JP5741489B2 - ガスバリア性フィルムおよび電子デバイス - Google Patents
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Description
1.基材と、ポリシラザンを含有する層を真空紫外線照射処理してなるガスバリア層と、前記基材と前記ガスバリア層との間に配置され、かつ粒子径が1〜200nmである金属化合物粒子(A)65〜100質量%と、疎水性材料(B)0〜35質量%と(ただし、(A)+(B)=100質量%)、を含む疎水性を有するアンカーコート層と、を有する、ガスバリア性フィルム。
2.前記金属化合物粒子は、コロイダルシリカ粒子である、上記1.に記載のガスバリア性フィルム。
3.前記コロイダルシリカ粒子は、鎖状または数珠状の形状を有する、上記2.に記載のガスバリア性フィルム。
4.前記金属化合物粒子は、ポリオルガノシロキサン粒子またはポリオルガノシルセスキオキサン粒子である、上記1.に記載のガスバリア性フィルム。
5.上記1.〜4.のいずれか1つに記載のガスバリア性フィルムを用いた、電子デバイス。
また、範囲を示す「X〜Y」は、「X以上Y以下」であることを意味する。
本発明のガスバリア性フィルムは、図1に示すように、支持体としての基材1と、ポリシラザンを含有する層を真空紫外線照射処理してなるガスバリア層4と、基材1とガスバリア層4との間に配置され、かつ粒子径が1〜200nmである金属化合物粒子(A)65〜100質量%と、疎水性材料(B)0〜35質量%と(ただし、(A)+(B)=100質量%)、を含む疎水性を有するアンカーコート層12と、を有する。
本発明に用いられる基材は、長尺な支持体であって、後述のガスバリア性(以下、単に「バリア性」とも記載する)を有するガスバリア層(以下、単に「バリア層」とも記載する)を保持することができるもので、下記のような材料で形成されるが、特にこれらに限定されるものではない。
本発明に係る基材とアンカーコート層との間には、さらに中間層を形成してもよい。中間層は基材表面とアンカーコート層との接着性を向上させる、いわゆる易接着層であることが好ましい。市販の易接着層付き基材も好ましく用いることができる。
本発明のガスバリア性フィルムにおいては、上記中間層は、平滑層であってもよい。本発明に用いられる平滑層は突起等が存在する透明樹脂フィルム支持体の粗面を平坦化し、あるいは、透明樹脂フィルム支持体に存在する突起により透明無機化合物層に生じた凹凸やピンホールを埋めて平坦化するために設けられる。このような平滑層は、基本的には感光性材料、または、熱硬化性材料を硬化させて作製される。
本発明のガスバリア性フィルムの基材は、図1に示すように、ガスバリア層4を設ける面とは反対側の面にブリードアウト防止層3を有してもよい。
本発明において、疎水性を有するアンカーコート層は、ガスバリア層と基材との間に配置されている。より詳細には、アンカーコート層は、一方の面がガスバリア層に接するように形成されており、他方の面はガスバリア層以外の層に接するように形成されている。
親水性の金属化合物粒子の具体例としては、下記のような親水性の金属化合物粒子を挙げることができるが、これに限られるものではない。なお、「親水性」とは、以下で説明する「疎水性」の材料または粒子よりも水に溶解しやすいものを指す。
アンカーコート層が、金属化合物粒子(A)として親水性の金属化合物粒子のみを含む場合、該アンカーコート層は、疎水性材料を含む。
本発明に用いられる疎水性の金属化合物粒子とは、非水溶性の有機溶媒中で安定に分散し、かつ、実質的に水に分散しない粒子であることを意味する。「非水溶性の有機溶媒中で安定に分散する」とは、具体的には、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエンから選択される非水溶性の有機溶媒のいずれかに疎水性の金属化合物粒子を分散させた場合に、20℃で24時間静置した後でも実質的に沈降や凝集を生じずに分散状態を維持していることを意味する。また、「実質的に水に分散しない粒子である」とは、疎水性の金属化合物粒子が分散している非水溶性の有機溶媒中に水を添加し(このとき、有機溶媒と水の体積比は50/50とする)、10分間、500rpmで十分に攪拌混合した後に静置して非水溶性の有機溶媒と水とを分離させた際に、疎水性の金属化合物粒子が実質的に水相に移行しないことを意味する。
