TWI696553B - 附加阻氣層的成形物之製造裝置 - Google Patents

附加阻氣層的成形物之製造裝置 Download PDF

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Abstract

一種附加阻氣層的成形物之製造裝置(4),該附加阻氣層的成形物係在成形物之表面形成有阻氣層者,在製造附加阻氣層的成形物之製造裝置(4)中,係將在上述成形物上塗布阻氣材料的塗工部(6),對塗工部(6)塗布的阻氣材料進行乾燥的乾燥部(5),對經由乾燥部(5)乾燥的阻氣材料之表面進行改質的表面改質部(7)予以連設,塗工部(6)、乾燥部(5)、及表面改質部(7)係藉由分隔構件相互被區隔,在塗工部(6)、乾燥部(5)及表面改質部(7)間具備搬送上述成形物的搬送部(9)為其特徵。

Description

附加阻氣層的成形物之製造裝置
本發明關於附加阻氣層的成形物之製造裝置。
習知,作為有機EL元件用玻璃所使用的基板之替代品,具有良好阻氣性而且製造時間短等特徵的阻氣膜之製造方法等被提案(例如參照文獻1:特開2007-237588號公報)。
更具體言之,在基材上之至少一面塗布聚矽氮烷含有液之同時,對其進行加熱乾燥成為聚矽氮烷膜之後,實施常壓電漿處理或真空電漿處理的阻氣膜之製造方法。
但是,上述文獻1揭示的技術中,塗布工程、加熱乾燥工程、真空電漿處理工程係分別以獨立的工程進行,因此除生產性不佳以外,塗布液中之聚矽氮烷和空氣中之水分反應,造成阻氣膜容易產生缺點之問題。
本發明之目的在於提供附加阻氣層的成形物之製造裝置,其可以有效製造阻氣特性良好的附加阻氣層的成形 物。
本發明一態樣的附加阻氣層的成形物之製造裝置,係製造在成形物之表面形成有阻氣層之附加阻氣層的成形物者;其特徵在於連設有:塗工部,在上述成形物上塗布阻氣材料;乾燥部,使經由上述塗工部塗布的阻氣材料乾燥;及表面改質部,對經由上述乾燥部乾燥的阻氣材料之表面進行改質;上述塗工部、上述乾燥部及上述表面改質部係藉由分隔構件相互被區隔,具備搬送部,用於在上述塗工部、上述乾燥部及上述表面改質部之間搬送上述成形物。
依據該態樣的附加阻氣層的成形物之製造裝置,藉由塗工部、乾燥部及表面改質部之連設,藉由搬送部可於短時間搬送成形物,因此可以有效率地製造附加阻氣層的成形物。
又,依據該態樣的附加阻氣層的成形物之製造裝置,搬送時間變短,可以減少搬送中阻氣層與空氣中之水分起反應,因此可以防止阻氣層產生缺點等。
亦即,依據本發明一態樣可以提供附加阻氣層的成形物之製造裝置,其可以有效率地製造阻氣特性良好的附加阻氣層的成形物。
本發明一態樣的附加阻氣層的成形物之製造裝置中,上述乾燥部配置於裝置中央,上述塗工部之搬出入開口及上述表面改質部之搬出入開口配置於面對上述乾燥部的位置,上述搬送部配置於上述乾燥部內為佳。
依據該態樣,藉由塗工部在成形物表面形成阻氣層之後,藉由搬送部將成形物由塗工部取出即可開始進行乾燥部之乾燥。因此,在由塗工部至表面改質部之搬送中可於乾燥部內進行阻氣層之乾燥,可以更有效地製造附加阻氣層的成形物。
本發明一態樣的附加阻氣層的成形物之製造裝置,上述塗工部之搬出入開口、上述乾燥部之搬出入開口及上述表面改質部之搬出入開口,以面對配置有上述搬送部的空間為佳。
依據該態樣,可以獲得和上述同樣之作用及效果。
本發明一態樣的附加阻氣層的成形物之製造裝置中,較好是上述成形物係卷繞成輥狀的長尺基材,上述搬送部具備:饋出輥,饋出上述長尺基材;及卷繞輥,卷繞上述長尺基材;上述塗工部具備:支撐輥,支撐上述長尺基材;及模具塗布器(die coater),夾持上述長尺基材且和上述支撐輥呈對向配置,對上述長尺基材塗布上述阻氣材料;上述乾燥部具備:複數個搬送輥,搬送上述長尺基材;及加熱器,夾持上述長尺基材且和上述複數個搬送輥呈對向配置。
依據該態樣,藉由模具塗布器可以連續地在經由饋出輥饋出的長尺基材塗布阻氣材料,在搬送輥上藉由加熱器使阻氣材料乾燥,可以迅速地製造附加阻氣層的成形物。
本發明一態樣的附加阻氣層的成形物之製造裝置中,較好是上述表面改質部具備:電極輥,卷附有上述長尺基 材;電壓施加手段,對上述電極輥施加電壓;及電極,夾持上述長尺基材且和上述電極輥呈對向配置。
依據該態樣,在長尺基材之搬送中可以進行形成於長尺基材的阻氣層之表面改質,因此在長尺基材之搬送中可以對塗工、乾燥及表面改質等各工程之全部進行連續加工,可以更迅速地製造附加阻氣層的長尺基材。
本發明一態樣的附加阻氣層的成形物之製造裝置中,較好是另具有:測定部,對經由上述塗工部塗布的阻氣材料、經由上述乾燥部乾燥的阻氣材料及經由上述表面改質部改質的阻氣材料之至少之一進行測定。
依據該態樣,針對阻氣層之狀態,可以在塗布工程後、乾燥工程後及改質工程後之線上進行測定(在線測定(Inline measurement)),藉由在附加阻氣層的成形物之生產線內隨時對膜狀態進行管理可以實施連續的膜評估及管理,可以實現由阻氣材料之塗工至離子植入處理為止之一貫的連續製造。
本發明一態樣的附加阻氣層的成形物之製造裝置中,較好是上述測定部連設於上述塗工部、上述乾燥部及上述表面改質部,上述塗工部、上述乾燥部、上述表面改質部及上述測定部,係藉由分隔構件相互被區隔。
又,本發明一態樣的附加阻氣層的成形物之製造裝置中,較好是上述測定部配置於上述塗工部、上述乾燥部及上述表面改質部之至少之一之內部。
依據彼等之態樣,藉由塗工部、乾燥部、表面改質部 及測定部之連設,而導入在線測定的製造裝置,亦和前述同樣,可以有效率地製造附加阻氣層的成形物。進一步,依據彼等之態樣,亦和前述同樣,可以防止阻氣層產生缺點等。
本發明一態樣的附加阻氣層的成形物之製造裝置中,較好是上述成形物依據上述塗工部、上述乾燥部及上述測定部之順序被搬送。
依據該態樣,成形物依據塗工部、乾燥部及測定部之順序被搬送,因此可以測定表面改質前之阻氣層之狀態。因此,在表面改質前可以確認阻氣層是否適合表面改質之狀態。
本發明一態樣的附加阻氣層的成形物之製造裝置,成形物被卷繞成輥狀的長尺基材之態樣中,較好是上述測定部配置於上述乾燥部與上述表面改質部之間。
依據該態樣,測定部配置於上述乾燥部與上述表面改質部之間,因此可以測定表面改質前之阻氣層之狀態。因此,在表面改質前可以確認形成於長尺基材的阻氣層是否適合表面改質之狀態。
本發明一態樣的附加阻氣層的成形物之製造裝置中,較好是上述測定部對由上述阻氣層之折射率、光透過率、光反射率、色度、膜組成、膜密度、膜之缺點及膜厚構成之群選擇的至少之一進行測定。
依據該態樣,可以實施更適當的膜評估及管理。
4‧‧‧阻氣膜之製造裝置
5‧‧‧乾燥部
6‧‧‧塗工部
7‧‧‧表面改質部
8‧‧‧真空隔絕室
6A:7A:8A‧‧‧閘門開關器
8B‧‧‧搬入口
9‧‧‧搬送機器人
10‧‧‧支柱
11‧‧‧臂部
12‧‧‧基台
圖1表示藉由本發明之實施形態製造的附加阻氣層的成形物之構造的模式斷面圖。
圖2表示本發明之第1實施形態的附加阻氣層的成形物之製造裝置之構造的模式平面圖。
圖3表示上述實施形態中的塗工部之構造的模式側面圖。
