JP2012250181A - バリアーフィルムの製造方法及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】高いバリアー性能を有するバリアーフィルムを、性能が低下することなく連続的に生産することができるバリアーフィルムの製造方法と、その製造方法で製造されたバリアーフィルムを用いた電子機器を実現する。
【解決手段】基材１上に、少なくともポリシラザンを含有する第１の塗布液を塗布し乾燥してなるポリシラザン含有層４ａを形成し、次いでポリシラザン含有層４ａ上に、第２の塗布液を塗布し乾燥してなる、ポリシラザン由来物質の拡散を抑制するための拡散抑制層５を形成した後に、拡散抑制層５に真空紫外光を照射することによって、ポリシラザン含有層４ａをバリアー層４に改質して、バリアーフィルム１０を製造するようにした。
【選択図】図１

Description

本発明は、バリアーフィルムの製造方法及びバリアーフィルムを用いた電子機器に関する。

従来、プラスチック基板やフィルムの表面に、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化珪素等の金属酸化物を含む薄膜（ガスバリアー層）を形成したガスバリアーフィルムは、水蒸気や酸素等の各種ガスによる変質を防止するため、各種ガスの遮断を必要とする物品を包装する用途で用いられている。また、上記包装用途以外にも、各種ガスによる変質を防止するために、太陽電池、液晶表示素子、有機ＥＬ素子等の電子デバイスを封止する用途にも使用されている。ガスバリアーフィルムは、ガラス基材と比べてフレキシブル性に優れており、ロール式での生産適性や、電子デバイスの軽量化および取り扱い性の点において優位である。
このようなガスバリアーフィルムを製造する方法としては、主に、プラズマＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長法、化学蒸着法）によってフィルムなどの基材上にガスバリアー層を形成する方法や、ポリシラザンを主成分とする塗布液を基材上に塗布した後に表面処理を施してガスバリアー層を形成する方法、あるいはそれらを併用する方法が知られている。

なかでも製造設備が簡易で、大気圧下で生産可能な方法として、ポリシラザンを含有する塗布液を塗布乾燥した後に、紫外線を照射することで、フィルム上にガスバリアー性を有する層を形成する方法が開示されている（例えば、特許文献１、２参照。）。
これらの発明では、高いガスバリアー性を奏するために、ポリシラザンを含む液体を塗布する湿式法でポリシラザン膜を形成する工程と、そのポリシラザン膜に真空紫外光を照射する工程を、それぞれ１回または２回以上繰り返して、基材上に薄膜を重ねて積層する技術について開示されている。
しかしながら、ポリシラザン膜に真空紫外光を照射する工程中において、ポリシラザン膜表面から昇華したポリシラザンの低分子成分や、ポリシラザンの分解により生じた成分（例えば、アンモニアガス）などが、紫外線照射の条件下で反応してしまい、その反応した成分が固化するなどして真空紫外光を発生する光源に付着し、汚染してしまうという問題があった。特に、連続的に処理を行うことによって、発生した汚染成分が徐々に光源に付着していき、徐々に光量が低下してしまい適正な照射処理を行えず、結果的に十分なバリアー性が得られなくなるという問題があった。

一方、ポリシラザンを必須成分とする組成物を用いて塗膜を形成した後に、塗膜に活性エネルギー線を照射してポリシラザンを硬化する方法において、活性エネルギー線を照射する前および／または後に、その塗膜をカバー材で覆ってポリシラザンを硬化させるという、ポリシラザンの硬化方法が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。

特開平１０−２７９３６２号公報 特開２００９−２５５０４０号公報 特開２００３−２７５６７１号公報

しかしながら、上記特許文献３の方法では、カバー材の密着だけでは、ポリシラザン膜から発生する物質を十分に抑制することは困難であった。また、フィルム状のカバー材を用いる場合にはポリシラザン膜が受けるべき紫外線の多くがカバー材に吸収されてしまうために、カバー材を用いない場合と比べて、紫外線の強度を強めなければならなかった。さらには、ポリシラザンの硬化処理が終了後には、このカバー材が不要な廃材として残るという欠点があった。

本発明の目的は、高いバリアー性能を有するバリアーフィルムを、性能が低下することなく連続的に生産することができるバリアーフィルムの製造方法と、その製造方法によって製造されたバリアーフィルムを用いた電子機器を提供することである。

以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、バリアーフィルムの製造方法であって、
基材上に、少なくともポリシラザンを含有する第１の塗布液を塗布し乾燥してなるポリシラザン含有層を形成し、次いで前記ポリシラザン含有層上に、第２の塗布液を塗布し乾燥してなるポリシラザン由来物質の拡散を抑制するための拡散抑制層を形成した後に、前記拡散抑制層に真空紫外光を照射することによって、前記ポリシラザン含有層をバリアー層に改質することを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のバリアーフィルムの製造方法において、
前記第２の塗布液は、ポリシラザンを含有しており、
前記第１の塗布液と前記第２の塗布液のうち、少なくとも前記第２の塗布液は、ポリシラザンの少なくとも一部を酸化珪素化合物に転化させる反応を促進する触媒を含有していることを特徴とする。

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載のバリアーフィルムの製造方法において、
前記第１の塗布液と前記第２の塗布液とでは、前記第２の塗布液の方が固形分濃度比が高いことを特徴とする。

請求項４に記載の発明は、請求項２に記載のバリアーフィルムの製造方法において、
前記第１の塗布液と前記第２の塗布液とでは、前記第２の塗布液の方が触媒濃度比が高いことを特徴とする。

請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の何れか一項に記載のバリアーフィルムの製造方法において、
前記バリアー層の厚みを、前記拡散抑制層の厚みの３倍以上１０倍以下となるように形成することを特徴とする。

請求項６に記載の発明は、請求項１〜５の何れか一項に記載のバリアーフィルムの製造方法において、
前記拡散抑制層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒの少なくとも１つを含む金属化合物を含有することを特徴とする。

請求項７に記載の発明は、電子機器であって、
請求項１〜６の何れか一項に記載のバリアーフィルムの製造方法によって得られたバリアーフィルムと、前記バリアーフィルムによって封止された電子デバイスを備えることを特徴とする。

本発明によれば、高いバリアー性能を有するバリアーフィルムを、性能が低下することなく連続的に生産することができるバリアーフィルムの製造方法と、バリアーフィルムを用いたバリアー性に優れた電子機器を得ることができる。

本発明に係るバリアーフィルムの一例を示す説明図であり、２層構成のガスバリアー層を有するバリアーフィルムを示している。 本発明に係るバリアーフィルムの一例を示す説明図であり、４層構成のガスバリアー層を有するバリアーフィルムを示している。 ポリシラザン含有層上に形成した拡散抑制層を介して真空紫外光を照射して、ポリシラザン含有層をバリアー層に改質する工程の説明図である。 バリアーフィルムの製造装置の一例を示す概略図である。 バリアーフィルムを用いて有機ＥＬ素子を封止した有機ＥＬパネルの一例を示す断面図である。

以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。

本発明のバリアーフィルムは、例えば、樹脂フィルムなどの基材上に、少なくともポリシラザンを含有する塗布液を塗布し乾燥するなどして設けられたバリアー層を備えており、更にバリアー層の上にポリシラザン由来物質の拡散を抑制するための拡散抑制層を具備しているガスバリアーフィルムである。
このバリアー層は、ポリシラザンを含む液体を塗布し乾燥することでポリシラザン含有層を形成した後に、そのポリシラザン含有層上に形成した拡散抑制層を介して真空紫外光を照射することによって、ポリシラザン含有層を改質してなるポリシラザン改質バリアー層である。
また、基材の平滑性や、基材に対するバリアー層（ポリシラザン含有層）の密着性を向上させるための中間層として、平滑層やアンカーコート層を基材の表面に設けてもよい。
また、基材に傷や汚れが付くことを防止するため耐傷層や、樹脂製の基材が加熱された際に内部から表面へモノマーやオリゴマー等の低分子量成分が析出してしまう、いわゆるブリードアウトを抑制する目的でのブリードアウト防止層を基材の表面に設けてもよい。

具体的に、本発明に係るバリアーフィルム１０は、例えば、図１に示すように、基材１の一方の面に平滑層３を備え、その平滑層３上に、バリアー層４と拡散抑制層５が順に積層されてなる２層構成のガスバリアー層を備えている。また、基材１の他方の面にはブリードアウト防止層２を備えている。
また、本発明に係るバリアーフィルム１１は、例えば、図２に示すように、基材１の一方の面に平滑層３を備え、その平滑層３上に、バリアー層４、拡散抑制層５、バリアー層４、拡散抑制層５を順に積層してなる４層構成のガスバリアー層を備えている。また、基材１の他方の面にブリードアウト防止層２を備えている。

以下、本発明のバリアーフィルム１０、１１の構成について詳細に説明する。

（基材）
本実施形態のバリアーフィルムにおける基材１は、可撓性を有する折り曲げ可能なフィルム基材である。この基材１は、ガスバリアー性を有する構成層や各種機能層などを保持することができるフィルム材料であれば特に限定されるものではない。

基材１に用いる樹脂材料としては、例えば、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアリレート、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ナイロン（Ｎｙ）、芳香族ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド等の樹脂材料からなる樹脂フィルム、有機無機ハイブリッド構造を有するシルセスキオキサンを基本骨格とした耐熱透明フィルム（製品名シルプラス、新日鐵化学株式会社製）、さらには上記したフィルム材料を２層以上積層して成る樹脂フィルム等を用いることができる。
これら樹脂フィルムのうち、コストや入手の容易性の点では、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等のフィルムが好ましく用いられる。
また、デバイスを封止する加工工程で高温処理が必要な場合には、耐熱性と透明性を両立した透明ポリイミドのフィルム、例えば東洋紡株式会社製、透明ポリイミド系フィルム・タイプＨＭや、三菱瓦斯化学株式会社製、透明ポリイミド系フィルム・ネオプリムＬ Ｌ−３４３０などを好ましく用いることができる。
この基材１の厚さは５〜５００μｍ程度が好ましく、さらに好ましくは２５〜２５０μｍである。
また、基材１は透明であることが好ましい。基材１が透明であって基材１上に形成する各種層も透明にすれば、光透過性を有するバリアーフィルムとすることが可能となる。基材１が光透過性を有すれば、有機ＥＬ素子の発光光を透過させたり、太陽電池へ向かう太陽光を通過させたりすることが可能になるので、有機ＥＬ素子や太陽電池を封止する封止フィルム（透明基板）として好適に用いることができる。

