JPH0955535A - 面実装型led素子及びその製造方法 - Google Patents

面実装型led素子及びその製造方法

Info

Publication number
JPH0955535A
JPH0955535A JP22611395A JP22611395A JPH0955535A JP H0955535 A JPH0955535 A JP H0955535A JP 22611395 A JP22611395 A JP 22611395A JP 22611395 A JP22611395 A JP 22611395A JP H0955535 A JPH0955535 A JP H0955535A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive
led
element substrate
insulating
wires
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP22611395A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3146452B2 (ja
Inventor
Yoshiko Taguchi
佳子 田口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP22611395A priority Critical patent/JP3146452B2/ja
Publication of JPH0955535A publication Critical patent/JPH0955535A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3146452B2 publication Critical patent/JP3146452B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のこの種の面実装型LED素子において
は、上、底面に導電膜が形成された素子基板を採用する
ので、両面を導通するためのスロット加工、無電解メッ
キの工程などが必要となり、コストアップする問題点を
生じている。 【解決手段】 本発明により、夫々が板状の導電性部材
11と絶縁性部材12とを面方向で接合してブロック体
13とし、このブロック体13を接合が行われた面に直
交する方向にスライスして素子基板母材10を形成し、
この素子基板母材10上にLEDチップ2のマウントと
ワイヤ3による配線を行い、モールド部4で覆った後に
切断し形成する面実装型LED素子1の製造方法とした
ことで、製造工程においては素子基板母材10へのスロ
ット加工、側面及びスロットの内面への無電解メッキな
どの工程を不要とし、工程の簡素化を可能として生産性
を高め課題を解決する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はチップマウントとも
称され、例えばプリント回路基板などに取付穴を設ける
ことなく面で実装することを可能とした構成のLED
(発光ダイオード)素子に関するものであり、詳細には
製造方法に係るものである。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の面実装型LED素子90
の製造方法を工程の順に示すものが図9〜図15であ
り、先ず最初の工程としては、図9に示すように、例え
ばガラスエポキシなど絶縁性基材の表裏の両面に銅箔8
1が貼着されたプリント回路基板などによる素子基板母
材80に、適宜の間隔で表裏面に貫通するスロット82
をプレス加工などにより形成する。
【0003】この状態では、素子基板母材80の側面及
び上記で形成されたスロット82の内面には導電性皮膜
が形成されていないので、無電解メッキなどの手段で前
記側面及びスロット82の内面に銅などによる導電膜8
3を形成し、図10に示すように、前記素子基板母材8
0の外面の全てが導電性皮膜で覆われるものとして表裏
面を電気的に接続する。
【0004】次いで、図11に示すように前記素子基板
母材80の表面側のスロット82間には、エッチングな
どの手段で前記銅箔81を除去することで、パット部8
4と配線部85とを形成し、同時に裏面側においてもス
ロット82間で略長方形に銅箔81を除去することで絶
縁部86を形成し、これにより、素子基板母材80が完
成する。
【0005】続いて、図12に示すように前記パット部
84にLEDチップ91を一方の極で例えば導電性接着
剤などによりマウントし、このLEDチップ91の他方
の極と前記配線部85との配線を金線などワイヤ92で
行い、更に、図13に示すように前記LEDチップ91
とワイヤ92とを透明樹脂で覆いモールド部93を形成
する。
【0006】そして、図14に示すように前記素子基板
母材80を夫々のLEDチップ91の中間の位置となる
切断線D切断を行えば、素子基板母材80はスロット8
2の部分で個々の素子基板94に分割され、図15に示
す面実装型LED素子90の複数が得られるものとな
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の面実装型LED素子90では、先ず、製造工程
においては前記スロット82の内面などに導電膜83を
形成するための無電解メッキなどの手段が加工コストが
高価で且つ加工時間も長いものであるので、前記素子基
板母材80の生産性が低下し、結果として面実装型LE
D素子90全体がコストアップする問題点を生じてい
る。
【0008】また、前記素子基板94は、有機部材であ
るガラスエポキシを基材とするプリント回路基板を利用
した素子基板母材80から形成されるものであるので熱
伝導率が低く、この素子基板94上にマウントされたL
