JPH08241667A

JPH08241667A - 電子電界放出デバイス及びその作成方法

Info

Publication number: JPH08241667A
Application number: JP8012721A
Authority: JP
Inventors: Sungho Jin; ジンサンゴー; Gregory Peter Kochanski; ピーターコチャンスキーグレゴリー; Wei Zhu; ズーウェイ
Original assignee: AT&T Corp
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1995-01-31
Filing date: 1996-01-29
Publication date: 1996-09-17
Also published as: US7268475B1; EP0725418A1; DE69601957T2; DE69601957D1; CA2166506C; CA2166506A1; EP0725418B1

Abstract

(57)【要約】【課題】絶縁破壊抗力に資する波形支柱を有する電界
放出デバイス、特に絶縁破壊及びアーク放電を伴わずに
高電圧の使用を可能にする新規な支柱の作成方法を提供
する。【解決手段】電界放出デバイスは、そのデバイスに電
極を付与し、低二次電子放出係数を持つ導電材料または
半導体材料の不連続被膜を有する複数個の波形絶縁体ロ
ッドを形成し、それらロッドを電極に付着させ、それら
ロッドを切断して波形支柱に区劃し、且つ、そのデバイ
スを仕上げ加工することによって作成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は改善された電界放
出デバイスを作成するための方法に関し、特に、フラッ
ト・パネル・ディスプレイのような、絶縁破壊抗力に資
する波形に形成され局部的に導電性を持つ支柱を有する
電界放出デバイスを作成するための方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】適当なカソード材料から真空中への電子
の電界放出はフラット・パネル・ディスプレイを包含す
る種々の電界放出デバイスに有用である。支柱はフラッ
ト・パネル・ディスプレイのような電界放出デバイス
（field emission device；以下、ＦＥＤと略称するこ
とがある）の重要な成分である。代表的な電界放出デバ
イスは複数個の電界放出体先端部を包含するカソードと
そのカソードから間隔を置いて配置されたアノードとか
ら構成される。そのアノードとカソードとの間に印加さ
れた電圧はアノードへ流れる電子の放出を誘発する。フ
ラット・パネル・ディスプレイでは、ゲートと呼ばれる
別の電極が、代表的にはアノードとカソードとの間に配
置され所望の画素を選択的に活性化する。アノードとカ
ソードとの間の空間は真空排気され、組み合わされた円
筒形支柱がアノードとカソードとを離間状態に保持す
る。支柱が無い状態では、外気圧によりアノードの面と
カソードの面とを合わせ込もうとする力が働く。それら
支柱は代表的には１００乃至１０００μｍの高さを持
ち、各々が１乃至１０，０００画素の領域に対する支柱
による支持を行う。

【０００３】円筒形支柱は十分な機械的支持を行うこと
ができるが、それらは高電圧を使用する新しい電界放出
デバイスとの適合性は十分ではない。本発明者らは電子
放出カソードとアノードとの間の動作電圧を増大するこ
とによって電界放出デバイスの効率及び動作寿命を実質
的に増大することができることを確かめた。例えば、フ
ラット・パネル・ディスプレイでは、動作電圧を５００
ボルトから５０００ボルトへ変えることによって代表的
な蛍光体の動作寿命を１００倍に増大することができ
る。しかし、円筒形支柱の表面に沿って起きる絶縁破壊
及びアーク放電によってそのような高電圧の使用が妨害
される。

【０００４】もし、円筒形絶縁体が二つの電極間に配置
され、その円筒形絶縁体に連続電圧勾配がかかると、絶
縁体に衝突する放射電子が二次電子の放出を誘発するこ
とが可能となる。それら二次電子は続いて陽極へ向かっ
て加速される。この二次電子により暴走作用が引き起こ
されて、絶縁体が正電位に帯電され、且つ、その絶縁体
の表面に沿ってアークが生じる。従って、絶縁破壊及び
アーク放電を伴わずに高電圧の使用を可能にする新規な
支柱のデザインが要望されている。