圖4表示上述實施形態中的表面改質部之構造的模式側面圖。
圖5表示本發明之第2實施形態的附加阻氣層的成形物之製造裝置之構造的模式圖。
圖6表示上述實施形態中的表面改質部之構造的模式圖。
圖7表示本發明之第3實施形態的附加阻氣層的成形物之製造裝置之構造的模式平面圖。
圖8表示本發明之第4實施形態的附加阻氣層的成形物之製造裝置之構造的模式平面圖。
圖9表示本發明之第5實施形態的附加阻氣層的成形物之製造裝置之構造的模式平面圖。
圖10表示本發明之第6實施形態的附加阻氣層的成形物之製造裝置之構造的模式平面圖。
圖11表示上述第6實施形態中的塗工部之構造的模式側面圖。
圖12表示上述第6實施形態中的表面改質部之構造 的模式側面圖。
圖13表示本發明之第7實施形態中的附加阻氣層的成形物之製造裝置之構造的模式圖。
以下,依據圖面詳細說明本發明之實施形態。
[1]附加阻氣層的成形物之構成
附加阻氣層的成形物係具有阻氣層的成形物。阻氣層以形成於成形物之其中之一部位為較佳,可以依據附加阻氣層的成形物之用途適當選擇阻氣層之形成部位。例如阻氣層以形成於成形物之表面為佳。
成形物並未特別限定。成形物之例可以是板狀體、各種容器及各種電子裝置用構件。板狀體例如可以是薄膜(film)、薄片(sheet)及薄板(plate)。各種容器例如可以是食品用容器、飲料用容器、化妝品用容器、衣料用容器、醫藥品容器、食品用瓶子、飲料用瓶子、食用油瓶子、及調味料瓶子等之瓶子等。各種電子裝置用構件例如可以是有機EL元件、液晶元件、量子點元件、電子紙元件、有機太陽電池元件、薄膜電池、有機薄膜電晶體元件、有機感測元件、及微機電感測(MEMS)用元件等。本實施形態中不論是葉片之板狀體或長尺狀之板狀體均可以作為成形物使用。
以下,舉阻氣膜為例說明附加阻氣層的成形物之一 例。
圖1表示本發明之一實施形態的阻氣膜1。該阻氣膜1係藉由將阻氣層2形成於成形物3上而製造。
阻氣層2由聚矽氮烷構成,以10nm~500nm左右之厚度形成。
聚矽氮烷層之厚度在10nm~500nm左右,即可以容易控制阻氣層2之折射率,穩定地形成阻氣層2,可以獲得具有良好阻氣性或透明性(全光線透過率)的阻氣膜1。
聚矽氮烷層之厚度在10nm~500nm左右,阻氣層2之可撓性良好,而且對成形物的密接性良好。
聚矽氮烷層之厚度小於10nm時,難以控制成為均勻的厚度,有可能折射率之控制變為困難。
又,聚矽氮烷層之厚度小於10nm時,有可能阻氣膜1之機械強度降低,水蒸汽透過率增加,造成阻氣特性不足。
另一方面,聚矽氮烷層之厚度成為大於500nm之值時,有可能折射率之控制變為困難。另外,具有大於500nm的厚度之聚矽氮烷層作為阻氣層而獲得阻氣膜1時,有可能造成阻氣膜1之可撓性過度降低,阻氣層2與成形物3等之間之密接性過度降低,阻氣層2之透明性過度降低。
作為形成聚矽氮烷層所使用的聚矽氮烷材料,係分子內具有包含-Si-N-鍵結(矽氮烷鍵結)的重複單元的高分子化合物。
聚矽氮烷化合物具體言之以具有以下記一般式(1)表示的重複單元的化合物為佳。
又,使用的聚矽氮烷化合物之數平均分子量並未特別限定。聚矽氮烷化合物之數平均分子量以在100~50000之範圍內之值為佳。
Figure 105109527-A0202-12-0009-1
(一般式(1)中,Rx、Ry及Rz分別獨立表示氫原子、具有無置換或置換基的烷基、具有無置換或置換基的環烷基、具有無置換或置換基的烯基、具有無置換或置換基的芳基或烷基矽烷基等之非水解性基,下標n表示任意之自然數)。
又,作為上述「具有無置換或置換基的烷基」之烷基,例如可以是甲基、乙基、n-丙基基、異丙基基、n-丁基、異丁基、仲-丁基、叔-丁基、n-戊基、異戊基、新戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基等之碳數1~10之烷基。
又,作為上述「具有無置換或置換基的環烷基」之環烷基,可以是環丁基、環戊基、環己基、環庚基等之碳數3~10之環烷基。
又,作為上述「具有無置換或置換基的烯基」之烯基,例如可以是乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯 基、2-丁烯基、3-丁烯基等之碳數2~10之烯基。
又,作為上述烷基、環烷基、及烯基之置換基,可以是氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等之鹵素原子;羥基;巰基;環氧基;丙氧基;(甲基)丙烯醯氧基;苯基、4-甲基-苯基、4-氯苯基等之具有無置換或置換基的芳基等。
又,作為具有上述無置換或置換基的芳基,例如可以是苯基、1-萘基、2-萘基等之碳數6~10之芳基。
又,作為上述芳基之置換基,例如可以是氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等之鹵素原子;甲基、乙基等之碳數1~6之烷基;甲氧基、乙氧基等之碳數1~6之烷氧基;硝基;氰基;羥基;巰基;環氧基;丙氧基;(甲基)丙烯醯氧基;苯基、4-甲基-苯基、4-氯苯基等之具有無置換或置換基的芳基等。
又,作為上述烷基矽烷基,可以是三甲基矽基、三乙基矽基、三異丙基矽基、三叔-丁基矽基、甲基二乙基矽基、二甲基矽基、二乙基矽基、甲基矽基、及乙基矽基等。
又,上述之中,Rx、Ry及Rz係分別獨立,較好是氫原子、碳數1~6之烷基或苯基,氫原子特別佳。
又,上述一般式(1)表示的具有重複單元的聚矽氮烷化合物,較好是Rx、Ry及Rz全部為氫原子的無機聚矽氮烷化合物。
成形物3並未特別限定。成形物3為板狀體時,作為 板狀體例如可以是由玻璃薄板、陶瓷薄板、熱可塑性樹脂薄膜、熱硬化性樹脂薄膜及光硬化性樹脂薄膜構成之群選擇任一板狀體之一種單獨,或二種以上之板狀體之組合。熱可塑性樹脂薄膜可以是聚酯薄膜、聚烯烴薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、聚醯胺薄膜、聚醯胺醯亞胺薄膜、聚苯醚薄膜、聚醚酮薄膜、聚醚醚酮薄膜、聚碸薄膜、聚醚碸薄膜、聚苯硫醚薄膜、聚芳酯薄膜、丙烯酸系樹脂薄膜、環烯烴系聚合物薄膜、及芳香族系聚合物薄膜等。熱硬化性樹脂薄膜,例如可以是環氧樹脂薄膜、矽酮樹脂薄膜、及苯酚樹脂薄膜等。光硬化性樹脂薄膜,例如可以是光硬化性丙烯酸樹脂薄膜、光硬化性聚氨酯樹脂薄膜及光硬化性環氧樹脂薄膜等。
成形物3為薄板或薄膜時之厚度並未特別限定。成形物3之厚度通常設為0.5μm~1000μm之範圍內之值為較佳,設為1μm~300μm之範圍內之值為更佳,設為5μm~200μm之範圍內之值為再更佳。
上述中,因具有良好透明性、泛用性,因此作為成形物3以聚酯薄膜、聚醯胺薄膜、聚醯亞胺薄膜、聚醯胺醯亞胺薄膜、聚碸薄膜、聚醚碸薄膜、聚苯硫醚薄膜、聚芳酯薄膜或環烯烴系聚合物薄膜為較佳,以聚酯薄膜、聚醯胺薄膜或環烯烴系聚合物薄膜為更佳。
聚酯薄膜之具體例,可以是由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、或聚芳酯等構成之薄膜。
