所論述。
視情況，光引發劑可用以引發聚合反應及/或交聯反應。光引發劑吸收光子能且產生自由基，其引發包括鏈伸長及交聯之自由基聚合反應級聯。光引發劑在此項技術中為熟知的。合適光引發劑之實例包括(但不限於)肟酯、苯基酮、鎓鹽及膦氧化物，參見(例如)美國專利第6,949,678號、第6,929,896號及第6,803,392號；N.Buhler & D.Bellus,"Photopolymers as a powerful tool in modern technology",Pure & Appl.Chem.，第67卷，第1期，第25－31頁，1995；J.Crivello in Advances in Polymer Science，第62卷，第1－48頁(1984)。在一較佳實施例中，光引發劑為Ciba IrgacureTM 754。通常，藉助於使用光引發劑，預聚物塗層可在5分鐘內，更佳在30秒鐘內固化。
在其他實施例中，熱圖案化可使用隔熱遮罩(例如孔眼遮罩)來進行，該隔熱遮罩僅將待固化之基質材料層區域暴露於熱源。或者，在一無遮罩之方法中，可使用雷射直接寫入技術(laser direct－write technology)直接地將經加熱圖案"寫"於預聚物塗層上。可熱固化之基質材料為熟習此 項技術者所已知。舉例而言，基質材料可為環氧樹脂、樹脂及溶膠－凝膠複合材料。
光圖案化方法及熱圖案化方法可與上文所述之"捲軸式"方法相容。舉例而言，如圖15A中所示，光圖案化台198可為網式塗佈系統146之部分。光圖案化台198可以多種方式來配置以允許預聚物塗層之連續暴露及固化。
在一實施例中，如圖19A中所示，旋轉柱體330為光圖案化台198之部分(網式塗佈系統146未圖示)。經預聚物塗層300塗佈之基板14藉由傳送帶332順向移動。旋轉柱體以與傳送帶332相同之速度旋轉。照射源310位於旋轉柱體330內部。將旋轉柱體330之外部334圖案化、穿孔或另外提供開口338以使得光可照射預聚物塗層300。視情況，用於防止任何雜散光之保護縫隙或視準儀340可緊接位於移動基板之上。
在一相關組態中，如圖19B中所示，可使用具有經圖案化或穿孔之外部352的圖案化帶350。圖案化帶350係藉由滾筒354來驅動，該等滾筒中之一者連接至馬達(未圖示)。圖案化帶350以與移動傳送帶332相同之速度移動，使得預聚物塗層300可經由開口360連續暴露於照射源310。視情況，可使用保護縫隙340。
圖20展示一種用於在基板上形成圖案化導電層之部分整合系統。系統400可完全整合至網式塗佈系統146中。詳言之，光圖案化台198與圖19A中所示之光圖案化台相同。在光暴露及固化之後，預聚物塗層300在選擇性區域處固化 且將在洗滌台370處經進一步處理以移除任何未固化之預聚物。目前包含經固化區域380及裸金屬奈米線區域374之基板14移動至旋轉黏性滾筒384。黏性滾筒384接觸且移除裸金屬奈米線區域374。在移除裸金屬奈米線之後，以非導電區域386之間的導電區域380塗佈基板。
在另一實施例中，導電層可藉由蝕刻圖案化。視導電層之組成而定，各種蝕刻溶液均可用於溶解及移除未遮蔽區域中之導電層部分。
在一實施例中，可使用包含硝酸(HNO3 )之酸蝕刻溶液。通常，硝酸以0.01%－40%存在，更通常，硝酸以0.01%－10%存在。酸蝕刻溶液可另外包含痕量(例如約1－100 ppm)之過錳酸鉀(KMnO4 )。在一實施例中，酸蝕刻溶液包含約1%之HNO3 、1%之NaNO3 及痕量(若干百萬分率)之過錳酸鉀(KMnO4 )。蝕刻溶液將金屬奈米線轉化為可溶性金屬鹽，其可藉由洗滌而移除。舉例而言，銀奈米線可轉化為銀鹽(Ag＋ )，其可藉由例如水之溶劑而沖洗掉。
在某些實施例中，蝕刻溶液不影響或溶解由完全或部分固化之聚合物組成之基質。圖案化可藉由根據所要圖案在奈米線層上沈積及固化聚合基質材料來進行。一旦基質經固化(完全地或部分地)至達成可接受之硬度及物理形式，基質即保護嵌入其中之奈米線以避免在後續蝕刻步驟期間被蝕刻掉。可蝕刻且移除未保護區域(其中基質材料不聚合或其中不存在基質)中之奈米線。因此，一實施例描述一種圖案化方法，該方法包含：在一基板上形成一導電 層，該導電層包含複數個奈米線；根據圖案在該導電層上形成基質，該圖案包含由基質保護之奈米線及未經保護之奈米線；及蝕刻該導電層以溶解未經保護之奈米線。該未經保護之奈米線可經移除或留在原位。
已發現，本文所述之酸蝕刻溶液中之KMnO4 的量可影響蝕刻能力。舉例而言，酸蝕刻溶液中之KMnO4 之量可影響蝕刻速率。通常，較高之KMnO4 濃度產生較快之蝕刻。因此，可在不改變蝕刻溶液酸性之情況下調整酸蝕刻溶液中之KMnO4 濃度來調節蝕刻效率。
亦已觀察到，酸蝕刻溶液中較高之KMnO4 濃度可引起蝕刻溶液更有效擴散至基質中，其就地導致奈米線之更快或更完全溶解。舉例而言，如實例9、10及11中所示，當KMnO4 以小於20 ppm存在於蝕刻溶液中時，基質(具有約150 nm之標準厚度)可保護嵌入其中之奈米線以免受蝕刻。當KMnO4 之量增加至約20 ppm，而HNO3 及NaNO3 之濃度保持恆定時，蝕刻溶液擴散至基質(約150 nm厚)中且溶解嵌入其中之奈米線。
如將結合實例11更詳細論述，厚外塗層(約1 μm)可有效地防止酸蝕刻溶液之擴散且保護奈米線以免受蝕刻，而未由厚外塗層保護之奈米線/基質由酸蝕刻溶液(例如20 ppm之KMnO4 、1%之HNO3 及1%之NaNO3 )而溶解。
因此，在一實施例中，可選擇能夠擴散至基質中且溶解奈米線之蝕刻溶液。在該等實施例中，於基質中包含奈米線之導電層可藉由使用保護性遮罩(例如光阻劑)來蝕刻。 因此，圖案化可根據標準光微影方法來進行，未遮蔽區域中之奈米線藉此方法蝕刻。
在另一實施例中，蝕刻未遮蔽區域包含使用第一蝕刻劑蝕刻未遮蔽區域中之基質；及使用第二蝕刻劑蝕刻未遮蔽區域中之奈米線。舉例而言，第一蝕刻劑(例如過氧化氫)可用於移除基質以將未遮蔽區域中之奈米線暴露或去保護。其後，諸如本文所論述之酸蝕刻溶液之第二蝕刻劑可用於溶解或移除不再受基質保護之奈米線。
因此，其他實施例描述一種使用遮罩圖案化透明導體之方法。遮罩充當厚外塗層，保護位於下方之奈米線/基質層。該方法包含：在一基板上形成一導電層，該導電層包含一基質及嵌入其中之複數個導電奈米線；將一遮罩置放於該導電層上以界定一遮蔽區域及一未遮蔽區域；及使用酸蝕刻溶液蝕刻該未遮蔽區域以形成一圖案化導電區域。該方法可另外包含移除經蝕刻之區域以形成圖案。
可有助於蝕刻效率之其他因素包括(但不限於)基質之固化程度。舉例而言，在給定相同蝕刻溶液及相同單體時，藉由部分固化聚合物形成之基質傾向於比藉由完全固化聚合物形成之基質更易於溶解。在圖案化之後，部分固化基質可經歷另一固化步驟以完全固化基質。
更有效之蝕刻亦可藉由在蝕刻之前活化透明導體之蝕刻表面而達成。該預處理尤其有益於其中液體蝕刻劑與透明導體之蝕刻表面相接觸之濕式蝕刻方法。通常，透明導體之蝕刻表面可為奈米線/基質層之頂部表面，或在一些情 況下，為外塗層之頂部表面。基質層及外塗層保護下伏奈米線以避免腐蝕性元素及磨損。然而，其存在可導致液體蝕刻劑之不良濕潤。預處理透明導體之蝕刻表面可活化表面且改良其濕潤性能。因此，液體蝕刻劑可接近由基質及/或外塗層保護之金屬奈米線。
因此，上文所述之圖案化方法可另外包含預處理導電層之蝕刻表面以改良其濕潤性能。
濕潤性能之改變可藉由水接觸角量測來評估。水接觸角係指液體/蒸氣界面與固體表面(亦即，蝕刻表面)形成之角。通常，較高之水接觸角與固體表面之不良濕潤相關聯。如表1中所示，視處理類型而定，水接觸角在表面處理後實質上降低約50%至80%。
如在實例13中進一步詳細描述，使用具有相同強度之蝕刻劑，蝕刻經表面處理之透明導體的速率與蝕刻未經處理之透明導體的速率相比顯著提高。
因此，透明導體薄膜可藉由預處理待蝕刻區域而有效圖案化。
此外，藉由調整蝕刻劑之強度，可能產生具有實質上均勻光學特性之圖案化透明導體薄膜。在該等影響範圍內，據信即使已賦予奈米線網路較小導電性，奈米線亦不被完 全蝕刻掉。
因此，在另一實施例中，導電層可藉由產生非導電區域或未必為非導電之具有改變電阻率之區域來圖案化，而不蝕刻或移除奈米線。以此方式，具有改變電阻率之區域之光學特徵(亦即透明度及濁度)的任何改變可為相對最小的。替代蝕刻或移除奈米線，根據預定圖案而在所選區域中改變導電介質(亦即，互連奈米線網路)之電阻率。更特定而言，該實施例提供一種方法，其包含：在一基板上形成一導電層，該導電層包含一基質及嵌入其中之導電奈米線網路；及處理該導電層之一區域以改變該區域內部之導電奈米線網路的電阻率，藉此形成一包括一具有一第一電阻率之經處理區域及一具有一第二電阻率之未經處理區域的圖案化導電層。經處理區域可(但不必)經賦予非導電性。如本文中所使用，"非導電性"係指至少106 Ω/□之表面電阻率。
另外，揭示一種透明導體，其包括一基板及一具有嵌入一基質中之導電奈米線網路的圖案化導電層。該圖案化導電層界定一其中網路具有一第一電阻率之透明導體的第一區域，及一其中網路具有一第二電阻率之透明導體的第二區域。兩個區域之間光學特徵(亦即透射率及濁度)之改變為相對小的。舉例而言(但不限於)，第一區域之透射率及濁度之差異分別與第二區域之透射率及濁度之差異分別相差小於0.7%及0.62%，而兩個區域之間的電阻改變係大於約1500 Ω/□。
在某些實施例中，光學透明導電層可根據本文所述之圖案化方法來處理，而不影響經處理區域之光學特性。如實例14進一步說明，包括透射率(T)及濁度(H)之光學特性的改變在圖案化步驟之前及之後係相對小的。在該"不可見圖案化"方法中，導電層在外觀上保持為光學均勻的；但僅在根據預定圖案之未經處理區域中為導電性的，經處理區域已被賦予非導電性或具有不同電導率。
在本實施例中，改變奈米線網路之電阻率可藉由(但不限於)破壞或降級奈米線之間之連接的電導率或賦予奈米線自身非導電性來完成。在一實例中，處理導電奈米線網路包含將導電奈米線化學轉變為非導電奈米線或具有更高電阻率之導線。該化學轉變可包括(例如)氧化、硫化或將奈米線之下伏導電材料轉化為電絕緣材料之任何其他方法。舉例而言，藉由元素金屬或金屬合金(例如銀)形成之導電奈米線可在將金屬轉化為電絕緣及不溶性金屬鹽(例如氯化銀)時被賦予非導電性。在該實例中，元素銀可經最初氧化且轉化為銀離子(Ag＋ )。氧化可在陰離子(例如Cl－ )存在下經進一步驅動而完成，帶正電之銀離子可與該陰離子形成不溶性鹽(AgCl)。例如，易於使金屬離子沈澱為不溶性金屬鹽之陰離子的其他實例包括溴離子、碘離子及硫酸根。
合適氧化劑之實例包括(但不限於)過氧化物(例如過氧化氫)，過氧硫酸鹽(例如過硫酸銨)，過氧化合物(例如，過氧二硫酸鈉或過氧二硫酸鉀)，鹵素或以鹵素為主之氧化 鹽(例如，氯或次氯酸鹽)，氧化金屬鹽(例如，鈀鹽、錳鹽、鈷鹽、銅鹽或銀鹽)，諸如7,7',8,8'－四氰基對醌二甲烷(TCNQ)之有機氧化劑，及諸如空氣、氧、臭氧及其類似物之氣體氧化劑。
在各種實施例中且如下文實例14及15中所說明，氧化劑之濃度、藥劑類型及暴露於藥劑之時間可確定導電層之化學轉變程度。可能的為，強氧化劑及/或更濃之氧化劑可導致奈米線及基質層溶解(參見(例如)實例14)。
在某些實施例中，除將奈米線之下伏材料自導電性轉變為較少導電性或非導電性以外，或取而代之，亦可能的為，奈米線可物理性地受損。舉例而言，奈米線可斷裂或變短，藉此降低其互連性程度。因此，經處理區域之總電阻率與未經處理區域相比增加，其部分歸因於電絕緣材料之形成且部分歸因於奈米線之間互連性之崩潰。應注意，奈米線物理結構之該等改變可僅在微觀水平上發生，因此將不影響導電層之宏觀外觀。因此，本文所述之導電層可經處理以形成光學上均勻之導電圖案。
視情況，可在形成不可見圖案之前，藉由改良蝕刻表面之濕潤性能及改變表面能來進行預處理步驟。如所論述，氧電漿及UV臭氧為合適預處理之實例。
以奈米線為主之透明導體的應用
如本文所述之透明導體可用作包括當前利用諸如金屬氧化物薄膜之透明導體之任何裝置的多種裝置中之電極。合適裝置之實例包括諸如LCD之平板顯示器、電漿顯示面板 (PDP)、用於有色平板顯示器之彩色濾光器、觸摸式顯示幕、電磁屏蔽、功能性玻璃(例如用於電鉻窗)、包括EL燈及光電電池之光電子裝置及其類似物。另外，本文之透明導體可用於諸如可撓性顯示器及觸摸式顯示幕之可撓性裝置。
(a)液晶顯示器 LCD為藉由外部電場控制光透射率來顯示影像之平板顯示器。通常，LCD包括液晶單元(或"像素")之基質及一用於驅動像素之驅動電路。每一液晶單元具有一相對於共同電極之用於向液晶單元施加電場之像素電極。若每一像素電極均與薄膜電晶體(TFT)連接在一起，則其充當開關裝置，亦即，像素電極根據經由TFT施加之資料信號來驅動液晶單元。
TFT LCD面板包含具有液晶單元插入其間之兩個基板。像素電極係提供於用於每一液晶單元之下方基板上，而共同電極係經整合形成於上方相反基板之整個表面上。因此，下方基板(亦稱為TFT陣列基板或TFT底板)包含連接至相應像素電極之薄膜電晶體陣列。上方相反基板包含可塗佈於彩色濾光器上之共同電極，該組合可稱為彩色濾光器基板。
習知地，像素電極係由高透射性ITO薄膜製得，以使得足夠光可透射穿過。如上所述，ITO薄膜製造昂貴且若用於可撓性基板上，則可易於破裂。本文所述之以奈米線為主之透明導體薄膜提供在TFT像素電極製造中之替代方 法。
一般而言，本文所述之薄膜電晶體可根據此項技術中之任何已知方法來製造。以奈米線為主之像素電極可藉由用奈米線透明導體薄膜塗佈TFT底板，繼而以圖案化步驟而形成。或者，圖案化透明導體層可在塗佈之前預形成。以奈米線為主之透明導體薄膜之圖案化亦可根據本文所述之高生產量方法來達成。
除為可圖案化之外，以奈米線為主之透明導體薄膜亦具有TFT LCD製造及應用(亦即作為以TFT為主之開關裝置之部分)所需之整合性及高溫電阻。
圖21A為展示在其表面中具有輪廓或起伏特徵之基板上的以奈米線為主之透明導體薄膜之仿形性的SEM影像。如所示，透明導體薄膜387至少部分與基板上之凹槽388一致。基板為彩色濾光器且凹槽388具有約2 μm至3 μm之寬度。較大或較小寬度之凹槽亦可仿形地經透明導體薄膜覆蓋。舉例而言，具有低至0.1 μm至2 μm及高達3 μm或更大之寬度之凹槽可經仿形塗佈。另外，具有不同於凹槽之輪廓或起伏特徵之基板可至少部分地經以奈米線為主之透明導體薄膜來仿形塗佈。舉例而言且不受限制，輪廓或起伏特徵可包括梯級、斜坡、肩形及/或凹邊或凸邊。圖21B展示圖21A之放大影像。如所示，奈米線網路保留完整且與凹槽388一致。圖21A－21B說明以奈米線為主之透明導體薄膜與(例如)TFT之表面拓撲充分等形。奈米線網路至少部分地與基板之輪廓或起伏特徵一致，此有利地使電導率穿 越該輪廓或起伏特徵且可使將簡單橋接輪廓或起伏特徵而不與其一致之導電層更為堅固。以奈米線為主之透明導體薄膜可在LCD之製造及操作期間耐受溫度條件。更特定而言，其光學及電學特性展示相對小之波動。圖22為以奈米線為主之透明導體薄膜之耐溫性的圖示。在X軸上之時間(t)處量測光學及電學特性(例如濁度、透射率及薄層電阻)。將持久性[Y(t)/Y(0)]相對於時間(t)繪圖，對濁度、透射率及薄層電阻而言分別展示為389、390及391。所有三條線均幾乎為線性的且具有接近於1之斜率，此指示光學及電學特性之持久性在測試時段內之高溫下幾乎保持恆定。
以奈米線為主之導電薄膜由於其仿形塗佈具有輪廓或起伏特徵之表面的能力而亦為用於在LCD－TFT板中形成通道觸點之合適材料。對於典型LCD－TFT板而言，在鈍化層SiNx中蝕刻通道以連接汲極。目前，使用經濺鍍之ITO薄膜來建立通道觸點。然而，濺鍍ITO薄膜可藉由本文所述之以奈米線為主之導電薄膜替代。
典型方法包含將金屬奈米線分散液(例如銀奈米線、HPMC及Zonyl)旋塗至通道中，繼而為(例如)在180℃下歷時90秒鐘之後烘焙步驟。通常需要另一後處理來建立通道觸點。例示性後處理包括以下方法中之一或多者：經由經塗佈通道運作較高電流，用去離子(DI)水沖洗液沖洗經塗佈通道，用氬(Ar)電漿或UV臭氧處理，用額外導電材料塗佈及調整導線密度或尺寸。
詳言之，經DI水沖洗或Ar電漿處理之經奈米線塗佈之通道展示為已在小至5 μm之通道中建立觸點。據信，沖洗或電漿處理清潔通道以及奈米線底部處之電極表面，藉此提供電極與奈米線之間之更純淨接觸且降低接觸電阻。
以奈米線為主之透明導體薄膜可與目前用於LCD技術中之所有TFT組態相容。一般而言，薄膜電晶體分成兩大類：底部閘型及頂部閘型。在底部閘TFT中，閘電極係安置於活性層之下，而在頂部閘TFT中，閘電極係安置於活性層之上。與頂部閘薄膜電晶體相比，底部閘薄膜電晶體通常具有優越之可靠性。該等結構組態更詳細描述於(例如)Modern Liquid Crystal Process Technologies '99(Press Journal,1998，第53至59頁)及Flat Panel Display 1999(Nikkei BP,1998，第132至139頁)。此外，視形成活性區域之材料類型而定，薄膜電晶體亦可以非晶形矽、多晶矽及有機半導體為主。
圖23展示根據一實施例之具有TFT底板之開關裝置的橫截面圖。如所示，開關裝置394包含一底部閘薄膜電晶體396及一以奈米線為主之像素電極398。薄膜電晶體包括一形成於基板402上之閘電極400。閘電極可為由光微影界定之金屬層(例如Mo－Al－Cd)。閘絕緣層406上覆於閘電極400。薄膜電晶體396另外包括一絕緣層410、一第一半導體層414(例如非晶形矽)及一第二半導體層418(例如n＋摻雜非晶形矽)，所有層均經界定以形成島狀結構。源電極422及汲電極426界定一通道430，其暴露第一半導體層414(亦 即活性層)之一部分。另一保護層434覆蓋島結構，源電極及汲電極同時暴露接觸孔438。保護層434為(例如)氮化矽層。以奈米線為主之透明導體薄膜442經塗佈於薄膜電晶體396之上。以奈米線為主之透明導體薄膜442可如本文所述來沈積及圖案化，以形成像素電極398。在TFT底板之其他部分中，亦可圖案化相同的以奈米線為主之透明導體薄膜442來界定信號線區域446。
在另一實施例中，上文所述之開關裝置可併入液晶顯示器(LCD)裝置中。
圖24示意地展示LCD裝置500，其包含一TFT底板501及一彩色濾光器基板502。背光504經由偏光器508及玻璃基板512來投射光。複數個第一透明導體帶520係位於底部玻璃基板512與第一對準層522(例如聚醯亞胺層)之間。每一透明導體帶520與一資料線524交替。隔片530係提供於第一對準層522與第二對準層532之間，對準層之間夾有液晶536。複數個第二透明導體帶540係位於第二對準層532上，第二透明導體帶540與第一透明導體帶520成直角定向。第二透明導體帶540進一步經鈍化層544、有色基質之彩色濾光器548、頂部玻璃基板550及偏光器554塗佈。有利地，透明導體帶520及540可在層壓方法中經分別圖案化且轉移至底部玻璃基板及對準層上。不同於習知使用之金屬氧化物帶(ITO)，不需要昂貴之沈積或蝕刻方法。
圖25展示根據另一實施例之以頂部閘TFT為主之LCD的橫截面圖。如所示，LCD 542具有一TFT基板544及一彩色 濾光器基板546，其間插有一液晶層548。如上所述，在TFT基板544中，薄膜電晶體550及像素電極552係以基質組態布置於底部透明基板554上。一可向其供應共同電壓之共同電極556及一彩色濾光器558安置於一頂部透明基板560上。在彼此面對且其間具有液晶548之像素電極552與共同電極556之間所施加之電壓驅動液晶單元(像素)。
在底部透明基板554上所安置之用於每一像素之薄膜電晶體550為頂部閘型TFT，其閘電極562係位於活性層564之上。TFT之活性層564係根據此項技術中已知之方法在底部基板554上圖案化。閘絕緣層566上覆於且覆蓋活性層564。面向閘電極562之活性層564之部分為通道區域564c。汲極區域564d及經摻雜雜質之源極區域564s係位於通道區域564c之各別側。活性層564之汲極區域564d經由形成於覆蓋閘電極562之層間絕緣層568中之接觸孔而連接至亦充當汲電極566之資料線。又，絕緣層570係經安置以覆蓋資料線及汲電極566。形成像素電極552之以奈米線為主之透明導體薄膜係位於絕緣層570上。像素電極552經由接觸孔連接至活性層564之源極區域564s。第一對準層572可位於像素電極上。
圖25另外展示可經安置用於每一像素之儲存電容元件574。儲存電容元件維持對應於顯示內容之電荷，其應在未選擇TFT時施加於液晶電容。因此，可維持像素電極552之電壓改變，使顯示內容在一個序列期間保持不變。
如所示，活性層564之源極區域564s亦充當儲存電容元 件574之第一電極576。儲存電容元件574之第二電極578可與閘電極562同時在與閘電極562相同之層中形成。閘絕緣層566亦充當第一電極576與第二電極578之間的介電質。閘電極566(亦即閘線)及第二電極578(亦即儲存電容線)係平行布置。其與像素電極552成直角定向以界定像素基質。
應瞭解，對於底部閘及頂部閘TFT組態而言，活性層可為任何可接受之半導體材料。通常，非晶形矽由於沈積及圖案化步驟之容易性及經濟性而廣泛使用。亦可使用多晶矽。因為多晶矽具有比非晶形矽較佳之電流驅動能力，所以當用於開關裝置中時，其提供優越之效能。多晶矽之低溫沈積為可能的且已報導作為一種製造以多晶矽為主之TFT的替代方法，參見(例如)美國專利第7,052,940號。另外，亦可使用有機半導體材料。在某些實施例中，有機π共軛化合物可用作形成有機TFT之活性層的有機半導體材料。π共軛化合物在此項技術中為已知的，其包括(但不限於)：聚吡咯、聚噻吩(可視需要經C60 摻雜)、聚芘、聚乙炔及聚苯幷噻吩及其類似物。適用於有機TFT之有機半導體材料的更多實例係描述於(例如)美國專利第7,018,872號中。
如本文所論述，TFT底板位於LCD中，與彩色濾光器基板相對(參見(例如)圖24及25)。彩色濾光器基板通常包含一透明基板、一黑色基質(或一光屏蔽層)及一有色像素陣列。通常，有色像素以一圖案布置於透明基板上。黑色基 質形成圍繞各有色像素之柵格。在某些實施例中，每一有色像素均與一種顏色相關。在其他實施例中，每一有色像素均可進一步分為較小之著色劑區域(稱為子像素)，每一子像素均與一種顏色相關。通常，使用諸如紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之原色。舉例而言，RGB三元組(triad)之重複陣列能夠產生具有多種顏色之彩色影像。有色像素或子像素不限於原色，亦可使用諸如白色、黃色或青色之其他顏色。
另外，彩色濾光器基板包含一共同電極，其為TFT底板中之像素電極的參考電極。在某些實施例中，共同電極可由如本文所述之以奈米線為主之透明導體形成。
視LCD之模式而定，共同電極及單元彩色濾光器之相對位置在TN(扭轉向列)模式中可與在IPS(共平面切換)模式中之相對位置不同。
圖26A展示根據一實施例之TN模式LCD中之彩色濾光器基板的橫截面圖。彩色濾光器基板580包括一具有一顯示表面584之透明基板582。透明基板582亦可由於其在最終LCD組態(例如圖25中之560)中與TFT底板之空間關係而被稱為頂部或上方透明基板。彩色濾光器基板580另外包括以晶格形狀安置且形成於與顯示表面584相對之透明基板582上之黑色基質(或光屏蔽層)586。外部光經黑色基質反射且自顯示表面584射出。黑色基質586可由金屬氧化物及/或金屬薄膜(例如鉻/氧化鉻)製得。或者，黑色基質可由有機樹脂製得。
彩色濾光器基板580可包含複數個有色像素，諸如分別用於透射紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)光之第一、第二及第三有色像素588a、588b及588c。其係形成於不含黑色基質586之透明基板582的至少一部分上。第一、第二及第三有色像素588a、588b及588c係由(例如)分散有顏料之丙烯酸系樹脂或聚醯亞胺基樹脂製得，且係與黑色基質586分開形成以防止混色。除原色(例如RGB)之外，彩色濾光器基板可含有例如RGBW或RG1G2B之其他顏色。
由以奈米線為主之透明導體薄膜形成之共同電極590位於有色像素588a、588b及588c上。除作為像素電極之參考電極(未圖示)以外，共同電極亦保護彩色濾光器以避免接觸液晶層(未圖示)。視情況，另一保護層591可上覆於共同電極590。該另一保護層可為諸如聚醯亞胺之透明絕緣體。該保護層亦可用作對準層(參見(例如)圖24中之532)，其經由(例如)在約250℃下摩擦來引導液晶之偏光方向。
圖26B展示根據另一實施例之IPS模式LCD中之彩色濾光器基板的橫截面圖。彩色濾光器基板592包括一具有一顯示表面595之透明基板594。黑色基質596係安置於與顯示表面595相反之透明基板594上。分別用於透射R、G及B顏色光之第一、第二及第三有色像素598a、598b及598c係形成於不含黑色基質596之透明基板594的至少一部分上。保護層600係形成於第一至第三有色像素598a、598b及598c上，且保護其以避免與液晶(未圖示)接觸。保護層600通常為諸如聚醯亞胺之透明絕緣體。以導電奈米線為主之共同 電極602係形成於透明基板594之顯示表面595上。在IPS顯示之情況下，共同電極602用作靜電放電層以避免彩色濾光器板之充電。
彩色濾光器基板可根據此項技術中已知之方法來製造。不管模式為何，以奈米線為主之透明導體薄膜之光學透明度及電導率使其適合作為LCD之彩色濾光器基板中之替代電極材料。以奈米線為主之透明導體薄膜可根據本文所述之方法塗佈於或自層壓結構直接轉移至商業彩色濾光器上。如本文所述之透明導電層亦可用於彩色陣列式顯示結構(color－on－array display structure)或使用透明電極之其他LCD結構中。
(b)電漿顯示面板 電漿顯示面板藉由用由電漿放電產生之紫外光激發螢光材料(例如磷光體)來發射可見光。電漿顯示面板使用兩個絕緣基板(例如玻璃板)，每一絕緣基板具有電極及形成於其上障壁柵以界定個別單元(像素)。該等單元經一或多種惰性氣體(例如Xe、Ne或Kr)填充，該等惰性氣體可在電場下電離以產生電漿。更特定而言，位址電極沿後方玻璃板形成於該等單元之後。透明顯示電極連同匯流排電極一起安裝於前方玻璃板上之該等單元之前。位址電極及透明顯示電極彼此正交且與該等單元處之路徑交叉。在操作中，控制電路使電極充電，在前板與後板之間產生電壓差，且引起惰性氣體電離且形成電漿。
金屬氧化物透明導體(例如ITO)習知用作上方玻璃板上 之透明顯示電極以使經電漿產生之可見光穿過。目前之處理步驟，尤其為匯流排電極之燒結及燒製前方介電層，可需要高處理溫度(高達400至550℃)。舉例而言，為獲得足夠透明度，在約570－580℃下燒製前方介電層(其覆蓋且保護顯示電極及匯流排電極)。在該等溫度下，ITO之電阻率增加約3倍。
以奈米線為主之透明導體為用於PDP中之顯示電極的合適電極材料。其經證明在高溫下(例如在300℃下)為電性及光學穩定的。其可以用於PDP之所需特徵尺寸(例如100－300 μm)來圖案化；詳言之，其可藉由本文所述之高生產量方法來圖案化。
圖27展示根據一實施例之PDP的橫截面圖。PDP 606包括：一下方透明基板608；一形成於該下方透明基板608上之下方絕緣層610；一形成於該下方絕緣層608上之位址電極612；一形成於該位址電極612及該下方絕緣層610上之下方介電層614；界定放電單元618之隔離壁616；位於該等隔離壁616上之黑色基質層620；一形成於該黑色基質層620及該隔離壁616側面上及該下方絕緣層608上之螢光層622；一上方透明基板624；一形成於該上方透明基板624上且以關於該位址電極612成直角定位之顯示電極626；一形成於該顯示電極626之一部分上之匯流排電極628；一形成於該匯流排電極628、該顯示電極626及該上方透明基板624上之上方介電層630；及一形成於該上方介電層630上之保護層(例如MgO)632。顯示電極係藉由導電奈米線薄膜 形成且根據本文所述之方法來圖案化。
應瞭解，以奈米線為主之透明導體薄膜適合於PDP之任何其他組態，其中透明電極位於顯示面板上以便光可以可接受之效率透射，以在顯示面板上產生影像。
(c)觸摸式顯示幕 在另一實施例中，本文所述之透明導體形成觸摸式顯示幕之部分。觸摸式顯示幕為整合於電子顯示器上之互動式輸入裝置，其允許使用者藉由觸摸顯示幕而輸入指令。觸摸式顯示幕裝置通常包含藉由隔片層分離之兩個相反導電層。導電層為光學透明的以使得光及影像可透射穿過。目前可用之觸摸式顯示幕通常使用金屬氧化物導電層(例如ITO薄膜)。如上所述，ITO薄膜製造昂貴且若用於可撓性基板上，則可易於破裂。詳言之，ITO薄膜通常在高溫下及真空中沈積於玻璃基板上。相反，本文所述之透明導體可藉由高生產量方法且在低溫下來製造。其亦允許用於不同於玻璃之各種基板。舉例而言，諸如塑膠薄膜之可撓性及耐久性基板可經奈米線塗佈且變為表面導電性的。