また、上記の樹脂材料を用いた基材１は、未延伸フィルムでもよく、延伸フィルムでもよい。
また、上記の樹脂材料からなる基材１は、従来公知の一般的な製法により製造することが可能である。例えば、材料となる樹脂を押し出し機により溶融し、環状ダイやＴダイにより押し出して急冷することにより、実質的に無定形で配向していない未延伸の基材を製造することができる。また、未延伸の基材を一軸延伸、テンター式逐次二軸延伸、テンター式同時二軸延伸、チューブラー式同時二軸延伸等の公知の方法により、基材の流れ（縦軸）方向、または基材の流れ方向と直角（横軸）方向に延伸することにより延伸基材を製造することができる。この場合の延伸倍率は、基材の原料となる樹脂に合わせて適宜選択することできるが、縦軸方向及び横軸方向にそれぞれ２〜１０倍であることが好ましい。

（アンカーコート層）
また、本実施形態における基材１の表面には、バリアー層４や平滑層３との密着性を向上させるためのアンカーコート層を形成してもよい。
このアンカーコート層に用いられるアンカーコート剤としては、ポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、エチレンビニルアルコール樹脂、ビニル変性樹脂、エポキシ樹脂、変性スチレン樹脂、変性シリコン樹脂、及びアルキルチタネート等を、１種または２種以上併せて使用することができる。これらのアンカーコート剤には、従来公知の添加剤を加えることもできる。そして、上記のアンカーコート剤は、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、ディップコート、スプレーコート等の公知の方法により基材上にコーティングし、溶剤、希釈剤等を乾燥除去することによりアンカーコート層を形成することができる。
このアンカーコート剤の塗布量としては、乾燥状態で０．１〜５ｇ／ｍ^２程度が好ましい。

（平滑層）
また、本実施形態における基材１の表面には平滑層３を設けてもよい。平滑層３は基材１の一方の面上に形成されている。
平滑層３は、微小な突起等が存在する基材１の粗面を平坦化し、基材１表面の突起等によって基材１に成膜するバリアー層４（ポリシラザン含有層４ａ）などに凹凸やピンホールが生じないようにするために設けられる。このような平滑層３は、例えば、感光性樹脂を硬化させて形成される。
この平滑層３の形成に用いられる感光性樹脂としては、例えば、ラジカル反応性不飽和結合を有するアクリレート化合物を含有する樹脂組成物、アクリレート化合物とチオール基を有するメルカプト化合物を含有する樹脂組成物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、グリセロールメタクリレート等の多官能アクリレートモノマーを溶解させた樹脂組成物等が挙げられる。また、上記のような樹脂組成物の任意の混合物を使用することも可能であり、光重合性不飽和結合を分子内に１個以上有する反応性モノマーを含有している感光性樹脂であれば特に制限はない。反応性モノマーは、１種または２種以上の混合物として、あるいは、その他の化合物との混合物として使用することができる。
また、感光性樹脂の組成物は、光重合開始剤を含有する。光重合開始剤は、１種または２種以上の組み合わせで使用することができる。

この平滑層３を基材１の表面に形成する方法は、特に制限はないが、例えば、スピンコーティング法、スプレー法、ブレードコーティング法、ディップ法等のウェットコーティング法、あるいは、蒸着法等のドライコーティング法により形成することが好ましい。
また、平滑層３を形成する際に必要に応じて、上記した感光性樹脂に酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等の添加剤を加えることができる。また、形成した平滑層３への成膜性向上や、平滑層３に成膜された膜のピンホール発生防止等のために適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。
なお、感光性樹脂を溶媒に溶解または分散させた塗布液を用いて平滑層３を形成する際に使用する溶媒としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール類、α−もしくはβ−テルピネオール等のテルペン類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジエチルケトン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン等のケトン類、トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、セロソルブ、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、２−メトキシエチルアセテート、シクロヘキシルアセテート、２−エトキシエチルアセテート、３−メトキシブチルアセテート等の酢酸エステル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、ジプロピレングリコールジアルキルエーテル、３−エトキシプロピオン酸エチル、安息香酸メチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。

また、平滑層３の平滑性は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１で規定される表面粗さで表現される値で、最大断面高さＲｔ（ｐ）が、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であることが好ましい。Ｒｔが１０ｎｍよりも小さい場合には、後述する珪素化合物（ポリシラザン溶液）を塗布する段階で、ワイヤーバー、ワイヤレスバー等の塗布方式で平滑層表面に塗工手段が接触する場合に、塗布性が損なわれる場合がある。また、Ｒｔが３０ｎｍよりも大きい場合には、後述する珪素化合物（ポリシラザン溶液）を塗布した後の凹凸を平滑化することが難しくなる場合がある。

また、平滑層３を形成する際に加える添加剤としての好ましい態様のひとつは、感光性樹脂中に、表面に光重合反応性を有する感光性基が導入された反応性シリカ粒子（以下、単に「反応性シリカ粒子」ともいう）を含むものである。ここで、光重合性を有する感光性基としては、（メタ）アクリロイルオキシ基に代表される重合性不飽和基等を挙げることができる。また感光性樹脂は、この反応性シリカ粒子の表面に導入された光重合反応性を有する感光性基と光重合反応可能な化合物、例えば、重合性不飽和基を有する不飽和有機化合物を含むものであってもよい。また感光性樹脂としては、このような反応性シリカ粒子や重合性不飽和基を有する不飽和有機化合物に適宜汎用の希釈溶剤を混合することによって固形分を調整したものを用いることができる。
ここで、反応性シリカ粒子の平均粒子径としては、０．００１〜０．１μｍの平均粒子径であることが好ましい。平均粒子径をこのような範囲にすることにより、後述する平均粒子径１〜１０μｍの無機粒子からなるマット剤と組合せて用いることによって、防眩性と解像性とをバランスよく満たす光学特性と、ハードコート性とを兼ね備えた平滑層３を形成し易くなる。なお、このような効果をより得易くする観点からは、さらに平均粒子径が０．００１〜０．０１μｍの反応性シリカ粒子を用いることがより好ましい。
本実施形態における平滑層３中には、上述の様な無機粒子を質量比として２０％以上６０％以下含有することが好ましい。２０％以上添加することで、バリアー層４との密着性が向上する。一方６０％を超えると、フィルムを湾曲させたり、加熱処理を行った場合にクラックが生じたり、バリアーフィルムの透明性や屈折率等の光学的物性に影響を及ぼすことがある。
なお、本実施形態では、重合性不飽和基修飾加水分解性シランが、加水分解性シリル基の加水分解反応によって、シリカ粒子との間に、シリルオキシ基を生成して化学的に結合しているようなものを、反応性シリカ粒子として用いることができる。加水分解性シリル基としては、例えば、アルコキシリル基、アセトキシリル基等のカルボキシリレートシリル基、クロシリル基等のハロゲン化シリル基、アミノシリル基、オキシムシリル基、ヒドリドシリル基等が挙げられる。重合性不飽和基としては、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基、プロペニル基、ブタジエニル基、スチリル基、エチニイル基、シンナモイル基、マレート基、アクリルアミド基等が挙げられる。
本実施形態において、平滑層３の厚さとしては、１〜１０μｍ、好ましくは２〜７μｍであることが望ましい。１μｍ以上にすることにより、平滑層３を有するバリアーフィルムとしての平滑性を十分なものにし易くなり、１０μｍ以下にすることにより、バリアーフィルムの光学特性のバランスを調整し易くなると共に、平滑層３をバリアーフィルムの一方の面にのみ設けた場合におけるそのバリアーフィルムのカールを抑え易くすることができるようになる。

（バリアー層）
本実施形態におけるバリアー層４には、ポリシラザンを含む液体を塗布し乾燥した塗膜（ポリシラザン含有層４ａ）に真空紫外光を照射することによってバリアー性を有するポリシラザン改質層に転化した層を用いることができる。
特に、基材１にバリアー層４を形成する方法としては、ポリシラザンを含む液体（第１の塗布液）を塗布し乾燥して形成したポリシラザン含有層４ａ上に、後述の拡散抑制層５を積層し、その拡散抑制層５の塗膜面側から真空紫外光を照射することによって、ポリシラザン含有層４ａをバリアー層４に改質して形成する方法が挙げられる。

（ポリシラザンを含む液体の塗布）
本発明で用いられる「ポリシラザン」とは、珪素−窒素結合を持つポリマーで、Ｓｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｈ、Ｎ−Ｈ等の結合を有するＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４及び両方の中間固溶体ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ等のセラミック前駆体無機ポリマーである。
そのポリシラザンを含む液体を塗布する塗布方法としては、従来公知の適切な方法が採用され得る。具体例としては、スピンコート法、ロールコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、グラビア印刷法等が挙げられる。塗布厚さは、目的に応じて適切に設定され得る。例えば、塗布厚さは、乾燥後の厚さが１ｎｍ〜１００μｍ程度であることが好ましく、さらに好ましくは１０ｎｍ〜１０μｍ程度、最も好ましくは１０ｎｍ〜１μｍ程度である。

また、ポリシラザンとしては、基材１の性状を損なわないように塗布するために、比較的低温でセラミック化してシリカに変性する化合物が好ましく、例えば、特開平８−１１２８７９号公報に記載の下記一般式（１）で表される単位からなる主骨格を有する化合物が好ましい。