本発明に係るガスバリア層は、ポリシラザンを含む層に真空紫外線照射処理してなる。
本発明に係る「ポリシラザン」とは、構造内に珪素−窒素結合を持つポリマーで、酸窒化珪素の前駆体となるポリマーであり、下記の構造を有するものが好ましく用いられる。
化性雰囲気から酸化性雰囲気へと移動した際に、その雰囲気から塗膜に取り込まれる酸素や水分、などが酸素源となる。
パーヒドロポリシラザン中のSi−H結合やN−H結合は真空紫外線照射による励起等で比較的容易に切断され、不活性雰囲気下ではSi−Nとして再結合すると考えられる(Siの未結合手が形成される場合もある)。すなわち、酸化することなくSiNy組成として硬化する。この場合はポリマー主鎖の切断は生じない。Si−H結合やN−H結合の切断は触媒の存在や、加熱によって促進される。切断されたHはH2として膜外に放出される。
パーヒドロポリシラザン中のSi−N結合は水により加水分解され、ポリマー主鎖が切断されてSi−OHを形成する。二つのSi−OHが脱水縮合してSi−O−Si結合を形成して硬化する。これは大気中でも生じる反応であるが、不活性雰囲気下での真空紫外線照射中では、照射の熱によって基材からアウトガスとして生じる水蒸気が主な水分源となると考えられる。水分が過剰となると脱水縮合しきれないSi−OHが残存し、SiO2.1〜2.3の組成で示されるガスバリア性の低い硬化膜となる。
真空紫外線照射中、雰囲気下に適当量の酸素が存在すると、酸化力の非常に強い一重項酸素が形成される。パーヒドロポリシラザン中のHやNはOと置き換わってSi−O−Si結合を形成して硬化する。ポリマー主鎖の切断により結合の組み換えを生じる場合もあると考えられる。
真空紫外線のエネルギーはパーヒドロポリシラザン中のSi−Nの結合エネルギーよりも高いため、Si−N結合は切断され、周囲に酸素、オゾン、水等の酸素源が存在すると酸化されてSi−O−Si結合やSi−O−N結合が生じると考えられる。ポリマー主鎖の切断により結合の組み換えを生じる場合もあると考えられる。
e+Xe→Xe*
Xe*+2Xe→Xe2 *+Xe
Xe2 *→Xe+Xe+hν(172nm)
となり、励起されたエキシマ分子であるXe2 *が基底状態に遷移するときに172nmのエキシマ光を発光する。
本発明に係るガスバリア層上には、オーバーコート層を設けてもよい。
オーバーコート層に用いられる有機物としては、有機モノマー、オリゴマー、ポリマー等の有機樹脂、有機基を有するシロキサンやシルセスキオキサンのモノマー、オリゴマー、ポリマー等を用いた有機無機複合樹脂層を好ましく用いることができる。これらの有機樹脂もしくは有機無機複合樹脂は重合性基や架橋性基を有することが好ましく、これらの有機樹脂もしくは有機無機複合樹脂を含有し、必要に応じて重合開始剤や架橋剤等を含有する有機樹脂組成物塗布液から塗布形成した層に、光照射処理や熱処理を加えて硬化させることが好ましい。ここで「架橋性基」とは、光照射処理や熱処理で起こる化学反応によりバインダーポリマーを架橋することができる基のことである。このような機能を有する基であれば特にその化学構造は限定されないが、例えば、付加重合し得る官能基としてエチレン性不飽和基、エポキシ基/オキセタニル基等の環状エーテル基が挙げられる。また光照射によりラジカルになり得る官能基であってもよく、そのような架橋性基としては、例えば、チオール基、ハロゲン原子、オニウム塩構造等が挙げられる。中でも、エチレン性不飽和基が好ましく、特開2007−17948号公報の段落0130〜0139に記載された官能基が含まれる。
本発明のガスバリア性フィルムは、主に電子デバイス等のパッケージ、又は有機EL素子や太陽電池、液晶等のプラスチック基板といったディスプレイ材料に用いられるガスバリア性フィルムおよびガスバリア性フィルムを用いた各種デバイス用樹脂基材、および各種デバイス素子に適用することができる。
本発明のガスバリア性フィルムを有機光電変換素子に用いる際には、ガスバリア性フィルムは透明であることが好ましく、このガスバリア性フィルムを基材(支持体ともいう。)として用い、この面側から太陽光の受光を行うように構成できる。
