KR101471021B1

KR101471021B1 - 광소자 디바이스 기판 제조방법 및 광소자 디바이스 기판

Info

Publication number: KR101471021B1
Application number: KR1020130122414A
Authority: KR
Inventors: 안범모; 박승호
Original assignee: (주)포인트엔지니어링
Priority date: 2013-10-15
Filing date: 2013-10-15
Publication date: 2014-12-09
Also published as: US20150103541A1; CN104576842B; CN104576842A; US9683711B2

Abstract

본 발명은 광소자 디바이스에 관한 것으로, 특히 광소자 배열을 다양하게 할 수 있는 광소자 디바이스 기판 제조방법에 관한 것으로, n(n＞1)개의 평판형 금속기판을 적층하되 그 적층면 사이에 절연성 부재를 접착하여 만들어진 1차 금속기판 본딩체를 절단하여 다수의 단위블럭기판을 만들되, 그 각 단위블럭기판이 n-1개의 상기 절연성 부재에 의해 n개의 광소자 부착 가능영역으로 구획되도록 단위블럭기판을 제조하는 단계와; 상기 단위블럭기판을 적어도 m(m＞1)개 이상 적층하되 그 적층면 사이에 절연성 부재와 전극용 금속기판 중 어느 하나 혹은 둘 이상을 접합하는 방식으로 2차 금속기판 본딩체를 만들되, 그 2차 금속기판 본딩체의 상단 및 하단에는 전극용 금속기판을 접착하여 2차 금속기판 본딩체를 제조하는 단계와; 상기 2차 금속기판 본딩체를 상단에서 하단으로 절단하여 각 절단면이 mㅧn 개의 광소자 부착 가능영역을 가지는 광소자 디바이스 기판을 제조하는 단계;를 포함함을 특징으로 한다.

Description

광소자 디바이스 기판 제조방법 및 광소자 디바이스 기판{LIGHT EMITTING DEVICE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUBSTRATE}

본 발명은 광소자 디바이스에 관한 것으로, 특히 광소자 배열을 다양하게 할 수 있는 광소자 디바이스 기판 제조방법 및 그 방법에 의해 제조 가능한 광소자 디바이스 기판에 관한 것이다.

엘이디(LED) 등의 광소자는 차세대 조명원으로 점차 그 응용분야가 확대되고 있다. 특히 LED는 특정 화합물로 된 반도체 특성을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환하는 반도체 소자의 일종으로서, 백열등 형광등 등의 재래식 조명과는 달리 광 전환 효율이 높기 때문에 최고 90% 까지 에너지를 절감할 수 있고, 광원이 소형이므로 소형화 및 경량화에 적합하면서도 무한한 확장설치가 가능하며, 수명이 반영구적으로 매우 길다는 장점이 있다.

이러한 장점 내지는 특성으로 인해 여러 분야에서 폭 넓게 사용될 것으로 예상되는 바, 각 사용환경 및 채용 장치에 맞게 기판상에 광소자 혹은 광소자 칩을 다양하게 배열할 수 있는 새로운 타입의 광소자 디바이스 기판이 필요하다.

이에 본 발명은 상술한 필요성에 따라 창안된 것으로써, 광소자 혹은 광소자 칩을 자유롭게 배치 설계할 수 있는 새로운 타입의 광소자 디바이스 기판을 제공할 수 있는 광소자 디바이스 제조방법을 제공함에 있으며,

더 나아가 본 발명은 독립된 기판 내에서 서로 다른 공급 전원에 의해 동작 가능한 복수 채널의 광소자 회로를 구성할 수 있는 광소자 디바이스 기판 제조방법을 제공함에 있다.

또한 본 발명의 또 다른 목적은 광소자가 부착될 수 있는 영역, 즉 광소자 부착 가능영역이 수평방향으로 배열됨은 물론 수직방향으로도 배열되는 구조의 기판을 제조함으로써 기계적 강도가 우수한 광소자 디바이스 기판을 제공할 수 있는 광소자 디바이스 기판 제조방법을 제공함에 있다.