上記一般式（１）において、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基またはアルコキシ基を表す。
本発明では、得られるガスバリアー膜（バリアー層４）としての緻密性の観点から、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３の全てが水素原子であるパーヒドロポリシラザンが特に好ましい。
また、そのＳｉと結合する水素原子部分の一部がアルキル基等で置換されたオルガノポリシラザンは、メチル基等のアルキル基を有することにより下地である基材１との接着性が改善され、かつ硬くてもろいポリシラザンによるセラミック膜に靭性を持たせることができ、より膜厚（平均膜厚）を厚くした場合でもクラックの発生が抑えられる利点がある。そこで用途に応じて適宜、パーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンを選択してよく、混合して使用することもできる。

パーヒドロポリシラザンは、直鎖構造と、６及び８員環を中心とする環構造が存在した構造と推定されている。その分子量は数平均分子量（Ｍｎ）で約６００〜２０００程度（ポリスチレン換算）で、液体または固体の物質があり、その状態は分子量により異なる。これらは有機溶媒に溶解した溶液状態で市販されており、市販品をそのままポリシラザン含有塗布液として使用することができる。
低温でセラミック化するポリシラザンの他の例としては、上記一般式（１）で表される単位からなる主骨格を有するポリシラザンに、珪素アルコキシドを反応させて得られる珪素アルコキシド付加ポリシラザン（例えば、特開平５−２３８８２７号公報参照）、グリシドールを反応させて得られるグリシドール付加ポリシラザン（例えば、特開平６−１２２８５２号公報参照）、アルコールを反応させて得られるアルコール付加ポリシラザン（例えば、特開平６−２４０２０８号公報参照）、金属カルボン酸塩を反応させて得られる金属カルボン酸塩付加ポリシラザン（例えば、特開平６−２９９１１８号公報参照）、金属を含むアセチルアセトナート錯体を反応させて得られるアセチルアセトナート錯体付加ポリシラザン（例えば、特開平６−３０６３２９号公報参照）、金属微粒子を添加して得られる金属微粒子添加ポリシラザン（例えば、特開平７−１９６９８６号公報参照）等が挙げられる。
ポリシラザンを含有する塗布液を調製する有機溶媒としては、ポリシラザンと容易に反応するようなアルコール系や水分を含有するものを用いることは好ましくない。従って、具体的には、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒、ハロゲン化炭化水素溶媒や、脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル類が使用できる。詳しくは、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、ソルベッソ、ターベン等の炭化水素、塩化メチレン、トリクロロエタン等のハロゲン炭化水素、ジブチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類等がある。これらの有機溶媒は、ポリシラザンの溶解度や有機溶媒の蒸発速度等の特性にあわせて選択し、複数の有機溶媒を混合してもよい。
ポリシラザン含有の塗布液中におけるポリシラザン濃度は、目的とするポリシラザン含有層４ａ（バリアー層４）の膜厚や塗布液のポットライフによっても異なるが、０．２〜３５質量％程度であることが好ましい。
ポリシラザン含有の塗布液中には、ポリシラザンが酸化珪素化合物へ転化する反応を促進するため、アミンや金属の触媒を添加することもできる。具体的には、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製のアクアミカ ＮＡＸ１２０−２０、ＮＮ１１０、ＮＮ３１０、ＮＮ３２０、ＮＬ１１０Ａ、ＮＬ１２０Ａ、ＮＬ１５０Ａ、ＮＰ１１０、ＮＰ１４０、ＳＰ１４０等が挙げられる。

（触媒）
ポリシラザン含有層４ａをバリアー層４に改質するために、ポリシラザン含有層４ａ中のポリシラザンの少なくとも一部を酸化珪素化合物に転化させる反応を促進する触媒を用いてもよい。
本発明に好ましく用いられる前記触媒は、特開平１０−２７９３６２号公報に記載のニッケル、チタン、白金、ロジウム、コバルト、鉄、ルテニウム、オスミウム、パラジウム、イリジウム、アルミニウムの群から選択される少なくとも１種の金属を含む金属カルボン酸塩を反応させて得られる金属カルボン酸塩、またニッケル、白金、パラジウム又はアルミニウムを含むアセチルアセトナート錯体、またＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉをはじめとする金属の微粒子、またメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、プロピルアミン、ジプロピルアミン、トリプロピルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ペンチルアミン、ジペンチルアミン、トリペンチルアミン、ヘキシルアミン、ジヘキシルアミン、トリヘキシルアミン、ヘプチルアミン、ジヘプチルアミン、トリヘプチルアミン、オクチルアミン、ジオクチルアミン、トリオクチルアミン、フェニルアミン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、等が挙げられる。なお、これらアミン化合物に含まれる炭化水素鎖は、直鎖であっても分枝鎖であってもよい。またピリジン類の具体例として、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、ピペリジン、ルチジン、ピリミジン、ピリダジン、等が挙げられる。さらに、ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕−７−ウンデセン）、ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ〔４．３．０〕−５−ノネン）、等も使用することができる。また酸化合物の具体例としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、マレイン酸、ステアリン酸、等の有機酸、塩酸、硝酸、硫酸、過酸化水素、等の無機酸、等が挙げられる。
これら触媒のポリシラザンに対する添加量は、ポリシラザンを含む液体（例えば第１の塗布液）中の固形分濃度比率として、ポリシラザン重量に対して０ｐｐｍ以上５％未満であることが好ましい。さらに好ましくは、１００ｐｐｍ以上３％以下である。

本発明に用いるポリシラザン含有の塗布液（第１の塗布液）により形成されたポリシラザン含有層４ａは、改質処理前または改質処理中に含まれる水分の量が制御されていることが好ましい。
改質処理前または改質処理中にポリシラザン含有層４ａ中に入りうる水分の供給としては、例えば塗布基材表面からの移行、あるいは雰囲気中の水蒸気の吸収がある。基材側からポリシラザン含有層４ａ中に移行する水分の制御は、ポリシラザン含有の塗布液を塗布する前に基材を一定の温度湿度環境下で保存して、含水量を所望の値に制御することができる。所望の値は、後述の雰囲気中の湿度によって異なるが、通常、重量として１０００ｐｐｍ以下、好ましくは、３００ｐｐｍ以下である。
ポリシラザン含有の塗布液（第１の塗布液）を基材上に塗布乾燥する工程においては、主に有機溶媒を取り除くため、乾燥条件を熱処理等の方法で適宜決めることができ、熱処理温度は迅速処理の観点から高い温度であることが好ましいが、樹脂フィルムである基材１に対する熱ダメージを考慮し、温度と処理時間を適宜決定することが好ましい。例えば、基材１として、ガラス転位温度（Ｔｇ）が７０℃のポリエチレンテレフタレート基材を用いる場合には、熱処理温度は１５０℃以下を設定することができる。処理時間は溶媒が除去され、かつ基材１への熱ダメージが少なくなるように短時間に設定することが好ましく、熱処理温度が１５０℃以下であれば３０分以内に設定することができる。
ポリシラザン含有の塗布液（第１の塗布液）を基材上に塗布乾燥する工程における雰囲気は、比較的低湿に制御されていることが好ましいが、低湿度環境における湿度は温度により変化するので、温度と湿度の関係は露点温度の規定により好ましい形態が示される。好ましい露点温度は４℃以下（温度２５℃／湿度２５％）で、より好ましい露点温度は−８℃（温度２５℃／湿度１０％）以下、さらに好ましい露点温度は−３１℃（温度２５℃／湿度１％）以下である。また、水分を取り除きやすくするため、減圧乾燥してもよい。減圧乾燥における圧力は常圧〜０．１ＭＰａを選ぶことができる。

（ポリシラザンの改質処理・真空紫外光照射処理）
本発明におけるポリシラザンの改質処理とは、ポリシラザン化合物の一部または全部が、酸化珪素または酸化窒化珪素への転化する反応をいう。
この改質処理は、ポリシラザンの転化反応に基づく公知の方法を選ぶことができる。ポリシラザン化合物の置換反応による酸化珪素膜または酸化窒化珪素膜の形成には４５０℃以上の高温が必要であり、樹脂フィルムを基材１に用いたフレキシブル基板においては、適応が難しい。従って、本発明のバリアーフィルムを作製するに際しては、プラスチック基板への適応という観点から、より低温で、転化反応が可能な紫外光を使う転化反応が好ましい。

本発明におけるバリアーフィルムの製造方法において、水分が取り除かれたポリシラザン塗膜（ポリシラザン含有層４ａ）は紫外光照射による処理で改質される。紫外線（紫外光と同義）によって生成されるオゾンや活性酸素原子は高い酸化能力を有しており、低温で高い緻密性と絶縁性を有する酸化珪素膜または酸化窒化珪素膜を形成することが可能である。
この紫外光照射により、セラミックス化に寄与するＯ_２とＨ_２Ｏや、紫外線吸収剤、ポリシラザン自身が励起、活性化される。そして、励起したポリシラザンのセラミックス化が促進され、得られるセラミックス膜が緻密になる。紫外光照射は、塗膜形成後であればいずれの時点で実施しても有効である。
本発明での真空紫外光照射処理には、常用されているいずれの紫外線発生装置を使用することが可能である。なお、本発明でいう紫外光とは、一般には、真空紫外光とよばれる１０〜２００ｎｍの波長を有する電磁波を含む紫外光をいう。

