JP5275950B2 - 積層膜とその製造方法、光電変換素子とその製造方法、及び太陽電池 - Google Patents
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Description
本発明は、pH3.0〜8.0程度の穏やかなpH条件で、下地を隙間なく被覆する金属酸化物層を形成する技術を提供することを目的とするものである。
金属酸化物及び/又は金属水酸化物を主成分とする1種若しくは2種以上の複数の微粒子からなる微粒子層を形成する工程(A)と、
前記微粒子層上に、1種若しくは2種以上の金属イオンを含む反応液を用い、前記複数の微粒子の少なくとも一部が該反応液により溶解せずに残存するpH条件の液相法により、前記金属イオンの酸化物を主成分とし、前記微粒子層を隙間なく被覆する金属酸化物層を形成する工程(B)とを有する製造方法により、
前記微粒子層と前記金属酸化物層との積層構造からなる積層膜を製造することを特徴とするものである。
本明細書において、特に明記しない限り「主成分」は20質量%以上の成分と定義する。
本発明の積層膜の製造方法によれば、非特許文献3に記載のナノワイヤ膜よりも表面凹凸が少なく、下地を隙間なく被覆する金属酸化物層を形成することができる。
本発明の積層膜の製造方法において、反応液を選択することで、pH3.0〜8.0程度の穏やかなpH条件で、下地を隙間なく被覆する金属酸化物層を形成することができる。
本発明の積層膜の製造方法は、
金属酸化物及び/又は金属水酸化物を主成分とする1種若しくは2種以上の複数の微粒子からなる微粒子層を形成する工程(A)と、
前記微粒子層上に、1種若しくは2種以上の金属イオンを含む反応液を用い、前記複数の微粒子の少なくとも一部が該反応液により溶解せずに残存するpH条件の液相法により、前記金属イオンの酸化物を主成分とし、前記微粒子層を隙間なく被覆する金属酸化物層を形成する工程(B)とを有する製造方法により、
前記微粒子層と前記金属酸化物層との積層構造からなる積層膜を製造することを特徴とするものである。
工程(A)は、複数の微粒子を含む分散液(微粒子分散液)を付与する方法、若しくはCBD(Chemical Bath Deposition)法によって複数の微粒子を析出する方法により実施することが好ましい。
微粒子分散液中の微粒子濃度(固形分濃度)は特に制限されず、1〜50質量%が好ましい。
微粒子分散液の付与方法は特に制限されず、基板を微粒子分散液中に浸漬する浸漬法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、及びスピンコーティング法等が挙げられる。
微粒子分散液の調製方法及び付与方法の例については、後記実施例1〜6を参照されたい。基板上に微粒子分散液を付与した後、溶媒を除去する工程を経て、微粒子層を形成することができる。この際、必要に応じて加熱処理を実施することができる。
基板上にCBD法により複数の微粒子を析出する方法としては、例えばPhysical Chemistry Chemical Physics, 9, 2181-2196 (2007). 等に記載の方法が挙げられる。
微粒子層をなす複数の微粒子は合成してもよいし、市販のものを使用してもよい。後記[実施例]の項においては、ロッド状及び球状のZnO微粒子について、合成例、市販品の例を挙げている。平板状のZnO微粒子の合成方法は、Chemistry of Materials, 18 (8), 2016-2020(2006).等に記載されている。
基板上に付与する複数の微粒子の密度は特に制限されない。基板上に付与する複数の微粒子の密度が小さすぎると、結晶成長の核及び/又は触媒等としての機能が充分に発現しない恐れがある。基板上に付与する複数の微粒子の密度は、高い方が好ましい。後記実施例1〜6に示すように、基板全体を覆うように複数の微粒子を付与することが好ましい。
式(a)中、Dは結晶子径、Kは形状因子、λはX線の波長、βは装置による回折ピークの広がりを補正した半価幅、θは回折角を各々示す。K=0.9として結晶子径を求める。回折角の補正は、下記式(b)で表されるワーレン法の式に基づいて実施する。式(b)中、Bは試料の回折ピークの半価幅、bは結晶子径が充分に大きくかつ格子歪のない標準試料の回折ピークの半価幅を各々示す。標準試料としてはSi単結晶を用いる。
D=Kλ/βcosθ・・・(a)、
β=(B2−b2)1/2・・・(b)
工程(B)において、CBD法により金属酸化物層を形成することが好ましい。
工程(B)で用いる反応液は、1種若しくは2種以上の金属イオンと、硝酸イオンと、硝酸イオンを亜硝酸イオンに還元する還元剤とを含むことが好ましい。
工程(B)は、金属イオンと還元剤から生成される錯体とが共存する反応過程を含むことが好ましい。