또한 본 발명의 또 다른 목적은 상기 제조방법들에 의해 제조 가능한 광소자 디바이스 기판을 제공함에 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판 제조방법은,

n(n＞1)개의 평판형 금속기판을 적층하되 그 적층면 사이에 절연성 부재를 접착하여 만들어진 1차 금속기판 본딩체를 절단하여 다수의 단위블럭기판을 만들되, 그 각 단위블럭기판이 n-1개의 상기 절연성 부재에 의해 n개의 광소자 부착 가능영역으로 구획되도록 단위블럭기판을 제조하는 단계와;

상기 단위블럭기판을 적어도 m(m＞1)개 이상 적층하되 그 적층면 사이에 절연성 부재와 전극용 금속기판 중 어느 하나 혹은 둘 이상을 접합하는 방식으로 2차 금속기판 본딩체를 만들되, 그 2차 금속기판 본딩체의 상단 및 하단에는 전극용 금속기판을 접착하여 2차 금속기판 본딩체를 제조하는 단계와;

상기 2차 금속기판 본딩체를 상단에서 하단으로 절단하여 각 절단면이 mㅧn 개의 광소자 부착 가능영역을 가지는 광소자 디바이스 기판을 제조하는 단계;를 포함함을 특징으로 한다.

더 나아가 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판 제조방법은,

상기 광소자 부착 가능영역 모두가 캐비티 바닥면에 수용되도록 상기 광소자 디바이스 기판의 소정 깊이에 이르는 상광하협의 캐비티를 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있으며,

캐비티 형성된 상기 광소자 디바이스 기판의 광소자 부착 가능영역 중 일부 혹은 전부에 광소자를 부착하고 와이어를 이용해 광소자와 인접 광소자 부착 가능영역 혹은 인접하는 전극용 금속기판을 상호 전기적으로 연결시키는 단계와;

부착되는 상기 광소자 상부에 보호층을 형성하는 단계;를 더 포함함을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예로서, 상술한 광소자 디바이스 기판 제조방법에 있어서, 상기 2차 금속기판 본딩체를 구성하는 인접 단위블럭기판 사이에 상기 절연성 부재와 상기 전극용 금속기판 및 상기 절연성 부재가 순차 형성되도록 상기 2차 금속기판 본딩체를 제조할 수도 있으며,

이러한 경우 상기 2차 금속기판 본딩체를 구성하는 인접 단위블럭기판 사이에 형성되는 전극용 금속기판의 두께는 상기 2차 금속기판 본딩체의 상단 및 하단에 접착되는 전극용 금속기판 보다 두꺼운 두께를 가짐을 특징으로 한다.

아울러 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판은,

평판형 금속기판을 n(n>1)개의 광소자 부착 가능영역으로 구획하되, 구획되는 인접 영역간을 절연시키기 위한 절연성 부재 n-1개가 상기 금속기판 내에 형성되어 있는 단위블럭기판과;

상기 각 단위블럭기판 내에 형성된 상기 절연성 부재가 수직방향으로 위치하도록 상기 단위블럭기판이 적어도 m(m＞1)개 이상 적층되되, 그 적층되는 면을 수평 절연시키기 위한 1차 수평 절연성 부재와;

상기 단위블럭기판들이 적층되어 형성되는 2차 금속기판 본딩체의 상단 및 하단에 각각 접착되어 전원을 공급하기 위한 전극용 금속기판과;

상기 전극용 금속기판과 인접하는 상기 단위블럭기판과 절연시키기 위한 2차 수평 절연성 부재;를 포함하여 mㅧn 개의 광소자 부착 가능영역을 가짐을 특징으로 한다.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따르면, 본 발명의 광소자 디바이스 기판 제조방법은 광소자 부착 가능영역이 수평방향으로 배열됨은 물론 수직방향으로도 배열되는 구조의 기판을 제조함으로써 기계적 강도가 우수한 광소자 디바이스 기판을 제공할 수 있는 효과가 있으며,

더 나아가 광소자 부착 가능영역이 수평 및 수직방향, 즉 격자구조로 배열되어 있기 때문에, 사용환경 및 채용 장치에 맞게 기판상에 광소자 혹은 광소자 칩을 다양하게 배열할 수 있는 편의성을 제공해 주는 효과가 있다.