【０００５】本発明の米国出願と同時係続中の米国出願
である、"Method for Making FieldEmission Devices H
aving Corrugated Support Pillars for Breakdown Res
istance" 及び "Multilayer Piller Structure for Imp
roved Field Emission Devices" には、波形絶縁体支柱
構造及び多層構成支柱構造、並びにそれら支柱を作成す
るための方法が開示されている。これらの新規な構造は
絶縁体材料の表面距離を増大して支柱表面からの二次電
子放出による有害な作用を縮減する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、不連続導体
被膜を使用する更に改善された支柱構造を提供し、高電
圧環境における支柱の絶縁破壊及びアーク放電に対する
改善された抵抗性を得ることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、電界放
出デバイスが、そのデバイスに電極を付与し、低い二次
電子放出係数を有する導電材料または半導体材料の不連
続被膜を有する複数個の波形絶縁体ロッドを形成し、そ
れらロッドを切断して波形支柱に区劃し、且つ、そのデ
バイスを仕上げ加工することによって作成される。

【０００８】

【発明の実施の形態】最適な支柱をデザインするうえで
考慮すべき事項が５項目有る。第１には、最適な支柱の
デザインは、負極から陽極への表面経路の長さを与えら
れた支柱の高さに関してできる限り長くするデザインで
ある。第２には、殆どの二次電子が陽極方向に相当な距
離を加速されるよりもむしろ、それらの発生点に近い支
柱表面に再衝突するように支柱を構成することが望まし
い。この目標は、大部分の材料が各入射電子あたりその
入射エネルギーが５００ボルト（或いは好ましくは２０
０ボルト）未満であれば、１未満の二次電子を発生する
ので、有益である。これらの条件の下では、一般的に二
次電子はそれ自体の二次電子の数を増大させるのに十分
なエネルギーを有しない。この目標を達成するため、
「近接点（close point）」はその点の静電気電位がそ
の電子が発生される点よりポジティブで５００ボルトよ
りも低い点、好ましくは２００ボルトよりも低い点とし
て定義される。第３には、通常の動作条件の下で２未満
の二次電子放出係数を待つ材料で支柱を作成することが
望ましい。第４には、支柱が、局部電界が絶縁体の面と
ほぼ垂直を為すように配向されている面と同電界の面を
持ち、更に好ましくは二次電子が上述の２００ボルト或
いは５００ボルト未満のエネルギーでその面へ向かって
引き戻されて再衝突するようにその面から出て来る電界
ラインを有することが望ましい。第５には、蛍光スクリ
ーンに宛がうことができる領域が実質的に縮減されるよ
うに、支柱のアノード端が余り広くないようにすること
が必要がある。

【０００９】電界放出デバイスがフラット・パネル・デ
ィスプレイとなる所では、支柱の材料は機械的に丈夫で
あるだけでなく、そのフラット・パネル・ディスプレイ
の蛍光体を動作させるために印加される高い電界に耐え
るために高い絶縁破壊電圧を有する電気絶縁体である必
要がある。Ｚｎ：ＳＣｕ，Ａｌのような既成の蛍光体に
対しては、上記絶縁破壊電圧は２０００ボルトより高
く、更に好ましくは４０００ボルトより高いことが必要
である。

【００１０】以下、図を参照して説明する。図１は電界
放出デバイスのための改善された支柱構造を作成する際
の工程を示すフロー・チャートである。最初の工程（ブ
ロックＡ）は波形絶縁体材料であるワイヤー、ロッドま
たはプレートを用意する工程である。本発明の米国出願
と同時係続中の米国出願である、"Method for MakingFi
eld Emission Devices Having Corrugated Support Pil
lars for BreakdownResistance" には、ガラス材料、石
英材料、セラミック材料（酸化物、窒化物）、ポリマー
及び複合材料のような絶縁体材料からそのような波形形
状を作成するための種々の方法が記述されている。