又,聚醯胺薄膜之具體例,可以是由全芳香族聚醯胺、尼龍6、尼龍66、或尼龍共聚合物等構成之薄膜。
[2]第1實施形態
第1實施形態中,舉例說明針對作為附加阻氣層的成形物亦即阻氣膜1進行製造的製造裝置及製造方法之態樣。阻氣膜之製造裝置亦可以作為阻氣層製造裝置使用。
.阻氣膜之製造裝置
圖2係第1實施形態的阻氣膜之製造裝置4之模式平面圖。阻氣膜之製造裝置4具備:配置於製造裝置之中央的乾燥部5;塗工部6;表面改質部7;及真空隔絕室8。
阻氣膜之製造裝置4中,塗工部6、乾燥部5、表面改質部7、及真空隔絕室8被連設。
塗工部6、表面改質部7、及真空隔絕室8分別具有成形物3之搬入及搬出用之開口部(搬出入開口)。塗工部6、表面改質部7、及真空隔絕室8之各開口部係面對乾燥部5而配置。塗工部6、表面改質部7及真空隔絕室8之各開口部,係藉由相對於乾燥部5可以開閉而成為分隔構件的閘門開關器6A、閘門開關器7A及閘門開關器8A被塞住。
乾燥部5係對在塗工部6中被塗布阻氣材料而形成的阻氣層2進行乾燥的部分。
乾燥部5之中央配置有作為搬送部的搬送機器人9。 搬送機器人9具備:藉由未圖示的馬達可以旋動的支柱10;由支柱10朝水平方向突出的一對臂部11;安裝於臂部11之前端的基台12。
一對臂部11可由支柱10向遠的方向伸展。藉由臂部11之伸展可將載置於基台12上的阻氣膜1之成形物3搬入塗工部6、表面改質部7及真空隔絕室8。
真空隔絕室8連接於乾燥部5。真空隔絕室8具備:面對乾燥部5而配置的開口部;及搬入口8B。真空隔絕室8之開口部,係藉由作為分隔構件的閘門開關器8A被塞住。將成形物3搬入製造裝置4時,係由搬入口8B搬入成形物3,關閉搬入口8B之門後,打開面對乾燥部5的閘門開關器8A,藉由搬送機器人9進行成形物3之搬送。
塗工部6,係在成形物3上塗布阻氣材料形成阻氣層2的部分。塗工部6連接於乾燥部5。亦有可能稱呼加熱處理前之阻氣層2為阻氣材料層或聚矽氮烷層。
如圖3所示,塗工部6具備:天板13,床板14,背板15,及一對側板16。塗工部6具有面對乾燥部5而配置的開口部。塗工部6之開口部係藉由作為分隔構件的閘門開關器6A被塞住。
塗工部6之內外被隔離。塗工部6之內外被隔離,因此在成形物3上形成阻氣層2時,可以防止在成形物3上附著不要的塵埃等。在內外被隔離的塗工部6內為防止聚矽氮烷之轉化反應之進行,因此阻氣材料之塗布在常壓、 氮氛圍下進行。
在塗工部6之內部設置設於側板16的一對軌條17。在一對軌條17滑動自如地安裝著模具塗布器18。
模具塗布器18係藉由未圖示的驅動馬達在軌條17上進行滑動。模具塗布器18具備前端設為窄幅的一對模具19。在一對模具19間形成緣部20。由該緣部20將聚矽氮烷等之阻氣材料塗布於成形物3之表面。一對模具19之間隔設為可以調整。藉由調整緣部20之寬度可以變更阻氣材料之塗布量。
阻氣材料由搬送軟管21被供給至緣部20內。具體言之,阻氣材料係藉由省略圖示的貯存阻氣材料的槽及由槽將阻氣材料進行搬送的泵通過搬送軟管21被供給至緣部20內。
欲將阻氣材料塗布成為均勻的厚度時,例如較好是在聚矽氮烷化合物調配有機溶媒等並設為液狀體,將該液狀體塗布於成形物3上。
塗工部6中,在成形物3上塗布阻氣材料的方法,並不限定於上述之方法。塗布阻氣材料的方法可以採用網版印刷法、刮刀塗布法、輥塗布法、噴墨法、自旋塗布法、噴塗法、凹版塗布法、及棒塗布法等之各種公知之方法。
作為乾燥部5中的加熱處理條件,較好是設定加熱溫度為50℃~200℃,將加熱處理時間設為30秒~60分之範圍內之值。
藉由設為該加熱處理條件,在不損傷成形物3等之情 況下,可對由聚矽氮烷構成的阻氣層2進行乾燥及成膜,可以穩定製作阻氣性極為良好的阻氣膜1。作為加熱處理條件,更好是設定加熱溫度成為60℃~180℃,設為加熱處理時間為1分~50分,加熱溫度設為70℃~150℃,加熱處理時間設為2分~30分則再更好。乾燥部5中的加熱處理條件不限定於上述之條件。乾燥部5,只要是可以對阻氣層2進行乾燥者即可,可以使用各種乾燥手段。乾燥手段,例如可以是熱風加熱器及IR加熱器等。亦有可能稱呼乾燥部5中被乾燥的阻氣層2為變性聚矽氮烷層。欲控制在乾燥部5內聚矽氮烷之轉化反應,阻氣材料之乾燥在常壓、氮氛圍下或加濕氛圍下進行。
表面改質部7係對在乾燥部5乾燥的阻氣層2(變性聚矽氮烷層)之表面進行改質的部分。藉由在阻氣層2植入電漿離子來進行阻氣層2之表面改質。
如圖4所示,表面改質部7具備:腔室,該腔室具備天板22,床板23,背板24,及互呈對向配置的一對側板25。表面改質部7連接於乾燥部5。表面改質部7具有面對乾燥部5而配置的開口部。表面改質部7之開口部係藉由作為分隔構件的閘門開關器7A被塞住。
表面改質部7之內外被隔離。在表面改質部7之一方之側板25設置貫穿表面改質部7之內外的氣體注入口26。在背板24之上部設置排氣口27。
在表面改質部7之內部設置電極28。電極28連接於作為電壓施加手段的高頻電源29A與高壓脈衝電源29B。 又,天板22、床板23、背板24及一對側板25係由金屬板構成,被接地。
作為此種表面改質部7進行電漿離子植入之基本方法,例如可以是在包含稀有氣體等之電漿生成氣體的氛圍下產生電漿,藉由施加負的高電壓脈衝,在變性聚矽氮烷層之表面進行電漿中之離子(陽離子)植入的方法。
具體言之,由氣體注入口26將氣體注入腔室內,將高頻電源29A設為開啟而在阻氣層2表面產生電漿,接著將高壓脈衝電源29B設為開啟而對電極28施加高壓,進行電漿離子植入。
植入阻氣層2的離子並未特別限定。植入阻氣層2的離子例如可以是下記(a)~(k)所示離子等。
(a)氬(Ar)、氦、氖、氪、及氙等之稀有氣體之離子
(b)碳氟化合物、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、水、氟、及硫黃等之離子、氨
(c)甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、及己烷等之烷烴系氣體類之離子
(d)乙烯、丙烯、丁烯、及戊烯等之烯烴系氣體類之離子
(e)環戊二烯、及丁二烯等之二烯烴系氣體類之離子
(f)乙炔、及甲基乙炔等之炔系氣體類之離子
(g)苯、甲苯、二甲苯、茚、萘、及菲等之芳香族 碳化氫系氣體類之離子
(h)環丙烷、及環己烷等之環烷烴系氣體類之離子
(i)環戊烯、及環己烯等之環烯烴系氣體類之離子
(j)金、銀、銅、白金、鎳、鈀、鉻、鈦、鉬、鈮、鉭、鎢、及鋁等之導電性金屬離子
(k)矽烷(SiH4)或有機矽化合物之離子
彼等離子之中,就離子植入能更簡便進行至阻氣層2之特定深度位置,能獲得薄膜且具有穩定、良好阻氣性的阻氣膜1觀點而言,以由氫、氮、氧、水、氬、氦、氖、氙、及氪構成之群選擇的至少一種離子為較佳。
離子植入時之腔室內之電漿離子植入壓力設為0.01Pa~1Pa之範圍較佳。
電漿離子植入時之壓力位於此範圍時,可以簡便而且有效、均勻地進行離子植入,可以有效形成兼具有可撓性及阻氣性的阻氣膜1。
電漿離子植入壓力更好是設為0.02Pa~0.8Pa之範圍,再更好是設為0.03Pa~0.6Pa範圍。