有機光電変換素子および太陽電池の好ましい態様を説明する。なお、以下、本発明に係る有機光電変換素子の好ましい態様について詳細に説明するが、当該太陽電池は当該有機光電変換素子をその構成として有するものであり、太陽電池の好ましい構成も同様に記載することができる。
(ii)陽極/正孔輸送層/発電層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発電層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/p型半導体層/発電層/n型半導体層/電子輸送層/陰極
(v)陽極/正孔輸送層/第1発電層/電子輸送層/中間電極/正孔輸送層/第2発電層/電子輸送層/陰極。
有機光電変換素子の発電層の形成に用いられる材料について説明する。
有機光電変換素子の発電層(バルクへテロジャンクション層)として好ましく用いられるp型半導体材料としては、種々の縮合多環芳香族低分子化合物や共役系ポリマー・オリゴマーが挙げられる。
バルクへテロジャンクション層に用いられるn型半導体材料としては特に限定されないが、例えば、フラーレン、オクタアザポルフィリン、パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等のp型半導体の水素原子をフッ素原子に置換したパーフルオロ体、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物や、そのイミド化物を骨格として含む高分子化合物等を挙げることができる。
有機光電変換素子は、バルクへテロジャンクション層と陽極との中間には正孔輸送層を、バルクへテロジャンクション層で発生した電荷をより効率的に取り出すことが可能となるため、これらの層を有していることが好ましい。
有機光電変換素子は、バルクへテロジャンクション層と陰極との中間に電子輸送層を設置することで、バルクへテロジャンクション層で発生した電荷をより効率的に取り出すことが可能となる。よって、有機光電変換素子は、電子輸送層を有していることが好ましい。
エネルギー変換効率の向上や、素子寿命の向上を目的に、各種中間層を素子内に有する構成としてもよい。中間層の例としては、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層、励起子ブロック層、UV吸収層、光反射層、波長変換層等を挙げることができる。
透明電極は、陰極、陽極は特に限定せず、素子構成により選択することができるが、好ましくは透明電極を陽極として用いる。例えば、陽極として用いる場合、好ましくは380〜800nmの光を透過する電極である。
対電極は導電材単独層であってもよいが、導電性を有する材料に加えて、これらを保持する樹脂を併用してもよい。対電極の導電材としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
また、前記有機光電変換素子の層構成の(v)のようなタンデム構成の場合に必要となる中間電極の材料としては、透明性と導電性を併せ持つ化合物を用いた層であることが好ましく、前記透明電極で用いられるITO、AZO、FTO、酸化チタン等の透明金属酸化物、Ag、Al、Au等の非常に薄い金属層又はナノ粒子・ナノワイヤーを含有する層、PEDOT:PSS、ポリアニリン等の導電性高分子材料等を用いることができる。
導電性繊維としては、金属でコーティングした有機繊維や無機繊維、導電性金属酸化物繊維、金属ナノワイヤー、炭素繊維、カーボンナノチューブ等を用いることができるが、金属ナノワイヤーが好ましい。
有機光電変換素子は、太陽光のより効率的な受光を目的として、各種の光学機能層を有していてもよい。光学機能層としては、例えば、反射防止層、マイクロレンズアレイ等の集光層、陰極で反射した光を散乱させて再度発電層に入射させることができるような光拡散層等を設けてもよい。
電子受容体と電子供与体とが混合されたバルクヘテロジャンクション層、および輸送層・電極の作製方法としては、蒸着法や、キャスト法、スピンコート法等の塗布法等を例示することができる。
電極、発電層、正孔輸送層、電子輸送層等をパターニングする方法やプロセスには特に制限はなく、公知の手法を適宜適用することができる。