真空紫外光の照射は、照射される改質前のポリシラザン含有層４ａを担持している基材１がダメージを受けない範囲で、照射強度や照射時間を設定することが好ましい。
基材１にプラスチックフィルムを用いた場合を例にとると、例えば、２ｋＷ（８０Ｗ／ｃｍ×２５ｃｍ）のランプを用い、基材表面の強度が２０〜３００ｍＷ／ｃｍ^２、好ましくは５０〜２００ｍＷ／ｃｍ^２になるように基材−紫外線照射ランプ間の距離を設定し、０．１秒〜１０分間の照射を行うことができる。
一般に、紫外線照射処理時の基材温度が１５０℃以上になると、プラスチックフィルム等の場合には、基材１が変形したりその強度が劣化したりするなど、基材１の特性が損なわれることになる。しかしながら、ポリイミド等の耐熱性の高いフィルムなどの場合には、より高温での改質処理が可能である。従って、この紫外線照射時の基材温度としては、一般的な上限はなく、基材１の種類によって当業者が適宜設定することができる。また、紫外線照射雰囲気に特に制限はなく、空気中で実施すればよい。
このような紫外線の発生手段としては、例えば、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、エキシマランプ、ＵＶ光レーザー等が挙げられるが、特に限定されない。また、発生させた紫外線を改質前のポリシラザン含有層４ａに照射する際には、効率向上と均一な照射を達成する観点から、発生源からの紫外線を反射板で反射させてから改質前のポリシラザン含有層４ａに当てることが望ましい。
紫外線照射は、バッチ処理にも連続処理にも適合可能であり、使用する基材１の形状によって適宜選定することができる。ポリシラザン含有層４ａを有する基材１が長尺フィルム状である場合には、これを搬送させながら上記のような紫外線発生源を具備した乾燥ゾーンで連続的に紫外線を照射することによりセラミックス化することができる。紫外線照射に要する時間は、使用する基材１やポリシラザン改質層（ポリシラザン含有層４ａ、バリアー層４）の組成、濃度にもよるが、一般に０．１秒〜１０分であり、好ましくは０．５秒〜３分である。
また、真空紫外光（ＶＵＶ）を照射する際の、酸素濃度は３００ｐｐｍ〜１００００ｐｐｍ（１％）とすることが好ましく、更に好ましくは、５００ｐｐｍ〜５０００ｐｐｍである。このような酸素濃度の範囲に調整することにより、酸素過多のバリアー層４の生成を防止してバリアー性の劣化を防止することができる。
真空紫外光（ＶＵＶ）照射時にこれら酸素以外のガスとしては乾燥不活性ガスを用いることが好ましく、特にコストの観点から乾燥窒素ガスにすることが好ましい。
酸素濃度の調整は照射庫内へ導入する酸素ガス、不活性ガスの流量を計測し、流量比を変えることで調整可能である。

具体的に、本発明における改質前のポリシラザン含有層４ａの改質処理方法は、真空紫外光照射による処理である。真空紫外光照射による処理は、ポリシラザン化合物内の原子間結合力より大きい１００〜２００ｎｍの光エネルギーを用い、好ましくは１００〜１８０ｎｍの波長の光のエネルギーを用い、原子の結合を光量子プロセスと呼ばれる光子のみの作用により、直接切断しながら活性酸素やオゾンによる酸化反応を進行させることで、比較的低温で酸化珪素膜の形成を行う方法である。これに必要な真空紫外光源としては、希ガスエキシマランプが好ましく用いられる。
なお、Ｘｅ、Ｋｒ、Ａｒ、Ｎｅ等の希ガスの原子は化学的に結合して分子を作らないため、不活性ガスと呼ばれる。しかし、放電等によりエネルギーを得た希ガスの原子（励起原子）は他の原子と結合して分子を作ることができる。希ガスがキセノンの場合には、
ｅ＋Ｘｅ→ｅ＋Ｘｅ^＊
Ｘｅ^＊＋Ｘｅ＋Ｘｅ→Ｘｅ_２ ^＊＋Ｘｅ
となり、励起されたエキシマ分子であるＸｅ_２ ^＊が基底状態に遷移するときに１７２ｎｍのエキシマ光（真空紫外光）を発光する。
エキシマランプの特徴としては、放射が一つの波長に集中し、必要な光以外がほとんど放射されないので効率が高いことが挙げられる。また、余分な光が放射されないので、対象物の温度を低く保つことができる。さらには始動・再始動に時間を要さないので、瞬時の点灯点滅が可能である。

エキシマ発光を得るには、誘電体バリアー放電を用いる方法が知られている。誘電体バリアー放電とは、両電極間に誘電体（エキシマランプの場合は透明石英）を介してガス空間を配し、電極に数１０ｋＨｚの高周波高電圧を印加することによりガス空間に生じる雷に似た非常に細いｍｉｃｒｏ ｄｉｓｃｈａｒｇｅと呼ばれる放電である
また、効率よくエキシマ発光を得る方法としては、誘電体バリアー放電以外には無電極電界放電も知られている。無電極電界放電とは、容量性結合による放電であり、別名ＲＦ放電とも呼ばれる。ランプと電極及びその配置は、基本的には誘電体バリアー放電と同じでよいが、両極間に印加される高周波は数ＭＨｚで点灯される。無電極電界放電はこのように空間的にまた時間的に一様な放電が得られる。
そして、Ｘｅエキシマランプは、波長の短い１７２ｎｍの紫外線を単一波長で放射することから発光効率に優れている。この光は、酸素の吸収係数が大きいため、微量な酸素でラジカルな酸素原子種やオゾンを高濃度で発生することができる。また、有機物の結合を解離させる波長の短い１７２ｎｍの光のエネルギーは能力が高いことが知られている。この活性酸素やオゾンと紫外線放射が持つ高いエネルギーによって、短時間でポリシラザン膜の改質を実現できる。従って、波長１８５ｎｍ、２５４ｎｍの紫外線を発する低圧水銀ランプやプラズマ洗浄と比べて、高スループットに伴うプロセス時間の短縮や設備面積の縮小、熱によるダメージを受けやすい有機材料やプラスチック基板、樹脂フィルム等への照射を可能としている。
また、エキシマランプは光の発生効率が高いため、低い電力の投入で点灯させることが可能である。また、光による温度上昇の要因となる波長の長い光は発せず、紫外線領域で単一波長のエネルギーを照射するため、照射対象物の表面温度の上昇が抑えられる特徴を有する。このため、熱の影響を受けやすいとされるポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムを基材１とするバリアーフィルムへの照射に適している。

しかしながら、このようなエキシマランプは、ポリシラザンを改質する効率、特にバリアー性を有する酸化珪素膜または酸化窒化珪素膜への改質効率が高い反面、真空紫外光照射時のエネルギーによって、塗膜であるポリシラザン含有層４ａ中のポリシラザンの一部の昇華や、ポリシラザンが雰囲気中の水、酸素と反応した副生成物の発生を伴う。
これら発生した物質（昇華したポリシラザンや副生成物）がエキシマランプの真空紫外光によって更に反応するなどして、エキシマランプとポリシラザン含有層４ａの間の空間で、酸化珪素または酸化窒化珪素化合物や、アンモニアまたは硝酸塩などを含有した化合物を生成することがある。そのため、ポリシラザン含有層４ａが露出している面にエキシマランプで紫外光を直に照射した場合、エキシマランプとポリシラザン含有層４ａの間の空間で生成した反応生成物の固体成分がエキシマランプ表面に付着してしまう汚染が生じることにより、真空紫外光の照度が低下してしまうことがあるという問題がある。
このようなエキシマランプの汚染を抑制する手段としては、例えば、ポリシラザン含有層４ａを形成する第１の塗布液に前述の触媒を、塗布液中の固形分濃度比率としてポリシラザン重量に対し５％以上添加することが有効である。ポリシラザン含有層４ａを形成する第１の塗布液に、その塗布液中の固形分濃度比率としてポリシラザン重量に対し５％以上の触媒を添加すると、真空紫外光照射時にポリシラザン含有層４ａからポリシラザンの昇華などが殆ど生じなくなる。ただし、ポリシラザン含有層４ａを改質してなるバリアー層４に残留する触媒量が多くなると、十分なバリアー性が確保することが困難となるので、エキシマランプの汚染防止を図ることと、十分なバリアー性を有するバリアー層４を得ることの両立が難しい。
そこで、例えば、図３に示すように、ポリシラザン含有層４ａ上に、そのポリシラザン含有層４ａを覆う拡散抑制層５を形成した後に、拡散抑制層５の表面側から、例えばエキシマランプ９０ａで真空紫外光を照射することによって、ポリシラザン含有層４ａからポリシラザン由来物質が拡散することを抑制して、エキシマランプ９０ａの汚染を防ぐという本発明の手法が有効となる。こうすることによって、ポリシラザン含有層４ａ中の触媒含有量を低減する（例えば、ポリシラザン重量に対し５％未満、好ましくは１％）こと、あるいは触媒を不使用（０％）にすることが可能になる。

（拡散抑制層）
本実施形態における拡散抑制層５は、基材１上にポリシラザンを含有する塗布液（第１の塗布液）を塗布し乾燥してなるポリシラザン含有層４ａを形成した後、真空紫外光を照射する際にポリシラザン含有層４ａから発生するポリシラザン由来物質の拡散を抑制する目的で、ポリシラザン含有層４ａ上に積層される層である。つまり、拡散抑制層５は、ポリシラザン含有層４ａから真空紫外光照射時に一時的に発生する成分を遮断、吸収、もしくは拡散速度の抑制を行うことにより真空紫外光光源の汚染を抑制するための層である。
この拡散抑制層５は、ポリシラザン含有層４ａ上に第２の塗布液を塗布し乾燥することによって形成することができる。

本発明の拡散抑制層５に用いられる化合物は、有機または無機の化合物で、紫外〜可視光領域において透明な被膜であることが好ましく、有機の樹脂としては、ポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、エチレンビニルアルコール樹脂、ビニル変性樹脂、エポキシ樹脂、変性スチレン樹脂、変性シリコン樹脂、アセタール樹脂等を、１または２種以上併せて使用することができる。これらの樹脂には、従来公知の添加剤を加えることもできる。そして、上記の化合物材料（樹脂）は、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、ディップコート、スプレーコート等の公知の方法によりプラスチックフィルム上にコーティングし、溶剤、希釈剤等を乾燥除去することによりアンカーコーティングすることができる。その塗布量としては、０．０１〜１ｇ／ｍ^２（乾燥状態）程度が好ましい。
また、本発明に用いられる拡散抑制層５は、真空紫外光の吸収や真空紫外光が照射されることによる着色が少ない点から無機化合物がより好ましく用いられる。無機化合物として好ましく用いられるものとしては、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒの少なくとも１種を含む金属化合物であり、例えば金属アルコキシド、シラン化合物、シラザン化合物、金属ハロゲン化物等が挙げられる。

