JPH1110069A - 厚膜形成方法、隔壁形成方法及び隔壁形成用スラリー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】少ない工程で材料の無駄がなくかつ簡便に厚膜
を形成でき、また厚膜の精度及び表面の平滑性を向上で
きる。更に電気泳動法の電極となる導電膜が最終的に熱
分解して消失するので、電気的に回路に悪影響を及さな
い。 【解決手段】基板１１上に導電性有機物のペースト又は
溶液を塗布し乾燥して導電膜１３を形成し、この導電膜
１３を形成したガラス基板１１とこの基板１１に対向す
る対向電極とをガラス粉末又はガラス粉末及びフィラー
粉末が懸濁したスラリーに浸漬する。このスラリー中で
ガラス基板１１上の導電膜１３と対向電極との間に直流
電圧を印加して導電膜１３上にガラス粉末層１４を電着
し、ガラス基板１１を乾燥した後所定の温度まで昇温し
て導電膜１３を熱分解し更に昇温してガラス粉末層１４
を焼成し厚膜１２を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル、液晶表示装置、蛍光表示装置、混成集積回
路装置等の製造工程における厚膜や隔壁の形成方法及び
この隔壁を形成するためのスラリーに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（plasma d
isplay panel，以下、ＰＤＰという）を例に挙げると、
このＰＤＰは気体放電を利用した画像表示装置であっ
て、通常多数の微小な放電セルを縦横（マトリクス状）
に配列し、必要な部分のセルを放電発光させることによ
り、文字や図形が表示されるようになっている。このＰ
ＤＰは構造が簡単で大型化が容易であり、メモリ機能を
有し、またカラー化が可能であり、更にテレビなどで用
いられるブラウン管よりも遥かに大きくかつ奥行が小さ
く形成できるなどの様々な利点を有することから、近年
盛んに研究開発が進められている。

【０００３】上記ＰＤＰは、電極構造の点で金属電極が
ガラス誘電体材料で覆われるＡＣ型と、放電空間に金属
電極が露出しているＤＣ型とに分類される。例えばＡＣ
型のＰＤＰは図４及び図５に示すように、ガラス基板１
上に所定の間隔をあけて形成された隔壁形状の厚膜２を
介して前面ガラスとなる別のガラス基板３を被せること
により構成される。ガラス基板３のガラス基板１への対
向面にはＭｇＯ（酸化マグネシウム）等の保護膜３ａに
より被覆された表示電極３ｂ及び誘電体層３ｃが形成さ
れ、ガラス基板１とガラス基板３と隔壁形状の厚膜２に
て区画形成された微細空間４（図５、以下、放電セルと
いう）内にはアドレス電極４ａ及び蛍光体層４ｂがそれ
ぞれ形成される。また放電セル４内には放電ガス（図示
せず）が注入される。

【０００４】このように構成されたＰＤＰでは、表示電
極３ｂとアドレス電極４ａとの間に電圧を印加して隔壁
形状の厚膜２間に形成された放電セル４内の蛍光体層４
ｂを選択的に放電発光させることにより、文字や図形を
表示することができる。ここで、ＰＤＰの表示特性上、
選択的放電発光を確実に行うことができる独立性の優れ
た放電セル４を形成するために、比較的高さの高い隔壁
形状の厚膜２を精度良く形成することが極めて重要とな
る。

【０００５】このため、上記隔壁形状の厚膜の形成方法
として、図６に示すように、ガラス基板１上にアドレス
電極（図示せず）を所定のパターンで形成した後、ガラ
ス粉末を有する無機ペーストをスクリーン印刷法により
上記電極とは別のパターンで付着させてガラス粉末層６
ａを形成し焼成することにより、約７０μｍの幅で１０
０〜１５０μｍの高さに隔壁形状の厚膜６ｂを形成する
第１の方法が知られている。

【０００６】また、隔壁形状の厚膜の第２の形成方法と
して、図７に示すように、ドクタブレード法が知られて
いる。この方法では、ガラス基板１の全面にガラス粉末
を含む無機ペーストをドクタブレード法で塗布し乾燥す
ることにより、１５０〜２００μｍ厚のパターン形成層
７ａを形成した後、このパターン形成層７ａを感光性フ
ィルム８ａで被覆し、更にこのフィルム８ａ上をマスク
８ｂで覆って、露光、現像を行うことにより所定のパタ
ーンのレジスト層８ｃを形成する。次いでこのレジスト
層８ｃの上方からサンドブラスト処理を施してセル４と
なる部分を取除いて壁状のガラス粉末層７ｂを形成した
後、剥離剤等を用いてレジスト層８ｃを除去して、所望
の隔壁形状の厚膜７ｃを得ている。

【０００７】更に隔壁形状の厚膜の第３の形成方法とし
て、図８に示すように、ＴＯＳ（Tape On Substrate）
法が知られている。この方法では、ガラス基板１の全面
にガラス粉末を含むグリーンテープを積層することによ
り、１５０〜２００μｍ厚のパターン形成層９ａを形成
した後、このパターン形成層９ａを感光性フィルム８ａ
で被覆し、更にこのフィルム８ａ上をマスク８ｂで覆っ
て、露光、現像を行うことにより所定のパターンのレジ
スト層８ｃを形成する。次いでこのレジスト層８ｃの上
方からサンドブラスト処理を施してセル４となる部分を
取除いてグリーンリブ９ｂを形成した後、剥離剤等を用
いてレジスト層８ｃを除去して、所望の隔壁形状の厚膜
９ｃを得ている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の第
１の隔壁形状の厚膜の形成方法では、厚膜の厚さｔが１
００μｍ程度と比較的狭くかつ印刷後にペーストがだれ
易いため、無機ペーストの一回塗りの高さは焼成上がり
で１０〜２０μｍ程度に小さく抑えなければならない。
この結果、この方法では、高さ１５０〜２００μｍの厚
膜を作るために、無機ペーストの塗布及び乾燥を１０〜
２０回も繰返さなければならず、その上重ね塗りした後
のガラス粉末層の高さ（≒ｈ）をガラス粉末層の厚さ
（≒ｔ）で除したｈ／ｔが１．５〜２程度と大きいため
に、スクリーン印刷時に十分に位置合わせをしても、精
度良く隔壁形状の厚膜を形成し難く、この厚膜の表面の
平滑性を得ることが難しい欠点があった。またパターン
を有しないスクリーン印刷法を用いると、サンドブラス
トにより無機ペーストの不要部分を除去しなければなら
ず、更に工数が増大する問題点があった。