<<評価1:単層ガスバリア層を備えたガスバリア性フィルム>>
[実施例1−1]
〔基材(ア)の準備〕
熱可塑性樹脂基材(支持体)として、両面に易接着加工された厚さ125μmのポリエステルフィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製、KDL86W)をそのまま基材として用いた。基材(ア)のJIS B 0601(2001年)で規定される方法に準拠して測定した表面粗さは、Raで4nm、Rzで320nmであった。
金属化合物粒子として日産化学工業社のスノーテックス(登録商標;以下、同じ記載については省略) N(粒子径10〜20nm)を、疎水性材料を含むエマルションとしてイーテック社製のソープフリーアクリルエマルションAE986B(粒子径60nm、Tg2℃)を用いた。また、界面活性剤として、エアプロダクツ社製のサーフィノール(登録商標;以下、同じ記載については省略)465を用いた。金属化合物粒子/疎水性材料/界面活性剤を固形分として80.0/19.8/0.2の質量比率で混合し、さらに純水で希釈して、固形分10質量%の塗布液とした。
(ポリシラザン層の形成)
上記で形成したアンカーコート層の上に、下記のように調製したポリシラザンを含有する塗布液を、スピンコーターを用いて、乾燥後の膜厚が250nmとなる条件で塗布した。乾燥条件は、100℃で2分とした。
無触媒のパーヒドロポリシラザンを20質量%含むジブチルエーテル溶液(AZエレクトロニックマテリアルズ(株)製、NN120−20)と、アミン触媒としてN,N,N’,N’−テトラメチル−1,6−ジアミノヘキサンを、パーヒドロポリシラザンを19質量%と含むジブチルエーテル溶液(AZエレクトロニックマテリアルズ(株)製NAX120−20)とを4:1の質量比率で混合し、さらに塗布液の固形分に対して1質量%に調整した。さらに設定膜厚に応じてジブチルエーテルで適宜希釈することにより、塗布液を調製した。
上記の様にしてポリシラザン層塗膜を形成した後、下記の方法に従って、真空紫外線照射処理を施して、ガスバリア層を形成した。処理条件の詳細は表1に示した。
真空紫外線照射は、図2に断面模式図で示した装置を用いて行った。
アンカーコート層に含まれる金属化合物粒子の種類を変更し、日産化学工業社のスノーテックスPS−M(粒子径80〜120nm)としたアンカーコート層(AC2)を形成したこと以外は、上記実施例1−1と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。
アンカーコート層に含まれる金属化合物粒子/疎水性材料/界面活性剤の質量比率を変更し、70.0/29.8/0.2としたアンカーコート層(AC3)を形成したこと以外は、上記実施例1−2と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。
アンカーコート層に含まれる各成分、および各成分の質量比率を変更したこと以外は、上記実施例1−1と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。アンカーコート層(AC4)に含まれる成分及び成分比率は以下の通りである。
アンカーコート層に含まれる各成分、および各成分の質量比率、ならびにアンカーコート層の形成方法を変更したこと以外は、上記実施例1−1と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。アンカーコート層(AC5)に含まれる各成分、およびアンカーコート層(AC5)の形成方法は以下の通りである。
アンカーコート層に含まれる金属化合物粒子として、疎水性の金属化合物粒子のみを用いると共に、疎水性材料を添加しなかったこと以外は、上記実施例1−1と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。アンカーコート層(AC6)に含まれる成分、およびアンカーコート層(AC6)の形成方法は以下の通りである。
アンカーコート層に含まれる疎水性の金属化合物粒子として、前記化学式S19で表される化合物(粒子径1〜3nm)を用い、アンカーコート層(AC7)の形成時、メチルエチルケトン/メチルイソブチルケトン=50/50の混合溶媒で固形分5質量%となるように溶解して調製した塗布液を用いたこと以外は、上記実施例1−6と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。