以下に、拡散抑制層５に用いることができる化合物の具体例を示すが、これらに限定されない。また、下記の化合物を単独または組み合わせて用いてもよく、その他の有機または無機化合物と混合した組成であってもよい。
例えば、テトラクロロシラン、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、パーヒドロポリシラザン、メチルポリシラザン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、テトライソシアネートシラン、メチルトリイソシアネートシラン等のシラン化合物などが挙げられる。

あるいは下記の一般式（２）（３）（４）で示されるような有機チタン化合物などが挙げられる。一般式中、Ｒはアルキル基。

また、チタンテトラ−２−エチルヘキソキシド、チタンジイソプロポキシビス（アセチルアセトネート）、チタンテトラアセチルアセトネート、チタンジオクチロキシビス（オクチレングリコレート）、チタンジイソプロポキシビス（エチルアセトアセテート）、チタンジイソプロポキシビス（トリエタノールアミネート）、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテート、ポリヒドロキシチタンステアレート等のような有機チタン化合物が挙げられる。

あるいは、下記の一般式（５）（６）（７）で示されるような有機ジルコニウム化合物などが挙げられる。一般式中、Ｒはアルキル基。

また、ジルコニウムテトラノルマルプロポキシド、ジルコニウムテトラノルマルブトキシド、ジルコニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウムトリブトキシモノアセチルアセトネート、ジルコニウムモノブトキシアセチルアセトネートビス（エチルアセトアセテート）、ジルコニウムジブトキシビス（エチルアセトアセテート）、ジルコニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウムトリブトキシモノステアレート等のような有機ジルコニウム化合物が挙げられる。

また、拡散抑制層５に好ましく用いられる化合物の一つとしては、ポリシラザンが挙げられ、前述のポリシラザン含有層４ａに添加される触媒を含有することがさらに好ましい。例えば、拡散抑制層５を形成するための塗布液（第２の塗布液）が含有する触媒量は、ポリシラザンを含む液体（第２の塗布液）中の固形分濃度比率として、ポリシラザン重量に対して５％以上２０％以下であることが好ましい。さらに好ましくは、５％以上１０％以下である。例えば、拡散抑制層５を形成する第２の塗布液に前述の触媒を、塗布液中の固形分濃度比率としてポリシラザン重量に対し５％以上添加すると、真空紫外光照射時にポリシラザンの昇華などが殆ど生じなくなる。
さらに好ましい態様としては、拡散抑制層５を形成するための塗布液（第２の塗布液）がポリシラザンと触媒を含有し、その塗布液中の固形分濃度比（例えば、触媒濃度比）が、ポリシラザン含有層４ａを形成するための塗布液（第１の塗布液）よりも拡散抑制層用の塗布液（第２の塗布液）の方が高いことである。この態様により、バリアー層４が含有する触媒濃度を低く抑えて良好なバリアー性を確保しつつ、比較的高い触媒濃度を有する拡散抑制層５によって真空紫外線照射時のポリシラザン由来物質の拡散を抑制することが可能になる。

（拡散抑制層に含まれうるその他の成分）
拡散抑制層５には、常温で固体の有機または無機の化合物を添加することができる。特に、化合物が常温で液体の場合には、その添加物が拡散抑制層５に安定して保持されるものであれば公知の熱可塑性樹脂、熱または光硬化性樹脂、無機微粒子化合物を用いることができる。

（拡散抑制層の積層方法）
本発明の拡散抑制層５は、基材１上に設けられたポリシラザン含有層４ａの上に積層される。
拡散抑制層５の形成方法としては、水分と反応性のある無機化合物を用いる場合には、水分含有率の低い溶媒にその化合物を溶解、分散した液（第２の塗布液）を低湿度環境下で塗布し乾燥することによって形成することが好ましい。ここで低湿度環境における湿度は温度により変化するので、温度と湿度の関係は露点温度の規定により好ましい形態が示される。好ましい露点温度は４℃以下（温度２５℃／湿度２５％）で、より好ましい露点温度は−８℃（温度２５℃／湿度１０％）以下、さらに好ましい露点温度は−３１℃（温度２５℃／湿度１％）以下である。

また、本発明の拡散抑制層５の厚みは、真空紫外光に対する透過度によるが、通常１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、好ましくは１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。本発明の拡散抑制層の厚みが、当該範囲にあれば、塗布膜の均一性を確保し易くなり、また、バリアー層４の受ける真空紫外光量が十分に満たされ易くなる。

本発明において、拡散抑制層５の厚みは、ポリシラザンを改質した後のバリアー層４の厚みと比較した場合、バリアー層４の厚みを拡散抑制層５の厚みの３倍以上１０倍以下とするように形成することが好ましい。
当該範囲にあれば、バリアー層４のガスバリアー性が高くなり易く、さらには、バリアー層４から拡散する成分を拡散抑制層５が抑制し易くなる。

（ブリードアウト防止層）
また、本実施形態における基材１の下面側の表面には、ブリードアウト防止層２を形成してもよい。
ブリードアウト防止層２は、平滑層３を有するフィルムを加熱した際に、基材１中からその表面に未反応のオリゴマー等が移行して、フィルム表面を汚染する現象を抑制する目的で、平滑層３を有する基材１の反対面に設けられる。ブリードアウト防止層２は、この機能を有していれば、基本的に平滑層３と同じ構成をとっても構わない。
ブリードアウト防止層２に含ませることが可能な重合性不飽和基を有する不飽和有機化合物としては、分子中に２個以上の重合性不飽和基を有する多価不飽和有機化合物、あるいは分子中に１個の重合性不飽和基を有する単価不飽和有機化合物等を挙げることができる。
その他の添加剤として、マット剤を含有してもよい。マット剤としては、平均粒子径が０．１〜５μｍ程度の無機粒子が好ましい。このような無機粒子としては、シリカ、アルミナ、タルク、クレイ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化ジルコニウム等の１種または２種以上を併せて使用することができる。なお、無機粒子からなるマット剤は、ハードコート剤の固形分１００質量部に対して２質量部以上、好ましくは４質量部以上、より好ましくは６質量部以上、２０質量部以下、好ましくは１８質量部以下、より好ましくは１６質量部以下の割合で混合されていることが望ましい。

また、ブリードアウト防止層２には、ハードコート剤及びマット剤の他の成分として熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電離放射線硬化性樹脂、光重合開始剤等を含有させてもよい。
熱可塑性樹脂としては、アセチルセルロース、ニトロセルロース、アセチルブチルセルロース、エチルセルロース、メチルセルロース等のセルロース誘導体、酢酸ビニル及びその共重合体、塩化ビニル及びその共重合体、塩化ビニリデン及びその共重合体等のビニル系樹脂、ポリビニルホルマール、ポリビニルブチラール等のアセタール系樹脂、アクリル樹脂及びその共重合体、メタクリル樹脂及びその共重合体等のアクリル系樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂、線状ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、アクリルポリオールとイソシアネートプレポリマーとからなる熱硬化性ウレタン樹脂、フェノール樹脂、尿素メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。
電離放射線硬化性樹脂としては、光重合性プレポリマーもしくは光重合性モノマー等の１種または２種以上を混合した電離放射線硬化塗料に、電離放射線（紫外線または電子線）を照射することで硬化するものを使用することができる。ここで光重合性プレポリマーとしては、１分子中に２個以上のアクリロイル基を有し、架橋硬化することにより３次元網目構造となるアクリル系プレポリマーが特に好ましく使用される。このアクリル系プレポリマーとしては、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレート、メラミンアクリレート等が使用できる。また光重合性モノマーとしては、上記に記載した多価不飽和有機化合物等が使用できる。
光重合開始剤としては、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、ベンゾイン、ベンジルメチルケタール、ベンゾインベンゾエート、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−（４−モルフォリニル）−１−プロパン、α−アシロキシムエステル、チオキサンソン類等が挙げられる。

以上のようなブリードアウト防止層２は、ハードコート剤、マット剤及び必要に応じて添加される他の成分を配合して、所定の希釈溶剤を加えて塗布液として調製し、その塗布液を基材１の表面に従来公知の塗布方法によって塗布した後、電離放射線を照射して硬化させることにより形成することができる。なお、電離放射線を照射する方法としては、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク、メタルハライドランプ等から発せられる１００〜４００ｎｍ、好ましくは２００〜４００ｎｍの波長領域の紫外線を照射する手法、または走査型やカーテン型の電子線加速器から発せられる１００ｎｍ以下の波長領域の電子線を照射する手法により行うことができる。
本実施形態におけるブリードアウト防止層２の厚さとしては、１〜１０μｍ、好ましくは２〜７μｍであることが望ましい。１μｍ以上にすることにより、バリアーフィルムとしての耐熱性を十分なものにし易くなる。１０μｍ以下にすることにより、バリアーフィルムの光学特性のバランスを調整し易くなると共に、平滑層３をバリアーフィルムの一方の面に設けた場合におけるそのバリアーフィルムのカールを抑え易くすることができるようになる。

（バリアーフィルムの製造装置）
本発明に係るバリアーフィルムの製造方法に用いられるバリアーフィルムの製造装置１００は、例えば、図４に示すように、基材１の巻き取りと繰り出しを行って基材１を搬送するロール・トゥ・ロールの搬送手段（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）と、少なくともポリシラザンを含有するバリアー層用の第１の塗布液を塗布する第１塗布ユニット５０と、溶媒や水分を乾燥させて除去する第１乾燥ユニット６０と、拡散抑制層用の第２の塗布液を塗布する第２塗布ユニット７０と、溶媒や水分を乾燥させて除去する第２乾燥ユニット８０と、真空紫外光を照射するエキシマランプ９０ａが配設されたエキシマ処理ユニット９０等を備えている。
以下に、このバリアーフィルムの製造装置１００によるバリアーフィルムの製造方法の概要を説明する。