【００１１】次の工程（図１のブロックＢ）では、低い
二次電子放出係数δ_maxを持つ導電材料または半導体材
料の不連続被膜が上記ひだの上に析出される。その係数
はその材料の所定の面積における出射電子数対入射電子
数の比として定義される。絶縁体は代表的には２乃至２
０の高δ_maxを有し、例えばガラスでは２．９であり、
ＭｇＯでは２０以下である。導体または半導体は代表的
には２未満の低いδ_maxを持っている。ＦＥＤ支柱の用
途では１に近いδ_max値が望ましい。１より相当高いδ
_maxは不所望な電子増倍を意味する。本発明によれば、
支柱への不連続被膜として使用するために適する材料の
中に、Ｃｕ（δ_max ＝１．３）、Ｃｏ（δ_max ＝１．
２）、Ｎｉ（δ_max ＝１．３）、Ｔｉ（δ_max ＝０．
９）、Ａｕ（δ_max ＝１．４）、Ｓｉ（δ_max ＝１．
１）のような金属及び半導体、Ｃｕ₂Ｏ（δ_m _ax ＝１．
２３）、Ａｇ₂Ｏ（δ_max ＝１．０）のような化合物が
存在する。

【００１２】波形絶縁体支柱の隆起稜縁上の不連続導体
被膜と凹溝との組み合わせが、その組み合わせによって
表面距離が増大され、二次電子が溝中にトラップされ、
波形支柱の露出された突出面部分（稜縁即ち尖端縁）上
での電子増倍が極少化されるので、高電圧絶縁破壊に対
する抵抗性を改善するために特に有利である。

【００１３】図２Ａ及び図２Ｂは、電極２１を波形ロッ
ド２０に傾斜した角度の析出（例えば、蒸着技法、スパ
ッタリング技法、吹き付け塗装を使用する析出）によっ
て選択的に付加する第１の方法を模式的に示す図であ
る。被膜材料の見通し線析出により、その析出は当然波
形ロッド或いは波形プレートの稜縁部分或いは尖端縁部
分に制限される。この析出は、もし長尺のワイヤー形状
またはプレート形状の波形材料が析出中ゆっくりと移動
される場合には、連続的に実行することが可能である。
ロッドの回転がワイヤーの全側面に確実に均一な析出を
行うために使用することができる（図２Ａ）。

【００１４】低δ_maxの金属または化合物は直接析出す
ることが可能である。或いはそれに代えて、所望のδ
_maxの材料を含有する先駆物質を先ず析出し、後の段階
でのプロセス中に分解または熱分解されるようにするこ
とも可能である。例えば、ＮｉＯ或いはＮｉ（ＯＨ）₂
がＮｉ被覆のために析出され、Ｃｕｏ（蒸着法で）或い
はＣｕＳＯ₄（水溶溶液として、任意的に付着性を向上
するために付加される結合剤、例えばポリビニール・ア
ルコールと共に吹き付け塗装法で）がＣｕ或いはＣｕ₂
Ｏ被覆のために析出される。

【００１５】低δ_max材料の不連続被膜を析出するため
の第２の方法が、図３に模式的に示されている。図３の
方法では、波形絶縁体材料のワイヤー３０が、低δ_max
の材料（例えば、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｃｕ₂Ｏ、Ａｇ₂Ｏ）の微
粒子（２０μｍ以下の大きさ、好ましくは２μｍ以下の
大きさのもの）を含有する懸濁液またはスラリー、或い
は先駆物質液（例えば、ＣｕＳＯ₄またはＮｉＣｌ₂溶液
で僅かに湿らされた塗り付け布３１またはスポンジ状材
料を用いて連続的に塗り付けられる。上記絶縁体ワイヤ
ーの稜縁即ち突起部分には、微粒子、スラリー或いは先
駆物質の被膜３２が付着され、スラリー或いは先駆物質
は後で加熱処理によって分解、焼結或いは溶融されて所
望の低δ_maxの材料のみが残される。

