JP5994844B2 - ガスバリア性フィルムおよび電子デバイス - Google Patents
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Description
本発明のガスバリア性フィルムは、図1に示すように、支持体としての基材1と、ポリシラザンを含有する層を真空紫外線照射処理してなる第1ガスバリア層2および第2ガスバリア層4と、第1ガスバリア層2および第2ガスバリア層4との間に配置され、かつ金属化合物粒子を含む疎水性の中間層3と、を有する。すなわち、本発明のガスバリア性フィルムは、基材1上に、第1ガスバリア層2、中間層3、第2ガスバリア層4をこの順に有している。
本発明に用いられる基材は、長尺な支持体であって、後述のガスバリア性(以下、単に「バリア性」とも記載する)を有する第1ガスバリア層および第2ガスバリア層(以下、これらを単に「バリア層」とも記載する)を保持することができるもので、下記のような材料で形成されるが、特にこれらに限定されるものではない。
本発明に係る基材と第1ガスバリア層との間には、さらにアンカーコート層を形成してもよい。アンカーコート層は基材表面と第1ガスバリア層との接着性を向上させる、いわゆる易接着層であることが好ましい。市販の易接着層付き基材も好ましく用いることができる。
本発明のガスバリア性フィルムにおいては、基材と第1ガスバリア層との間に、さらに平滑層を有していてもよい。平滑層は突起等が存在する透明樹脂フィルム支持体の粗面を平坦化し、あるいは、透明樹脂フィルム支持体に存在する突起により透明無機化合物層に生じた凹凸やピンホールを埋めて平坦化するために設けられる。このような平滑層は、基本的には感光性材料、または、熱硬化性材料を硬化させて作製される。
本発明のガスバリア性フィルムの基材は、図1に示すように、第1ガスバリア層2や第2ガスバリア層4を設ける面とは反対側の面にブリードアウト防止層5を有してもよい。
本発明に係る第1ガスバリア層および第2ガスバリア層は、ポリシラザンを含む層に真空紫外線照射処理してなる。第1ガスバリア層と第2ガスバリア層の形成条件(使用するポリシラザンの種類、塗膜の厚さ、真空紫外線照射条件を含む改質処理条件等)は互いに異なっていてもよいが、同じ条件で形成すると製造工程が煩雑になることがなく、好ましい。
本発明に係る「ポリシラザン」とは、構造内に珪素−窒素結合を持つポリマーで、酸窒化珪素の前駆体となるポリマーであり、下記の構造を有するものが好ましく用いられる。
パーヒドロポリシラザン中のSi−H結合やN−H結合は真空紫外線照射による励起等で比較的容易に切断され、不活性雰囲気下ではSi−Nとして再結合すると考えられる(Siの未結合手が形成される場合もある)。すなわち、酸化することなくSiNy組成として硬化する。この場合はポリマー主鎖の切断は生じない。Si−H結合やN−H結合の切断は触媒の存在や、加熱によって促進される。切断されたHはH2として膜外に放出される。
パーヒドロポリシラザン中のSi−N結合は水により加水分解され、ポリマー主鎖が切断されてSi−OHを形成する。二つのSi−OHが脱水縮合してSi−O−Si結合を形成して硬化する。これは大気中でも生じる反応であるが、不活性雰囲気下での真空紫外線照射中では、照射の熱によって基材からアウトガスとして生じる水蒸気が主な水分源となると考えられる。水分が過剰となると脱水縮合しきれないSi−OHが残存し、SiO2.1〜2.3の組成で示されるガスバリア性の低い硬化膜となる。
真空紫外線照射中、雰囲気下に適当量の酸素が存在すると、酸化力の非常に強い一重項酸素が形成される。パーヒドロポリシラザン中のHやNはOと置き換わってSi−O−Si結合を形成して硬化する。ポリマー主鎖の切断により結合の組み換えを生じる場合もあると考えられる。
真空紫外線のエネルギーはパーヒドロポリシラザン中のSi−Nの結合エネルギーよりも高いため、Si−N結合は切断され、周囲に酸素、オゾン、水等の酸素源が存在すると酸化されてSi−O−Si結合やSi−O−N結合が生じると考えられる。ポリマー主鎖の切断により結合の組み換えを生じる場合もあると考えられる。
本発明において、疎水性を有する中間層は、ガスバリア層同士の間、すなわち第1ガスバリア層と第2ガスバリア層との間に配置されている。より詳細には、中間層は、一方の面が第1ガスバリア層に接するように形成されており、他方の面は第2ガスバリア層に接するように形成されている。