基材を以下に示す基材(イ)に変更したこと以外は、上記実施例1−6のガスバリア性フィルムと同様にしてガスバリア性フィルム作製した。
熱可塑性樹脂基材(支持体)として、両面に易接着加工された厚さ125μmのポリエステルフィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製、極低熱収PET Q83)を用い、下記に示すように、片面にブリードアウト防止層を、反対面に平滑層を形成したものを基材(イ)とした。
上記熱可塑性樹脂基材の一方の面側に、JSR株式会社製のUV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材 OPSTAR(登録商標;以下、同じ記載については省略) Z7535を、乾燥後の膜厚が4.0μmになる条件で塗布した後、硬化条件として、照射エネルギー量1.0J/cm2で、空気雰囲気下、高圧水銀ランプを使用し、乾燥条件80℃で、3分間の硬化処理を行い、ブリードアウト防止層を形成した。
次いで、上記熱可塑性樹脂基材のブリードアウト防止層を形成した面とは反対側の面側に、JSR株式会社製のUV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材 OPSTAR Z7501を、乾燥後の膜厚が4.0μmになる条件で塗布した後、80℃で、3分間乾燥した後、空気雰囲気下、高圧水銀ランプを使用し、硬化条件として、照射エネルギー量1.0J/cm2で照射、硬化して、平滑層を形成した。
基材を以下に示す基材(ウ)に変更したこと以外は、上記実施例1−4のガスバリア性フィルムと同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。
耐熱性基材として、両面に易接着加工が施された200μm厚みの透明ポリイミド系フィルム(三菱瓦斯化学株式会社製、ネオプリムL)を用い、下記に示すように、基材の両面に平滑層を形成したものを、基材(ウ)とした。
〈平滑層塗布液の作製〉
トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル(エポライト(登録商標)100MF 共栄社化学社製)を8.0g、エチレングリコールジグリシジルエーテル(エポライト(登録商標)40E 共栄社化学社製)を5.0g、オキセタニル基を有するシルセスキオキサン:OX−SQ−H(東亞合成社製)を12.0g、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを32.5g、Al(III)アセチルアセトネートを2.2g、メタノールシリカゾル(日産化学社製、固形分濃度30質量%)を134.0g、BYK333(ビックケミー・ジャパン社製、シリコン系界面活性剤)を0.1g、ブチルセロソルブを125.0g、0.1モル/Lの塩酸水溶液を15.0g混合し、充分に攪拌した。これを室温でさらに静置脱気して、平滑層塗布液を得た。
上記耐熱性基材の一方の面側に、定法によりコロナ放電処理を施した後、上記平滑層塗布液を、乾燥後の膜厚が4.0μmとなる条件で塗布した後、80℃で3分間乾燥した。更に、120℃で10分間の加熱処理を施して、平滑層1を形成した。
上記耐熱性基材の平滑層1を形成した面とは反対側の面に、上記平滑層1の形成方法と同様にして、平滑層2を形成した。
基材を以下に示す基材(エ)に変更したこと以外は、上記実施例1−6のガスバリア性フィルムと同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。
上記基材(ウ)の作製において、耐熱性基材である両面に易接着加工が施された200μm厚みの透明ポリイミド系フィルム(三菱瓦斯化学株式会社製、ネオプリムL)に代えて、耐熱性基材として、有機無機ハイブリッド構造を有するシルセスキオキサンを基本骨格としたフィルムである、100μm厚の新日鐵化学社製のシルプラス(登録商標)H100を用いた以外は同様にして、基材(エ)を作製した。なお、基材(エ)の平滑層1および平滑層2の表面粗さを、JIS B 0601(2001年)で規定される方法に準拠して測定した結果、Raで1nm、Rzで20nmであった。なお、表面粗さの測定は、上記基材(ア)の作製に用いたのと同様の方法で行った。アンカーコート層の塗布面は平滑層1の面とした。