【００１６】或いはそれに代えて、上記被膜３２の付着
処理はその後の無電解或いは電解析出を容易にするため
に触媒を用いて為すことも可能である。例えば、図３の
塗り付け布３１はワイヤーの突出している面に付着させ
るためのパラジウム含有溶液で湿されるようにすること
ができる。パラジウムは電気化学的析出処理中に基板へ
の金属の付着を促進する周知の触媒である。任意的に溶
液を速やかに分解させるために行うベーキング処理の後
で、無電解或いは電解鍍金（例えば、Ｃｕ、Ｓｎの鍍
金）が、溝を形成された絶縁体支柱ワイヤーの触媒が付
着されている突起部分へ選択的に金属を析出するために
実行される。

【００１７】低δ_maxの被膜を不連続に析出する第３の
方法が、図４に模式的に示されている。図４の方法で
は、本発明の米国出願と同時係続中の米国出願であ
る、"Method for Making Field Emission Devices Havi
ng Corrugated Support Pillars for Breakdown Resist
ance" に開示されている波形構造を成形する方法のうち
の一つはガラス・ファイバ或いは石英ファイバにフッ化
水素酸を用いて溝をエッチングするためにＡｕ被膜のよ
うな不活性金属マスクを使用するものである。エッチン
グプロセスで使用されたマスクはそのまま残して置くこ
とができ、もし望まれる場合には後でより低いδ_maxの
材料（例えば、Ｃｏ）を電気鍍金するための基板として
使用される。マスクされた溝付き絶縁体ワイヤー４１が
電解液漕４４内でカソード４３とアノード４５との間に
配置される。図４の電気鍍金プロセス中、絶縁体ワイヤ
ー４１の上のＡｕメタル・マスク４０は高純度のメタル
・ゲージ或いは導電性エラストマーのような軟質材料を
用いて柔和に押圧することにより、鍍金電極（カソー
ド）４３と接触した状態に保持される。このワイヤーは
ゆっくりと回転させて均一な被膜を形成することができ
る利点がある。

【００１８】図１のプロセスによって付着された低δ
_max材料の不連続被膜の望ましい厚みは、代表的には
０．００５乃至５０μｍの範囲であり、好適な厚みは
０．１乃至２．０μｍの範囲である。顕微鏡によらなけ
れば見えない粗さの被膜がその被膜自体での微視的な大
きさの幾何学的トラップが被膜表面からの二次電子の数
を減少させるので好適である。

【００１９】図１中の次の工程（ブロックＣ）では、付
着を改善し、上記低δ_max材料を溶解して稠密化し、或
いは先駆物質被膜を分解するために、析出された被膜に
加熱処理が為される。代表的には、水素含有雰囲気が加
熱処理を行い純粋な金属被膜或いは合金被膜を得るため
に利用される。不活性ガス雰囲気、酸素含有雰囲気或い
は窒素含有雰囲気が酸化物被膜、窒化物被膜或いは他の
化合物被膜の加熱処理のために使用することが可能であ
る。その加熱処理温度及び時間は金属或いは先駆物質の
性質に依存して相違するが、しかしそれらは代表的には
１００乃至９００゜Ｃの範囲で０．１乃至１００時間に
亘って為される。

【００２０】図１中の最後の工程（ブロックＤ）では、
上記ワイヤーが所望の支柱の長さに切断され、電界放出
表示デバイスのカソードとアノードとの間に組立られ
る。

【００２１】上記のように波形ワイヤーについて処理す
る替わりに、図５に示されるようなプロセスの出発材料
として非波形のワイヤーを使用することも可能である。
図５のブロックＡに示される最初の工程では、図６Ａに
示されるような非波形絶縁体ロッド或いはワイヤーがロ
ッド６０として用意される。

【００２２】図５中の次の工程であるブロックＢでは、
低二次電子放出導体即ち先駆物質の連続層が析出され
る。図６Ｂ中では、この連続層が参照番号６１によって
表されている。