工程(B)で用いる反応液は、還元剤として1種又は2種以上のアミン系ボラン化合物を含むことが好ましい。アミン系ボラン化合物としては、ジメチルアミンボラン、及びトリメチルアミンボラン等が挙げられる。
工程(B)で用いる反応液は、還元剤としてジメチルアミンボランを含むことが好ましい。
Zn(NO3)2 → Zn2++2NO3 − (1)
(CH3)2NHBH3+H2O → BO2 −+(CH3)2NH+7H++6e− (2)
NO3 −+H2O+2e− → NO2 −+2OH− (3)
Zn2++2OH− → Zn(OH)2 (4)
Zn(OH)2 → ZnO+H2O (5)
本発明の積層膜の製造方法によれば、非特許文献3に記載のナノワイヤ膜よりも表面凹凸が少なく、下地を隙間なく被覆する金属酸化物層を形成することができる。
本発明の積層膜の製造方法において、反応液を選択することで、pH3.0〜8.0程度の穏やかなpH条件で、下地を隙間なく被覆する金属酸化物層を形成することができる。
上記の本発明の積層膜の製造方法により、以下の本発明の積層膜を提供することができる。
本発明の第1の積層膜は、上記の本発明の積層膜の製造方法により製造されたものであることを特徴とするものである。
本発明の第2の積層膜は、金属酸化物及び/又は金属水酸化物を主成分とする1種若しくは2種以上の複数の微粒子からなる微粒子層と、
1種若しくは2種以上の金属酸化物を主成分とし、前記微粒子層を隙間なく被覆する金属酸化物層との積層構造を有することを特徴とするものである。
本発明の積層膜において、微粒子層をなす複数の微粒子の平均結晶子径は特に制限されず、2〜50nmであることが好ましい。
本発明の積層膜において、金属酸化物層の平均結晶子径は特に制限されず、100nm以上であることが好ましい。
本発明の第1の光電変換素子の製造方法は、基板上に、下部電極(裏面電極)と光吸収により電流を発生する光電変換半導体層とバッファ層と透光性導電層(透明電極)と上部電極(グリッド電極)との積層構造を有する光電変換素子の製造方法において、
前記バッファ層及び/又は前記透光性導電層を、上記の本発明の積層膜の製造方法により製造することを特徴とするものである。
前記バッファ層、前記窓層、及び前記透光性導電層のうち少なくとも1つを、上記の本発明の積層膜の製造方法により製造することを特徴とするものである。
本発明の第1の光電変換素子は、基板上に下部電極(裏面電極)と光吸収により電流を発生する光電変換半導体層とバッファ層と透光性導電層(透明電極)と上部電極(グリッド電極)との積層構造を有する光電変換素子において、
前記バッファ層及び/又は前記透光性導電層が、上記の本発明の積層膜からなることを特徴とするものである。
前記バッファ層、前記窓層、及び前記透光性導電層のうち少なくとも1つが、上記の本発明の積層膜であることを特徴とするものである。
ガラス基板、
表面に絶縁膜が成膜されたステンレス等の金属基板、
Alを主成分とするAl基材の少なくとも一方の面側にAl2O3を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板、
Feを主成分とするFe材の少なくとも一方の面側にAlを主成分とするAl材が複合された複合基材の少なくとも一方の面側にAl2O3を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板、
Feを主成分とするFe材の少なくとも一方の面側にAlを主成分とするAl膜が成膜された基材の少なくとも一方の面側にAl2O3を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板、
及びポリイミド等の樹脂基板等が挙げられる。
Alを主成分とするAl基材の少なくとも一方の面側にAl2O3を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板、
Feを主成分とするFe材の少なくとも一方の面側にAlを主成分とするAl材が複合された複合基材の少なくとも一方の面側にAl2O3を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板、
及びFeを主成分とするFe材の少なくとも一方の面側にAlを主成分とするAl膜が成膜された基材の少なくとも一方の面側にAl2O3を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板からなる群より選ばれた陽極酸化基板が特に好ましい。
図面を参照して、本発明に係る一実施形態の光電変換素子の構造について説明する。図1は光電変換素子の概略断面図、図2は基板の構成を示す概略断面図、図3は基板の製造方法を示す斜視図である。視認しやすくするため、図中、各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。
