JP3255092B2 - 電着方法 - Google Patents
電着方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電着方法に係り、特
に、プラズマディスプレーパネルの基板への隔壁形成に
好適な電着方法に関するものである。
に、プラズマディスプレーパネルの基板への隔壁形成に
好適な電着方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレー(plasma display)
は、気体放電を利用した画像表示装置であって、通常、
多数の微小な放電セルを縦横（マトリクス状）に配列
し、必要な部分のセルを放電発光させて文字や図形を表
示する。この平面表示パネルはプラズマディスプレーパ
ネル(plasma display panel,ＰＤＰ）と称される。プラ
ズマディスプレーパネルは、構造が簡単で大形化が容易
である；メモリ機能を有する；カラー化が可能である；
などの様々な利点を有することから、テレビなどで用い
られているブラウン管よりもはるかに大きく且つ奥行き
が小さいＰＤＰの開発研究が進められている。
は、気体放電を利用した画像表示装置であって、通常、
多数の微小な放電セルを縦横（マトリクス状）に配列
し、必要な部分のセルを放電発光させて文字や図形を表
示する。この平面表示パネルはプラズマディスプレーパ
ネル(plasma display panel,ＰＤＰ）と称される。プラ
ズマディスプレーパネルは、構造が簡単で大形化が容易
である；メモリ機能を有する；カラー化が可能である；
などの様々な利点を有することから、テレビなどで用い
られているブラウン管よりもはるかに大きく且つ奥行き
が小さいＰＤＰの開発研究が進められている。
【０００３】図４はプラズマディスプレーパネルの一般
的な構造を示す分解斜視図であり、図中、２１は表面ガ
ラス基板、表示電極２２、誘電体層２３及びＭｇＯ（酸
化マグネシウム）等の保護膜２４が設けられている。２
５は背面ガラス基板であり、隔壁２６が所定間隔で形成
されている。この表面ガラス基板２１、背面ガラス基板
２５及び隔壁２６，２６で区画形成される微細空間（放
電セル）内に、アドレス用電極２７及び蛍光体２８が形
成され、放電ガスが注入されている。
的な構造を示す分解斜視図であり、図中、２１は表面ガ
ラス基板、表示電極２２、誘電体層２３及びＭｇＯ（酸
化マグネシウム）等の保護膜２４が設けられている。２
５は背面ガラス基板であり、隔壁２６が所定間隔で形成
されている。この表面ガラス基板２１、背面ガラス基板
２５及び隔壁２６，２６で区画形成される微細空間（放
電セル）内に、アドレス用電極２７及び蛍光体２８が形
成され、放電ガスが注入されている。
【０００４】このプラズマディスプレーパネルの製造に
おいては、選択的放電発光が行える独立性に優れた放電
セルを形成し得る、比較的高さの高い隔壁を精度良く形
成することが、得られるプラズマディスプレーパネルの
表示特性上、極めて重要となる。
おいては、選択的放電発光が行える独立性に優れた放電
セルを形成し得る、比較的高さの高い隔壁を精度良く形
成することが、得られるプラズマディスプレーパネルの
表示特性上、極めて重要となる。
【０００５】従来、プラズマディスプレーパネルの隔壁
は、ガラス基板上に、アドレス用の電極を所定のパター
ンで形成した後、セラミック又はガラスからなる無機ペ
ーストをスクリーン印刷法により付着させた後焼成する
ことにより、約７０μｍの幅で、１００〜１５０μｍの
高さに形成されているが、この方法では、１００μｍ以
上の高さを必要とする隔壁の形成には、数十回に及ぶ印
刷と焼成を繰り返し行わなければ、所望の高さのものを
精度良く形成することができず、製造効率が悪い上に、
スクリーン印刷版の加工精度の限界等のために、形成さ
れる隔壁の位置精度や高さ精度が悪いという欠点があ
る。
は、ガラス基板上に、アドレス用の電極を所定のパター
ンで形成した後、セラミック又はガラスからなる無機ペ
ーストをスクリーン印刷法により付着させた後焼成する
ことにより、約７０μｍの幅で、１００〜１５０μｍの
高さに形成されているが、この方法では、１００μｍ以
上の高さを必要とする隔壁の形成には、数十回に及ぶ印
刷と焼成を繰り返し行わなければ、所望の高さのものを
精度良く形成することができず、製造効率が悪い上に、
スクリーン印刷版の加工精度の限界等のために、形成さ
れる隔壁の位置精度や高さ精度が悪いという欠点があ
る。
【０００６】このような問題点を解決し、プラズマディ
スプレーパネルの隔壁を容易かつ高精度に形成する方法
として、本出願人は、ガラス基板（背面ガラス基板）上
の隔壁形成予定部に線状の導電膜を形成した後、該導電
膜と対向電極とをガラス粉末のスラリーよりなる電着液
を介して配置し、該導電膜と対向電極との間に直流電圧
を印加して、該導電膜上にガラス層を電着し、その後焼
成して隔壁を形成する方法を提案した（特開平９−１７
１７６９号公報）。このように電着法で隔壁を形成する
ことにより、高効率で、位置精度や高さ精度良く隔壁を
形成することが可能となる。
スプレーパネルの隔壁を容易かつ高精度に形成する方法
として、本出願人は、ガラス基板（背面ガラス基板）上
の隔壁形成予定部に線状の導電膜を形成した後、該導電
膜と対向電極とをガラス粉末のスラリーよりなる電着液
を介して配置し、該導電膜と対向電極との間に直流電圧
を印加して、該導電膜上にガラス層を電着し、その後焼
成して隔壁を形成する方法を提案した（特開平９−１７
１７６９号公報）。このように電着法で隔壁を形成する
ことにより、高効率で、位置精度や高さ精度良く隔壁を
形成することが可能となる。
【０００７】なお、従来の電着法では、対向電極とし
て、アルミニウム板等の板状電極又はメッシュ状の電極
が用いられている。
て、アルミニウム板等の板状電極又はメッシュ状の電極
が用いられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】高度に精細なプラズマ
ディスプレーパネルを製造するためには、その隔壁は、
所定の高さを有し、かつ幅の狭い薄壁状であることが必
要とされるが、従来の電着法ではこのような隔壁を形成
し得ないという欠点があった。
ディスプレーパネルを製造するためには、その隔壁は、
所定の高さを有し、かつ幅の狭い薄壁状であることが必
要とされるが、従来の電着法ではこのような隔壁を形成
し得ないという欠点があった。
【０００９】即ち、板状又はメッシュ状の対向電極を使
用する従来の電着法では、線状の導電膜のエッヂ部分に
電界が集中するため、図３（ａ）に示す如く、形成され
る電着膜はその高さ方向とほぼ同じ距離で幅方向に成長
したものとなる（図３（ａ）中、１１はガラス基板、１
２は線状の導電膜、１３は形成された電着膜を示
す。）。
用する従来の電着法では、線状の導電膜のエッヂ部分に
電界が集中するため、図３（ａ）に示す如く、形成され
る電着膜はその高さ方向とほぼ同じ距離で幅方向に成長
したものとなる（図３（ａ）中、１１はガラス基板、１
２は線状の導電膜、１３は形成された電着膜を示
す。）。
【００１０】一般に、プラズマディスプレーパネルで
は、隔壁としての電着膜の高さｈは、２００μｍ程度必
要とされるため、従来の電着法では、幅ｗ1 ＝５０μｍ
の導電膜１２を形成し、この導電膜１２上に、高さｈ＝
２００μｍの電着膜１３を形成した場合、形成される電
着膜１３の幅Ｗは理論的には４５０μｍ（ｗ＝ｗ1 ＋ｗ
2 ×２≒ｗ1 ＋ｈ×２＝５０＋２００×２＝４５０）、
実際には、それ以上に幅広のものとなる。
は、隔壁としての電着膜の高さｈは、２００μｍ程度必
要とされるため、従来の電着法では、幅ｗ1 ＝５０μｍ
の導電膜１２を形成し、この導電膜１２上に、高さｈ＝
２００μｍの電着膜１３を形成した場合、形成される電
着膜１３の幅Ｗは理論的には４５０μｍ（ｗ＝ｗ1 ＋ｗ
2 ×２≒ｗ1 ＋ｈ×２＝５０＋２００×２＝４５０）、
実際には、それ以上に幅広のものとなる。
【００１１】本発明は上記従来の電着法の問題点を解決
し、高さに対して幅の狭い薄壁状の電着膜を容易かつ高
精度に形成することができる電着方法を提供することを
目的とする。
し、高さに対して幅の狭い薄壁状の電着膜を容易かつ高
精度に形成することができる電着方法を提供することを
目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の電着方法は、板
面に線状の導電膜が形成された絶縁基板の該導電膜形成
面に対し、電着液を介して対向電極を対面させ、該導電
膜と対向電極との間に直流電圧を印加して該導電膜上に
電着膜を形成する電着方法において、該対向電極とし
て、前記絶縁基板の導電膜に対応する位置にスリットが
形成されると共に、一方の面に電極膜が形成された絶縁
板を用い、該対向電極の他方の面を前記導電膜に対面さ
せて配置することを特徴とする。
面に線状の導電膜が形成された絶縁基板の該導電膜形成
面に対し、電着液を介して対向電極を対面させ、該導電
膜と対向電極との間に直流電圧を印加して該導電膜上に
電着膜を形成する電着方法において、該対向電極とし
て、前記絶縁基板の導電膜に対応する位置にスリットが
形成されると共に、一方の面に電極膜が形成された絶縁
板を用い、該対向電極の他方の面を前記導電膜に対面さ
せて配置することを特徴とする。
【００１３】図３（ｂ）に示す如く、板状又はメッシュ
状の対向電極１４を用いる従来の電着法では、電界がガ
ラス基板１１上に形成された導電膜１２のエッヂ部分に
集中するため、形成される電着膜１３は図３（ａ）に示
す如く、幅広となり、薄壁状の電着膜を形成し得なかっ
た。
状の対向電極１４を用いる従来の電着法では、電界がガ
ラス基板１１上に形成された導電膜１２のエッヂ部分に
集中するため、形成される電着膜１３は図３（ａ）に示
す如く、幅広となり、薄壁状の電着膜を形成し得なかっ
た。
【００１４】これに対して、本発明の電着方法では、図
１（ｂ）に示す如く、対向電極４として、ガラス基板
（絶縁基板）１の導電膜２に対応する位置にスリット６
Ａが形成されると共に、一方の面に電極膜５が形成され
た絶縁板６を用い、この電極膜５を形成していない側の
絶縁性の面４Ａを導電膜２に対面させて電着を行うた
め、導電膜２のエッヂ部への電界の集中が緩和され、図
１（ａ）に示す如く、高さｈを高くしても、幅Ｗの狭い
薄壁状の電着膜３を形成することができる。
１（ｂ）に示す如く、対向電極４として、ガラス基板
（絶縁基板）１の導電膜２に対応する位置にスリット６
Ａが形成されると共に、一方の面に電極膜５が形成され
た絶縁板６を用い、この電極膜５を形成していない側の
絶縁性の面４Ａを導電膜２に対面させて電着を行うた
め、導電膜２のエッヂ部への電界の集中が緩和され、図
１（ａ）に示す如く、高さｈを高くしても、幅Ｗの狭い
薄壁状の電着膜３を形成することができる。
【００１５】このように、導電膜２のエッヂ部への電界
の集中が緩和される理由は、電束密度が絶縁板５よりも
比誘電率の高い電着液（電着液の分散媒）が存在するス
リット６Ａ内で高くなり絶縁板６側で低いためと推測さ
れる。
の集中が緩和される理由は、電束密度が絶縁板５よりも
比誘電率の高い電着液（電着液の分散媒）が存在するス
リット６Ａ内で高くなり絶縁板６側で低いためと推測さ
れる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１７】図１（ａ）は本発明の電着方法で形成され
る電着膜の実施の形態を示す断面図、図１（ｂ）は本発
明の電着方法における電界の状況を説明する模式的な断
面図である。図２は本発明の電着方法の実施の形態を示
す斜視図である。
る電着膜の実施の形態を示す断面図、図１（ｂ）は本発
明の電着方法における電界の状況を説明する模式的な断
面図である。図２は本発明の電着方法の実施の形態を示
す斜視図である。
【００１８】本発明の電着方法では、図２に示す如く、
線状の導電膜２が形成されたガラス基板１等の絶縁基板
に対して、電着液を介して対向電極４を対面させ、導電
膜２と対向電極４との間に直流電圧を印加して図１に示
す如く、導電膜２上に電着膜３を形成する。
線状の導電膜２が形成されたガラス基板１等の絶縁基板
に対して、電着液を介して対向電極４を対面させ、導電
膜２と対向電極４との間に直流電圧を印加して図１に示