中間層に含まれる金属化合物粒子(A)の形態としては、以下の態様がある。
(ii)疎水性の金属化合物粒子(A−2)のみを含む形態
(iii)親水性の金属化合物粒子(A−1)と疎水性の金属化合物粒子(A−2)との両方を含む形態。
(i−1)中間層が親水性の金属化合物粒子および疎水性材料を含む((A−1)+(B))。
(ii−1)中間層が疎水性の金属化合物粒子を含み、疎水性材料を含まない((A−2)のみ)
(ii−2)中間層が疎水性の金属化合物粒子と疎水性材料を含む((A−2)+(B))。
(iii−1)中間層が親水性の金属化合物粒子および疎水性の金属化合物粒子を含み、疎水性材料を含まない((A−1)+(A−2))
(iii−2)中間層が親水性の金属化合物粒子と、疎水性の金属化合物粒子および疎水性材料を含む((A−1)+(A−2)+(B))。
親水性の金属化合物粒子(A−1)および疎水性材料(B)を用いる場合、親水性の金属化合物粒子(A−1)含有量は、金属化合物粒子(A−1)と疎水性材料(B)との合計量を100質量%として、好ましくは65〜99.9質量%、より好ましくは70〜99.5質量%、さらに好ましくは80〜99質量%である。
中間層が、金属化合物粒子(A)として疎水性の金属化合物粒子(A−2)のみを含む場合、前記の疎水性材料は用いてもよいし用いなくてもよい。疎水性材料を用いなくても、中間層に疎水性を付与することができるからである。したがって、疎水性の金属化合物粒子(A−2)の含有量は、疎水性材料(B)を含む場合、金属化合物粒子(A−2)と疎水性材料(B)との合計量を100質量%として、65〜100質量%の範囲であると好ましい。中間層の空隙率をより大きくすることができるという観点から、該含有量は、好ましくは70〜100質量%であり、より好ましくは80〜100質量%である。
上記親水性の金属化合物粒子(A−1)と上記疎水性の金属化合物粒子(A−2)とを併用し、かつ上記の疎水性材料(B)を用いない場合、上記親水性の金属化合物粒子(A−1)の含有量は、金属化合物粒子の全体を100質量%として、好ましくは65〜99.9質量%であり、より好ましくは70〜99.5質量%であり、さらに好ましくは80〜99質量%である。
金属化合物粒子(A)が金属化合物粒子(A−1)と疎水性の金属化合物粒子(A−2)を両方含み、かつ、疎水性材料(B)を含む場合には、親水性の金属化合物粒子(A−1)の含有量は、親水性および疎水性金属化合物粒子の合計量と、疎水性材料(B)との合計を100質量%として、好ましくは65〜99.9質量%、より好ましくは70〜99.5質量%、さらに好ましくは80〜99質量%である。
親水性の金属化合物粒子の具体例としては、下記のような親水性の金属化合物粒子を挙げることができるが、これに限られるものではない。なお、「親水性」とは、以下で説明する「疎水性」の材料または粒子よりも水に溶解しやすいものを指す。
中間層が、金属化合物粒子(A)として親水性の金属化合物粒子のみを含む場合、該中間層は、疎水性材料を含む。
本発明に用いられる疎水性の金属化合物粒子とは、非水溶性の有機溶媒中で安定に分散し、かつ、実質的に水に分散しない粒子であることを意味する。「非水溶性の有機溶媒中で安定に分散する」とは、具体的には、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエンから選択される非水溶性の有機溶媒のいずれかに疎水性の金属化合物粒子を分散させた場合に、20℃で24時間静置した後でも実質的に沈降や凝集を生じずに分散状態を維持していることを意味する。また、「実質的に水に分散しない粒子である」とは、疎水性の金属化合物粒子が分散している非水溶性の有機溶媒中に水を添加し(このとき、有機溶媒と水の体積比は50/50とする)、10分間、500rpmで十分に攪拌混合した後に静置して非水溶性の有機溶媒と水とを分離させた際に、疎水性の金属化合物粒子が実質的に水相に移行しないことを意味する。
中間層の形成方法は、特に制限されないが、例えば、金属化合物粒子と、必要に応じて疎水性材料および他の添加剤とを、溶媒中に溶解または分散させて塗布液を調製し、該塗布液を基材上にロールコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、グラビア印刷法等の方法により塗布し、乾燥する方法を用いると好ましい。