離子植入時之施加電壓較好是設為-1kV~-50kV之範圍。
接著,說明本實施形態的阻氣膜之製造裝置4之作用。又,本實施形態中的成形物3係葉片之板狀體(薄膜)。
阻氣膜之製造裝置4連接著省略圖示的電腦等之控制器。控制器,除一般的半導體製造裝置之搬送製程控制以 外,亦進行以下控制:對塗工部6中的模具塗布器18之緣部20之開口尺寸進行調整的塗布量控制,進行乾燥部5中的調濕及溫度控制,以及表面改質部7中的電極調整控制及施加電壓調整控制。
.阻氣膜之製造方法
本實施形態的附加阻氣層的成形物(阻氣膜1)之製造方法,係使用阻氣膜之製造裝置4作為阻氣層製造裝置。
本實施形態的阻氣膜1之製造方法,係實施以下工程:於塗工部6,在成形物3之表面塗布阻氣材料的工程;塗布阻氣材料之後,將成形物3搬送至乾燥部5的工程;在乾燥部5,對塗布的阻氣材料進行乾燥的工程;對阻氣材料進行乾燥之後,將成形物3搬送至表面改質部7的工程;及在表面改質部7,對乾燥的阻氣材料之表面進行改質的工程。
以下,說明使用阻氣膜之製造裝置4製造阻氣膜1的方法之一例。
首先,由搬入口8B將成形物3供給至真空隔絕室8,關閉搬入口8B門。門關閉之後,打開閘門開關器8A,藉由搬送機器人9將成形物3由真空隔絕室8搬出。搬送機器人9旋動,而將成形物3搬送至塗工部6之前。塗工部6之閘門開關器6A打開之後,搬送機器人9將成形物3搬入塗工部6之內部。
成形物3配置於塗工部6內部之特定位置後,關閉閘門開關器6A,模具塗布器18沿著軌條17滑動,在成形物3表面進行阻氣材料之塗布,形成阻氣層2。
阻氣層2形成後,打開閘門開關器6A,搬送機器人9將成形物3由塗工部6搬出,在乾燥部5內將成形物3保持特定時間,使阻氣層2之阻氣材料乾燥。
乾燥部5之乾燥終了後,搬送機器人9將成形物3搬送至表面改質部7之前,閘門開關器7A打開之後,將成形物3搬入表面改質部7之內部。搬入後,由排氣口27抽空表面改質部7內之空氣之同時,由氣體注入口26將氬氣體等注入表面改質部7內,藉由高頻電源29A及高壓脈衝電源29B進行電壓施加,進行電漿離子植入。
電漿離子植入終了後,在表面改質部7內注入空氣。表面改質部7內到達常壓之後,搬送機器人9將成形物3搬出,將成形物3搬入真空隔絕室8之內部。作業員由搬入口8B取出具有阻氣層2的成形物3、亦即阻氣膜1。
本實施形態具有以下之效果。
藉由將塗工部6、乾燥部5及表面改質部7連設,可以藉由搬送機器人9在短時間搬送成形物3,因此可以有效製造阻氣膜1。
又,搬送時間變短,可以減少搬送中阻氣層2與空氣中之水分反應,因此可以防止阻氣層2產生缺點等。
亦即,依據本實施形態的製造裝置及製造方法,可以有效率地製造阻氣特性良好的阻氣膜。
藉由塗工部6在成形物3之表面形成阻氣層2之後,藉由搬送機器人9由塗工部6取出即可開始乾燥部5之乾燥。因此,由塗工部6至表面改質部7之搬送中可於乾燥部5內對阻氣層2進行乾燥,可以更有效率地製造阻氣膜1。
[3]第2實施形態
接著,說明本發明之第2實施形態。又,以下之說明中針對和已經說明部分同一之部分省略其說明。
.阻氣膜之製造裝置
上述第1實施形態中,係使用搬送機器人9將葉片式之成形物3搬送至塗工部6、乾燥部5及表面改質部7,進行阻氣層2之塗布、乾燥及表面改質。
相對於此,本實施形態的阻氣膜之製造裝置30和第1實施形態的阻氣膜之製造裝置4之不同在於,藉由所謂輥對輥(roll to roll)方式製造阻氣膜。本實施形態的阻氣膜之製造裝置30,係如圖5所示,成形物係使用卷繞成輥狀的長尺基材3A及長尺基材3B,使用驅動輥35及驅動輥36搬送長尺基材3A及長尺基材3B,搬送中在塗工部32、乾燥部33及表面改質部34實施個別之加工。又,長尺基材3A及長尺基材3B係薄膜狀之成形物。長尺例如係指長度對寬度在10倍以上。
如圖5所示,本實施形態的阻氣膜之製造裝置30具 備:腔室31,塗工部32,乾燥部33,表面改質部34,驅動輥35,驅動輥36,分隔構件37,及分隔構件38。
在腔室31收納有製造裝置30之全體,具體言之,收納有塗工部32,乾燥部33,表面改質部34,驅動輥35,驅動輥36,分隔構件37,及分隔構件38。
在腔室31,氣體注入口31A及排氣口31B貫穿內外而設。在圖5之A方向之饋出時進行塗工及乾燥,因此腔室31之內部被設為常壓、氮氛圍下。另一方面,圖5之B方向之饋出時,係實施電漿離子植入,因此腔室31之內部設為低壓之氬氛圍下。塗工、乾燥及電漿離子植入之各別之條件和第1實施形態同樣。
塗工部32具備作為模具塗布器39及支撐輥的備用輥40。於備用輥40卷繞著長尺基材3A。模具塗布器39係夾持長尺基材3A並與備用輥40呈對向配置。藉由模具塗布器39在長尺基材3A上進行阻氣材料之塗布。
乾燥部33係具備複數個搬送輥41;及加熱器42。
複數個搬送輥41係對插入卷繞軸X的長尺基材3A進行搬送。
複數個搬送輥41與加熱器42係夾持長尺基材3A呈對向配置。藉由加熱器42之熱進行長尺基材3A上之阻氣層之乾燥。
又,搬送輥41之個數及加熱器42之長度,係依據長尺基材3A之饋出速度及加熱器42之加熱溫度依據必要來決定。
詳如後述,表面改質部34具備複數個電漿離子植入單元43。表面改質部34係對形成於長尺基材3A上的阻氣層實施電漿離子植入。
又,塗工部32中的塗布條件,乾燥部33中的乾燥條件,及表面改質部34中的表面改質之條件分別和第1實施形態同樣。
驅動輥35及驅動輥36雖省略圖示,於個別之軸部設有驅動馬達。藉由驅動輥35將卷繞成輥狀的長尺基材3A朝A方向饋出,藉由驅動輥36可以卷繞於卷繞軸Y。朝A方向饋出時,驅動輥35係饋出輥,驅動輥36係卷繞輥。藉由驅動輥36將長尺基材3B朝B方向饋出,藉由驅動輥35卷繞於卷繞軸X亦可。朝B方向饋出時,驅動輥35係卷繞輥,驅動輥36係饋出輥。
在塗工部32及乾燥部33之間設有分隔構件37。在乾燥部33及表面改質部34之間亦設有分隔構件38。藉由分隔構件37及分隔構件38隔離各工程部(塗工部32、乾燥部33及表面改質部34)。又,在分隔構件37及分隔構件38為使長尺基材3A及長尺基材3B通過而設有狹縫。
構成表面改質部34的電漿離子植入單元43,係如圖6所示,具備:電極輥44,高頻電源45,高壓脈衝電源46,作為電極的電極構件47,及導引輥48。
於電極輥44卷繞著長尺基材3B。電極輥44電連接於作為電壓施加手段的高頻電源45及高壓脈衝電源46。 又,高頻電源45及高壓脈衝電源46之構造及作用和第1實施形態同樣。
電極構件47係夾持長尺基材3B而與電極輥44呈對向配置。電極構件47係圍繞電極輥44而沿著電極輥44之外周面配置。電極構件47被接地。
導引輥48係將長尺基材3B導引至電極輥44之同時,將長尺基材3B導引至次一電漿離子植入單元43。
本實施形態中,使用複數個此種電漿離子植入單元43。電漿離子植入單元43之數目可以依據電漿離子植入之必要次數適當設定。
接著,說明本實施形態之作用。
於阻氣膜之製造裝置30連接著電腦等之控制器。控制器除了對長尺基材3A及長尺基材3B之饋出及卷繞、塗工部32中的阻氣材料之塗布量控制以外,亦進行乾燥部33中的調濕及溫度控制,以及表面改質部7中的電極調整控制及施加電壓調整控制。