本実施形態において、基板10はAlを主成分とするAl基材11の少なくとも一方の面側を陽極酸化して得られた基板である。基板10は、図2の左図に示すように、Al基材11の両面側に陽極酸化膜12が形成されたものでもよいし、図2の右図に示すように、Al基材11の片面側に陽極酸化膜12が形成されたものでもよい。陽極酸化膜12はAl2O3を主成分とする膜である。
下部電極(裏面電極)20の主成分としては特に制限されず、Mo,Cr,W,及びこれらの組合わせが好ましく、Mo等が特に好ましい。下部電極(裏面電極)20の膜厚は制限されず、200〜1000nm程度が好ましい。
光電変換層30の主成分としては特に制限されず、高光光電変換効率が得られることから、少なくとも1種のカルコパイライト構造の化合物半導体であることが好ましく、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であることがより好ましい。
Cu及びAgからなる群より選択された少なくとも1種のIb族元素と、
Al,Ga及びInからなる群より選択された少なくとも1種のIIIb族元素と、
S,Se,及びTeからなる群から選択された少なくとも1種のVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であることが好ましい。
CuAlS2,CuGaS2,CuInS2,
CuAlSe2,CuGaSe2,
AgAlS2,AgGaS2,AgInS2,
AgAlSe2,AgGaSe2,AgInSe2,
AgAlTe2,AgGaTe2,AgInTe2,
Cu(In,Al)Se2,Cu(In,Ga)(S,Se)2,
Cu1−zIn1−xGaxSe2−ySy(式中、0≦x≦1,0≦y≦2,0≦z≦1)(CI(G)S),
Ag(In,Ga)Se2,及びAg(In,Ga)(S,Se)2等が挙げられる。
バッファ層40は、(1)光生成キャリアの再結合の防止、(2)バンド不連続の整合、(3)格子整合、及び(4)光電変換層の表面凹凸のカバレッジ等を目的として、設けられる層である。
窓層50は、光を取り込む中間層である。
透光性導電層(透明電極)60は、光を取り込むと共に、下部電極20と対になって、光電変換層30で生成された電流が流れる電極として機能する層である。
窓層50を上記の本発明の積層膜の製造方法により製造する場合、窓層50の組成としてはi−ZnO等が好ましい。窓層50の膜厚は特に制限されず、10nm〜2μmが好ましく、15〜200nmがより好ましい。
透光性導電層60を上記の本発明の積層膜の製造方法により製造する場合、透光性導電層60の組成としてはZnO:Al等のn−ZnO等が好ましい。透光性導電層60の膜厚は特に制限されず、50nm〜2μmが好ましい。
上部電極(グリッド電極)70の主成分としては特に制限されず、Al等が挙げられる。上部電極70膜厚は特に制限されず、0.1〜3μmが好ましい。
光電変換素子1は、太陽電池等に好ましく使用することができる。光電変換素子1に対して必要に応じて、カバーガラス、保護フィルム等を取り付けて、太陽電池とすることができる。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、適宜設計変更可能である。
基板として、下記の基板1〜6を用意した。
基板1:ガラス基板「松浪硝子工業株式会社製、大型スライドグラス 白フチ磨 No.2 S9112)」。
基板2:Mo付き陽極酸化アルミニウム基板上にCIGS層を成膜した基板。
基板2の製造プロセスを以下に示す。
Al基材の両面を陽極酸化して得られた陽極酸化アルミニウム基板上に、スパッタ法によりMo下部電極を0.8μm厚で成膜した。この基板上にCIGS層の成膜法の一つとして知られている3段階法を用いて膜厚1.8μmのCu(In0.7Ga0.3)Se2層を成膜した。
基板3:Siウエハ上に熱酸化膜(100μm厚のSiO2層)が形成された基板上にZnO層(連続膜、100nm厚)をスパッタ成膜した基板。
基板4:Siウエハ上に熱酸化膜(100μm厚のSiO2層)が形成された基板。
基板5:ガラス基板上に酢酸亜鉛2水和物層を形成した基板。
下記2つの非特許文献には、酢酸亜鉛2水和物層を設けてからZnO層を成長することが提案されている。これら非特許文献に記載の方法に準拠して、基板5を調製した。
X.L.Hu et.al., Journal of Colloid and Interface Science, 325, 459-463 (2008).、
X.L.Hu et.al., Langmuir, 24, 7614-7617 (2008).