す如く、導電膜２上に電着膜３を形成する。
【００１９】なお、図２において、７は導電膜２の集合
電極、８は直流電源を示す。
電極、８は直流電源を示す。
【００２０】本発明においては、この対向電極４とし
て、電着膜を形成するガラス基板１の導電膜２に対応す
るようにスリット６Ａが形成されると共に、一方の面に
電極膜５が形成された絶縁板６を用い、この対向電極４
の電極膜非形成面４Ａをガラス基板１の導電膜２形成面
に対面させて配置して電着を行う。
て、電着膜を形成するガラス基板１の導電膜２に対応す
るようにスリット６Ａが形成されると共に、一方の面に
電極膜５が形成された絶縁板６を用い、この対向電極４
の電極膜非形成面４Ａをガラス基板１の導電膜２形成面
に対面させて配置して電着を行う。
【００２１】対向電極４を構成する絶縁板６の材料とし
ては、電着液の分散媒よりも比誘電率の小さいものが好
ましく、例えば、アルミナ、フッ素樹脂等を用いること
ができる。
ては、電着液の分散媒よりも比誘電率の小さいものが好
ましく、例えば、アルミナ、フッ素樹脂等を用いること
ができる。
【００２２】スリット６Ａは、ガラス基板１と対向電極
４とを対面させたときに、スリット６Ａのガラス基板１
への投影面が導電膜２と重なるように、より好ましく
は、スリット６Ａの中心線と導電膜２の中心線が重なる
ように形成される。
４とを対面させたときに、スリット６Ａのガラス基板１
への投影面が導電膜２と重なるように、より好ましく
は、スリット６Ａの中心線と導電膜２の中心線が重なる
ように形成される。
【００２３】また、対向電極４の絶縁板６の一方の面に
形成される電極膜５としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）
等の高導電率の貴金属膜が好ましい。
形成される電極膜５としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）
等の高導電率の貴金属膜が好ましい。
【００２４】このような対向電極４は、絶縁板６にレー
ザー加工等でスリット６Ａを形成した後、スパッタ法等
により片面に電着膜５を形成することにより容易に製造
することができる。
ザー加工等でスリット６Ａを形成した後、スパッタ法等
により片面に電着膜５を形成することにより容易に製造
することができる。
【００２５】本発明においては、このような対向電極を
用いることにより、高さ／幅の比が約３／５程度の薄壁
状の電着膜を、所望の位置に、容易かつ効率的に、高精
度に形成することができる。
用いることにより、高さ／幅の比が約３／５程度の薄壁
状の電着膜を、所望の位置に、容易かつ効率的に、高精
度に形成することができる。
【００２６】なお、本発明において、ガラス基板１等の
絶縁基板に導電膜２を形成する方法としては、導電膜形
成用の厚膜ペーストを直接印刷して焼成するか、或い
は、ガラス基板の導電膜非形成部に成膜防止層としての
レジスト膜を所定パターンに形成した後、このレジスト
膜非形成面に導電膜を形成する方法が好適である。レジ
スト膜を所定パターンに形成するには、有機レジストを
膜状に付着させた後、所定パターン通りに露光し、次い
で未露光部を除去する等の通常の方法によれば良い。こ
の所定パターンのレジスト膜を形成した基板上にスパッ
タリング、ＣＶＤ、イオンプレーティング、印刷等の各
種手法により導電膜を付着させた後、レジスト膜を溶剤
によって溶解除去することにより必要部分にのみ線状の
導電膜が形成された基板が得られる。
絶縁基板に導電膜２を形成する方法としては、導電膜形
成用の厚膜ペーストを直接印刷して焼成するか、或い
は、ガラス基板の導電膜非形成部に成膜防止層としての
レジスト膜を所定パターンに形成した後、このレジスト
膜非形成面に導電膜を形成する方法が好適である。レジ
スト膜を所定パターンに形成するには、有機レジストを
膜状に付着させた後、所定パターン通りに露光し、次い
で未露光部を除去する等の通常の方法によれば良い。こ
の所定パターンのレジスト膜を形成した基板上にスパッ
タリング、ＣＶＤ、イオンプレーティング、印刷等の各
種手法により導電膜を付着させた後、レジスト膜を溶剤
によって溶解除去することにより必要部分にのみ線状の
導電膜が形成された基板が得られる。
【００２７】特に、プラズマディスプレーパネルの隔壁
を形成する場合、この導電膜としては、Ａｇ（銀），Ａ
ｌ（アルミニウム）等が挙げられ、導電膜の厚さは２０
０〜２０００Åとりわけ３００〜１０００Åの範囲とす
るのが好ましい。
を形成する場合、この導電膜としては、Ａｇ（銀），Ａ
ｌ（アルミニウム）等が挙げられ、導電膜の厚さは２０
０〜２０００Åとりわけ３００〜１０００Åの範囲とす
るのが好ましい。
【００２８】また、電着液としては、ガラス粉末等の電
着膜形成材料の粉末を分散媒に分散させたスラリーが用
いられる。特に、プラズマディスプレーパネルの隔壁を
形成する場合、ガラス粉末としては、軟化温度が５００
℃以下（特に４５０〜４９０℃）のＰｂＯ系ガラスの粉
末が好ましい。好適なガラス組成の一例としては、Ｐｂ
Ｏ：２０〜８０重量％，ＳｉＯ2 ：１０〜２０重量％，
Ｂ2 Ｏ3 ：１０〜３０重量％が挙げられる。
着膜形成材料の粉末を分散媒に分散させたスラリーが用
いられる。特に、プラズマディスプレーパネルの隔壁を
形成する場合、ガラス粉末としては、軟化温度が５００
℃以下（特に４５０〜４９０℃）のＰｂＯ系ガラスの粉
末が好ましい。好適なガラス組成の一例としては、Ｐｂ
Ｏ：２０〜８０重量％，ＳｉＯ2 ：１０〜２０重量％，
Ｂ2 Ｏ3 ：１０〜３０重量％が挙げられる。
【００２９】この粉末の平均粒径は１．０〜５．０μｍ
とりわけ２．５〜３．０μｍが好ましい。
とりわけ２．５〜３．０μｍが好ましい。
【００３０】この粉末を分散させる分散媒としては、Ｉ
ＰＡ（イソプロピルアルコール）に水を添加し、更に電
着性を向上させるために酸を添加したものが好ましい。
酸の添加量は０．１〜０．５体積％が好ましい。
ＰＡ（イソプロピルアルコール）に水を添加し、更に電
着性を向上させるために酸を添加したものが好ましい。
酸の添加量は０．１〜０．５体積％が好ましい。
【００３１】本発明においては、このような電着液中
に、導電膜２を形成したガラス基板１と、対向電極４
を、導電膜２と対向電極４の電極膜非形成面４Ａとが対
向するように、かつ、導電膜２と対向電極４のスリット
６Ａとが対応するように間隔をあけて浸漬配置し、導電
膜２と対向電極４との間に３００〜８００Ｖ程度の直流
電圧（導電膜２を正とする。）を印加して、導電膜２上
に電着膜３を形成する。
に、導電膜２を形成したガラス基板１と、対向電極４
を、導電膜２と対向電極４の電極膜非形成面４Ａとが対
向するように、かつ、導電膜２と対向電極４のスリット
６Ａとが対応するように間隔をあけて浸漬配置し、導電
膜２と対向電極４との間に３００〜８００Ｖ程度の直流
電圧（導電膜２を正とする。）を印加して、導電膜２上
に電着膜３を形成する。
【００３２】この電着膜３が所望の高さに形成された後
は、ガラス基板を取り出し、乾燥させた後、酸化雰囲気
中で焼成する。
は、ガラス基板を取り出し、乾燥させた後、酸化雰囲気
中で焼成する。
【００３３】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００３４】実施例１ １００ｍｍ×１００ｍｍ，厚さ３ｍｍのガラス基板にＡ
ｇ厚膜ペーストを印刷、焼成することにより、膜厚２〜
３μｍ、長さ９５ｍｍ、幅５０μｍの線状の導電膜を、
センターピッチ（隣接する線状の導電膜の中心線同士の
間隔）１ｍｍで形成した。
ｇ厚膜ペーストを印刷、焼成することにより、膜厚２〜
３μｍ、長さ９５ｍｍ、幅５０μｍの線状の導電膜を、
センターピッチ（隣接する線状の導電膜の中心線同士の
間隔）１ｍｍで形成した。
【００３５】一方、厚さ０．５ｍｍのアルミナ基板に、
レーザー加工により、長さ９５ｍｍ、幅１００μｍのス
リットをセンターピッチ（隣接するスリットの中心線同
士の間隔）１ｍｍで形成した後、片面に厚さ５００Åの
Ａｕ膜をスパッタ成膜して対向電極とした。
レーザー加工により、長さ９５ｍｍ、幅１００μｍのス
リットをセンターピッチ（隣接するスリットの中心線同
士の間隔）１ｍｍで形成した後、片面に厚さ５００Åの
Ａｕ膜をスパッタ成膜して対向電極とした。
【００３６】また、電着液としては、ガラス粉末（日本
電気硝子製「ＧＡ−１」）を、ＩＰＡ１００体積部、酢
酸２．５体積部、水０．１体積部及び非イオン性界面活
性剤溶液（日光ケミカルズ社製「ＨＣＯ−１００」の
０．０５ｇ／ｃｃメタノール溶液）０．８体積部の混合
液に２０ｇ／Ｌの割合で分散させたものを用いた。
電気硝子製「ＧＡ−１」）を、ＩＰＡ１００体積部、酢
酸２．５体積部、水０．１体積部及び非イオン性界面活
性剤溶液（日光ケミカルズ社製「ＨＣＯ−１００」の
０．０５ｇ／ｃｃメタノール溶液）０．８体積部の混合
液に２０ｇ／Ｌの割合で分散させたものを用いた。
【００３７】図２に示す如く、ガラス基板のＡｇ膜と対
向電極のスリットとが対応するように（Ａｇ膜の中心線
とスリットの中心線が一致するように）ガラス基板のＡ
ｇ膜形成面と対向電極のＡｕ膜非形成面とを対面させて
配置し（ガラス基板と対向電極との間隔０．４ｍｍ）、
対向電極とガラス基板のＡｇ膜との間に直流３００Ｖを
１分間印加して電着を行った。
向電極のスリットとが対応するように（Ａｇ膜の中心線
とスリットの中心線が一致するように）ガラス基板のＡ
ｇ膜形成面と対向電極のＡｕ膜非形成面とを対面させて
配置し（ガラス基板と対向電極との間隔０．４ｍｍ）、
対向電極とガラス基板のＡｇ膜との間に直流３００Ｖを
１分間印加して電着を行った。
【００３８】その結果、幅５３０μｍで高さ３３０μｍ
の薄壁状の電着膜を形成することができた。なお、ガラ
ス基板と対向電極の間隔を０．４〜２ｍｍの範囲で変え
ても同様の結果が得られた。
の薄壁状の電着膜を形成することができた。なお、ガラ
ス基板と対向電極の間隔を０．４〜２ｍｍの範囲で変え
ても同様の結果が得られた。
【００３９】比較例１ 実施例１において、対向電極として、ＳＵＳ製のメッシ
ュ電極を用いたこと以外は同様にして電着を行ったとこ
ろ、形成された電着膜は、幅６００μｍ，高さ１５０μ
ｍの丘状電着膜であった。
ュ電極を用いたこと以外は同様にして電着を行ったとこ
ろ、形成された電着膜は、幅６００μｍ，高さ１５０μ
ｍの丘状電着膜であった。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の電着方法に
よれば、幅が狭く、高さが高い薄壁状の電着膜を精度良
く形成することができる。
よれば、幅が狭く、高さが高い薄壁状の電着膜を精度良
く形成することができる。
【００４１】このため、本発明の電着方法をプラズマデ
ィスプレーパネルの隔壁の形成に採用することにより、
高度に精細なプラズマディスプレーパネルを容易に製造
することが可能とされる。
ィスプレーパネルの隔壁の形成に採用することにより、
高度に精細なプラズマディスプレーパネルを容易に製造
することが可能とされる。
【図１】図１（ａ）は本発明の電着方法で形成される電
着膜の実施の形態を示す断面図、図１（ｂ）は本発明の
電着方法における電界の状況を説明する模式的な断面図
である。
着膜の実施の形態を示す断面図、図１（ｂ）は本発明の
電着方法における電界の状況を説明する模式的な断面図
である。
【図２】本発明の電着方法の実施の形態を示す斜視図で
ある。
ある。
【図３】図３（ａ）は従来の電着法で形成される電着膜
を示す断面図、図３（ｂ）は従来の電着法における電界
の状況を説明する模式的な断面図である。
を示す断面図、図３（ｂ）は従来の電着法における電界
の状況を説明する模式的な断面図である。
【図４】プラズマディスプレーパネルの一般的な構成を
示す分解斜視図である。
示す分解斜視図である。
１，１１ ガラス基板 ２，１２ 導電膜 ３，１３ 電着膜 ４，１４ 対向電極 ５ 電極膜 ６ 絶縁板 ６Ａ スリット ２１ 表面ガラス基板 ２２ 表示電極 ２３ 誘電体層 ２４ 保護膜 ２５ 背面ガラス基板 ２６ 隔壁 ２７ アドレス電極 ２８ 蛍光体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西 信昭 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三菱マテリアル株式会社電子技術研究所 内 (56)参考文献 特開 平９−171769（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−148694（ＪＰ，Ａ) 特公 昭55−24278（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭63−5916（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 5/54 C25D 7/00 C25D 7/12 C25D 5/02 C25D 13/02 H01J 9/02
Claims (2)
- 【請求項１】 板面に線状の導電膜が形成された絶縁基
板の該導電膜形成面に対し、電着液を介して対向電極を
対面させ、該導電膜と対向電極との間に直流電圧を印加
して該導電膜上に電着膜を形成する電着方法において、 該対向電極として、前記絶縁基板の導電膜に対応する位
置にスリットが形成されると共に、一方の面に電極膜が
形成された絶縁板を用い、 該対向電極の他方の面を前記導電膜に対面させて配置す
ることを特徴とする電着方法。 - 【請求項２】 請求項１において、前記対向電極の絶縁
板の比誘電率が、電着液の分散媒の比誘電率よりも小さ
いことを特徴とする電着方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP23247897A JP3255092B2 (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 電着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23247897A JP3255092B2 (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 電着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1161486A JPH1161486A (ja) | 1999-03-05 |
| JP3255092B2 true JP3255092B2 (ja) | 2002-02-12 |
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ID=16939941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23247897A Expired - Fee Related JP3255092B2 (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 電着方法 |
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| JP (1) | JP3255092B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100285760B1 (ko) | 1998-07-21 | 2001-05-02 | 구자홍 | 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽제조방법 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 소자 |
| JP3960064B2 (ja) * | 2002-02-05 | 2007-08-15 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
-
1997
- 1997-08-28 JP JP23247897A patent/JP3255092B2/ja not_active Expired - Fee Related
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