.阻氣膜之製造方法
本實施形態的附加阻氣層的成形物(長尺狀之阻氣膜)之製造方法,係使用阻氣膜之製造裝置30作為阻氣層製造裝置。
本實施形態的阻氣膜之製造方法係實施以下工程:將長尺基材3A饋出的工程;於塗工部32,在長尺基材3A之表面塗布阻氣材料的工程;圖案阻氣材料之後,將長尺 基材3A搬送至乾燥部33的工程;於乾燥部33,對塗布的阻氣材料進行乾燥的工程;對阻氣材料進行乾燥之後,進行長尺基材3A之卷繞的工程;將卷繞的長尺基材3A接著作為長尺基材3B進行饋出的工程;將長尺基材3B搬送至表面改質部34的工程;在表面改質部34,對乾燥的阻氣材料之表面進行改質的工程;及進行長尺基材3B之卷繞的工程。在實施阻氣材料乾燥工程之後,進行表面改質工程之前,實施將阻氣層製造裝置內部之氛圍變更為和乾燥時不同氛圍的工程較佳。對阻氣層製造裝置內部之氛圍進行變更的態樣之例,可以是由氮氛圍變更為氬氛圍之態樣。
以下,說明使用阻氣膜之製造裝置30製造長尺狀之阻氣膜的方法之一例。
首先,將腔室31內設為常壓、氮氛圍下之狀態。接著,使驅動輥35朝饋出方向旋動,始卷繞於卷繞軸X的長尺基材3A朝A方向饋出,藉由塗工部32中的模具塗布器39將阻氣材料塗布於長尺基材3A。阻氣材料之塗布後,藉由乾燥部33之加熱器42對阻氣層進行乾燥,藉由驅動輥36使長尺基材3A卷繞於卷繞軸Y。
接著,將腔室31內設為低壓、氬氛圍下之狀態之後,反轉驅動輥36之旋動方向,使卷繞於卷繞軸Y的長尺基材3B朝B方向饋出。
於表面改質部34,在長尺基材3B上之阻氣層進行電漿離子植入,進行阻氣層之表面改質。
表面改質後,藉由驅動輥35將長尺基材3B卷繞於卷繞軸X。
積層複數層阻氣層時,對應於該層數重複實施上述工程。
依據本實施形態,除上述第1實施形態之效果以外,可以獲得以下之效果。
依據本實施形態的製造裝置及製造方法,在被驅動輥35饋出的長尺基材3A,藉由模具塗布器39連續地進行阻氣材料之塗布,在搬送輥41上藉由加熱器42進行乾燥,在被驅動輥36饋出的長尺基材3B,藉由高頻電源45及高壓脈衝電源46可以對長尺基材3B上之阻氣層進行表面改質。因此,依據本實施形態的製造裝置及製造方法,可以連續而且迅速地製造阻氣膜。
[4]第3實施形態
接著,說明本發明之第3實施形態。又,以下之說明中,和已經說明的部分為同一之部分係省略其說明。
.阻氣膜之製造裝置
上述第1實施形態中配置有搬送機器人9的空間亦作為乾燥部5之機能。第1實施形態中,作為搬送部的搬送機器人9係收納於乾燥部5之內部。
相對於此,本實施形態之阻氣膜之製造裝置50係如圖7所示,乾燥部5與配置有搬送機器人9的空間9A係 獨立,此點和第1實施形態的阻氣膜之製造裝置4不同。
阻氣膜之製造裝置50具備:配置於製造裝置中央的搬送室90;乾燥部5;塗工部6;表面改質部7;及真空隔絕室8。
搬送室90之內部形成有空間9A。空間9A配置有搬送機器人9。搬送機器人9之一對臂部11可由支柱10向遠的方向伸展,藉由臂部11之伸展可以將載置於基台12上的成形物3搬入乾燥部5、塗工部6、表面改質部7及真空隔絕室8。
阻氣膜之製造裝置50中,搬送室90、塗工部6、乾燥部5、表面改質部7、及真空隔絕室8係連設。
乾燥部5連接於搬送室90。乾燥部5具有面對搬送室90之空間9A而配置的開口部。乾燥部5之開口部藉由閘門開關器5A被塞住。
塗工部6連接於搬送室90。塗工部6具有面對搬送室90之空間9A而配置的開口部。塗工部6之開口部藉由閘門開關器6A被塞住。
表面改質部7係連接於搬送室90。表面改質部7具有面對搬送室90之空間9A而配置的開口部。表面改質部7之開口部藉由閘門開關器7A被塞住。
真空隔絕室8係連接於搬送室90。真空隔絕室8具有面對搬送室90之空間9A而配置的開口部,及搬入口8B。真空隔絕室8之開口部藉由閘門開關器8A被塞住。以搬送室90之空間9A為中心,依據反時針方向之順序連 設著塗工部6、乾燥部5、表面改質部7及真空隔絕室8。
又,塗工部6、乾燥部5、表面改質部7及真空隔絕室8之構造及作用係和第1實施形態同樣。
.阻氣膜之製造方法
本實施形態的附加阻氣層的成形物(阻氣膜)之製造方法,係使用阻氣膜之製造裝置50作為阻氣層製造裝置。本實施形態中的成形物3係葉片之板狀體。
本實施形態的阻氣膜之製造方法係實施以下工程:在塗工部6,在成形物3之表面塗布阻氣材料的工程;塗布阻氣材料之後,通過塗工部6之搬出入開口將成形物3搬出搬送室90,使由塗工部6搬出的成形物3通過乾燥部5之搬出入開口搬入乾燥部5的工程;在乾燥部5,對塗布的阻氣材料進行乾燥的工程;對阻氣材料進行乾燥之後,通過乾燥部5之搬出入開口將成形物3搬出搬送室90,使由乾燥部5搬出的成形物3通過表面改質部7之搬出入開口搬入表面改質部7的工程;及在表面改質部7,對乾燥的阻氣材料之表面進行改質的工程。
以下,說明使用阻氣膜之製造裝置50製造阻氣膜的方法之一例。
本實施形態中,從對真空隔絕室8供給成形物3的工程,至塗工部6中在成形物3表面塗布阻氣材料的工程(塗布工程)為止,係和第1實施形態同樣,因此省略說 明。
塗布工程終了後,藉由搬送機器人9將成形物3搬送至乾燥部5之前。閘門開關器5A打開之後,藉由搬送機器人9將成形物3搬入乾燥部5之內部,進一步載置於特定位置。於乾燥部5進行阻氣層2之乾燥。乾燥部5中的加熱處理條件例如可以採用和第1實施形態同樣之條件。
乾燥部5之乾燥終了後,打開閘門開關器5A,藉由搬送機器人9將成形物3由乾燥部5搬出,將搬出的成形物3搬入表面改質部7,和第1實施形態同樣實施電漿離子植入工程。
電漿離子植入工程之終了後,將阻氣膜1由搬入口8B取出的工程係和第1實施形態同樣,因此省略說明。
本實施形態亦可以獲得和第1實施形態同樣之作用及效果。
另外,依據本實施形態的製造裝置,在表面改質工程之後不經由乾燥部5而經由搬送室90及真空隔絕室8可以將阻氣膜由製造裝置取出。
[5]第4實施形態
接著,說明本發明第4實施形態。又,以下之說明中和已經說明的部分為同一之部分係省略其說明。
.阻氣膜之製造裝置
圖8係表示本實施形態之阻氣膜之製造裝置60之構 造的模式平面圖。
阻氣膜之製造裝置60和第1實施形態的阻氣膜之製造裝置4主要不同點在於,具有進行阻氣層2之測定用的測定部100。
阻氣膜之製造裝置60具備:配置於製造裝置之中央的乾燥部5;塗工部6;表面改質部7;真空隔絕室8;及測定部100。搬送機器人9之一對臂部11可由支柱10向遠的方向伸展,藉由臂部11之伸展可將載置於基台12上的成形物3搬入塗工部6、表面改質部7、測定部100、及真空隔絕室8。
塗工部6、乾燥部5、表面改質部7及真空隔絕室8之構造及作用和第1實施形態同樣。
測定部100對塗工部6所塗布的阻氣材料、經由乾燥部5乾燥的阻氣材料及經由表面改質部7改質的阻氣材料之至少之一進行測定。亦即,測定部100對形成於成形物3的阻氣層2進行測定。
測定部100係連接於乾燥部5。如圖8所示,測定部100與乾燥部5之連接部位,係位於塗工部6與乾燥部5之連接部位和表面改質部7與乾燥部5之連接部位之間。
