KR101757197B1 - 광소자 기판 및 패키지 - Google Patents

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박승호
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Abstract

본 발명은 광소자 기판에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 기판의 측면에 전원 연결이 가능한 광소자 기판 및 패키지에 관한 것이다.

Description

광소자 기판 및 패키지{Optical Component and Package}
본 발명은 광소자 기판에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 기판의 측면에 전원 연결이 가능한 광소자 기판 및 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 발광다이오드인 LED(Light Emitting Diode)는 공해를 유발하지 않는 친환경성 광원으로 다양한 분야에서 주목받고 있다.
최근 들어, LED의 사용범위가 실내외 조명, 자동차 헤드라이트, 디스플레이 장치의 백라이트 유닛(Back-Light Unit:BLU) 등 다양한 분야로 확대되고 있다.
이하의 설명에서는 LED를 포함하여 광을 방출하는 각종 소자를 총칭하여 '광소자'라 하고 이를 하나 이상 포함하여 이루어진 각종 제품을 '광 디바이스'라 한다.
한편, 종래의 대형 출력을 갖는 광 디바이스와 더불어 소형 출력의 광 디바이스에 대한 수요도 발생하는 추세이다.
종래의 광 디바이스의 경우, 광소자 기판 패키지는 표면 실장 SMD(Surface Mount Device) 공정을 거쳐야 하며, 이를 위해 광소자 기판 하부에는 납땜(Soldering)용 도금층을 구비하여야 한다.
즉, 복수 개의 광소자 및 광소자 디바이스 간의 회로 구성이 요구되는 경우, PCB를 이용한 표면 실장 SMD(Surface Mount Device) 제품을 사용하였다.
그러나, 하나 또는 소수 개의 광소자 및 광소자 디바이스(예를 들어 펜 타입의 라이트, 출력이 소형인 라이트 등) 간의 회로 구성이 요구되는 경우가 있다.
이러한 경우에는 하나 또는 소수 개의 광소자 및 광소자 디바이스 간의 회로 구성시, 표면 실장 SMD(Surface Mount Device) 공정이 필요없는 새로운 전원 연결구조가 요구된다.
즉, 단수 또는 소수 개의 광소자 및 광소자 디바이스(예를 들어 펜 타입의 라이트, 출력이 소형인 라이트 등) 간의 회로 구성이 요구되는 경우에도 종래의 표면 실장 SMD(Surface Mount Device) 공정이 사용할 경우, 반드시 별도의 PCB 구성이 요구된다.
이러한 PCB 구성은 하기와 같은 문제점을 야기한다.
(1) 표면실장 장비 구성에 따른 생산비용 증가 (2) PCB를 외부 전원에 연결하는 공정에 따른 생산 비용 증가 (3) 하우징 내부에 있는 PCB로 인해 광소자 디바이스의 방열효율 저하 (4) 광소자 및 광소자 디바이스가 결합되는 제품 하우징 내부의 공간 유격이 작을 경우 광소자에 대한 전원 연결 작업이 곤란하다.
한국등록특허 제1,177,896호
본 발명은 전술한 기술개발의 필요성에 의해 안출된 것으로, 기판의 측면에 전원 연결이 가능한 광소자 기판 및 패키지를 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적 달성을 위하여 본 발명에 의한 광소자 기판은 전도층; 상기 전도층을 전기적으로 분리하는 절연층; 상기 절연층을 포함하는 영역에 대하여 소정 깊이를 갖는 홈으로 이루어진 캐비티; 상기 전도층의 측면에 형성되는 전원 연결부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적 달성을 위하여 본 발명에 의한 광소자 기판은 상기 전원 연결부는 상기 전도층의 상부에 위치하는 단차로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적 달성을 위하여 본 발명에 의한 광소자 기판은 상기 전원 연결부는 상기 절연층을 기준으로 좌측과 우측에 위치하는 상기 전도층에 적어도 하나 이상 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적 달성을 위하여 본 발명에 의한 광소자 기판은 상기 전원 연결부에는 도금층이 더 형성되며, 상기 전원 연결부의 제1전원 연결부는 상기 전도층의 측면과 나란하게 형성되며, 상기 전원 연결부의 제2전원 연결부는 상기 전도층의 하면과 나란하게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적 달성을 위하여 본 발명에 의한 광소자 기판은 상기 캐비티의 하부 중심에 배치되는 광소자를 더 포함하며, 상기 캐비티를 덮는 렌즈가 상기 캐비티의 상부에 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적 달성을 위하여 본 발명에 의한 광소자 기판은 상기 광소자는 서로 전기적으로 연결되는 하나의 광소자와 인접하는 다른 광소자를 포함하여 이루어지며, 상기 절연층에 의해 분리된 상기 전도층 중 어느 하나의 전도층과 상기 광소자 사이에 형성되는 와이어 본딩이 포함되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적 달성을 위하여 본 발명에 의한 광소자 기판은 상기 광소자는 제1광소자와 제2광소자를 포함하여 이루어지되, 상기 절연층에 의해 분리된 제1전도층과 상기 제1광소자 사이에 형성되는 제1와이어 본딩과 상기 절연층에 의해 분리된 제3전도층과 상기 제2광소자 사이에 형성되는 제2와이어 본딩을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적 