【０００９】また上記従来の第２の隔壁形状の厚膜の形
成方法では、レジスト層の形成のために感光性フィルム
の被覆、露光、現像等の複雑な工程を必要とし、またサ
ンドブラスト処理でパターン形成層の大部分を取除くた
め、パターン形成層の材料を多く必要とする問題点があ
った。更に上記従来の第３の隔壁形状の厚膜の形成方法
では、高価な厚さ数十μｍのグリーンテープを数回積層
する工程や、レジスト層の形成のために感光性フィルム
の被覆、露光、現像等の複雑な工程を必要とし、またサ
ンドブラスト処理でパターン形成層の大部分を取除くた
め、パターン形成層の材料を多く必要とする問題点があ
った。

【００１０】これらの点を解消するために、本出願人は
電気泳動法によりＰＤＰの隔壁を形成する方法を特許出
願した（特願平７−３３１７２２）。この方法では、短
時間で隔壁を形成でき、また基板上に所望のパターンの
導電膜を予め形成しておくことでサンドブラスト処理が
不要になるという利点がある。しかし、上記ＰＤＰの隔
壁形成方法では、２種以上の粉末の複合系で構成された
隔壁を作製しようとすると、これらの粉末の表面電位を
制御しなければ均一な隔壁を作製できない問題点があ
る。このため、粉末の帯電性を制御することが考えられ
る。例えばシリカなどの無機粉末をアミノシランカップ
リング剤で表面処理することが一般に知られており（小
口ら、「色材」、５５［９］６３０−６３６、１９８
２）、シリカ表面のアミノ基量とゼータ電位の間に、密
接な関係があることを明らかにしている。

【００１１】一方、粉末表面をシランカップリング剤を
介して電着塗装の樹脂成分と同じ電荷をもつ有機分子と
結合させ樹脂と同方向に泳動させることで、無機粉末と
樹脂との複合塗膜を形成する特開平６−３４６２９１号
公報や特開平６−３４６２９３号公報が提案されてい
る。しかし、これらの公報には、無機粉末の電気泳動速
度の制御、即ち無機粉末の表面電位の絶対値については
開示されていない。上記２つの公報に示される電着塗装
方法では、無機粉末の表面電位を単に正又は負に制御す
るのみであり、またシランカップリング剤で粉末を処理
した後に、帯電に係わるアニオン型化合物又はカチオン
型化合物をシランカップリング剤との反応で粉末表面に
固定化するという手法が採られており、これらの方法は
操作が複雑である問題点がある。

【００１２】本発明の第１の目的は、少ない工程で材料
の無駄がなくかつ簡便に、隔壁形状の厚膜又は隔壁を形
成し得る方法を提供することにある。本発明の第２の目
的は、平板形状又は隔壁形状の厚膜或いは隔壁の精度及
び表面の平滑性を向上できる厚膜又は隔壁の形成方法を
提供することにある。本発明の第３の目的は、電気泳動
法の電極となる導電膜が最終的に熱分解して消失するこ
とにより、電気的に回路に悪影響を及さない平板形状又
は隔壁形状の厚膜の形成方法を提供することにある。

【００１３】本発明の第４の目的は、ガラス粉末又はガ
ラス粉末及びフィラー粉末のスラリー中での電気泳動速
度を制御することにより、２種以上の粉末の複合系で構
成された隔壁の場合にはフィラーが均一に分散した隔壁
を作製でき、ガラス粉末の単体系で構成された隔壁の場
合にはガラス粉末の電着速度を制御できる、隔壁形成方
法及び隔壁形成用スラリーを提供することにある。本発
明の第５の目的は、ガラス粉末等の表面に固定化された
アミノシランカップリング剤等を、ガラス粉末層の焼成
時に熱分解して絶縁体のシリカにすることにより、隔壁
が電気的に回路に悪影響を及すことのない、隔壁形成方
法及び隔壁形成用スラリーを提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように、ガラス基板１１上に導電性有機物の
ペースト又は溶液を塗布し乾燥して導電膜１３を形成す
る工程と、導電膜１３を形成したガラス基板１１とこの
ガラス基板１１に対向する対向電極とをガラス粉末又は
ガラス粉末及びフィラー粉末が懸濁したスラリーに浸漬
する工程と、スラリー中でガラス基板１１上の導電膜１
３と対向電極との間に直流電圧を印加して導電膜１３上
にガラス粉末層１４を電着する工程と、ガラス基板１１
を乾燥した後所定の温度まで昇温して導電膜１３を熱分
解し更に昇温してガラス粉末層１４を焼成し厚膜１２を
形成する工程とを含む厚膜形成方法である。この請求項
１に記載された厚膜形成方法では、導電膜１３上に電気
泳動法にてガラス粉末層１４を形成し、このガラス粉末
層１４を乾燥及び焼成して厚膜１２を形成したので、厚
膜１２の精度及び表面の平滑性を向上できる。また導電
膜１３が最終的に熱分解して消失するので、導電膜１３
が電気的に回路に悪影響を及すことはない。

【００１５】請求項２に係る発明は、図２に示すよう
に、ガラス基板３１上の厚膜形成予定部に導電性有機物
のペースト又は溶液を塗布し乾燥して導電膜３３を形成
する工程と、導電膜３３を形成したガラス基板３１とこ
の基板３１に対向する対向電極とをガラス粉末又はガラ
ス粉末及びフィラー粉末が懸濁したスラリーに浸漬する
工程と、スラリー中でガラス基板３１上の導電膜３３と
対向電極との間に直流電圧を印加して導電膜３３上にガ
ラス粉末層３４を電着する工程と、ガラス基板３１を乾
燥した後所定の温度まで昇温して導電膜３３を熱分解し
更に昇温してガラス粉末層３４を焼成し隔壁形状の厚膜
３２を形成する工程とを含む厚膜形成方法である。この
請求項２に記載された厚膜形成方法では、導電性有機物
をガラス基板３１上に塗布及び乾燥して導電膜３３を形
成し、この導電膜３３上に電気泳動法にて形成されたガ
ラス粉末層３４を乾燥及び焼成するという少ない工程
で、また材料の無駄が殆どなく、簡便にかつ精度及び表
面の平滑性が向上した隔壁形状の厚膜３２を形成でき
る。また導電膜３３が最終的に熱分解して消失するの
で、導電膜３３が電気的に回路に悪影響を及すことはな
い。

【００１６】請求項３に係る発明は、請求項１又は２に
係る発明であって、更に導電性有機物が４級アンモニウ
ム塩を有するポリマー又はモノマーであることを特徴と
する。請求項４に係る発明は、請求項１又は２に係る発
明であって、更に導電性有機物がスルホン酸塩を有する
ポリマー又はモノマーであることを特徴とする。この請
求項３及び４に記載された厚膜形成方法では、導電性有
機物として、４級アンモニウム塩を有するポリマー又は
モノマーや、スルホン酸塩を有するポリマー又はモノマ
ーを用いれば、これらの導電性有機物からなる導電膜が
電気泳動法における電極として機能を十分に発揮し、か
つガラス粉末層の焼成温度より低い温度で熱分解する。