測定部100具有面對乾燥部5而配置的開口部。測定部100之開口部藉由作為分隔構件的閘門開關器100A被塞住。
測定部100對阻氣層2之測定項目,較好是由折射率、光透過率、光反射率、色度、膜組成、膜密度、膜之 缺點、及膜厚構成之群選擇的至少之一之測定項目。
阻氣層2之折射率可以使用橢圓偏振分光光度法(Spectrophotometry ellipsometry)測定。
阻氣層2之光透過率可以使用分光透過率測定法測定。
阻氣層2之光反射率可以使用分光反射率測定法測定。
阻氣層2之色度可以使用分光測色法測定。
阻氣層2之膜組成可以使用XPS測定法(X線光電子分光法)及IR測定法(紅外分光法)之至少之一測定法測定。XPS係Xray Photoelectron Spectroscopy之略稱。IR係Infrared Spectroscopy之略稱。
阻氣層2之膜密度可以使用XRR測定法(X線反射率測定法)測定。XRR係X-ray Reflection之略稱。
阻氣層2之膜之缺點可以使用,利用透過光及反射光之至少之一攝影阻氣層2之畫像,針對攝影的阻氣層2之畫像進行畫像處理的方法來測定。
阻氣層2之膜厚可以使用橢圓偏振分光光度法、分光反射率測定法、蛍光X線分析法及使用接觸式段差計之測定法的至少之一測定法測定。
測定部100之內部收納著未圖示的測定裝置。測定裝置可以依據前述之測定項目及測定法適當選擇。測定部100之內部所收納的測定裝置不限定於1種類。可依測定項目之種類或數目適當地將必要的測定裝置收納於測定部 100之內部。
雖省略圖示,阻氣膜之製造裝置60係和第1實施形態同樣,連接於電腦等之控制器。本實施形態之控制器,除第1實施形態說明的控制項目以外,另外例如可以進行測定部100中的阻氣層2之測定裝置之控制或測定資料之收集及解析。
.阻氣膜之製造方法
本實施形態的附加阻氣層的成形物(阻氣膜)之製造方法,係使用阻氣膜之製造裝置60作為阻氣層製造裝置。本實施形態中的成形物3係葉片之板狀體。
本實施形態的阻氣膜之製造方法,除第1實施形態中說明的製造方法之各工程以外,另外,實施對塗工部6塗布的阻氣材料、在乾燥部5乾燥的阻氣材料及經由表面改質部7改質的阻氣材料之至少之一進行測定的工程。
本實施形態的阻氣膜之製造方法中,在表面改質部7進行改質之前對阻氣材料進行測定為較佳。
以下,說明使用阻氣膜之製造裝置60來製造阻氣膜的方法之一例。
本實施形態中,由對真空隔絕室8供給成形物3的工程至乾燥部5中的阻氣層2之乾燥為止的工程,係和第1實施形態同樣,因此省略說明。
乾燥部5之乾燥終了後,藉由搬送機器人9將成形物3搬送至測定部100之前。閘門開關器100A打開之後, 藉由搬送機器人9將成形物3搬入測定部100之內部,進一步載置於測定裝置之特定位置。於測定部100進行阻氣層2之測定。在阻氣層2之乾燥後表面改質前進行的測定之項目係如前述。
在阻氣層2之乾燥後表面改質前,進行變性聚矽氮烷層之測定,以便對聚矽氮烷膜之轉化反應之進行情況及塗工膜厚度進行管理為較佳。
轉化反應之進行情況可以藉由針對,變性聚矽氮烷層之折射率、光反射率、膜組成及膜密度之至少之一進行測定來確認。聚矽氮烷膜之轉化反應之進行情況,藉由折射率測定來確認為較佳。與折射率測定獲得的折射率相關的資料,較好是被回授至前述控制器。此時,控制器可以依據折射率資料適當控制乾燥部5中的加熱處理條件。
阻氣層2之乾燥後表面改質前的變性聚矽氮烷層之折射率,較好是管理在1.48以上1.70以下之範圍內。
藉由將變性聚矽氮烷層之折射率管理在此範圍內,藉由表面改質工程中的電漿離子植入,可以獲得具有良好阻氣性(水蒸汽透過率等)或透明性(全光線透過率)等之阻氣層2的阻氣膜。變性聚矽氮烷層之折射率小於1.48時,有可能阻氣膜之水蒸汽透過率或氧透過率變為過高。變性聚矽氮烷層之折射率大於1.70時,有可能阻氣膜之透明性(全光線透過率)過度降低,或阻氣膜著色。
將阻氣層2之乾燥後表面改質前的變性聚矽氮烷層之折射率設為1.49以上1.65以下之範圍內則更好,設為 1.50以上1.60以下之範圍內再更好。
阻氣層2之測定終了後,打開閘門開關器100A,藉由搬送機器人9將成形物3由測定部100搬出,搬入表面改質部7之內部。
本實施形態中,表面改質部7中的電漿離子植入工程係和第1實施形態同樣,因此省略說明。
表面改質後,藉由搬送機器人9將成形物3搬出表面改質部7,搬入測定部100,對表面改質後之阻氣層2進行測定。
變性聚矽氮烷層之改質情況可以藉由針對折射率、光透過率、光反射率、色度、膜組成及膜密度之至少之一進行測定來確認。變性聚矽氮烷層之改質情況以藉由光透過率測定來確認為較佳。光透過率測定所獲得的和光透過率相關的資料,以回授至前述控制器為佳。此時,控制器依據光透過率資料可以更適當控制表面改質部7中的電漿離子植入條件。
阻氣層2之測定終了後,藉由搬送機器人9由測定部100搬出成形物3。至由搬入口8B取出阻氣膜1為止的工程係和第1實施形態同樣,因此省略說明。
在以聚矽氮烷材料使用作為阻氣層前驅體,藉由離子植入處理進行表面改質來形成阻氣層的製程中,推測離子植入後(表面改質後)之膜狀態,大大依存於離子植入前(塗工工程後而且表面改質前)之變性聚矽氮烷層之狀態。因此推測表面改質後之膜狀態之管理,係判斷改質處 理之妥當性用的重要的檢查項目。
依據本實施形態可以獲得和第1實施形態同樣之作用及效果。
另外,依據本實施形態,針對阻氣層之狀態,可以在由塗布工程經由乾燥工程至改質工程為止的製造線上進行測定(在線測定),可以在阻氣膜之生產線內,藉由隨時對膜狀態進行管理可以實施連續的膜評估及管理,可以實現由阻氣材料之塗工至離子植入處理為止之一貫的連續製造。
另外,依據本實施形態,在阻氣層2之乾燥後表面改質前,可以適當管理聚矽氮烷膜之轉化反應之進行情況及聚矽氮烷膜之塗工膜厚度。因此,依據本實施形態,可以獲得具有良好阻氣性(水蒸汽透過率等)或透明性(全光線透過率)等之阻氣層2的阻氣膜。
另外,依據本實施形態,乾燥部5、塗工部6、表面改質部7及測定部100,係藉由作為分隔構件的閘門開關器相互被區隔。因此,測定部100之內部容易維持於適合測定之狀態,可以提升測定之正確性或迅速性。
[6]第5實施形態
接著,說明本發明第5實施形態。又,以下之說明中和已經說明的部分為同一之部分係省略其說明。
.阻氣膜之製造裝置
圖9表示本實施形態之阻氣膜之製造裝置70之構造的模式平面圖。
阻氣膜之製造裝置70和第3實施形態的阻氣膜之製造裝置50主要不同點在於,具有阻氣層2之測定用的測定部100。
阻氣膜之製造裝置70具備:配置於製造裝置之中央的搬送室90A;乾燥部5;塗工部6;表面改質部7;真空隔絕室8;及測定部100。
又,塗工部6、乾燥部5、表面改質部7,及真空隔絕室8之構造及作用係和第1實施形態或第3實施形態同樣。測定部100之構造及作用,以及測定部100對阻氣層2之測定項目係和第4實施形態同樣。雖省略圖示,阻氣膜之製造裝置70亦和第4實施形態同樣連接於電腦等之控制器。