【００２３】第３の工程（図５、ブロックＣ）では、マ
スキング部材６３として図６Ｃに示されているメタル・
マスク材料で上記被覆された上記ロッド６０をマスクす
る。

【００２４】次に、図５のブロックＤにおける工程で、
ロッド６０の絶縁体材料を選択的にエッチングすること
によって溝が形成される。この結果、図６Ｄに示される
ように、溝６４を持つ構造が得られる。

【００２５】エッチングによって溝加工を行うフッ化水
素酸中でエッチングを阻止する金属マスク材料は、その
金属がまた低δ_max特性を持つ観点で選ばれる。そのよ
うな場合、マスク材料は、別の低δ_max金属を付加する
必要は無く、単純にそのマスクが低δ_max被覆として露
出された稜縁上に維持されて利用されるようにすること
ができ、その結果、製造コストが低減される。フッ化水
素酸中によるエッチングに抗するそのような低δ_max金
属はＡｕ自体（δ_max ＝１．４）であってもよいが、
しかし、同等な低δ_maxマスクを、ＡｕまたはＰｔを、
例えばＣｏ、Ｃｕ、Ａｌ等の低δ_max金属との合金にす
ることによって達成することも可能である。この望まし
い合金組成は、４０乃至８０原子パーセントのＡｕと、
その残りを選択された合金成分で構成される。２要素か
ら成る合金、３要素から成る合金、或いは更に多くの要
素から成る合金を使用することも可能である。所望の合
金が、具体例としては、最初、連続被膜のような絶縁体
材料の円形断面ワイヤーの上に、例えば、物理的、化学
的、電気化学的手段または他の公知な方法によって析出
され（図６Ｂ参照）、例えば、フォトリソグラフィーま
たは機械的手段によって縞模様或いはその他縦方向に不
連続な形態にパターン成形され（図６Ｃ参照）、その
後、フッ化水素酸処理によって図６Ｄに示されるように
エッチングされる。或いはそれに代えて、パターン・マ
スクを介する析出によって直接縞模様の金属層を得るこ
とも可能である。

【００２６】支柱の代表的な幾何学的形状は部分的に形
状を変えた円形或いは方形ロッドが有益である。その支
柱の径即ち太さは、代表的には５０乃至１０００μｍで
あり、更には１００乃至３００μｍであることが好まし
い。その支柱の高さ対径即ち高さ対太さのアスペクト比
は、代表的には１乃至１０の範囲であり、更には３乃至
６の範囲であることが好ましい。それら支柱の好ましい
数即ち密度は考慮されるべき種々のファクタに依存す
る。アノード電極を機械的に十分支持するためには、支
柱の数はより多い方が望ましいが、しかし、製造コスト
を縮減し、支柱を配置するための表示画素の損失を最少
にするために、何らかの妥協が必要である。支柱の代表
的な密度は総表示面領域の約０．０１乃至２％であり、
更には０．０５乃至０．５％であることが好ましい。各
支柱が１００×１００μｍ2の断面積を持つおよそ５０
０乃至１００，０００個の支柱を有し、約２５×２５ｃ
ｍ2の面積のＦＥＤディスプレイが好例である。

【００２７】波形ロッドが形成され、低δ_maxの被膜が
付加された後、次の工程で多数のロッドの端部が電界放
出デバイスの電極、好ましくは電子放出カソードに付着
される。上記電極への支柱の装着は図７に示されている
装置を使用することによって具合良く達成することがで
きる。特に、多数の波形ロッド２０が上型板２３と下型
板２４とから成る２点構成型板中の各孔２６を挿通して
電極２１に当てがわれる。その挿入段階では、上部型板
の孔２５と下部型板の孔２６とが互いに位置合わせさ
れ、且つ、それら支柱が付着されるべき電極の位置に合
わせられる。それら波形ロッド２０の突端に接着剤スポ
ット２７をそれら波形ロッド２０を電極２１と結合する
ために当てがうことができる。図示の例の電極２１は、
導電性基板２２上にワイヤー３０を包含する装置カソー
ド電子放出体領域である。各被膜３２は絶縁層３３によ
って上記導電性基板２２から隔てられている。