因此，圖28示意地展示根據一實施例之電阻性觸摸式顯示幕裝置640。裝置640包括一底部面板642，其包含一經一第一導電層646塗佈或層壓之第一基板644，其具有一頂部導電表面648。一上方面板650係定位為與底部面板642相反且在裝置640之各別末端處由黏接外殼652及652'與其分離。上方面板650包括一塗佈或層壓於一第二基板656上之第二導電層654。第二導電層654具有一面向頂部導電表 面648之內部導電表面658且懸浮於隔片660之上。
當使用者觸摸上方面板650時，底部面板642之內部導電表面658及頂部導電表面648發生電接觸。產生接觸電阻，其引起靜電場之變化。控制器(未圖示)感應此變化且解析實際觸摸座標，該資訊隨後傳遞至操作系統。
根據該實施例，第一導電層及第二導電層之一或兩者係以如本文所述之導電奈米線層為主。內部導電表面658及頂部導電表面648各自具有約10－1000 Ω/□，更佳約10－500 Ω/□範圍內之表面電阻率。光學上，上方面板及底部面板具有高透射率(例如>85%)以允許影像透射穿過。
在某些實施例中，透明導電層可另外經保護層(例如介電外塗層)塗佈，該保護層改良透明導電層之耐久性。然而，使得與下伏金屬奈米線發生電接觸可成為問題，此係因為由於插入介電外塗層而不能可靠地產生接觸電阻。另外，外塗層中甚至輕微之厚度變化可導致薄膜上無接觸點。因此，在該等實施例中，使外塗層併入有導電粒子以產生可靠電接觸且改良接觸電阻。
圖28A示意地展示具有各別外塗層之兩個相反導電層。更特定而言，第一導電層646經第一外塗層647塗佈且第二導電層654經第二外塗層655塗佈。第一外塗層及第二外塗層中嵌入有導電粒子657。導電粒子在介電外塗層中之存在增加其表面電導率且提供下伏經奈米線填充之導電層之間的電連接。
與各別下伏經奈米線填充之透明導電層相比，外塗層可 耐受高得多之電阻率。不同於下伏導電層646或654中之奈米線，該等奈米線必須形成高於電學滲透臨限之導電網路以確保平面內電導率(例如電阻率在10－1000 Ω/□之間)，而外塗層中之導電粒子無需達到該電學滲透臨限。舉例而言，外塗層之薄層電阻可高達108 Ω/□。即使在此位準下，穿過外塗層之電阻率係足夠低以用於觸摸式顯示幕應用。
外塗層可由本文所述之任何光學透明聚合基質材料而形成。外塗層之厚度通常小於2 μm或小於1 μm。通常，較厚外塗層可能產生較高之接觸電阻。
可使用任何類型之奈米尺寸導電粒子。合適導電粒子之實例包括(但不限於)如本文所述之ITO、ZnO、摻雜ZnO、金屬奈米線、金屬奈米管或碳奈米管(CNT)。導電粒子之尺寸通常低於200 nm以維持可接受之濁度位準。更通常，其係低於100 nm。因為導電粒子之負載位準如此之低，所以其存在通常不影響光學透射率。另一方面，導電粒子之存在可提供用以降低眩光之某種程度的表面粗糙度。
在某些實施例中，導電粒子可為高導電粒子(例如金屬奈米線)及低電導率粒子(例如ITO或ZnO粉末)之混合物。雖然金屬奈米線並非必需在基質內部形成導電網路(亦即，高於電學滲透臨限)，但其提供在相對大之距離範圍內之高電導率路徑。電流將主要於該等奈米線中傳輸，而低電導率粒子將提供奈米線之間的電連接。有利地，外塗層之薄層電阻可藉由調整奈米線與低導電粒子的比率而控制在更寬之範圍內。因為奈米線並非必需形成滲透網路， 所以期望最終外塗層薄膜之電阻率將與奈米線濃度呈更為線性之關係且在比單獨使用低電導率粉末更高之薄層電阻下為穩定的。金屬奈米線及導電粉末之混合物可與基質材料一起在單通道式方法中共沈積。或者，在雙通道式方法中，奈米線層可在嵌入有低導電粒子之外塗層沈積之前沈積(不必形成滲透網路)。
第一基板及第二基板可為如本文所述之各種材料。舉例而言，第一基板可為剛性的(例如玻璃或諸如聚碳酸酯或聚丙烯酸酯之剛性塑膠)，而第二基板可為可撓性薄膜。或者，對於可撓性觸摸式顯示幕應用而言，兩個基板均可為可撓性薄膜(例如塑膠)。
如此項技術中所已知，觸摸式顯示幕裝置亦可製造為僅包括具有透明導體之單一基板，且該類型之觸摸式顯示幕裝置及上文所述之兩種導體類型均可包括第三透明導體來充當靜電放電層。本文所述之透明導體可用於該等類型觸摸式面板裝置之任何者中。另外，用於該等裝置中之以奈米線為主之透明導體可如本文所述或以此項技術中已知之任何其他方式來圖案化。
(d)光電電池 太陽輻射提供大致0.4 eV至4 eV之光子範圍內之可用能量。諸如光電(PV)電池之光電子裝置可收穫此範圍內之某些光子能量且將其轉化為電功率。光電電池基本上為在照明下之半導體接面。光由半導體接面(或二極體)吸收且在接面之兩側上產生電子－電洞對，亦即，在n型發射極中及 在p型基極中產生。該等電荷載流子－－來自基極之電子及來自發射極之電洞－－隨後擴散至接面且由電場掃除，由此產生穿越裝置之電流。
半導體接面可藉由摻雜單一材料(例如結晶矽)以形成p型側及n型側而形成於同質接面電池中。可使用PN結構或P－i－N結構。
異質接面可藉由使兩個不同半導體接觸而形成。通常，兩個半導體具有不同之能帶隙。具有較高能帶隙之半導體因其透明度而經選擇且作為頂層或窗口層來定位。具有較低能帶隙之半導體形成充當吸光材料之底層。窗口層使得幾乎所有入射光可到達易吸光之底層。
已開發多接面電池以俘獲較大部分之太陽光譜。在該組態中，個別異質接面電池以此方式堆疊以便陽光首先落在具有最大能帶隙之材料上。於第一單元中未吸收之光子透射至第二單元，其隨後吸收剩餘太陽輻射之較高能量部分，同時對於較低能量之光子而言仍為透明的。該等選擇性吸收方法繼續直至具有最小能帶隙之最終單元。
在替代p摻雜及n摻雜區域之激子PV電池中，使用具有不同能帶隙之材料來分裂且將激子自一半導體經由電荷轉移至另一半導體。在電荷分離之後，電荷由於內建電位而經掃除，該內建電位係由於用於電荷收集之接觸電極之間功函數的差異而產生。例如，有機光電電池以此方式工作，其中一半導體可為聚噻吩且另一半導體為C60。聚噻吩吸收光且產生激子。電子自聚噻吩躍遷至C60(電子之較 低能態)。電洞沿聚噻吩骨架移動直至其如同電子一樣藉由巴克球(buckyball)之間的跳躍而收集。
向太陽電池之n型側及p型側提供歐姆金屬－半導體接觸。在多接面電池中，其亦插入兩個相鄰單元之間。在n型側上產生或已由接面"收集"且吹掃至n型側上之電子，可行進穿過導線，驅動負載且繼續穿過導線直至其到達p型半導體－金屬觸點。
因為透明導體(例如ITO)允許光通過窗口層到達活性吸光材料下方，以及用作將經光產生之電荷載流子傳輸遠離吸光材料之歐姆接觸，所以需要其作為用於太陽電池之接觸材料。
本文所述之以奈米線為主之透明導體薄膜可用作太陽電池中之一或多個觸點。不同於習知金屬氧化物透明導體，以奈米線為主之透明導體可藉由高生產量方法而形成於可撓性基板上。其亦不需要在太陽電池應用中使用昂貴金屬氧化物層之特殊沈積(真空)。
因此，一實施例描述一種同質接面太陽電池，其包含一頂部觸點、一半導體二極體及一底部觸點，其中頂部觸點及底部觸點之一或兩者可由以奈米線為主之透明導體薄膜製得。圖29A展示同質接面太陽電池664。太陽電池664包括一頂部觸點668、一底部觸點670及一插入其間之半導體二極體672。
例如，半導體二極體可為在頂部具有p摻雜矽且在底部具有N摻雜矽之PN結構。矽通常為結晶矽。作為更為經濟 之替代物，可根據此項技術中已知之方法使用多晶矽。半導體二極體亦可由非晶形矽形成，在此情況下，P－i－N結構為較佳的。
頂部觸點及底部觸點可藉由本文所述之方法來製備。頂部觸點通常為光學透明的且包含光入射表面，亦即，光最初進入太陽電池之表面。
視情況，基板674可存在於底部觸點670下方。亦視情況，匯流排條676可形成為上覆於頂部觸點。匯流排條676亦可藉由經圖案化之以奈米線為主之透明導體薄膜而形成。
圖29B展示根據另一實施例之異質接面太陽電池。如所示，異質接面太陽電池680包括一頂部觸點682、一底部觸點684及一插入其間之半導體異質接面層686。頂部觸點682及底部觸點684之一或兩者可由以奈米線為主之透明導體薄膜製得。
在某些實施例中，半導體異質接面層686包含三層結構(例如N－i－P)。因此，其可包含一摻雜頂部半導體層686a、一未摻雜中間半導體層686b及一摻雜底部半導體層686c。在某些實施例中，第一半導體層686a具有比第三半導體層686c更高之能帶隙。
第一、第二及第三半導體層可沈積為薄膜層。合適半導體材料包括(但不限於)有機半導體材料(如本文所論述)、碲化鎘(CdTe)、銅銦鎵硒化物(CIGS)、銅銦硒化物(CIS)及其類似物。舉例而言，在典型CdTe電池中，頂層為p型硫 化鎘(CdS)，中間層為固有CdTe，且底層為n型碲化鋅(ZnTe)。
對於半導體異質接面層686而言，亦可能在NP結構僅包括頂部半導體層686a及底部半導體層686c。
與以矽為主之太陽電池之成本相比，以薄膜半導體層為主之異質接面電池節省材料成本。然而，由於薄膜半導體層之次等效能，因此該等裝置在能量轉換方面不及以聚矽為主之電池有效。因此，在一實施例中，結合圖29C描述多接面電池。如所示，多接面電池690自上至下依次包括：一頂部觸點692、一第一單元694、一穿隧層696、一第二單元698及一底部觸點700，其中頂部觸點692及底部觸點700由以奈米線為主之透明導體薄膜製得。為簡化之目的，展示多接面電池690僅包括兩個單元。然而應瞭解，其他電池可以類似方式來製造。
第一單元694及第二單元698具有與圖29B中所示之單接面太陽電池680類似之三層結構。第一單元接近入射光且因此應經選擇為具有比第二單元之能帶隙較大之能帶隙。以此方式，第一單元對較低能量光子而言為透明的，該等較低能量光子可由第二單元698吸收。
第一及第二單元由穿隧層696分離以允許電子在各單元之間流動。穿隧層696可為包含相對摻雜半導體層之PN二極體。
頂部觸點692及底部觸點700為以奈米線為主之透明導體薄膜。其可藉由本文所述之方法來製備。
太陽電池690可包括如將由熟習此項技術者所識別之其他層，諸如基板、匯流排條、抗反射薄膜及其類似物。另外，應瞭解，以奈米線為主之透明導體薄膜適合作為任何太陽電池組態中之一或多個觸點。
(e)電致發光裝置 電致發光(EL)為材料(通常為半導體)中之電子及電洞之輻射重組的結果。所激發之電子在其返回其基態時，釋放其能量作為光子。在重組之前，電子及電洞分離，此係由於摻雜材料以形成p－n接面(在諸如LED之半導體電致發光裝置中)，或經由藉由強電場加速之高能電子衝擊之激發(如同電致發光顯示器中之磷光體)。
例如，EL裝置適用作顯示器之背光。其通常包含夾有EL材料之兩個電極，該等電極之至少一者為透明的。EL裝置之薄膜設計可能使用導電薄膜。有利地，圖案化照明可藉由使用圖案化透明導體作為電極之一而達成。習知地，使用諸如聚(二氧基噻吩)(PDOT)之聚合導電薄膜且將其如同透明導體一樣圖案化。
本文所述之以奈米線為主之透明導體薄膜適合作為EL裝置中之透明電極。因此，圖30展示根據一實施例之薄膜EL裝置。EL裝置710自頂部起依次包含：一頂部電極712、一介電層714、一EL材料層716、一透明電極718、一可選障壁層720及一可選外塗層722。
透明電極718係由如本文所述之奈米線層而形成。奈米線層之光學透射性及表面導電性使其適合作為透明電極。 此外，如實例8中更詳細論述，奈米線可經調配為顯示幕可印刷墨水組合物。墨水組合物可經印刷以提供圖案化電極，其可與目前用於圖案化PDOT層之製造方法相容。亦可使用其他圖案化方法，包括印模、槽模及其類似方法。
EL材料層716可為任何可接受之EL材料，例如磷光體。可選障壁層720可為氟聚合物(例如Kyner)以防止諸如濕氣之不利環境因素。
(f)靜電消耗性材料－抗靜電塗層 靜電放電(ESD)為單次事件，即兩個物體之間靜電荷之快速轉移，其通常在處於不同電位之兩個物體彼此直接接觸時產生。靜電荷累積係由於材料表面上之電子的不平衡而發生。ESD為半導體工業中裝置失效的主要原因之一。
導電材料(例如導電薄膜或塗層)藉由將有害靜電荷導離而有效作為靜電消耗性材料。通常，具有不大於108 Ω/□之表面電阻率的導電層在減輕或消除靜電荷累積方面係有效的。更通常，抗靜電塗層具有約106 Ω/□與107 Ω/□之間之表面電阻率。
因此，本文所述之以奈米線為主之導電層適合作為抗靜電塗層。例如於圖10B－10F中描述之任何結構均可用作需要其之基板上的抗靜電塗層。因此，一實施例提供一種用於提供電磁屏蔽之方法，其包含：提供一包括複數條金屬奈米線及一基質材料之複合物；將該複合物應用於一需要電磁屏蔽之基板；及形成一包括分散於該基質材料中之複數條金屬奈米線的導電層，該導電層具有不大於108 Ω/□之 表面電導率。
在某些實施例中，抗靜電塗層為光學透明的以便下伏基板為可見的。在另一實施例中，經以奈米線為主之導電層塗佈之光學透明基板(例如塑膠)可用作用於電子學之包裝材料。光學透明度允許直接可見包裝中之內含物。
透明導體結構、其電學及光學特性及製造方法藉由以下非限制性實例更詳細地說明。
實例
實例1 銀奈米線之合成 按照描述於(例如)Y.Sun,B.Gates,B.Mayers,& Y.Xia,"Crystalline silver nanowires by soft solution processing",Nanoletters ,(2002),2(2)165－168中之"多元醇"方法，藉由在聚(乙烯吡咯啶酮)(PVP)存在下，將溶解於乙二醇中之硝酸銀還原來合成銀奈米線。描述於以Cambrios Technologies Corporation名義之美國申請案第11/766,552號中之經改質多元醇方法以比習知"多元醇"方法更高之產率產生更均勻之銀奈米線。該申請案以引用的方式全部併入本文中。
實例2 透明導體之製備 使用5 μm厚之Autoflex EBG5聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜作為基板。PET基板為光學透明絕緣體。PET基板之光透射率及濁度展示於表2中。除非另外規定，否則使用 ASTM D1003中之方法來量測光透射率。
首先製備銀奈米線之水性分散液。銀奈米線之寬度為約70 nm至80 nm且長度為約8 μm。銀奈米線(AgNW)之濃度為分散液之約0.5% w/v，產生約0.5之光學密度(在Molecular Devices Spectra Max M2板讀取器上量測)。隨後，藉由使奈米線沈降於基板上而將分散液塗佈於PET基板上。如由熟習此項技術者所瞭解，可使用其他塗佈技術，例如藉由狹窄通道計量之流動、模流動、傾斜流動及其類似技術。另外應瞭解，流體之黏度及剪切性能以及奈米線之間的相互作用可影響所塗佈奈米線之分布及互連性。
其後，可藉由水蒸發使銀奈米線之塗佈層乾燥。亦稱為"網路層"之裸銀奈米線薄膜形成於PET基板上(AgNW/PET)。光透射率及濁度係使用BYK Gardner Haze－gard Plus來量測。表面電阻率係使用Fluke 175 True RMS萬用表來量測。結果展示於表2中。奈米線之互連性及基板之覆蓋區亦可在光學或掃描電子顯微鏡下觀察。
基質材料係藉由將聚胺基甲酸酯(PU)(Minwax快乾聚胺基甲酸酯)混合於甲基乙基酮(MEK)中以形成1：4(v/v)之黏性溶液來製備。將基質材料藉由旋塗而塗佈於裸銀奈米線薄膜上。可使用此項技術中之其他已知方法，例如刮刀塗佈、梅爾桿(Meyer rod)塗佈、下引塗佈或廉幕式塗佈。在室溫下將基質材料固化約3小時，在此期間，溶劑MEK蒸發且基質材料硬化。或者，固化可在烘箱中，例如在50℃ 之溫度下進行歷時約2小時。
因此在PET基板(AgNW/PU/PET)上形成具有導電層之透明導體。基質中之銀奈米線導電層為約100 nm厚。量測其光學及電學特性且結果展示於表2中。
使透明導體進一步經受膠帶測試。更特定而言，將3M Scotch600膠帶牢固應用於基質表面且隨後(例如)藉由剝離而移除。任何鬆散銀奈米線均可連同膠帶一起移除。在膠帶測試之後，量測透明導體之光學及電學特性且結果展示於表2中。
經由比較，在如上所述之相同條件下，於PET基板(PU/PET)上形成單獨基質薄膜。PU/PET之光學特性(光透射率及濁度)及電學特性亦提供於表2中。
如表2中所示，PET(PU/PET)上之單獨基質薄膜具有比PET基板略微較高之光透射率以及濁度。無一者為導電性的。藉由比較，PET上之裸銀奈米線薄膜為高導電性的，指示60 Ω/□之表面電阻率。裸銀奈米線薄膜於PET上之沈積降低光透射率且增加濁度。然而，仍認為PET上之裸銀奈米線薄膜為光學透明的，其光透射率大於80%。PET上之裸銀奈米線薄膜之光學及電學特性可與形成於PET基板上之金屬氧化物薄膜(例如ITO)相當或優於其，其通常介於60至400 Ω/□之範圍內。
如圖2中另外所示，以聚胺基甲酸酯基質中之銀奈米線為主之透明導體具有與PET上之裸銀奈米線薄膜幾乎相同之光透射率，及略微較高之濁度。透明導體之電阻率保持 與裸銀奈米線薄膜相同，其指示基質材料之塗佈不干擾銀奈米線薄膜。因此形成之透明導體為光學透明的，且具有可與形成於PET基板上之金屬氧化物薄膜(例如ITO)相比或優於其之表面電阻率。
另外，膠帶測試不改變透明導體之電阻率或光透射率，且僅略微增加濁度。
實例3 加速H2 S腐蝕測試 諸如硫化氫(H2 S)之硫化物為已知腐蝕劑。金屬奈米線(例如銀)之電學特性可在大氣硫化物存在下受到潛在影響。有利地，透明導體之基質充當氣體滲透障壁。其在某種程度上防止大氣H2 S接觸嵌入基質中之金屬奈米線。如本文所述，金屬奈米線之長期穩定性可另外藉由將一或多種腐蝕抑制劑併入基質中而獲得。
在美國，空氣中H2 S之量為約0.11－0.33十億分率(ppb)。在此含量下，預期腐蝕經延長時期而發生。因此，設計加速H2 S腐蝕測試以提供H2 S腐蝕之極端情況。
將新鮮烹煮之蛋黃打成碎片且密封於塑膠袋中。將H2 S計(Industrial Scientific,GasBadge Plus－硫化氫單氣體監控 器)插入袋中以監控自蛋黃之H2 S釋放。圖31展示H2 S氣體經24小時時期之典型釋放曲線圖。在H2 S於袋中初始累積後，氣體含量下降，其指示氣體已擴散出可滲透袋之外。然而，H2 S氣體(峰值為7.6 ppm)在袋中之含量大大超過大氣H2 S氣體之含量。
PET上之裸銀奈米線薄膜係根據實例2來製備。將薄膜置放於具有新鮮烹煮之蛋黃的塑膠袋中。薄膜在2小時內開始變暗，其指示銀已生鏽且形成黑色Ag2 S。相反，直至2－3天後，未觀察到聚胺基甲酸酯基質中之銀奈米線薄膜的顏色變化，其指示聚胺基甲酸酯基質充當障壁以減緩H2 S氣體之滲透。
實例4 腐蝕抑制劑之併入 製備以下導電薄膜樣本。將PET基板用於各個樣本。在某些樣本中，在製備導電薄膜期間併入腐蝕抑制劑，包括苯幷三唑、二硫基噻二唑及丙烯醛。
樣本1－2係根據本文所述之方法來製備。不存在腐蝕抑制劑。
樣本1為裸銀奈米線之導電薄膜。
樣本2為聚胺基甲酸酯基質中之銀奈米線導電薄膜。
樣本3－6係藉由首先在PET基板上形成裸銀奈米線薄膜(亦即樣本1)來製備。其後，在基質材料之塗佈方法期間併入各種腐蝕抑制劑。
樣本3係藉由將苯幷三唑(BTA)於甲基乙基酮(MEK)中之 0.1 w/v%溶液塗佈於裸銀奈米線薄膜上，在塗佈之後使溶劑乾燥，繼而塗佈聚胺基甲酸酯(PU)於MEK(1：4)中之基質材料來製備。
樣本4係藉由首先將1.5 v/v%之二硫基噻二唑併入基質材料PU/MEK(1：4)中，繼而將基質材料塗佈於裸銀奈米線薄膜上來製備。
樣本5係藉由首先將裸銀奈米線薄膜浸入1.5 v/v%之二硫基噻二唑於MEK中之溶液中，在浸沒後使溶劑乾燥，繼而用具有1.5 v/v%之二硫基噻二唑的基質材料PU/MEK(1：4)塗佈來製備。
樣本6係藉由首先將1.5 v/v%之丙烯醛併入基質材料PU/MEK(1：4)中，繼而將基質材料塗佈於裸銀奈米線薄膜上來製備。
在如實例3中所述之加速H2 S處理之前及之後，量測樣本1－6之光學及電學特性。結果展示於圖32A、32B及32C中。
圖32A展示樣本1－6在H2 S處理之前及在H2 S處理後24小時時之光透射率量測。為比較之目的，亦對各樣本光透射率之降低進行繪圖。在H2 S處理之前，所有樣本均展示為光學透明的(具有高於80%之光透射率)。H2 S處理24小時後，所有樣本之光透射率均由於不同程度之銀生鏽而經歷降低。
如所預期，樣本1之光透射率降低最大。樣本3及6並不優於單獨基質樣本(樣本2)執行。然而，與單獨基質樣本相 比，樣本4及5之光透射率降低較少，其指示腐蝕抑制劑二硫基噻二唑可有效保護銀奈米線以避免腐蝕。
圖32B展示樣本1－6在H2 S處理之前及在H2 S處理後24小時時之電阻量測。為比較之目的，亦對各樣本電阻之降低進行繪圖。如所示，除樣本4外之所有樣本的電阻均經歷顯著增加且有效成為非導電性的，儘管對一些樣本而言，電學特性之降級開始顯著延遲。樣本4之電阻僅具有適度增加。應注意，H2 S對樣本4及樣本5之影響相當不同，儘管兩個樣本具有相同之腐蝕抑制劑(二硫基噻二唑)。其暗示，塗佈方法可影響給定腐蝕抑制劑之有效性。
圖32C展示樣本1－6在H2 S處理之前及在H2 S處理後24小時時之濁度量測。為比較之目的，亦對各樣本之濁度變化進行繪圖。所有樣本之濁度量測均展示增加。除樣本1及6之外，對樣本2－5之各者而言，濁度均在可接受之範圍(小於10%)內。
樣本4在耐受腐蝕性H2 S氣體方面展示具有最佳之總體效能。藉由將腐蝕抑制劑(二硫基噻二唑)併入基質中，透明導體展示優於其中不存在腐蝕抑制劑之樣本2的透明優勢。
應注意，該等加速測試中之H2 S含量遠大於大氣H2 S。因此預期，類似於樣本4製備之透明導體在大氣H2 S存在下將進展得甚至更佳。
實例5 金屬奈米線網路層之壓力處理 表3說明向基板上之銀奈米線網路層(或"網路層")之表面施加壓力之兩次試驗的結果。
特定而言，將寬度為約70 nm至80 nm且長度為約8 μm之銀奈米線沈積於Autoflex EBG5 PET基板上。在沈積奈米線之前，用氬電漿處理基板。根據實例2中所述之方法形成網路層。在壓力處理之前，不將基質材料應用於網路。使用單一不鏽鋼滾筒在剛性工作台頂部表面上進行表2中所列之試驗。經處理之網路層區域為3至4吋寬及3至4吋長。
在任何壓力施加之前，網路層具有"初始"列(網路層未經電漿預處理)中所指示之電阻。表3之各列指示在大致340 psi下，穿越網路層之後續單次滾動。
在每一試驗中，將網路層滾軋5次。其後，對網路層應用電漿處理。各次滾軋後之電阻如第二(第一次試驗)及第三(第二次試驗)行中所列。第二次試驗之透射率及濁度變化係分別如第四行及第五行中所列。如所示，確定每一試驗之網路層電導率均藉由向其表面施加壓力而增加。
如上文表3中所示，藉由滾筒向網路層施加壓力可降低層之光透射率且增加濁度。如下文表4中所示，壓力處理後之洗滌方法可進一步改良透射率且降低網路層之濁度。
如表4中所示，藉由在大致340 psi下，在剛性表面上用單一不鏽鋼條滾軋2次對網路層施加壓力，降低網路層之光透射率且增加其濁度。然而，在滾軋後用皂及水洗滌網路層增加透射率且降低濁度。氬電漿處理進一步改良透射率及濁度。
在不滾軋之情況下用皂及水洗滌網路亦可在某種程度上有效改良電導率。
在壓力或洗滌處理後，可如先前在實例2中所述來塗佈基質材料。
實例6 導電層之光圖案化 圖33說明一種直接圖案化以奈米線為主之透明導電薄膜的方法。在該實例中，銀奈米線網路層("網路層")726初始係根據實例2中所述之方法而形成於玻璃基板728上。將兩個固持器730置放於玻璃基板728上以界定用於基質形成之區域732。將包含預聚物混合物之可光固化基質材料734塗 佈於區域732內之網路層726上。將遮罩736置放於固持器730上。遮罩736為具有約500 μm寬之暗線738之陣列的玻璃載片。隨後，在Dymax 5000燈下將基質材料照射90秒鐘。基質材料在暴露於光之區域中固化，且在由暗線遮蔽之區域中保持為液體。
圖34A－F展示在光學顯微鏡下之光圖案化導電層之影像。圖34A展示在光固化(5次)後即刻之導電薄膜740。較亮區域748暴露於UV照射且固化。較暗區域744經遮蔽以避免光暴露且其中之基質材料未經固化。導電薄膜740進一步經受膠帶或黏性滾軋處理以移除未固化區域744中之未固化基質材料及奈米線。圖34B展示在膠帶處理(5次)後之導電薄膜740，其中固化區域748比未固化區域744顯得更亮。在較高放大率下(圖34C及34D，20倍)，可觀察到未固化區域744與固化區域748相比具有較低之奈米線濃度。在圖34E及34F(100倍)中，該對比更為明顯。另外觀察到，在膠帶處理後，未固化區域744中之奈米線濃度降至滲透臨限以下。使用精細探針尖端之電量測展示未固化區域744為非導電性的。
作為使用膠帶或黏性滾筒移除未固化區域中之基質材料及奈米線之替代方法，可使用溶劑來洗滌未固化區域。如圖35A－D中所示，導電薄膜750係如上所述來製備且經由黃銅孔眼遮罩暴露於UV照射。圖35A展示在用乙醇洗滌及擦拭後之固化區域(導電區域)752及未固化區域754。圖35B－D說明，在增加放大率下，未固化區域754中之奈米線濃度 與固化區域752中之奈米線濃度相比之對比情況。在未固化區域754中，大部分未固化基質材料及銀奈米線已藉由乙醇洗滌而移除。光圖案化因此根據預定圖案產生導電區域及非導電區域。
實例7 可光固化之調配物 實例6中所述之基質材料可藉由將丙烯酸酯單體(或如本文所定義之預聚物)、多官能丙烯酸酯單體(或預聚物)及至少一種光引發劑組合來調配。可使用任何丙烯酸酯單體或預聚物，諸如環氧丙烯酸酯，更特定而言為丙烯酸2－乙基己酯、丙烯酸2－苯氧基乙酯、丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸酯及其類似物。任何多官能丙烯酸酯單體(或預聚物)均可用於促進交聯聚合物網路之形成。實例包括三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、三丙二醇二丙烯酸酯、雙酚－A二丙烯酸酯、丙氧基化(3)三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二異戊四醇五丙烯酸酯。可使用任何光引發劑，例如以酮為主之引發劑。特定實例包括：Ciba Irgacure 754、諸如Ciba Irgacure 184之苯基酮、α－羥基酮、乙醛酸(glyoxylate)、二苯甲酮、α－胺基酮及其類似物。更特定而言，快速固化調配物可藉由將60%－70%之丙烯酸2－乙基己酯、15%－30%之三羥甲基丙烷三丙烯酸酯及約5%之Ciba Irgacure 754組合來製備。
可添加其他添加劑以增強基質及奈米線之穩定性及/或促進其黏著力。舉例而言，可使用促進有機物質與無機物 質之間偶合之黏著促進劑(例如矽烷)。矽烷型黏著促進劑之實例包括GE Silquest A174、GE Silquest A1100及其類似物。可使用抗氧化劑，諸如Ciba Irgonox 1010ff、Ciba Irgonox 245、Irgonox 1035。此外，可使用額外引發劑或輔助引發劑來促進光引發劑之效率。輔助引發劑之實例可包括任何類型之三級胺丙烯酸酯，諸如Sartomer CN373、CN371、CN384、CN386及其類似物。可另外添加額外光引發劑，諸如Ciba Irgacure OXE01。
下文為適合作為用於該實例中之基質材料的四種例示性可光固化調配物：調配物1 75%之丙烯酸2－乙基己酯；20%之三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)；1%之黏著促進劑(GE Silquest A1100)；0.1%之抗氧化劑(Ciba Irgonox 1010ff)及4%之光引發劑(Ciba Irgacure 754)
調配物2 73.9%之丙烯酸2－乙基己酯；20%之三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)；1%之黏著促進劑(GE Silquest A1100)；0.05%之抗氧化劑(Ciba Irgonox 1010ff)及5%之光引發劑(Ciba Irgacure 754)
調配物3 73.1%之三丙二醇二丙烯酸酯(TPGDA) 22.0%之三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)4.9%之光引發劑(Ciba Irgacure 754)0.03%之抗氧化劑(4－甲氧基苯酚)
調配物4 68%之丙烯酸2－乙基己酯；20%之三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)；1%之黏著促進劑(GE Silquest A1100)；0.1%之抗氧化劑(Ciba Irgonox 1010ff)及5%之光引發劑I(Ciba Irgacure 754)5%之輔助引發劑(Sartomer CN373)1%之光引發劑II(Ciba Irgacure OXE01)