本発明に係るガスバリア層上には、オーバーコート層を設けてもよい。オーバーコート層は、たとえば、特開2012−116101号公報の段落「0127」〜「0140」に記載された材料や、米国特許第6503634号公報に「ORMOCER(登録商標)」として記載されている有機無機複合樹脂等の公知の材料を用いることができる。また、オーバーコート層は、特開2012−116101号公報の段落「0141」に記載されたものと同様の方法によって形成される。
本発明のガスバリア性フィルムは、主に電子デバイス等のパッケージ、又は有機EL素子や太陽電池、液晶等のプラスチック基板といったディスプレイ材料に用いられるガスバリア性フィルムおよびガスバリア性フィルムを用いた各種デバイス用樹脂基材、および各種デバイス素子に適用することができる。
本発明のガスバリア性フィルムを有機EL素子に用いる際には、ガスバリア性フィルムは透明であることが好ましく、このガスバリア性フィルムを基材(支持体ともいう。)として用いた構成としてもよい。
有機EL素子の好ましい態様を説明する。
・陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
・陽極/発光層/電子輸送層/陰極
・陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
・陽極/陽極バッファー層(正孔注入層)/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極バッファー層(電子注入層)/陰極。
透明電極は、陰極、陽極は特に限定せず、素子構成により選択することができるが、好ましくは透明電極を陽極として用いる。例えば、陽極として用いる場合、好ましくは380〜800nmの光を透過する電極である。
対電極は導電材単独層であってもよいが、導電性を有する材料に加えて、これらを保持する樹脂を併用してもよい。対電極の導電材としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
有機EL素子では導電性繊維を用いることができ、導電性繊維としては、金属でコーティングした有機繊維や無機繊維、導電性金属酸化物繊維、金属ナノワイヤー、炭素繊維、カーボンナノチューブ等を用いることができるが、金属ナノワイヤーが好ましい。
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子ブロック層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する電子輸送材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔ブロック層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
有機EL素子における発光層は、電極(陰極、陽極)または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
発光ドーパントは、大きく分けて蛍光を発光する蛍光性ドーパントとリン光を発光するリン光性ドーパントの2種類がある。
発光ホスト(単にホストとも言う)とは、2種以上の化合物で構成される発光層中における混合比(質量)の最も多い化合物を意味し、それ以外の化合物については「ドーパント化合物(単に、ドーパントとも言う)」という。例えば、発光層を化合物A、化合物Bという2種で構成し、その混合比がA:B=10:90であれば化合物Aがドーパント化合物であり、化合物Bがホスト化合物である。更に発光層を化合物A、化合物B、化合物Cの3種から構成し、その混合比がA:B:C=5:10:85であれば、化合物A、化合物Bがドーパント化合物であり、化合物Cがホスト化合物である。
エネルギー変換効率の向上や、素子寿命の向上を目的に、各種中間層を素子内に有する構成としてもよい。中間層の例としては、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層、励起子ブロック層、UV吸収層、光反射層、波長変換層等を挙げることができる。