EDチップ91に対しての放熱効果が不十分となり、面
実装型LED素子90としての連続定格電流が減格さ
れ、暗い面実装型LED素子90となる問題点も生じ、
これらの点の解決が課題とされるものとなっていた。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は前記した従来の
課題を解決するための具体的な手段として、夫々が所定
の板厚とされた導電性板材と絶縁性板材とを面方向に交
互に接合して得られたブロック体を前記面方向に直交す
る方向で適宜板厚と成るようにスライスして前記導電性
板材による導電部と絶縁性板材による絶縁部とが交互の
平行の帯状となる素子基板母材を形成し、この素子基板
母材の前記導電部には帯状の一方の縁寄りに所定ピッチ
として複数のLEDチップをマウントすると共にこのL
EDチップと、当該LEDチップがマウントされた導電
部の一方の縁と絶縁部を挾んで対峙する導電部の他の一
方の縁寄りとをワイヤで配線し、前記LEDチップとワ
イヤとを透明樹脂で覆い、その後に夫々のLEDチップ
の所定ピッチ間と、導電部のLEDチップとワイヤとの
間とで縦横に切断して成ることを特徴とする面実装型L
ED素子の製造方法、及び、上記の製造方法による面実
装型LED素子を提供することで課題を解決するもので
ある。
【0010】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明に係る面実装型L
ED素子の製造方法を図に示す実施形態に基づいて詳細
に説明する。先ず、図1に示すものは素子基板母材10
の形成方法であり、本発明では夫々が所定の板厚とされ
た、例えば銅などの導電性部材11と、例えばガラスエ
ポキシなどの絶縁性部材12とを面方向で交互に接合し
ブロック体13(図2参照)を形成する。
【0011】尚、このときに前記導電性部材11は、後
に面実装型LED素子として形成された際に配線基板に
取付けるための端子部となるので溶融したハンダに対す
る親和性(濡れ性)に優れる部材であることが必要であ
る。また、前記導電性部材11と絶縁性部材12との接
合は接着材で行っても良く、或いは、熱圧着など他の方
法でも良い。
【0012】続いて、図2に示すように、前記ブロック
体13を上記導電性部材11(絶縁性部材12)の面と
直交する方向に適宜板厚と成るようにスライスを行え
ば、図3に示す導電部10aと絶縁部10bとが交互に
平行の帯状として配置された形状の素子基板母材10が
得られるものとなる。
【0013】尚、上記ブロック体13を形成するに当て
っては、前記導電性部材11の枚数を奇数とし、前記絶
縁性部材12はその全てが導電性部材11で挟まれるも
の、即ち、素子基板母材10として形成されたときに、
両端が導電部10aで終るものとしておくことが、材料
の歩留りの面から好ましい。
【0014】図4は上記の説明のようにして得られた素
子基板母材10を用いて面実装型LED素子1を形成す
るときの、最初の工程を示すものであり、前記導電部1
0aの最も外側となる導電部10a―には複数のLE
Dチップ2が所定のピッチPとしてマウントが行われ、
このLEDチップ2と第二番目と成る導電部10a―
との間でワイヤ3による配線が行われる。
【0015】このときに、前記LEDチップ2の導電部
10a―へのマウントは、導電部10a―とで挾む
第一番目の絶縁部10b―の側の縁部に寄せて行われ
るものとされ、導電部10a―へのワイヤ3の接続も
前記絶縁部10b―の側の縁部に寄せて行われるもの
とされている。
【0016】そして、前記導電部10a―の第二番目
の絶縁部10b―側の縁部に寄せてはLEDチップ2
の複数がマウントされ、このLEDチップ2はワイヤ3
で第三番目の導電部10a―とで上記と同様にして配
線が行われている。このときに、前記導電部10a―
にマウントされるLEDチップ2も導電部10a―に
マウントされたLEDチップ2と同一のピッチPとさ
れ、直角の行列方向に整列するものとされている。
【0017】以下同様にして、全ての導電部10aには
LEDチップ2のマウントが行われ、奇数番目の導電部
10aとこれに続く偶数番目の導電部10aとの間には
ワイヤ3による配線が行われるものとなる。ここで、例
えば第二番目の導電部10a―のように、LEDチッ
プ2のマウントとワイヤ3による配線とが行われている
場合には、LEDチップ2とワイヤ3とには後にも説明
する切断シロ(切断代)として必要充分な間隔が設けら
れている。
【0018】続いて、前記素子基板母材10の、上記の
ようにマウントと配線とが行われた側の面は前記LED
チップ2とワイヤ3とを覆い、図5に示すように透明樹
脂によるモールド部4が形成される。その後に、前記素
子基板母材10は前記モールド部4を含みホイルカッタ
ーなどで切断が行われる。
【0019】前記した切断は、図6に示すように直角の
二方向となる切断線Dに対して行われ、一方向には前記
LEDチップ2間のピッチPの中間で行われ、他の一方
向には前記LEDチップ2とワイヤ3との間隙で行わ
れ、これにより図7に示す面実装型LED素子1が得ら
れるものとなる。
【0020】従って、前記ピッチPは完成時の面実装型
LED素子1の寸法に対し、前記ホイルカッターによる
切断シロだけ広く設定することが必要となる。同様に同
一の導電部10a上にマウント及び配線が行われている
LEDチップ2とワイヤ3との間にも上記の切断シロが
必要となるものであり、逆に言えば前記導電部10aの
寸法、即ち、ブロック体13を形成するときの導電性部
材11の板厚はLEDチップ2がマウントされ、ワイヤ
3の配線が行われた後に、尚且つ、切断シロを得るのに
充分な厚みが要求されるものとなる。
【0021】ここで、上記の製造方法により得られた面
実装型LED素子1の構成について説明を行うと、前記