【００２８】例えば、１６００個の支柱を要するＦＥＤ
ディスプレイにおいては、ディスプレイ・サイズの型板
（例えば、所望の支柱位置に穿孔された孔を持つ金属シ
ート）が用意される。それらの孔の１つ乃至全部（代表
的には一列に並ぶ４９個の支柱）を通じて波形絶縁体材
料の長いワイヤーが同時且つ連続的に供給される。それ
らワイヤーの底部突端には、接着剤（例えば、未硬化或
いは半硬化エポキシ）、低融点ガラスまたは溶融状態或
いはペースト状の半田または光吸収層が粘着されてい
る。

【００２９】上記波形ロッドは支柱の長さに切り刻まれ
る必要がある。この切断は図７の装置を用いて切断する
ことにより旨く行うことができる。上型板２３は横方向
に移動されるが、下型板２４は接着剤により表示カソー
ド面に接して固定されており、その結果、底部支柱は予
めデザインされているＶ字形切り込み２８で分離され
る。このプロセスは隣接する表示基板に対して反復され
る。支柱の多くは同時に載置されるので、その組立ては
迅速且つ低コストで為すことができる。必要に応じて、
局部的な加熱がエポキシを硬化し或いは上記支柱を導電
性基板２２へ融着するために合焦された光ビーム、例え
ばレーザによって行われる。

【００３０】このデバイスの組立ては、他方の電極を付
与し、２電極間の空間を真空排気し、且つ、封止するこ
とによってこのデバイスが完成される。代表的には、本
組立てでは、ガラス鑞封止及び真空排気プロセスが本デ
バイスを加熱（例えば、３００乃至６００゜Ｃ）する際
に実質的に必要である。この加熱処理工程は図１中の工
程Ｃと置き換えることができる。同様に、デバイスの組
立て工程における加熱処理は、図５のプロセスでも有益
である。例えば、合金被膜（例えば、Ａｕ-Ｃｕ合金）
のエッチング工程（図５中の工程Ｄ）により、表面から
Ｃｕが消亡する傾向がある。上記加熱工程により、低δ
_maxの成分（この事例ではＣｕ）が表面に拡散され、二
次電子放出が縮減されるようになる。

【００３１】これら波形ロッドは、その好適な用途とし
て電子放出型フラット・パネル・ディスプレイのような
電界放出デバイスを製造する際に使用される。図８は、
本発明による高絶縁破壊電圧の支柱を使用した例のフラ
ット・パネル・ディスプレイ９０の摸式的断面図であ
る。本ディスプレイは真空シール内に多数の電子放出体
領域９２とそれら電子放出体領域９２から間隔を置いて
配置されている１個のアノード導体層９３とを包含する
カソード９１を具備する。透明絶縁体基板９４上に形成
されているアノード導体９３には蛍光体層９５が付与さ
れ、そのアノード導体層９３が更に支柱９６上に装着さ
れている。カソード９１とアノード導体層９３との間で
各電子放出体領域９２と緊密に配置される箇所に穴開け
されたゲート電極９７が存在する。

【００３２】アノード導体層９３と電子放出体領域９２
との間の空間は封止され、且つ、真空排気されており、
更に電源９８によってそれらの間に電圧が印加される。
それら電子放出体領域９２からの電界放出電子は、ゲー
ト電極９７によって各画素上の多数の電子放出体領域９
２から加速され、透明絶縁体基板９４上に被覆されてい
るアノード導体層９３（代表的にはインジウム・錫酸化
物のような透明導体）に向かって移動する。蛍光体層９
５は電子放出体領域９２とアノード導体層９３との間に
配置されている。上記加速された電子が蛍光体に衝突す
るとき、表示イメージが生成される。