基板6:Mo付きソーダライムガラス(SLG)基板上にCIGS層を成膜した基板。
SLG基板上へのMo及びCIGS層の成膜は基板2と同様とした。
メタノール300mlを入れたガラス製三口フラスコに、酢酸亜鉛無水物5.85gを添加し、充分に攪拌を行った。撹拌を維持した状態で純水1.8mlを添加した後、60℃に加熱した。別途、KOH3.48gをメタノール150ml中で完全に溶解させ、これを上記三口フラスコ中へさらに添加した。60℃で2時間保持した後、90℃に昇温させて全量が約75mlになるまで濃縮し、さらに60℃で5時間保持した。以上の反応により、反応液中にZnOを主成分とする多数の微粒子を生成した。
得られた微粒子は、メタノール洗浄、エタノール洗浄、及び純水洗浄により充分洗浄した。得られた微粒子を水に分散させて、ZnO微粒子の水分散液Aを得た。固形分は6質量%とした。
ZnO微粒子の分散液Bとして、ビックケミー社製酸化亜鉛分散液(商品名「NANOBYK−3840」、溶媒:水)を用意した。分散液B中のZnO微粒子のTEM写真を図4Bに示す。用いた分散液の特性は以下の通りである。
ロッド状微粒子であり、球相当の平均粒子径=39nm、固形分44質量%。
ZnO微粒子の分散液Cとして、MgドープZnO微粒子の分散液を調製した。
メタノール300mlを入れたガラス製三口フラスコに、酢酸亜鉛無水物5.85g(31.8mmol)を添加し、充分に攪拌を行った。撹拌を維持した状態で、酢酸マグネシウム4水和物1.36g(31.8/5mmol)及び純水1.34mlを添加した後、60℃に加熱した。別途、KOH3.48gをメタノール150ml中で完全に溶解させ、これを上記三口フラスコ中へさらに添加した。60℃で2時間保持した後、90℃に昇温させて全量が約75mlになるまで濃縮し、さらに60℃で4時間保持した。以上の反応により、反応液中にMgドープZnOを主成分とする多数の微粒子を生成した。
得られた微粒子は、メタノール洗浄、エタノール洗浄、及び純水洗浄により充分洗浄した。得られた微粒子を水に分散させて、ZnO微粒子の水分散液Cを得た。固形分は6質量%とした。
ZnO微粒子の分散液Dとして、ビックケミー社製酸化亜鉛分散液(商品名「NANOBYK−3841」、溶媒:メトキシプロピルアセテート)を用意した。この分散液は、分散液Bと微粒子は同じで溶媒が異なるものである。
0.20MのZn(NO3)2水溶液と0.1MのDMAB水溶液とを同体積で混合し、15分以上攪拌を行って反応液Xを調製した。
水中にZnSO4・7H2Oを[Zn2+]=0.02Mとなるように添加した後、1時間撹拌して溶解した。この溶液中に錯化剤としてのNH4Clを[NH4 +]/[Zn2+]=30となるように添加した後、30分間撹拌して、[Zn2+]が0.02Mである母液を調製した。次に、得られた母液に水及びNaOH水溶液を[Zn2+]=0.01M、pH=12.0となるように添加して、反応液Yを調製した。
基板1(ガラス基板)上にZnO微粒子の分散液Aをスピンコート法(回転数:1000rpm、回転時間:30秒)により塗布し、その後室温乾燥して、ZnO微粒子層を形成した。
次に、上記ZnO微粒子層上に、CBD法によりZnO層を成長させた。具体的には、85℃に調温した反応液X50ml中にZnO微粒子層を形成した基板を24時間浸漬させた後、基板を取り出して、これを室温乾燥させて、ZnO層を形成した。反応液Xの反応開始前のpHは5.43、反応終了後のpHは6.21であった。
各層の形成後にXRD分析を実施して、平均結晶子径を求めたところ、ZnO微粒子層の平均結晶子径=20nm、CBD法により形成したZnO層の平均結晶子径=100nm以上であった。
ZnO微粒子の分散液Aの代わりにZnO微粒子の分散液Bを用いた以外は実施例1と同様にして、積層膜を形成した。実施例1と同様、反応液Xの反応開始前のpHは5.43、反応終了後のpHは6.21であった。