素子基板母材10は所定寸法に切断されて、一対の導電
部5a、5bと、前記導電部5a、5bに挟まれる絶縁
部5cとで構成される素子基板5を有するものとなり、
このときに、導電部5a、5b、絶縁部5cは共に素子
基板5と同じ厚さを有するものとなっている。
【0022】従って、前記導電部5aにおいては上面が
LEDチップ2をマウントするための従来例で称するパ
ット部として機能し、底面及び絶縁部5cと接続してい
る以外の3面の側面の全てが従来例の端子部として機能
し、同様に導電部5bにおいては上面が従来例の配線部
として機能し、底面及び3面の側面が端子部として機能
するものとなる。
【0023】次いで、上記の製造方法としたことによる
本発明の作用及び効果について説明を行えば、先ず、製
造工程中においては、導電部10aと絶縁部10bとが
交互に平行の帯状として配置された素子基板母材10と
したことで、従来は素子基板母材の上面と底面との電気
的な接続を行うために必要とされていたスロットの加
工、側面及びスロットの内面への無電解メッキなどの工
程が不要となり、生産工程の簡素化が可能となる。
【0024】また、上記の製造方法により形成される面
実装型LED素子1では、LEDチップ2は金属など熱
伝導性に優れる部材で上面から底面まで一体として形成
されている導電部5aにマウントされているので、この
面実装型LED素子1を取付けた回路基板(図示せず)
など外部に対する放熱効率が向上する。
【0025】よって、LEDチップ2の点灯による発熱
は効率良く回路基板など外部に放熱されるものとなり、
同じ上昇温度を許容する場合には流せる電流値が増える
ものとなるので、従来例のものと比較して連続定格電流
値の増加が可能となり、明るい面実装型LED素子1の
提供を可能とする。
【0026】また、導電部5a、5bが金属部材などで
一体化されたことで、端子部としては底面と3面の側面
との都合4面が使用可能となり、回路基板に取り付ける
ときの面積が増加して取付強度が向上する。更には、従
来の素子基板は端子部の側面が無電解メッキで形成され
剥離などを生じ易いものであったのに対し、本発明では
導電部10aの一体化によりその発生を根絶し信頼性の
向上も可能とする。
【0027】図8に示すものは本発明の別の実施形態で
あり、前の実施形態(図1参照)ではブロック体13は
夫々が板状の導電性部材11と絶縁性部材12とを交互
に貼り合わせるものとしていたが、本発明はこれを限定
するものでなく、図示のように板状の導電性部材11の
複数を容器中などで所定間隔で平行に保持しておき、例
えばエポキシ樹脂など液体状の接着材14を導電性部材
11間に注入し、硬化させてブロック体13を形成して
も良いものである。
【0028】
【発明の効果】以上に説明したように本発明により、夫
々が板状の導電性部材と絶縁性部材とを面方向で接合し
てブロック体とし、このブロック体を前記導電性部材と
絶縁性部材との面に直交する方向にスライスして素子基
板母材を形成し、該素子基板母材上にLEDチップのマ
ウントとワイヤによる配線を行い、モールド部でLED
チップとワイヤとを覆った後に所定位置で切断し形成す
る面実装型LED素子の製造方法としたことで、製造工
程においては素子基板母材へのスロット加工、側面及び
スロットの内面への無電解メッキなどの工程を不要と
し、工程の簡素化を可能として生産性を高め、面実装型
LED素子のコストダウンに極めて優れた効果を奏する
ものである。
【0029】また、上記の製造方法として形成される面
実装型LED素子1は、LEDチップが金属など熱伝導
性に優れる部材で上面から底面まで一体として形成され
ている導電部にマウントされるものとなり、これにより
放熱効率が向上して、連続定格電流値の増加が可能とな
り、明るい面実装型LED素子として性能向上に優れた
効果を奏する。
【0030】更に、導電部が一体化されたことで、端子
部としては底面と3面の側面との都合4面が使用可能と
し、回路基板に取り付けるときの面積が増加して取付強
度を向上させると共に、端子部に剥離などを生じないも
のとして面実装型LED素子の信頼性の向上にも優れた
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る面実装型LED素子の製造方法
の一実施形態における素子基板母材形成工程中の接合工
程を示す説明図である。
【図2】 同じく素子基板母材形成工程中のスライス工
程を示す説明図である。
【図3】 同じく素子基板母材の完成状態を示す斜視図
である。
【図4】 同じくLEDチップのマウント工程を示す説
明図である。
【図5】 同じくモールド工程を示す説明図である。
【図6】 同じく切断工程を示す説明図である。
【図7】 本発明の製造方法により形成される面実装型
LED素子の例を一部を透視した状態で示す斜視図であ
る。
【図8】 同じく本発明に係る面実装型LED素子の製
造方法の別の実施形態におけるブロック体の形成工程を
示す説明図である。
【図9】 従来例の素子基板母材形成工程中のスロット
形成工程を示す断面図である。
【図10】 同じ従来例における無電解メッキによる導
電膜形成工程を示す断面図である。
【図11】 同じ従来例におけるエッチング工程を示す
説明図である。
【図12】 同じ従来例におけるLEDチップのマウン
ト工程を示す説明図である。
【図13】 同じ従来例におけるモールド工程を示す説
明図である。
【図14】 同じ従来例における切断工程を示す説明図
である。
【図15】 従来例の面実装型LED素子の例を示す断
面図である。
【符号の説明】
1……面実装型LED素子 2……LEDチップ 3……ワイヤ 4……モール部 5……素子基板 5a、5b……導電部 5c……絶縁部 10……素子基板母材 10a……導電部 10b……絶縁部 11……導電性部材 12……絶縁性部材 13……ブロック体