【００１７】請求項５に係る発明は、図３に示すよう
に、ガラス基板５１上の隔壁形成予定部に導電性厚膜ペ
ーストを塗布し乾燥・焼成して導電膜５２を形成する工
程と、表面処理剤により表面電位を制御したガラス粉末
又はガラス粉末及びフィラー粉末が懸濁したスラリーを
調製する工程と、導電膜５２を形成したガラス基板５１
とこのガラス基板５１に対向する対向電極とをスラリー
に浸漬する工程と、スラリー中でガラス基板５１上の導
電膜５２と対向電極との間に直流電圧を印加して導電膜
５２上にガラス粉末層５４を電着する工程と、ガラス基
板５１を乾燥した後ガラス粉末層５４を焼成して隔壁５
３を形成する工程とを含む隔壁形成方法である。

【００１８】この請求項５に記載された隔壁形成方法で
は、導電膜５２上に電気泳動法にてガラス粉末層５４を
形成し、このガラス粉末層５４を乾燥及び焼成して隔壁
５３を形成したので、隔壁５３の精度及び表面の平滑性
を向上できる。また隔壁５３がガラス粉末及びフィラー
粉末の複合系で構成される場合、各粉末の表面電位をそ
れぞれ最適な電位に制御することにより、各粉末のスラ
リー中での電気泳動速度をそれぞれ最適な速度に調節で
きるので、フィラーが均一に分散した隔壁５３を作製で
きる。更に隔壁５３がガラス粉末の単体系で構成される
場合、ガラス粉末の表面電位を制御することにより、ガ
ラス粉末のスラリー中での電気泳動速度を制御できる。

【００１９】請求項６に係る発明は、請求項５に係る発
明であって、更に表面処理剤がアミノシランカップリン
グ剤又はアミノ変性シリコーンオイルを含むことを特徴
とする。この請求項６に記載された隔壁形成方法では、
導電膜上にガラス粉末層を形成した後の焼成過程でアミ
ノシランカップリング剤等の有機ケイ素化合物が熱分解
して絶縁体のシリカとなる。

【００２０】請求項７に係る発明は、表面にアミノシラ
ンカップリング剤及びアミノ変性シリコーンオイルのい
ずれか一方又は双方が固定化されたガラス粉末又はガラ
ス粉末及びフィラー粉末を懸濁した隔壁形成用スラリー
である。この請求項７に記載された隔壁形成用スラリー
では、隔壁がガラス粉末及びフィラー粉末の複合系で構
成される場合、各粉末表面にアミノシランカップリング
剤やアミノ変性シリコーンオイルを固定化することによ
り、各粉末の表面電位をそれぞれ最適な電位に制御で
き、各粉末の電気泳動速度をそれぞれ最適な速度に調節
できる。また隔壁がガラス粉末の単体系で構成される場
合、ガラス粉末表面にアミノシランカップリング剤やア
ミノ変性シリコーンオイルを固定化することにより、ガ
ラス粉末の表面電位を制御でき、ガラス粉末の電気泳動
速度を制御できる。更にガラス粉末やフィラー粉末の表
面に固定化されたアミノシランカップリング剤等の有機
ケイ素化合物はガラス粉末層の焼成時に熱分解して絶縁
体のシリカとなる。

【００２１】

【発明の実施の形態】次に本発明の第１の実施の形態を
図面に基づいて説明する。図１（ｃ）に示すように、ガ
ラス基板１１上に平板形状の厚膜１２が形成される。ガ
ラス基板１１はＰＤＰの前面ガラスであり、厚膜１２は
この前面ガラスの放電セル（図示せず）に臨む面全体に
形成された誘電体層である。この厚膜１２をガラス基板
１１上に形成するには、先ず図１（ａ）に示すように、
ガラス基板１１上に導電有機物のペースト又は溶液を塗
布し乾燥して導電膜１３を形成する。導電性有機物とし
ては、カチオン型の第４級アンモニウム塩を有するポリ
マー又はモノマーや、アニオン型のスルホン酸塩、硫酸
エステル塩又はリン酸エステル塩を有するポリマー又は
モノマーが用いられる。ここでポリマーは比較的粘度が
高く、ペースト状であるため、パターンを有しないスク
リーン印刷法やドクタブレード法によりガラス基板１１
上に塗布され、モノマーは比較的粘度が低く、溶液状で
あるため、スピンコート法やディップコート法によりガ
ラス基板１１上に塗布される。

【００２２】第４級アンモニウム塩としては、第４級ア
ンモニウムクロライド、第４級アンモニウム硫酸塩、第
４級アンモニウム硝酸塩等が用いられる。また第４級ア
ンモニウム塩を有するポリマーとしては、ゴーセファイ
マーＣ−６７０、ゴーセファイマーＣ−８２０（日本合
成化学工業社製、第４アンモニウム塩含有アクリル系樹
脂）が用いられ、第４級アンモニウム塩を有するモノマ
ーとしては、ＡＹ４３−０２１（東レ・ダウコーニング
社製、第４級アンモニウム塩含有シランカップリング
剤）等が用いられる。

【００２３】スルホン酸塩としては、アルキルスルホン
酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩等が用いられ、硫
酸エステル塩としては、アルキル硫酸エステル塩等が用
いられ、リン酸エステル塩としてはアルキルリン酸エス
テル塩等が用いられる。スルホン酸塩を有するポリマー
としては、ゴーセファイマーＡ−４６０（日本合成化学
工業社製、スルホン酸塩含有スチレン系樹脂）等が用い
られ、スルホン酸塩を有するモノマーとしては、例え
ば、山下らの報告（「色材」，７０［５］，３００−３
０７（１９９７））のように合成されたスルホン酸塩含
シランカップリング剤等が用いられる。

【００２４】導電膜１３の厚さは０．１〜２０μｍの範
囲内にあることが好ましく、０．５〜５μｍの範囲にあ
ることが更に好ましい。導電膜１３の厚さを０．１〜２
０μｍの範囲に限定したのは、０．１μｍ未満では導電
性が不十分となり、２０μｍを越えると焼成後に有機物
の残査が残る不具合があるからである。

【００２５】次に導電膜１３を形成したガラス基板１１
とこの基板１１に対向する対向電極（図示せず）とをガ
ラス粉末が懸濁したスラリーに浸漬し、このスラリー中
でガラス基板１１上の導電膜１３と対向電極との間に直
流電圧を印加して導電膜１３上にガラス粉末層１４（図
１（ｂ））を電着する。上記スラリーとして、イソプロ
ピルアルコール（ＩＰＡ）等のアルコールと酢酸エチル
等のエステルとの混合分散媒中に、ガラス粉末を分散さ
せたスラリーを用いることが好ましい。また厚膜強度を
高めるために上記スラリーに０．０１〜０．１重量％の
フィラー粉末を添加することが好ましく、ガラス粉末の
スラリーの濃度は０．０２〜０．２重量％の範囲内にあ
ることが好ましい。