阻氣膜之製造裝置70中,搬送室90A、塗工部6、乾燥部5、表面改質部7、真空隔絕室8及測定部100係連設。
搬送室90A係如圖9之模式平面圖所示,平面圖中形成為大略五角形狀。於搬送室90A之內部形成空間9A。空間9A內配置有搬送機器人9。搬送機器人9之一對臂部11可由支柱10向遠的方向伸展,藉由臂部11之伸展可以將載置於基台12上的成形物3搬入塗工部6、乾燥部5、表面改質部7、測定部100及真空隔絕室8。
本實施形態中,在和平面圖中大略五角形狀之各邊呈 對應的搬送室90A之個別之部位,連接著塗工部6、乾燥部5、表面改質部7、真空隔絕室8及測定部100。塗工部6、乾燥部5、表面改質部7、真空隔絕室8及測定部100分別具有面對搬送室90A之空間9A而配置的開口部。塗工部6、乾燥部5、表面改質部7、真空隔絕室8及測定部100之各開口部,係和前述同樣分別藉由閘門開關器6A、閘門開關器5A、閘門開關器7A、閘門開關器8A及閘門開關器100A被塞住。
.阻氣膜之製造方法
本實施形態的附加阻氣層的成形物(阻氣膜)之製造方法,係使用阻氣膜之製造裝置70作為阻氣層製造裝置。本實施形態中的成形物3係葉片之板狀體。
本實施形態的阻氣膜之製造方法,係除了第3實施形態中說明的製造方法之各工程以外,依據實施針對塗工部6塗布的阻氣材料、在乾燥部5乾燥的阻氣材料及經由表面改質部7改質的阻氣材料之至少之一進行測定的工程。另外,本實施形態的阻氣膜之製造方法中,對阻氣材料進行測定時,實施將成形物3搬送至測定部100之工程。
本實施形態的阻氣膜之製造方法中,較好是在表面改質部7進行改質前測定阻氣材料。
以下,說明使用阻氣膜之製造裝置70製造阻氣膜的方法之一例。
本實施形態中,由對真空隔絕室8供給成形物3的工 程至乾燥部5中對阻氣層2進行乾燥的工程(乾燥工程)為止係和第3實施形態同樣,因此省略說明。
乾燥工程終了後,藉由搬送機器人9將成形物3搬送至測定部100之前。閘門開關器100A打開之後,藉由搬送機器人9將成形物3搬入測定部100之內部,另外,將成形物3載置於特定位置。測定部100中的測定係和第4實施形態同樣,因此省略說明。
阻氣層2之測定終了後之以下工程,亦即,表面改質部7中的電漿離子植入工程、表面改質後之阻氣層2之測定以及將阻氣膜1由搬入口8B取出的工程,係和前述之實施形態同樣,因此省略說明。
依據本實施形態,亦可以獲得和第1實施形態及第4實施形態同樣之作用及效果。
另外,依據本實施形態的製造裝置70,測定部100中的測定及表面改質工程之後即使不通過乾燥部5亦可以經由搬送室90及真空隔絕室8將阻氣膜由製造裝置取出。
[7]第6實施形態
接著,說明本發明之第6實施形態。又,以下之說明中和已經說明的部分為同一之部分係省略其說明。
.阻氣膜之製造裝置
圖10係表示本實施形態之阻氣膜之製造裝置80之構 造的模式平面圖。
本實施形態之阻氣膜之製造裝置80和第1實施形態的阻氣膜之製造裝置4主要不同點在於,具有:進行阻氣層2之測定用的測定部101、測定部102及測定部103。又,塗工部6、乾燥部5、表面改質部7及真空隔絕室8之構造及作用係和第1實施形態同樣。
又,本實施形態之阻氣膜之製造裝置80中,係在塗工部6、乾燥部5及表面改質部7收納著測定部,相對於此,第4實施形態或第5實施形態的阻氣膜之製造裝置中,係和塗工部6、乾燥部5及表面改質部7獨立地設置測定部100,此點係本實施形態和第4實施形態及第5實施形態主要之不同點。
阻氣膜之製造裝置80中,塗工部6具有測定部101,乾燥部5具有測定部103,表面改質部7具有測定部102。
測定部101之設置箇所只要是塗工部6之內部即可,並未特別限定。可以對應於塗工部6中進行之測定項目,適當選擇設置箇所。例如圖11所示,將測定部101安裝於塗工部6之天板13亦可。
測定部102之設置箇所只要是表面改質部7之內部即可,並未特別限定。可以對應於表面改質部7中進行之測定項目,適當選擇設置箇所。例如圖12所示,將測定部102安裝於表面改質部7之天板22亦可。
測定部101、測定部102及測定部103只要是能測定 和測定部100同樣之測定項目者即可,並未特別限定。例如測定部101、測定部102及測定部103,可以採用和測定部100中使用的測定裝置同樣之測定裝置。雖省略圖示,阻氣膜之製造裝置80亦和第4實施形態同樣連接於電腦等之控制器。
.阻氣膜之製造方法
本實施形態的附加阻氣層的成形物(阻氣膜)之製造方法,係使用阻氣膜之製造裝置80作為阻氣層製造裝置。本實施形態中的成形物3係葉片之板狀體。
依據本實施形態的阻氣膜之製造方法,除第1實施形態中說明的製造方法之各工程以外,進一步實施:針對塗工部6塗布的阻氣材料,在乾燥部5乾燥的阻氣材料,及經由表面改質部7改質的阻氣材料之至少之一進行測定的工程。本實施形態的阻氣膜之製造方法中,係在乾燥部5、塗工部6及表面改質部7收納的測定部之中至少之一測定部中實施對阻氣材料測定的工程。
本實施形態的阻氣膜之製造方法中,較好是在表面改質部7進行改質前對阻氣材料進行測定。
以下,說明使用阻氣膜之製造裝置80來製造阻氣膜的方法之一例。
阻氣膜之製造裝置80係和第1實施形態的阻氣膜之製造裝置4不同,可於測定部101、測定部102及測定部103之至少之一對阻氣層2進行測定。
較好是塗工部6之測定部101對阻氣層2之乾燥前的膜厚進行測定。
乾燥部5之測定部102可以針對表面改質前及表面改質後之阻氣層2進行測定。
表面改質部7之測定部103可以針對表面改質前及表面改質後之阻氣層2進行測定。
依據上述本實施形態亦可以獲得和第1實施形態及第4實施形態同樣之作用及效果。
另外,依據本實施形態的製造裝置80,乾燥部5、塗工部6及表面改質部7分別收納著測定部,因此實施各工程中的處理後,可以迅速地開始測定。
[8]第7實施形態
接著,說明本發明之第7實施形態。又,以下之說明中和已經說明的部分為同一之部分係省略其說明。
.阻氣膜之製造裝置
圖13係表示本實施形態之阻氣膜之製造裝置30A之構造的模式圖。
阻氣膜之製造裝置30A具有和第2實施形態的阻氣膜之製造裝置30同樣之構造,另外具有測定部104及測定部105。測定部104配置於乾燥部33與表面改質部34之間。測定部104及測定部105只要是能測定和測定部100同樣之測定項目者即可,並未特別限定。例如測定部104 及測定部105可以採用和測定部100中使用的測定裝置同樣之測定裝置。
阻氣膜之製造裝置30A中的腔室31、塗工部32、乾燥部33、表面改質部34、驅動輥35、驅動輥36、分隔構件37及分隔構件38之構造及作用係和第2實施形態同樣。
雖省略圖示,阻氣膜之製造裝置30A亦和第2實施形態同樣連接於電腦等之控制器。
.阻氣膜之製造方法
本實施形態的附加阻氣層的成形物(長尺狀之阻氣膜)之製造方法,係使用阻氣膜之製造裝置30A作為阻氣層製造裝置。
本實施形態的長尺狀之阻氣膜之製造方法,除第2實施形態中說明的製造方法之各工程以外,進一步實施針對塗工部6塗布的阻氣材料、在乾燥部5乾燥的阻氣材料及經由表面改質部7改質的阻氣材料之至少之一進行測定的工程。
本實施形態中,較好是在對塗工部6塗布的阻氣材料進行乾燥之前,實施測定的工程。