【００３３】上記実施例は本発明の原理の応用例を表し
得る多くの実行可能な具体的実施例のうちの幾らかのみ
を示している。例えば、本発明の高い絶縁破壊電圧を持
つ支柱はフラット・パネル・ディスプレイ装置に使用す
ることができるだけでなく、電子線リソグラフィ用或い
はマイクロウエーブ電力増幅管用のＸ-Ｙマトリクス・
アドレス可能電子供給源のような他の用途に使用するこ
とができる。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、絶縁破
壊及びアーク放電を伴わずに高電圧の使用を可能にする
新規な支柱を提供することができる。更に、本発明によ
り、高電圧動作において優れた抵抗を持つ電界放出デバ
イスが低コストで作成される。

【００３５】なお、特許請求の範囲に記載した参照符号
は発明の理解を容易にするためのものであり、特許請求
の範囲を制限するように理解されるべきものではない。

【００３６】上記解決手段により、高電界動作において
優れた抵抗を持つ電界放出デバイスが低コストで作成さ
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による電界放出デバイスのための改善さ
れた支柱構造を作成する工程の摸式ブロック図である。

【図２】図１のプロセスで使用されているような波形ロ
ッド上に導体被膜を作成する第１の方法を示す図であ
る。

【図３】図１のプロセスで使用されているような波形ロ
ッド上に導体被膜を作成する第２の方法を示す図であ
る。

【図４】図１のプロセスで使用されているような波形ロ
ッド上に導体被膜を作成する第３の方法を示す図であ
る。

【図５】未だひだが形成されていない絶縁体ロッドから
導体が被覆された波形支柱構造を用意するための工程を
示す模式的なフロー・チャートを示す図である。

【図６】図５のプロセスで使用される方法を示す図であ
る。

【図７】ＦＥＤデバイス上に支柱を載置する方法の一例
を示す図である。

【図８】導体が被覆された波形支柱を具備するＦＥＤデ
バイスの一例を模式的に示す図である。

【符号の説明】

２０波形ロッド２１電極２２導電性基板２３上型板２４下型板２５孔２６孔２７接着剤スポット２８Ｖ字形切り込み３０ワイヤー３１塗り付け布３２被膜３３絶縁層４０Ａｕメタル・マスク４１絶縁体ワイヤー４３カソード４４電解液漕４５アノード６０ロッド６１連続層６３マスキング部材６４溝９０フラット・パネル・ディスプレイ９１カソード９２電子放出体領域９３アノード導体層９４透明絶縁体基板９５蛍光体層９６支柱９７ゲート電極９８電源

フロントページの続き (72)発明者グレゴリーピーターコチャンスキーアメリカ合衆国，08812 ニュージャージー，デュネレン，サードストリート 324 (72)発明者ウェイズーアメリカ合衆国，07060 ニュージャージー，ノースプレインフィールド，ノースドライブ 375，アパートメントディー７

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子放出カソード（９２）、アノード
（９３）及び前記電子放出カソード（９２）とアノード
（９３）とを隔てる複数個の絶縁支柱（９６）とを具備
する電子電界放出デバイス（９０）において、少なくとも前記支柱（９６）の１つが、波形波形外表面
のひだを持つ絶縁材料のロッドを具備し、前記ひだが稜
縁及び凹部領域を具備し、且つ、前記ひだのそれら稜縁
が導電材料で選択的に被覆されていることを特徴とする
電子電界放出デバイス。
【請求項２】電子放出カソード電極（９２）、アノー
ド電極（９３）及び前記両電極を隔てる複数個の絶縁支
柱（９６）とを具備する電子電界放出デバイスの作成方
法において、前記各電極を用意する工程と、絶縁材料の波形ロッドを形成し、それらひだに稜縁を持
たせる工程と、前記ひだの稜縁に選択的に導電材料を付着させる工程
と、前記ロッドを前記電極の１つに付着させる工程と、前記ロッドを切断する工程と、本電子電界放出デバイスを仕上げ加工する工程、とから
なることを特徴とする方法。