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 夫々が所定の板厚とされた導電性板材と
    絶縁性板材とを面方向に交互に接合して得られたブロッ
    ク体を前記面方向に直交する方向で適宜板厚と成るよう
    にスライスして前記導電性板材による導電部と絶縁性板
    材による絶縁部とが交互の平行の帯状となる素子基板母
    材を形成し、この素子基板母材の前記導電部には帯状の
    一方の縁寄りに所定ピッチとして複数のLEDチップを
    マウントすると共にこのLEDチップと、当該LEDチ
    ップがマウントされた導電部の一方の縁と絶縁部を挾ん
    で対峙する導電部の他の一方の縁寄りとをワイヤで配線
    し、前記LEDチップとワイヤとを透明樹脂で覆い、そ
    の後に夫々のLEDチップの所定ピッチ間と、導電部の
    LEDチップとワイヤとの間とで縦横に切断して成るこ
    とを特徴とする面実装型LED素子の製造方法。
  2. 【請求項2】 素子基板の上面にはマウント部とパット
    部とが設けられ、対峙する二辺の側面及びその近傍の底
    面には夫々に端子部が設けられ、前記端子部の一方がマ
    ウント部に、他の一方がパット部に接続され、前記マウ
    ント部にはLEDチップがマウントされ、前記LEDチ
    ップと前記パット部とがワイヤで配線されて成る面実装
    型LED素子において、前記素子基板はこの素子基板の
    厚さを有する導電性部材により形成された導電部の一対
    で同じ厚さを有する絶縁性部材で形成された絶縁部を挟
    持して接合して形成され、一方の導電部の上面がマウン
    ト部とされ、他の一方の導電部の上面がパット部とさ
    れ、夫々の導電部の底面と前記絶縁部と接合された側面
    を除く3面の側面とが端子部とされていることを特徴と
    する面実装型LED素子。
JP22611395A 1995-08-11 1995-08-11 面実装型led素子及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3146452B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22611395A JP3146452B2 (ja) 1995-08-11 1995-08-11 面実装型led素子及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22611395A JP3146452B2 (ja) 1995-08-11 1995-08-11 面実装型led素子及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0955535A true JPH0955535A (ja) 1997-02-25
JP3146452B2 JP3146452B2 (ja) 2001-03-19