以下,說明使用阻氣膜之製造裝置30A來製造長尺狀之阻氣膜的方法之一例。
本實施形態中,除測定部104及測定部105中的測定以外,均和第2實施形態同樣,因此省略說明。
測定部104,係在乾燥部33之乾燥後,在將長尺基材3A朝表面改質部34搬送之途中,對表面改質前之阻氣層2(變性聚矽氮烷層)進行測定。測定部104亦可以在表面改質部34之表面改質後,將長尺基材3B朝乾燥部33搬送之途中,對表面改質後之阻氣層2進行測定。
測定部105配置於表面改質部34與卷繞軸Y之間。測定部105,係在表面改質部34之表面改質後,將長尺基材3A卷繞於卷繞軸Y之前,對表面改質後之阻氣層2進行測定。
依據本實施形態,除上述第2實施形態之效果以外,可以達成以下效果。
依據本實施形態的製造裝置及製造方法,可以對在乾燥部33與表面改質部34之間被搬送的長尺基材3A之阻氣材料進行測定。因此,可以事先確認表面改質前之阻氣層2是否適合表面改質之狀態。
另外,依據本實施形態的製造裝置及製造方法,藉由在輥對輥方式之生產線內,隨時對膜狀態進行管理而可以實施連續的膜評估及管理,可以實現由阻氣材料之塗工至離子植入處理為止之一貫的連續製造。
另外,依據本實施形態的製造裝置及製造方法,於輥對輥方式之生產線內,在阻氣層2之乾燥後表面改質前,可以適當管理聚矽氮烷膜之轉化反應之進行情況及聚矽氮烷膜之塗工膜厚度。因此,可以藉由輥對輥方式製造具有良好阻氣性(水蒸汽透過率等)或透明性(全光線透過 率)等之阻氣層2的阻氣膜。
[實施形態之變形]
本發明不限定於上述實施形態,在可以達成本發明目的的範圍內之變形或改良等均包含於本發明。又,以下之說明中,和上述實施形態說明的構件或裝置等為同一時,附加同一符號,並省略或簡化說明。
上述實施形態中,主要舉製造阻氣膜用的製造方法及製造裝置之例進行說明,但本發明不限定於彼等態樣。成形物為各種容器或各種電子裝置用構件時,亦適用於上述實施形態說明的製造方法及製造裝置。
本發明不限定於成形物上形成1層阻氣層之態樣,亦包含在形成的阻氣層之上另外積層1以上之阻氣層之態樣。依據前述附加阻氣層的成形物之製造方法及製造裝置,藉由積層形成阻氣層,可以製造具有所要厚度之阻氣層的成形物。
例如第1、第3~第6實施形態中說明的態樣中,阻氣層之形成後,不由真空隔絕室搬出,再度依塗工部、乾燥部及表面改質部之順序進行成形物之搬送,將阻氣層予以積層亦可。
又,例如第2及第7實施形態中說明的態樣中,將表面改質後之長尺基材以卷繞輥卷繞後,再度使長尺基材朝A方向饋出,進行塗工部及乾燥部中的處理,進一步朝B方向饋出進行表面改質部中的處理來積層阻氣層亦可。
積層複數層阻氣層時,較好是在形成各阻氣層時於測定部中對阻氣層之膜狀態進行測定。
第4實施形態、第5實施形態、第6實施形態及第7實施形態中,舉例說明在表面改質工程之前及表面改質工程之後藉由測定部對阻氣層進行測定之態樣,但本發明不限定於此種態樣。
在表面改質工程之前及表面改質工程之後之至少之一時點對阻氣層進行測定亦可。但至少在阻氣層之乾燥後表面改質前對阻氣層進行測定之態樣為更好。
上述第6實施形態中舉例說明塗工部、乾燥部及表面改質部分別具有測定部的態樣,但本發明不限定於此種態樣。
具有測定部的態樣之阻氣膜之製造裝置,只要是在任一部位具有上述實施形態說明的測定部即可。測定部和塗工部、乾燥部及表面改質部不呈獨立之態樣時,較好是在塗工部、乾燥部及表面改質部之至少之一具有測定部。例如塗工部具有測定部,乾燥部及表面改質部不具有測定部之態樣亦可,乾燥部具有測定部,塗工部及表面改質部不具有測定部的態樣亦可,表面改質部具有測定部,塗工部及乾燥部不具有測定部的態樣亦可。只要是阻氣層之乾燥後表面改質前可以對變性聚矽氮烷層進行測定之態樣即可,此種態樣時,設置測定部之部位,只要是可對變性聚矽氮烷層進行測定即可,並未特別限定。
上述第7實施形態中,舉例說明具有測定部104及測 定部105的阻氣膜之製造裝置30A,但本發明不限定於此種態樣。例如第3實施形態或第7實施形態之輥對輥方式之製造裝置具有至少一個測定部為佳。在阻氣層之乾燥後表面改質前能測定變性聚矽氮烷層的態樣為佳,因此此種態樣時,輥對輥方式之製造裝置中用來設置測定部之部位,只要是能測定變性聚矽氮烷層即可,並未特別限定。
4‧‧‧阻氣膜之製造裝置
5‧‧‧乾燥部
6‧‧‧塗工部
7‧‧‧表面改質部
8‧‧‧真空隔絕室
6A:7A:8A‧‧‧閘門開關器
8B‧‧‧搬入口
9‧‧‧搬送機器人
10‧‧‧支柱
11‧‧‧臂部
12‧‧‧基台

Claims (10)

  1. 一種附加阻氣層的板狀體之製造裝置,係一片片地製造在板狀體之表面形成有阻氣層之附加阻氣層的板狀體者;其特徵在於:連設有:塗工部,在上述板狀體上塗布阻氣材料;乾燥部,使經由上述塗工部塗布的阻氣材料乾燥;及表面改質部,對經由上述乾燥部乾燥的阻氣材料之表面進行改質;上述塗工部、上述乾燥部及上述表面改質部,係藉由分隔構件相互被區隔,而且上述塗工部之內外、及上述表面改質部之內外係藉由上述分隔構件隔離,具備搬送部,用於在上述塗工部、上述乾燥部及上述表面改質部之間搬送上述板狀體。
  2. 如申請專利範圍第1項之附加阻氣層的板狀體之製造裝置,其中另具有:測定部,對經由上述塗工部塗布的阻氣材料、經由上述乾燥部乾燥的阻氣材料及經由上述表面改質部改質的阻氣材料之至少之一進行測定。
  3. 如申請專利範圍第2項之附加阻氣層的板狀體之製造裝置,其中上述測定部係連設於上述塗工部、上述乾燥部及上述表面改質部,上述塗工部、上述乾燥部、上述表面改質部及上述測定部,係藉由分隔構件相互被區隔。
  4. 如申請專利範圍第3項之附加阻氣層的板狀體之製造裝置,其中上述板狀體係依上述塗工部、上述乾燥部及上述測定部之順序被搬送。
  5. 如申請專利範圍第2項之附加阻氣層的板狀體之製造裝置,其中上述測定部配置於上述塗工部、上述乾燥部及上述表面改質部之至少之一之內部。
  6. 如申請專利範圍第1至5項之中任一項之附加阻氣層的板狀體之製造裝置,其中上述乾燥部配置於裝置中央,上述塗工部之搬出入開口及上述表面改質部之搬出入開口配置於面對上述乾燥部的位置,上述搬送部配置於上述乾燥部內。
  7. 如申請專利範圍第1至5項之中任一項之附加阻氣層的板狀體之製造裝置,其中上述塗工部之搬出入開口、上述乾燥部之搬出入開口及上述表面改質部之搬出入開口,係面對配置有上述搬送部的空間。
  8. 如申請專利範圍第2項之附加阻氣層的板狀體之製造裝置,其中上述測定部對由上述阻氣層之折射率、光透過率、光反射率、色度、膜組成、膜密度、膜之缺點及膜厚構成之群選擇的至少之一進行測定。
  9. 如申請專利範圍第1至5項之中任一項之附加阻 氣層的板狀體之製造裝置,其中上述分隔構件為閘門開關器。
  10. 如申請專利範圍第1至5項之中任一項之附加阻氣層的板狀體之製造裝置,其中上述表面改質部,係藉由對上述阻氣層植入電漿離子來進行上述阻氣層之表面改質的部分。
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