上記の各輸送層・電極の作製方法としては、上述のように、蒸着法や、キャスト法、スピンコート法等の塗布法等を例示することができる。
電極、発光層、正孔輸送層、電子輸送層等をパターニングする方法やプロセスには特に制限はなく、公知の手法を適宜適用することができる。
<<評価1:ガスバリア性フィルムの耐久性評価>>
[実施例1−1]
〔基材(ア)の準備〕
熱可塑性樹脂基材(支持体)として、両面に易接着加工された厚さ125μmのポリエステルフィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製、KDL86W)をそのまま基材として用いた。基材(ア)のJIS B 0601(2001年)で規定される方法に準拠して測定した表面粗さは、Raで4nm、Rzで320nmであった。
(ポリシラザン層の形成)
上記基板の上に、下記のように調製したポリシラザンを含有する塗布液を、スピンコーターを用いて、乾燥後の膜厚が100nmとなる条件で塗布した。乾燥条件は、100℃で2分とした。
無触媒のパーヒドロポリシラザンを20質量%含むジブチルエーテル溶液(AZエレクトロニックマテリアルズ(株)製、NN120−20)と、アミン触媒としてN,N,N’,N’−テトラメチル−1,6−ジアミノヘキサンを、パーヒドロポリシラザンを19質量%と含むジブチルエーテル溶液(AZエレクトロニックマテリアルズ(株)製NAX120−20)とを4:1の質量比率で混合し、さらに塗布液の固形分に対して1質量%に調整した。さらに設定膜厚に応じてジブチルエーテルで適宜希釈することにより、塗布液を調製した。
上記の様にしてポリシラザン層塗膜を形成した後、下記の方法に従って、真空紫外線照射処理を施して、ガスバリア層を形成した。処理条件の詳細は表1−1および1−2に示した。
真空紫外線照射は、図2に断面模式図で示した装置を用いて行った。
上記のように形成した第1ガスバリア上に、以下のように中間層(ML1)を形成した。
上記中間層(ML1)の上に、上記第1ガスバリア層と同じ条件で第2ガスバリア層を形成した。
中間層に含まれる親水性の金属化合物粒子の種類を変更し、日産化学工業社のスノーテックスPS−M(粒子径80〜120nm)とした中間層(ML2)を形成したこと以外は、上記実施例1−1と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。
中間層に含まれる親水性の金属化合物粒子/疎水性材料/界面活性剤の質量比率を変更し、70.0/29.8/0.2とした中間層(ML3)を形成したこと以外は、上記実施例1−2と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。
中間層に含まれる各成分、および各成分の質量比率を変更したこと以外は、上記実施例1−1と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。中間層(ML4)に含まれる成分及び成分比率は以下の通りである。
中間層に含まれる各成分、および各成分の質量比率、ならびに中間層の形成方法を変更したこと以外は、上記実施例1−1と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。中間層(ML5)に含まれる各成分、および中間層(ML5)の形成方法は以下の通りである。
中間層に含まれる金属化合物粒子として、疎水性の金属化合物粒子のみを用いると共に、疎水性材料を添加しなかったこと以外は、上記実施例1−1と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。中間層(ML6)に含まれる成分、および中間層(ML6)の形成方法は以下の通りである。
中間層に含まれる疎水性の金属化合物粒子を2種類用いたこと以外は、上記実施例1−6と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。中間層(ML7)に含まれる成分、および中間層(ML7)の形成方法は以下の通りである。
基材を以下に示す基材(イ)に変更したこと以外は、上記実施例1−6のガスバリア性フィルムと同様にしてガスバリア性フィルム作製した。