또한 본 발명은 광소자 디바이스 기판 내에 복수의 전극용 금속기판을 삽입하여 기판 제조 가능하기 때문에, 그 전극용 금속기판에 의해 복수의 광소자들이 그룹핑되어 독립된 채널을 형성할 수 있고, 각 채널별로 독립된 전원을 공급할 수 있어 사용 환경 및 용도에 맞게 복수 채널의 광소자 회로를 구성하여 별도 컨트롤 할 수 있는 이점이 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판 제조공정 중 1차 금속기판 본딩체 제조단계를 설명하기 위한 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판 제조공정 중 단위블럭기판 제조단계를 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판 제조공정 중 2차 금속기판 본딩체 제조단계를 설명하기 위한 도면.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판 제조공정 중 광소자 디바이스 기판 제조단계를 설명하기 위한 도면.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판 제조공정 중 광소자 부착 및 와이어 연결단계 및 광소자 연결구조를 예시 설명하기 위한 도면.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판 제조공정 중 캐비티 형성 단계를 예시 설명하기 위한 도면.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 광소자 디바이스 기판을 다시 여러 기판으로 분리하는 단계를 부가 설명하기 위한 도면.
도 9는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 광소자 디바이스 기판으로서, 서로 다른 전원을 공급할 수 있도록 제조되어 복수 채널의 회로 구성이 가능한 광소자 디바이스 기판을 부연 설명하기 위한 도면.

이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판 제조방법에 대해 상세히 설명하기로 한다.

우선 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판 제조공정 중 1차 금속기판 본딩체 제조단계를 설명하기 위한 도면을 도시한 것이며, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판 제조공정 중 단위블럭기판 제조단계를 설명하기 위한 도면을 도시한 것이다.

우선 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판을 제조하기 위해서는 도 1에 도시한 바와 같이 일정한 두께(예를 들어 10mm)를 가지는 4개의 평판형 금속기판(10)을 적층 형성하되 그 적층면 사이에 절연성 부재(20)를 형성하여 1차 금속기판 본딩체(A)를 만든다. 참고적으로 상기 평판형 금속기판(10)은 열전달 특성 및 전기 전도도가 우수한 금속기판을 이용한다. 대표적인 예로서 알루미늄(Al) 금속기판을 이용하거나 알루미늄 합금으로 이루어진 금속기판을 채택할 수 있을 것이다. 상기 절연성 부재(20)는 적층되는 평판형 금속기판(10)을 전기적으로 절연시키기 위한 것으로서, 알루미늄 재질의 평판형 금속기판(10) 표면을 아노다이징하여 형성할 수도 있으며, 이와는 달리 합성수지 재질의 절연 필름을 접착하여 형성할 수도 있을 것이다.

이상과 같이 평판형 금속기판(10)과 절연성 부재(20)가 순차 적층되어 도 1에 도시한 바와 같은 1차 금속기판 본딩체(A)가 만들어지면 이를 참조번호 30으로 표기된 절단선을 따라 절단(wire sawing)한다. 그러면 도 2에 도시된 바와 같이 일정 두께(10mm)를 가지는 다수의 단위블럭기판(B)이 만들어지는데, 이러한 각 단위블럭기판(B)은 도 1에서 적층된 3개의 절연성 부재(20)에 의해서 도 2의 (a) 및 (b)에 도시한 것처럼 4개의 광소자 부착 가능영역(C)으로 구획된다.

한편 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판 제조공정 중 2차 금속기판 본딩체(D) 제조단계를 설명하기 위한 도면을 도시한 것이다.