本実施例においても、実施例1と同様、反応液Xによる反応後もZnO微粒子層が残存しており、ZnO微粒子層とZnO層との積層膜を形成することができた。積層膜のSEM写真(断面写真及び斜視写真)を図6に示す。図中、NP層が微粒子層を示している。本実施例では、下地を隙間なく被覆するZnO層を形成することができた。
各層の形成後にXRD分析を実施して、平均結晶子径を求めたところ、ZnO微粒子層の平均結晶子径=39nm、CBD法により形成したZnO層の平均結晶子径=100nm以上であった。
基板2(Mo付き陽極酸化アルミニウム基板上にCIGS層を成膜した基板)を用い、反応液Xの反応時間を6時間とした以外は実施例2と同様にして、積層膜を形成した。実施例1と同様、反応液Xの反応開始前のpHは5.43、反応終了後のpHは6.21であった。
本実施例においても、実施例1と同様、反応液Xによる反応後もZnO微粒子層が残存しており、ZnO微粒子層とZnO層との積層膜を形成することができた。実施例1と同様、本実施例では、下地を隙間なく被覆するZnO層を形成することができた。
ZnO微粒子の分散液Aの代わりにZnO微粒子の分散液Cを用いた以外は実施例1と同様にして、積層膜を形成した。実施例1と同様、反応液Xの反応開始前のpHは5.43、反応終了後のpHは6.21であった。
本実施例においても、実施例1と同様、反応液Xによる反応後もZnO微粒子層が残存しており、ZnO微粒子層とZnO層との積層膜を形成することができた。積層膜のSEM写真(断面写真及び斜視写真)を図7に示す。実施例1と同様、本実施例では、下地を隙間なく被覆するZnO層を形成することができた。
各層の形成後にXRD分析を実施して、平均結晶子径を求めたところ、ZnO微粒子層の平均結晶子径=12nm、CBD法により形成したZnO層の平均結晶子径=100nm以上であった。
基板6(Mo付きソーダライムガラス(SLG)基板上にCIGS層を成膜した基板)を用い、ZnO微粒子の分散液Aの代わりにZnO微粒子の分散液Dを用いた以外は実施例1と同様にして、積層膜を形成した。反応液Xの反応開始前のpHは5.31、反応終了後のpHは6.11であった。
本実施例においても、実施例1と同様、反応液Xによる反応後もZnO微粒子層が残存しており、ZnO微粒子層とZnO層との積層膜を形成することができた。積層膜のSEM写真(断面写真及び斜視写真)を図8に示す。実施例1と同様、本実施例では、下地を隙間なく被覆するZnO層を形成することができた。
各層の形成後にXRD分析を実施して、平均結晶子径を求めたところ、ZnO微粒子層の平均結晶子径=39nm、CBD法により形成したZnO層の平均結晶子径=100nm以上であった。
CBD反応時間を6時間にした以外は実施例5と同様にして、積層膜を形成した。反応液Xの反応開始前のpHは5.31、反応終了後のpHは5.38であった。
本実施例においても、実施例5と同様、反応液Xによる反応後もZnO微粒子層が残存しており、ZnO微粒子層とZnO層との積層膜を形成することができた。積層膜のSEM写真(断面写真及び斜視写真)を図9に示す。実施例5と同様、本実施例では、下地を隙間なく被覆するZnO層を形成することができた。
各層の形成後にXRD分析を実施して、平均結晶子径を求めたところ、ZnO微粒子層の平均結晶子径=39nm、CBD法により形成したZnO層の平均結晶子径=100nm以上であった。
ZnO微粒子層を形成しなかった以外は実施例1と同様にして、ZnO層の成膜を試みた。反応液Xの反応開始前のpHは5.43、反応終了後のpHは6.23であった。反応終了後の基板のSEM写真を図10に示す。本比較例では、巨大なロッド状のZnO析出物が析出され、ZnO層を成膜することができなかった。