熱可塑性樹脂基材(支持体)として、両面に易接着加工された厚さ125μmのポリエステルフィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製、極低熱収PET Q83)を用い、下記に示すように、片面にブリードアウト防止層を、反対面に平滑層を形成したものを基材(イ)とした。
上記熱可塑性樹脂基材の一方の面側に、JSR株式会社製のUV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材 OPSTAR(登録商標;以下、同じ記載については省略) Z7535を、乾燥後の膜厚が4.0μmになる条件で塗布した後、硬化条件として、照射エネルギー量1.0J/cm2で、空気雰囲気下、高圧水銀ランプを使用し、乾燥条件80℃で、3分間の硬化処理を行い、ブリードアウト防止層を形成した。
次いで、上記熱可塑性樹脂基材のブリードアウト防止層を形成した面とは反対側の面側に、JSR株式会社製のUV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材 OPSTAR Z7501を、乾燥後の膜厚が4.0μmになる条件で塗布した後、80℃で、3分間乾燥した後、空気雰囲気下、高圧水銀ランプを使用し、硬化条件として、照射エネルギー量1.0J/cm2で照射、硬化して、平滑層を形成した。
基材を以下に示す基材(ウ)に変更したこと以外は、上記実施例1−4のガスバリア性フィルムと同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。
耐熱性基材として、両面に易接着加工が施された200μm厚みの透明ポリイミド系フィルム(三菱瓦斯化学株式会社製、ネオプリムL)を用い、下記に示すように、基材の両面に平滑層を形成したものを、基材(ウ)とした。
〈平滑層塗布液の作製〉
トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル(エポライト(登録商標)100MF 共栄社化学社製)を8.0g、エチレングリコールジグリシジルエーテル(エポライト(登録商標)40E 共栄社化学社製)を5.0g、オキセタニル基を有するシルセスキオキサン:OX−SQ−H(東亞合成社製)を12.0g、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを32.5g、Al(III)アセチルアセトネートを2.2g、メタノールシリカゾル(日産化学社製、固形分濃度30質量%)を134.0g、BYK333(ビックケミー・ジャパン社製、シリコン系界面活性剤)を0.1g、ブチルセロソルブを125.0g、0.1モル/Lの塩酸水溶液を15.0g混合し、充分に攪拌した。これを室温でさらに静置脱気して、平滑層塗布液を得た。
上記耐熱性基材の一方の面側に、定法によりコロナ放電処理を施した後、上記平滑層塗布液を、乾燥後の膜厚が4.0μmとなる条件で塗布した後、80℃で3分間乾燥した。更に、120℃で10分間の加熱処理を施して、平滑層1を形成した。
上記耐熱性基材の平滑層1を形成した面とは反対側の面に、上記平滑層1の形成方法と同様にして、平滑層2を形成した。
基材を以下に示す基材(エ)に変更したこと以外は、上記実施例1−6のガスバリア性フィルムと同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。
上記基材(ウ)の作製において、耐熱性基材である両面に易接着加工が施された200μm厚みの透明ポリイミド系フィルム(三菱瓦斯化学株式会社製、ネオプリムL)に代えて、耐熱性基材として、有機無機ハイブリッド構造を有するシルセスキオキサンを基本骨格としたフィルムである、100μm厚の新日鐵化学社製のシルプラス(登録商標)H100を用いた以外は同様にして、基材(エ)を作製した。なお、基材(エ)の平滑層1および平滑層2の表面粗さを、JIS B 0601(2001年)で規定される方法に準拠して測定した結果、Raで1nm、Rzで20nmであった。なお、表面粗さの測定は、上記基材(ア)の測定に用いたのと同様の方法で行った。第1ガスバリア層の塗布面は平滑層1の面とした。
中間層を形成しなかったこと以外は、上記実施例1−8のガスバリア性フィルムと同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。すなわち、第1ガスバリア層を形成した後、連続してそのまま第2ガスバリア層を形成した。