（バリアーフィルムの製造工程、製造方法）
第１の搬送ローラ１Ａにロール状に巻き取られている基材１を支持ローラ１Ｃでガイドしつつ第２の搬送ローラ１Ｂに向けて搬送する。なお、この基材１の上面には平滑層３、下面にはブリードアウト防止層２が形成されている。
まず、基材１に形成された平滑層３上に第１塗布ユニット５０で、例えばポリシラザンおよび触媒を含む第１の塗布液を塗布した後、第１乾燥ユニット６０で溶媒を除去して乾燥し、ポリシラザン含有層４ａを形成する。
その後続けて基材１を搬送し、基材１の平滑層３上に成膜されたポリシラザン含有層４ａの上に第２塗布ユニット７０で、例えばポリシラザンおよび触媒を含む第２の塗布液を塗布した後、第２乾燥ユニット８０で溶媒を除去して乾燥し、拡散抑制層５を形成する。
さらに続けて基材１を搬送し、基材１上に形成された拡散抑制層５側から、エキシマ処理ユニット５０で真空紫外光を照射しエキシマ処理を施して、ポリシラザン含有層４ａを改質してバリアー層４を形成する。なお、拡散抑制層５も同時にエキシマ処理される。
そして、完成したガスバリアフィルム（１０）を第２の搬送ローラ１Ｂに巻き取る。
このような工程順の製造方法によって、バリアーフィルム１０を製造することができる。

（電子機器としての有機ＥＬパネル）
本発明に係るバリアーフィルム１０（１１）は、太陽電池、液晶表示素子、有機ＥＬ素子等の電子デバイスを封止する封止フィルムとして用いることができる。
このバリアーフィルム１０を封止フィルムとして用いた電子機器である有機ＥＬパネル２０の一例を図５に示す。
有機ＥＬパネル２０は、図５に示すように、バリアーフィルム１０と、バリアーフィルム１０上に形成されたＩＴＯなどの透明電極６と、透明電極６を介してバリアーフィルム１０上に形成された有機ＥＬ素子７と、その有機ＥＬ素子７を覆うように接着剤層８を介して配設された対向フィルム９等を備えている。なお、透明電極６は、有機ＥＬ素子７の一部を成すともいえる。
このバリアーフィルム１０におけるバリアー層４及び拡散抑制層５が形成された面に、透明電極６と有機ＥＬ素子７が形成されるようになっている。
また、対向フィルム９は、アルミ箔などの金属フィルムのほか、本発明に係るバリアーフィルムを用いてもよい。対向フィルム９にバリアーフィルムを用いる場合、バリアー層４及び拡散抑制層５が形成された面を有機ＥＬ素子７に向けて、接着剤層８によって貼付するようにすればよい。

（有機ＥＬ素子）
有機ＥＬパネル２０において、バリアーフィルム１０（１１）で封止される有機ＥＬ素子７について説明する。
以下に有機ＥＬ素子７の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（４）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（５）陽極／陽極バッファー層（正孔注入層）／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）／陰極

（陽極）
有機ＥＬ素子７における陽極（透明電極６）としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜として形成し、その薄膜をフォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましい。また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。また、陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

（陰極）
有機ＥＬ素子７における陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が陰極として好適である。
陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。また、陰極の膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子７の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば、発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極の説明で挙げた上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。

（注入層：電子注入層、正孔注入層）
注入層には電子注入層と正孔注入層があり、電子注入層と正孔注入層を必要に応じて設け、陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させる。
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。
陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、特開平９−２６００６２号公報、特開平８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、特開平９−１７５７４号公報、特開平１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的には、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。

（発光層）
有機ＥＬ素子７における発光層は、電極（陰極、陽極）または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
有機ＥＬ素子７の発光層には、以下に示すドーパント化合物（発光ドーパント）とホスト化合物（発光ホスト）が含有されることが好ましい。これにより、より一層発光効率を高くすることができる。
（発光ドーパント）
発光ドーパントは、大きく分けて蛍光を発光する蛍光性ドーパントとリン光を発光するリン光性ドーパントの２種類がある。
蛍光性ドーパントの代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
リン光性ドーパントの代表例としては、好ましくは元素の周期表で８属、９属、１０属の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
発光ドーパントは複数種の化合物を混合して用いてもよい。
（発光ホスト）
発光ホスト（単にホストとも言う）とは、２種以上の化合物で構成される発光層中にて混合比（質量）の最も多い化合物のことを意味し、それ以外の化合物については「ドーパント化合物（単に、ドーパントとも言う）」という。例えば、発光層を化合物Ａ、化合物Ｂという２種で構成し、その混合比がＡ：Ｂ＝１０：９０であれば化合物Ａがドーパント化合物であり、化合物Ｂがホスト化合物である。更に発光層を化合物Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃの３種から構成し、その混合比がＡ：Ｂ：Ｃ＝５：１０：８５であれば、化合物Ａ、化合物Ｂがドーパント化合物であり、化合物Ｃがホスト化合物である。
発光ホストとしては構造的には特に制限はないが、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、またはカルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体（ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも一つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。）等が挙げられる。中でも、カルボリン誘導体、ジアザカルバゾール誘導体等が好ましく用いられる。
そして、発光層は上記化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により成膜して形成することができる。発光層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。この発光層はドーパント化合物やホスト化合物が１種または２種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。

（正孔輸送層）
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。

（電子輸送層）
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する電子輸送材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
電子輸送材料としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。

（有機ＥＬ素子の作製方法）
有機ＥＬ素子７の作製方法について説明する。
ここでは有機ＥＬ素子７の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製方法について説明する。
まず、バリアーフィルム１０上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング、プラズマＣＶＤ等の方法により形成させ、陽極を作製する。
次に、その上に有機ＥＬ素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の有機化合物薄膜を形成させる。この有機化合物薄膜の成膜方法としては、蒸着法、ウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法）等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法が特に好ましい。更に層毎に異なる成膜法を適用してもよい。成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１０^−６〜１０^−２Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚０．１ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子が得られる。
この有機ＥＬ素子７の作製は、一回の真空引きで一貫して陽極、正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。また、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
このようにして得られた有機ＥＬ素子７を備える多色の表示装置（有機ＥＬパネル２０）に、直流電圧を印加する場合には、陽極をプラス、陰極をマイナスの極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

以下、具体的な実施例を挙げて本発明のバリアーフィルムを詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量％」を表す。

（基材の作製）
熱可塑性樹脂支持体であって、両面に易接着加工された７５μｍ厚みのポリエステルフィルム（東洋紡績株式会社製、コスモシャインＡ４３００）を基材１として用い、下記に示すように、片面にブリードアウト防止層２、反対面に平滑層３を作製して用いた。
（ブリードアウト防止層の形成）
上記基材１の片面に、ＪＳＲ株式会社製 ＵＶ硬化型有機／無機ハイブリッドハードコート材ＯＰＳＴＡＲ Ｚ７５３５を、乾燥後の膜厚が４μｍになるようにワイヤーバーで塗布した後、空気下で高圧水銀ランプ使用１．０Ｊ／ｃｍ^２の硬化条件、８０℃×３分の乾燥条件で硬化を行い、ブリードアウト防止層２を形成した。
（平滑層の形成）
続けて上記基材１の反対面に、ＪＳＲ株式会社製 ＵＶ硬化型有機／無機ハイブリッドハードコート材ＯＰＳＴＡＲ Ｚ７５０１を、乾燥後の膜厚が４μｍになるようにワイヤーバーで塗布した後、乾燥条件８０℃×３分で乾燥し、その後、空気雰囲気下で高圧水銀ランプ使用１．０Ｊ／ｃｍ^２の硬化条件で硬化を行い、平滑層３を形成した。
得られた平滑層３のＪＩＳ Ｂ ０６０１で規定される表面粗さで、最大断面高さＲｔ（ｐ）は１６ｎｍであった。
表面粗さは、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で、極小の先端半径の触針を持つ検出器で連続測定した凹凸の断面曲線から算出され、極小の先端半径の触針により測定方向が３０μｍの区間内を多数回測定し、微細な凹凸の振幅に関する平均の粗さである。
このように、ブリードアウト防止層２と平滑層３が形成された基材１を「Ｂ０」とした。

次いで、パーヒドロポリシラザン（アクアミカ ＮＮ１２０−１０、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製）の１０質量％ジブチルエーテル溶液と、アミン触媒のＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサンの１０質量％ジブチルエーテル溶液を、９９対１の割合で混合した液体（第１の塗布液）を、ワイヤレスバーにて、乾燥後の（平均）膜厚が、１５０ｎｍとなるように「Ｂ０」の平滑層３上に塗布し、温度２５℃、露点−５℃の乾燥空気で１分間乾燥して塗布試料を得た（塗布工程）。得られた塗布試料を、温度８５℃、露点−５℃の乾燥空気で２分間処理し、基材１上面の平滑層３上にポリシラザン含有層４ａを形成した試料「Ｂ１」を得た。

［第１の実施例］
（比較例、試料１）
上記、試料Ｂ１（拡散抑制層５が形成されていない試料）の表面に下記装置、条件で真空紫外光照射（エキシマ改質処理）を行い、ポリシラザン含有層４ａを改質してバリアー層４を形成した。
・エキシマ改質処理
ポリシラザン塗膜を乾燥し、ポリシラザン含有層４ａを形成した後（拡散抑制層５は形成せず）の上記試料に対し、下記の装置、条件でエキシマ改質処理を施してポリシラザン含有層４ａを改質してバリアー層４を形成した。改質処理時の露点温度は−２０℃で実施した（エキシマ処理工程）。
・改質処理装置
（株）エム・ディ・コム製エキシマ照射装置ＭＯＤＥＬ：ＭＥＣＬ−Ｍ−１−２００
波長：１７２ｎｍ
ランプ封入ガス：Ｘｅ
・改質処理条件
エキシマ光強度 ：１３０ｍＷ／ｃｍ^２（１７２ｎｍ）
試料と光源の距離 ：２ｍｍ
ステージ加熱温度 ：９５℃
照射装置内の酸素濃度：０．３％
エキシマ光照射時のステージ搬送速度：１０ｍｍ／秒
エキシマ光照射時のステージ搬送回数：６往復

