JPS5834198A - 粉体塗布方法 - Google Patents
粉体塗布方法Info
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- JPS5834198A JPS5834198A JP13101381A JP13101381A JPS5834198A JP S5834198 A JPS5834198 A JP S5834198A JP 13101381 A JP13101381 A JP 13101381A JP 13101381 A JP13101381 A JP 13101381A JP S5834198 A JPS5834198 A JP S5834198A
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- JP
- Japan
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- substrate
- powder
- glass
- adhesion
- coating method
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電気泳動付着法を利用した粉体塗布方法の改
良に関する。
良に関する。
従来、電気泳動付着法による粉体塗布は各方面で使用さ
れておシ、近年半導体工業の分野にも利用されている。
れておシ、近年半導体工業の分野にも利用されている。
半導体素子線、その特性安定化の丸めにＰＮ接合の露出
面を樹脂、無機酸化物或いは多成分系ガラス等で被覆さ
れている。
面を樹脂、無機酸化物或いは多成分系ガラス等で被覆さ
れている。
このうち多成分系ガラスによる被覆紘素子の電気特性、
特にＢＴ４９性が良好であシ、高信頼性素子にかかせな
い技術となっている。多成分系ガラスによる被覆は、被
覆を目的とする部所にガラス粉末を塗布し友後、ガラス
が流動化する温度で加熱焼成してガラス被膜とすること
にょ９行なうのが一般的である。そして、このガラス粉
末の塗布に電気泳動付着法が使用されている。
特にＢＴ４９性が良好であシ、高信頼性素子にかかせな
い技術となっている。多成分系ガラスによる被覆は、被
覆を目的とする部所にガラス粉末を塗布し友後、ガラス
が流動化する温度で加熱焼成してガラス被膜とすること
にょ９行なうのが一般的である。そして、このガラス粉
末の塗布に電気泳動付着法が使用されている。
電気泳動付着法を利用して半導体用８１基板にガラス粉
末を塗布する場合には、まず有機溶媒中Ｋｆガラス粉末
分散しておき、さらにこの溶媒中に付着安定剤としてム
Ｌ”、Ｂａ” 、Ｃａ”。
末を塗布する場合には、まず有機溶媒中Ｋｆガラス粉末
分散しておき、さらにこの溶媒中に付着安定剤としてム
Ｌ”、Ｂａ” 、Ｃａ”。
Ｇａ” ＠ Ｌａ” ６ Ｍｇ 、Ｐｂ ｅ Ｙ
ａ Ｚｎ 等の２価以上の金属イオンの塩を添加し
ておく。そして、上記付着安定剤が添加された溶媒中に
ガラスを付着させるぺ自画を有するＳｔ基板を浸漬する
と共に、対内する電極を浸漬配置し、これら０ＩＩＫｊ
ｌ轟な電圧を印加すると、添加した金属イオンによって
電荷を得たガラス粉末が８１基板に引自寄せもれてその
表面に付着する。なお、付着し九Ｉツス粉末はガラスが
流動化する温度で加熱焼成されてガラス被膜となるが、
七〇１１に体積がＩＡ〜ＩＡに減るので予めそれを見込
した量を付着させておく必要がある。また、付着が緊密
でないと付着したガラス粉末間に多量ＯＳｍ中空気が残
シ、焼成によっても除去しきれずガラス被膜中の気泡と
なる。さらに付着が一様でないと焼成後に付着量の多い
所でガラスがはみ出したシ、付着量の少ない所でガラス
被膜に陥没が発生したりする。これら気泡、ガラスのは
み出しおよび陥没は累子特性不良の原因とな〕好ｔＬ＜
ない、このため、緊密、一様でかつ多量なガラス粉末の
付着が要望されている。
ａ Ｚｎ 等の２価以上の金属イオンの塩を添加し
ておく。そして、上記付着安定剤が添加された溶媒中に
ガラスを付着させるぺ自画を有するＳｔ基板を浸漬する
と共に、対内する電極を浸漬配置し、これら０ＩＩＫｊ
ｌ轟な電圧を印加すると、添加した金属イオンによって
