JP3227909B2 - サーミスタ短冊への絶縁層形成方法 - Google Patents
サーミスタ短冊への絶縁層形成方法Info
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- JP3227909B2 JP3227909B2 JP15974193A JP15974193A JP3227909B2 JP 3227909 B2 JP3227909 B2 JP 3227909B2 JP 15974193 A JP15974193 A JP 15974193A JP 15974193 A JP15974193 A JP 15974193A JP 3227909 B2 JP3227909 B2 JP 3227909B2
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- Japan
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- insulating layer
- thermistor
- strip
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はサーミスタ、バリスタ等
のサーミスタ短冊の任意の部分に絶縁体層を形成する方
法に関する。
のサーミスタ短冊の任意の部分に絶縁体層を形成する方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、サーミスタ短冊の絶縁体層の形成
は、絶縁体ペーストのスクリーン印刷や、物理的・化学
的蒸着により行われてきた。
は、絶縁体ペーストのスクリーン印刷や、物理的・化学
的蒸着により行われてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来法にはそれぞれ下
記のような問題点があった。スクリーン印刷法は、平面
もしくはそれに準ずる対象にのみ適用可能であり、複雑
な形状のものには適用できない。また、形成した絶縁体
層中にポアが発生し易く、かつ、膜厚制御が困難である
という問題があり、さらに、絶縁体層の形成面毎に印刷
・乾燥・焼成が必要となるため、多面体の複数面に絶縁
体層を形成する場合、工程が複雑になるという問題があ
る。また、解像度が低いという難点もある。
記のような問題点があった。スクリーン印刷法は、平面
もしくはそれに準ずる対象にのみ適用可能であり、複雑
な形状のものには適用できない。また、形成した絶縁体
層中にポアが発生し易く、かつ、膜厚制御が困難である
という問題があり、さらに、絶縁体層の形成面毎に印刷
・乾燥・焼成が必要となるため、多面体の複数面に絶縁
体層を形成する場合、工程が複雑になるという問題があ
る。また、解像度が低いという難点もある。
【０００４】蒸着は、コストが高く、また数十μｍ以上
の厚膜を形成したい場合、処理時間がかかる問題があ
る。なお、絶縁層が多成分系である場合、成分の均一性
確保が困難である。本発明は、上記問題点を克服し、緻
密性・均一性が高く、よく制御された絶縁物層を、複雑
な形状の対象物上へ低コストで作製する、サーミスタ短
冊への絶縁層形成技術を提供することを目的とする。
の厚膜を形成したい場合、処理時間がかかる問題があ
る。なお、絶縁層が多成分系である場合、成分の均一性
確保が困難である。本発明は、上記問題点を克服し、緻
密性・均一性が高く、よく制御された絶縁物層を、複雑
な形状の対象物上へ低コストで作製する、サーミスタ短
冊への絶縁層形成技術を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、サーミスタ短
冊に、ガラス、誘電体等の絶縁体層を形成する方法にお
いて、上記問題点を解決する技術手段として、次の構成
を有する。すなわち、アルコール、エステル等の非水系
溶媒に絶縁体の粉末を分散した懸濁液中に、絶縁層を形
成しない部分にマスキングを施したサーミスタ短冊を浸
漬し、このサーミスタ短冊及び対向電極との間に直流電
圧を印加し、懸濁液中の絶縁体粉末を半導体に付着させ
た後焼成し、絶縁体層を形成することを特徴とする。
冊に、ガラス、誘電体等の絶縁体層を形成する方法にお
いて、上記問題点を解決する技術手段として、次の構成
を有する。すなわち、アルコール、エステル等の非水系
溶媒に絶縁体の粉末を分散した懸濁液中に、絶縁層を形
成しない部分にマスキングを施したサーミスタ短冊を浸
漬し、このサーミスタ短冊及び対向電極との間に直流電
圧を印加し、懸濁液中の絶縁体粉末を半導体に付着させ
た後焼成し、絶縁体層を形成することを特徴とする。
【０００６】この場合、サーミスタ短冊の比抵抗が１〜
１０ｋΩ・ｃｍの範囲にあるものが好適な対象となる。
また、上記方法においてマスキング材としてドライフィ
ルムを使用すると好ましく、さらに、懸濁液に酢酸、ア
ンモニア水、水等の電解質を添加するとサーミスタ短冊
への絶縁層形成が容易となる。
１０ｋΩ・ｃｍの範囲にあるものが好適な対象となる。
また、上記方法においてマスキング材としてドライフィ
ルムを使用すると好ましく、さらに、懸濁液に酢酸、ア
ンモニア水、水等の電解質を添加するとサーミスタ短冊
への絶縁層形成が容易となる。
【０００７】
【作用】本発明では、非水系溶媒に絶縁体の粉末を分散
し、電着により粉体付着を行うため、複雑な形状の対象
物や、同時に多面体の複数面への絶縁物層形成が容易と
なる。また、電着においては、粉体付着膜厚の薄い部分
を補償するように付着が進行するため、膜厚の均一性が
高くなると共にボア等の欠陥も発生しにくいため緻密な