【００２６】ガラス粉末としては、軟化温度が５５０℃
以下、好ましくは５２０℃以下である、ＰｂＯ系のガラ
ス粉末を用いられる。ガラス粉末の好適なガラス組成の
例としては、ＰｂＯを１５〜８０重量％、ＺｎＯを３０
〜５０重量％、Ｂ₂Ｏ₃を５〜２５重量％含むものが挙げ
られる。このガラス粉末の平均粒径は１〜１００μｍの
範囲内にあることが好ましく、３〜２０μｍの範囲内に
あることが更に好ましい。またフィラー粉末としては、
シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、
酸化錫等の金属酸化物や、２種以上の金属の複合酸化物
（例えば、クロム銅複合酸化物）等を用いることが好ま
しい。このフィラー粉末の平均粒径は１〜５０μｍの範
囲内にあることが好ましく、３〜２０μｍの範囲内にあ
ることが更に好ましい。

【００２７】対向電極としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ等が
好ましいが、Ａｌが最も適している。導電膜１３と対向
電極との間に印加する直流電圧は２００〜１０００Ｖの
範囲に設定することが好ましく、４００〜８００Ｖの範
囲に設定することが更に好ましい。上記ガラス粉末層１
４が所望の高さに形成された後は、ガラス基板１１を取
出し、乾燥させた後、大気中で昇温速度５〜２０℃／分
でゆっくり３００〜４５０℃の範囲の所定の温度まで昇
温し、この温度で１０〜３０分間保持することにより、
導電膜１３を熱分解して消失する。導電膜１３が消失し
た後、更に昇温速度５〜２０℃／分で４００〜５５０℃
の範囲の所定の温度まで昇温し、この温度で１０〜３０
分間保持することにより、ガラス粉末層１４中のガラス
粉末を焼成してガラス基板１１に密着した平板形状の厚
膜１２（図１（ｃ））を形成する。

【００２８】また、この実施の形態では、厚膜を平板形
状としたが、厚膜をスルーホール等を有する平板形状に
形成してもよい。この場合、ガラス基板上にドライフィ
ルムレジストにより所定のパターン（スルーホールとな
る部分）で形成し、導電膜を固定化した後に、上記レジ
ストを剥離すればよく、この厚膜は回路基板の絶縁層と
なる。

【００２９】図２は本発明の第２の実施の形態を示す。
図２（ｃ）に示すように、ガラス基板３１上の厚膜形成
予定部に隔壁形状の厚膜３２が形成される。この厚膜３
２はＰＤＰのガラス基板上に放電セルを形成するための
隔壁形状の厚膜である。この厚膜３２をガラス基板３１
上に形成するには、先ず図２（ａ）に示すように、ガラ
ス基板３１上に導電有機物のペースト又は溶液を塗布し
乾燥して導電膜３３を形成する。導電性有機物は上記第
１の実施の形態と同様のポリマー又はモノマーが用いら
れる。

【００３０】ポリマーは比較的粘度が高く、ペースト状
であるため、所定のパターンを有するスクリーン印刷法
によりガラス基板３１上に上記パターンで塗布される。
またモノマーは比較的粘度が低く、溶液状であるため、
ガラス基板３１上にドライフィルムレジスト（以下、Ｄ
ＦＲという）により所定のパターンを形成した後、スピ
ンコート法やディップコート法によりガラス基板３１上
に上記パターンで塗布される。この場合、上記ＤＦＲは
所定のパターンの導電性有機物からなる導電膜３３がガ
ラス基板３１に固定化された後に剥離される。また導電
膜３３の厚さは上記第１の実施の形態と同様である。

【００３１】次に導電膜３３を形成したガラス基板３１
とこの基板３１に対向する対向電極（図示せず）とを、
第１の実施の形態と同様のガラス粉末が懸濁したスラリ
ーに浸漬し、第１の実施の形態と同様に電気泳動法によ
り導電膜３３上にガラス粉末層３４（図２（ｂ））を電
着する。上記ガラス粉末層３４が所望の高さに形成され
た後は、ガラス基板３１を取出し、乾燥させた後、第１
の実施の形態と同様に昇温して導電膜３３を熱分解して
消失させる。更に第１の実施の形態と同様に昇温して、
ガラス粉末層３４中のガラス粉末を焼成し、ガラス基板
３１に密着した隔壁形状の厚膜３２（図２（ｃ））を形
成する。なお、第２の実施の形態では、厚膜をＰＤＰの
ガラス基板上に放電セルを形成するための隔壁形状に形
成したが、液晶表示装置、蛍光表示装置、混成集積回路
装置等の発光体のセルの隔壁形状に形成したり、或いは
バス電極上の絶縁保護層となる隔壁形状に形成してもよ
い。

【００３２】図３は本発明の第３の実施の形態を示す。
図３（ｃ）に示すように、ガラス基板５１上の隔壁形成
予定部に導電膜５２が形成され、この導電膜５２上に隔
壁５３が形成される。隔壁５３はこの実施の形態では、
ＰＤＰのガラス基板上に放電セルを形成するための隔壁
である。この隔壁５３をガラス基板５１上に形成するに
は、先ず図３（ａ）に示すように、ガラス基板５１上の
隔壁形成予定部に導電性厚膜ペーストを塗布し乾燥・焼
成して導電膜５２を形成する。導電膜５２を形成する金
属としてはＡｇ若しくはＡｇ合金、Ａｕ若しくはＡｕ金
合金、Ｎｉ若しくはＮｉ合金、又はＡｌ若しくはＡｌ合
金等が用いられ、導電膜５２を形成する酸化物としては
ＲｕＯ₂等が用いられる。導電膜５２の厚さは０．１μ
ｍ〜２０μｍの範囲内にあることが好ましく、５μｍ〜
１０μｍの範囲にあることが更に好ましい。導電膜５２
の厚さを０．１μｍ〜２０μｍの範囲に限定したのは、
０．１μｍ未満ではガラス粉末やフィラー粉末を導電膜
１２上に均一に付着させ難くなり、２０μｍを越えると
ガラス基板５１との密着性が低下するからである。