實例8 奈米線分散液 奈米線分散液或墨水係藉由將約0.08重量%之HPMC、約0.36重量%之銀奈米線、約0.005重量%之ZonylFSO－100及約99.555重量%之水組合來調配。作為初始步驟，製備HPMC儲備溶液。將等於奈米線分散液之所要總體積約3/8之量的水置放於燒杯中，且在加熱板上加熱至80℃與85℃之間。將用以製得0.5重量%之HPMC溶液的足夠HPMC添加至水中，且關閉加熱板。將HPMC及水混合物攪拌以分散HPMC。在冰上冷卻總量水之剩餘物且隨後添加至經加熱之HPMC溶液中，且在高RPM下攪拌約20 min。經由40 μm/70 μm(純/標稱)Cuno Betapure過濾器過濾HPMC溶液以移除未溶解之凝膠及微粒。接著，製備 ZonylFSO－100之儲備溶液。更特定而言，將10 g之ZonylFSO 100添加至92.61 mL之水中，且加熱直至ZonylFSO 100完全溶解。將在最終墨水組合物中用以製得約0.08重量%之HPMC溶液所必要量之HPMC儲備溶液置放於容器中。隨後，添加在最終墨水組合物中用以製得約99.555重量%之水溶液所必要量之DI水。將溶液攪拌約15 min.且添加在最終墨水組合物中用以製得約0.36%之Ag奈米線溶液所必要量之銀奈米線。最後，添加用以製得約0.005重量%之ZonylFSO－100溶液所必要量之ZonylFSO－100儲備溶液。
實例9 酸蝕刻(1) 圖36A－36C展示蝕刻進程及形成於透明導體薄片758上之最終圖案。更特定而言，導電銀奈米線層首先形成於PET基板上。根據圖案，將UV可固化丙烯酸酯沈積於奈米線層上。使基質乾燥且部分固化。基質通常為約50 nm－300 nm厚。在由基質保護之區域中以及在未由基質保護之區域中偵測表面電導率。
隨後，將透明導體薄片暴露於酸蝕刻溶液，該酸蝕刻溶液包括1%之HNO3 、1%之NaNO3 及5 ppm之KMnO4 。
圖36A展示在一分鐘內，已自鄰近於經基質保護之區域760之區域開始銀奈米線之蝕刻。在未經基質保護之區域762中，奈米線層之溶解及破壞係明顯的。
圖36B展示透明導體薄片在2分鐘時進入蝕刻。更多未經 保護之銀奈米線溶解且出現良好界定之圖案。圖36C展示，在4分鐘結束時，所有未經保護之銀奈米線已被蝕刻，且已藉由用水沖洗透明導體薄片而移除。經保護之區域760仍為導電性的。視情況，可進一步固化經基質保護之區域760中之部分固化基質。
實例10 酸蝕刻(2) 圖37A及37B展示藉由在酸蝕刻溶液中使用較高濃度之KMnO4 對蝕刻速率之影響。除使用10 ppm之KMnO4 外，如實例9中所述製備且圖案化透明導體薄片764。圖37A展示未經保護之奈米線在蝕刻30秒鐘內被蝕刻掉。圖37B展示在較高放大率下，在蝕刻約1分鐘後經良好界定之圖案。圖37B亦展示其中存在基質之區域766未由蝕刻溶液蝕刻或干擾。如同在實例9中，經保護之區域在蝕刻後保持表面導電性。另外，圖37B展示在圖案化表面之導電區域與非導電區域之間的界面處，奈米線實際上為隔斷的，且在蝕刻之前延伸至非導電區域中之該等經隔斷奈米線部分被蝕刻掉。以此方式，經隔斷導線之剩餘部分比在蝕刻之前之導線初始長度短。
實例11 酸蝕刻(3) 根據實例7中所述之方法製備透明導體薄片(例如式1)。將奈米線網路層形成於約140 nm厚之基質層中。薄片為表面導電性的，其具有約500 Ω/□之表面電阻率。
隨後，藉由約1 μm厚之外塗層保護薄片之導電表面區之區域。奈米線由外塗層完全覆蓋且在該區域中不可偵測表面電導率。無外塗層之區域保持為表面導電性的。
隨後，將整個薄片浸入酸蝕刻溶液(20 ppm之KMnO4 、1%之HNO3 、1%之NaNO3 )中歷時1分鐘。移除薄片且用水沖洗，且在N2 流下乾燥。整個薄片成為非導電性的。
如圖38B中所示，在未經塗佈之區域中，儘管存在基質，但銀奈米線仍溶解為可溶性銀鹽。該結果指示，較高之KMnO4 濃度(20 ppm，分別與實例9及10中之10 ppm及5 ppm相比)可導致基質中之奈米線的溶解。由於奈米線網路層之腐蝕，未經塗佈之區域不再為導電的。
經外塗層保護之區域中之銀奈米線不受蝕刻影響。儘管由於外塗層之厚度而不可能存在表面電導率，但奈米線網路層仍保持在外塗層下方(圖38A)。
圖38A及38B說明，本文所述之透明導體可根據使用遮罩之標準微影方法來圖案化，該遮罩充當如本文所說明之厚外塗層。
實例12 彩色濾光器塗層 用導電奈米線薄膜直接塗佈商業彩色濾光器。
樣本1為具有彩色濾光器之鉻黑基質。如圖39A中所示，R、G及B彩色濾光器係彼此平行佈置，且兩個相鄰彩色濾光器由一凹槽780彼此分離，該凹槽防止在相鄰像素之間的光透射。樣本1在凹槽方向上為表面導電性的(由於黑色 基質之金屬內含物)且指示約40 Ω/□之薄層電阻。穿越凹槽之樣本不為表面導電性的。
將奈米線直接塗佈於樣本1之整個頂部表面上。經塗佈之樣本在沿凹槽之方向上保持為表面導電性的且展示約33 Ω/□之表面電阻。另外，因為奈米線經仿形塗佈(參見圖39A)，所以穿越凹槽780之經塗佈樣本亦為表面導電性的且展示約100 Ω/□之表面電阻。
奈米線塗層對樣本1之光學特性具有極小影響。與未經塗佈樣本中之19.2%相比，經塗佈樣本中之透光率為18.2%。經塗佈樣本比普通樣本略微更模糊。經塗佈樣本中之濁度自普通樣本之約2.7%增加至約3.5－5.3%。
樣本2為具有彩色濾光器之有機樹脂黑色基質，該等彩色濾光器具有與樣本1中類似之佈置。樣本2(參見圖39B)完全為非表面導電性的。
圖39B亦展示經奈米線層塗佈之樣本2。經塗佈之樣本2在沿凹槽782之方向上為表面導電性的且展示約56－76 Ω/□之表面電阻。另外，因為奈米線與凹槽782一致，所以穿越凹槽之經塗佈樣本亦為表面導電性的且展示約61 Ω/□之表面電阻。總體上，整體表面電阻經量測為約120－130 Ω/□。
光學上，奈米線塗層對樣本2具有極小影響。經塗佈樣本中之透光率為27.5%，而未經塗佈樣本中之透光率為26.9%。經塗佈樣本比未經塗佈樣本略微更模糊，濁度自約1.4%增加至約4.8%。
實例13 表面預處理 藉由濕式蝕刻方法圖案化透明導體樣本。蝕刻之前，透明導體已根據圖案來遮蔽(物理遮罩或光阻遮罩)且在未遮蔽區域中經表面處理。與未經處理之樣本相比，經表面處理之透明導體以高得多之速率經蝕刻。
使用物理遮罩： 透明導體樣本係藉由首先在包括聚碳酸酯、玻璃或PET之基板上，藉由旋塗(或其他沈積方法)形成具有所要透明度及電導率之銀奈米線薄膜來製備。隨後，用Addison Clear Wave AC YC－5619硬塗層(藉由旋塗)來塗佈銀奈米線薄膜。將硬塗層材料烘焙且經完全UV固化。
將具有所要圖案之遮罩(例如塑膠薄膜)置放於透明導體樣本之硬塗層上且與其接觸。遮罩界定待蝕刻之區域(未遮蔽)。未遮蔽區域經受O2 電漿或10分鐘UV臭氧處理歷時10分鐘。
移除遮罩且將樣本浸沒於100%之Transene Ag蝕刻劑型TFS中歷時10秒鐘，之後將其移除且在DI中沖洗並風乾。
使用光阻遮罩： 代替物理遮罩，可將光阻材料旋塗於銀奈米線薄膜(具有硬塗層)上。當根據所要圖案暴露於UV光時，光阻材料固化成遮罩。透明導體樣本可按照上文所述之方法經表面處理及蝕刻。
結果： 如所示，分別藉由氧電漿及UV臭氧預處理之樣本1及2在蝕刻10秒鐘之內成為非導電性的(無限電阻率)。相比之下，未經處理之樣本3在蝕刻6分鐘後保持為導電性的。
樣本4說明一種使用經稀釋蝕刻劑之不可見圖案化方法。氧電漿處理之後，使用5% Transene Ag蝕刻劑型TFS之圖案化產生具有實質上均勻光學特性之圖案化透明導體。據信，經稀釋蝕刻劑在不完全移除奈米線之情況下，已賦予透明導體薄膜非導電性。
實例14 不可見圖案化 製備HPMC、銀奈米線及水之懸浮液。將懸浮液旋塗於玻璃基板上以在HPMC基質中形成銀奈米線導電薄膜。導電層為光學透明的，光學透射率(%T)為約88.1%且濁度(%H)為約2.85%。導電層亦為高表面導電性的，其表面電阻率為約25 Ω/□。
其後，用氧化劑(例如具有0.5%次氯酸鹽之漂白溶液)處理導電薄膜區域歷時2分鐘。隨後將經處理之薄膜用水沖洗且在氮氣氛中乾燥。與未經處理區域之光學特性相比，薄膜之經處理區域展示實質上相同之透射率(89.1%T)及濁度(5.85%H)。圖40A展示，經處理區域820及未經處理區域822在視覺上係均勻的。
然而，經處理區域之表面電阻率已增加若干數量級且成為有效絕緣的。進一步放大(100倍，暗場)之圖40A展示，銀奈米線斷裂或可能已轉化為諸如氯化銀之不溶性及絕緣銀鹽(參見例如圖40B)。
作為比較，圖41展示經更強且更濃之氧化劑：30%過氧化氫處理之以銀奈米線為主之導電薄膜。如所示，在經處 理區域824中，幾乎所有奈米線及有機HPMC基質溶解。經處理區域824及未經處理區域826中之光學特性顯著不同。
實例15 製備HPMC、銀奈米線及水之懸浮液。將懸浮液旋塗於玻璃基板上以在HPMC基質中形成銀奈米線導電薄膜。導電層為光學透明的，光學透射率(%T)為約89.1%，濁度(%H)為約3.02%且表面電阻率為約45 Ω/□。
將透明導體區域浸泡於具有乙腈(ACN)(0.5 mg/ml)之TCNQ溶液中歷時不同時間量，沖洗且在氮氣氛中乾燥。下文表5展示暴露於TCNQ溶液之透明導體區域的透明度、濁度及電阻率如何隨暴露時間量而變化。
如表5中所示，經處理區域之電阻率變化及光學特徵之相對小變化可藉由改變經處理區域之暴露時間量來控制。
實例16 經處理區域之電阻率變化亦可視用以處理具有變化電阻率之區域的化學品來控制。如上文實例15中所述來製備透明導電樣本。將樣本之區域浸泡於Pd(AcO)2 及ACN(1 mg/mL)之溶液中歷時不同時間量。隨後將樣本用ACN沖洗兩次且在氮氣氛中乾燥。下文表6展示作為樣本暴露於溶液之時間量之函數的光學特徵(透明度及濁度)及電阻率的 變化。
如藉由比較表5及6所說明，暴露區域之電阻率隨時間變化之量可視區域所暴露之化學品而不同。
實例17 光阻圖案化方法 製備由0.2% HPMC、250 ppm TritonX100及銀奈米線組成之銀奈米線分散液。將分散液旋塗於基板上且在180℃下烘焙90秒鐘。隨後，用AZ－3330F光阻劑旋塗該奈米線薄膜以製得2.5 μm之透明導電薄膜。隨後，在110℃下將透明導體烘焙60秒鐘。將光遮罩置放為與光阻層之一部分相接觸，且使透明導體以12 mW/cm2 暴露於光線歷時20秒鐘。隨後，在110℃下將導體烘焙60秒鐘。
隨後，將光阻劑用AZ300MIF顯影劑顯影，沖洗且旋乾。隨後，使導體暴露於Transene銀蝕刻劑歷時10秒鐘，沖洗且旋乾。隨後使用丙酮將光阻劑剝離。將透明導體用Polyset PCX35－39B於PGME中之2.5%稀釋液外部塗佈且隨後在180℃下固化45 min。所得圖案化透明導體具有5 μm至10 μm之線寬。較大之圖案線寬亦已使用光阻劑及本文所揭示之其他圖案化方法而獲得。舉例而言，已獲得10 μm至300 μm及10 μm至50 μm之線寬。
本說明書中所涉及及/或包括(但不限於)[插頁清單]之申請案資料表(Application Data Sheet)中所列舉之所有上述美國專利、美國專利申請案公開案、美國專利申請案、外國專利、外國專利申請案及非專利公開案均係以引用的方式全部併入本文中。
自前文應瞭解，儘管本發明之特定實施例已在本文中描述以達成說明之目的，但在不偏離本發明之精神及範疇下可進行各種修改。因此，除如由隨附申請專利範圍所限制之外，本發明不受限制。
4‧‧‧Ag奈米線
6a、6b‧‧‧電學末端
8‧‧‧蛋白骨架
8a‧‧‧結合位點
8b‧‧‧導電粒子/導電材料
9a、9b‧‧‧締合肽
10‧‧‧透明導體/以奈米線為主之導電層
10'‧‧‧透明導體
12、12'、12"、204、250‧‧‧ 導電層
14、260、402、674‧‧‧ 基板
16‧‧‧金屬奈米線
16a‧‧‧奈米線
16b‧‧‧奈米線末端
16c‧‧‧中間區段
17、274‧‧‧外塗層
17a‧‧‧導電粒子
18、210‧‧‧基質
19‧‧‧基質表面
20‧‧‧多層透明導體
22‧‧‧第一層
24‧‧‧第二層
26‧‧‧第三層
28、30‧‧‧表面
32‧‧‧邊緣密封件
36、530、660‧‧‧隔片
40‧‧‧儲集器
44‧‧‧單層
100、186、187、354‧‧‧ 滾筒
105‧‧‧頂部表面
110、168‧‧‧金屬奈米線分散液層
114、180‧‧‧金屬奈米線網路層
116‧‧‧基質材料層
118‧‧‧捲軸
120、150‧‧‧行進路徑
122‧‧‧儲存槽
124、132、166‧‧‧金屬奈米線分散液
128‧‧‧孔眼
140‧‧‧塗佈滾筒
144‧‧‧底部表面
146‧‧‧網式塗佈系統
147‧‧‧捲取軸
148‧‧‧供應捲軸
160‧‧‧預處理台
164‧‧‧金屬奈米線沈積台
172‧‧‧沖洗台
176‧‧‧乾燥台
184、214‧‧‧後處理台
185‧‧‧網路層表面
188‧‧‧基質沈積台
190‧‧‧基質材料
192‧‧‧基質材料層
198‧‧‧圖案化台
200‧‧‧固化台
230、270‧‧‧層壓結構
240‧‧‧可撓性供體基板
244‧‧‧釋放層
262‧‧‧導電層表面
278‧‧‧黏接層
280‧‧‧黏接表面
300‧‧‧預聚物塗層
310‧‧‧照射源
314‧‧‧遮罩
320‧‧‧經固化區域
324‧‧‧未經固化區域
330‧‧‧旋轉柱體
332‧‧‧傳送帶
334‧‧‧旋轉柱體外部
338、360‧‧‧開口
340‧‧‧保護縫隙或視準儀
350‧‧‧圖案化帶
352‧‧‧圖案化帶外部
354‧‧‧滾筒
370‧‧‧洗滌台
374‧‧‧裸金屬奈米線區域
380‧‧‧經固化區域/導電區域
384‧‧‧黏性滾筒
386‧‧‧非導電區域
387‧‧‧透明導體薄膜
388‧‧‧凹槽
389‧‧‧濁度
390‧‧‧透射率
391‧‧‧薄層電阻
394‧‧‧開關裝置
396‧‧‧閘薄膜電晶體
398、552‧‧‧像素電極
400‧‧‧部分整合系統/閘電極
406‧‧‧閘絕緣層
410、570‧‧‧絕緣層
414‧‧‧第一半導體層
418‧‧‧第二半導體層
422‧‧‧源電極
426‧‧‧汲電極
430‧‧‧通道
434、591、600、632‧‧‧保護層
438‧‧‧接觸孔
442‧‧‧透明導體薄膜
446‧‧‧信號線區域
500‧‧‧LCD裝置
501‧‧‧TFT底板
502、546、580、592‧‧‧ 彩色濾光器基板
504‧‧‧背光
508‧‧‧偏光器
512‧‧‧玻璃基板
520‧‧‧第一透明導體帶
522、572‧‧‧第一對準層
524‧‧‧資料線
530‧‧‧隔片
532‧‧‧第二對準層
536‧‧‧液晶
540‧‧‧第二透明導體帶
542‧‧‧LCD
544‧‧‧TFT基板/鈍化層
548‧‧‧有色基質之彩色濾光器/液晶層/液晶
550‧‧‧頂部玻璃基板/薄膜電晶體
554‧‧‧偏光器/底部透明基板
556、590、602‧‧‧共同電極
558‧‧‧彩色濾光器
560‧‧‧頂部透明基板
562‧‧‧閘電極
564‧‧‧活性層
564c‧‧‧通道區域
564d‧‧‧汲極區域
564s‧‧‧源極區域
566‧‧‧閘絕緣層/汲電極/閘電極
568‧‧‧層間絕緣層
574‧‧‧儲存電容元件
576‧‧‧第一電極
578‧‧‧第二電極
582、594‧‧‧透明基板
584、595‧‧‧顯示表面
586‧‧‧黑色基質/光屏蔽層
588a、598a‧‧‧第一有色像素
588b、598b‧‧‧第二有色像素
588c、598c‧‧‧第三有色像素
596‧‧‧黑色基質
606‧‧‧PDP
608‧‧‧下方透明基板
610‧‧‧下方絕緣層
612‧‧‧位址電極
614‧‧‧下方介電層
616‧‧‧隔離壁
618‧‧‧放電單元
620‧‧‧黑色基質層
622‧‧‧螢光層
624‧‧‧上方透明基板
626‧‧‧顯示電極
628‧‧‧匯流排電極
630‧‧‧上方介電層
640‧‧‧觸摸式顯示幕裝置
642‧‧‧底部面板
644‧‧‧第一基板
646‧‧‧第一導電層
647‧‧‧第一外塗層
648‧‧‧頂部導電表面
650‧‧‧上方面板
652、652'‧‧‧黏接外殼
654‧‧‧第二導電層
655‧‧‧第二外塗層
656‧‧‧第二基板
657‧‧‧導電粒子
658‧‧‧內部導電表面
664‧‧‧同質接面太陽電池
668、682、692‧‧‧頂部觸點
670、684、700‧‧‧底部觸點
672‧‧‧半導體二極體
676‧‧‧匯流排條
680‧‧‧異質接面太陽電池
686‧‧‧半導體異質接面層
686a‧‧‧摻雜頂部半導體層/第一半導體層
686b‧‧‧未摻雜中間半導體層
686c‧‧‧摻雜底部半導體層/第三半導體層
690‧‧‧多接面電池
694‧‧‧第一單元
696‧‧‧穿隧層
698‧‧‧第二單元
710‧‧‧EL裝置
712‧‧‧頂部電極
714‧‧‧介電層
716‧‧‧EL材料層
718‧‧‧透明電極
720‧‧‧可選障壁層
722‧‧‧可選外塗層
726‧‧‧銀奈米線網路層
728‧‧‧玻璃基板
730‧‧‧固持器
732‧‧‧基質形成區域
734‧‧‧可光固化基質材料
736‧‧‧遮罩
738‧‧‧暗線
740‧‧‧導電薄膜
744‧‧‧較暗區域/未固化區域
748‧‧‧較亮區域/固化區域
750‧‧‧導電薄膜
752‧‧‧固化區域/導電區域
754‧‧‧未固化區域
758‧‧‧透明導體薄片
760‧‧‧經基質保護之區域
762‧‧‧未經基質保護之區域
764‧‧‧透明導體薄片
766‧‧‧存在基質之區域
780、782‧‧‧凹槽
810‧‧‧金屬奈米線導電網路
812a、812b、812c‧‧‧奈米線交叉點
814、816、818‧‧‧頂部奈米線
820、824‧‧‧經處理區域
822、826‧‧‧未經處理區域
d1 ‧‧‧直徑
L1 ‧‧‧長度
圖1為奈米線之圖解說明。
圖2為說明銀奈米橢球在各種光波長下之預期光學特性之曲線圖。
圖3說明銀奈米線層在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板上之吸收光譜。
圖4為說明奈米線基於導線直徑之各種電阻率特性之期望值的圖表。
圖5為說明作為奈米線直徑之函數的預期總電阻率之曲線圖。
圖6展示在2個金屬觸點之間連接之單一銀奈米線的SEM影像。
圖7說明充當透明導體之生物學模板的絲狀蛋白網路。
圖8說明經由各種結合位點與導電粒子偶合之蛋白骨架。
圖9說明基於締合肽之偶合形成生物學模板之導電網路。
圖10A示意性地說明以金屬奈米線為主之透明導體之一實施例。
圖10B示意性地說明以金屬奈米線為主之透明導體之另一實施例。
圖10C示意性地展示以金屬奈米線為主之透明導體之另一實施例，其中該等奈米線之部分暴露於透明導體表面上。
圖10D展示突出透明導體表面之銀奈米線的SEM影像。
圖10E示意性地說明以金屬奈米線為主之透明導體之另一實施例。
圖10F示意性地說明具有經表面導電外塗層塗佈之透明導電層的多層結構。
圖11示意性地說明具有多層結構之以金屬奈米線為主之透明導體的另一實施例。
圖12展示具有用於傳遞氣相抑制劑(VPI)之儲集器的透明導體結構。
圖13A－13D展示透明導體之製造方法之一實例。
圖14A展示藉由網式塗佈之透明導體製造方法之一實例。
圖14B展示藉由網式塗佈之透明導體製造方法之另一實例。
圖15A展示用於製造透明導體之網式塗佈系統及流程。
圖15B展示導電層在壓力施加之後處理後之SEM影像。
圖16A－16C展示層壓方法之一實例。
圖17A－17C展示層壓方法之另一實例。
圖18展示光圖案化導電層之一實例。
圖19A－19B展示適合於網式塗佈方法之連續光圖案化方法之一實例。
圖20展示製造圖案化透明導體之部分系統及方法。
圖21A－21B為展示以奈米線為主之透明導體薄膜之仿形性的SEM影像。
圖22為展示以奈米線為主之透明導體薄膜之耐溫性的圖示。
圖23為根據一實施例之具有TFT底板之開關裝置的橫截面圖。
圖24展示包含以金屬奈米線為主之透明電極的顯示裝置。
圖25展示根據一實施例之以頂部閘TFT為主之LCD的橫截面圖。
圖26A展示根據一實施例之TN模式LCD中之彩色濾光器基板的橫截面圖。
圖26B展示根據另一實施例之IPS模式LCD中之彩色濾光器基板的橫截面圖。
圖27展示根據一實施例之PDP之橫截面圖。
圖28展示包含兩個以金屬奈米線為主之透明導體的觸摸式顯示幕裝置。
圖28A展示觸摸式顯示幕裝置中之經外塗層塗佈之兩個相反透明導體。
圖29A展示根據一實施例之同質接面太陽電池結構。
圖29B展示根據另一實施例之異質接面太陽電池結構。
圖29C展示根據另一實施例之多接面太陽電池結構。
圖30展示根據一實施例之薄膜EL裝置。
圖31展示來自新鮮烹煮蛋黃之H2 S氣體的典型釋放曲線。
圖32A展示6個導電薄膜樣本在加速H2 S腐蝕測試之前及之後的光透射率。
圖32B展示6個導電薄膜樣本在加速H2 S腐蝕測試之前及之後的電阻。
圖32C展示6個導電薄膜樣本在加速H2 S腐蝕測試之前及之後的濁度。
圖33展示直接圖案化以奈米線為主之透明導電薄膜之一實例。
圖34A－34F展示圖案化導電薄膜在膠帶處理之前及之後在各種放大位準下之像片。
圖35A－35D展示另一例示性導電薄膜在溶劑處理之前及之後之像片。
圖36A－36C展示蝕刻之進程及形成於透明導體薄片上之最終圖案。
圖37A－37B展示根據一實施例藉由使用酸蝕刻溶液之蝕刻速率。
圖38A及38B說明根據一實施例之圖案化及蝕刻方法。
圖39A及39B說明根據一實施例之具有以奈米線為主之透明導體薄膜的塗佈商業彩色濾光器。
圖40A－40B展示圖案化透明導體層而不影響其光學特性之一實施例。
圖41展示藉由蝕刻來圖案化之另一實施例。
500‧‧‧LCD裝置
501‧‧‧TFT底板
502‧‧‧彩色濾光器基板
504‧‧‧背光
508‧‧‧偏光器
512‧‧‧玻璃基板
520‧‧‧第一透明導體帶
522‧‧‧第一對準層
524‧‧‧資料線
530‧‧‧隔片
532‧‧‧第二對準層
536‧‧‧液晶
540‧‧‧第二透明導體帶
544‧‧‧TFT基板/鈍化層
548‧‧‧有色基質之彩色濾光器/液晶層/液晶
550‧‧‧頂部玻璃基板/薄膜電晶體
554‧‧‧偏光器/底部透明基板

Claims (11)

  1. 一種觸摸式顯示幕裝置，其包含：包括金屬奈米線之第一透明導電層，其中該等金屬奈米線係處於電滲透位準處或處於其之上；及定位於該第一透明導電層之上且藉由隔片與其分離之第二透明導電層，該第二透明導電層包括金屬奈米線，其中該等金屬奈米線係處於該電滲透位準處或處於其之上；其中該第一透明導電層及該第二透明導電層中之至少一者係另外經透明外塗層塗佈，該透明外塗層包括複數個處於該電滲透位準以下之導電粒子，且其中該透明外塗層為表面導電性的。
  2. 如請求項1之觸摸式顯示幕裝置，其中該等導電粒子為ITO、ZnO、摻雜ZnO、金屬奈米線、金屬奈米管、碳奈米管或其混合物。
  3. 如請求項1之觸摸式顯示幕裝置，其中該透明外塗層具有至少106 Ω/□之表面電阻率。
  4. 一種透明導體中之多層結構，其包含：基板；形成於該基板上之導電層，其中該導電層包含一第一複數條金屬奈米線，該第一複數條金屬奈米線達到一電滲透位準；及形成於該導電層上之外塗層，該外塗層併入有一第二複數個導電粒子，該第二複數個導電粒子係處於該電滲透位準以下，且其中該外塗層為表面導電性的。
  5. 如請求項4之多層結構，其中該等導電粒子為ITO、ZnO、摻雜ZnO、金屬奈米線、金屬奈米管、碳奈米管或其混合物。
  6. 如請求項4之多層結構，其中該導電層及該外塗層為光學透明的。
  7. 如請求項4之多層結構，其具有小於106 Ω/□之表面電阻率。
  8. 一種包含多層結構之觸摸式顯示幕裝置，其具有：導電層，其中該導電層包括第一複數條金屬奈米線，該第一複數條金屬奈米線達到電滲透位準處；及形成於該導電層上之外塗層，該外塗層併入第二複數個導電粒子，該第二複數個導電粒子位於該電滲透位準以下且其中該外塗層為表面導電性的。
  9. 如請求項8之觸摸式顯示幕裝置，其中該等導電粒子為ITO、ZnO、摻雜ZnO、金屬奈米線、金屬奈米管、碳奈米管或其混合物。
  10. 如請求項8之觸摸式顯示幕裝置，其中該導電層及該外塗層為光學透明的。
  11. 如請求項8之觸摸式顯示幕裝置，其具有小於106 Ω/□之表面電阻率。
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Families Citing this family (493)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9574290B2 (en) 2003-01-13 2017-02-21 Nantero Inc. Methods for arranging nanotube elements within nanotube fabrics and films
US9422651B2 (en) * 2003-01-13 2016-08-23 Nantero Inc. Methods for arranging nanoscopic elements within networks, fabrics, and films
SG150517A1 (en) * 2005-08-12 2009-03-30 Cambrios Technologies Corp Nanowires-based transparent conductors
US7473912B2 (en) * 2005-11-09 2009-01-06 Yang Xiao Charles Method and apparatus for patterning micro and nano structures using a mask-less process
KR101152139B1 (ko) * 2005-12-06 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치용 세정제 및 이를 사용하는 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법
TWI397446B (zh) * 2006-06-21 2013-06-01 Cambrios Technologies Corp 控制奈米結構形成及形狀之方法
US8018568B2 (en) 2006-10-12 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
TWI397925B (zh) * 2006-10-12 2013-06-01 Cambrios Technologies Corp 用於控制透明導體之電氣和光學性質之系統、裝置及方法
CN102324462B (zh) * 2006-10-12 2015-07-01 凯博瑞奥斯技术公司 基于纳米线的透明导体及其应用
US10231344B2 (en) * 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US8404160B2 (en) * 2007-05-18 2013-03-26 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
JP2008290354A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Panasonic Corp 導電シート及びその製造方法
AU2008260162B2 (en) 2007-05-29 2013-06-20 Tpk Holding Co., Ltd. Surfaces having particles and related methods
US20090059367A1 (en) * 2007-08-30 2009-03-05 O'malley Shawn Michael Light-polarizing article and process for making same
JP2009122969A (ja) * 2007-11-15 2009-06-04 Hitachi Displays Ltd 画面入力型画像表示装置
KR101234881B1 (ko) 2007-12-20 2013-02-20 시마 나노 테크 이스라엘 리미티드 나노입자로 형성된 투명한 전극을 갖는 광전지 소자
US8273983B2 (en) * 2007-12-21 2012-09-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Photonic device and method of making same using nanowires
US20090188557A1 (en) * 2008-01-30 2009-07-30 Shih-Yuan Wang Photonic Device And Method Of Making Same Using Nanowire Bramble Layer
KR101479996B1 (ko) * 2008-02-21 2015-01-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 제조 방법