中間層を形成しなかったこと以外は、上記実施例1−1のガスバリア性フィルムと同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。すなわち、第1ガスバリア層を形成した後、連続してそのまま第2ガスバリア層を形成した。
中間層を形成せず、さらにガスバリア層のVUV光照射条件として、積算照射エネルギーを4500mJ/cm2に変更したこと以外は、上記実施例1−1のガスバリア性フィルムと同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。すなわち、第1ガスバリア層を形成した後、連続してそのまま第2ガスバリア層を形成した。
中間層において、疎水性の金属化合物粒子としての前記化学式S2で表される化合物を含まないこと以外は、上記実施例1−5と同様にして中間層(ML8)を形成することにより、ガスバリア性フィルムを作製した。すなわち、中間層(ML8)は疎水性の金属化合物粒子および疎水性材料を含んでおらず、親水性である。
中間層に含まれる各成分、および各成分の質量比率、ならびに中間層の形成方法を変更したこと以外は、上記実施例1−1と同様にしてガスバリア性フィルムを作製した。中間層(ML9)に含まれる成分、および中間層(ML9)の形成方法は以下の通りである。
(水蒸気バリア性評価試料の作製装置)
蒸着装置:日本電子(株)製真空蒸着装置JEE−400
恒温恒湿度オーブン:Yamato Humidic ChamberIG47M
(原材料)
水分と反応して腐食する金属:カルシウム(粒状)
水蒸気不透過性の金属:アルミニウム(φ3〜5mm、粒状)
(水蒸気バリア性評価試料の作製)
真空蒸着装置(日本電子製真空蒸着装置 JEE−400)を用い、実施例1−1〜1−10および比較例1−1〜1−5で作製したガスバリア性フィルムのガスバリア層表面に、マスクを通して12mm×12mmのサイズで金属カルシウムを蒸着させた。
得られた試料を60℃、90%RHの高温高湿下で保存し、保存時間に対して金属カルシウムが腐食して行く様子を観察した。観察は5時間ごとに行い、12mm×12mmの金属カルシウム蒸着面積に対する金属カルシウムが腐食した面積を%表示で算出した。金属カルシウムが腐食した面積が20%を超えた時間を腐食の進行が始まった、すなわちガスバリア層とその直下の層との剥離が顕著となった時間の指標とし、表1−1および1−2に示した。なお、「ガスバリア層形成条件」の項目は、第1ガスバリア層および第2ガスバリア層の形成VUV照射条件を示すものであり、本実施例において、第1ガスバリア層および第2ガスバリア層の形成条件は同条件とした。
上記作製した実施例1−1〜1−10および比較例1−1〜1−5のガスバリア性フィルムについて、220℃で10分間の大気雰囲気下で加熱処理を施した。この際、ガスバリア性フィルムのガスバリア層表面には部材が接触しないように保持した。加熱処理後、室温の大気中に取り出し、そのまま室温まで冷却した。次いで、上記評価1の水蒸気バリア性の評価と同様にして、水蒸気バリア性評価を行った。結果を表2に示す。評価結果は、いずれの実施例も加熱処理しない場合と同様で良好であった。このように、本発明のガスバリア性フィルムは、耐熱性に優れ、かつ、非常に高いバリア性を長時間にわたって維持できており、良好な耐久性を有していることが分かる。
《有機薄膜電子デバイスの作製》
実施例1−1〜1−3、1−7および比較例1−3〜1−5のガスバリア性フィルムを封止フィルムとして用いて、図3に示すような有機薄膜電子デバイスである有機EL素子(実施例2−1〜2−4および比較例2−1〜2−3)を作製した。用いたガスバリア性フィルムは表3に示した。
(第1電極層22の形成)
各ガスバリア性フィルム21のガスバリア層4上に、厚さ150nmのITO(インジウムチンオキシド)をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、第1電極層22を形成した。なお、パターンは発光面積が50mm平方になるようなパターンとした。
第1電極層22が形成された各ガスバリア性フィルム21の第1電極層22の上に、以下に示す正孔輸送層形成用塗布液を、25℃相対湿度50%の環境下で、押出し塗布機で塗布した後、下記の条件で乾燥および加熱処理を行い、正孔輸送層23を形成した。正孔輸送層形成用塗布液は乾燥後の厚みが50nmになるように塗布した。
ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製 Bytron P AI 4083)を純水で65%、メタノール5%で希釈した溶液を正孔輸送層形成用塗布液として準備した。
正孔輸送層形成用塗布液を塗布した後、成膜面に向け高さ100mm、吐出風速1m/s、幅手の風速分布5%、温度100℃で溶媒を除去した後、引き続き、加熱処理装置を用い温度150℃で裏面伝熱方式の熱処理を行い、正孔輸送層23を形成した。
上記で形成した正孔輸送層23上に、以下に示す白色発光層形成用塗布液を、下記の条件により押出し塗布機で塗布した後、下記の条件で乾燥および加熱処理を行い、発光層24を形成した。白色発光層形成用塗布液は乾燥後の厚みが40nmになるように塗布した。
ホスト材として下記化学式H−Aで表される化合物1.0gと、ドーパント材として下記化学式D−Aで表される化合物を100mg、ドーパント材として下記化学式D−Bで表される化合物を0.2mg、ドーパント材として下記化学式D−Cで表される化合物を0.2mg、100gのトルエンに溶解し白色発光層形成用塗布液として準備した。
塗布工程を窒素ガス濃度99%以上の雰囲気で、塗布温度を25℃とし、塗布速度1m/minで行った。
白色発光層形成用塗布液を塗布した後、成膜面に向け高さ100mm、吐出風速1m/s、幅手の風速分布5%、温度60℃で溶媒を除去した後、引き続き、温度130℃で加熱処理を行い、発光層24を形成した。
上記で形成した発光層24の上に、以下に示す電子輸送層形成用塗布液を下記の条件により押出し塗布機で塗布した後、下記の条件で乾燥および加熱処理し、電子輸送層25を形成した。電子輸送層形成用塗布液は乾燥後の厚みが30nmになるように塗布した。
塗布工程は窒素ガス濃度99%以上の雰囲気で、電子輸送層形成用塗布液の塗布温度を25℃とし、塗布速度1m/minで行った。
電子輸送層は下記化学式E−Aで表される化合物を2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール中に溶解し0.5質量%溶液とし電子輸送層形成用塗布液とした。
電子輸送層形成用塗布液を塗布した後、成膜面に向け高さ100mm、吐出風速1m/s、幅手の風速分布5%、温度60℃で溶媒を除去した後、引き続き、加熱処理部で、温度200℃で加熱処理を行い、電子輸送層25を形成した。
上記で形成した電子輸送層25上に、電子注入層26を形成した。まず、基板を減圧チャンバーに投入し、5×10−4Paまで減圧した。あらかじめ、真空チャンバーにタンタル製蒸着ボートに用意しておいたフッ化セシウムを加熱し、厚さ3nmの電子注入層を形成した。
上記で形成した電子注入層26の上であって、第1電極22の取り出し電極になる部分を除く部分に、5×10−4Paの真空下で、第2電極形成材料としてアルミニウムを使用し、取り出し電極を有するように蒸着法にて、発光面積が50mm平方になるようにマスクパターン成膜し、厚さ100nmの第2電極27を積層した。
以上のように、第2電極27までが形成された各積層体を、再び窒素雰囲気に移動し、規定の大きさに、紫外線レーザーを用いて裁断し、有機EL素子を作製した。
作製した有機EL素子に、ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社製の異方性導電フィルムDP3232S9を用いて、フレキシブルプリント基板(ベースフィルム:ポリイミド12.5μm、圧延銅箔18μm、カバーレイ:ポリイミド12.5μm、表面処理NiAuメッキ)を接続した。
封止部材29として、30μm厚のアルミニウム箔(東洋アルミニウム株式会社製)に、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(12μm厚)をドライラミネーション用の接着剤(2液反応型のウレタン系接着剤)を用いラミネートした(接着剤層の厚み1.5μm)ものを用意した。
上記作製した有機EL素子(実施例2−1〜2−4および比較例2−1〜2−3)
について、下記の方法に従って、耐久性の評価を行った。
(加速劣化処理)