Family

ID=16840047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22611395A Expired - Fee Related JP3146452B2 (ja) 1995-08-11 1995-08-11 面実装型led素子及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3146452B2 (ja)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11307820A (ja) * 1998-04-17 1999-11-05 Stanley Electric Co Ltd 表面実装ledとその製造方法
JP2001332768A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光ダイオード照明具
JP2001332769A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光ダイオード照明具
JP2002177302A (ja) * 2000-12-15 2002-06-25 Yoshida Dental Mfg Co Ltd 光重合用歯科用光照射器
US6451628B1 (en) * 1997-12-25 2002-09-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Method fabricating a semiconductor device with a decreased mounting area
DE10305021B4 (de) * 2002-09-27 2005-10-06 United Epitaxy Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung oberflächenmontierbarer Hochleistungs-Leuchtdioden
WO2006070457A1 (ja) * 2004-12-28 2006-07-06 Matsushita Electric Works, Ltd. 高熱伝導性回路モジュールの製造方法及び高熱伝導性回路モジュール
DE102007052821A1 (de) * 2007-11-06 2009-05-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Subträger für Halbleiterbauelemente, Anordnung eines optoelektronischen Bauelements auf einem Subträger und Verfahren zur Herstellung eines Subträgers
JP2011222870A (ja) * 2010-04-13 2011-11-04 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法。
JP2012084786A (ja) * 2010-10-14 2012-04-26 Showa Denko Kk Ledパッケージ
JP2012094679A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Showa Denko Kk 基板の製造方法
JP2012182482A (ja) * 2008-04-17 2012-09-20 Samsung Led Co Ltd サブマウント、発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
WO2013002460A1 (ko) * 2011-06-27 2013-01-03 주식회사 포인트엔지니어링 고방열성 광소자용 기판 및 그 제조방법
KR101233121B1 (ko) * 2011-06-21 2013-02-14 (주)포인트엔지니어링 판상체 형태의 led 어레이 기판 제조 방법 및 이에 의해 제조된 led 어레이 기판
WO2013089341A1 (ko) * 2011-12-15 2013-06-20 주식회사 포인트엔지니어링 구동회로 및 전원회로 일체형 광 디바이스 및 이에 사용되는 광 디바이스 기판 제조 방법과 그 기판
JP2014045149A (ja) * 2012-08-28 2014-03-13 Toshiba Lighting & Technology Corp 配線基板、発光装置、および配線基板の製造方法
KR101394478B1 (ko) * 2013-05-16 2014-05-13 (주)포인트엔지니어링 광 디바이스용 기판과 광 디바이스
KR101437897B1 (ko) * 2013-08-22 2014-09-04 (주)멘토티앤씨 Led 방열기판과 그 제조 방법
KR101471021B1 (ko) * 2013-10-15 2014-12-09 (주)포인트엔지니어링 광소자 디바이스 기판 제조방법 및 광소자 디바이스 기판
JP2015515119A (ja) * 2012-02-17 2015-05-21 インヴェンサス・コーポレイション 相互接続埋込み熱拡散基板
US9559268B2 (en) 2012-05-11 2017-01-31 Point Engineering Co., Ltd. Method for manufacturing optical element for backlight unit and optical element and optical element array manufactured by method
US9666558B2 (en) 2015-06-29 2017-05-30 Point Engineering Co., Ltd. Substrate for mounting a chip and chip package using the substrate
JP6163671B1 (ja) * 2016-05-24 2017-07-19 株式会社野田スクリーン 中間接続体、中間接続体を備えた半導体装置、および中間接続体の製造方法
US9847462B2 (en) 2013-10-29 2017-12-19 Point Engineering Co., Ltd. Array substrate for mounting chip and method for manufacturing the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101192181B1 (ko) * 2010-03-31 2012-10-17 (주)포인트엔지니어링 광 소자 디바이스 및 그 제조 방법