ZnO微粒子層を形成しなかった以外は実施例3と同様にして、ZnO層の成膜を試みた。反応液Xの反応開始前のpHは5.43、反応終了後のpHは6.23であった。反応終了後の基板のSEM写真を図11に示す。本比較例では、巨大なロッド状のZnO析出物が析出され、ZnO層を成膜することができなかった。
実施例2と同様にZnO微粒子層を形成した後、反応液Xの代わりに反応液Yを用い、反応液Yの反応温度を60℃、反応時間を24時間として反応を実施した以外は実施例2と同様にして、ZnO層の成膜を試みた。反応液Yの反応開始前のpHは12.0、反応終了後のpHは11.44であった。反応終了後の基板のSEM写真を図12に示す。本比較例では、多数のZnOナノワイヤが基板面に対して略垂直方向に立ち並んだZnOナノワイヤ膜が成膜され、下地を隙間なく被覆するZnO層を成膜することができなかった。
基板3(Siウエハ上に熱酸化膜(SiO2層)が形成された基板上にZnO層をスパッタ成膜した基板)を用い、ZnO微粒子層を形成しなかった以外は実施例1と同様にして、ZnO層の成膜を試みた。本比較例では、ZnO微粒子層ではなく緻密なZnOスパッタ層を下地として、CBD法によりZnOを成長させた。反応液Xの反応開始前のpHは5.43、反応終了後のpHは6.23であった。反応終了後の基板のSEM写真を図13に示す。本比較例では、巨大なロッド状のZnO析出物が析出され、ZnO層を成膜することができなかった。
基板4(Siウエハ上に熱酸化膜(SiO2層)が形成された基板)を用い、ZnO微粒子層を形成しなかった以外は実施例1と同様にして、ZnO層の成膜を試みた。本比較例では、微粒子層ではなく緻密なSiO2層を下地として、CBD法によりZnOを成長させた。反応液Xの反応開始前のpHは5.43、反応終了後のpHは6.23であった。反応終了後の基板のSEM写真を図14に示す。本比較例では、巨大なロッド状のZnO析出物が析出され、ZnO層を成膜することができなかった。
基板5(ガラス基板上に酢酸亜鉛2水和物層を形成した基板)を用い、ZnO微粒子層を形成しなかった以外は実施例1と同様にして、ZnO層の成膜を試みた。本比較例では、微粒子層ではなく緻密な酢酸亜鉛2水和物層を下地として、CBD法によりZnOを成長させた。反応液Xの反応開始前のpHは5.43、反応終了後のpHは6.23であった。反応終了後の基板のSEM写真を図15に示す。本比較例では、巨大なロッド状のZnO析出物が析出され、ZnO層を成膜することができなかった。
実施例2において、ガラス基板、ZnO微粒子層形成後(ZnO微粒子層/ガラス基板)、CBD法によるZnO層形成後(ZnO層/ZnO微粒子層/ガラス基板)について、波長と拡散反射率との関係を測定した。また、微粒子層を形成しなかった比較例1において、CBD法によるZnO結晶成長後(ZnO析出物/ガラス基板)について、波長と拡散反射率との関係を測定した。結果を図16Aに示す。
実施例2のZnO層形成後(ZnO層/ZnO微粒子層/ガラス基板):3.22eV、
実施例2のZnO微粒子層とZnO層とのバンドギャップ値の差:0.06eV、
比較例1のZnO結晶成長後(ZnO析出物/ガラス基板):3.14eV。
10 陽極酸化基板
11 Al基材
12 陽極酸化膜
20 下部電極(裏面電極)
30 光電変換半導体層
40 バッファ層(積層膜)
50 窓層(積層膜)
60 透光性導電層(透明電極)(積層膜)
70 上部電極(グリッド電極)
Claims (15)
- 金属酸化物及び/又は金属水酸化物を主成分とする1種若しくは2種以上の複数の微粒子からなる微粒子層を形成する工程(A)と、
前記微粒子層上に、1種若しくは2種以上の金属イオンを含む反応液を用い、前記複数の微粒子の少なくとも一部が該反応液により溶解せずに残存するpH条件の液相法により、前記金属イオンの酸化物を主成分とし、前記微粒子層を隙間なく被覆する金属酸化物層を形成する工程(B)とを有し、