【００３３】次いで表面処理剤により表面電位を制御し
たガラス粉末及びフィラー粉末が懸濁したスラリーを調
整する。このスラリーを調製するために、予め隔壁５３
となるガラス粉末及びフィラー粉末は表面処理剤により
表面処理され、これらの粉末の表面電位が制御される。
ガラス粉末としては、軟化温度が５５０℃以下、好まし
くは５２０℃以下である、ＰｂＯ系のガラス粉末を用い
られる。ガラス粉末の好適なガラス組成の例としては、
ＰｂＯを１５〜８０重量％、ＺｎＯを３０〜５０重量
％、Ｂ₂Ｏ₃を５〜２５重量％含むものが挙げられる。こ
のガラス粉末の平均粒径は１〜１００μｍの範囲内にあ
ることが好ましく、３〜２０μｍの範囲内にあることが
更に好ましい。またフィラー粉末としては、シリカ、ア
ルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、酸化錫等の
金属酸化物や、２種以上の金属の複合酸化物（例えば、
クロム銅複合酸化物）等を用いることが好ましい。この
フィラー粉末の平均粒径は１〜５０μｍの範囲内にある
ことが好ましく、３〜２０μｍの範囲内にあることが更
に好ましい。ガラス粉末にフィラー粉末を添加するのは
隔壁の強度を高めるためである。

【００３４】また表面処理剤としては、有機ケイ素化合
物であるアミノシランカップリング剤及びアミノ変性シ
リコーンオイルのいずれか一方又は双方をエタノール又
はヘキサン等の溶媒で２〜１０倍に希釈したものが用い
られる。有機ケイ素化合物としてアミノシランカップリ
ング剤やアミノ変性シリコーンオイル等を用いたのはア
ミノ基を有するものが粉末の表面電位の制御の面で有用
だからである。アミノシランカップリング剤としては、
１級アミノ基を有するシランカップリング剤、１級アミ
ノ基及び２級アミノ基を有するシランカップリング剤、
２級アミノ基を有するシランカップリング剤、４級アン
モニウム塩を含むシランカップリング剤等が用いられ
る。

【００３５】具体的には、１級アミノ基を有するシラン
カップリング剤としてはＫＢＭ９０３，ＫＢＥ９０３
（信越シリコーン社製）等が挙げられ、１級アミノ基及
び２級アミノ基を有するシランカップリング剤としては
ＫＢＭ６０２，ＫＢＭ６０３，ＫＢＥ６０３（信越シリ
コーン社製）等が挙げられ、２級アミノ基を有するシラ
ンカップリング剤としてはＫＢＭ５７３（信越シリコー
ン社製）等が挙げられ、４級アンモニウム塩を含むシラ
ンカップリング剤としてはＡＹ４３−０２１（東レ・ダ
ウコーニング社製）等が挙げられる。またアミノ変性シ
リコーンオイルとしては、Ｘ−２２−１６１ＡＳ，Ｘ−
２２−１６１Ａ，Ｘ−２２−１６１Ｂ，Ｘ−２２−１６
１Ｃ，ＫＦ−３９３，ＫＦ−８５９，ＫＦ−８５８，Ｋ
Ｆ−８６５，ＫＦ−８６８，ＫＦ−８５７（信越シリコ
ーン社製）等が挙げられる。

【００３６】ガラス粉末やフィラー粉末の表面処理方法
としては、一般的な無機粉末の処理方法である乾式法や
湿式法がある。乾式法とは、良く撹拌・混合されている
ガラス粉末等の中に有機ケイ素化合物を溶媒で希釈した
ものを噴霧し、アミノシランカップリング剤の場合には
８０〜１５０℃の範囲の温度で、アミノ変成シリコーン
オイルの場合には１５０〜２５０℃の範囲の温度でそれ
ぞれ熱処理する方法である。また湿式法とは、最初にガ
ラス粉末等をアルコール等の液中に分散させ、高速撹拌
しながら有機ケイ素化合物を添加した後に、ガラス粉末
等を沈降、濾過、熱処理及び解砕する方法である。従っ
て、ガラス粉末等の表面処理後の操作の簡便さから乾式
法がより好ましい。またガラス粉末等の表面処理量、即
ち有機ケイ素化合物のガラス粉末等に対する量（重量
％）は特に限定されないが、ガラス粉末等の比表面積、
比重、隔壁形成用スラリー中での分散性、電気泳動性等
を考慮して決定される。

【００３７】次に表面処理されたガラス粉末等を電気泳
動法により導電膜５２上に電着するための隔壁形成用ス
ラリーを作製する。このスラリーとしては、イソプロピ
ルアルコール（ＩＰＡ）等のアルコールと酢酸エチル等
のエステルとの混合分散媒中に、上記表面処理されたガ
ラス粉末等を分散させたスラリーを用いることが好まし
い。このスラリーに、導電膜５２を形成したガラス基板
５１とこの基板５１に対向する対向電極（図示せず）と
を浸漬し、このスラリー中でガラス基板５１上の導電膜
５２と対向電極との間に直流電圧を印加して導電膜５２
上にガラス粉末層５４（図３（ｂ））を電着する。この
ときガラス粉末及びフィラー粉末のスラリー中での電気
泳動速度は、各粉末の表面電位がそれぞれ最適な電位に
制御されているため、ガラス粉末にフィラー粉末が均一
に分散したガラス粉末層が得られる。

【００３８】ガラス粉末のスラリー濃度は０．０２〜
０．２重量％の範囲内にあることが好ましく、フィラー
粉末の添加量は０．０１〜０．１重量％であることが好
ましい。また対向電極としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ等が
好ましいが、Ａｌが最も適している。導電膜５２と対向
電極との間に印加する直流電圧は２００〜１０００Ｖの
範囲に設定することが好ましく、４００〜８００Ｖの範
囲に設定することが更に好ましい。上記ガラス粉末層５
４が所望の高さに形成された後は、ガラス基板５１を取
出し、乾燥させた後、大気中で昇温速度５〜２０℃／分
でゆっくり４００〜５５０℃の範囲の所定の温度まで昇
温し、この温度で１０〜３０分間保持する。これにより
ガラス粉末等の表面に固定化されたアミノシランカップ
リング剤等が熱分解して絶縁体のシリカになるととも
に、ガラス粉末層５４中のガラス粉末が焼成されてガラ
ス基板５１に導電膜５２を介して密着した隔壁５３（図
３（ｃ））が得られる。

【００３９】なお、この第３の実施の形態では、隔壁と
してＰＤＰのガラス基板上に放電セルを形成するための
隔壁を挙げたが、液晶表示装置、蛍光表示装置、混成集
積回路装置等の発光体のセルを形成するための隔壁や、
バス電極上に形成される絶縁保護層となる隔壁でもよ
い。また、この第３の実施の形態では、隔壁形成用スラ
リーとしてガラス粉末及びフィラー粉末が懸濁したスラ
リーを用いたが、ガラス粉末のみを懸濁したスラリーを
用いてもよい。この場合、ガラス粉末を予め表面処理し
てその表面電位を制御すれば、ガラス粉末の電着速度を
制御できる。