アンカーコート層を形成しなかったこと以外は、上記実施例1−8のガスバリア性フィルムと同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。
アンカーコート層を形成しなかったこと以外は、上記実施例1−1のガスバリア性フィルムと同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。
アンカーコート層を形成せず、さらにガスバリア層のVUV光照射条件として、積算照射エネルギーを4500mJ/cm2に変更したこと以外は、上記実施例1−1のガスバリア性フィルムと同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。
アンカーコート層において、疎水性材料としての例示化合物S2を含まないこと以外は、上記実施例1−5と同様にしてアンカーコート層(AC8)を形成することにより、ガスバリア性フィルムを作製した。
アンカーコート層に含まれる各成分、および各成分の質量比率、ならびにアンカーコート層の形成方法を変更したこと以外は、上記実施例1−1と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。アンカーコート層(AC9)に含まれる成分、およびアンカーコート層(AC9)の形成方法は以下の通りである。
アンカーコート層に含まれる金属化合物粒子、および各成分の質量比率を変更したこと以外は、上記実施例1−1と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。アンカーコート層(AC10)に含まれる成分及び成分比率は以下の通りである。
アンカーコート層に含まれる親水性の金属化合物粒子/疎水性の金属化合物粒子の質量比を変更し、99.95/0.05としたアンカーコート層(AC11)を形成したこと以外は、上記実施例1−4と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。
アンカーコート層に含まれる金属化合物粒子の種類を変更し、日産化学工業社のMP−4540M(粒子径450nm)としたアンカーコート層(AC12)を形成したこと以外は、上記実施例1−1と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。
(水蒸気バリア性評価試料の作製装置)
蒸着装置:日本電子(株)製真空蒸着装置JEE−400
恒温恒湿度オーブン:Yamato Humidic ChamberIG47M
(原材料)
水分と反応して腐食する金属:カルシウム(粒状)
水蒸気不透過性の金属:アルミニウム(φ3〜5mm、粒状)
(水蒸気バリア性評価試料の作製)
真空蒸着装置(日本電子製真空蒸着装置 JEE−400)を用い、実施例1−1〜1−10および比較例1−1〜1−8で作製したガスバリア性フィルムのガスバリア層表面に、マスクを通して12mm×12mmのサイズで金属カルシウムを蒸着させた。
得られた試料を60℃、90%RHの高温高湿下で保存し、保存時間に対して金属カルシウムが腐食して行く様子を観察した。観察は5時間ごとに行い、12mm×12mmの金属カルシウム蒸着面積に対する金属カルシウムが腐食した面積を%表示で算出した。金属カルシウムが腐食した面積が20%を超えた時間を腐食の進行が始まった、すなわちガスバリア層とその直下の層との剥離が顕著となった時間の指標とし、表1に示した。
上記作製した実施例1−9および1−10のガスバリア性フィルムについて、220℃で10分間の大気雰囲気下で加熱処理を施した。この際、ガスバリア性フィルムのガスバリア層表面には部材が接触しないように保持した。加熱処理後、室温の大気中に取り出し、そのまま室温まで冷却した。次いで、上記評価1の水蒸気バリア性の評価と同様にして、水蒸気バリア性評価を行った。結果は加熱処理しない場合と同様で良好であった。このように、本発明のガスバリア性フィルムは、耐熱性に優れ、かつ、非常に高いバリア性を長時間にわたって維持できており、良好な耐久性を有していることが分かる。