2차 금속기판 본딩체(D)는 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이 상기 단위블럭기판(B)을 적어도 m(m＞1)개(도 3에서는 3개로 예시) 이상 적층하되 그 적층면 사이에 접착필름과 같은 절연성 부재(40)와 전극용 금속기판(50) 중 어느 하나 혹은 둘 이상을 접합하면 (b)에 도시한 바와 같은 2차 금속기판 본딩체(D)를 만들되, 그 2차 금속기판 본딩체(D)의 상단 및 하단에는 전극용 금속기판(50)을 접착하여 2차 금속기판 본딩체(D)를 제조한다. 2차 금속기판 본딩체(D)의 상단 및 하단에 위치하는 전극용 금속기판(50)은 전원 공급을 위한 단자를 형성하기 위한 것이며, 2차 금속기판 본딩체(D) 내부에 위치하는 전극용 금속기판(50)들은 다수의 광소자 부착 가능영역을 별도의 채널로 그룹핑하여 독립된 전원을 공급하거나 인접하는 단위블럭기판(B)간에 전기적 연결을 위한 매개체로 활용하기 위한 것이다.

이상과 같이 단위블럭기판(B)을 적어도 m(m＞1)개 이상 적층하되 그 적층면 사이에 절연성 부재(40)와 전극용 금속기판(50) 중 어느 하나 혹은 둘 이상을 접합하는 방식으로 2차 금속기판 본딩체(D)를 만들면, 그 2차 금속기판 본딩체(D)는 mㅧn개로 구획되는 광소자 부착 가능영역(C)이 형성될 수 있다. 도 3의 예에서는 2차 금속기판 본딩체(D)를 구성하기 위해 인접 단위블럭기판(B) 사이에 절연성 부재(40)와 전극용 금속기판(50) 및 절연성 부재(40)가 순차 형성되어 있는 것으로 도시하였으나, 이는 예시에 불과하며 필요에 따라 단위블럭기판(B), 절연성 부재(40), 절연성 부재(40), 단위블럭기판(B)의 순으로 순차 형성될 수도 있다. 그리고 단위블럭기판(B), 절연성 부재(40), 전극용 금속기판(50), 전극용 금속기판(50), 절연성 부재(40), 단위블럭기판(B)의 순으로 순차 형성될 수도 있다. 또한 2차 금속기판 본딩체(D)를 구성하는 인접 단위블럭기판(B) 사이에 형성되는 전극용 금속기판(50)의 두께는 2차 금속기판 본딩체(D)의 상단 및 하단에 접착되는 전극용 금속기판(50) 보다 두꺼운 두께를 가지도록 할 수도 있다. 이는 내부에 위치하여 두께가 보다 두꺼운 전극용 금속기판(50)(도 8에 도시되어 있음)을 절단하여 또 다른 광소자 디바이스 기판을 만들기 위함이다. 참고적으로 전극용 금속기판(50)은 알루미늄 시트를 이용할 수 있다. 이러한 전극용 금속기판(50)은 전극 연결을 위한 것이므로 그 두께가 두꺼울 필요는 없다.

한편 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판 제조공정 중 광소자 디바이스 기판(E) 제조단계를 설명하기 위한 도면을 도시한 것이다.

도 4를 참조하면, 우선 도 3에 도시된 바에 의해 2차 금속기판 본딩체(D)가 만들어지면 이를 도 4의 (a)에 도시된 참조번호 60으로 표기된 절단선을 따라 절단한다. 그러면 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이 각 절단면이 m×n(도 4에서는 3×4) 개의 광소자 부착 가능영역(C)을 가지는 광소자 디바이스 기판(E)이 만들어진다. 도 4의 (b) 혹은 (c)를 참조해 보면 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판(E)은 광소자 부착 가능영역(C)이 수평방향과 수직방향으로 배열되는 구조를 가진다는 것을 알 수 있다. 그리고 이러한 광소자 부착 가능영역(C)들은 기판 사이사이에 알루미늄 재질의 전극용 금속기판(50)이 위치하는 관계로 기계적 강도가 우수하다고 할 수 있다.

이하 상술한 제조공정에 의해 제조된 광소자 디바이스 기판(E) 상에 광소자(70)를 부착하고 와이어(80)를 이용해 기판상에 부착된 광소자 및 전극용 금속기판(50)을 전기적으로 연결하는 후공정에 대해 설명하기로 한다.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판 제조공정 중 광소자(70) 부착 및 와이어(80) 연결단계 및 광소자 연결구조를 예시 설명하기 위한 도면을 도시한 것이다.