【００４０】

【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳しく
説明する。 ＜実施例１＞図２に示すように、先ず１００ｍｍ×１０
０ｍｍのガラス基板３１（ソーダライムガラス）を用意
した。次にこの基板３１上にスクリーン印刷法にて導電
性樹脂ゴーセファイマーＣ−８２０（日本合成化学工業
社製、第４級アンモニウム塩含有アクリル系樹脂）を印
刷し、大気中８０℃で乾燥して、線幅１００μｍの導電
膜３３を所定の間隔をあけて形成した（図２（ａ））。
一方、３０重量％のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）
と７０重量％の酢酸エチルとの分散媒中に、Ｂ₂Ｏ₃−Ｚ
ｎＯ−ＰｂＯ系ガラス粉末ＡＳＦ１３５０（旭硝子社
製、比重６．２、軟化点４１５℃、平均粒径４．０μ
ｍ、熱膨張係数８２×１０^-7／℃）０．０４重量％と、
フィラー粉末としてアルミナ粉末（平均粒径３．０μ
ｍ）０．０１重量％とを投入し、超音波ホモジナイザー
を照射して、電着用スラリーを調製した。

【００４１】このスラリー中に、上記ガラス基板３１
と、１００ｍｍ×１００ｍｍのＡｌ板よりなる対向電極
（図示せず）とを、ガラス基板３１の導電膜３３が形成
された面と対向電極とが対面するように配置して浸漬
し、導電膜３３を陽極とし対向電極を陰極として導電膜
３３及び対向電極間に４００Ｖの直流電圧を５分間印加
し、導電膜３３上にガラス粉末及びフィラー粉末からな
るガラス粉末層３４を形成した（図２（ｂ））。更にこ
のガラス基板３１を取出して乾燥した後、５℃／分の昇
温速度でゆっくり３００℃まで昇温し、この温度で２０
分間保持して導電膜３３を熱分解して消失させ、更に１
０℃／分の昇温速度で５２０℃まで昇温してこの温度で
１５分間保持することにより、ガラス粉末層３３を焼成
してガラス基板３１上に隔壁形状の厚膜３２を形成した
（図２（ｃ））。

【００４２】＜実施例２＞図示しないが、先ず１００ｍ
ｍ×１００ｍｍのガラス基板（ソーダライムガラス）上
に１２０℃でＤＦＲをラミネートし、露光・現像により
線幅１００μｍの溝を形成した。この溝中に導電性有機
物ＡＹ４３−０２１（東レ・ダウコーニング社製、第４
級アンモニウム塩含有シランカップリング剤）のアルコ
ール溶液を塗布し、１００℃に加熱して溶媒を除去し、
化学反応によるガラス基板への導電性有機物の固定化を
行った。次にこのガラス基板を２％のＮａＯＨ水溶液に
浸漬してＤＦＲを膨潤剥離し、導電性有機物からなる導
電膜が形成されたガラス基板を得た。以下、上記実施例
１と同様の電気泳動法にてガラス基板上に隔壁形状の厚
膜を形成した。

【００４３】＜実施例３＞導電性有機物としてゴーゼフ
ァイマーＡ−４６０（日本合成化学工業社製、スルホン
酸塩含有スチレン系樹脂）を用いたことを除いて、上記
実施例１と同様にガラス基板上に隔壁形状の厚膜を形成
した。 ＜実施例４＞導電性有機物としてスルホン酸イソプロピ
ルエステル基含有アルコキシシランカップリング剤を用
い、加熱温度を１５０℃にしたことを除いて、上記実施
例２と同様にガラス基板上に隔壁形状の厚膜を形成し
た。

【００４４】＜評価＞上記実施例１〜４のガラス基板上
に形成された隔壁形状の厚膜は、いずれも焼成工程によ
り導電膜が熱分解して消失し、厚膜が直接ガラス基板上
に固着されるため、電気的に回路に悪影響を及さず、回
路設計が容易となった。

【００４５】＜実施例５＞図３に示すように、先ず１０
０ｍｍ×１００ｍｍのガラス基板５１（ソーダライムガ
ラス）を用意した。次にこの基板５１上にスクリーン印
刷法にてＡｇペーストを印刷し、大気中６００℃で乾燥
・焼成して、線幅１００μｍの導電膜５２を所定の間隔
をあけて形成した（図３（ａ））。

【００４６】一方、５０ｇのＢ₂Ｏ₃−ＺｎＯ−ＰｂＯ系
ガラス粉末ＡＳＦ１３５０（旭硝子社製、比重６．２、
軟化点４１５℃、平均粒径４．０μｍ、熱膨張係数８２
×１０^-7／℃）をブレンダ中で高速撹拌しながら、アミ
ノシランカップリング剤ＫＢＥ９０３（信越シリコーン
社製）をエタノールで５倍に希釈した表面処理剤を上記
ガラス粉末に上方より０．２重量％（エタノールを含ま
ないＫＢＥ９０３のガラス粉末に対する重量％）噴霧
し、更に撹拌・混合を１時間続けた後に、１００℃で２
時間熱処理して、溶媒の除去と表面処理剤の粉末表面へ
の固定化を行った。またフィラー粉末としてＡｌ₂Ｏ₃粉
末（平均粒径３．０μｍ）を用意し、このフィラー粉末
をブレンダ中で高速撹拌しながら、ＫＢＥ９０３をエタ
ノールで５倍に希釈した表面処理剤を上記フィラー粉末
に上方より０．２重量％（エタノールを含まないＫＢＥ
９０３のフィラー粉末に対する重量％）噴霧し、更に撹
拌・混合を１時間続けた後に、１００℃で２時間熱処理
して、溶媒の除去と表面処理剤の粉末表面への固定化を
行った。

【００４７】次いで３０重量％のイソプロピルアルコー
ル（ＩＰＡ）と７０重量％の酢酸エチルとの分散媒中
に、上記表面処理されたガラス粉末０．０４重量％と上
記表面処理されたフィラー粉末０．０１重量％を投入
し、超音波ホモジナイザを照射して、隔壁形成用のスラ
リーを調製した。このスラリー中に、上記ガラス基板５
１と、１００ｍｍ×１００ｍｍのＡｌ板よりなる対向電
極（図示せず）とを、ガラス基板５１の導電膜５２が形
成された面と対向電極とが対面するように配置して浸漬
した。次に導電膜５２を陰極としかつ対向電極を陽極と
して導電膜５２及び対向電極間に５００Ｖの直流電圧を
２０分間印加し、導電膜５２上にガラス粉末及びフィラ
ー粉末からなるガラス粉末層５４を形成した（図３
（ｂ））。更にこのガラス基板５１を取出して乾燥した
後、１０℃／分の昇温速度でゆっくり５２０℃まで昇温
し、この温度で１５分間保持して導電膜５２上に隔壁５
３を形成した（図３（ｃ））。

【００４８】＜実施例６＞フィラー粉末への表面処理剤
の噴霧量が１．０重量％であることを除き、実施例５と
同様にしてガラス基板の導電膜上に隔壁を形成した。 ＜実施例７＞ガラス粉末への表面処理剤の噴霧量が１．
０重量％であることを除き、実施例５と同様にしてガラ
ス基板の導電膜上に隔壁を形成した。 ＜実施例８＞ガラス粉末への表面処理剤の噴霧量が１．
０重量％であること及びフィラー粉末への表面処理剤の
噴霧量が１．０重量％であることを除き、実施例５と同
様にしてガラス基板の導電膜上に隔壁を形成した。

【００４９】＜実施例９＞ガラス粉末への表面処理剤と
してアミノ変性シリコーンオイルＫＦ−３９３（信越シ
リコーン社製）をエタノールで５倍に希釈したものを用
い、ガラス粉末をブレンダ中で高速撹拌しながら、上記
表面処理剤を上記ガラス粉末に上方より０．２重量％
（エタノールを含まないＫＦ−３９３のガラス粉末に対
する重量％）噴霧し、更に撹拌・混合を１時間続けた後
に、２００℃で２時間熱処理して、溶媒の除去と表面処
理剤の粉末表面への固定化を行った。またフィラー粉末
への表面処理剤としてＫＦ−３９３をエタノールで５倍
に希釈したものを用い、フィラー粉末をブレンダ中で高
速撹拌しながら、上記表面処理剤を上記フィラー粉末に
上方より０．２重量％（エタノールを含まないＫＦ−３
９３のガラス粉末に対する重量％）噴霧し、更に撹拌・
混合を１時間続けた後に、２００℃で２時間熱処理し
て、溶媒の除去と表面処理剤の粉末表面への固定化を行
った。上記以外は実施例５と同様にしてガラス基板の導
電膜上に隔壁を形成した。

【００５０】＜実施例１０＞フィラー粉末への表面処理
剤の噴霧量が１．０重量％であることを除き、実施例９
と同様にしてガラス基板の導電膜上に隔壁を形成した。 ＜実施例１１＞ガラス粉末への表面処理剤の噴霧量が
１．０重量％であることを除き、実施例９と同様にして
ガラス基板の導電膜上に隔壁を形成した。 ＜実施例１２＞ガラス粉末への表面処理剤の噴霧量が
１．０重量％であること及びフィラー粉末への表面処理
剤の噴霧量が１．０重量％であることを除き、実施例９
と同様にしてガラス基板の導電膜上に隔壁を形成した。 ＜比較例１＞ガラス粉末及びフィラー粉末の何れも表面
処理していないことを除き、実施例５と同様にしてガラ
ス基板の導電膜上に隔壁を形成した。

【００５１】＜比較試験及び評価＞実施例５〜１２及び
比較例１の焼成後の隔壁を断面研磨し、隔壁中でのフィ
ラーの分散状況を走査型電子顕微鏡により観察し、隔壁
中にフィラーが均一に分散したものを「Ａ」、ガラスと
フィラーとの分離が明らかに確認されたものを「Ｃ」、
「Ａ」と「Ｃ」の中間の分散を示すものを「Ｂ」として
定性的に評価した。その結果を表１に示す。

【００５２】

【表１】

【００５３】表１から明らかなように、実施例５、８、
９、１１及び１２の隔壁では、隔壁中にフィラーが均一
に分散し、実施例６、７及び１０の隔壁では、隔壁中に
フィラーが比較的よく分散していたのに対し、比較例１
の隔壁では、ガラスとフィラーとが明らかに分離してい
た。これは、実施例５〜１２では、隔壁形成用スラリー
中に含まれるガラス粉末及びフィラー粉末を、アミノシ
ランカップリング剤又はアミノ変性シリコーンオイルの
有機ケイ素化合物で表面処理して各粉末の表面電位を最
適な電位にそれぞれ制御することにより、各粉末の外部
電場中での電気泳動速度をそれぞれ最適な速度に調節で
きたためと考えられる。

【００５４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、基
板上に導電性有機物の導電膜を形成し、導電膜上に電気
泳動法にてガラス粉末層を電着し、この基板を乾燥した
後所定の温度まで昇温して導電膜を熱分解し更に昇温し
てガラス粉末層を焼成し厚膜を形成したので、厚膜の精
度及び表面の平滑性を向上でき、また導電膜が最終的に
熱分解して消失するので、導電膜が電気的に回路に悪影
響を及すことはない。また基板をガラス基板とし、導電
性有機物からなる導電膜をガラス基板上の厚膜形成予定
部に形成し、導電膜上に電気泳動法にてガラス粉末層を
電着し、この基板を乾燥した後所定の温度まで昇温して
導電膜を熱分解し更に昇温してガラス粉末層を焼成し隔
壁形状の厚膜を形成すれば、１５０〜２００μｍと背の
高い隔壁形状の厚膜を作るのに無機ペーストの塗布及び
乾燥を１０〜２０回も繰返さなければならない従来の第
１の隔壁形状の厚膜の形成方法と比較して、本発明の厚
膜形成方法では、簡便にかつ精度良く隔壁形状の厚膜を
形成できる。

【００５５】またレジスト層の形成のために感光性フィ
ルムの被覆、露光、現像等の複雑な工程を必要とし、パ
ターン形成層の大部分を取除くため無駄が多い従来の第
２及び第３の隔壁形状の厚膜の形成方法と比較して、本
発明の厚膜形成方法では、少ない工程で材料の無駄なく
簡便に、精度及び表面の平滑性が向上した隔壁形状の厚
膜を形成できる。この結果、本発明の方法により形成さ
れた隔壁形状の厚膜をＰＤＰのガラス基板上に放電セル
を形成するための隔壁形状の厚膜として用いれば、ＰＤ
Ｐの品質を向上できるとともにＰＤＰの製造コストを低
減できる。また導電性有機物として、４級アンモニウム
塩を有するポリマー又はモノマーや、スルホン酸塩を有
するポリマー又はモノマーを用いれば、これらの導電性
有機物からなる導電膜が電気泳動法における電極として
機能を十分に発揮するとともに、ガラス粉末層の焼成温
度より低い温度で熱分解して消失して電気的に回路に悪
影響を及さない。

【００５６】またガラス基板上の隔壁形成予定部に導電
膜を形成し、表面処理剤により表面電位を制御したガラ
ス粉末又はガラス粉末及びフィラー粉末が懸濁したスラ
リーを調製し、導電膜を形成したガラス基板とこのガラ
ス基板に対向する対向電極とを上記スラリーに浸漬して
電気泳動法により導電膜上にガラス粉末層を電着し、更
にこのガラス基板を乾燥した後ガラス粉末層を焼成して
隔壁を形成すれば、隔壁の精度及び表面の平滑性を向上
できる。また上記従来の第１〜第３の隔壁の形成方法と
比較して、本発明の隔壁形成方法では、上記と同様の効
果を奏する。また隔壁がガラス粉末及びフィラー粉末の
複合系で構成される場合、各粉末の表面電位をそれぞれ
最適な電位に制御することにより、各粉末のスラリー中
での電気泳動速度をそれぞれ最適な速度に調節できる。
この結果、フィラーが均一に分散した隔壁を作製でき
る。また隔壁がガラス粉末の単体系で構成される場合、
ガラス粉末の表面電位を制御することにより、ガラス粉
末のスラリー中での電気泳動速度を調整できる。

【００５７】また上記表面処理剤がアミノシランカップ
リング剤及びアミノ変性シリコーンオイルのいずれか一
方又は双方を含めば、導電膜上にガラス粉末層を形成し
た後の焼成過程でアミノシランカップリング剤等の有機
ケイ素化合物が熱分解して絶縁体のシリカとなる。この
結果、隔壁が電気的に回路に悪影響を及すことはない。
この結果、本発明の方法により形成された隔壁をＰＤＰ
のガラス基板上に放電セルを形成するための隔壁として
用いれば、ＰＤＰの品質を向上できるとともにＰＤＰの
製造コストを低減できる。

【００５８】また表面にアミノシランカップリング剤及
びアミノ変性シリコーンオイルのいずれか一方又は双方
が固定化されたガラス粉末又はガラス粉末及びフィラー
粉末を懸濁して隔壁形成用スラリーを調製すれば、隔壁
がガラス粉末及びフィラー粉末の複合系で構成される場
合、各粉末表面にアミノシランカップリング剤やアミノ
変性シリコーンオイルを固定化することにより、各粉末
の表面電位をそれぞれ最適な電位に制御でき、各粉末の
電気泳動速度をそれぞれ最適な速度に調節できる。この
結果、この隔壁形成用スラリーを用いて電気泳動法にて
導電膜上に上記各粉末を電着すれば、フィラーが均一に
分散した隔壁を作製できる。また隔壁がガラス粉末の単
体系で構成される場合、ガラス粉末表面にアミノシラン
カップリング剤やアミノ変性シリコーンオイルを固定化
することにより、ガラス粉末の表面電位を制御でき、ガ
ラス粉末の電気泳動速度を制御できる。更にガラス粉末
やフィラー粉末の表面に固定化されたアミノシランカッ
プリング剤等の有機ケイ素化合物はガラス粉末層の焼成
時に熱分解して絶縁体のシリカとなるので、隔壁が電気
的に回路に悪影響を及すことはない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明第１の実施形態の平板形状の厚膜の形成
方法を工程順に示す断面図。

【図２】本発明第２の実施形態の隔壁形状の厚膜の形成
方法を工程順に示す断面図。

【図３】本発明の第２の実施形態の隔壁形成方法を工程
順に示す断面図。

【図４】従来の隔壁を含むＰＤＰの分解斜視図。

【図５】図４のＡ部拡大図。

【図６】従来の隔壁形状の厚膜の形成方法を工程順に示
す断面図。

【図７】別の従来の隔壁形状の厚膜の形成方法を工程順
に示す断面図。

【図８】更に別の従来の隔壁形状の厚膜の形成方法を工
程順に示す断面図。

【符号の説明】

１１，３１，５１ ガラス基板 １２，３２ 厚膜 １３，３３，５２ 導電膜 １４，３４，５４ ガラス粉末層 ５３ 隔壁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西原 明 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社総合研究所内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス基板(11,31)上に導電性有機物の
   ペースト又は溶液を塗布し乾燥して導電膜(13,33)を形
   成する工程と、 前記導電膜(13,33)を形成したガラス基板(11,31)とこの
   ガラス基板(11,31)に対向する対向電極とをガラス粉末
   又はガラス粉末及びフィラー粉末が懸濁したスラリーに
   浸漬する工程と、 前記スラリー中で前記ガラス基板(11,31)上の導電膜(1
   3,33)と前記対向電極との間に直流電圧を印加して前記
   導電膜(13,33)上にガラス粉末層(14,34)を電着する工程
   と、 前記ガラス基板(11,31)を乾燥した後所定の温度まで昇
   温して前記導電膜(13,33)を熱分解し更に昇温して前記
   ガラス粉末層(14,34)を焼成し厚膜(12,32)を形成する工
   程とを含む厚膜形成方法。
2. 【請求項２】 ガラス基板(31)上の厚膜形成予定部に導
   電性有機物のペースト又は溶液を塗布し乾燥して導電膜
   (33)を形成する工程と、 前記導電膜(33)を形成したガラス基板(31)とこの基板(3
   1)に対向する対向電極とをガラス粉末又はガラス粉末及
   びフィラー粉末が懸濁したスラリーに浸漬する工程と、 前記スラリー中で前記ガラス基板(31)上の導電膜(33)と
   前記対向電極との間に直流電圧を印加して前記導電膜(3
   3)上にガラス粉末層(34)を電着する工程と、 前記ガラス基板(31)を乾燥した後所定の温度まで昇温し
   て前記導電膜(33)を熱分解し更に昇温して前記ガラス粉
   末層(34)を焼成し隔壁形状の厚膜(32)を形成する工程と
   を含む厚膜形成方法。
3. 【請求項３】 導電性有機物が４級アンモニウム塩を有
   するポリマー又はモノマーである請求項１又は２記載の
   厚膜形成方法。
4. 【請求項４】 導電性有機物がスルホン酸塩を有するポ
   リマー又はモノマーである請求項１又は２記載の厚膜形
   成方法。
5. 【請求項５】 ガラス基板(51)上の隔壁形成予定部に導
   電性厚膜ペーストを塗布し乾燥・焼成して導電膜(52)を
   形成する工程と、 表面処理剤により表面電位を制御したガラス粉末又はガ
   ラス粉末及びフィラー粉末が懸濁したスラリーを調製す
   る工程と、 前記導電膜(52)を形成したガラス基板(51)とこのガラス
   基板(51)に対向する対向電極とを前記スラリーに浸漬す
   る工程と、 前記スラリー中で前記ガラス基板(51)上の導電膜(52)と
   前記対向電極との間に直流電圧を印加して前記導電膜(5
   2)上にガラス粉末層(54)を電着する工程と、 前記ガラス基板(51)を乾燥した後前記ガラス粉末層(54)
   を焼成して隔壁(53)を形成する工程とを含む隔壁形成方
   法。
6. 【請求項６】 表面処理剤がアミノシランカップリング
   剤及びアミノ変性シリコーンオイルのいずれか一方又は
   双方を含む請求項１記載の隔壁形成方法。
7. 【請求項７】 表面にアミノシランカップリング剤及び
   アミノ変性シリコーンオイルのいずれか一方又は双方が
   固定化されたガラス粉末又はガラス粉末及びフィラー粉
   末が懸濁した隔壁形成用スラリー。