上記作製した各有機EL素子を、60℃、90%RHおよび85℃、85%の環境下でそれぞれ400時間の加速劣化処理を施した後、加速劣化処理を施していない有機EL素子と共に、下記の黒点に関する評価を行った。
加速劣化処理を施した有機EL素子および加速劣化処理を施していない有機EL素子に対し、それぞれ1mA/cm2の電流を印加し、24時間連続発光させた後、100倍のマイクロスコープ(株式会社モリテックス製MS−804、レンズMP−ZE25−200)でパネルの一部分を拡大し、撮影を行った。撮影画像を2mm四方に切り抜き、黒点の発生面積比率を求め、下式に従って素子劣化耐性率を算出し、下記の基準に従って耐久性を評価した。評価ランクが、◎、○であれば、実用上好ましい特性であると判定した。
◎:素子劣化耐性率が、90%以上である
○:素子劣化耐性率が、60%以上、90%未満である
△:素子劣化耐性率が、20%以上、60%未満である
×:素子劣化耐性率が、20%未満である
以上により得られた結果を、表3に示す。
2 第1ガスバリア層
3 中間層
4 第2ガスバリア層
5 ブリードアウト防止層
11 装置チャンバー
12 Xeエキシマランプ
13 エキシマランプのホルダー
14 試料ステージ
15 ポリシラザン塗布層が形成された試料
16 遮光板
21 ガスバリア性フィルム
22 第1電極層
23 正孔輸送層
24 発光層
25 電子輸送層
26 電子注入層
27 第2電極層
28 接着剤層
29 封止部材
Claims (8)
- 基材と、
ポリシラザン真空紫外線照射処理層である第1ガスバリア層と、
ポリシラザン真空紫外線照射処理層である第2ガスバリア層と、
前記第1ガスバリア層および前記第2ガスバリア層との間に配置され、かつ金属化合物粒子を含む疎水性の中間層と、
を有し、
前記中間層は、粒子径が1〜200nmである金属化合物粒子(A)と疎水性材料(B)との合計含有量を100質量%としたとき、前記金属化合物粒子(A)65〜100質量%と、前記疎水性材料(B)0〜35質量%と、を含む、ガスバリア性フィルム。 - (I)前記金属化合物粒子(A)がコロイダルシリカ粒子であり、かつ、該コロイダルシリカ粒子と前記疎水性材料(B)との合計を100質量%としたとき、前記コロイダルシリカ粒子の含有量が65〜99.9質量%である;または、
(II)前記金属化合物粒子(A)がポリオルガノシロキサン粒子またはポリオルガノシルセスキオキサン粒子であり、かつ、前記ポリオルガノシロキサン粒子またはポリオルガノシルセスキオキサン粒子と前記疎水性材料(B)との合計含有量を100質量%としたとき、前記ポリオルガノシロキサン粒子または前記ポリオルガノシルセスキオキサン粒子の含有量が65〜100質量%である、請求項1に記載のガスバリア性フィルム。 - 前記コロイダルシリカ粒子は、鎖状または数珠状の形状を有する、請求項2に記載のガスバリア性フィルム。
- 前記中間層は、少なくとも2種以上の疎水性の金属化合物粒子を含む、請求項1または2に記載のガスバリア性フィルム。
- 前記中間層の表面粗さ(Rz)は、1〜200nmの範囲である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のガスバリア性フィルム。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載のガスバリア性フィルムを用いた、電子デバイス。
- 基材上にポリシラザンを含む塗布液を塗布してポリシラザン層を形成し、真空紫外線を照射して第1ガスバリア層を形成すること、
前記第1ガスバリア層上に金属化合物粒子を含む疎水性の中間層を形成すること、および
前記中間層上にポリシラザンを含む塗布液を塗布してポリシラザン層を形成し、真空紫外線を照射して第2ガスバリア層を形成することを含み、
前記中間層が、粒子径が1〜200nmである金属化合物粒子(A)と疎水性材料(B)との合計含有量を100質量%としたとき、前記金属化合物粒子(A)65〜100質量%と、前記疎水性材料(B)0〜35質量%と、を含む、ガスバリア性フィルムの製造方法。 - 前記中間層を塗布法により形成する、請求項7に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。
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