《ガスバリア性フィルムの作製》
表2に示す基材、アンカーコート層、膜厚、真空紫外線照射処理条件により、積層した2層構成のガスバリア層を形成し、以下に示す実施例2−1〜2−4、および比較例2−1〜2−3のガスバリア性フィルムを作成した。なお、これらのガスバリア性フィルムは、ガスバリア層を連続して2層形成した以外、それぞれ上記実施例1−2〜1−4および1−6、並びに比較例1−2、1−4および1−5で示したガスバリア性フィルムと同様の手順で作製した。表2に記載したガスバリア層の番号(種類)は、表1に記載の番号(種類)と対応しており、同じ番号が記載されたアンカーコート層は、同様の構成および形成方法で形成されたことを示す。
実施例2−1〜2−4、および比較例2−1〜2−3のガスバリア性フィルムを封止フィルムとして用いて、図3に示すような有機薄膜電子デバイスである有機EL素子(実施例3−1〜3−4および比較例3−1〜3−3)を作製した。用いたガスバリア性フィルムは表3に示した。
(第1電極層22の形成)
各ガスバリア性フィルム21のガスバリア層4上に、厚さ150nmのITO(インジウムチンオキシド)をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、第1電極層22を形成した。なお、パターンは発光面積が50mm平方になるようなパターンとした。
第1電極層22が形成された各ガスバリア性フィルム21の第1電極層22の上に、以下に示す正孔輸送層形成用塗布液を、25℃相対湿度50%の環境下で、押出し塗布機で塗布した後、下記の条件で乾燥および加熱処理を行い、正孔輸送層23を形成した。正孔輸送層形成用塗布液は乾燥後の厚みが50nmになるように塗布した。
塗布工程は大気中、
〈正孔輸送層形成用塗布液の準備〉
ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製 Bytron P AI 4083)を純水で65%、メタノール5%で希釈した溶液を正孔輸送層形成用塗布液として準備した。
正孔輸送層形成用塗布液を塗布した後、成膜面に向け高さ100mm、吐出風速1m/s、幅手の風速分布5%、温度100℃で溶媒を除去した後、引き続き、加熱処理装置を用い温度150℃で裏面伝熱方式の熱処理を行い、正孔輸送層23を形成した。
上記で形成した正孔輸送層23上に、以下に示す白色発光層形成用塗布液を、下記の条件により押出し塗布機で塗布した後、下記の条件で乾燥および加熱処理を行い、発光層24を形成した。白色発光層形成用塗布液は乾燥後の厚みが40nmになるように塗布した。
ホスト材として下記化学式H−Aで表される化合物1.0gと、ドーパント材として下記化学式D−Aで表される化合物を100mg、ドーパント材として下記化学式D−Bで表される化合物を0.2mg、ドーパント材として下記化学式D−Cで表される化合物を0.2mg、100gのトルエンに溶解し白色発光層形成用塗布液として準備した。
塗布工程を窒素ガス濃度99%以上の雰囲気で、塗布温度を25℃とし、塗布速度1m/minで行った。
白色発光層形成用塗布液を塗布した後、成膜面に向け高さ100mm、吐出風速1m/s、幅手の風速分布5%、温度60℃で溶媒を除去した後、引き続き、温度130℃で加熱処理を行い、発光層24を形成した。
上記で形成した発光層24の上に、以下に示す電子輸送層形成用塗布液を下記の条件により押出し塗布機で塗布した後、下記の条件で乾燥および加熱処理し、電子輸送層25を形成した。電子輸送層形成用塗布液は乾燥後の厚みが30nmになるように塗布した。
塗布工程は窒素ガス濃度99%以上の雰囲気で、電子輸送層形成用塗布液の塗布温度を25℃とし、塗布速度1m/minで行った。
電子輸送層は下記化学式E−Aで表される化合物を2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール中に溶解し0.5質量%溶液とし電子輸送層形成用塗布液とした。
電子輸送層形成用塗布液を塗布した後、成膜面に向け高さ100mm、吐出風速1m/s、幅手の風速分布5%、温度60℃で溶媒を除去した後、引き続き、加熱処理部で、温度200℃で加熱処理を行い、電子輸送層25を形成した。