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6451628B1 (en) * 1997-12-25 2002-09-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Method fabricating a semiconductor device with a decreased mounting area
JPH11307820A (ja) * 1998-04-17 1999-11-05 Stanley Electric Co Ltd 表面実装ledとその製造方法
JP2001332768A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光ダイオード照明具
JP2001332769A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光ダイオード照明具
JP2002177302A (ja) * 2000-12-15 2002-06-25 Yoshida Dental Mfg Co Ltd 光重合用歯科用光照射器
DE10305021B4 (de) * 2002-09-27 2005-10-06 United Epitaxy Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung oberflächenmontierbarer Hochleistungs-Leuchtdioden
WO2006070457A1 (ja) * 2004-12-28 2006-07-06 Matsushita Electric Works, Ltd. 高熱伝導性回路モジュールの製造方法及び高熱伝導性回路モジュール
JPWO2006070457A1 (ja) * 2004-12-28 2008-06-12 松下電工株式会社 高熱伝導性回路モジュールの製造方法及び高熱伝導性回路モジュール
DE102007052821A1 (de) * 2007-11-06 2009-05-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Subträger für Halbleiterbauelemente, Anordnung eines optoelektronischen Bauelements auf einem Subträger und Verfahren zur Herstellung eines Subträgers
DE102007052821B4 (de) * 2007-11-06 2012-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Subträgers und eines optoelektronischen Bauelements
JP2012182482A (ja) * 2008-04-17 2012-09-20 Samsung Led Co Ltd サブマウント、発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2011222870A (ja) * 2010-04-13 2011-11-04 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法。
JP2012084786A (ja) * 2010-10-14 2012-04-26 Showa Denko Kk Ledパッケージ
JP2012094679A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Showa Denko Kk 基板の製造方法
KR101233121B1 (ko) * 2011-06-21 2013-02-14 (주)포인트엔지니어링 판상체 형태의 led 어레이 기판 제조 방법 및 이에 의해 제조된 led 어레이 기판
CN103636014A (zh) * 2011-06-27 2014-03-12 普因特工程有限公司 高热辐射光学器件基板及其制造方法
WO2013002460A1 (ko) * 2011-06-27 2013-01-03 주식회사 포인트엔지니어링 고방열성 광소자용 기판 및 그 제조방법
US9537074B2 (en) 2011-06-27 2017-01-03 Point Engineering Co., Ltd. High heat-radiant optical device substrate
CN103636014B (zh) * 2011-06-27 2016-10-05 普因特工程有限公司 高热辐射光学器件基板及其制造方法
US9306142B2 (en) 2011-06-27 2016-04-05 Point Engineering Co., Ltd. High heat-radiant optical device substrate and manufacturing method thereof
US9018651B2 (en) 2011-12-15 2015-04-28 Point Engineering Co., Ltd. Optical device integrated with driving circuit and power supply circuit, method for manufacturing optical device substrate used therein, and substrate thereof
KR101321812B1 (ko) * 2011-12-15 2013-10-28 (주)포인트엔지니어링 구동회로 및 전원회로 일체형 광 디바이스 및 이에 사용되는 광 디바이스 기판 제조 방법과 그 기판
CN103999554A (zh) * 2011-12-15 2014-08-20 普因特工程有限公司 集成有驱动电路和电源电路的光学器件、用于制造其中使用的光学器件基板的方法以及其基板
WO2013089341A1 (ko) * 2011-12-15 2013-06-20 주식회사 포인트엔지니어링 구동회로 및 전원회로 일체형 광 디바이스 및 이에 사용되는 광 디바이스 기판 제조 방법과 그 기판
JP2015515119A (ja) * 2012-02-17 2015-05-21 インヴェンサス・コーポレイション 相互接続埋込み熱拡散基板
US9559268B2 (en) 2012-05-11 2017-01-31 Point Engineering Co., Ltd. Method for manufacturing optical element for backlight unit and optical element and optical element array manufactured by method
US10008638B2 (en) 2012-05-11 2018-06-26 Point Engineering Co., Ltd. Method for manufacturing optical element for backlight unit and optical element and optical element array manufactured by method
JP2014045149A (ja) * 2012-08-28 2014-03-13 Toshiba Lighting & Technology Corp 配線基板、発光装置、および配線基板の製造方法
KR101394478B1 (ko) * 2013-05-16 2014-05-13 (주)포인트엔지니어링 광 디바이스용 기판과 광 디바이스
KR101437897B1 (ko) * 2013-08-22 2014-09-04 (주)멘토티앤씨 Led 방열기판과 그 제조 방법
CN104576842A (zh) * 2013-10-15 2015-04-29 普因特工程有限公司 发光器件基板的制造方法及发光器件基板
KR101471021B1 (ko) * 2013-10-15 2014-12-09 (주)포인트엔지니어링 광소자 디바이스 기판 제조방법 및 광소자 디바이스 기판
CN104576842B (zh) * 2013-10-15 2018-10-23 普因特工程有限公司 发光器件基板的制造方法及发光器件基板
US9847462B2 (en) 2013-10-29 2017-12-19 Point Engineering Co., Ltd. Array substrate for mounting chip and method for manufacturing the same
US9666558B2 (en) 2015-06-29 2017-05-30 Point Engineering Co., Ltd. Substrate for mounting a chip and chip package using the substrate
JP6163671B1 (ja) * 2016-05-24 2017-07-19 株式会社野田スクリーン 中間接続体、中間接続体を備えた半導体装置、および中間接続体の製造方法
US10483182B2 (en) 2016-05-24 2019-11-19 Noda Screen Co., Ltd. Intermediate connector, semiconductor device including intermediate connector, and method of manufacturing intermediate connector