（比較例、試料２）
上記、試料１の表面（バリアー層４上）に、パーヒドロポリシラザン（アクアミカ ＮＮ１２０−１０、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製）の１０質量％ジブチルエーテル溶液と、アミン触媒のＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサンの１０質量％ジブチルエーテル溶液を、９５対５の割合で混合した液体（第２の塗布液）を、ワイヤレスバーにて、乾燥後の（平均）膜厚が、１７ｎｍとなるように塗布し、温度２５℃、露点−５℃の乾燥空気で１分間乾燥して塗布試料を得た（塗布工程）。得られた塗布試料を、温度８５℃、露点−５℃の乾燥空気で２分間処理し、真空紫外光で改質前のポリシラザン塗布膜を形成した。
続けて、そのポリシラザン塗布膜を乾燥した後の上記試料に対し、下記の装置、条件でエキシマ改質処理を施してポリシラザン塗布膜を改質し、ポリシラザン改質層である拡散抑制層５を形成した。改質処理時の露点温度は−２０℃で実施した（エキシマ処理工程）。
・改質処理装置
（株）エム・ディ・コム製エキシマ照射装置ＭＯＤＥＬ：ＭＥＣＬ−Ｍ−１−２００
波長：１７２ｎｍ
ランプ封入ガス：Ｘｅ
・改質処理条件
エキシマ光強度 ：１３０ｍＷ／ｃｍ^２（１７２ｎｍ）
試料と光源の距離 ：２ｍｍ
ステージ加熱温度 ：９５℃
照射装置内の酸素濃度：０．３％
エキシマ光照射時のステージ搬送速度：１０ｍｍ／秒
エキシマ光照射時のステージ搬送回数：１０往復

（比較例、試料３）
上記試料２において、ポリシラザン塗布膜（拡散抑制層５）に対してエキシマ改質処理を行わないものを試料３とした。

（本発明、試料４）
上記試料２における試料Ｂ１のポリシラザン含有層４ａに対して、エキシマ改質処理を行わなかった以外は同様にして作製したものを試料４とした。
つまり、試料４では、ポリシラザン含有層４ａとポリシラザン塗布膜（拡散抑制層５）に対して同時にエキシマ改質処理を行った。

（本発明、試料５）
上記試料４における試料Ｂ１の塗布液（第１の塗布液）に関して、下記に変更した以外は同様にして作製したものを試料５とした。
パーヒドロポリシラザン（アクアミカ ＮＮ１２０−１０、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製）の１０質量％ジブチルエーテル溶液と、アミン触媒のＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサンの１０質量％ジブチルエーテル溶液を、９７対３の割合で混合した液体を用いた。

（本発明、試料６）
上記試料４における試料Ｂ１の塗布液（第１の塗布液）に関して、下記に変更した以外は同様にして作製したものを試料６とした。
パーヒドロポリシラザン（アクアミカ ＮＮ１２０−１０、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製）の１０質量％ジブチルエーテル溶液と、アミン触媒のＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサンの１０質量％ジブチルエーテル溶液を、９６対４の割合で混合した液体を用いた。

（比較例、試料７）
上記試料６における試料Ｂ１に対して、比較例の試料１と同様な条件でエキシマ改質処理を施した以外は同様にして作製したものを試料７とした。

（本発明、試料８）
上記試料４における試料Ｂ１の塗布液（第１の塗布液）に関して、下記に変更した以外は同様にして試料８を作製した。
パーヒドロポリシラザン（アクアミカ ＮＮ１２０−１０、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製）の１０質量％ジブチルエーテル溶液からなる液体（触媒を含まない）を用いた。

（比較例、試料９）
上記試料１においてエキシマ改質処理を行う前に、トリエチルアミン及び蒸留水を室温のまま窒素でバブリングさせてトリエチルアミンガスを発生させたゾーン（３０℃、４０％ＲＨ）の中を搬送させ、ポリシラザン含有層４ａをトリエチルアミンガスに２分間暴露した。次いで、試料１と同一条件でエキシマ改質処理を行い、水蒸気雰囲気（９５℃、６０％ＲＨ）の加湿炉内を通過させることによって、ポリシラザン含有層４ａ（バリアー層４）を３分間水蒸気雰囲気に暴露して試料９を作製した。

［第２の実施例］
上述した第１の実施例の試料４におけるバリアー層４の厚み（１５０ｎｍ）と、拡散抑制層５の厚み（１７ｎｍ）を、表２に示す値に変更した以外は同様にして作製したものを試料１０〜２０（本発明）とした。
＜各層の膜厚の測定方法＞
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による断面観察により、各層の膜厚を１０箇所測定し、平均した値を膜厚とした。
（膜厚方向の断面のＴＥＭ画像）
断面ＴＥＭ観察として、観察試料を以下のＦＩＢ加工装置により薄片作成後、ＴＥＭ観察を行った。
（ＦＩＢ加工）
装置：ＳＩＩ製ＳＭＩ２０５０
加工イオン：（Ｇａ ３０ｋＶ）
試料厚み：１００ｎｍ〜２００ｎｍ
（ＴＥＭ観察）
装置：日本電子製ＪＥＭ２０００ＦＸ（加速電圧：２００ｋＶ）

［第３の実施例］
上述した第１の実施例の試料４における拡散抑制層に用いた第２の塗布液を下記組成に変更した以外は同様にして作製したものを試料２１〜２９（本発明）とした。

（本発明、試料２１）
パラジウム触媒を含有したパーヒドロポリシラザン（アクアミカ ＮＬ１２０Ａ、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製）の１０質量％ジブチルエーテル溶液を用いた。

（本発明、試料２２）
３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−９０３ 信越化学工業（株）製）の１０質量％トルエン希釈溶液を用いた。

（本発明、試料２３）
チタンブトキシダイマー（オルガチックスＴＡ−２２ マツモトファインケミカル（株）製）の１０質量％トルエン希釈溶液を用いた。

（本発明、試料２４）
ジルコウニウムテトラアセチルアセトネート（オルガチックスＺＣ−１５０ マツモトファインケミカル（株）製）の１０質量％トルエン溶液を用いた。

（本発明、試料２５）
チタンオリゴマー（オルガチックスＰＣ−６８５ マツモトファインケミカル（株）製）の１０質量％ブタノール希釈溶液を用いた。

（本発明、試料２６）
ポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢＬ−１ 積水化学（株）製）の脱水トルエン／メチルエチルケトン＝１／１の３質量％溶液を用いた。

（本発明、試料２７）
ポリエステル樹脂（バイロン２００ 東洋紡績（株）製）の脱水トルエン／メチルエチルケトン＝１／１の３質量％溶液を用いた。

（本発明、試料２８）
ハイドロジェンシルセスキオキサン（ＦＯＸ−１４ 東レ・ダウコーニング（株）製）の１０質量％ＭＩＢＫ溶液を用いた。

（本発明、試料２９）
３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−９０３ 信越化学工業（株）製）の１０質量％トルエン希釈溶液と、チタンオリゴマー（オルガチックスＰＣ−６８５ マツモトファインケミカル（株）製）の１０質量％ブタノール希釈溶液の１：１質量比の混合液を用いた。

以上のように作製したバリアーフィルムの試料１〜２９について、バリアーフィルムとしての性能評価を行った。
バリアーフィルムの性能評価は、バリアー性（水蒸気透過率；ＷＶＴＲ）と、バリアーフィルムに起因する有機ＥＬ素子の発光斑の、２つの評価項目について行った。
また、バリアーフィルムの試料１〜２９を製造する製造方法についての評価は、エキシマランプなどの光量低下率に基づいて行った。

（バリアー性の評価）
以下の測定方法に従って、各試料のバリアーフィルムの水蒸気バリアー性（水蒸気透過率；ＷＶＴＲ）を評価した。
特に、バリアーフィルムの試料１〜２９を製造する際のエキシマ照射処理において、エキシマ処理ユニット９０におけるエキシマランプ９０ａに未使用品（新品、初期のランプ）を用いた場合と、バリアーフィルムを１０ｍ^２製造することに使用した後のエキシマランプ９０ａ（１０ｍ^２処理後のランプ）を用いた場合の、それぞれの水蒸気バリアー性（水蒸気透過率；ＷＶＴＲ）について評価した。
・装置
蒸着装置：日本電子（株）製真空蒸着装置ＪＥＥ−４００
恒温恒湿度オーブン：Ｙａｍａｔｏ Ｈｕｍｉｄｉｃ ＣｈａｍｂｅｒＩＧ４７Ｍ
水分と反応して腐食する金属：カルシウム（粒状）
水蒸気不透過性の金属：アルミニウム（φ３〜５ｍｍ、粒状）
・水蒸気バリアー性評価用セルの作製
真空蒸着装置（日本電子製真空蒸着装置 ＪＥＥ−４００）を用い、バリアーフィルム試料１〜２９の拡散抑制層５（あるいはバリアー層４）の表面に金属カルシウムを蒸着させた。その後、乾燥窒素ガス雰囲気下で、厚さ０．２ｍｍの石英ガラスに封止用紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス製）を介して金属カルシウム蒸着面を対面させて接着し、紫外線を照射することで、評価用セルを作製した。
得られた試料（評価用セル）を４０℃、９０％ＲＨの高温高湿下で保存し、特開２００５−２８３５６１号公報に記載の方法に基づき、金属カルシウムの腐食量からセル内に透過した水分量を計算した。
なお、バリアーフィルム面以外からの水蒸気の透過がないことを確認するために、比較試料としてバリアーフィルム試料の代わりに、厚さ０．２ｍｍの石英ガラス板を用いて金属カルシウムを蒸着した試料を、同様な４０℃、９０％ＲＨの高温高湿下保存を行い、１００００時間経過後でも金属カルシウム腐食が発生しないことを確認した。
こうして測定された各試料のバリアーフィルムの水分量を下記の５段階に分類し、バリアー性を評価した。
５：水分量が１×１０^−４ｇ／ｍ^２／ｄａｙ未満
４：水分量が１×１０^−４ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以上、１×１０^−３ｇ／ｍ^２／ｄａｙ未満
３：水分量が１×１０^−３ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以上、１×１０^−２ｇ／ｍ^２／ｄａｙ未満
２：水分量が１×１０^−２ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以上、１×１０^−１ｇ／ｍ^２／ｄａｙ未満
１：水分量が１×１０^−１ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以上