SG188159A1 (en) * 2008-02-26 2013-03-28 Cambrios Technologies Corp Methods and compositions for ink jet deposition of conductive features
US8506849B2 (en) * 2008-03-05 2013-08-13 Applied Nanotech Holdings, Inc. Additives and modifiers for solvent- and water-based metallic conductive inks
US9214256B2 (en) * 2008-03-14 2015-12-15 Nano-C, Inc. Carbon nanotube-transparent conductive inorganic nanoparticles hybrid thin films for transparent conductive applications
JP2009224183A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Fujifilm Corp 金属酸化物微粒子、及び透明導電膜、並びに分散液、及びデバイス
KR100937865B1 (ko) * 2008-03-18 2010-01-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
JP2009277466A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Konica Minolta Holdings Inc 透明導電性フィルム及びその製造方法
US9730333B2 (en) * 2008-05-15 2017-08-08 Applied Nanotech Holdings, Inc. Photo-curing process for metallic inks
WO2009152146A1 (en) * 2008-06-09 2009-12-17 Unidym, Inc. Improved cnt/topcoat processes for making a transplant conductor
US20100000762A1 (en) * 2008-07-02 2010-01-07 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic pastes and inks
US8183763B2 (en) * 2008-07-08 2012-05-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of fabricating the same
US8390580B2 (en) * 2008-07-09 2013-03-05 Tsinghua University Touch panel, liquid crystal display screen using the same, and methods for making the touch panel and the liquid crystal display screen
JP2010049221A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Shinten Sangyo Co Ltd 液晶表示装置
KR101758184B1 (ko) * 2008-08-21 2017-07-14 티피케이 홀딩 컴퍼니 리미티드 개선된 표면, 코팅 및 관련 방법
JP4811533B2 (ja) * 2008-08-22 2011-11-09 日立化成工業株式会社 感光性導電フィルム、導電膜の形成方法、導電パターンの形成方法及び導電膜基板
US9574272B2 (en) 2008-09-02 2017-02-21 Ramot At Tel-Aviv University Ltd Metal nanowire thin-films
US8866065B2 (en) 2010-12-13 2014-10-21 Zena Technologies, Inc. Nanowire arrays comprising fluorescent nanowires
US9478685B2 (en) 2014-06-23 2016-10-25 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured infrared detector and fabrication method for the same
US9343490B2 (en) 2013-08-09 2016-05-17 Zena Technologies, Inc. Nanowire structured color filter arrays and fabrication method of the same
US9406709B2 (en) 2010-06-22 2016-08-02 President And Fellows Of Harvard College Methods for fabricating and using nanowires
US8269985B2 (en) * 2009-05-26 2012-09-18 Zena Technologies, Inc. Determination of optimal diameters for nanowires
US9299866B2 (en) 2010-12-30 2016-03-29 Zena Technologies, Inc. Nanowire array based solar energy harvesting device
US8274039B2 (en) 2008-11-13 2012-09-25 Zena Technologies, Inc. Vertical waveguides with various functionality on integrated circuits
US8299472B2 (en) 2009-12-08 2012-10-30 Young-June Yu Active pixel sensor with nanowire structured photodetectors
US9000353B2 (en) 2010-06-22 2015-04-07 President And Fellows Of Harvard College Light absorption and filtering properties of vertically oriented semiconductor nano wires
US8748799B2 (en) * 2010-12-14 2014-06-10 Zena Technologies, Inc. Full color single pixel including doublet or quadruplet si nanowires for image sensors
US9515218B2 (en) 2008-09-04 2016-12-06 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured photovoltaic devices with mirrors and optical claddings
TR200807116A2 (tr) * 2008-09-18 2009-04-21 Boyteks Teksti̇l Sanayi̇ Ve Ti̇caret A.Ş. Non-iyonize radyasyonun etkisini azaltan, elektromanyetik dalga ekranlama özelliğine haiz kumaş
US20110253205A1 (en) * 2008-09-27 2011-10-20 The Regents Of The University Of California Nanoscale Solar Cell Configuration
JP2010087105A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp 太陽電池
US8319208B2 (en) * 2008-10-02 2012-11-27 Zettacore Ip, Inc. Methods of forming thin films for molecular based devices
US8546684B2 (en) * 2008-10-15 2013-10-01 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic photoelectric conversion element and organic photoelectric conversion element manufacturing method
US20100101830A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Magnetic nanoparticles for tco replacement
US20100101829A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Steven Verhaverbeke Magnetic nanowires for tco replacement
KR101545922B1 (ko) * 2008-10-24 2015-08-21 엘지디스플레이 주식회사 전기영동표시장치 및 그 제조방법
KR20100045675A (ko) 2008-10-24 2010-05-04 삼성전자주식회사 표시 장치
US20110180133A1 (en) * 2008-10-24 2011-07-28 Applied Materials, Inc. Enhanced Silicon-TCO Interface in Thin Film Silicon Solar Cells Using Nickel Nanowires
US20100101832A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Compound magnetic nanowires for tco replacement
JP5098957B2 (ja) * 2008-10-31 2012-12-12 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機光電変換素子
JP5098956B2 (ja) * 2008-10-31 2012-12-12 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機光電変換素子の製造方法
CN101738767B (zh) * 2008-11-14 2012-11-07 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示面板和其制造方法
US20100129949A1 (en) * 2008-11-25 2010-05-27 Chang Chen Increasing solar cell efficiency with silver nanowires
KR101154164B1 (ko) * 2008-12-08 2012-06-14 삼성에스디아이 주식회사 광학 필터 및 그 제조방법
JP2010147324A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Kyocera Corp 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法
CN101762922B (zh) 2008-12-24 2012-05-30 京东方科技集团股份有限公司 触摸式电子纸及其制造方法
US8323744B2 (en) 2009-01-09 2012-12-04 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Systems, methods, devices and arrangements for nanowire meshes
US8642118B2 (en) 2009-01-16 2014-02-04 Konica Minolta Holdings, Inc. Pattern electrode manufacturing method and pattern electrode
WO2010095546A1 (ja) * 2009-02-17 2010-08-26 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明導電性フィルム及び透明電極
JP5396916B2 (ja) * 2009-03-03 2014-01-22 コニカミノルタ株式会社 透明電極の製造方法、透明電極および有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2412007B1 (en) 2009-03-27 2020-07-22 Ishihara Chemical Co., Ltd. Buffer layer to enhance photo and/or laser sintering
US11599003B2 (en) 2011-09-30 2023-03-07 View, Inc. Fabrication of electrochromic devices
US9007674B2 (en) 2011-09-30 2015-04-14 View, Inc. Defect-mitigation layers in electrochromic devices
KR20120102489A (ko) 2009-04-10 2012-09-18 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 금속 복합체 및 그의 조성물
JP5335534B2 (ja) * 2009-04-22 2013-11-06 日本写真印刷株式会社 導電性成形品及びその製造方法
JP5506235B2 (ja) * 2009-04-24 2014-05-28 日本写真印刷株式会社 艶消し状導電性ナノファイバーシート及びその製造方法
JP5275950B2 (ja) * 2009-05-01 2013-08-28 富士フイルム株式会社 積層膜とその製造方法、光電変換素子とその製造方法、及び太陽電池
KR20120030407A (ko) * 2009-05-05 2012-03-28 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 금속 나노구조체들을 포함하는 신뢰성 및 내구성 있는 도전성 막들
US20110024159A1 (en) * 2009-05-05 2011-02-03 Cambrios Technologies Corporation Reliable and durable conductive films comprising metal nanostructures
JP5609008B2 (ja) * 2009-05-12 2014-10-22 コニカミノルタ株式会社 透明導電フィルム、透明導電フィルムの製造方法及び電子デバイス用透明電極
GB0908300D0 (en) 2009-05-14 2009-06-24 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester films
WO2010138506A1 (en) * 2009-05-26 2010-12-02 Nanosys, Inc. Methods and systems for electric field deposition of nanowires and other devices
JP2010282997A (ja) * 2009-06-02 2010-12-16 Seiko Epson Corp 太陽電池、太陽電池の製造方法
JP5507898B2 (ja) * 2009-06-15 2014-05-28 パナソニック株式会社 透明導電パターンの製造方法及び透明導電パターン付き基材
US20120247808A1 (en) * 2009-06-22 2012-10-04 Si-Ty Lam Transparent conductive material
WO2010150619A1 (ja) * 2009-06-24 2010-12-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明電極、該透明電極に用いられる導電性繊維の精製方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2450915A4 (en) * 2009-06-30 2014-10-22 Dainippon Ink & Chemicals METHOD FOR FORMING THE STRUCTURE FOR A TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
CN101950794A (zh) * 2009-07-10 2011-01-19 群康科技(深圳)有限公司 显示装置及其显示面板装置
US8422197B2 (en) * 2009-07-15 2013-04-16 Applied Nanotech Holdings, Inc. Applying optical energy to nanoparticles to produce a specified nanostructure
JP5599462B2 (ja) * 2009-07-17 2014-10-01 ケアストリーム ヘルス インク 水溶性バインダを含む透明導電フィルム
JP2011034711A (ja) 2009-07-30 2011-02-17 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI543873B (zh) 2009-08-24 2016-08-01 坎畢歐科技公司 用於改良由金屬奈米結構所製得透明導體之濁度的金屬奈米結構純化
CN102762324B (zh) * 2009-08-25 2016-06-08 凯博瑞奥斯技术公司 控制金属纳米结构形态的方法
TWI420540B (zh) 2009-09-14 2013-12-21 Ind Tech Res Inst 藉由光能或熱能成形之導電材料、導電材料之製備方法以及導電組合物
JP2011060686A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Konica Minolta Holdings Inc パターン電極の製造方法及びパターン電極
US8636823B2 (en) 2009-09-26 2014-01-28 Ames Advanced Materials Corporation Silver ribbons, methods of their making and applications thereof
CN107104186B (zh) * 2009-09-29 2020-06-30 索尔维美国有限公司 有机电子器件、组合物和方法
JP2011090878A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Fujifilm Corp 透明導電体の製造方法
KR102154562B1 (ko) * 2009-12-04 2020-09-11 캄브리오스 필름 솔루션스 코포레이션 증가된 헤이즈를 갖는 나노구조체 기반의 투명 도전체 및 그것을 포함하는 장치
WO2011071885A2 (en) * 2009-12-07 2011-06-16 Duke University Compositions and methods for growing copper nanowires
KR101283578B1 (ko) * 2009-12-11 2013-07-08 한국전자통신연구원 플라스틱 기판 및 그 제조 방법
EP2513952A1 (en) * 2009-12-17 2012-10-24 Merck Patent GmbH Deposition of nanoparticles
US20120255762A1 (en) * 2009-12-24 2012-10-11 Fujifilm Corporation Metal nanowires, method for producing same, transparent conductor and touch panel
WO2011078170A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 富士フイルム株式会社 導電性組成物、並びに、それを用いた透明導電体、タッチパネル及び太陽電池
JP5639463B2 (ja) * 2009-12-25 2014-12-10 富士フイルム株式会社 導電性組成物、並びに、それを用いた透明導電体、タッチパネル及び太陽電池
WO2011081023A1 (ja) * 2009-12-28 2011-07-07 東レ株式会社 導電積層体およびそれを用いてなるタッチパネル
CN102109917B (zh) * 2009-12-28 2013-01-09 北京富纳特创新科技有限公司 触摸屏及其制备方法
TWI606461B (zh) * 2010-01-15 2017-11-21 凱姆控股有限公司 低霧度透明導體
JP5515789B2 (ja) * 2010-01-28 2014-06-11 コニカミノルタ株式会社 透明パターン電極、該電極の製造方法、該電極を用いた有機電子デバイスおよびその製造方法
TWI563042B (en) * 2010-02-05 2016-12-21 Cambrios Technologies Corp Photosensitive ink compositions and transparent conductors and method of using the same
SG183138A1 (en) * 2010-02-05 2012-09-27 Cambrios Technologies Corp Photosensitive ink compositions and transparent conductors and method of using the same
EP2539943B1 (en) * 2010-02-24 2021-01-06 Cambrios Film Solutions Corporation Nanowire-based transparent conductors and methods of patterning same
KR20130010471A (ko) 2010-02-27 2013-01-28 이노바 다이나믹스, 인코포레이티드 표면 임베디드 첨가물을 갖는 구조 및 관련 제조 방법
US8240218B2 (en) * 2010-03-01 2012-08-14 Infineon Technologies Ag Stress sensing devices and methods
TWI420361B (zh) * 2010-03-09 2013-12-21 Beijing Funate Innovation Tech 觸摸屏及其製備方法
KR101305378B1 (ko) * 2010-03-19 2013-09-06 엘지디스플레이 주식회사 터치인식 횡전계형 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR101298234B1 (ko) * 2010-03-19 2013-08-22 엘지디스플레이 주식회사 터치인식 횡전계형 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR101307962B1 (ko) * 2010-03-19 2013-09-12 엘지디스플레이 주식회사 터치인식 횡전계형 액정표시장치 및 이의 제조 방법
US9023217B2 (en) 2010-03-23 2015-05-05 Cambrios Technologies Corporation Etch patterning of nanostructure transparent conductors
JP5407989B2 (ja) * 2010-03-30 2014-02-05 三菱マテリアル株式会社 太陽電池用複合膜の形成方法
US10661304B2 (en) 2010-03-30 2020-05-26 Nantero, Inc. Microfluidic control surfaces using ordered nanotube fabrics
JP5638437B2 (ja) * 2010-04-09 2014-12-10 富士フイルム株式会社 導電膜及びその製造方法、並びにタッチパネル及び太陽電池
MY173618A (en) * 2010-05-11 2020-02-11 Kek Hing Kow Electrostatic discharge transparent sheeting
US20110291032A1 (en) * 2010-05-27 2011-12-01 Industrial Technology Research Institute Electromagnetic shielding composition, electromagnetic shielding device, anti-electrostatic device and method of manufacturing electromagnetic shielding structure
DE102011050650B4 (de) * 2010-05-27 2013-07-18 Industrial Technology Research Institute Zusammensetzung und Einrichtung zur Abschirmung elektromagnetischer Strahlung, Anti-Elektrosstatische Einrichtung sowie Verfahren zur Herstellung einer Struktur zur Abschirmung von elektromagnetischer Strahlung
CN103081126A (zh) 2010-06-08 2013-05-01 太平洋银泰格拉泰德能源公司 具有增强场和电子发射的光学天线
US20110309393A1 (en) * 2010-06-21 2011-12-22 Micron Technology, Inc. Packaged leds with phosphor films, and associated systems and methods
CN102298459A (zh) * 2010-06-23 2011-12-28 东莞万士达液晶显示器有限公司 触控面板
US8808583B2 (en) * 2010-06-30 2014-08-19 Chung Shan Institute Of Science And Technology Armaments Bureau, M.N.D. Method for manufacturing conductive adhesive containing one-dimensional conductive nanomaterial
FR2962852A1 (fr) * 2010-07-19 2012-01-20 Saint Gobain Electrode transparente pour cellule photovoltaique a haut rendement