電荷を得たガラス粉末が８１基板に引自寄せもれてその
表面に付着する。なお、付着し九Ｉツス粉末はガラスが
流動化する温度で加熱焼成されてガラス被膜となるが、
七〇１１に体積がＩＡ〜ＩＡに減るので予めそれを見込
した量を付着させておく必要がある。また、付着が緊密
でないと付着したガラス粉末間に多量ＯＳｍ中空気が残
シ、焼成によっても除去しきれずガラス被膜中の気泡と
なる。さらに付着が一様でないと焼成後に付着量の多い
所でガラスがはみ出したシ、付着量の少ない所でガラス
被膜に陥没が発生したりする。これら気泡、ガラスのは
み出しおよび陥没は累子特性不良の原因とな〕好ｔＬ＜
ない、このため、緊密、一様でかつ多量なガラス粉末の
付着が要望されている。
しかしながら、従来方法ではこれらの条件の全てを満た
すことは困難であった０例えば、印加する電圧を調整す
ることにょシ、ガラス粉末の付着量中緊密性をある程度
改良することはできるが、電圧を調整することはｆ５ス
粉末付着の一様性の減少中、溶媒若しくはそれに混在す
る水の電気分解による水素の発生等の欠点を招く場合か
あ〕、印加電圧によ、る付着の制御、特に付着量の増大
には限度があった。
すことは困難であった０例えば、印加する電圧を調整す
ることにょシ、ガラス粉末の付着量中緊密性をある程度
改良することはできるが、電圧を調整することはｆ５ス
粉末付着の一様性の減少中、溶媒若しくはそれに混在す
る水の電気分解による水素の発生等の欠点を招く場合か
あ〕、印加電圧によ、る付着の制御、特に付着量の増大
には限度があった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、特殊な装置や試薬の使用勢な要するこ
となく、基体表面に従来よ１多量の粉体を緊密かつ一様
に付着、塗布することのできる電気泳動法を利用した粉
体塗布方法を提供することにある。
とするところは、特殊な装置や試薬の使用勢な要するこ
となく、基体表面に従来よ１多量の粉体を緊密かつ一様
に付着、塗布することのできる電気泳動法を利用した粉
体塗布方法を提供することにある。
まず、本発明の詳細な説明する０本発明者等は、前述し
た問題に対し鋭意研究を重ねた結果、電気泳動法により
て８１基板上にガラス粉末を付着させるに際して、ガラ
ス粉末付着以前に４基板上にガラス粉末の付着安定剤と
して使用し得る金属イオン種を付着させておくことによ
シ、従来よ）多量のガラス粉末を緊密に付着でき、また
付着の一様性も増すことを見出した。しかも、ガラス粉
末を１！１基板に付着させ塗布する場合のみならず、ア
ル電す中シリカ等のセラ建。
た問題に対し鋭意研究を重ねた結果、電気泳動法により
て８１基板上にガラス粉末を付着させるに際して、ガラ
ス粉末付着以前に４基板上にガラス粉末の付着安定剤と
して使用し得る金属イオン種を付着させておくことによ
シ、従来よ）多量のガラス粉末を緊密に付着でき、また
付着の一様性も増すことを見出した。しかも、ガラス粉
末を１！１基板に付着させ塗布する場合のみならず、ア
ル電す中シリカ等のセラ建。
夕粉体、各種顔料および高分子材料等の粉体を電気泳動
付着法によってｉｉｉ基板若しくはそれ以外に鉄板、タ
ングステン線等の基体に塗布する場合においても、付着
し九粉体の量、緊密性。
付着法によってｉｉｉ基板若しくはそれ以外に鉄板、タ
ングステン線等の基体に塗布する場合においても、付着
し九粉体の量、緊密性。
一様性の改善に効果があることを見出した。
本実−はこのような点に着目し、電気泳動付着法によ）
粉体を基体表面に付着すゐ前工程としてｔ鉄基板表面に
上記粉体の付着安定剤として作用す為金属イオン種を付
着せしめるようにした方法である。すなわち、本発明は
付着安定剤として金属イオンを含む粉体分散液に粉体を
塗布されるべき基体の表面を接触させ、対向電極との間
に電圧を印加することによ）粉体を付着させる電気泳動
付着法による粉体の塗布において、上記粉体分散液に含
ませ得る金属イオンを予め基体表面に付着させておくこ
とを特徴とする粉体塗布方法の故実であシ、上記金属イ
オンの付着法として、付着すべき金属イオンを含む溶液
に基体表面を接触させ、対向電極との間に電圧を印加し