上記で形成した電子輸送層25上に、電子注入層26を形成した。まず、基板を減圧チャンバーに投入し、5×10-4Paまで減圧した。あらかじめ、真空チャンバーにタンタル製蒸着ボートに用意しておいたフッ化セシウムを加熱し、厚さ3nmの電子注入層を形成した。
上記で形成した電子注入層26の上であって、第1電極22の取り出し電極になる部分を除く部分に、5×10-4Paの真空下で、第2電極形成材料としてアルミニウムを使用し、取り出し電極を有するように蒸着法にて、発光面積が50mm平方になるようにマスクパターン成膜し、厚さ100nmの第2電極27を積層した。
以上のように、第2電極27までが形成された各積層体を、再び窒素雰囲気に移動し、規定の大きさに、紫外線レーザーを用いて裁断し、有機EL素子を作製した。
作製した有機EL素子に、ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社製の異方性導電フィルムDP3232S9を用いて、フレキシブルプリント基板(ベースフィルム:ポリイミド12.5μm、圧延銅箔18μm、カバーレイ:ポリイミド12.5μm、表面処理NiAuメッキ)を接続した。
封止部材29として、30μm厚のアルミニウム箔(東洋アルミニウム株式会社製)に、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(12μm厚)をドライラミネーション用の接着剤(2液反応型のウレタン系接着剤)を用いラミネートした(接着剤層の厚み1.5μm)ものを用意した。
上記作製した有機EL素子(実施例3−1〜3−4および比較例3−1〜3−3)
について、下記の方法に従って、耐久性の評価を行った。
(加速劣化処理)
上記作製した各有機EL素子を、60℃、90%RHの環境下で400時間の加速劣化処理を施した後、加速劣化処理を施していない有機EL素子と共に、下記の黒点に関する評価を行った。
加速劣化処理を施した有機EL素子および加速劣化処理を施していない有機EL素子に対し、それぞれ1mA/cm2の電流を印加し、24時間連続発光させた後、100倍のマイクロスコープ(株式会社モリテックス製MS−804、レンズMP−ZE25−200)でパネルの一部分を拡大し、撮影を行った。撮影画像を2mm四方に切り抜き、黒点の発生面積比率を求め、下式に従って素子劣化耐性率を算出し、下記の基準に従って耐久性を評価した。評価ランクが、◎、○であれば、実用上好ましい特性であると判定した。
◎:素子劣化耐性率が、90%以上である
○:素子劣化耐性率が、60%以上、90%未満である
△:素子劣化耐性率が、20%以上、60%未満である
×:素子劣化耐性率が、20%未満である
以上により得られた結果を、表3に示す。
2 アンカーコート層
3 ブリードアウト防止層
4 ガスバリア層
11 装置チャンバー
12 Xeエキシマランプ
13 エキシマランプのホルダー
14 試料ステージ
15 ポリシラザン塗布層が形成された試料
16 遮光板
21 ガスバリア性フィルム
22 第1電極層
23 正孔輸送層
24 発光層
25 電子輸送層
26 電子注入層
27 第2電極層
28 接着剤層
29 封止部材
Claims (5)
- 基材と、
ポリシラザンを含有する層を真空紫外線照射処理してなるガスバリア層と、
前記基材と前記ガスバリア層との間に配置され、かつ粒子径が1〜200nmである金属化合物粒子(A)65〜100質量%と、疎水性材料(B)0〜35質量%と(ただし、(A)+(B)=100質量%)、を含む疎水性を有するアンカーコート層と、
を有する、ガスバリア性フィルム。 - 前記金属化合物粒子は、コロイダルシリカ粒子である、請求項1に記載のガスバリア性フィルム。
- 前記コロイダルシリカ粒子は、鎖状または数珠状の形状を有する、請求項2に記載のガスバリア性フィルム。
- 前記金属化合物粒子は、ポリオルガノシロキサン粒子またはポリオルガノシルセスキオキサン粒子である、請求項1に記載のガスバリア性フィルム。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のガスバリア性フィルムを用いた、電子デバイス。
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