WO2012018585A1 (en) * 2010-07-26 2012-02-09 Applied Nanotech Holdings, Inc. Transparent electrode for parallel solar cell tandems
CN101935017B (zh) * 2010-07-29 2013-05-01 中国科学院生态环境研究中心 用于贵重金属超细纳米线水相合成及其自沉降构建贵重金属纳孔膜的方法
EP2598942A4 (en) * 2010-07-30 2014-07-23 Univ Leland Stanford Junior CONDUCTIVE FILMS
CN103155174B (zh) 2010-08-07 2017-06-23 宸鸿科技控股有限公司 具有表面嵌入的添加剂的装置组件和相关的制造方法
WO2012023553A1 (ja) * 2010-08-16 2012-02-23 富士フイルム株式会社 導電材料、タッチパネル、及び太陽電池
US20120061625A1 (en) * 2010-09-09 2012-03-15 Eckert Karissa L Transparent conductive films, compositions, articles, and methods
JP5458443B2 (ja) * 2010-09-14 2014-04-02 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出機能付き表示装置、および電子機器
CN103109391B (zh) 2010-09-24 2016-07-20 加利福尼亚大学董事会 纳米线-聚合物复合材料电极
KR20120033917A (ko) * 2010-09-30 2012-04-09 코오롱인더스트리 주식회사 전극기판의 제조방법
KR101262457B1 (ko) * 2010-10-05 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치
US9396828B2 (en) * 2010-10-19 2016-07-19 The Boeing Company Carbon nanotube coated structure and associated method of fabrication
GB201019212D0 (en) 2010-11-12 2010-12-29 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester film
US8763525B2 (en) * 2010-12-15 2014-07-01 Carestream Health, Inc. Gravure printing of transparent conductive films containing networks of metal nanoparticles
EP2651841A1 (en) 2010-12-15 2013-10-23 Sun Chemical Corporation Printable etchant compositions for etching silver nanowire-based transparent, conductive films
KR101670962B1 (ko) * 2010-12-16 2016-10-31 삼성전자주식회사 국소 전극을 이용한 능동광학소자
CN102184928A (zh) * 2010-12-29 2011-09-14 友达光电股份有限公司 显示元件及其制造方法
US8932898B2 (en) 2011-01-14 2015-01-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior Univerity Deposition and post-processing techniques for transparent conductive films
US10196526B2 (en) 2011-02-23 2019-02-05 Dexerials Corporation Transparent conductive film, information input device, and electronic device
US10494720B2 (en) * 2011-02-28 2019-12-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Metallic nanofiber ink, substantially transparent conductor, and fabrication method
CN102173133A (zh) * 2011-02-28 2011-09-07 福耀玻璃工业集团股份有限公司 一种包含金属纳米结构导电层的复合功能夹层玻璃
US20120217453A1 (en) * 2011-02-28 2012-08-30 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Metallic Nanofiber Ink, Substantially Transparent Conductor, and Fabrication Method
SG193253A1 (en) * 2011-03-04 2013-10-30 Cambrios Technologies Corp Method of tuning work function of metal nanostructure-based transparent conductor
TW201239496A (en) * 2011-03-18 2012-10-01 Shih Hua Technology Ltd Touch-control e-paper display
CN102214499B (zh) * 2011-03-21 2012-11-21 明基材料有限公司 含纳米银线的软性透明导电膜及其制造方法
WO2012133367A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 東レ株式会社 導電積層体およびタッチパネル
TWI409011B (zh) * 2011-04-14 2013-09-11 Polychem Uv Eb Internat Corp Construction and Manufacturing Method of Transparent Conductive Line
CN103460123B (zh) * 2011-04-15 2016-02-10 3M创新有限公司 用于电子显示器的透明电极
CN102201549B (zh) * 2011-04-18 2013-08-14 电子科技大学 一种柔性发光器件用基板及其制备方法
CN102208542B (zh) * 2011-04-18 2013-01-30 电子科技大学 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法
CN102208569B (zh) * 2011-04-18 2013-04-24 电子科技大学 一种柔性发光器件用基板及其制备方法
CN102208544B (zh) * 2011-04-18 2014-03-26 电子科技大学 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法
CN102208538B (zh) * 2011-04-18 2013-03-27 电子科技大学 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法
CN102227017B (zh) * 2011-04-18 2013-09-04 电子科技大学 一种柔性发光器件用基板及其制备方法
CN102208540B (zh) * 2011-04-18 2013-03-06 电子科技大学 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法
US9198298B2 (en) 2011-04-26 2015-11-24 Nippon Mektron, Ltd. Method for manufacturing transparent printed circuit and method for manufacturing transparent touch panel
KR101311750B1 (ko) * 2011-05-09 2013-09-26 주식회사 상보 카본나노튜브 기반의 터치패널
US9175183B2 (en) * 2011-05-23 2015-11-03 Carestream Health, Inc. Transparent conductive films, methods, and articles
JP5734763B2 (ja) * 2011-06-22 2015-06-17 日本写真印刷株式会社 複合入力装置
JP2013008101A (ja) * 2011-06-22 2013-01-10 Nissha Printing Co Ltd 複合入力装置
US9029015B2 (en) 2011-08-31 2015-05-12 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University High rate, long cycle life electrochemical energy storage devices
US8951673B2 (en) 2011-06-22 2015-02-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University High rate, long cycle life battery electrode materials with an open framework structure
EP2727165A4 (en) * 2011-06-28 2015-08-05 Innova Dynamics Inc TRANSPARENT CONDUCTORS INCORPORATING ADDITIVES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME
CN102855013A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 联胜（中国）科技有限公司 触控装置以及触控显示装置
KR102154563B1 (ko) * 2011-07-01 2020-09-11 캄브리오스 필름 솔루션스 코포레이션 도전성 필름들의 코팅에서의 이방성 감소
KR101305705B1 (ko) * 2011-07-12 2013-09-09 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 전극 제조 방법
US10236460B2 (en) * 2011-07-22 2019-03-19 University Of Florida Research Foundation, Incorporated Photovoltaic cell enhancement through UVO treatment
US8337216B1 (en) * 2011-07-26 2012-12-25 Apple Inc. Touch sensor back plane ground connection
JP5938858B2 (ja) * 2011-07-27 2016-06-22 三菱電機株式会社 表示装置
KR101327069B1 (ko) * 2011-07-28 2013-11-07 엘지이노텍 주식회사 전극 구조체 및 전극 제조 방법
CN103703519B (zh) * 2011-08-03 2016-01-27 东丽株式会社 导电层合体、图案化导电层合体及使用该层合体得到的触控面板
KR101694873B1 (ko) * 2011-08-24 2017-01-10 티피케이 홀딩 컴퍼니 리미티드 패턴화된 투명 전도체 및 관련된 제조 방법
KR20130023665A (ko) * 2011-08-29 2013-03-08 삼성전기주식회사 터치패널의 제조방법
TWI465796B (zh) * 2011-09-01 2014-12-21 Shih Hua Technology Ltd 觸摸屏面板
CN102290506B (zh) * 2011-09-20 2013-01-23 苏州晶能科技有限公司 具有图形化透明薄膜电极的led模块制造工艺
JP5583097B2 (ja) * 2011-09-27 2014-09-03 株式会社東芝 透明電極積層体
JP5646424B2 (ja) * 2011-09-27 2014-12-24 株式会社東芝 透明電極積層体
JP5888976B2 (ja) 2011-09-28 2016-03-22 富士フイルム株式会社 導電性組成物、導電性部材およびその製造方法、タッチパネル並びに太陽電池
CN103827726A (zh) 2011-09-30 2014-05-28 3M创新有限公司 电子可切换式保密膜和具有电子可切换式保密膜的显示装置
EP2761367A4 (en) * 2011-09-30 2015-06-10 3M Innovative Properties Co ELECTRONICALLY COMMUTATED SEAL PROTECTIVE FILM AND DISPLAY DEVICE THEREFOR
CN103210350B (zh) 2011-10-03 2019-06-18 日立化成株式会社 导电图案的形成方法、导电图案基板和触摸面板传感器
WO2013056155A2 (en) * 2011-10-13 2013-04-18 Cambrios Technologies Corporation Opto-electrical devices incorporating metal nanowires
CN102368131A (zh) * 2011-10-25 2012-03-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶基板及其制作方法、液晶显示装置
US20130100390A1 (en) * 2011-10-25 2013-04-25 Yewen Wang Liquid Crystal Substrate and Manufacturing Method thereof, and Liquid Crystal Display Device
EP2587564A1 (en) * 2011-10-27 2013-05-01 Merck Patent GmbH Selective etching of a matrix comprising silver nanowires or carbon nanotubes
US9256311B2 (en) * 2011-10-28 2016-02-09 Atmel Corporation Flexible touch sensor
WO2013067381A1 (en) 2011-11-04 2013-05-10 Cambrios Technologies Corporation System and methods of calculating diffuse reflection of an optical stack with a nanowire
CN108594338B (zh) * 2011-11-04 2019-11-26 凯姆控股有限公司 基于纳米结构的光学堆及具有该光学堆的显示器
US9568646B2 (en) 2011-11-04 2017-02-14 Cam Holding Corporation Methods for reducing diffuse reflection of nanostructure-based transparent conductive films and touch panels made of the same
US8802482B2 (en) 2011-11-04 2014-08-12 International Business Machines Corporation Method to fabricate multicrystal solar cell with light trapping surface using nanopore copolymer
WO2013074542A1 (en) * 2011-11-14 2013-05-23 Pacific Integrated Energy, Inc. Devices, systems and methods for electromagnetic energy collection
CN102654672B (zh) * 2011-11-18 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置、阵列基板、彩膜基板及其制作方法
KR101908499B1 (ko) * 2011-12-02 2018-10-16 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US9490658B2 (en) * 2011-12-09 2016-11-08 Nokia Technologies Oy Apparatus and a method of manufacturing an apparatus
US10802371B2 (en) 2011-12-12 2020-10-13 View, Inc. Thin-film devices and fabrication
JP6162717B2 (ja) 2011-12-21 2017-07-12 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 銀ナノワイヤベースの透明な導電性コーティングのレーザーパターニング
DE102012200224A1 (de) * 2012-01-10 2013-07-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement, verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements, vorrichtung zum abtrennen eines raumes und möbelstück
CN103213350B (zh) * 2012-01-18 2015-07-08 国家纳米科学中心 一种透明导电薄膜及其制备方法
US20130213788A1 (en) * 2012-02-17 2013-08-22 Panasonic Corporation Touch panel
US9373515B2 (en) * 2012-03-01 2016-06-21 Ramot At Tel-Aviv University Ltd Conductive nanowire films
CN102709237B (zh) * 2012-03-05 2014-06-25 京东方科技集团股份有限公司 薄膜场效应晶体管阵列基板及其制造方法、电子器件
CN104160457B (zh) * 2012-03-09 2016-03-16 昭和电工株式会社 透明导电图案的制造方法
US9968549B2 (en) * 2012-03-23 2018-05-15 King Abdullah University Of Science And Technology Magnetically controlled permeability membranes
JP5832943B2 (ja) 2012-03-23 2015-12-16 富士フイルム株式会社 導電性組成物、導電性部材、導電性部材の製造方法、タッチパネルおよび太陽電池
JP5788923B2 (ja) 2012-03-23 2015-10-07 富士フイルム株式会社 導電性組成物、導電性部材、導電性部材の製造方法、タッチパネルおよび太陽電池
JP5865851B2 (ja) 2012-03-23 2016-02-17 富士フイルム株式会社 導電性部材の製造方法、導電性部材、それを用いたタッチパネル
US9490048B2 (en) * 2012-03-29 2016-11-08 Cam Holding Corporation Electrical contacts in layered structures
EP2647326B1 (en) * 2012-04-05 2016-09-14 Electrolux Home Products Corporation N.V. Display and control element for a household appliance
WO2013152225A1 (en) 2012-04-06 2013-10-10 Cambrios Technologies Corporation System and methods of calculating diffuse reflection of an optical stack with a nanowire
US9223162B2 (en) 2012-04-11 2015-12-29 Apple Inc. Display having a flexured element
KR20130119256A (ko) 2012-04-23 2013-10-31 엘지전자 주식회사 터치스크린 패널 및 그 제조 방법
WO2013161996A2 (ja) 2012-04-26 2013-10-31 国立大学法人大阪大学 透明導電性インク及び透明導電パターン形成方法
KR101597864B1 (ko) * 2012-04-26 2016-02-25 주식회사 엘지화학 내구성이 우수한 흡수형 선격자 편광판 및 그 제조 방법
US9166268B2 (en) * 2012-05-01 2015-10-20 Nanoton, Inc. Radio frequency (RF) conductive medium
US9237646B2 (en) 2012-05-14 2016-01-12 The Hong Kong University Of Science And Technology Electrical and thermal conductive thin film with double layer structure provided as a one-dimensional nanomaterial network with graphene/graphene oxide coating
GB2516570A (en) * 2012-05-18 2015-01-28 Unipixel Displays Inc Forming conductive patterns using ink comprising metal nanoparticles and nanowires
US9711263B2 (en) 2012-05-18 2017-07-18 3M Innovative Properties Company Corona patterning of overcoated nanowire transparent conducting coatings
JP5674707B2 (ja) * 2012-05-22 2015-02-25 株式会社東芝 表示装置
KR101328427B1 (ko) * 2012-05-24 2013-11-14 전자부품연구원 금속나노와이어 또는 탄소나노튜브를 이용한 복합 도전성 박막 및 그의 제조 방법
CN103258596B (zh) * 2013-04-27 2016-12-28 苏州诺菲纳米科技有限公司 导电薄膜的消影方法
US20130319729A1 (en) * 2012-06-01 2013-12-05 Nuovo Film Inc. Low Haze Transparent Conductive Electrodes and Method of Making the Same
FR2991342B1 (fr) * 2012-06-05 2014-07-04 Commissariat Energie Atomique Procede d'amelioration des performances electriques et optiques d'un materiau conducteur electrique et transparent a base de nanofils d'argent
US9920207B2 (en) * 2012-06-22 2018-03-20 C3Nano Inc. Metal nanostructured networks and transparent conductive material
US10029916B2 (en) 2012-06-22 2018-07-24 C3Nano Inc. Metal nanowire networks and transparent conductive material
US20130341071A1 (en) * 2012-06-26 2013-12-26 Carestream Health, Inc. Transparent conductive film
CN103513457B (zh) * 2012-06-29 2016-04-13 纳米新能源（唐山）有限责任公司 柔性液晶显示器及包含其的手提包、瓶盖和智能卡片
WO2014011578A1 (en) 2012-07-09 2014-01-16 Applied Nanotech Holdings, Inc. Photosintering of micron-sized copper particles
KR101898910B1 (ko) * 2012-07-10 2018-09-17 동우 화인켐 주식회사 옵셋 인쇄용 에칭 페이스트 조성물
US9329314B2 (en) 2012-07-13 2016-05-03 Apple Inc. Touch screen display with transparent electrical shielding layer
KR101462864B1 (ko) * 2012-07-18 2014-11-19 성균관대학교산학협력단 유연한 전도성 필름 및 그 제조 방법
CN103576370A (zh) * 2012-07-23 2014-02-12 天津富纳源创科技有限公司 偏光片
CN103576372A (zh) * 2012-07-23 2014-02-12 天津富纳源创科技有限公司 液晶面板
KR101310864B1 (ko) * 2012-08-22 2013-09-25 (주)이엔에이치 메탈 나노와이어 투명 도전성 필름 및 그 제조방법
TW201409114A (zh) * 2012-08-23 2014-03-01 Henghao Technology Co Ltd 觸控電極裝置
CN103631457A (zh) * 2012-08-27 2014-03-12 比亚迪股份有限公司 一种电容触摸屏及其制备方法
TWI472977B (zh) * 2012-09-13 2015-02-11 Rtr Tech Technology Co Ltd 觸控面板及其製造方法
JP5688395B2 (ja) * 2012-09-20 2015-03-25 尾池工業株式会社 導電性パターンの形成方法、および透明導電性フィルム
DE112012006961A5 (de) * 2012-09-28 2015-06-18 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum Beschichten und Bonden von Substraten
KR101258120B1 (ko) * 2012-10-09 2013-04-25 주식회사 이티엘 필름형 인쇄회로 부착방식의 led 조명 모듈.