層を形成することができる。微量の酸等の添加により、
懸濁液中での絶縁物粉体のゼータ電位が上り、均一性、
緻密性が向上する。
し、電着により粉体付着を行うため、複雑な形状の対象
物や、同時に多面体の複数面への絶縁物層形成が容易と
なる。また、電着においては、粉体付着膜厚の薄い部分
を補償するように付着が進行するため、膜厚の均一性が
高くなると共にボア等の欠陥も発生しにくいため緻密な
層を形成することができる。微量の酸等の添加により、
懸濁液中での絶縁物粉体のゼータ電位が上り、均一性、
緻密性が向上する。
【０００８】電着時の総電荷量等を目安とすれば、微細
な膜厚制御も可能である。本発明では不必要な部分にマ
スキングを施すので、任意の形状の電着層を形成するこ
とができる。このマスキング粉としてドライフィルムを
用いるため、高精細なパタニングが可能である。また、
他の技術に比し単純な装置でよいので、設備投資額が他
の方法に比べ小さく、さらに短時間での処理が可能なた
め低コスト化が容易である。
な膜厚制御も可能である。本発明では不必要な部分にマ
スキングを施すので、任意の形状の電着層を形成するこ
とができる。このマスキング粉としてドライフィルムを
用いるため、高精細なパタニングが可能である。また、
他の技術に比し単純な装置でよいので、設備投資額が他
の方法に比べ小さく、さらに短時間での処理が可能なた
め低コスト化が容易である。
【０００９】多成分系においても、使用粉体組成と同様
の絶縁物層組成を得ることが容易である。
の絶縁物層組成を得ることが容易である。
【００１０】
【実施例】Ｍｎ−Ｃｏ−Ｆｅ系サーミスタ素子の４側面
にガラスコーティングを施した。サンプルとして比抵抗
ρ≒２．３Ω・ｃｍ及びρ≒４３０Ω・ｃｍの２種類を
用いた。サーミスタ原料粉末を焼成したインゴットをス
ライスしてウエハとし、このウエハから、図２に示すよ
うな、Ｌ×Ｗ×Ｔ＝５０×１．２×０．７５ｍｍの短冊
１を切り出した。この短冊のＬ−Ｗ面にドライフィルム
（日本合成化学製：アルフォ３３１Ｙ５０）をラミネー
トした後、露光し、図４に示すドライフィルムレジスト
パターン５を形成した。このレジストパターン５は、ラ
イン幅Ｃ＝１００μｍ、ラインセンター間距離ａ×ｂ＝
２ｍｍ×１．２５ｍｍの格子状パターンである。この短
冊１を、図３に示すように、２枚の金属板４、４で挟
み、図１に示すように、対向電極２、２を有する治具３
にセットした。治具３はシリコンラバーからなる本体３
に、ステンレス鋼ＳＵＳ３０４からなる対向電極を取付
けたもので、サーミスタ短冊１は、Ｌ−Ｗ面が対向電極
と対面するように保持した。短冊１及び電極板２、２に
はそれぞれ直流電源の極が結合された。短冊１と対向電
極２、２との間の距離は１５ｍｍとした。この短冊をガ
ラス懸濁液に浸漬し、サーミスタ短冊１を陽極、対向電
極２、２を負極として直流２００Ｖを印加して３分間電
着を行った。
にガラスコーティングを施した。サンプルとして比抵抗
ρ≒２．３Ω・ｃｍ及びρ≒４３０Ω・ｃｍの２種類を
用いた。サーミスタ原料粉末を焼成したインゴットをス
ライスしてウエハとし、このウエハから、図２に示すよ
うな、Ｌ×Ｗ×Ｔ＝５０×１．２×０．７５ｍｍの短冊
１を切り出した。この短冊のＬ−Ｗ面にドライフィルム
（日本合成化学製：アルフォ３３１Ｙ５０）をラミネー
トした後、露光し、図４に示すドライフィルムレジスト
パターン５を形成した。このレジストパターン５は、ラ
イン幅Ｃ＝１００μｍ、ラインセンター間距離ａ×ｂ＝
２ｍｍ×１．２５ｍｍの格子状パターンである。この短
冊１を、図３に示すように、２枚の金属板４、４で挟
み、図１に示すように、対向電極２、２を有する治具３
にセットした。治具３はシリコンラバーからなる本体３
に、ステンレス鋼ＳＵＳ３０４からなる対向電極を取付
けたもので、サーミスタ短冊１は、Ｌ−Ｗ面が対向電極
と対面するように保持した。短冊１及び電極板２、２に
はそれぞれ直流電源の極が結合された。短冊１と対向電
極２、２との間の距離は１５ｍｍとした。この短冊をガ
ラス懸濁液に浸漬し、サーミスタ短冊１を陽極、対向電
極２、２を負極として直流２００Ｖを印加して３分間電
着を行った。
【００１１】図５は電着装置の全体を示す説明図であ
る。電着装置は超音波撹拌槽１０、定電圧電源２０、電
着槽３０から構成されている。懸濁液はイソプロピルア
ルコールと酢酸エチルの体積比３：７混合液を溶媒と
し、溶媒１０００ｍｌに対し５ｇのガラス粉末（日本電
気硝子（株）製 ＧＡ−１１）及び溶媒に対し０．０５
ｖｏｌ％の酢酸を添加して調製した。懸濁液を入れた電
着槽３０を、超音波撹拌槽１０内に浸漬し、超音波によ
る撹拌を２分間行って懸濁液を均一化した。電着槽３０
に、治具３にセットした短冊１、対向電極２、２を浸漬
し、電着による粉体付着を行った。
る。電着装置は超音波撹拌槽１０、定電圧電源２０、電
着槽３０から構成されている。懸濁液はイソプロピルア
ルコールと酢酸エチルの体積比３：７混合液を溶媒と
し、溶媒１０００ｍｌに対し５ｇのガラス粉末（日本電
気硝子（株）製 ＧＡ−１１）及び溶媒に対し０．０５
ｖｏｌ％の酢酸を添加して調製した。懸濁液を入れた電
着槽３０を、超音波撹拌槽１０内に浸漬し、超音波によ
る撹拌を２分間行って懸濁液を均一化した。電着槽３０
に、治具３にセットした短冊１、対向電極２、２を浸漬
し、電着による粉体付着を行った。
【００１２】この短冊１を大気中８５０℃で１０分間保
持（昇降温速度３０℃／分）の焼成を行い、短冊の４側
面に厚み約３５μｍの特性の優れた厚膜のガラス膜を形
成することができた。
持（昇降温速度３０℃／分）の焼成を行い、短冊の４側