て金属イオンを基体表面に付着させる方法を用いること
を特徴とする。
粉体を基体表面に付着すゐ前工程としてｔ鉄基板表面に
上記粉体の付着安定剤として作用す為金属イオン種を付
着せしめるようにした方法である。すなわち、本発明は
付着安定剤として金属イオンを含む粉体分散液に粉体を
塗布されるべき基体の表面を接触させ、対向電極との間
に電圧を印加することによ）粉体を付着させる電気泳動
付着法による粉体の塗布において、上記粉体分散液に含
ませ得る金属イオンを予め基体表面に付着させておくこ
とを特徴とする粉体塗布方法の故実であシ、上記金属イ
オンの付着法として、付着すべき金属イオンを含む溶液
に基体表面を接触させ、対向電極との間に電圧を印加し
て金属イオンを基体表面に付着させる方法を用いること
を特徴とする。
以下、本発明を８１基板へのガラス粉末塗布を例にして
説明する。ｔず２．５ＸＩＦ” ［ｍｏｌμ］のＢａ（
ＮＯｘ）ｚを含む水溶液２０（ｄ）をイソゾロパノール
１〔ｌ〕に加わえた液を用意する０次に、この液中に負
極としてたとえば第１図に示すｇｌｏｆｉ膜１をマスク
として備えたベベル臘半導体素子のａｉＪｉＪ［Ｊを、
また正極として白金板（図示せず）をそれぞれ浸漬させ
、これら負極（８１基板）と正極（白金板）との間に数
１０〜数１００′〔Ｖ〕の定電圧を印加する。正に荷電
している液中Ｏ／４リクムイオンは電圧の印加によ〕負
極であるＩｔ！板上に集ｔシ、そこで電気化学反応によ
り水酸化バリウムとなって８１基板上に付着する。
説明する。ｔず２．５ＸＩＦ” ［ｍｏｌμ］のＢａ（
ＮＯｘ）ｚを含む水溶液２０（ｄ）をイソゾロパノール
１〔ｌ〕に加わえた液を用意する０次に、この液中に負
極としてたとえば第１図に示すｇｌｏｆｉ膜１をマスク
として備えたベベル臘半導体素子のａｉＪｉＪ［Ｊを、
また正極として白金板（図示せず）をそれぞれ浸漬させ
、これら負極（８１基板）と正極（白金板）との間に数
１０〜数１００′〔Ｖ〕の定電圧を印加する。正に荷電
している液中Ｏ／４リクムイオンは電圧の印加によ〕負
極であるＩｔ！板上に集ｔシ、そこで電気化学反応によ
り水酸化バリウムとなって８１基板上に付着する。
こζで、上記０ＩＩＩは溶媒としてイソグロノ臂ノール
を使用しているが、この他たとえばエタノール、−−テ
ロノ々゛ノールなどのアルコール類中、アセトンなどＯ
ケ）ン類、酢酸エチルなどのエステル類等を用いてもよ
い、ｔた、硝酸ノクリウムＯ代わ〕に他のバリウム塩、
着しくはＡｊ 。
を使用しているが、この他たとえばエタノール、−−テ
ロノ々゛ノールなどのアルコール類中、アセトンなどＯ
ケ）ン類、酢酸エチルなどのエステル類等を用いてもよ
い、ｔた、硝酸ノクリウムＯ代わ〕に他のバリウム塩、
着しくはＡｊ 。
Ｂａ ＊ Ｃａ 、 Ｇａ ＃ Ｌａ ａ Ｍｇ ｅ
Ｐｂ ＊ Ｙ 、 Ｚｍのうちから選んだ少なくと４１
種の金属の塩を使用してもよい、ζｏ ＩＩ ｓ金属塩
の量は有機溶媒ＩＣ＃）ｉ九） ＩＸ １ Ｇ−’ 〜
５Ｘ １０−’（！１１０１．１の範囲にするのかよ（
、ＩＸＩＧ （１１＠１）未満では金属イオンの付着
の効果がなく、また５ Ｘ １０−ｓｏ−５（） ヨＦ
）多くしてもガラス粉末Ｏ付着量は増大せず、逆に付着
の一様性を減することがある。水は金属塩の溶解度を増
すためと、液の電気電導度１ｋｖ１４節するために必要
であ〕、有機溶媒１〔！〕あたり５〜１００［ｄ）の範
囲以内が好ましく、上記のように金属塩水溶液の溶媒と
して有機溶媒に添加する以外に、水だけを単独で添加し
てもよい・ かくして本発明によれば、金属イオンを付着させた８１
基板を使用し、前述し九金属イオン塩な付着安定剤とし
て使用する電気泳動法によゐＩラス粉末付着を行うこと
によって、金属イオンを付着させていない８１基板を使
用した時（従来方法）Ｋ比べて多量のガラス粉末を緊密
に、かつ一様に付着することができる。したがって、ガ
ラスを付着させたＳ１基板を加熱焼成しガラス被膜を形
成した場合、ガラス被膜中に気泡が残ることを防止でき
、さらにガラスのはみ出し中陥没等も防止することがで
きる。
Ｐｂ ＊ Ｙ 、 Ｚｍのうちから選んだ少なくと４１
種の金属の塩を使用してもよい、ζｏ ＩＩ ｓ金属塩
の量は有機溶媒ＩＣ＃）ｉ九） ＩＸ １ Ｇ−’ 〜
５Ｘ １０−’（！１１０１．１の範囲にするのかよ（
、ＩＸＩＧ （１１＠１）未満では金属イオンの付着
の効果がなく、また５ Ｘ １０−ｓｏ−５（） ヨＦ
）多くしてもガラス粉末Ｏ付着量は増大せず、逆に付着
の一様性を減することがある。水は金属塩の溶解度を増
すためと、液の電気電導度１ｋｖ１４節するために必要
であ〕、有機溶媒１〔！〕あたり５〜１００［ｄ）の範
囲以内が好ましく、上記のように金属塩水溶液の溶媒と
して有機溶媒に添加する以外に、水だけを単独で添加し
てもよい・ かくして本発明によれば、金属イオンを付着させた８１
基板を使用し、前述し九金属イオン塩な付着安定剤とし
て使用する電気泳動法によゐＩラス粉末付着を行うこと
によって、金属イオンを付着させていない８１基板を使
用した時（従来方法）Ｋ比べて多量のガラス粉末を緊密
に、かつ一様に付着することができる。したがって、ガ
ラスを付着させたＳ１基板を加熱焼成しガラス被膜を形
成した場合、ガラス被膜中に気泡が残ることを防止でき
、さらにガラスのはみ出し中陥没等も防止することがで
きる。
なお、上述し九本発明による電気泳動付着法の故実は、
ｓｉ基板へのガラス粉末塗布の他に、良とえに金属板へ
のホクロク、又はグラスライエンダＯ手段、酸化物熱陰
極材料のタングステン・フィラメントなどへの付着、セ
ラミックライニング、静電塗装法等にも応用できる。
ｓｉ基板へのガラス粉末塗布の他に、良とえに金属板へ
のホクロク、又はグラスライエンダＯ手段、酸化物熱陰
極材料のタングステン・フィラメントなどへの付着、セ
ラミックライニング、静電塗装法等にも応用できる。
〈爽施儒１〉
無１１！ＩＩＫ示す断面を持つ、厚さ２〔綿〕の８１０
２膜１を備え、幅１００ （ｍｌ）、深さ２００〔μｍ
〕のベベルｍｌＯ溝１を設けた８１基板２を用意し、無
１１１に示す組成ＯＷｌを調製し、金属イオン付着液と
しえ、ｔず金属イオン付着液！ （１）に正極（対内電
極）として白金板を、また負極として上記ＩＩ基１［ｊ
ｔ電気的に接触するホルダーにて把持してそれぞれ浸漬
させ、両電極間に１００（Ｖ） Ｏ定電圧を３分間印加
してバリウムイオンをＩｉ基ｇｇｏ露出ｗ（溝部）に付
着させた。別０１１基１［１と金属イオン付着液Ａ （
２）〜ム（ト）を−使用して同様の操作を行い、金属イ
オンを付着させ１にいｓｚａ板１と合わせて１１種のＳ
ｔ基板を伸側した０次に、イソゾロパノール３００ Ｃ
ｄ）にＺｏｏ ６８ （ｗｔ９１）、Ｂ２ｕｓ ２３
（ｖｔ％）、５ｔｏｚ１０（ｖｔ＊）、Ｃｏｏｔ Ｚ
（ｗｓ１３＜Ｄ組成を持つホウ酸亜鉛系ガラスの３２５
メ、シ２のフルイを通過し九粉末２０ （ｊ’〕を分散
させ、付着安定剤として硝酸イ、）リウムｌＸｌ０
（ｎａｏｌ）を添加し九ガラス付着液中に上記の処理を
したＳｔ基板と白金板を浸漬させ、ｓｉ基板を負極、白
金板を正極にして２ ｓ ｏ （ｖ）の定電圧を２分間
印加し、電気泳動法によ〕８魚基板の露出面（溝部）に
ガラス粉末を付着させた。ガラス粉末は第２図に示すよ
うな形状に付着したが、この高さｈと幅Ｗを測定し、ガ
ラ、ス付着量として第２表に示した。第２表に見られる
とおり、金属イ”オンを付着させた旧基板（ム（１）〜
ム叫）には金属イオンを付着させない８１基板（ＡＨ参
考例）に比べていずれも多量のガラスが付着した。まな
、付着し′＃、、ガラス粉末の外観も参考例に比べて嵐
好であった。
２膜１を備え、幅１００ （ｍｌ）、深さ２００〔μｍ
〕のベベルｍｌＯ溝１を設けた８１基板２を用意し、無
１１１に示す組成ＯＷｌを調製し、金属イオン付着液と
しえ、ｔず金属イオン付着液！ （１）に正極（対内電
極）として白金板を、また負極として上記ＩＩ基１［ｊ
ｔ電気的に接触するホルダーにて把持してそれぞれ浸漬
させ、両電極間に１００（Ｖ） Ｏ定電圧を３分間印加
してバリウムイオンをＩｉ基ｇｇｏ露出ｗ（溝部）に付
着させた。別０１１基１［１と金属イオン付着液Ａ （
２）〜ム（ト）を−使用して同様の操作を行い、金属イ
オンを付着させ１にいｓｚａ板１と合わせて１１種のＳ
ｔ基板を伸側した０次に、イソゾロパノール３００ Ｃ
ｄ）にＺｏｏ ６８ （ｗｔ９１）、Ｂ２ｕｓ ２３
（ｖｔ％）、５ｔｏｚ１０（ｖｔ＊）、Ｃｏｏｔ Ｚ
（ｗｓ１３＜Ｄ組成を持つホウ酸亜鉛系ガラスの３２５
メ、シ２のフルイを通過し九粉末２０ （ｊ’〕を分散
させ、付着安定剤として硝酸イ、）リウムｌＸｌ０
（ｎａｏｌ）を添加し九ガラス付着液中に上記の処理を
したＳｔ基板と白金板を浸漬させ、ｓｉ基板を負極、白
金板を正極にして２ ｓ ｏ （ｖ）の定電圧を２分間
印加し、電気泳動法によ〕８魚基板の露出面（溝部）に
ガラス粉末を付着させた。ガラス粉末は第２図に示すよ
うな形状に付着したが、この高さｈと幅Ｗを測定し、ガ
ラ、ス付着量として第２表に示した。第２表に見られる
とおり、金属イ”オンを付着させた旧基板（ム（１）〜
ム叫）には金属イオンを付着させない８１基板（ＡＨ参
考例）に比べていずれも多量のガラスが付着した。まな
、付着し′＃、、ガラス粉末の外観も参考例に比べて嵐
好であった。
２種以上のイオンを付着させた例としてＡ（１４にＢａ
とＹ を付着させた場合を示したが、この場合も同
様の効果があった。
とＹ を付着させた場合を示したが、この場合も同
様の効果があった。
次に、ガラスを付着させた各ａｔ基Ｉ（１）〜ム叫）を
電気炉中において７ ｏ ｏ （℃）で３０分間加熱焼
成してｆラス被膜を形成し九ところ、いずれ０１１１基
板にシいてもガラス中の残留気泡、ガ９スのはみ出しお
よび表面の陥没は見られなかっ光・ □ 〈実施例２〉 第３表に示すようにＭｇ（ＣＨ５ＣＯＯ）２５Ｘ１０
〜Ｉ Ｘ １０−２［ｍｏｊ）と水５０ （ｓｇ）をイ
ソゾロ／々ノールに分散させた８種の金属イオン付着液
を調製し、前記実施例１ζ同様の操作を行なった。第３
表にガラス粉末付着量を示したがＭｇ（ＣＨ３ＣＯＯｈ
が５Ｘ１Ｇ−’ （ｗｅｌ〕のＡ（１）は、金属イオン
を付着させなかった参考例Ａ（９）と比べて金属イオン
付着の効果が無く、Ｉ Ｘ １０” （ｍｏｌ）ＯＡ
（８）は５ Ｘ １０−ｓｏ−５（〕（Ｄ Ａ（７）と
比ヘテカラス粉末付着量は増加せず、逆に付着の一様性
が減少した。
電気炉中において７ ｏ ｏ （℃）で３０分間加熱焼
成してｆラス被膜を形成し九ところ、いずれ０１１１基
板にシいてもガラス中の残留気泡、ガ９スのはみ出しお
よび表面の陥没は見られなかっ光・ □ 〈実施例２〉 第３表に示すようにＭｇ（ＣＨ５ＣＯＯ）２５Ｘ１０
〜Ｉ Ｘ １０−２［ｍｏｊ）と水５０ （ｓｇ）をイ
ソゾロ／々ノールに分散させた８種の金属イオン付着液
を調製し、前記実施例１ζ同様の操作を行なった。第３
表にガラス粉末付着量を示したがＭｇ（ＣＨ３ＣＯＯｈ
が５Ｘ１Ｇ−’ （ｗｅｌ〕のＡ（１）は、金属イオン
を付着させなかった参考例Ａ（９）と比べて金属イオン
付着の効果が無く、Ｉ Ｘ １０” （ｍｏｌ）ＯＡ
（８）は５ Ｘ １０−ｓｏ−５（〕（Ｄ Ａ（７）と
比ヘテカラス粉末付着量は増加せず、逆に付着の一様性
が減少した。
〈実施例３〉
平均粒ｖｋ２ （ｍ〕Ｏｒ−アルミナ粉末ｇ Ｏ（Ｐ）
とムＡ（ＣＨ３ＣＯＯ）５１ Ｘ １ Ｇ−’ （ｍ＠
ｌ）と水５〔−〕を含むイソプロ／４ノール１〔ｌ）を
使用して、０．５〔−〕のタングステン線にｒ−アル建
す粉末を１００ （Ｖ） ２分間の定電圧印加をもって
電気泳動付着法にて塗布した後、水素中１６００ （Ｃ
）で焼成しタングステン線の周囲にアルミナ被膜を形成
する工程において、アルミナの電気泳動付着以前にタン
グステン線と対向電極を ムｊ（ＣＨ３ＣＯＯ）１２ Ｘ １００−３（＠ｌ）と
水５０ （ｓｊ）を含むイソグロｌ々ノール１〔！〕中
に浸漬配置し、両者の間Ｋ １０ ｏ ［ｖ］の定電圧
ｔ２分間印加してアルミニウムイオンをあらかじめタン
グステン線に付着させておくと、厚さ２０ （−）のア
ル電す被膜が得られ、膜厚のばらつきは１０ ［１ｇ）
以下であう九。一方、参考例としてアルずニラエイオン
をあらかじめ付着させないで同様の工程を行なうたとこ
ろ、アルミナ被膜の厚さは５〔−〕でばらつきは５０
（ＩＧ）を越えた。
とムＡ（ＣＨ３ＣＯＯ）５１ Ｘ １ Ｇ−’ （ｍ＠
ｌ）と水５〔−〕を含むイソプロ／４ノール１〔ｌ）を
使用して、０．５〔−〕のタングステン線にｒ−アル建
す粉末を１００ （Ｖ） ２分間の定電圧印加をもって
電気泳動付着法にて塗布した後、水素中１６００ （Ｃ
）で焼成しタングステン線の周囲にアルミナ被膜を形成
する工程において、アルミナの電気泳動付着以前にタン
グステン線と対向電極を ムｊ（ＣＨ３ＣＯＯ）１２ Ｘ １００−３（＠ｌ）と
水５０ （ｓｊ）を含むイソグロｌ々ノール１〔！〕中
に浸漬配置し、両者の間Ｋ １０ ｏ ［ｖ］の定電圧
ｔ２分間印加してアルミニウムイオンをあらかじめタン
グステン線に付着させておくと、厚さ２０ （−）のア
ル電す被膜が得られ、膜厚のばらつきは１０ ［１ｇ）
以下であう九。一方、参考例としてアルずニラエイオン
をあらかじめ付着させないで同様の工程を行なうたとこ
ろ、アルミナ被膜の厚さは５〔−〕でばらつきは５０
（ＩＧ）を越えた。
なお、本発明は上述し丸缶実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施
することができるのは、勿論のことである。
なく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施
することができるのは、勿論のことである。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の詳細な説明する
ためのもので第１図はベベル截半導体素子の要部構成を
示す断面図、第２図は上記素子に電気泳動付着法にてガ
ラス粉末を塗布した状態を示す断面図である。 １・・・８飯０２膜、２・・・８１基板、３・・・溝部
。
ためのもので第１図はベベル截半導体素子の要部構成を
示す断面図、第２図は上記素子に電気泳動付着法にてガ
ラス粉末を塗布した状態を示す断面図である。 １・・・８飯０２膜、２・・・８１基板、３・・・溝部
。
Claims (4)
- （１）付着安定剤としての金属イオンを含む粉体分散液
に基体を接触させ、この基体と該基体表面に対向する対
向電極との間に電圧を印加することによ）上記粉体を上
記基体表面に付着せしめる粉体塗布方法において、前記
粉体の付着処理に先立ち、該粉体を付着すぺ瀘基体表面
に前記粉体分散液の付着安定剤として作用する金属イオ
ン種を付着せしめるようにしたことを特徴とする粉体塗
布方法。 - （２）前記金属イオン種を付着せしめる工程は、該金属
イオン種を含む溶液に前記基体表面を接触させ、該基体
と前記対向電極との間に電圧を印加するものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の粉体塗布方法
。 - （３） 前記金属イオン種を含む溶液は、金属類の塩
ｌＸｌ０−’〜５Ｘ１０−５（ｍ＠ｌ／ｊ）と水５〜１
１００（ｓ／Ｊ）とを會む有機Ｓ＊からなるものである
ことを特徴とする特許請求の範囲１ｊ２項記載の粉体塗
布方法・ - （４） 前記基体としてＳ１基板を用い、前記粉体と
してノ譬、シペーシ１ノ用ガラスを用いたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の粉体塗布方法・ （荀 前記金属イオン種拡・ムｔ“・Ｂａ２＋・Ｃａ”
◆ Ｇ、ｌ＋ 、 Ｌ、ｌ＋ 、 Ｍｇ！＋ 、 ｐＮ
＋ 、 ｙ３＋。 Ｋｍ” （）少なくとも１種からなゐ賜のであることを
特徴とすゐ特許請求の範囲第１項記載の粉体塗布方法・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13101381A JPS5834198A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 粉体塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13101381A JPS5834198A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 粉体塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834198A true JPS5834198A (ja) | 1983-02-28 |
Family
ID=15047938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13101381A Pending JPS5834198A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 粉体塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834198A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63171898A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Shinto Paint Co Ltd | 複合被膜の形成方法 |
| JP2008538383A (ja) * | 2005-04-07 | 2008-10-23 | 日本ペイント株式会社 | 複層塗膜形成方法 |
| JP2014175389A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Mitsubishi Materials Corp | アルミナ絶縁膜の形成方法 |
| WO2017135094A1 (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6396598B1 (ja) * | 2017-04-19 | 2018-09-26 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1981
- 1981-08-21 JP JP13101381A patent/JPS5834198A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63171898A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Shinto Paint Co Ltd | 複合被膜の形成方法 |
| JP2008538383A (ja) * | 2005-04-07 | 2008-10-23 | 日本ペイント株式会社 | 複層塗膜形成方法 |
| JP2014175389A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Mitsubishi Materials Corp | アルミナ絶縁膜の形成方法 |
| WO2017135094A1 (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2017134808A1 (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6235190B1 (ja) * | 2016-02-05 | 2017-11-22 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN107533972A (zh) * | 2016-02-05 | 2018-01-02 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| CN107533972B (zh) * | 2016-02-05 | 2020-07-24 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| JP6396598B1 (ja) * | 2017-04-19 | 2018-09-26 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN109121423A (zh) * | 2017-04-19 | 2019-01-01 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| CN109121423B (zh) * | 2017-04-19 | 2020-05-19 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
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