도 5a에 도시한 바와 같이 예를 들어 3ㅧ4 개의 광소자 부착 가능영역(C) 각각에는 광소자(70)를 도 5a의 (a)와 (b)에 도시한 바와 같이 선택적으로 부착하여 기판 제조할 수 있다. 광소자 부착방법은 이미 공지된 바와 같이 도전성 접착제를 이용할 수 있다. 도전성 접착제는 공융점 솔더, 고융점 솔더, 납이 없는 솔더, Ag 페이스트 중 선택된 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예에서는 각 광소자의 일전극이 각 광소자 부착 가능영역(C)에 부착되는 것으로 한다.

더 나아가 도전성 와이어(80)는 도 5a에 도시한 바와 같이 일단이 광소자(70)에 볼 본딩되고 타단은 필요에 따라 인접하는 광소자 부착 가능영역(C) 혹은 인접하는 전극용 금속기판(50)에 스티치 본딩(stitch bonding)될 수 있고 그 반대로 구성하는 것도 가능하다. 도 5a의 실시예에서는 좌측 및 우측에 위치하는 전극용 금속기판(50)에만 전원이 연결되는 구조를 예시하였다. 이러한 구조에서는 기판 상에 배열되는 광소자(70)들이 하나의 직렬회로를 구성하고 있다는 것을 알 수 있다. 부가적으로 도 5a의 (b)는 모든 광소자 부착 가능영역(C)에 광소자(70)가 부착되는 것이 아니라 원하는 위치에만 광소자(70)를 부착하고 원활한 전기적 통로를 제공하기 위해 광소자(70)가 부착되지 않은 광소자 부착 가능영역(C)들도 와이어(80)를 통해 연기적으로 연결되어 하나의 직렬회로를 구성하고 있다는 것을 보여주고 있다. 참고적으로 도 5b는 필요에 따라 광소자들이 직병렬 연결되어 있는 구조를 예시한 것이다.

따라서 본 발명의 광소자 디바이스 기판을 이용하게 되면 원하는 형태의 광소자 혹은 광소자 칩 배열을 꾸밀 수 있게 되는 것이다.

더 나아가 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판은 캐비티를 형성한 후 광소자 및 와이어를 부착하여 전기적인 회로를 만들 수도 있다. 이를 도 6과 도 7을 참조하여 부연 설명하면,

우선 도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 광소자 디바이스 기판 제조공정 중 캐비티 형성 단계를 예시 설명하기 위한 도면을 도시한 것이다.

광소자 디바이스 기판에 캐비티를 형성하고자 한다면 그 캐비티 바닥면에 수용될 광소자 부착 가능영역(C)를 지정하여 캐비티(90) 형성한다. 즉, 도 6에서는 예시된 기판 상에 존재하는 광소자 부착 가능영역(C) 모두를 캐비티(90) 바닥면에 수용하도록 광소자 디바이스 기판(E)의 소정 깊이에 이르는 상광하협의 캐비티(90)를 우선 형성한다. 기계적 가공을 통해 캐비티를 형성하는 방법 역시 이 기술분야에서 공지된 방법이므로 그 상세 설명은 생략하기로 한다.

캐비티가 형성되면 이어서 앞서 설명한 바와 같이 캐비티(90) 형성된 광소자 디바이스 기판(E)의 광소자 부착 가능영역(C) 중 일부 혹은 전부에 광소자(70)를 부착하고 와이어(80)를 이용해 광소자(70)와 인접 광소자 부착 가능영역(C) 혹은 인접하는 전극용 금속기판(50)을 상호 전기적으로 연결한다. 그리고 공지된 바와 같이 부착되는 광소자 상부에 도 7에 도시한 바와 같이 보호층(100)을 형성하여 또 다른 형태의 광소자 디바이스 기판을 제조할 수 있다. 참고적으로 도 6에 도시된 기판에서는 내부에 위치하는 전극용 금속기판(50)을 생략하고 제작할 수도 있을 것이다. 이러한 경우 ①번 기판에서 ②번 기판으로 와이어를 연결해 전기통로를 만들어 주어야 하며, ②번 기판에서 ③번 기판으로 와이어 연결해 주어야 할 것이다.