（有機ＥＬ素子の発光斑の評価）
作製した試料１〜２９の拡散抑制層５（あるいはバリアー層４）上に、以下の方法により透明導電膜を作製した。
・透明導電膜の形成
プラズマ放電装置としては電極が平行平板型のものを用い、この電極間に上記各試料のバリアーフィルムを載置し、且つ混合ガスを導入して薄膜形成を行った。なお、アース（接地）電極としては、２００ｍｍ×２００ｍｍ×２ｍｍのステンレス板に高密度、高密着性のアルミナ溶射膜を被覆し、その後、テトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により硬化させ封孔処理を行い、このようにして被覆した誘電体表面を研磨し、平滑にしてＲｍａｘが５μｍとなるように加工した電極を用いた。また、印加電極としては、中空の角型の純チタンパイプに対し、アース電極と同様の条件にて誘電体を被覆した電極を用いた。印加電極は複数作製し、アース電極に対向して設け放電空間を形成した。また、プラズマ発生に用いる電源としては、パール工業（株）製高周波電源ＣＦ−５０００−１３Ｍを用い、周波数１３．５６ＭＨｚで、５Ｗ／ｃｍ^２の電力を供給した。
そして、電極間に以下の組成の混合ガスを流し、プラズマ状態とし、上記のバリアーフィルムを大気圧プラズマ処理し、拡散抑制層５（あるいはバリアー層４）上に錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）膜を１００ｎｍの厚さで成膜し、透明導電膜付の試料１〜２９を得た。
放電ガス：ヘリウム ９８．５体積％
反応性ガス１：酸素 ０．２５体積％
反応性ガス２：インジウムアセチルアセトナート １．２体積％
反応性ガス３：ジブチル錫ジアセテート ０．０５体積％
・有機ＥＬ素子の作製
得られた透明導電膜付の試料１〜２９の１００ｍｍ×１００ｍｍを基板とし、これにパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けたバリアーフィルム基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥した。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにα−ＮＰＤ（下記の式（８））を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてＣＢＰ（下記の式（９））を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにバソキュプロイン（ＢＣＰ（下記の式（１０）））を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＩｒ−１（下記の式（１１））を１００ｍｇ入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＡｌｑ_３（下記の式（１２））を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。

次いで、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板に蒸着し、正孔輸送層を設けた。更にＣＢＰとＩｒ−１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／秒、０．０１２ｎｍ／秒で前記正孔輸送層上に共蒸着して発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。更にＢＣＰの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記発光層の上に蒸着して膜厚１０ｎｍの正孔阻止層を設けた。その上に、更にＡｌｑ_３の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔阻止層の上に蒸着して、更に膜厚４０ｎｍの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
引き続き、フッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、それぞれ透明導電膜付の試料１〜２９を用いた有機ＥＬ素子試料１〜２９を作製した。
・有機ＥＬ素子試料の封止
窒素ガス（不活性ガス）によりパージされた環境下で、有機ＥＬ素子試料１〜２９のアルミニウム蒸着面と、厚さ１００μmのアルミ箔を対面させる様にして、ナガセケムテックス社製エポキシ系接着剤を用いて接着させて封止を行った。
・有機ＥＬ素子試料の評価（ダークスポット、輝度ムラ）
封止された有機ＥＬ素子試料１〜２９を４０℃、９０％ＲＨの環境下で通電を行い、ダークスポットの発生等の発光ムラの状況を、０日から１２０日までの変化を観察した。
こうして観測された各試料の発光ムラを下記の５段階に分類し、評価した。
５：０日目でダークスポット、輝度ムラは観察されず、１２０日経過後に非発光領域が全発光面積の０．１％以下で、発生したダークスポットは全て目視では用意に観察できない大きさ（０．１ｍｍ径以下）であった。
４：０日目で発生したダークスポットは、全て目視では用意に観察できない大きさ（０．１ｍｍ以下）であり、輝度ムラは観察されず、１２０日経過後に非発光領域が全発光面積の０．２％以下で、発生したダークスポットは目視では容易に観察できない大きさ（０．１ｍｍ以下）を維持した。
３：０日目で発生したダークスポットは、全て目視では用意に観察できない大きさ（０．１ｍｍ以下）であり、１２０日経過後に非発光領域が全発光面積の２％を超えた。
２：０日目に目視で判別可能なダークスポット、輝度ムラが観察され、１２０日経過後に非発光領域が全発光面積の２％を超えた。
１：０日目に目視で判別可能なダークスポット、輝度ムラの非発光領域が全発光面積の１％を超えて観察され、１２０日以内に非発光領域が全発光面積の１０％を超えた。

（連続処理による光源の光量低下率の評価）
実施例１〜３における試料１〜２９の各製造方法によって作製されるバリアーフィルム試料の総面積が１０ｍ^２となるように処理を連続的に行った後（１０ｍ^２処理後）のエキシマランプ９０ａの光量と、その処理前のエキシマランプ９０ａの初期の光量を、１７２ｎｍでの光量を測定して、１０ｍ^２処理後における光量低下率を比較した。
（光量の測定）
紫外線積算光量計（浜松ホトニクス（株）製 コントローラ Ｃ９５３６ センサヘッド Ｈ９５３５−１７２）を用いて、窒素パージにより酸素濃度を０．３％の状態でエキシマランプの管面とセンサヘッドの距離を１ｍｍとして室温（２４℃）状態のランプを点灯直後から１０分までの積算光量を測定した。
光量低下率は、（１０ｍ^２処理後の光量）／（０ｍ^２処理（処理前・初期）の光量）の算出式に基づく下記の５段階で評価した。
５：光量低下率が１％未満
４：光量低下率が１％以上、２％未満
３：光量低下率が２％以上、５％未満
２：光量低下率が５％以上、２０％未満
１：光量低下率が２０％以上

以上の評価結果（５段階評価）に関し、第１の実施例における試料１〜９の評価を表１、第２の実施例における試料１０〜２０の評価を表２、第３の実施例における試料２１〜２９の評価を表３に示す。

表１に示すように、バリアー層４（ポリシラザン含有層４ａ）上の拡散抑制層５を介して真空紫外光を照射してエキシマ改質した本発明のバリアーフィルム（試料４〜６、試料８）は、初期（未使用）のエキシマランプを用いた場合でも、連続的に改質処理した使用後（１０ｍ^２処理後）のエキシマランプを用いた場合でも、良好な水蒸気バリアー性（ＷＶＴＲ）が得られ、またエキシマランプの光量低下は殆ど起こらなかった。更に、有機ＥＬ素子の発光斑の低減も図られていることがわかる。
また、表２に示すように、バリアー層４と拡散抑制層５の厚みの比率の関係が特定の範囲内（比率Ａ／Ｂ＝３〜１０）にある本発明のバリアーフィルム（試料１１〜１４、試料１７〜１９）では、良好な水蒸気バリアー性（ＷＶＴＲ）が得られ、有機ＥＬ素子の発光斑の低減が図られていることがわかる。
さらに、表３に示すように、拡散抑制層５として、特定の無機金属化合物を含有する本発明のバリアーフィルム（試料２１〜２５、試料２８〜２９）では、良好な水蒸気バリアー性（ＷＶＴＲ）が得られ、有機ＥＬ素子の発光斑の低減が図られていることがわかる。

以上のように、拡散抑制層５をポリシラザン含有層４ａの上に設け、その拡散抑制層５を介してポリシラザン含有層４ａに真空紫外光を照射してバリアー層４に改質するという、本発明のバリアーフィルムの製造方法によれば、広い面積を連続的に製造した後でもバリアーフィルム１０（１１）の性能が低下することはない。
つまり、本発明のバリアーフィルムの製造方法によれば、高いバリアー性能を有するバリアーフィルムを、性能が低下することなく安定した性能を維持して連続的に生産することができる。
そして、安定した性能の高いバリアー性を有するバリアーフィルムを得ることができるので、そのバリアーフィルムを用いて優れた電子機器を得ることができる。

１ 基材
２ ブリードアウト防止層
３ 平滑層
４ バリアー層
４ａ ポリシラザン含有層
５ 拡散抑制層
１０、１１ バリアーフィルム
７ 有機ＥＬ素子（電子デバイス）
２０ 有機ＥＬパネル（電子機器）
１００ バリアーフィルムの製造装置
５０ 第１塗布ユニット
６０ 第１乾燥ユニット
７０ 第２塗布ユニット
８０ 第２乾燥ユニット
９０ エキシマ処理ユニット
９０ａ エキシマランプ

Claims (7)

1. 基材上に、少なくともポリシラザンを含有する第１の塗布液を塗布し乾燥してなるポリシラザン含有層を形成し、次いで前記ポリシラザン含有層上に、第２の塗布液を塗布し乾燥してなる拡散抑制層を形成した後に、前記拡散抑制層に真空紫外光を照射することによって、前記ポリシラザン含有層をバリアー層に改質することを特徴とするバリアーフィルムの製造方法。
2. 前記第２の塗布液は、ポリシラザンを含有しており、
   前記第１の塗布液と前記第２の塗布液のうち、少なくとも前記第２の塗布液は、ポリシラザンの少なくとも一部を酸化珪素化合物に転化させる反応を促進する触媒を含有していることを特徴とする請求項１に記載のバリアーフィルムの製造方法。
3. 前記第１の塗布液と前記第２の塗布液とでは、前記第２の塗布液の方が固形分濃度比が高いことを特徴とする請求項２に記載のバリアーフィルムの製造方法。
4. 前記第１の塗布液と前記第２の塗布液とでは、前記第２の塗布液の方が触媒濃度比が高いことを特徴とする請求項２に記載のバリアーフィルムの製造方法。
5. 前記バリアー層の厚みを、前記拡散抑制層の厚みの３倍以上１０倍以下となるように形成することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のバリアーフィルムの製造方法。
6. 前記拡散抑制層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒの少なくとも１つを含む金属化合物を含有することを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載のバリアーフィルムの製造方法。
7. 請求項１〜６の何れか一項に記載のバリアーフィルムの製造方法によって得られたバリアーフィルムと、前記バリアーフィルムによって封止された電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
   
   

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