面に厚み約３５μｍの特性の優れた厚膜のガラス膜を形
成することができた。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、簡単な装置を用いて、
サーミスタ短冊の表面の任意の部分にガラス、誘電体等
の絶縁体層を安価に形成することができる。
サーミスタ短冊の表面の任意の部分にガラス、誘電体等
の絶縁体層を安価に形成することができる。
【図１】実施例の電着治具の斜視図である。
【図２】短冊の斜視図である。
【図３】短冊の固定を示す斜視図である。
【図４】マスキングパターンの図である。
【図５】電着装置の全体構成を示す説明図である。
１ 短冊 ２ 対向電極 ３ 治具 ４ 金属板 ５ レジストパターン １０ 超音波撹拌装置 ２０ 定電圧電源 ３０ 電着槽
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｃ 7/04 Ｈ０１Ｃ 7/04 7/10 7/10 (56)参考文献 特開 昭57−120342（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−78666（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−243437（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−196834（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−143832（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−165009（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−76103（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/316 H01C 7/02 - 7/22 H01C 17/00 - 17/30
Claims (4)
- 【請求項１】 サーミスタ短冊に、ガラス、誘電体等の
絶縁体層を形成する方法において、アルコール、エステ
ル等の非水系溶媒に絶縁体の粉末を分散した懸濁液中
に、絶縁層を形成しない部分にマスキングを施したサー
ミスタ短冊を対向電極の間に浸漬し、このサーミスタ短
冊及び対向電極に直流電圧を印加し、懸濁液中の絶縁体
粉末を半導体に付着させた後焼成し、絶縁体層を形成す
ることを特徴とするサーミスタ短冊への絶縁層形成方
法。 - 【請求項２】 サーミスタ短冊の比抵抗が１〜１０ｋΩ
・ｃｍの範囲にあることを特徴とする請求項１記載のサ
ーミスタ短冊への絶縁層形成方法。 - 【請求項３】 マスキング材としてドライフィルムを使
用することを特徴とする請求項１記載のサーミスタ短冊
への絶縁層形成方法。 - 【請求項４】 懸濁液に酢酸、アンモニア水、水等の電
解質を添加することを特徴とする請求項１記載のサーミ
スタ短冊への絶縁層形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15974193A JP3227909B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | サーミスタ短冊への絶縁層形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15974193A JP3227909B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | サーミスタ短冊への絶縁層形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722408A JPH0722408A (ja) | 1995-01-24 |
| JP3227909B2 true JP3227909B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=15700261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15974193A Expired - Fee Related JP3227909B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | サーミスタ短冊への絶縁層形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3227909B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010515239A (ja) * | 2006-07-29 | 2010-05-06 | ショッキング テクノロジーズ インコーポレイテッド | 高アスペクト比粒子を有する電圧で切替可能な誘電体材料 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP15974193A patent/JP3227909B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722408A (ja) | 1995-01-24 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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