Also Published As

Publication number Publication date
JP3146452B2 (ja) 2001-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3146452B2 (ja) 面実装型led素子及びその製造方法
JP4065051B2 (ja) 表面実装ledとその製造方法
KR910002035B1 (ko) 반도체 장치와 그 제조 방법
US5882949A (en) Method of making compact light-emitting device with sealing member
US20070063209A1 (en) Led reflecting plate and led device
JP2003309292A (ja) 表面実装型発光ダイオードのメタルコア基板及びその製造方法
JPH0982741A (ja) チップキャリアの構造およびその製造方法
JP3907145B2 (ja) チップ電子部品
KR20120056992A (ko) Led 패키지와 led 패키지용 금속 서브마운트 및 그 제조방법
JPH1174420A (ja) 表面実装型チップ部品及びその製造方法
JPH11346004A (ja) チップ型半導体のパッケージ構造および製造方法
JP2000196153A (ja) チップ電子部品およびその製造方法
WO2018018847A1 (zh) 一种智能功率模块及其制造方法
JP2003304000A (ja) 発光ダイオード用パッケージの製造方法
JP2960882B2 (ja) 表面実装型led素子及びその製造方法
JP4165169B2 (ja) フレーク型サーミスタの製造方法
JPH11340609A (ja) プリント配線板、および単位配線板の製造方法
JP2000049382A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
JP2003017816A (ja) 多数個取り配線基板
JPH0472393B2 (ja)
JPH0945964A (ja) チップマウント用led素子及びその製造方法
KR100646630B1 (ko) 발광다이오드용 인쇄회로기판 제조방법 및 이를 이용한발광다이오드용 인쇄회로기판
JP3576541B2 (ja) 発光デバイス及び発光デバイスの製造方法
KR101069801B1 (ko) 플립칩 타입 led 방열기판의 구조 및 그의 제조방법
JP3245378B2 (ja) 面実装型半導体素子

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080112

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100112

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100112

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees