KR20100045675A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20100045675A
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thin film
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film transistor
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KR1020080104728A
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니르자 사란
이우재
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삼성전자주식회사
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Abstract

표시 장치는 복수의 화소가 형성된 표시 기판과, 상기 표시 기판 상에 형성된 제1 전극과, 상기 제1 전극에 이격하여 상기 제1 전극과 함께 전계를 형성하는 제2 전극 및 상기 제1 및 제2 전극을 사이에 두고 상기 표시 기판에 대향하여 구비되는 대향 기판을 포함하며, 상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 어느 하나는 투과율 73% 내지 100%, 면 저항이 0옴 내지 1000옴의 투명 전도성 나노 물질을 포함한다.
나노 물질, 나노와이어, 탄소나노튜브, 금속산화물 나노입자, 면저항, 투명도

Description

표시 장치{DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 전극이 투명 전도성 나노 물질로 형성된 표시 장치에 관한 것이다.
근래 정보화 사회의 발전에 따라 다양한 표시 장치에 대한 요구가 증대되면서 액정표시 장치(liquid crystal display, LCD), 플라즈마 표시 장치 패널(plasma display panel, PDP), 유기전계 발광소자(Organic Light Emitting Display, OLED) 등의 평판표시 장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이러한 평판표시 장치는 투명 기판 상에 형성된 전극을 이용하여 액정이나 플라즈마 또는 유기발광층 등을 제어함으로써 화상을 형성한다. 예를 들어, 액정표시 장치는 투명한 두 기판 사이에 액정층이 형성된 형태로, 상기 액정층을 화소전극과 공통전극 사이에 위치시켜 액정 분자를 회전 구동함으로써 화소별로 광투과율을 조절하여 원하는 화상을 표시한다.
상기 평판표시 장치에 사용되는 대표적인 전극물질로는 ITO(Indium Tin Oxide)와 IZO(Indium Zinc Oxide)가 있다. 그런데 상기 ITO나 IZO는 고온의 증착과정이 필요할 뿐만 아니라, 물성을 제어하기 어렵고 산소 원자를 함유하고 있어 기 판 상의 다른 구조물에 해를 줄 수 있다. 또한 패터닝 시 습식 식각(wet etching)에 민감하다.
이러한 이유로 ITO를 대체할 수 있도록 면저항이나 투명도를 만족시킬 수 있으며 쉽게 형성 가능한 전극물질의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 제조방법이 단순하면서도 면저항이나 투명도가 최적화된 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 전계의 균일성이 향상된 표시 장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
본 발명에 따른 표시 장치는 복수의 화소가 형성된 표시 기판과 상기 표시 기판에 대향하는 대향 기판을 포함한다. 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이의 상기 표시 기판 상에는 제1 전극이 형성되어 있으며, 상기 제1 전극과 함께 전계를 형성하는 제2 전극이 상기 제1 전극에 이격하여 형성되어 있다.
이때, 상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 어느 하나는 투과율 73% 내지 100%, 면 저항이 0옴 내지 1000옴의 투명 전도성 나노 물질을 포함한다.
상기 투명 전도성 나노 물질은 금속 나노와이어, 금속산화물 나노입자 또는 탄소 나노튜브 등의 물질로 이루어진다.
상기 투명 전도성 나노 물질이 금속 나노 와이어인 경우 밀도는 5㎛×5㎛당 4입자 내지 40 입자, 상기 각각의 나노 와이어 사이의 최대 간격은 0.2㎛ 내지 1㎛ 일 수 있다. 또한, 상기 투명 전도성 나노 물질이 상기 금속 산화물 나노 입자인 경우 밀도는 5㎛×5㎛당 400입자 내지 3000입자, 상기 각각의 금속 산화물 나노 입자 사이의 최대 간격은 1.6×10-3㎛ 내지 0.01㎛일 수 있다.
그리고, 상기 탄소 나노튜브의 밀도인 경우 5㎛×5㎛당 12입자 내지 150입자, 상기 각각의 탄소 나노튜브 사이의 최대 간격은 0.027㎛ 내지 0.33㎛일 수 있다.
이때, 상기 표시 기판과 대향 기판 사이의 셀 갭은 4 내지 6 ㎛이며, 상기 셀 갭에 따라 상기 투명 전도성 나노 물질의 밀도와 상기 각각의 나노 물질 사이의 최대 간격이 달라질 수 있다.
상기 투명 전도성 상기 나노 물질은 서로 연결된 나노 결합체일 수 있다. 상기 나노 결합체는 다양한 금속으로 이루어질 수 있으나 은(Ag) 나노 입자와 금(Au) 나노 입자, 특히 은과 금 나노 와이어가 연결된 것일 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 액정층이 형성된 액정표시 장치거나, 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 유기발광층이 형성된 유기전계발광소자 또는 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 전기영동입자가 형성된 전기영동표시 장치일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서는 투명 전도성 나노 물질을 이용하여 전극을 형성함으로써 전극이 형성방법이 용이하다. 또한, 본 발명에 따른 전극에 사용된 상기 투명 전도성 나노 물질은 면저항이나 투명도 등의 물성을 만족시키면서도 전계의 균일성을 향상시킨다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명한다. 본 명세서의 실시예들에 대해 참조된 도면은 도시된 형태로 한정하도록 의도된 것이 아니며, 그와는 달리, 청구항에 의해 정의된 본 발명의 원리 및 범위 내에 있는 모든 변형, 등가물, 및 대안들을 포함하도록 의도된 것이다. 도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 일부 구성요소의 스케일을 과장하거나 축소하여 나타내었다. 명세서 전체에 걸쳐 유사한 참조 부호는 유사한 구성 요소를 지칭한다.
어떤 막(층)이 다른 막(층)의 '상에' 형성되어(위치하고) 있다는 것은, 두 막(층)이 접해 있는 경우뿐만 아니라 두 막(층) 사이에 다른 막(층)이 존재하는 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 일부를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 또한, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 단면을 개략적으로 나타낸 도면으로서, 상기 도 1에 도시된 기판의 II-II' 선에 따른 단면을 나타낸 것이다.
이때, 실제의 표시 장치에는 복수의 게이트라인(111)과 복수의 데이터라인(112)이 교차하여 복수의 화소가 존재하지만 설명을 간단히 하기 위해 하나의 화소를 예를 들어 나타내고 있다.
도 1과 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(110)과, 상기 제1 기판(110)에 대향하는 제2 기판(130)을 포함한다. 그리고 두 기판 사이에는 화상을 형성할 수 있는 액정층(liquid crystal layer)이나 전기 영동층(electrophoretic layer)이 형성된다.
액정층을 이루는 액정은 광학적 이방성을 가진 물질로서, 인가되는 전압에 따라 배향성이 달라진다. 이에 따라 광투과율을 조절함으로써 이에 대응하는 화상이 표현된다. 전기 영동층을 이루는 전기 영동 입자는 유체 속에 분산된 표면에 전하를 갖는 입자로서, 전압을 인가되면 쿨롱 힘에 의해 액체 사이에서 일정한 방향으로 이동하게 되며, 이 때 얻어지는 변위를 통하여 화상을 표현된다.
본 실시예에서는 설명의 편의상 상기 두 기판(110, 130) 사이에 형성된 물질이 액정층(150)일 경우를 설명하기로 한다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 전기 영동 표시 장치에도 적용될 수 있음은 물론이다.
일반적으로, 상기 제1 기판(110)에 박막트랜지스터가 형성되는 경우 박막트랜지스터 기판으로 지칭되기도 하며 위치관계에 따라 상부 기판으로 지칭되기도 한다. 상기 제2 기판(130)은 컬러필터가 형성되는 경우 컬러필터 기판으로, 또는 상기 박막트랜지스터 기판에 대향하기 때문에 대향 기판으로 지칭되기도 하며, 위치관계에 따라 하부 기판으로 지칭되기도 한다.
상기 제1 기판(110)은 제1 절연 기판(101)을 포함하며, 유리, 석영, 플라스틱 등의 투명한 절연체로 이루어진다.
상기 제1 절연 기판(101) 상에는 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(111)과 데이터라인(112)이 형성되어 있다. 상기 게이트라인(111)과 데이터라인(112)의 교차 영역에는 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있으며 상기 화소영역 내에는 상기 박막트랜지스터(T)에 연결되어 제2 기판(130)의 공통전극(139)과 함께 전계를 형성함으로써 액정을 구동시키는 화소전극(127)이 형성되어 있다.
상기 박막트랜지스터(T)는 게이트라인(111)에 연결된 게이트전극(113), 데이터라인(112)에 연결된 소스전극(121) 및 상기 화소전극(127)에 연결된 드레인전극(123)으로 구성되어 있다. 또한, 상기 박막트랜지스터(T)는 게이트전극(113)과 소스/드레인전극(121, 123)의 절연을 위한 게이트절연막(115) 및 상기 게이트전극(113)에 공급되는 게이트 전압에 의해 상기 소스전극(121)과 드레인전극(123) 간에 전도채널을 형성하는 액티브층(117) 및 오믹콘택층(119)을 포함한다.
상기 박막트랜지스터(T) 상에는 보호층(125)이 형성되어 있으며 상기 보호층(125)에는 드레인전극(123)의 일부를 노출시키는 콘택홀(129)이 형성되어 화소전극이 상기 콘택홀(129)을 통해 드레인전극(123)과 연결된다.
상기 제2 기판(130)은 상기 제1 기판(110)에 대향하여 배치되며, 제2 절연기판(131)을 포함한다. 상기 제2 절연 기판(131) 또한 유리, 석영, 플라스틱 등의 투명한 절연체로 이루어진다.
상기 제2 절연 기판(131) 상에는 각 화소의 색을 나타내기 위한 컬러필터(137)가 형성되어 있다. 상기 컬러필터(137) 상에는 상기 화소전극(127)과 함께 전계를 형성하는 공통전극(139)이 형성되어 있다.
이러한 구조를 갖는 표시 장치(100)는 상기 공통전극(139)에 액정구동시 기 준이 되는 공통전압을 공급하고, 상기 박막트랜지스터(T)의 게이트라인(111)으로부터의 스캔신호에 응답하여 데이터라인(112)으로부터의 화소신호를 화소전극(127)에 공급함으로써 구동된다. 이 결과 공통전극(139)과 화소전극(127) 사이에는 전계가 형성되며, 상기 전계에 의해 액정층(150)의 액정분자가 회전하게 되어 투광량을 변화시킴으로써 화상을 나타낸다. 여기서, 상기한 화소전극(127)과 공통전극(139)은 예를 들어 제1 전극 및 제2 전극과 같이 다른 명칭으로도 불릴 수 있다.
상기한 표시 장치의 화소전극(127) 또는 공통전극(139)이나 유기전계발광소자의 애노드는 일반적으로 ITO(Indium Tin Oxide)가 쓰이는데, 이는 ITO가 투명도가 높기 때문이며 그 동안의 액정 표시 장치 제조 공정을 통해 얻은 제조 기술에 기인한다. 그러나, ITO는 증착 공정의 제어가 쉽지 않으며, 특히 플라스틱 기판에서는 더욱 낮은 온도에서 증착하여야만 하므로 더욱 제어하기 어렵다. 그리고, ITO 내에 포함된 산소 원자들이 전극에서 제거되는 경우, 기판 상의 활성 물질(active material)들에 해를 끼칠 수 있다. 또한 상기 ITO 등은 습식 식각 공정에 매우 민감하기 때문에 수율이 낮으며 처리량 또한 제한될 수밖에 없다.
현재는, 유리 기판 상에 ITO/IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 금속 산화물 전극이나 Cu, Cr, AlNd, Mo 등의 실리콘 반도체를 이용한 TFT 공정기술들이 개발되었으며, ITO/IZO와 같은 금속 산화물 전극의 경우에는 여전히 고온 증착 시스템이나 포토리소그래피 패터닝 기술을 사용하기 때문에 상기 공정이 진행되는 동안 추가 공정이 필요하였다.
그러나, 플라스틱 기판, 금속 호일, 종이 등과 같은 가요성 기판 상에 가요 성 표시 장치 기술을 수행할 때, 저온 코팅 공정으로 증착이 가능하고 투명하면서도 기계적으로 강한 전극 물질들을 사용해야 할 필요가 있다. 본 명세서는 전도성 고분자, 나노 입자 기반의 전도성 잉크, 탄소 나노튜브 기반의 잉크와 같은, 가능성있는 새로운 물질들에 대한 것이다. 표시 장치용 전극 물질은 그것이 구부려졌을 때나 접혔을 때 물리적으로 안정한 고강도여야 할 뿐만 아니라, 높은 투명도(80% 이상의 투명도)를 가져야 한다. 또한, 낮은 저항값(1000Ω/□ 이하의 면저항)을 가져야 하며, 상기 면저항은 플라스틱 기판에서의 고온, 과열이나 단선 상황에서 면저항의 변화가 작을 것이 요구된다.
또한, 상기 표시 장치용 전극 물질은 다양한 유기용매에 대한 강한 화학적 내성, 높은 내열 지속성, 높은 초과 습도 내성 등을 갖추어야 하며, 상기 표시 장치의 안정성을 전부 만족시켜야 한다.
상기 표시 장치용 전극 물질이 상기 종이나 플라스틱 상에 박막 트랜지스터에 용이하게 집적될 수 있도록 상기 표시 장치용 전극 물질은 잉크젯 인쇄, 그라비아 인쇄, 열적 인쇄, 로터리 방법 등과 같은 인쇄법으로 용이하게 패터닝할 수 있어야 한다.
Ca/Ag와 같이 낮은 온도에서 증착된 금속 박막은 낮은 저항을 보여주지만 인쇄하기가 어렵다. 이와 유사하게, 스핀 코팅되거나 잉크젯 인쇄된 Ag, Au와 같은 금속의 전도성 잉크는 Au, Ag 등의 벌크 금속에 비해 낮은 효율을 나타낸다. 이것은, 상기한 바와 같이 증착된 필름 들의 전도성이 벌크 금속의 전도성에 비해 종종 낮다는 것에 기인하는 바, 상기 금속 입자들이 비전도성 바인더에 임베드 되었기 때문이다. 상기 값은 입자의 형태뿐만아니라 크기 및 함량에 따라 값이 다르다.
하기한 표에서 3은 매우 좋음, 2는 좋음, 1은 나쁨에 해당한다.
[표 1]
탄소나노튜브 전극 스퍼터링한 ITO ITO 분산 나노 금속 분산 ICP 분산
투명도 3 3 2 2 3
전도도 2 3 1 3 2
가격 3 2 3 1 2
색상 3 2 1 3 2
프린트가능성 3 1 2 1 3
유연성 3 1 1 3 3
안정성 3 3 3 3 1
따라서, 가요성 표시 장치의 전극 물질로서 사용될 수 있도록 하는 주요 사항은 높은 화학적 안정성, 높은 물리적 강도, 플라스틱 기판에 대한 낮은 열 팽창 계수, 인쇄 가능성, 경쟁력 있는 투과성 및 전도성이다.
상기 언급한 도전성 전극 물질들의 물성을 제외하고, 전극 물질들의 박막 토폴로지는 표시 장치의 광학적 성능을 결정하기 때문에 매우 중요하다. 상기 박막은 반복되게 분포된 금속/금속산화물 마이크로/나노 그레인, 잘 산포된 금속 나노와이어/나노입자 매트릭스, 금속산화물, 전도성 폴리머, 탄소나노튜브 및 이와 유사한 물질들과 같은 다양한 모폴로지를 갖는다.
일반적으로, LCD의 성능 특성은 시야각, 밝기, 반응 시간, 크기, 콘트라스트 비, 해상도 등의 다양한 스펙에 따라 정해진다. 표준적인 LCD의 전체적인 이미지를 결정하는 중요한 변수 중의 하나는 이미지 불량(artifact)이다. 상기 명칭에서 알수 있는 것과 같이, 상기 이미지 구조는 제조 공정 중에 다양한 방법으로 발생된 광학적 흠결과 관련이 있다.
이미지 불량은 두가지 종류가 있는데 하나는 공간적인 것이고 하나는 시간적인 것이다. 어떤 것은 사용된 기술 자체에 내재되어 있는 것도 있지만, 어떤 것들은 수율에 관계되어 프로세스를 최적화함으로써 감소시키거나 제거할 수 있다. 공간적인 불량은 무라, 화소 불량 및 크로스토크 등이 있다. 시간적인 불량으로는 화상 지연, 플리커 및 움직임 블러(motion blur) 현상 등이 있다. 화소 불량은 주로 수율에 관련한 것이고 크로스 토크는 최적화 되지 않은 구동 장치, TFT의 누설 전류, 버스라인 상에서의 RC 전달 지연이나, 화소와 버스라인 사이의 용량성 커플링 때문에 일어난다.
본 발명은 휘도, 콘트라스트 비 및 컬러 성능에 있어서의 지역적인 편차인 무라(Mura)에 대한 것이다. 무라는 액정의 액정 배향막의 균일하지 않은 코팅이나 러빙에 의한 셀갭 편차와 같이 공정과 관련된 문제에 의해 일어나거나, 낮은 품질/오래된 액정, 투명 ITO 전극이나 패시배이션층과 같은 경계층의 물질적/광학적 특성에 의해 일어날 수 있다. 투명 도전체의 표면 모폴로지는 LCD의 광학 특성에 영향을 주는 매우 중요한 변수이다.
액정 분자는 보통 약 2nm의 길이를 가진 길쭉한 형태를 가진다. 이렇게 시가 형상을 가지기 때문에 최저 에너지 상태에서 대략 서로 평행하게 정렬되는 경향이 있으며, 이에 따라 보통은 거대액적(macrodroplet)과 같은 벌크 상태로 존재한다. 이러한 거대액적 유체의 액정이 5㎛ 셀갭 크기의 균일 미세구조를 포함하는 두 개의 투명한 도전성 필름 사이에 위치하게 될 때, 상기 액정들은 상/하의 전극 사이의 전계를 따라 수직하게 정렬되고 특정 방향으로 편광된다. 이것은 RF 스퍼터링 에 의해 증착된 ITO/IZO 전극에 의해 정렬된 것이다. 이는 표준 AMLCD에 사용된 ITO/IZO 박막에 대한 일반적인 경우에 해당한다.
표준 표시 장치와 최근의 가요성 표시 장치에 사용되는 ITO/IZO에 대한 가능한 대체물로서 새로운 물질들이 개발되었는데, 박막의 표면 모폴로지는 미세/나노 그레인, 튜브나 와이어를 함유하는 이러한 물질을 기반으로 한 것이다. 나노 입자/미세그레인 및/또는 튜브/와이어-간격 및 이에 따른 이들의 모폴로지는 스핀코팅, 웹 코팅, 그라비아 인쇄 및 이와 유사한 기술들을 사용하는 비-스퍼터/비-CVD/이베이퍼레이션 기술들에 의해 형성된 모든 종류의 박막에 대해 매우 중요한 요인이다.
일반적인 LCD 장치에 있어서, IZO/ITO의 연속적인 그래인 구조는 하부 전극과 상부 전극, 즉 제1 기판과 제2 기판 사이의 균일한 '수직' 전계를 얻는 데 도움이 될 뿐만 아니라 상기 두 기판의 두 전극 내 영역을 통한 "수평" 전계를 인가하는 데에 도움이 된다. 이러한 ITO/IZO 박막의 형상은 상기 장치 전체에 걸쳐 액정 분자들의 균일한 평탄화를 만든다. 따라서, 나노입자 및/또는 나노튜브/나노와이어로 만들어진 박막의 경우에 입자의 밀도와 입자 사이 간격의 균일도 둘다가 균일한 '수직' 및 '수평'전계를 얻는데 매우 중요한 요인에 해당한다. 도 3a와 도 3b는 LCD 장치에 있어서의 이러한 제1 전극과 제2 전극의 수직 전계와 수평 전계를 각각 나타낸 개념도이다.
나노입자 박막의 경우, 밀도가 소정 수준 이하의 값을 가질 때, 이러한 값들이 LCD의 공통전극에 필요한 기초적인 전기적 광학적 요건들을 만족시킨다고 하 더라도, 나노 입자의 비균일성 때문에, 박막의 나노 입자 사이의 간격과 밀도가 액정 분자들에 인가되는 '수직' 및 '수평' 전계가 비균일하게 인가되게 할 수 있으며 이에 따라 미세 무라를 일으키고 이에 따른 LCD의 총 콘트라스트 비에 영향을 미친다.
이와 유사하게, '낮은 밀도'의 박막에 있어서는, 나노 입자 간격/갭은 종종 전기영동 마이크로캡슐(20-40㎛)보다 크기 때문에, 전계가 비균일하게 인가된 경우에 전기 영동 마이크로캡슐 자체도 부분적으로 하전되게 된다. 이에 따라 결과적으로 명암을 나타내는 마이크로캡슐 내의 전기 영동 입자의 이동이 불균해지며, '흑'과 '백' 상태 둘 다의 전체적인 반사율 콘트라스트비를 감소의 요인이 된다. 이 경우, 더 큰 반사율을 얻기 위해서 더 높은 전압이 요구되며, 이에 따라 더 많은 전력이 소비된다. 이러한 관찰결과는 연구하는 동안 얻어진 다양한 실험결과에 의해 지지되고 있다.
이와 반대로 나노 입자 박막이 소정 정도 이상의 높은 밀도를 갖는 경우에는 투과율이 낮아지며 이에 따라 전체적인 콘트라스트비 또한 감소됨으로써 화질이 떨어지게 된다.
따라서, 나노와이어나 탄소 나노 튜브 등의 나노 입자들의 밀도 범위를 정하는 것은 투과율이나 면저항을 희생하지 않고 박막의 광학 특성 및 전기적 특성 사이의 균형이 맞는 투명 도전성 필름을 구동하는 데 중요하다. 각 물질들의 특성을 고려하면, 면저항(Rs)은 1000Ω/□ 이하이어야 하고 투과율(T)은 약 70% 이상이어야 하는데, 이는 나노 입자들이 낮은 밀도일 때 투명 전도성 필름을 구동하기 위 한 추가 인가 전압을 필요로 하지 않거나, 또는 나노 입자들이 높은 밀도일 때 심각한 휘도의 감소가 일어나지 않게 하기 위함이다.
상기한 바와 같은 투명 도전성 필름을 형성할 수 있는 나노 입자는 나노와이어, 금속 산화물 나노입자, 탄소나노튜브 등이 있다.
금속 나노와이어는 평균 직경이 20nm 정도이고 뭉치는 효과가 없기 때문에 별개로 존재한다. 탄소 나노 튜브는 탄소를 기초로한 나노입자로서, 대부분 내부가 비어있는 구, 타원체, 튜브로 구성된다. 구나 타원체 형의 탄소 베이스 나노 입자는 풀러렌이라고 하고, 실린더 형은 탄소 나노 튜브라고 한다.
탄소 나노튜브는 전기적/광학적 특성이 조절된 단일벽, 이중벽, 다중벽 탄소나노튜브로 나누어진다. 일반적으로 계면활성제나 용매를 기초로한 기술로 제조된 용액 처리된 잉크 나노튜브는 넓은 영역을 코팅하고 인쇄할 수 있는 스프레이, 롤, 슬릿, 스핀 코터, 잉크젯 등과 같이 진공이 아닌 기구를 이용하여 코팅될 수 있다.
탄소 나노튜브는 일반적으로, 단일 번들의 도전성을 감소시키는 금속형 및 반도체형의 두가지 모두의 형태를 가진 단일 튜브의 번들 형태로 존재한다. 일반적으로, 금속형 및 반도체형 튜브는 1:3의 비율로 존재한다. 보통, 이러한 번들은 5nm~100nm 사이 범위의 직경을 갖는다. 상기 직경의 균일성은 코팅 방법에 따라 매우 달라진다. 이에 따라, 투명 도전성 박막과 유사한 도전성을 가지도록 나노튜브의 밀도는 금속 나노와이어 밀도의 약 3~5배에 해당하여야 한다.
금속 산화물 나노입자는 금 나노, 은 나노(판상의 나노로드, 나노 볼)과 TiO2, RuO2, SrRuO2 금속 산화물을 포함하는 나노 입자를 말하며, ITO와 인듐이 도핑된 ZnO를 기초로한 투명 전도성 산화물로서의 졸-겔 박막 등으로 이용할 수 있다. 상기 졸-겔 박막은 전도성 고광학적 전극 분야에서 저비용 기술에 대한 차기 후보이다. 투명 전도성 박막용 ITO 금속 산화물 나노 입자의 밀도는 나노와이어의 약 10배인 50~80입자/㎛2이다.
상기 투명 도전성 필름을 형성할 수 있는 나노 입자로는 1S/cm 보다 높은 전도성과 같은 금속성 가지도록 비-진공 공정을 이용하여 제조한 투명 도전성 박막을 기초로 한 다양한 물질들이 있으며, 도전성 전극으로 이용할 수 있도록 연구가 진행되어 왔다. 다양한 투명 도전성 필름들 사이에 있어서의 매우 다양한 도전성 때문에, 밀도 분포가 LCD와 다른 종류의 평판 표시 장치에서의 공통전극으로 사용하기 위한 면저항과 투명도에 다다를 수 있도록 조절되어야만 하며, 이에 따라 적정 밀도 범위를 가져야 한다.
이하, 투명 도전성 전극을 위한 나노입자의 적정 밀도 범위에 관한 실시예를 설명하기로 한다.
실시예 1
표 1은 셀 갭을 5㎛로 했을 때 금속 나노와이어 밀도에 따른 투과도를 나타낸 표이다.
하기한 표 1에서 밀도값은 5㎛×5㎛의 면적에 존재하는 평균 금속 나노와이어의 갯수를 나타낸 것이며, 괄호안의 숫자는 단위 면적(㎛2)당 나노와이어의 대략 적인 갯수를 나타낸 것이다.
밀도 면저항(Ω/□) 투과율(T%)
0(1 이하) - 92
5~10(1~2) 150~500 85~92
10~25(2~5) 75~150 80~85
25~40(5~8) 25~75 80~75
50 (10 이상) 10~30 75 이하
상기 표 1를 참조하면 금속 나노와이어의 밀도가 높아지면 면저항은 작아지나 투과율이 감소하고, 이와 반대로 금속 나노와이어의 밀도가 낮아지면 투과율은 증가하는 대신 면저항이 작아지는 것을 확인할 수 있다.
여기서, 상기 표에서 밀도가 0인 경우는 단위 면적 ㎛2당 금속 나노와이어의 입자수가 1개 이하인 경우나 금속 나노와이어가 형성되지 않은 경우에 해당한다. 이때, 면저항을 별도로 나타내지는 않았으나, 밀도가 0일 때의 면저항은 메가옴(mega-ohm) 단위에 해당하기 때문에 투명 전극으로 사용할 수 없었다.
또한, 밀도가 25㎛2당 40개 이상, 상기 표의 실시예에서는 50개에 해당하는 경우에는 투과율이 75% 이하의 값을 가지게 되기 때문에 표시 장치로서 휘도가 지나치게 낮아지게 된다. 이에 따라 표시 장치로서 사용하기 어렵다.
도 4는 셀 갭을 5㎛로 했을 때 인가된 회색 계조 전압에 따른 금속 나노와이어 투과도를 나타낸 그래프이다.
도면을 참조하면, 금속 나노와이어의 밀도가 높아질수록 낮은 계조 전압으로도 투과율을 낮출 수 있음을 알 수 있다. 그러나 전압이 인가되지 않은 0V에서는 투과율이 일정 수준 이상으로 유지되어야 회색 계조를 유지할 수 있다.
따라서, 단위 면적(㎛2)당 너무 낮은 밀도, 예를 들어 0~1개의 금속 나노와이어가 구비된 전극의 경우에는 전압을 인가하여도 쉽게 투과율이 감소하지 않는다. 따라서 블랙을 표현하기가 상대적으로 어렵기 때문에 표시 장치에 적합하지 않음을 알 수 있다.
이와 반대로, 단위 면적당 너무 높은 밀도, 예를 들어 10개 이상의 금속 나노와이어가 구비된 전극의 경우에는 작은 계조전압에도 블랙을 표현할 수는 있으나, 전압이 인가되지 않은 0V에서 충분한 투과율이 나오지 않아 이 역시 표시 장치에 적합하지 않다.
실시예 2
표 2는 셀 갭을 5㎛로 했을 때 금속산화물 나노입자의 밀도에 따른 투과도를 나타낸 표이다. 하기한 표 2에서 밀도값은 5㎛×5㎛의 면적에 존재하는 평균 금속산화물 나노입자 갯수를 나타낸 것이며, 괄호안의 숫자는 단위 면적(㎛2)당 금속산화물 나노입자의 대략적인 갯수를 나타낸 것이다.
밀도 면저항(Ω/□) 투과율(T%)
500~1300(100~260) 600~1000 89~84
1300~2250(260~450) 600~400 84~79
2250~3000(450~600) 400~250 79~75
상기 표 2에 나타난 바와 같이 금속산화물 나노입자의 밀도가 높아지면 면저항은 작아지나 투과율이 감소하고, 이와 반대로 탄소나노튜브의 밀도가 낮아지면 투과율은 증가하는 대신 면저항이 작아지는 것을 확인할 수 있다.
또한, 금속산화물 나노입자의 밀도가 단위 면적 ㎛2당 500개 이하인 경우 약 89% 이상의 투과율을 가지기 때문에 투과율은 높다. 이때 면저항이 1000 이상의 킬로옴(kilo-ohm) 단위의 값에 해당하는 매우 큰 값을 가지기 때문에 투명전극으로 사용하기 매우 어렵다. 이와 반대로, 상기 금속산화물 나노입자의 밀도가 단위 면적 ㎛2당 3000개 이상인 경우, 면저항은 충분히 작은 값을 가지나 투과율이 약 75% 이하의 값을 가지므로 표시 장치의 투명전극으로 사용할 수 없다.
도 5는 셀 갭을 5㎛로 했을 때 인가된 회색 계조 전압에 따른 금속산화물 나노입자의 투과도를 나타낸 그래프이다.
금속산화물 나노입자의 경우에도, 금속 나노와이어나 탄소나노튜브의 경우와 매우 비슷하게 낮은 계조 전압으로도 투과율을 낮출 수 있어야 하며, 전압이 인가되지 않은 0V에서는 투과율이 일정 수준 이상으로 유지되어야 회색 계조를 유지할 수 있다.
도면을 참조하면, 단위 면적(㎛2)당 너무 낮은 밀도, 예를 들어 100개 이하의 탄소나노튜브가 구비된 전극의 경우에는 전압을 인가하여도 쉽게 투과율이 감소하지 않는다. 따라서 블랙을 표현하기가 상대적으로 어렵기 때문에 표시 장치에 적합하지 않음을 알 수 있다.
이와 반대로, 단위 면적당 너무 높은 밀도, 예를 들어 600개 이상의 금속 나노와이어가 구비된 전극의 경우에는 작은 계조 전압에도 블랙을 표현할 수는 있으나, 전압이 인가되지 않은 0V에서 충분한 투과율이 나오지 않아 이 역시 표시 장치에 적합하지 않다.
실시예 3
표 3는 셀 갭을 5㎛로 했을 때 탄소나노튜브의 밀도에 따른 투과도를 나타낸 표이다. 하기한 표 3에서 밀도값은 5㎛×5㎛의 면적에 존재하는 평균 탄소나노튜브 갯수를 나타낸 것이며, 괄호안의 숫자는 단위 면적(㎛2)당 탄소나노튜브의 대략적인 갯수를 나타낸 것이다.
밀도 면저항(Ω/□) 투과율(T%)
20~60(4~12) 400~800 88~83
60~100(12~20) 250~400 83~78
100~150(20~30) 150~250 78~73
상기 표 3를 참조하면 탄소나노튜브의 밀도가 높아지면 면저항은 작아지나 투과율이 감소하고, 이와 반대로 탄소나노튜브의 밀도가 낮아지면 투과율은 증가하는 대신 면저항이 작아지는 것을 확인할 수 있다.
상기 탄소나노튜브의 밀도는, 금속 나노와이어에서의 경우와 매우 유사하게, 단위 면적 ㎛2당 4개 이하인 경우 투과율은 88% 이상으로 매우 높으나 면저항이 킬로옴 단위의 매우 큰 값을 가지기 때문에 투명전극으로 사용하기 매우 어렵다. 이와 반대로, 상기 탄소나노튜브의 밀도가 단위 면적 ㎛2당 30개 이상인 경우, 면저항은 작은 값을 가지나 투과율이 약 73% 이하의 값을 가지므로 표시 장치의 투명전극으로 사용하기 어렵다.
도 6은 셀 갭을 5㎛로 했을 때 인가된 회색 계조 전압에 따른 탄소나노튜브의 투과도를 나타낸 그래프이다.
도면을 참조하면, 금속 나노와이어의 경우와 매우 비슷하게 탄소나노튜브 또한 밀도가 높아질수록 낮은 계조 전압으로도 투과율을 낮출 수 있음을 알 수 있다. 그러나 전압이 인가되지 않은 0V에서는 투과율이 일정 수준 이상으로 유지되어야 회색 계조를 유지할 수 있다.
따라서, 단위 면적(㎛2)당 너무 낮은 밀도, 예를 들어 4개 이하의 탄소나노튜브가 구비된 전극의 경우에는 전압을 인가하여도 쉽게 투과율이 감소하지 않는다. 따라서 블랙을 표현하기가 상대적으로 어렵기 때문에 표시 장치에 적합하지 않음을 알 수 있다.
이와 반대로, 단위 면적당 너무 높은 밀도, 예를 들어 30개 이상의 금속 나노와이어가 구비된 전극의 경우에는 작은 계조 전압에도 블랙을 표현할 수는 있으나, 전압이 인가되지 않은 0V에서 충분한 투과율이 나오지 않아 이 역시 표시 장치에 적합하지 않다.
상기한 바와 같이 투명 도전성 박막에 적용 가능한 나노 입자들의 밀도는 일정 범위의 값을 가진다. 표 4는 본 발명의 실시예에 따른 나노 입자들의 밀도 범위를 나타낸 것이다.
물질의 종류 도전성 (S/cm) LC 셀 갭이 5㎛일 때의 밀도(/5㎛×5㎛) (D : 직경, L : 길이)
금속성 나노와이어 1000 ~ 2000 5 ~ 40 개 (D: 20nm, L: 1㎛)
금속 산화물 나노입자 < 100 500 ~ 3000 개 (D: 20nm)
탄소 나노튜브 400 ~ 1500 20 ~ 150 개 (D: 20nm, L: 1㎛)
상기 표에서 알 수 있는 바와 같이, 도전성(도전률)은 특정 셀 갭에서의 액정 분자에 충분한 양의 전기 신호를 인가하기 위하여 필요한 범위의 투명 도전성 필름의 면저항에 대해각 투명 도전성 박막 물질의 밀도 분포를 결정한다. 셀 갭이 증가함에 따라 액정에 인가되는 전기 신화의 레벨을 동일하게 유지하기 위해, 더 많은 수의 투명 도전성 박막을 형성하는 데 사용된 와이어나 입자들에 신호를 인가하도록 투명 도전성 박막은 충분한 전도성을 가져야 한다. 요약하면, 투명 도전성 박막을 포함하는 나노구조물의 밀도는 10 이하에서 수천까지의 값까지 변할 수 있다. 이러한 밀도 범위는 다양한 평판 표시 장치, 태양 전지, 인쇄 RFID 및 기타 영역들에 사용되는 기기들에 사용되는 전극으로서 사용될 수 있는 투명 도전성 박막을 얻는데 효과적일 수 있다.
표 5는 상기 실시예 1 내지 실시예 3과 동일한 방법을 이용하여 셀 갭이 4㎛와 6㎛일 때의 적절한 밀도 범위를 나타낸 것이다. (단위는 입자/5㎛×5㎛)
셀갭/TCF 물질 밀도 4㎛ 5㎛ 6㎛
금속 나노와이어 4-20 5-40 6-40
금속 산화물 나노입자 400-2400 500-3000 600-3000
탄소 나노튜브 12-147 20-150 20-157
상기한 밀도를 가지는 투명 도전성 나노 물질은 각 나노 물질 사이의 간격 또한 무라의 존재에 영향을 미친다. 상기 밀도를 만족시키더라도 간격이 너무 좁거나 넓으면 결함이 생긴다.
나노와이어를 예를 들면, 나노와이어의 간격이 액정의 셀갭(예를 들어 5㎛)보다 작거나, 약 0.3~1㎛ 정도의 액정 분자들의 도메인에 매우 가까워지면, 무라가 현저하게 감소되며, 아예 제거되기도 한다. 이 경우, 투명 도전성 박막의 광투과율은 550nm 파장에서 80~85%에 해당한다.
상기 간격이 0.2nm 보다 더 작아지면, 무라는 없어지지만 광투과율은 50% 이하로 되며, 전체 LCD의 휘도는 작동 범위보다 훨씬 감소한다.
상기 간격이 5㎛의 셀갭보다 크게 되면, 광투과율이 85% 이상이지만 무라가 많아진다. 상기 간격이 만약 30㎛라면 광투과율은 90%이나 무라가 매우 심하기 때문에 표시 장치로서 부적절하다.
이러한 방식으로 각 투명 도전성 나노 물질들의 간격 범위를 수치로 나타내면 다음의 표 6과 같다. 상기한 밀도를 가지도록 형성할 때의 각 물질의 최적 간격 범위 단위는 ㎛이다.
셀갭/TCF 물질 간격 4㎛ 5㎛ 6㎛
금속 나노와이어 1~0.2 1~0.2 1~0.2
금속 산화물 나노입자 0.01~1.6×10-3 0.01~2×10-3 0.01~2.3×10-3
탄소 나노튜브 0.33-0.027 0.33~0.033 0.33~0.038
따라서, LCD와 전기영동 장치에 있어서의 상기한 바와 같은 불량을 분석한 후, 증가된 나노와이어 밀도 및/또는 비어있는 간격/갭의 TCO와 같은 전도성 물질로의 충진, 도전성 폴리머, 유기/금속 나노입자 및 이와 유사한 것들과 같은 구조 모폴로지에 관해 상기 박막의 품질을 향상시키기 위한 몇몇 방법을 시도하였다. 이러한 방법 중 일부는 실행되었으며, 박막의 개선되고 이에 따른 장치의 성능이 향상되었다.
실제로, 셀 갭을 5㎛로 하고, 20Ω/□의 면저항 및 80%의 투과율을 가지며, 5-25개/㎛2의 나노와이어 밀도, 1-5㎛의 나노와이어 간격을 가지는 고밀도 나노와이어를 제조하였다. 이때, 상기 나노와이어는 고농도 잉크를 이용한 스핀코팅으로 제조한 박막을 기초로 하였다. 상기 박막은 LCD의 마이크로 무라가 현저하게 줄어들었다.
또한, 나노와이어가 30개/㎛2보다 크면 전도성은 높게 유지됨에도 불구하고 박막의 광학적 투과성이 73% 미만으로 급격하게 감소함을 유의해야 한다. 이러한 박막은 보통 표시 장치 장치에 요구되는 상기 언급된 스펙보다 낮으며, 이에 따라 표시 장치 장치의 전체적인 이미지 품질이 감소한다는 것을 알 수 있었다.
본 발명의 일실시예에 따른 투명 전도성 나노 물질은 그 자체로서도 쓰일 수 있으나, 필요에 따라 입자 사이에 서로 연결된 나노 결합체가 사용될 수 있다.
투명 전도성 나노 물질 중 탄소 나노튜브나 금속 나노와이어나노 등은 대체적으로 10 이상의 가로세로비(aspect ratio)를 가진다. 이에 따라 전극으로 형성되었을 때 각각의 나노 입자의 네트웍 구조에 따라 전도성을 나타낸다.
한 예로 은 나노와이어 박막을 SEM으로 관찰하면 나노와이어 간에 갭(gap)이 형성되며 거시적으로는 균일한 박막이지만 미시적으로 마이크로 수준에서는 갭 간의 비균일성이 관찰할 수 있다. 이러한 비균일성은 액정 셀을 구성했을 때 현미경을 통해 쉽게 관찰될 수 있다.
일 실시예로서, 비교적 높은 밀도의 은 나노와이어를 이용하여 투명 전도막을 형성한 후, 도전막의 고착성을 높이기 위해 광경화 또는 열경화성 수지를 이용하여 표면을 도포한 후 폴리이미드 배향막을 도포하여 형성하였다. 그 다음 상기 배향막을 러빙하여 상하판을 광경화하고, 실런트를 이용하여 조립하는 방식으로 액정 셀을 형성한 후 편광판을 부착하였다. 상기 액정 셀을 구동하고 현미경으로 관찰한 결과 액정 배향의 비균일성에 의해 기인한 화상의 비균일성이 관찰되었다. 이는 낮은 면저항 (<50 Ω/cm2)을 갖는 비교적 높은 밀도의 나노와이어 로 형성된 네트웍 구조에서도 마이크로 규모의 비균일성이 존재하며 액정 셀의 시인성에 영향을 미치는 텍스쳐(texture)를 형성함을 의미한다. 따라서 액정 셀에서 나노재료를 투명 도전막으로 응용하기 위해서는, 특히 고정세의 액정에 응용하기 위해서는 이들 재료의 마이크로 규모의 불균일성을 감소시킬 필요가 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 투명 전도성 나노 물질을 기초로 한 나노결합체를 전극물질로 사용한다. 도 7a는 대표적인 나노 물질인 금-은 나노 입자를 나타낸 사진이며, 도 7b는 상기 금-은 나노입자가 결합되어 형성된 결합체를 나타낸 사진이다.
도시한 바와 같은 나노결합체 구조는 가로세로비가 매우 높아 여타의 나노와이어와 같은 유연성(flexibility)를 가지면서 나노 입자가 무질서한 각도로 연결되어 있으므로 결합체간의 공간이 단일 나노와이어에 비해 작게 된다. 즉, 각 나노 입자를 기초로한 나노결합체 각각의 사이의 거리가 작아진다. 이러한 구조는 나노와이어의 경우 탁도(hazeness)가 최소 1% 이상인 반면, 나노결합체 구조를 갖는 경우 부광의 반사가 적어 탁도가 약 0.1%를 나타내며 투과율은 90% 이상의 값을 얻을 수 있다.
상기한 바와 같은 나노 입자들은 다양한 방법으로 형성할 수 있으며 특별히 제조방법이 한정되는 것이 아니다.
상기 금속 나노와이어는 나노와이어/나노구조물의 균일한 성장을 위해 결정핵 생성 방법을 이용하여 생물학적 템플릿을 기초로 한 기술이 첫번째로 이용되며, 상기 결정핵 생성 공정에서의 도전성 전구체나 시드가 상기 생물학적 템플릿(예를 들어, 단백질, 펩타이드, 파지, 박테리아, 바이러스 등을 포함한다.)을 결합하는 도전성 입자로 변환되는 동안에 수행되며, 상기 도전성 입자들은 연속상의 도전성 층으로 더 성장할 수 있다. 여기서, 상기 시드는 Ni, Cu, Pd, Co, Pt, Ru, Ag, Co 합금이나 Ni 합금일 수 있다. 금속, 금속 합금 및 금속 산화물은 Cu, Au, Ag, Ni, Pd, Co, Pt, Ru, W, Cr, Mo, Ag, Co 합금(예를 들어, CoPt), Ni 합금, Fe 합금(예를 들어 FePt)나 TiO2, Co3O4, Cu2O, HfO2, ZnO, 바나듐 산화물, 인듐 산화물, 알루미늄 산화물, 인듐 주석 산화물, 니켈 산화물, 구리 산화물, 주석 산화물, 탄탈륨 산화물, 니오븀 산화물, 바나듐 산화물이나 알루미늄 산화물 등이 사용될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 공정은 "미네랄화(mineralization)"이나 "플레이팅(plating)"이라고 지칭된다. 예를 들어, 금속 전구체(예컨대, 금속염)은 환원제의 존재하에서 원소 금속으로 변환될 수 있다. 이 결과 원소 금속은 생물학적 템플릿에 결합하게 되고 연속적인 금속 층으로 성장한다.
이러한 기술로 제조된 은 나노와이어는 약 20nm의 단일 직경과 수 마이크론 정도의 길이를 가졌으며, 투명 도전성 박막의 연구에 사용되었으며 LCD 및 전기영동 장치의 분석에 사용되었다.
다른 금속 와이어를 제조하기 위해서는 균일한 직경을 가진 은 나노와이어의 대량 합성을 위해 폴리올(polyol) 공정을 기초로 한 방법을 사용할 수 있다. 본 제조 방법은 PVP(polyvinyl pyrrolidone)의 존재하에서 에틸렌 글리콜로 질화은을 환원시키는 것이다. 균일한 은 나노와이어를 형성할 때 중요점은 PVP가 고분자 캡핑(capping) 시약으로서 그리고 시드 단계를 도입 역할으로서 사용된다고 알려져 있는 것이다. 질화은이 시드(수 나노미터의 Pt나 Ag 입자)들의 존재하에서 환원될 때, 두 가지 형태의 크기 분포를 갖는 은 나노입자가 불균질 및 균질 핵생성 과정을 통해 반응 혼합물에서 각각 생성된다. 상기 방법으로 보통 30~60nm 직경과 1~50㎛ 길이를 갖는 은 나노와이어를 얻는다.
상기 두 번째 방법은 10~25nm의 직경과 보통 수십 마이크론의 범위를 갖는 은 나노와이어를 대량으로 제조할 수 있는 용액상 제조방법이다. 제미니 계면활성제(1,3-bis(cetyldimethylammonium) propane dibromide (16-3-16)) 하에서, 은의 성장은 가로세로비(aspect ratio)가 약 2000 이상인 균일한 나노와이어를 형성하는 이방적인 방법과 직접 관련된다.
그리고, 적절한 크기를 가지는 나노 튜브를 제조하기 위해서 아크 방전, 레이저 제거술(laser ablation), 고압 일산화탄소법(HiPCO, high pressure carbon monoxide), 화학기상증착(CVD, chemical vapour deposition)과 같은 몇몇 방법들이 개발되었다. 대부분의 이러한 공정들은 진공이나 공정 가스 하에서 수행된다. 나노튜브를 대량으로 합성하기 위해서는 하기한 방법을 이용할 수 있다. 촉매화 반응과 연속 성장 공정을 통해 탄소 나노튜브가 더 경제적으로 제조될 수 있다. 현재는 이러한 몇몇 제조 공정에서 사용된 몇가지 촉매들이 나노튜브를 저비용으로 생산하게 한다. 레이저 제거술과 CVD 기술은 직경 면에서 수율이 높고 제어하기가 쉽다.
본 발명에 따른 표시 장치 제조방법을 도 8a 내지 도 8e를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 8a에 도시된 바와 같이, 유리나 플라스틱으로 이루어진 투명한 절연 기판을 준비하고, 상기 기판(101) 상에 게이트전극(113)과 게이트라인(111)을 형성한다. 이때, 상기 게이트전극(113)과 게이트라인(111)은 제1 도전막을 기판(101) 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정을 통해 패터닝하여 형성할 수 있다.
다음으로, 도 8b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(121)과 게이트라인(116)이 형성된 기판(110) 전면에 차례대로 게이트절연막(115), 비정질실리콘층, n+ 비정질실리콘층을 차례로 증착하고 포토리소그래피공정을 통해 상기 비정질실리콘층과 n+ 비정질실리콘층을 선택적으로 패터닝하여 액티브층(117) 및 소스전극(122)과 드레인전극(123)을 오믹-콘택시키는 오믹-콘택층(119)을 형성한다.
그 다음, 도 8c에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층(117) 및 오믹-콘택층(119)이 형성된 기판 전면에 제2 도전막을 증착한 후, 포토리소그래피공정을 이용하여 상기 제2 도전막을 선택적으로 패터닝함으로써 상기 제2 도전막으로 이루어진 소스전극(121)과 드레인전극(123)을 형성한다. 이때, 상기 소스전극(122)은 실질적으로 상기 게이트라인(111)과 교차하여 해당 화소영역을 정의하는 데이터라인(117)의 일부에 해당하게 된다.
상기 액티브층(117)과 오믹콘택층(119) 및 소스전극(122)과 드레인전극(123)을 형성하는 과정은 상기한 바와 같이 두 번의 포토리소그래피공정으로 형성할 수 있으나 회절마스크 등를 이용하여 한번의 포토리소그래피공정으로 형성할 수도 있다.
그리고, 도 8d에 도시된 바와 같이, 상기 소스전극(122)과 드레인전극(123)이 형성된 기판(110) 전면에 보호층(125)을 증착한 후, 포토리소그래피공정을 통해 상기 보호층(115)의 일부 영역을 제거하여 상기 드레인전극(123)의 일부를 노출시키는 콘택홀(129)을 형성한다.
이후, 도 8e에 도시된 바와 같이, 투명한 도전 물질을 제1 기판(110) 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정을 이용하여 선택적으로 패터닝함으로써 상기 콘택홀(129)을 통해 드레인전극(123)과 전기적으로 접속하는 화소전극(127)을 형성한다.
상기 화소전극은 투명 도전성 나노 물질로 형성한다. 상기 투명 도전성 나노 물질은 스핀코팅, 웹 코팅, 그라비아 인쇄 등을 이용하여 형성될 수 있으며, 그 외에도 스프레이, 롤, 슬릿, 잉크젯 등과 같이 진공이 아닌 기구를 이용하여 낮은 온도에서 다양한 방법으로 코팅될 수 있다.
제2 기판은 도시하지는 않았으나 투명 절연 기판을 준비한 다음, 상기 투명 절연 기판 상에 컬러필터를 형성한 후, 상기 컬러필터 상에 공통전극(237)을 형성함으로써 준비할 수 있다.
이와 같이 준비된 제1 기판(110)과 제2기판은 도시하지는 않았지만 이후 대향하도록 배치되고 상기 두 기판 사이에 액정층을 형성함으로써 표시 장치를 제조하게 된다.
본 실시예는 표시 장치에서의 제1 기판을 예를 들어 설명하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 채널층으로 다결정실리콘층을 이용한 다결정실리콘층 트랜지스터를 사용할 수 있는 다른 장치에 적용될 수 있음은 물론이다. 예를 들어, 액정 표시 장치 이외에도 박막트랜지스터를 이용하여 제작하는 다른 표시 장치, 예를 들면 구동 트랜지스터에 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes; OLED)가 연결된 유기전계발광 표시 장치장치나 플라즈마 표시 장치 패널(Plasma Display Panel; PDP)에도 이용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판의 II-II' 선에 따른 단면도이다.
도 3a와 도 3b는 표시 장치에 있어서의 이러한 상부 전극과 하부 전극 사이의 수직 전계와 수평 전계를 각각 나타낸 개념도이다.
도 4는 셀 갭을 5㎛로 했을 때 인가된 회색 계조 전압에 따른 금속 나노와이어 투과도를 나타낸 그래프이다.
도 5는 셀 갭을 5㎛로 했을 때 인가된 회색 계조 전압에 따른 금속산화물 나노입자의 투과도를 나타낸 그래프이다.
도 6은 셀 갭을 5㎛로 했을 때 인가된 회색 계조 전압에 따른 탄소나노튜브의 투과도를 나타낸 그래프이다.
도 7a는 대표적인 나노 물질인 금-은 나노 입자를 나타낸 사진이며, 도 7b는 상기 금-은 나노입자가 결합되어 형성된 결합체를 나타낸 사진이다.
도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 실시예에 따른 제1 기판 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
111 : 게이트라인 112 : 데이터라인
113 : 게이트전극 121 : 소스전극
123 : 드레인전극 127 : 화소전극
139 : 공통전극 T : 박막트랜지스터

Claims (20)

  1. 복수의 화소가 형성된 표시 기판;
    상기 표시 기판 상에 형성된 제1 전극;
    상기 제1 전극에 이격하여 상기 제1 전극과 함께 전계를 형성하는 제2 전극; 및
    상기 제1 및 제2 전극을 사이에 두고 상기 표시 기판에 대향하여 구비되는 대향 기판;
    상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 어느 하나는 투과율 73% 내지 100%, 면 저항이 0옴 내지 1000옴의 투명 전도성 나노 물질을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투명 전도성 나노 물질은 금속 나노와이어, 금속산화물 나노입자 및 탄소 나노튜브 중 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 표시 기판과 대향 기판 사이의 셀 갭은 4㎛ 내지 6 ㎛인 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 금속 나노 와이어의 밀도는 5㎛×5㎛당 4입자 내지 40 입자인 표시 장 치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 각각의 나노 와이어 사이의 최대 간격은 0.2㎛ 내지 1㎛인 표시 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 금속 산화물 나노 입자의 밀도는 5㎛×5㎛당 400입자 내지 3000 입자인 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 각각의 금속 산화물 나노 입자 사이의 최대 간격은 1.6×10-3㎛ 내지 0.01㎛인 표시 장치.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브의 밀도는 5㎛×5㎛당 12입자 내지 150 입자인 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 각각의 탄소 나노튜브 사이의 최대 간격은 0.027㎛ 내지 0.33㎛인 표 시 장치.
  10. 제1항에 있어서
    상기 투명 전도성 상기 나노 물질은 서로 연결된 나노 결합체인 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서
    상기 나노 결합체는 은(Ag) 나노 입자와 금(Au) 나노 입자가 연결된 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서
    상기 은과 금 나노 입자는 각각 은과 금 나노 와이어인 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 형성된 액정층을 더 포함하는 표시 장치.
  14. 투명한 절연 기판;
    상기 절연 기판 상에 형성된 박막트랜지스터; 및
    상기 박막트랜지스터와 연결되며, 밀도가 5㎛×5㎛당 4입자 내지 40 입자를 갖는 금속 나노 와이어로 이루어진 투명 전도성 전극을 포함하는 박막트랜지스터 기판.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 각각의 나노 와이어 사이의 최대 간격은 0.2㎛ 내지 1㎛인 박막트랜지스터 기판.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 투명 전도성 상기 나노 물질은 서로 연결된 나노 결합체인 박막트랜지스터 기판.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 나노 결합체는 은(Ag) 나노 입자와 금(Au) 나노 입자가 연결된 박막트랜지스터 기판.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 은과 금 나노 입자는 각각 은과 금 나노 와이어인 박막트랜지스터 기판.
  19. 투명한 절연 기판;
    상기 절연 기판 상에 형성된 박막트랜지스터; 및
    상기 박막트랜지스터와 연결되며, 밀도가 5㎛×5㎛당 400입자 내지 3000 입자를 갖는 금속 산화물 나노 입자로 이루어진 투명 전도성 전극을 포함하는 박막트랜지스터 기판.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 각각의 금속 산화물 나노 입자 사이의 최대 간격은 1.6×10-3㎛ 내지 0.01㎛인 박막트랜지스터 기판.
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102834923B (zh) * 2009-12-04 2017-05-10 凯姆控股有限公司 具有提高的雾度的基于纳米结构的透明导体以及包含所述透明导体的装置
KR101745616B1 (ko) * 2010-06-07 2017-06-12 삼성전자주식회사 불연속 영역을 포함하는 나노 구조체 및 이를 포함하는 열전 소자
KR101462539B1 (ko) * 2010-12-20 2014-11-18 삼성디스플레이 주식회사 그라펜을 이용한 유기발광표시장치
JP2012181445A (ja) * 2011-03-02 2012-09-20 Seiko Epson Corp 電気装置
WO2012145157A1 (en) 2011-04-15 2012-10-26 3M Innovative Properties Company Transparent electrode for electronic displays
CN102368131A (zh) * 2011-10-25 2012-03-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶基板及其制作方法、液晶显示装置
CN102654672B (zh) * 2011-11-18 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置、阵列基板、彩膜基板及其制作方法
US20130155001A1 (en) * 2011-12-19 2013-06-20 Esat Yilmaz Low-Resistance Electrodes
JP5926608B2 (ja) 2012-05-08 2016-05-25 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置及びその製造方法
JP6147860B2 (ja) 2012-09-27 2017-06-14 ロディア オペレーションズＲｈｏｄｉａ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎｓ 銀ナノ構造を作製するための方法及び同方法に有用なコポリマー
TW201435924A (zh) * 2013-01-22 2014-09-16 Cambrios Technologies Corp 於靜電放電（ｅｓｄ）保護具有高熱穩定性之奈米結構透明導體
US9842665B2 (en) 2013-02-21 2017-12-12 Nlight, Inc. Optimization of high resolution digitally encoded laser scanners for fine feature marking
WO2014130895A1 (en) 2013-02-21 2014-08-28 Nlight Photonics Corporation Laser patterning multi-layer structures
WO2014130089A1 (en) 2013-02-21 2014-08-28 Nlight Photonics Corporation Non-ablative laser patterning
US10464172B2 (en) 2013-02-21 2019-11-05 Nlight, Inc. Patterning conductive films using variable focal plane to control feature size
TW201447447A (zh) * 2013-06-06 2014-12-16 Ye Xin Technology Consulting Co Ltd 畫素電極的製造方法
CN104238204A (zh) * 2013-06-07 2014-12-24 业鑫科技顾问股份有限公司 像素电极的制造方法
US10069271B2 (en) 2014-06-02 2018-09-04 Nlight, Inc. Scalable high power fiber laser
US10618131B2 (en) 2014-06-05 2020-04-14 Nlight, Inc. Laser patterning skew correction
US10310201B2 (en) 2014-08-01 2019-06-04 Nlight, Inc. Back-reflection protection and monitoring in fiber and fiber-delivered lasers
US9837783B2 (en) 2015-01-26 2017-12-05 Nlight, Inc. High-power, single-mode fiber sources
US10050404B2 (en) 2015-03-26 2018-08-14 Nlight, Inc. Fiber source with cascaded gain stages and/or multimode delivery fiber with low splice loss
WO2017008022A1 (en) 2015-07-08 2017-01-12 Nlight, Inc. Fiber with depressed central index for increased beam parameter product
US10516118B2 (en) 2015-09-30 2019-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, display device, method for manufacturing the same, and system including a plurality of display devices
WO2017091606A1 (en) 2015-11-23 2017-06-01 Nlight, Inc. Predictive modification of laser diode drive current waveform in high power laser systems
US11179807B2 (en) 2015-11-23 2021-11-23 Nlight, Inc. Fine-scale temporal control for laser material processing
CN108367389B (zh) 2015-11-23 2020-07-28 恩耐公司 激光加工方法和装置
EP3389915B1 (en) 2016-01-19 2021-05-05 NLIGHT, Inc. Method of processing calibration data in 3d laser scanner systems
US10732439B2 (en) 2016-09-29 2020-08-04 Nlight, Inc. Fiber-coupled device for varying beam characteristics
CN109791252B (zh) 2016-09-29 2021-06-29 恩耐公司 可调整的光束特性
US10730785B2 (en) 2016-09-29 2020-08-04 Nlight, Inc. Optical fiber bending mechanisms
EP3607389B1 (en) 2017-04-04 2023-06-07 Nlight, Inc. Optical fiducial generation for galvanometric scanner calibration
CN109755281B (zh) * 2019-01-14 2021-07-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN109991772B (zh) * 2019-03-29 2023-03-14 广州国显科技有限公司 显示面板膜层结构及其制备工艺

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200511584A (en) * 2003-09-15 2005-03-16 Ind Tech Res Inst Thin film transistor structure for field emission display
WO2007061428A2 (en) * 2004-12-27 2007-05-31 The Regents Of The University Of California Components and devices formed using nanoscale materials and methods of production
JP2007129007A (ja) * 2005-11-02 2007-05-24 Hitachi Ltd 有機半導体膜を有する半導体装置の製造方法
JP2008081384A (ja) * 2006-09-29 2008-04-10 Fuji Xerox Co Ltd カーボンナノチューブ分散液およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法、並びにカーボンナノチューブ構造体
EP2082436B1 (en) * 2006-10-12 2019-08-28 Cambrios Film Solutions Corporation Nanowire-based transparent conductors and method of making them
US20090321364A1 (en) * 2007-04-20 2009-12-31 Cambrios Technologies Corporation Systems and methods for filtering nanowires
US7722422B2 (en) * 2007-05-21 2010-05-25 Global Oled Technology Llc Device and method for improved power distribution for a transparent electrode
KR100951730B1 (ko) * 2007-05-30 2010-04-07 삼성전자주식회사 전도성이 개선된 카본나노튜브, 그의 제조방법 및 상기카본나노튜브를 함유하는 전극
KR100931962B1 (ko) * 2007-07-20 2009-12-15 삼성전자주식회사 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브와 그 제조방법 및 그를 이용한 전기 소자
US7642463B2 (en) * 2008-01-28 2010-01-05 Honeywell International Inc. Transparent conductors and methods for fabricating transparent conductors

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Publication number Publication date
US8664639B2 (en) 2014-03-04
US20130057796A1 (en) 2013-03-07
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J201 Request for trial against refusal decision
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2015101003468; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20150619

Effective date: 20161013