KR101241271B1 (ko) * 2012-10-09 2013-03-15 주식회사 이티엘 필름형 인쇄회로 부착방식의 led 모듈 제조 방법
US9099222B2 (en) 2012-10-10 2015-08-04 Carestream Health, Inc. Patterned films and methods
CN103777793B (zh) * 2012-10-17 2017-05-31 宸鸿光电科技股份有限公司 触控面板及其制备方法
KR102200795B1 (ko) * 2012-10-31 2021-01-08 엘지디스플레이 주식회사 나노 와이어를 이용한 투명도전막 및 그 제조방법과 이를 이용한 어레이 기판, 유기전계발광소자 및 터치패널
WO2014073597A1 (ja) 2012-11-08 2014-05-15 アルプス電気株式会社 導電体及びその製造方法
US9295153B2 (en) * 2012-11-14 2016-03-22 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of manufacturing a patterned transparent conductor
US8999831B2 (en) 2012-11-19 2015-04-07 International Business Machines Corporation Method to improve reliability of replacement gate device
TWI472982B (zh) * 2012-11-30 2015-02-11 Henghao Technology Co Ltd 觸控面板
SG11201504125UA (en) 2012-12-07 2015-06-29 3M Innovative Properties Co Method of making transparent conductors on a substrate
US8957322B2 (en) * 2012-12-07 2015-02-17 Cambrios Technologies Corporation Conductive films having low-visibility patterns and methods of producing the same
KR102066075B1 (ko) * 2012-12-12 2020-01-14 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이용 기판 및 그 제조방법
WO2014104517A1 (ko) * 2012-12-28 2014-07-03 고려대학교 산학협력단 투명 전극 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 투명 전극
KR101984267B1 (ko) * 2012-12-28 2019-05-30 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법
US20140202738A1 (en) 2013-01-22 2014-07-24 Cambrios Technologies Corporation Nanostructure transparent conductors having high thermal stability for esd protection
TWI480782B (zh) * 2013-01-31 2015-04-11 Henghao Technology Co Ltd 觸控面板
US10720257B2 (en) 2013-02-15 2020-07-21 Cambrios Film Solutions Corporation Methods to incorporate silver nanowire-based transparent conductors in electronic devices
US10971277B2 (en) 2013-02-15 2021-04-06 Cambrios Film Solutions Corporation Methods to incorporate silver nanowire-based transparent conductors in electronic devices
EP3598185A3 (en) 2013-02-15 2020-04-22 Cambrios Film Solutions Corporation Methods to incorporate silver nanowire-based transparent conductors in electronic devices
US8709194B1 (en) * 2013-02-25 2014-04-29 Eastman Kodak Company Assembling an electrode device
US10020807B2 (en) 2013-02-26 2018-07-10 C3Nano Inc. Fused metal nanostructured networks, fusing solutions with reducing agents and methods for forming metal networks
US20140239504A1 (en) * 2013-02-28 2014-08-28 Hwei-Ling Yau Multi-layer micro-wire structure
CN103198884B (zh) * 2013-03-04 2016-03-02 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 全溶液加工多层结构透明导电薄膜及其制备方法
US20140262443A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Cambrios Technologies Corporation Hybrid patterned nanostructure transparent conductors
WO2014150577A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Sinovia Technologies Photoactive transparent conductive films, method of making them and touch sensitive device comprising said films
US9368248B2 (en) 2013-04-05 2016-06-14 Nuovo Film, Inc. Transparent conductive electrodes comprising metal nanowires, their structure design, and method of making such structures
US20150014025A1 (en) * 2013-04-05 2015-01-15 Nuovo Film, Inc. Transparent conductive electrodes comprising merged metal nanowires, their structure design, and method of making such structures
KR101331226B1 (ko) * 2013-04-16 2013-11-19 (주)에스이피 표면에 나노 패턴이 형성된 면 발광 투명 기판 및 이를 이용한 면 발광 패널
KR20140131473A (ko) * 2013-05-03 2014-11-13 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
JP2014224199A (ja) * 2013-05-16 2014-12-04 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀ナノワイヤインクの製造方法および銀ナノワイヤインク
CN104168009B (zh) * 2013-05-17 2018-03-23 光宝电子(广州)有限公司 发光型触控开关装置及发光型触控开关模组
US20160103500A1 (en) * 2013-05-21 2016-04-14 Stanley Innovation, Inc. System and method for a human machine interface utilizing near-field quasi-state electrical field sensing technology
CN103364989A (zh) * 2013-05-22 2013-10-23 华映视讯（吴江）有限公司 彩色滤光基板的制造方法
JP2014236181A (ja) * 2013-06-05 2014-12-15 シャープ株式会社 光電変換素子
KR20140144807A (ko) 2013-06-11 2014-12-22 삼성디스플레이 주식회사 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법 및 이를 이용한 투명도전체의 제조방법
KR102090713B1 (ko) * 2013-06-25 2020-03-19 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 패널 및 상기 가요성 표시 패널의 제조 방법
EP2830110A1 (en) * 2013-07-22 2015-01-28 Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG Patterning of a composition comprising silver nanowires
KR101484771B1 (ko) * 2013-07-31 2015-01-22 한국과학기술원 은 나노와이어를 이용한 전극소자 및 그 제조 방법
WO2015017143A1 (en) 2013-07-31 2015-02-05 3M Innovative Properties Company Bonding electronic components to patterned nanowire transparent conductors
JP2016538693A (ja) * 2013-07-31 2016-12-08 サビック・グローバル・テクノロジース・ビイ ブイ マイクロ又はナノ構造伝導層を有する材料を作製するためのプロセス
JP6022424B2 (ja) * 2013-08-01 2016-11-09 日本写真印刷株式会社 透明導電性シート、および透明導電性シートを用いたタッチパネル
EP3032383B1 (en) 2013-08-05 2018-04-11 Alps Electric Co., Ltd. Light-transmitting conductive member and patterning method thereof
TWI518756B (zh) 2013-08-16 2016-01-21 財團法人工業技術研究院 圖案化的導電薄膜及其製造方法與應用
US20150053459A1 (en) * 2013-08-20 2015-02-26 Carestream Health, Inc. Patterning of electrically conductive films
US9854670B2 (en) 2013-08-22 2017-12-26 Showa Denko K.K. Transparent electrode and method for producing same
JP6308737B2 (ja) 2013-08-26 2018-04-11 デクセリアルズ株式会社 金属ナノワイヤー、分散液、透明導電膜、情報入力装置、及び、電子機器
KR20150025231A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 서울반도체 주식회사 광원 모듈 및 그 제조 방법, 및 백라이트 유닛
SG11201601075PA (en) 2013-08-28 2016-03-30 3M Innovative Properties Co Electronic assembly with fiducial marks for precision registration during subsequent processing steps
TWI533331B (zh) * 2013-09-04 2016-05-11 國立清華大學 導電結構及其製造方法
US9463440B2 (en) * 2013-09-16 2016-10-11 The Board Of Trustees Of The University Of Alabama Oxide-based nanostructures and methods for their fabrication and use
KR20150034993A (ko) * 2013-09-27 2015-04-06 주식회사 동진쎄미켐 금속 나노와이어를 함유하는 전도성 코팅 조성물 및 이를 이용한 전도성 필름의 형성방법
US9759846B2 (en) 2013-09-27 2017-09-12 Cam Holding Corporation Silver nanostructure-based optical stacks and touch sensors with UV protection
KR102080863B1 (ko) * 2013-09-30 2020-02-25 동우 화인켐 주식회사 광 경화성 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
CN109370245B (zh) 2013-10-10 2021-10-26 松下知识产权经营株式会社 树脂组合物及使用该树脂组合物的薄膜
KR101696978B1 (ko) * 2013-10-24 2017-01-17 삼성에스디아이 주식회사 투명 도전체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광학표시장치
KR101499058B1 (ko) * 2013-10-24 2015-03-06 고려대학교 산학협력단 스트레쳐블 전도성 스티커 및 이의 제조방법
WO2015077629A1 (en) 2013-11-21 2015-05-28 Atom Nanoelectronics, Inc. Devices, structures, materials and methods for vertical light emitting transistors and light emitting displays
US11274223B2 (en) * 2013-11-22 2022-03-15 C3 Nano, Inc. Transparent conductive coatings based on metal nanowires and polymer binders, solution processing thereof, and patterning approaches
US9674947B2 (en) * 2013-12-04 2017-06-06 Samsung Sdi Co., Ltd. Transparent conductor, method for preparing the same, and optical display including the same
US10025420B2 (en) 2013-12-05 2018-07-17 Huawei Device (Dongguan) Co., Ltd. Method for controlling display of touchscreen, and mobile device
TWI514564B (zh) * 2013-12-10 2015-12-21 Au Optronics Corp 顯示面板及其製作方法
US10166571B2 (en) * 2013-12-10 2019-01-01 Lg Display Co., Ltd. Refining method for microstructure
KR102162426B1 (ko) * 2013-12-11 2020-10-07 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 이의 제조 방법
KR102111384B1 (ko) * 2013-12-16 2020-05-15 엘지디스플레이 주식회사 터치패널 제조방법, 디스플레이패널 제조방법, 및 디스플레이패널
WO2015090395A1 (de) * 2013-12-19 2015-06-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Transparente nanodrahtelektrode mit funktionaler organischer schicht
KR102187138B1 (ko) * 2013-12-30 2020-12-07 삼성디스플레이 주식회사 도전 패턴 형성 방법 및 도전 패턴을 포함하는 전자 장치
KR20150077765A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 주식회사 동진쎄미켐 표면처리를 통한 금속 나노와이어 기반 투명 전도성 막의 패터닝 방법
KR20160106631A (ko) * 2014-01-08 2016-09-12 시마 나노 테크 이스라엘 리미티드 전기 전도성 접착 테이프
JP2015133250A (ja) * 2014-01-14 2015-07-23 デクセリアルズ株式会社 分散液、透明導電膜、情報入力装置、電子機器、及び透明導電膜の製造方法
CN104145314B (zh) * 2014-01-22 2017-09-08 苏州诺菲纳米科技有限公司 带有融合金属纳米线的透明导电电极、它们的结构设计及其制造方法
JP6327870B2 (ja) * 2014-01-29 2018-05-23 デクセリアルズ株式会社 金属ナノワイヤー、透明導電膜及びその製造方法、分散液、情報入力装置、並びに、電子機器
JP6441576B2 (ja) 2014-02-03 2018-12-19 デクセリアルズ株式会社 透明導電膜及びその製造方法、情報入力装置、並びに、電子機器
KR101440396B1 (ko) * 2014-02-20 2014-09-18 주식회사 인포비온 전도성 나노 와이어를 이용한 투명 도전막의 제조 방법
US20150255186A1 (en) * 2014-03-06 2015-09-10 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Base material with a transparent conductive film, method for manufacturing the same, touch panel, and solar cell
WO2015134708A2 (en) * 2014-03-07 2015-09-11 Empire Technology Development Llc Substrates having polarizer and color filter functions, and methods for their preparations
KR101780528B1 (ko) * 2014-03-19 2017-09-21 제일모직주식회사 투명 도전체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광학표시장치
JP2015184994A (ja) * 2014-03-25 2015-10-22 凸版印刷株式会社 透明導電性積層体および透明導電性積層体を備えたタッチパネル
WO2015146097A1 (ja) * 2014-03-25 2015-10-01 凸版印刷株式会社 透明導電性積層体および透明導電性積層体を備えたタッチパネル
JP6476578B2 (ja) * 2014-04-07 2019-03-06 凸版印刷株式会社 タッチパネル
US9207824B2 (en) 2014-03-25 2015-12-08 Hailiang Wang Systems and methods for touch sensors on polymer lenses
US11343911B1 (en) 2014-04-11 2022-05-24 C3 Nano, Inc. Formable transparent conductive films with metal nanowires
CN103996456B (zh) * 2014-04-30 2017-11-14 天津宝兴威科技股份有限公司 一种高耐磨纳米金属透明导电膜的制造方法
CN104064282B (zh) * 2014-04-30 2017-10-31 天津宝兴威科技股份有限公司 一种高透过率硬质纳米金属透明导电膜的制造方法
CN103996453B (zh) * 2014-04-30 2018-06-12 天津宝兴威科技股份有限公司 一种高透过率纳米金属透明导电膜的制造方法
CN105093605B (zh) * 2014-05-05 2018-01-23 立景光电股份有限公司 液晶显示面板
US20150322221A1 (en) * 2014-05-09 2015-11-12 Carestream Health, Inc. Patterned films and methods
CN104051075A (zh) * 2014-05-14 2014-09-17 中国科学院合肥物质科学研究院 带台阶的平面上制备透明导电薄膜的方法
EP2944604A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-18 Université de Strasbourg Preparation of coatings containing at least one in-plane oriented layer of anisotropic shaped objects
CN103996457B (zh) * 2014-05-29 2018-11-20 京东方科技集团股份有限公司 银纳米线薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置
DE102014107658A1 (de) * 2014-05-30 2015-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
CN104020885B (zh) * 2014-05-30 2018-02-06 南昌欧菲光科技有限公司 触控基板及其制备方法
KR101568148B1 (ko) * 2014-06-02 2015-11-11 한밭대학교 산학협력단 화합물 반도체 박막 태양전지
US9482477B2 (en) * 2014-07-28 2016-11-01 Northrop Grumman Systems Corporation Nano-thermal agents for enhanced interfacial thermal conductance
US9183968B1 (en) 2014-07-31 2015-11-10 C3Nano Inc. Metal nanowire inks for the formation of transparent conductive films with fused networks
KR102238180B1 (ko) * 2014-08-05 2021-04-08 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법
US9808781B2 (en) * 2014-08-08 2017-11-07 The University Of Hong Kong Conductive metal networks including metal nanowires and metal nanoparticles and methods of fabricating the same
CN106661354B (zh) * 2014-08-15 2020-03-24 巴斯夫欧洲公司 用于制备导电透明层的包含银纳米线及结晶纤维素的纤维的组合物
JP2014241297A (ja) * 2014-09-03 2014-12-25 株式会社東芝 透明電極積層体の製造方法
CN104299680B (zh) * 2014-09-05 2017-02-08 中国科学院合肥物质科学研究院 一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜化学稳定性的方法
TWI616687B (zh) * 2014-09-19 2018-03-01 鴻海精密工業股份有限公司 擴光件及應用該擴光件之發光設備、顯示裝置和電子裝置
KR101856615B1 (ko) * 2014-10-14 2018-05-10 동우 화인켐 주식회사 감광성 수지 조성물
US11111396B2 (en) * 2014-10-17 2021-09-07 C3 Nano, Inc. Transparent films with control of light hue using nanoscale colorants
FR3023062A1 (fr) * 2014-10-24 2016-01-01 Commissariat Energie Atomique Cellule photovoltaique a heterojonction de silicium et procede de fabrication d'une telle cellule
US9908178B2 (en) * 2014-10-28 2018-03-06 Kookmin University Industry Academy Cooperation Foundation Method for preparing ultrathin silver nanowires, and transparent conductive electrode film product thereof
KR101894749B1 (ko) 2014-10-30 2018-09-04 쇼와 덴코 가부시키가이샤 히드록시 함유 폴리우레탄 수지, 이것을 원료로 하는 폴리우레탄 수지 및 우레탄 (메타)아크릴레이트 수지, 이들 수지의 제조 방법, 및 오버코트용 조성물 및 uv 경화성 수지 조성물
US9942979B2 (en) * 2014-11-03 2018-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flexible printed circuit board
SG11201703409QA (en) * 2014-11-05 2017-05-30 Cam Holding Corp Short-chain fluorosurfactants with iodide additives for forming silver nanowire-based transparent conductive films
CN105573542B (zh) * 2014-11-07 2018-07-24 宸鸿光电科技股份有限公司 制作纳米级导电薄膜的方法及其触控显示装置
US10438715B2 (en) * 2014-11-12 2019-10-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanostructure, method of preparing the same, and panel units comprising the nanostructure
US9340461B1 (en) * 2014-11-24 2016-05-17 Ut-Battelle, Llc Method of making controlled morphology metal-oxides
WO2016085410A1 (en) * 2014-11-26 2016-06-02 Agency For Science, Technology And Research Method for interconnecting nanostructures
JP6369788B2 (ja) 2014-11-27 2018-08-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 エレクトロニクス用構造体
CN105702875B (zh) 2014-12-11 2018-04-27 财团法人工业技术研究院 发光元件、电极结构与其制作方法
TWI553933B (zh) * 2014-12-11 2016-10-11 財團法人工業技術研究院 發光元件、電極結構與其製作方法
FR3030116A1 (fr) * 2014-12-16 2016-06-17 Commissariat Energie Atomique Dispositif photovoltaique dote d'une couche conductrice et transparente a base de nanofils et procede de fabrication d'un tel dispositif
EP3038164B1 (en) * 2014-12-22 2018-12-12 Total S.A. Opto-electronic device with textured surface and method of manufacturing thereof
US10244627B2 (en) * 2014-12-25 2019-03-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Substrate for printed wiring board and method for producing the same, printed wiring board and method for producing the same, and resin base material
CN104503654B (zh) * 2014-12-30 2017-08-04 京东方科技集团股份有限公司 触控感应单元、触控基板及其制作方法以及触控显示面板
KR102482208B1 (ko) * 2015-01-28 2022-12-28 엘지디스플레이 주식회사 표시품질이 향상된 유기발광소자
KR102347960B1 (ko) 2015-02-03 2022-01-05 삼성전자주식회사 도전체 및 그 제조 방법
DE102015101820A1 (de) 2015-02-09 2016-08-11 Osram Oled Gmbh Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode und organische Leuchtdiode
WO2016128324A1 (de) 2015-02-09 2016-08-18 Osram Oled Gmbh Verfahren zur herstellung einer organischen leuchtdiode und organische leuchtdiode
KR102285456B1 (ko) * 2015-02-10 2021-08-03 동우 화인켐 주식회사 도전패턴
EP3271782A4 (en) 2015-03-20 2018-11-21 View, Inc. Faster switching low-defect electrochromic windows
US10747372B2 (en) 2015-03-25 2020-08-18 Hailiang Wang Systems and high throughput methods for touch sensors
KR101900538B1 (ko) * 2015-03-31 2018-09-20 삼성에스디아이 주식회사 투명도전체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광학표시장치
US10054717B2 (en) 2015-04-03 2018-08-21 Moxtek, Inc. Oxidation and moisture barrier layers for wire grid polarizer
US9703028B2 (en) 2015-04-03 2017-07-11 Moxtek, Inc. Wire grid polarizer with phosphonate protective coating
US9530534B2 (en) 2015-04-03 2016-12-27 C3Nano Inc. Transparent conductive film
US9995864B2 (en) 2015-04-03 2018-06-12 Moxtek, Inc. Wire grid polarizer with silane protective coating
KR20170141663A (ko) * 2015-04-16 2017-12-26 바스프 에스이 패터닝된 투명 전도성 필름 및 이러한 패터닝된 투명 전도성 필름의 제조 방법
KR101745080B1 (ko) * 2015-04-17 2017-06-09 연세대학교 산학협력단 알루미나 기반 광 디퓨저 제조방법 및 이를 통해 제작된 광 디퓨저
CN104861189B (zh) 2015-05-25 2018-04-13 华南理工大学 一种原位合成聚3,4‑乙撑二氧噻吩/纳米金属银透明导电涂层的方法
US10317594B2 (en) 2015-05-29 2019-06-11 3M Innovative Properties Company Optical constructions
CN108012586A (zh) * 2015-06-10 2018-05-08 吴铉锡 利用纳米结构物的电磁波屏蔽材料
KR101822710B1 (ko) * 2015-06-12 2018-01-30 삼성에스디아이 주식회사 투명 도전체 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US10829605B2 (en) 2015-07-02 2020-11-10 Sabic Global Technologies B.V. Process and material for growth of adsorbed compound via nanoscale-controlled resistive heating and uses thereof
KR102433790B1 (ko) * 2015-07-07 2022-08-18 삼성디스플레이 주식회사 전극, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
US10372246B2 (en) 2015-07-16 2019-08-06 Hailiang Wang Transferable nanocomposites for touch sensors
US10294422B2 (en) 2015-07-16 2019-05-21 Hailiang Wang Etching compositions for transparent conductive layers comprising silver nanowires
CN105139964A (zh) * 2015-07-17 2015-12-09 中国科学院合肥物质科学研究院 利用动态红外加热制备性能均一银纳米线透明导电薄膜的方法
WO2017018427A1 (ja) 2015-07-30 2017-02-02 昭和電工株式会社 導電フィルムの製造方法及び導電フィルム
KR102555869B1 (ko) * 2015-08-06 2023-07-13 삼성전자주식회사 도전체 및 그 제조 방법
KR20170018718A (ko) * 2015-08-10 2017-02-20 삼성전자주식회사 비정질 합금을 이용한 투명 전극 및 그 제조 방법
CN208488734U (zh) * 2015-08-21 2019-02-12 3M创新有限公司 包括金属迹线的透明导体
DE102015115004A1 (de) * 2015-09-07 2017-03-09 Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh Verfahren zur Herstellung von strukturierten Oberflächen
WO2017048633A1 (en) * 2015-09-16 2017-03-23 3M Innovative Properties Company Overcoated patterned conductive layer and methods
US10249254B2 (en) 2015-09-21 2019-04-02 Apple Inc. Devices and methods for discharging or harvesting VCOM charge in electronic displays
US10108231B2 (en) 2015-09-29 2018-10-23 Apple Inc. Overmolded force sensing gasket
JP6925102B2 (ja) * 2015-09-30 2021-08-25 大日本印刷株式会社 透明導電性積層体及びタッチパネル
US9801284B2 (en) 2015-11-18 2017-10-24 Dow Global Technologies Llc Method of manufacturing a patterned conductor
WO2017096058A1 (en) 2015-12-01 2017-06-08 LUAN, Xinning Electron injection based vertical light emitting transistors and methods of making
KR20170067204A (ko) 2015-12-07 2017-06-16 삼성디스플레이 주식회사 금속 나노선 전극의 제조 방법
US9857930B2 (en) 2015-12-16 2018-01-02 3M Innovative Properties Company Transparent conductive component with interconnect circuit tab comprising cured organic polymeric material
KR102526534B1 (ko) * 2015-12-31 2023-04-26 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
TWI552053B (zh) * 2015-12-31 2016-10-01 速博思股份有限公司 具金屬網格遮蔽層之內嵌式觸控顯示面板結構
US10541374B2 (en) 2016-01-04 2020-01-21 Carbon Nanotube Technologies, Llc Electronically pure single chirality semiconducting single-walled carbon nanotube for large scale electronic devices
US9911559B2 (en) 2016-01-29 2018-03-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Magnetically aligned circuit
JP6758620B2 (ja) * 2016-03-09 2020-09-23 国立大学法人東海国立大学機構 ナノワイヤデバイス、該ナノワイヤデバイスを含む分析装置、サンプルの加熱処理方法及びサンプルの分離方法
US10109390B2 (en) 2016-03-15 2018-10-23 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Conductive film, and touch panel, display, touch sensor, and solar cell using the same
KR20180098372A (ko) * 2016-03-18 2018-09-03 오사카 유니버시티 금속 나노와이어층이 형성된 기재 및 그 제조 방법
WO2017175215A1 (en) 2016-04-07 2017-10-12 Technology Innovation Momentum Fund (Israel) Limited Partnership Printing of nanowire films
US10354773B2 (en) 2016-04-08 2019-07-16 Duke University Noble metal-coated nanostructures and related methods
CN107293591B (zh) * 2016-04-11 2020-03-31 华邦电子股份有限公司 印刷线路、薄膜晶体管及其制造方法