도 8은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 광소자 디바이스 기판을 다시 여러 기판으로 분리하는 단계를 부가 설명하기 위한 도면을 도시한 것이다.

도 8을 참조해 보면, 중앙부에 위치한 전극용 금속기판(50)의 두께가 좌측 및 우측에 위치한 전극용 금속기판의 두께보다 두껍다는 것을 알 수 있다. 이는 앞서 설명한 것처럼 광소자 디바이스 기판 제조시 전극용 금속기판(50)을 연속하여 적층하거나 혹은 보다 두꺼운 전극용 금속기판(50)을 채용한 형태이다. 그 이유는 도시된 바와 같이 4×4 개의 광소자 부착 가능영역(C)을 가지는 기판을 우선 제조한 후, 이를 F-F' 절단선과 G-G' 절단선을 따라 절단하여 2×2 개의 광소자 부착 가능영역(C)을 가지는 4개의 기판을 획득하기 위한 의도이다.

즉, 본 발명의 실시예에 따른 기판 제조방법은 2차 금속기판 본딩체의 상단 및 하단에 접착되는 전극용 금속기판보다 두꺼운 두께를 가지는 전극용 금속기판을 기판 내부에 삽입되도록 한 후, 그 전극용 금속기판을 절단함으로서 복수 개의 광소자 디바이스 기판으로 분리하는 것이 가능한 기판 제조방법이다. 물론 별도 제조된 광소자 디바이스 기판 각각을 절연성 접착 부재를 사용하여 접합함으로써 멀티 광소자 디바이스 기판을 제조하는 것도 가능할 것이다.

마지막으로 도 9는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 광소자 디바이스 기판으로서, 서로 다른 전원을 공급할 수 있도록 제조되어 복수 채널(CH)의 회로 구성이 가능한 광소자 디바이스 기판을 부연 설명하기 위한 도면을 도시한 것이다.

도 9는 크게 4×5 개의 광소자 부착 가능영역(C)을 가지는 광소자 디바이스 기판을 예시한 것으로, 기판을 구성하는 내부의 전극용 금속기판(52∼55)에 의해 3개의 채널영역(CH1,CH2,CH3)으로 분할되고, 분할된 각 채널영역(CH1,CH2,CH3)을 구성하는 광소자 부착 가능영역들이 독립된 캐비티(90) 바닥면에 수용되도록 광소자 디바이스 기판의 소정 깊이에 이르는 상광하협의 채널영역별 캐비티(90)를 형성한 것을 도시한 것이다. 이러한 채널영역별 캐비티(90) 바닥면에 각각 광소자를 부착하고 와이어를 이용해 전기로가 형성되도록 연결후 보호층을 형성하면, 하나의 기판상에 존재하는 광소자들이라 하더라도 서로 독립된 회로를 구성할 수 있다.

참고적으로 도 9에서는 전극용 금속기판 51과 52를 전원 단자에 연결하면 채널 CH1을 구성하는 광소자들에 전원을 공급할 수 있고, 채널 CH2를 구성하는 광소자들은 전극용 금속기판 53과 54를 이용해 전원을 공급한다. 그리고 채널 CH3를 구성하는 광소자들은 전극용 금속기판 55와 56을 통해 전원을 공급받도록 할 수 있다. 이와 같이 본 발명은 광소자 디바이스 기판 내에 복수의 전극용 금속기판(51∼56)을 삽입하여 기판 제조 가능하기 때문에, 그 전극용 금속기판(51∼56)에 의해 복수의 광소자들이 그룹핑되어 독립된 채널을 형성할 수 있고, 각 채널별로 독립된 전원을 공급할 수 있어 사용 환경 및 용도에 맞게 복수 채널의 광소자 회로를 구성하여 별도 컨트롤 할 수 있는 이점이 있는 유용한 발명인 것이다.