前記工程(A)は、前記複数の微粒子を含む分散液を付与する方法、若しくはCBD(Chemical Bath Deposition)法によって前記複数の微粒子を析出する方法により実施するものであり、
前記工程(A)において、前記微粒子層として、前記複数の微粒子の平均粒子径(微粒子が非球状の場合は球相当の平均粒子径を意味するものとする。)が2〜50nmであり、且つ、平均結晶子径が2〜50nmである微粒子層を形成する製造方法により、
前記微粒子層と前記金属酸化物層との積層構造からなる積層膜を製造することを特徴とする積層膜の製造方法。 - 前記工程(B)において、CBD(Chemical Bath Deposition)法により前記金属酸化物層を形成することを特徴とする請求項1に記載の積層膜の製造方法。
- 前記工程(B)で用いる前記反応液は、前記金属イオンと、硝酸イオンと、硝酸イオンを亜硝酸イオンに還元する還元剤とを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の積層膜の製造方法。
- 前記工程(B)は、前記金属イオンと前記還元剤から生成される錯体とが共存する反応過程を含むことを特徴とする請求項3に記載の積層膜の製造方法。
- 前記工程(B)で用いる前記反応液は、前記還元剤として1種又は2種以上のアミン系ボラン化合物を含むことを特徴とする請求項3又は4に記載の積層膜の製造方法。
- 前記工程(B)で用いる前記反応液は、前記還元剤としてジメチルアミンボランを含むことを特徴とする請求項5に記載の積層膜の製造方法。
- 前記工程(B)においては、反応開始から反応終了までのpHを3.0〜8.0の範囲内として前記金属酸化物層を形成することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の積層膜の製造方法。
- 前記積層膜は半導体膜であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の積層膜の製造方法。
- 前記金属酸化物層のバンドギャップ値と前記微粒子層のバンドギャップ値との差が0〜0.15eVとなる組成で、前記微粒子層と前記金属酸化物層とを形成することを特徴とする請求項8に記載の積層膜の製造方法。
- 前記金属酸化物層の主成分がZnOであることを特徴とする請求項8又は9に記載の積層膜の製造方法。
- 前記微粒子層の主成分がZnOであることを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載の積層膜の製造方法。
- 前記工程(A)において、前記微粒子層として、ロッド状、平板状、及び球状の微粒子のうち少なくとも1種を含む微粒子層を形成することを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の積層膜の製造方法。
- 基板上に、下部電極と光吸収により電流を発生する光電変換半導体層とバッファ層と透光性導電層と上部電極との積層構造を有する光電変換素子の製造方法において、
前記バッファ層及び/又は前記透光性導電層を、請求項1〜12のいずれかに記載の積層膜の製造方法により製造することを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 基板上に下部電極と光吸収により電流を発生する光電変換半導体層とバッファ層と窓層と透光性導電層と上部電極との積層構造を有する光電変換素子の製造方法において、
前記バッファ層、前記窓層、及び前記透光性導電層のうち少なくとも1つを、請求項1〜13のいずれかに記載の積層膜の製造方法により製造することを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 請求項1〜14のいずれかに記載の積層膜の製造方法により製造されたものであることを特徴とする積層膜。
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