KR102004026B1 (ko) * 2016-04-12 2019-07-25 삼성에스디아이 주식회사 투명 도전체 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN114265251A (zh) * 2016-04-19 2022-04-01 Sage电致变色显示有限公司 包括透明导电氧化物层和汇流条的电致变色装置和其形成方法
KR102556838B1 (ko) * 2016-06-01 2023-07-19 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널, 이를 포함하는 전자 장치, 및 터치 패널 제조 방법
CN107562251B (zh) * 2016-06-30 2020-09-15 宁波科廷光电科技有限公司 用于触摸传感器的可转移纳米复合材料
KR20180007585A (ko) * 2016-07-13 2018-01-23 엘지전자 주식회사 텐덤 태양전지, 이를 포함하는 텐덤 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
KR20180012098A (ko) * 2016-07-26 2018-02-05 삼성에스디아이 주식회사 투명 도전체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
EP3500891A4 (en) 2016-08-22 2020-03-25 View, Inc. ELECTROCHROME WINDOW WITH ELECTROMAGNETIC SHIELD
KR20180026007A (ko) * 2016-09-01 2018-03-12 삼성디스플레이 주식회사 투명 전극 및 이의 제조 방법
KR101994368B1 (ko) * 2016-09-21 2019-06-28 삼성에스디아이 주식회사 태양전지의 전극 패턴을 형성하는 방법, 이를 이용하여 제조된 전극 및 태양전지
KR102627625B1 (ko) * 2016-10-20 2024-01-22 삼성전자주식회사 정전기 방전 보호를 포함하는 터치 디스플레이 및 그것을 포함하는 전자 장치
KR20180044618A (ko) * 2016-10-24 2018-05-03 현대자동차주식회사 투명 전극 필름 및 이를 포함하는 터치 패널
KR101781486B1 (ko) * 2016-11-03 2017-09-27 곽철원 대전방지기능이 우수한 led조명용 광확산판 및 그 제조방법
CN108072683B (zh) 2016-11-10 2021-04-23 元太科技工业股份有限公司 感测元件及其形成方法
KR101960526B1 (ko) * 2016-11-18 2019-03-20 울산과학기술원 은 나노와이어 필름 및 이의 제조 방법
CN109923622B (zh) 2016-12-01 2020-06-19 昭和电工株式会社 透明导电基板和其制造方法
KR102025579B1 (ko) 2016-12-01 2019-09-26 쇼와 덴코 가부시키가이샤 도전 패턴의 보호막용 조성물, 도전 패턴의 보호막, 보호막 제조 방법, 및 투명 도전 필름의 제조 방법
KR20180079055A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 스트레처블 터치 스크린, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 장치
US11307683B2 (en) 2017-01-31 2022-04-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Touch-sensitive illuminating display
CN106604543B (zh) * 2017-02-17 2019-03-15 京东方科技集团股份有限公司 电路组件及其制造方法和绑定设备
CN108630708A (zh) * 2017-03-15 2018-10-09 京东方科技集团股份有限公司 导电基板及其制作方法、显示装置
US20180323387A1 (en) * 2017-05-04 2018-11-08 Atom Nanoelectronics, Inc. Unipolar N- or P-Type Carbon Nanotube Transistors and Methods of Manufacture Thereof
US10847757B2 (en) 2017-05-04 2020-11-24 Carbon Nanotube Technologies, Llc Carbon enabled vertical organic light emitting transistors
US10665796B2 (en) 2017-05-08 2020-05-26 Carbon Nanotube Technologies, Llc Manufacturing of carbon nanotube thin film transistor backplanes and display integration thereof
US10978640B2 (en) 2017-05-08 2021-04-13 Atom H2O, Llc Manufacturing of carbon nanotube thin film transistor backplanes and display integration thereof
KR102430867B1 (ko) * 2017-06-01 2022-08-10 삼성디스플레이 주식회사 투명 전극 및 이의 제조방법
JP2019008942A (ja) * 2017-06-22 2019-01-17 住友化学株式会社 透明電極の製造方法及び電子デバイスの製造方法
CN109212802B (zh) * 2017-07-06 2021-05-18 京东方科技集团股份有限公司 一种触控面板及其制备方法和显示装置
WO2019022185A1 (ja) 2017-07-27 2019-01-31 日産化学株式会社 剥離層形成用組成物及び剥離層
US11714327B2 (en) 2017-09-12 2023-08-01 Sage Electrochromics, Inc. Non-light-emitting variable transmission device and a method of forming the same
KR102608548B1 (ko) 2017-09-27 2023-12-04 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 가접착층 형성용 조성물 및 가접착층
KR102028599B1 (ko) * 2017-10-17 2019-10-04 한국과학기술연구원 3d 프린트 출력물에 기능성 물질층을 전사하는 방법
US10502958B2 (en) * 2017-10-30 2019-12-10 Facebook Technologies, Llc H2-assisted slanted etching of high refractive index material
CN108346730A (zh) * 2018-01-11 2018-07-31 浙江大学 基于银纳米线透明电路的夹胶led装饰材料及制备方法
CN110161767A (zh) * 2018-02-11 2019-08-23 宁波祢若电子科技有限公司 一种复合透明导电层及均匀响应的大面积电致变色器件
CN110275333B (zh) * 2018-03-14 2022-11-25 群创光电股份有限公司 显示设备以及其制造方法
CN108323146B (zh) * 2018-04-11 2019-07-02 京东方科技集团股份有限公司 玻璃组件及制造方法、玻璃窗
FI128435B (en) * 2018-05-09 2020-05-15 Canatu Oy Electrically conductive multilayer film
CN108666865B (zh) * 2018-05-09 2020-10-02 华中科技大学 一种金属-半导体复合结构、SPPs激发方式及制备方法
CN108753147B (zh) * 2018-05-24 2020-10-23 宁波安特弗新材料科技有限公司 一种固化树脂组合物及一种透明导电膜
CN108899280B (zh) * 2018-06-30 2021-01-29 广州国显科技有限公司 显示屏及其制造方法
KR20220058486A (ko) * 2018-07-05 2022-05-09 유엔엠 레인포레스트 이노베이션즈 모듈 신뢰성 증대를 위한 저비용의 내균열성 스크린-인쇄 가능한 금속화
CN110875346A (zh) * 2018-09-04 2020-03-10 启端光电股份有限公司 顶部与底部发光型微发光二极管显示器及其形成方法
TWI687306B (zh) * 2018-09-21 2020-03-11 鼎展電子股份有限公司 適於作為跡線電極的合金與使用該合金的觸控面板
CN109686496B (zh) * 2018-10-30 2021-02-09 苏州诺菲纳米科技有限公司 银纳米线的蚀刻方法、透明导电电极及其制备方法
CN109468607B (zh) * 2018-11-27 2020-12-18 河北大学 一种气体阻隔薄膜的制备方法
KR102203468B1 (ko) * 2018-12-04 2021-01-15 주식회사 디케이티 투명전극 디바이스
TWI725667B (zh) * 2018-12-28 2021-04-21 美商塞奇電致變色公司 形成電化學裝置之方法
US11910525B2 (en) * 2019-01-28 2024-02-20 C3 Nano, Inc. Thin flexible structures with surfaces with transparent conductive films and processes for forming the structures
KR20210121104A (ko) 2019-01-28 2021-10-07 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 슬릿 다이 코트용 박리층 형성용 조성물 및 박리층
CN111610871A (zh) * 2019-02-25 2020-09-01 英属维尔京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 电极结构及其触控面板
CN113574449A (zh) * 2019-03-20 2021-10-29 Sage电致变色显示有限公司 按库存生产的图案化透明导电层
JP7185071B2 (ja) * 2019-04-03 2022-12-06 カンブリオス フィルム ソリューションズ コーポレーション 薄型導電性フィルム
CN113631367B (zh) 2019-04-03 2023-10-31 3M创新有限公司 光学膜和玻璃层合体
KR102581214B1 (ko) * 2019-04-03 2023-09-21 캄브리오스 필름 솔루션스 코포레이션 전기 전도성 필름
CN111816729B (zh) * 2019-04-11 2021-08-31 中国科学院半导体研究所 LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及制备方法
CN110333793B (zh) * 2019-05-09 2022-12-09 业成科技（成都）有限公司 可挠触控结构
KR102265033B1 (ko) 2019-06-20 2021-06-15 쇼와 덴코 가부시키가이샤 투명 도전 필름 적층체 및 그 가공 방법
CN110311021B (zh) * 2019-06-27 2020-11-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 量子点发光二极管器件及其制备方法
WO2021008851A1 (en) * 2019-07-16 2021-01-21 Agfa-Gevaert Nv A method of manufacturing a transparent conductive film
CN114424300A (zh) * 2019-09-27 2022-04-29 伊英克公司 具有定向导电性的透光导体
CN110676283B (zh) * 2019-10-16 2022-03-25 福州大学 一种基于纳米线的μLED显示设计方法
US20220371310A1 (en) 2019-10-18 2022-11-24 Showa Denko K.K. Transparent conducting film laminate and processing method thereof
WO2021084660A1 (ja) * 2019-10-30 2021-05-06 シャープ株式会社 発光素子
US11739402B2 (en) * 2019-11-19 2023-08-29 The University Of Akron Magnetic particles or wires for electrical machinery
WO2021132383A1 (ja) 2019-12-25 2021-07-01 日産化学株式会社 剥離層形成用組成物及び剥離層
CN113126831A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 英属维尔京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 蚀刻液、触控面板及其制作方法
KR20220130178A (ko) 2020-01-21 2022-09-26 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 알칼리 유리용 박리층 형성용 조성물 및 박리층
CN111276456B (zh) * 2020-02-18 2020-12-04 合肥晶合集成电路有限公司 半导体器件及其制造方法
JP2020121563A (ja) * 2020-04-07 2020-08-13 大日本印刷株式会社 透明導電性積層体及びタッチパネル
US11029772B1 (en) * 2020-07-21 2021-06-08 Cambrios Film Solutions Corporation Transparent conductive laminated structure including a first conductive film and first adhesive layer disposed on the first conductive film and touch panel
CN113986031A (zh) * 2020-07-27 2022-01-28 宸美（厦门）光电有限公司 可挠式触控传感器及可挠式触控显示模块
US11301098B2 (en) * 2020-08-07 2022-04-12 Tpk Advanced Solutions Inc. Flexible touch sensor and flexible touch display module
US11685846B2 (en) 2020-08-26 2023-06-27 Showa Denko K. K. Transparent conducting film
CN116490347A (zh) 2020-09-25 2023-07-25 株式会社力森诺科 透明基板和其制造方法
KR20220050707A (ko) * 2020-10-16 2022-04-25 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 동작방법
CN114385019A (zh) * 2020-10-21 2022-04-22 宸美（厦门）光电有限公司 触控面板及触控装置
CN114385020B (zh) * 2020-10-21 2024-04-19 宸美（厦门）光电有限公司 触控面板及触控装置
TW202242912A (zh) 2020-12-24 2022-11-01 日商昭和電工股份有限公司 透明導電薄膜層合體
CN112904625B (zh) * 2021-01-25 2022-09-27 北海惠科光电技术有限公司 导电边框胶的制备方法、导电边框胶及显示面板
EP4272229A1 (en) * 2021-03-01 2023-11-08 The University of Hong Kong Flexible transparent electrodes of silver nanowires sintered with metal oxide nanoparticles
WO2022186144A1 (ja) 2021-03-03 2022-09-09 日産化学株式会社 剥離層形成用組成物及び剥離層
KR20230164113A (ko) 2021-03-30 2023-12-01 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 박리층 형성용 조성물 및 박리층
WO2023114560A2 (en) * 2021-07-06 2023-06-22 Northwestern University Polymer compositions for vertical channel organic electrochemical transistors and complementary logic circuits
CN113808781B (zh) * 2021-08-23 2023-11-21 湖南兴威新材料有限公司 一种薄膜电极及其制备方法和应用
CN113867057B (zh) * 2021-09-28 2023-08-25 惠科股份有限公司 显示面板及其制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4523976A (en) * 1984-07-02 1985-06-18 Motorola, Inc. Method for forming semiconductor devices
US20050128788A1 (en) * 2003-09-08 2005-06-16 Nantero, Inc. Patterned nanoscopic articles and methods of making the same
CN1671481A (zh) * 2002-05-21 2005-09-21 艾考斯公司 使碳纳米管涂层形成图案的方法和碳纳米管布线

Family Cites Families (273)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2426318A (en) * 1945-11-15 1947-08-26 Stanolind Oil & Gas Co Inhibiting corrosion
US2571739A (en) * 1949-10-28 1951-10-16 Pure Oil Co Prevention of corrosion of structural metals by hydrogen sulfide, air, and water
JPS5761025B2 (zh) 1974-01-16 1982-12-22 Toa Gosei Chem Ind
US4048627A (en) * 1975-11-17 1977-09-13 Rca Corporation Electroluminescent semiconductor device having a restricted current flow
US4083945A (en) 1977-01-10 1978-04-11 Union Oil Company Of California Process for the treatment of hydrogen sulfide gas streams
US4332974A (en) * 1979-06-28 1982-06-01 Chevron Research Company Multilayer photovoltaic cell
US4377723A (en) * 1980-05-02 1983-03-22 The University Of Delaware High efficiency thin-film multiple-gap photovoltaic device
JPS5761025A (en) 1980-09-30 1982-04-13 Kuraray Co Ltd Production of laminate having excelent dew condensation resistance and gas barrier property
EP0100670B1 (en) 1982-07-30 1986-12-03 Mishima Paper Co. Ltd Conductive film for packaging
FR2537898A1 (fr) * 1982-12-21 1984-06-22 Univ Paris Procede de reduction de composes metalliques par les polyols, et poudres metalliques obtenues par ce procede
DE3479793D1 (en) 1983-08-01 1989-10-26 Allied Signal Inc Oriented film laminates of polyamides and ethylene vinyl alcohol
US4780371A (en) 1986-02-24 1988-10-25 International Business Machines Corporation Electrically conductive composition and use thereof
GB8617535D0 (en) 1986-07-17 1986-08-28 Du Pont Canada Gas barrier structures
JPS63229061A (ja) * 1987-03-18 1988-09-22 テルモ株式会社 膜型人工肺とその製造方法
EP0285564B1 (de) * 1987-04-03 1992-04-15 Ciba-Geigy Ag Antistatische und elektrisch leitende Polymere und Formmassen
JP2659541B2 (ja) * 1987-08-31 1997-09-30 日本電信電話株式会社 透明タブレット用透明電極
KR910007465B1 (ko) * 1988-10-27 1991-09-26 삼성전관 주식회사 비정질 실리콘 태양전지의 제조방법
US5292784A (en) 1989-05-23 1994-03-08 Ganns Financial Group, Inc., Dba Glare Tech Industries Incorporated Anti-glare coating for reflective-transmissive surfaces and method
US5063125A (en) * 1989-12-29 1991-11-05 Xerox Corporation Electrically conductive layer for electrical devices
US5716663A (en) * 1990-02-09 1998-02-10 Toranaga Technologies Multilayer printed circuit
CA2038785C (en) 1990-03-27 1998-09-29 Atsushi Oyamatsu Magneto-optical recording medium
US5225244A (en) 1990-12-17 1993-07-06 Allied-Signal Inc. Polymeric anti-reflection coatings and coated articles
US5165985A (en) * 1991-06-28 1992-11-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making a flexible, transparent film for electrostatic shielding
JPH05194856A (ja) 1991-09-05 1993-08-03 Otsuka Chem Co Ltd 導電性エラストマー組成物
US5198267A (en) 1991-09-20 1993-03-30 Allied-Signal Inc. Fluoropolymer blend anti-reflection coatings and coated articles
US5270364A (en) 1991-09-24 1993-12-14 Chomerics, Inc. Corrosion resistant metallic fillers and compositions containing same
AU658038B2 (en) 1991-12-16 1995-03-30 Peter Graham Ibbotson Antiglare and/or reflection formulation
EP0554220A1 (de) * 1992-01-29 1993-08-04 Ciba-Geigy Ag Charge-Transfer Komplexe mit Ferrocenen, deren Herstellung und deren Verwendung
US5411792A (en) * 1992-02-27 1995-05-02 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Transparent conductive substrate
JP3059829B2 (ja) 1992-06-16 2000-07-04 株式会社海水化学研究所 導電性フィラー、その製造方法およびその使用
DK0583220T3 (da) * 1992-07-15 1996-12-09 Ciba Geigy Ag Overtrukket materiale, dets fremstilling og anvendelse
EP0588759A1 (de) * 1992-08-20 1994-03-23 Ciba-Geigy Ag Dithiopentacenderivate, deren Herstellung und deren Verwendung als Elektronenakzeptoren in Charge-Transfer Komplexen
JPH06162818A (ja) 1992-11-18 1994-06-10 Ajinomoto Co Inc 活性エネルギー線硬化型導電性組成物
JPH06215631A (ja) 1993-01-19 1994-08-05 Ajinomoto Co Inc 繊維状導電性物質及びこれを含有する導電性樹脂組成物
US5518810A (en) * 1993-06-30 1996-05-21 Mitsubishi Materials Corporation Infrared ray cutoff material and infrared cutoff powder use for same
US5415815A (en) 1993-07-14 1995-05-16 Bruno; Art Film for glare reduction
US5460701A (en) * 1993-07-27 1995-10-24 Nanophase Technologies Corporation Method of making nanostructured materials
JPH0794036A (ja) 1993-07-27 1995-04-07 Fujimori Kogyo Kk フラットケーブル用電磁波遮蔽性組成物およびそれを用いたフイルム
JPH07106617A (ja) * 1993-09-30 1995-04-21 Canon Inc 透明電極及びその形成方法並びに該透明電極を用いた太陽電池
JP2696056B2 (ja) * 1993-10-08 1998-01-14 フクビ化学工業株式会社 エレクトロルミネッセンス及びその製造方法
EP0653763A1 (en) 1993-11-17 1995-05-17 SOPHIA SYSTEMS Co., Ltd. Ultraviolet hardenable, solventless conductive polymeric material
JP3560651B2 (ja) * 1994-08-31 2004-09-02 住友金属鉱山株式会社 導電ペーストと透光性導電膜およびそれらを用いた分散型エレクトロルミネッセンス素子
JPH0945685A (ja) * 1995-07-31 1997-02-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US5759230A (en) * 1995-11-30 1998-06-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Nanostructured metallic powders and films via an alcoholic solvent process
US5897945A (en) * 1996-02-26 1999-04-27 President And Fellows Of Harvard College Metal oxide nanorods
JP2984595B2 (ja) 1996-03-01 1999-11-29 キヤノン株式会社 光起電力素子
IT1282387B1 (it) 1996-04-30 1998-03-20 Videocolor Spa Rivestimento antistatico,antiabbagliante,per una superficie a riflessione-trasmissione
US5820957A (en) 1996-05-06 1998-10-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Anti-reflective films and methods
JPH09324324A (ja) 1996-06-07 1997-12-16 Mitsubishi Materials Corp 微細金属繊維及びその製法並びに該繊維を用いた導電性塗料
JPH1017325A (ja) 1996-07-03 1998-01-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化インジウム粉末及びその製造方法
JPH1046382A (ja) 1996-07-26 1998-02-17 Mitsubishi Materials Corp 微細金属繊維の製造方法及び該繊維を用いた導電性塗料
US6344271B1 (en) * 1998-11-06 2002-02-05 Nanoenergy Corporation Materials and products using nanostructured non-stoichiometric substances
US5788738A (en) * 1996-09-03 1998-08-04 Nanomaterials Research Corporation Method of producing nanoscale powders by quenching of vapors
US6933331B2 (en) * 1998-05-22 2005-08-23 Nanoproducts Corporation Nanotechnology for drug delivery, contrast agents and biomedical implants
US6202471B1 (en) * 1997-10-10 2001-03-20 Nanomaterials Research Corporation Low-cost multilaminate sensors
US5851507A (en) 1996-09-03 1998-12-22 Nanomaterials Research Corporation Integrated thermal process for the continuous synthesis of nanoscale powders
US5952040A (en) * 1996-10-11 1999-09-14 Nanomaterials Research Corporation Passive electronic components from nano-precision engineered materials
US5905000A (en) * 1996-09-03 1999-05-18 Nanomaterials Research Corporation Nanostructured ion conducting solid electrolytes
US5731119A (en) * 1996-11-12 1998-03-24 Eastman Kodak Company Imaging element comprising an electrically conductive layer containing acicular metal oxide particles and a transparent magnetic recording layer
US5719016A (en) * 1996-11-12 1998-02-17 Eastman Kodak Company Imaging elements comprising an electrically conductive layer containing acicular metal-containing particles
JP3398587B2 (ja) 1996-12-10 2003-04-21 タキロン株式会社 成形可能な制電性樹脂成形品
US6379745B1 (en) * 1997-02-20 2002-04-30 Parelec, Inc. Low temperature method and compositions for producing electrical conductors
JP3313298B2 (ja) * 1997-02-24 2002-08-12 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
US6001163A (en) 1997-04-17 1999-12-14 Sdc Coatings, Inc. Composition for providing an abrasion resistant coating on a substrate
US6045925A (en) * 1997-08-05 2000-04-04 Kansas State University Research Foundation Encapsulated nanometer magnetic particles
TW505685B (en) * 1997-09-05 2002-10-11 Mitsubishi Materials Corp Transparent conductive film and composition for forming same
US6514453B2 (en) * 1997-10-21 2003-02-04 Nanoproducts Corporation Thermal sensors prepared from nanostructureed powders
JP2972702B2 (ja) * 1998-03-17 1999-11-08 静岡日本電気株式会社 ペン入力型携帯情報端末機
JP3937571B2 (ja) * 1998-03-26 2007-06-27 Ｊｓｒ株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法および転写フィルム
US5867945A (en) * 1998-06-04 1999-02-09 Scafidi; Stephen J. Self-cleaning gutter
US6416818B1 (en) * 1998-08-17 2002-07-09 Nanophase Technologies Corporation Compositions for forming transparent conductive nanoparticle coatings and process of preparation therefor
US6294401B1 (en) * 1998-08-19 2001-09-25 Massachusetts Institute Of Technology Nanoparticle-based electrical, chemical, and mechanical structures and methods of making same
US6241451B1 (en) * 1998-09-08 2001-06-05 Knight Manufacturing Corp. Distributor apparatus for spreading materials
US6541539B1 (en) * 1998-11-04 2003-04-01 President And Fellows Of Harvard College Hierarchically ordered porous oxides
US6855202B2 (en) * 2001-11-30 2005-02-15 The Regents Of The University Of California Shaped nanocrystal particles and methods for making the same
US6274412B1 (en) * 1998-12-21 2001-08-14 Parelec, Inc. Material and method for printing high conductivity electrical conductors and other components on thin film transistor arrays
US6265466B1 (en) * 1999-02-12 2001-07-24 Eikos, Inc. Electromagnetic shielding composite comprising nanotubes
JP3909791B2 (ja) 1999-04-19 2007-04-25 共同印刷株式会社 透明導電膜の転写方法
US6342097B1 (en) 1999-04-23 2002-01-29 Sdc Coatings, Inc. Composition for providing an abrasion resistant coating on a substrate with a matched refractive index and controlled tintability
US6881604B2 (en) * 1999-05-25 2005-04-19 Forskarpatent I Uppsala Ab Method for manufacturing nanostructured thin film electrodes
US6536106B1 (en) * 1999-06-30 2003-03-25 The Penn State Research Foundation Electric field assisted assembly process
EP2239794A3 (en) * 1999-07-02 2011-03-23 President and Fellows of Harvard College Nanoscopic wire-based devices, arrays, and methods of their manufacture
JP3882419B2 (ja) 1999-09-20 2007-02-14 旭硝子株式会社 導電膜形成用塗布液およびその用途
ATE459488T1 (de) 1999-09-28 2010-03-15 Kyodo Printing Co Ltd Übertragungskörper und verwendungsverfahren
ES2253267T3 (es) 1999-10-20 2006-06-01 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Formulaciones de fotoiniciadores.
JP2002083518A (ja) * 1999-11-25 2002-03-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電性基材とその製造方法並びにこの透明導電性基材が適用された表示装置、および透明導電層形成用塗液とその製造方法
US6340788B1 (en) * 1999-12-02 2002-01-22 Hughes Electronics Corporation Multijunction photovoltaic cells and panels using a silicon or silicon-germanium active substrate cell for space and terrestrial applications
NL1016815C2 (nl) 1999-12-15 2002-05-14 Ciba Sc Holding Ag Oximester-fotoinitiatoren.