이상 본 발명은 도면에 도시된 실시예들을 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 예를 들면, 본 발명의 실시예에서는 광반사율을 향상시키기 위해 캐비티 바닥면과 그 주벽에 도금층을 형성하는 단계를 별도 도시하지 않았지만, 이러한 공정을 추가해 기판을 제조할 수도 있을 것이다. 또한 SMD(Surface-Mount Devices) 형태의 하단면에 전극층 용도의 도금층을 추가 형성하는 공정을 추가해 기판을 제조하는 광소자 디바이스 기판에도 별다른 변형 없이 본 발명을 적용할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

Claims

n(n＞1)개의 평판형 금속기판을 적층하되 그 적층면 사이에 절연성 부재를 형성하여 만들어진 1차 금속기판 본딩체를 절단하여 다수의 단위블럭기판을 만들되, 그 각 단위블럭기판의 일면이 n-1개의 상기 절연성 부재에 의해 n개의 광소자 부착 가능영역으로 구획되도록 단위블럭기판을 제조하는 단계와;
상기 절연성 부재가 수직방향에 위치하도록 상기 단위블럭기판을 적어도 m(m＞1)개 이상 적층하되 그 적층면 사이에 절연성 부재와 전극용 금속기판 중 어느 하나 혹은 둘 이상을 접합하는 방식으로 2차 금속기판 본딩체를 만들되, 그 2차 금속기판 본딩체의 상단 및 하단에는 전극용 금속기판을 접착하여 2차 금속기판 본딩체를 제조하는 단계와;
상기 2차 금속기판 본딩체를 상단에서 하단으로 절단하여 각 절단면이 m×n 개의 광소자 부착 가능영역을 가지는 광소자 디바이스 기판을 제조하는 단계;를 포함함을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판 제조방법.
청구항 1에 있어서, 상기 광소자 부착 가능영역 모두가 캐비티 바닥면에 수용되도록 상기 광소자 디바이스 기판의 소정 깊이에 이르는 상광하협의 캐비티를 형성하는 단계;를 더 포함함을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판 제조방법.
청구항 2에 있어서, 캐비티 형성된 상기 광소자 디바이스 기판의 광소자 부착 가능영역 중 일부 혹은 전부에 광소자를 부착하고 와이어를 이용해 광소자와 인접 광소자 부착 가능영역 혹은 인접하는 전극용 금속기판을 상호 전기적으로 연결시키는 단계와;
부착되는 상기 광소자 상부에 보호층을 형성하는 단계;를 더 포함함을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판 제조방법.
청구항 1 내지 청구항 3중 어느 한 항에 있어서, 상기 2차 금속기판 본딩체를 구성하는 인접 단위블럭기판 사이에 상기 절연성 부재와 상기 전극용 금속기판 및 상기 절연성 부재가 순차 형성되도록 상기 2차 금속기판 본딩체를 제조함을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판 제조방법.
청구항 4에 있어서, 상기 2차 금속기판 본딩체를 구성하는 인접 단위블럭기판 사이에 형성되는 전극용 금속기판의 두께는 상기 2차 금속기판 본딩체의 상단 및 하단에 접착되는 전극용 금속기판 보다 두꺼운 두께를 가짐을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판 제조방법.
청구항 5에 있어서, 상기 2차 금속기판 본딩체의 상단 및 하단에 접착되는 전극용 금속기판 보다 두꺼운 두께를 가지는 전극용 금속기판을 절단하여 하나의 상기 광소자 디바이스 기판을 두 개의 광소자 디바이스 기판으로 분리하는 단계;를 더 포함함을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판 제조방법.
청구항 1 내지 청구항 3중 어느 한 항에 있어서, 상기 2차 금속기판 본딩체를 구성하는 인접 단위블럭기판 사이에 적어도 상기 절연성 부재가 순차 형성되는 구조를 하나 이상 가지도록 상기 2차 금속기판 본딩체를 제조함을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판 제조방법.
청구항 1 내지 청구항 3중 어느 한 항에 있어서, 상기 제조된 광소자 디바이스 기판 각각을 절연성 접착 부재를 사용하여 접합하여 멀티 광소자 디바이스 기판을 제조하는 단계;를 더 포함함을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판 제조방법.
청구항 1에 있어서, m×n 개의 광소자 부착 가능영역을 가지는 상기 광소자 디바이스 기판은 그 기판을 구성하는 내부의 전극용 금속기판에 의해 다수의 채널영역으로 분할되고, 분할된 각 채널영역을 구성하는 광소자 부착 가능영역들이 독립된 캐비티 바닥면에 수용되도록 상기 광소자 디바이스 기판의 소정 깊이에 이르는 상광하협의 채널영역별 캐비티를 형성하는 단계;를 더 포함함을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판 제조방법.
청구항 9에 있어서, 상기 채널영역별 캐비티 바닥면에 위치한 광소자 부착 가능영역 중 일부 혹은 전부에 광소자를 부착하고 와이어를 이용해 광소자와 인접 광소자 부착 가능영역 혹은 인접하는 전극용 금속기판을 상호 전기적으로 연결시키는 단계와;
부착되는 상기 광소자 상부에 보호층을 형성하는 단계;를 더 포함함을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판 제조방법.
청구항 9 또는 청구항 10에 있어서, 상기 채널영역을 구성하는 광소자 부착 가능영역은 인접하는 전극용 금속기판 사이에 존재하는 광소자 부착 가능영역임을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판 제조방법.
청구항 1, 청구항 2, 청구항 3, 청구항 9, 청구항 10 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 광소자 디바이스 기판.
평판형 금속기판을 n(n>1)개의 광소자 부착 가능영역으로 구획하되, 구획되는 인접 영역간을 절연시키기 위한 절연성 부재 n-1개가 상기 금속기판 내에 형성되어 있는 단위블럭기판과;
상기 각 단위블럭기판 내에 형성된 상기 절연성 부재가 수직방향으로 위치하도록 상기 단위블럭기판을 적어도 m(m＞1)개 이상 형성하되, 그 형성되는 면을 수평 절연시키기 위한 1차 수평 절연성 부재;를 포함하여 m×n 개의 광소자 부착 가능영역을 가짐을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판.
청구항 13에 있어서, 상기 단위블럭기판들이 적층되어 형성되는 2차 금속기판 본딩체의 상단 및 하단에 각각 접착되어 전원을 공급하기 위한 전극용 금속기판;을 더 포함하여 m×n 개의 광소자 부착 가능영역을 가짐을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판.
청구항 14에 있어서, 상기 전극용 금속기판과, 그 기판에 인접하는 상기 단위블럭기판을 절연시키기 위한 2차 수평 절연성 부재;를 더 포함하여 m×n 개의 광소자 부착 가능영역을 가짐을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판.
청구항 14에 있어서, 상기 2차 금속기판 본딩체를 구성하는 인접 단위블럭기판 사이에 상기 1차 수평 절연성 부재와 또 다른 전극용 금속기판 및 상기 1차 수평 절연성 부재가 순차 형성되도록 함을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판.
청구항 16에 있어서, 상기 2차 금속기판 본딩체를 구성하는 인접 단위블럭기판 사이에 형성되는 상기 또 다른 전극용 금속기판의 두께는 상기 2차 금속기판 본딩체의 상단 및 하단에 접착되는 전극용 금속기판 보다 두꺼운 두께를 가짐을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판.
청구항 13 내지 청구항 17중 어느 한 항에 있어서, 상기 광소자 부착 가능영역 모두가 캐비티 바닥면에 수용되도록 기판의 소정 깊이에 이르는 상광하협의 캐비티가 더 형성되어 있음을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판.
청구항 18에 있어서, 상기 캐비티 내에 위치하는 상기 광소자 부착 가능영역 중 일부 혹은 전부에 각각 부착하기 위한 광소자와;
상기 광소자와 인접 광소자 부착 가능영역 혹은 인접하는 전극용 금속기판을 상호 전기적으로 연결시키기 위한 와이어들;을 더 포함함을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판.
청구항 19에 있어서, 상기 캐비티 내에 부착된 하나 이상의 상기 광소자들을 보호하기 위해 형성되는 보호층;을 더 포함함을 특징으로 하는 광소자 디바이스 기판.