WO2001044132A1 (fr) * 1999-12-17 2001-06-21 Asahi Glass Company, Limited Composition de dispersion de particules ultrafines, composition de couche de liaison intercouche pour verre feuillete, couche de liaison intercouche, et verre feuillete
JP2001205600A (ja) 2000-01-27 2001-07-31 Canon Inc 微細構造体及びその製造方法
EP1268087A4 (en) * 2000-03-22 2007-05-23 Univ Massachusetts NANOMETRIC CYLINDER MATRICES
FR2807052B1 (fr) 2000-04-03 2003-08-15 Clariant France Sa Compositions silico-acryliques, leur procede de preparation et leur utilisation
US6773823B2 (en) * 2000-04-07 2004-08-10 University Of New Orleans Research And Technology Foundation, Inc. Sequential synthesis of core-shell nanoparticles using reverse micelles
JP2001291431A (ja) 2000-04-10 2001-10-19 Jsr Corp 異方導電性シート用組成物、異方導電性シート、その製造方法および異方導電性シートを用いた接点構造
JP4077596B2 (ja) 2000-05-31 2008-04-16 中島工業株式会社 低反射層を有する転写材及びこれを用いた成型品の製造方法
JP2001345469A (ja) * 2000-06-01 2001-12-14 Canon Inc 光起電力素子および光起電力素子の製造方法
AU2001271638A1 (en) 2000-06-30 2002-01-14 Microcoating Technologies, Inc. Polymer coatings
JP4788852B2 (ja) * 2000-07-25 2011-10-05 住友金属鉱山株式会社 透明導電性基材とその製造方法およびこの製造方法に用いられる透明コート層形成用塗布液と透明導電性基材が適用された表示装置
EP1361907B1 (en) * 2000-08-15 2007-09-19 Hammerhead Design and Development, Inc. Gastric access port
EP1325089A2 (de) * 2000-09-25 2003-07-09 Chemetall GmbH Verfahren zur vorbehandlung und beschichtung von metallischen oberflächen vor der umformung mit einem lackähnlichen überzug und verwendung der derart beschichteten substrate
TW511422B (en) 2000-10-02 2002-11-21 Sanyo Electric Co Method for manufacturing circuit device
GB0025016D0 (en) * 2000-10-12 2000-11-29 Micromass Ltd Method nad apparatus for mass spectrometry
EP1209694B1 (en) 2000-11-21 2007-07-25 Nissan Chemical Industries Ltd. Electro-conductive oxide particle and process for its production
MXPA03004958A (es) 2000-12-04 2003-09-05 Ciba Sc Holding Ag Sales onio y su uso como acidos latentes.
US6835425B2 (en) * 2000-12-12 2004-12-28 Konica Corporation Layer-forming method using plasma state reactive gas
US6744425B2 (en) * 2000-12-26 2004-06-01 Bridgestone Corporation Transparent electroconductive film
US6444495B1 (en) * 2001-01-11 2002-09-03 Honeywell International, Inc. Dielectric films for narrow gap-fill applications
JP3560333B2 (ja) 2001-03-08 2004-09-02 独立行政法人 科学技術振興機構 金属ナノワイヤー及びその製造方法
KR20040030553A (ko) * 2001-03-26 2004-04-09 에이코스 인코포레이티드 탄소 나노튜브를 함유하는 코팅막
TW554388B (en) * 2001-03-30 2003-09-21 Univ California Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom
JP2002322558A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Konica Corp 薄膜形成方法、光学フィルム、偏光板及び画像表示装置
US6583201B2 (en) * 2001-04-25 2003-06-24 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Conductive materials with electrical stability for use in electronics devices
AU2002239726A1 (en) 2001-05-25 2002-12-09 Northwestern University Non-alloying core shell nanoparticles
US7147687B2 (en) 2001-05-25 2006-12-12 Nanosphere, Inc. Non-alloying core shell nanoparticles
US6697881B2 (en) * 2001-05-29 2004-02-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for efficient format, read, write, and initial copy processing involving sparse logical units
US20030148380A1 (en) 2001-06-05 2003-08-07 Belcher Angela M. Molecular recognition of materials
US20050164515A9 (en) 2001-06-05 2005-07-28 Belcher Angela M. Biological control of nanoparticle nucleation, shape and crystal phase
CA2450014A1 (en) 2001-06-08 2002-12-19 Eikos, Inc. Nanocomposite dielectrics
JP2003017706A (ja) * 2001-07-02 2003-01-17 Idemitsu Kosan Co Ltd Ｔｆｔ基板、それを用いた液晶表示装置及びその製造方法
KR100759978B1 (ko) * 2001-07-12 2007-09-18 삼성전자주식회사 수직 배향형 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 색 필터 기판
US6835591B2 (en) 2001-07-25 2004-12-28 Nantero, Inc. Methods of nanotube films and articles
US6706402B2 (en) * 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
CA2471842A1 (en) * 2001-07-27 2003-02-13 Eikos, Inc. Conformal coatings comprising carbon nanotubes
US6934001B2 (en) * 2001-08-13 2005-08-23 Sharp Laboratories Of America, Inc. Structure and method for supporting a flexible substrate
KR100438408B1 (ko) * 2001-08-16 2004-07-02 한국과학기술원 금속간의 치환 반응을 이용한 코어-쉘 구조 및 혼합된합금 구조의 금속 나노 입자의 제조 방법과 그 응용
NZ513637A (en) 2001-08-20 2004-02-27 Canterprise Ltd Nanoscale electronic devices & fabrication methods
WO2003024714A1 (fr) 2001-09-18 2003-03-27 Tokuyama Corporation Pellicule barriere aux gaz, agent de revetement barriere aux gaz et procede de fabrication
KR100459393B1 (ko) * 2001-10-24 2004-12-03 엘지전자 주식회사 액정 표시장치의 칼라필터 및 그 제조방법
EP1460649A4 (en) * 2001-11-28 2008-10-01 Rohm Co Ltd RESISITF PAVE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
ITTO20020033A1 (it) * 2002-01-11 2003-07-11 Fiat Ricerche Dispositivo elettro-luminescente.
US8154093B2 (en) * 2002-01-16 2012-04-10 Nanomix, Inc. Nano-electronic sensors for chemical and biological analytes, including capacitance and bio-membrane devices
WO2003068674A1 (fr) 2002-02-15 2003-08-21 Japan Science And Technology Agency Structure de fils nanometriques en metal noble et leur procede de production
JP4556204B2 (ja) * 2003-02-06 2010-10-06 三菱マテリアル株式会社 金属ナノ繊維含有組成物およびその用途
EP1339082A1 (en) * 2002-02-25 2003-08-27 Asahi Glass Company Ltd. Impact-resistant film for flat display panel, and flat display panel
US6872645B2 (en) * 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
US6946410B2 (en) 2002-04-05 2005-09-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for providing nano-structures of uniform length
US6785050B2 (en) * 2002-05-09 2004-08-31 Moxtek, Inc. Corrosion resistant wire-grid polarizer and method of fabrication
EP1361619A3 (en) 2002-05-09 2007-08-15 Konica Corporation Organic thin-film transistor, organic thin-film transistor sheet and manufacturing method thereof
JP4130655B2 (ja) 2002-05-10 2008-08-06 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク ナノ粒子の膜の電場補助的な堆積方法
GB2389696B (en) * 2002-05-22 2005-06-01 Nokia Corp Hybrid display
ATE450581T1 (de) 2002-06-13 2009-12-15 Nanopowders Ind Ltd Ein verfahren zur herstellung von transparenten und leitfähigen nano-beschichtungen und nano- pulverbeschichtungen
US7594982B1 (en) * 2002-06-22 2009-09-29 Nanosolar, Inc. Nanostructured transparent conducting electrode
JP3842177B2 (ja) 2002-07-03 2006-11-08 独立行政法人科学技術振興機構 貴金属ナノチューブ及びその製造方法
JP2004035962A (ja) 2002-07-04 2004-02-05 Toyota Motor Corp 金属ナノチューブの製造法
JP2004055298A (ja) 2002-07-18 2004-02-19 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 透明導電性被膜形成用塗布液、および透明導電性被膜付基材、表示装置
JP4134313B2 (ja) 2002-07-24 2008-08-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 導電性粉末の製造方法
JP4338948B2 (ja) * 2002-08-01 2009-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 カーボンナノチューブ半導体素子の作製方法
US7233101B2 (en) * 2002-12-31 2007-06-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate-supported array having steerable nanowires elements use in electron emitting devices
JP4266732B2 (ja) * 2002-08-30 2009-05-20 キヤノン株式会社 積層型回折光学素子
KR20040021758A (ko) 2002-09-04 2004-03-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법
JP2006517186A (ja) 2002-09-04 2006-07-20 ボード オブ リージェンツ ユニバーシティ オブ テキサス システム 二機能性の生体材料の組成物、方法、および使用
CN100584921C (zh) * 2002-09-05 2010-01-27 奈米系统股份有限公司 促进电荷转移至纳米结构或自纳米结构转移出电荷的有机物
JP4134314B2 (ja) 2002-09-13 2008-08-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 導電性粉末の製造方法
US20050064508A1 (en) 2003-09-22 2005-03-24 Semzyme Peptide mediated synthesis of metallic and magnetic materials
US7135728B2 (en) 2002-09-30 2006-11-14 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7051945B2 (en) * 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
CN102569349A (zh) * 2002-09-30 2012-07-11 纳米系统公司 使用纳米线晶体管的集成显示器
US7067867B2 (en) * 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7560160B2 (en) * 2002-11-25 2009-07-14 Materials Modification, Inc. Multifunctional particulate material, fluid, and composition
US6949931B2 (en) * 2002-11-26 2005-09-27 Honeywell International Inc. Nanotube sensor
JP3972093B2 (ja) 2002-12-04 2007-09-05 独立行政法人物質・材料研究機構 β−Ｇａ２Ｏ３ナノウイスカーとその製造方法
JP4341005B2 (ja) * 2002-12-17 2009-10-07 三菱マテリアル株式会社 金属ナノワイヤー含有組成物および電磁波遮蔽フィルター
JP2004196981A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Toyobo Co Ltd 表面導電性樹脂成形体
US6975067B2 (en) 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
KR100502821B1 (ko) * 2002-12-26 2005-07-22 이호영 구리산화물 또는 구리 나노와이어로 이루어진 전자방출팁의 저온 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 전자방출팁을 포함하는 디스플레이 장치 또는 광원
JP2004230690A (ja) 2003-01-30 2004-08-19 Takiron Co Ltd 制電性透明樹脂板
JP2007112133A (ja) 2003-01-30 2007-05-10 Takiron Co Ltd 導電性成形体
US20060257638A1 (en) 2003-01-30 2006-11-16 Glatkowski Paul J Articles with dispersed conductive coatings
JP4471346B2 (ja) 2003-01-31 2010-06-02 タキロン株式会社 電磁波シールド体
JP2004253326A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Toyobo Co Ltd 導電性フイルム
JP2004256702A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Toyobo Co Ltd 導電性塗料
US7029514B1 (en) * 2003-03-17 2006-04-18 University Of Rochester Core-shell magnetic nanoparticles and nanocomposite materials formed therefrom
US6916842B2 (en) * 2003-03-24 2005-07-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Production of 5-methyl-n-(methyl aryl)-2-pyrrolidone, 5-methyl-n-(methyl cycloalkyl)-2-pyrrolidone and 5-methyl-n-alkyl-2-pyrrolidone by reductive amination of levulinic acid esters with cyano compounds
US6936761B2 (en) * 2003-03-29 2005-08-30 Nanosolar, Inc. Transparent electrode, optoelectronic apparatus and devices
US20040252488A1 (en) * 2003-04-01 2004-12-16 Innovalight Light-emitting ceiling tile
KR101097028B1 (ko) 2003-04-28 2011-12-22 타키론 가부시기가이샤 전자파 차폐성 광 확산 시트
TWI250202B (en) * 2003-05-13 2006-03-01 Eternal Chemical Co Ltd Process and slurry for chemical mechanical polishing
US7033416B2 (en) * 2003-05-22 2006-04-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Low temperature synthesis of metallic nanoparticles
CN100395283C (zh) * 2003-07-04 2008-06-18 日东电工株式会社 导电纤维素基薄膜
US6897098B2 (en) 2003-07-28 2005-05-24 Intel Corporation Method of fabricating an ultra-narrow channel semiconductor device
EP1652218A2 (en) * 2003-08-04 2006-05-03 Nanosys, Inc. System and process for producing nanowire composites and electronic substrates therefrom
JP2005078984A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Seiko Epson Corp 透明導電膜形成用組成物、透明導電膜の形成方法、透明導電膜、電子デバイスおよび電子機器
US7504051B2 (en) * 2003-09-08 2009-03-17 Nantero, Inc. Applicator liquid for use in electronic manufacturing processes
US7062848B2 (en) * 2003-09-18 2006-06-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printable compositions having anisometric nanostructures for use in printed electronics
US7067328B2 (en) * 2003-09-25 2006-06-27 Nanosys, Inc. Methods, devices and compositions for depositing and orienting nanostructures
JP2005103723A (ja) 2003-10-01 2005-04-21 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 金属ナノワイヤーの単結晶化方法及び装置
US6982206B1 (en) * 2003-10-02 2006-01-03 Lsi Logic Corporation Mechanism for improving the structural integrity of low-k films
KR100570206B1 (ko) 2003-10-15 2006-04-12 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지막용 광 흡수제 중합체 및 이의 제조 방법과상기 중합체를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물
JP2007517500A (ja) 2003-10-15 2007-07-05 ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 電子、光学、磁性、半導体、および生物工学用途の足場としての多機能生体物質
KR100570634B1 (ko) 2003-10-16 2006-04-12 한국전자통신연구원 탄소나노튜브와 금속분말 혼성 복합에 의해 제조된 전자파차폐재
WO2005040460A1 (ja) 2003-10-24 2005-05-06 Kyoto University 金属ナノチューブ製造装置および金属ナノチューブの製造方法
US6896739B1 (en) 2003-12-03 2005-05-24 For Your Ease Only, Inc. Anti-tarnish aqueous treatment
JP2005181392A (ja) 2003-12-16 2005-07-07 Canon Inc 光学系
US20070158642A1 (en) 2003-12-19 2007-07-12 Regents Of The University Of California Active electronic devices with nanowire composite components
TWI243004B (en) 2003-12-31 2005-11-01 Ind Tech Res Inst Method for manufacturing low-temperature highly conductive layer and its structure
US7923109B2 (en) 2004-01-05 2011-04-12 Board Of Regents, The University Of Texas System Inorganic nanowires
US20050165120A1 (en) * 2004-01-22 2005-07-28 Ashavani Kumar Process for phase transfer of hydrophobic nanoparticles
US8025960B2 (en) * 2004-02-02 2011-09-27 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US7381579B2 (en) * 2004-02-26 2008-06-03 Samsung Sdi Co., Ltd. Donor sheet, method of manufacturing the same, method of manufacturing TFT using the donor sheet, and method of manufacturing flat panel display device using the donor sheet
KR100708644B1 (ko) * 2004-02-26 2007-04-17 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 표시장치, 박막트랜지스터의 제조방법, 평판 표시장치의 제조방법, 및도너 시트의 제조방법
JP2005239481A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Nagoya Institute Of Technology 金属内包カーボンナノチューブ凝集体、その製造方法、金属内包カーボンナノチューブ、金属ナノワイヤおよびその製造方法
JP2005277405A (ja) 2004-02-27 2005-10-06 Takiron Co Ltd 画像表示装置用透光性ノイズ防止成形体
JP2005311330A (ja) 2004-03-22 2005-11-04 Takiron Co Ltd 電波吸収体
JP2005281357A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Koyo Sangyo Co Ltd 導電性塗料
WO2005104141A1 (ja) * 2004-04-20 2005-11-03 Takiron Co., Ltd. タッチパネル用透明導電成形体およびタッチパネル
ITRM20040201A1 (it) 2004-04-23 2004-07-23 Link Italia S R L Supporto di memoria, in particolare un dvd, che memorizza filmati interattivi.
JP2005335054A (ja) 2004-04-27 2005-12-08 Japan Science & Technology Agency 金属ナノワイヤー及びその製造方法
JP4491776B2 (ja) 2004-04-28 2010-06-30 三菱マテリアル株式会社 導電性ペースト等の製造方法
JP4524745B2 (ja) 2004-04-28 2010-08-18 三菱マテリアル株式会社 金属ナノワイヤー含有導電性材料およびその用途
US7564614B2 (en) * 2004-05-20 2009-07-21 Sipix Imaging, Inc. Electrode protection film for electrophoretic displays
JP2005347378A (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Canon Inc ナノカーボン材料のパターン形成方法、並びに、半導体デバイス及びその製造方法
JP4854994B2 (ja) * 2004-06-28 2012-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 配線基板の作製方法及び薄膜トランジスタの作製方法
JP2006049843A (ja) 2004-06-29 2006-02-16 Takiron Co Ltd 画像表示装置用制電性成形体
US7255796B2 (en) 2004-07-08 2007-08-14 General Electric Company Method of preventing hydrogen sulfide odor generation in an aqueous medium
EP1769867B1 (en) 2004-07-08 2014-05-21 Mitsubishi Materials Corporation Method for producing metal fine particle, metal fine particle produced thereby, composition containing same, light absorbing material, and application thereof
JP2006032255A (ja) * 2004-07-21 2006-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光透過性タッチパネル
JP2006035773A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Takiron Co Ltd 粘接着性導電成形体
JP2006035771A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Takiron Co Ltd 導電層転写シート
JP4257429B2 (ja) 2004-09-13 2009-04-22 国立大学法人東北大学 原子の拡散を制御することによる金属ナノワイヤの製造方法およびこの方法により製造する金属ナノワイヤ
US20060062983A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Irvin Glen C Jr Coatable conductive polyethylenedioxythiophene with carbon nanotubes
JP4372653B2 (ja) 2004-09-30 2009-11-25 住友大阪セメント株式会社 棒状導電性錫含有酸化インジウム微粉末の製造方法
US20060070559A1 (en) 2004-09-30 2006-04-06 Incredible Technologies, Inc. Unitary currency/credit card unit
JP4372654B2 (ja) 2004-09-30 2009-11-25 住友大阪セメント株式会社 棒状導電性錫含有酸化インジウム微粉末の製造方法
US7270694B2 (en) * 2004-10-05 2007-09-18 Xerox Corporation Stabilized silver nanoparticles and their use
EP1805823A2 (en) 2004-10-12 2007-07-11 Nanosys, Inc. Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires
JP2006111675A (ja) 2004-10-13 2006-04-27 Mitsubishi Materials Corp 金属ナノロッド配向組成物およびその用途
JP2006133528A (ja) 2004-11-05 2006-05-25 Takiron Co Ltd 制電性光拡散シート
US7349045B2 (en) * 2004-11-24 2008-03-25 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Displacement-designed color filter structure and method of forming the same
JP4877722B2 (ja) * 2004-11-30 2012-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
EP2202579A3 (en) 2004-12-03 2010-10-27 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemically amplified photoresist composition, photoresist laminated product, manufacturing method for photoresist composition, manufacturing method for photoresist pattern, and manufacturing method for connection element
JP4665499B2 (ja) 2004-12-10 2011-04-06 三菱マテリアル株式会社 金属微粒子とその製造方法とその含有組成物ならびにその用途
JP2006171336A (ja) 2004-12-15 2006-06-29 Takiron Co Ltd 画像表示用透明電極体および画像表示装置
JP2008076416A (ja) 2004-12-27 2008-04-03 Sharp Corp 表示パネルの駆動装置、表示パネル及びそれを備えた表示装置並びに表示パネルの駆動方法
US20070153362A1 (en) 2004-12-27 2007-07-05 Regents Of The University Of California Fabric having nanostructured thin-film networks
WO2006070807A1 (ja) 2004-12-28 2006-07-06 Ngk Spark Plug Co., Ltd. 配線基板及び配線基板の製造方法
JP4351148B2 (ja) 2004-12-28 2009-10-28 新光電気工業株式会社 配線基板の製造方法
JP2006222383A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Nissan Motor Co Ltd 機能性薄膜素子、その製造方法及びそれを用いた物品
JP4821951B2 (ja) 2005-02-23 2011-11-24 三菱マテリアル株式会社 ワイヤー状の金微粒子と、その製造方法および含有組成物ならびに用途
WO2006091823A2 (en) 2005-02-25 2006-08-31 The Regents Of The University Of California Electronic devices with carbon nanotube components
JP2006239790A (ja) 2005-03-01 2006-09-14 Tohoku Univ 金属ナノワイヤ作製法および金属ナノワイヤ
JP4033237B2 (ja) 2005-03-11 2008-01-16 日立化成工業株式会社 銅の表面処理方法及び銅
JP2006260922A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Sonac Kk 電子放出素子及びその製造方法
US7489432B2 (en) * 2005-03-25 2009-02-10 Ricoh Company, Ltd. Electrochromic display device and display apparatus
JP2006269311A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Toray Ind Inc 金属を担持した担体と炭素含有化合物を接触させて得たカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム
JP2006272876A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Takiron Co Ltd 導電体
JP2006310353A (ja) 2005-04-26 2006-11-09 Takiron Co Ltd 電波吸収体
US7902639B2 (en) 2005-05-13 2011-03-08 Siluria Technologies, Inc. Printable electric circuits, electronic components and method of forming the same
SG150517A1 (en) * 2005-08-12 2009-03-30 Cambrios Technologies Corp Nanowires-based transparent conductors
JP4974332B2 (ja) 2005-09-07 2012-07-11 一般財団法人電力中央研究所 ナノ構造体およびその製造方法
US7341944B2 (en) * 2005-09-15 2008-03-11 Honda Motor Co., Ltd Methods for synthesis of metal nanowires
JP2007091859A (ja) 2005-09-28 2007-04-12 Koyo Sangyo Co Ltd 導電性塗料
JP2007105822A (ja) 2005-10-12 2007-04-26 National Institute For Materials Science 原子スケール金属ワイヤもしくは金属ナノクラスター、およびこれらの製造方法
US7507449B2 (en) * 2006-05-30 2009-03-24 Industrial Technology Research Institute Displays with low driving voltage and anisotropic particles
TWI397446B (zh) * 2006-06-21 2013-06-01 Cambrios Technologies Corp 控制奈米結構形成及形狀之方法
CN102324462B (zh) * 2006-10-12 2015-07-01 凯博瑞奥斯技术公司 基于纳米线的透明导体及其应用
US8018568B2 (en) * 2006-10-12 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
TWI397925B (zh) 2006-10-12 2013-06-01 Cambrios Technologies Corp 用於控制透明導體之電氣和光學性質之系統、裝置及方法
TW200837403A (en) * 2006-10-12 2008-09-16 Cambrios Technologies Corp Functional films formed by highly oriented deposition of nanowires
US7846786B2 (en) * 2006-12-05 2010-12-07 Korea University Industrial & Academic Collaboration Foundation Method of fabricating nano-wire array
WO2008131304A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-30 Cambrios Technologies Corporation Composite transparent conductors and methods of forming the same
KR101519125B1 (ko) 2007-04-20 2015-05-18 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 고경조 투명 도전체 및 그 제조 방법
US20080292979A1 (en) 2007-05-22 2008-11-27 Zhe Ding Transparent conductive materials and coatings, methods of production and uses thereof
US7846789B2 (en) 2007-10-16 2010-12-07 Texas Instruments Incorporated Isolation trench with rounded corners for BiCMOS process
JP2009130180A (ja) 2007-11-26 2009-06-11 Sony Corp 電子機器の製造方法および電子機器
SG188159A1 (en) 2008-02-26 2013-03-28 Cambrios Technologies Corp Methods and compositions for ink jet deposition of conductive features
JP5259368B2 (ja) 2008-12-15 2013-08-07 日本写真印刷株式会社 導電性ナノファイバーシート及びその製造方法
KR20120030407A (ko) 2009-05-05 2012-03-28 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 금속 나노구조체들을 포함하는 신뢰성 및 내구성 있는 도전성 막들
US20110024159A1 (en) * 2009-05-05 2011-02-03 Cambrios Technologies Corporation Reliable and durable conductive films comprising metal nanostructures
TWI543873B (zh) * 2009-08-24 2016-08-01 坎畢歐科技公司 用於改良由金屬奈米結構所製得透明導體之濁度的金屬奈米結構純化
TW201132990A (en) * 2009-08-24 2011-10-01 Cambrios Technologies Corp Contact resistance measurement for resistance linearity in nanostructure thin films
CN102762324B (zh) * 2009-08-25 2016-06-08 凯博瑞奥斯技术公司 控制金属纳米结构形态的方法
JP2011090878A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Fujifilm Corp 透明導電体の製造方法
KR102154562B1 (ko) * 2009-12-04 2020-09-11 캄브리오스 필름 솔루션스 코포레이션 증가된 헤이즈를 갖는 나노구조체 기반의 투명 도전체 및 그것을 포함하는 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4523976A (en) * 1984-07-02 1985-06-18 Motorola, Inc. Method for forming semiconductor devices
CN1671481A (zh) * 2002-05-21 2005-09-21 艾考斯公司 使碳纳米管涂层形成图案的方法和碳纳米管布线
US20050128788A1 (en) * 2003-09-08 2005-06-16 Nantero, Inc. Patterned nanoscopic articles and methods of making the same

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