달성을 위하여 본 발명에 의한 광소자 기판은 상기 광소자는 제1광소자 내지 제4광소자를 포함하여 이루어지며, 상기 절연층은 제1절연층과 제2절연층을 포함하여 이루어지되, 상기 제1절연층과 상기 제2절연층은 서로 교차 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적 달성을 위하여 본 발명에 의한 광소자 패키지는 전도층; 상기 전도층을 전기적으로 분리하는 절연층; 상기 절연층을 포함하는 영역에 대하여 소정 깊이를 갖는 홈으로 이루어진 캐비티; 상기 전도층의 측면에 형성되는 전원 연결부를 포함하며 이루어지는 광소자 기판; 상기 광소자 기판을 수용하는 하우징을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적 달성을 위하여 본 발명에 의한 광소자 패키지는 상기 광소자 기판의 하면과 상기 하우징의 내측 하면 사이에 위치하는 금속판이 더 포함되며, 상기 금속판과 상기 광소자 기판 사이에는 접착제가 포함되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 광소자 패키지는 상기 캐비티에는 광소자가 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 광소자 패키지는 상기 캐비티를 덮는 렌즈가 상기 캐비티의 상부에 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 광소자 기판 및 패키지에 의하면 다음과 같은 장점이 있다.
(1) 금속 기판 하단부 전체에 대해 도금할 필요가 없으며 기판의 측면 일부만 도금층을 형성하면 되므로 생산비용이 감소한다.
(2) 광소자 및 광소자 디바이스가 결합되는 제품 하우징 내부의 공간 유격이 작을 경우에도 광소자에 대한 전원 연결 작업이 가능하다.
(3) 하우징 내부에 위치하는 금속판에 의해 광소자 디바이스의 방열효율이 향상된다.
(4) 외부전원 연결부에 도금층이 형성되어 납땜 면적이 확대되므로 전원 연결 작업이 용이하다.
도 1은 본 발명의 광소자 패키지의 단면도
도 2는 본 발명의 광소자 기판의 제1실시례의 사시도
도 3은 본 발명의 광소자 기판의 제2실시례의 사시도
도 4는 본 발명의 광소자 기판의 제3실시례의 평면도.
도 5는 본 발명의 광소자 기판의 제4실시례의 평면도.
도 6은 본 발명의 광소자 기판의 제5실시례의 평면도.
도 7은 도 5의 개념도이며, 도 8은 도 6의 개념도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라 설명한다.
칩원판과 칩기판(=광소자 기판)에 대한 설명은 한국등록특허 제1,541,035호를 참고하며, 본 발명의 실시예에서는 이에 대한 설명은 생략한다.
칩원판은 미리 결정된 크기의 복수의 칩기판으로 구성된 칩기판 어레이로서 칩원판을 각각의 칩기판으로 절단하여 이용한다.
먼저 도 1은 광소자 기판(10)이 포함된 광소자 패키지(5)의 단면을 도시한 것이다.
절연층(B)은 2개의 전도층(A,A') 사이에 위치하며, 전도층(A,A')을 전기적으로 분리시킨다.
절연층(B)는 캐비티(D)의 바닥을 수직으로 관통한다.
즉, 절연층(B)을 사이에 두고 절연되어 있는 광소자 기판(10)은 각각 (+) 전극 단자, (-) 전극 단자로 기능할 수 있다.
본 실시예에 따른 광소자 기판(10)은 절연층(B)을 포함하는 영역에 대하여 소정 깊이에 이르는 홈으로 이루어지는 공간, 즉 캐비티(D)를 포함한다.
캐비티(D)는 광소자 기판(10)의 상면에서 아래쪽으로 갈수록 폭이 좁은 형상으로 이루어지는 것이 바람직하다.
따라서, 캐비티(D)의 하부(43)는 좁고, 캐비티(D)의 상부(53)는 넓다.
캐비티(D)의 하부 중심에 광소자(20)가 배치된 후에 절연층(B)에 의해 분리된 전도층(A,A') 중 어느 하나의 전도층(A)과 광소자(20) 사이에는 와이어 본딩(50)이 형성된다.
광소자(20)의 다른 전극은 전도층(A,A') 중 와이어 본딩(50)이 형성되어 있지 않은 다른 전도층(A')에 대하여 전기적으로 연결된다.
광소자(20)는 와이어 본딩(50)이 접합되어 있지 않은 전도층(A')상에 위치한다.
본 발명의 광소자 기판(10)의 제1실시례를 도 1 및 도 2를 참고하여 자세하게 설명한다.
본 발명의 광소자 기판(10)은 전도층(A,A')을 포함하여 이루어진다.
전술한 전도층(A,A')을 전기적으로 분리하는 절연층(B)이 광소자 기판(10)에 포함된다.
절연층(B)을 포함하는 영역에 대하여 소정 깊이를 갖는 홈으로 이루어진 캐비티(D)가 광소자 기판(10)에 포함된다.
광소자(20)와 전도층(A, A')의 전기적인 연결은 전술한 바 있으므로, 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
광소자 기판(10)에 위치하는 광소자(20)에 외부 전원을 연결하기 위한 전원 연결부(100,100')가 포함된다.
도 2에 도시한 바와 같이 전원 연결부(100,100')는 전도층(A,A')의 측면(15)에 위치한다.
전원 연결부(100)에 마이너스(-)극 외부 전원이 연결되고, 전원연결부(100')에 플러스(+)극 외부 전원이 연결된다.
전원 연결부(100,100')의 형상을 설명하면 다음과 같다.
이하의 설명에서는 2개의 전원 연결부(100,100')가운데 하나의 전원 연결부(100)를 기준으로 설명한다.
본 발명의 제1실시례에서는 전도층(A,A')의 측면(15)을 깎아낸다.
즉, 전도층(A,A')의 측면을 일부 깎아서 전원 연결부(100)가 형성되며, 전원 연결부(100)는 단차(17)의 형상을 갖도록 이루어진다.
전원 연결부(100,100')에 전원(250)이 연결된다.
본 발명의 광소자 기판(10)의 제2실시례에서는 전도층(A,A')의 측면(15)의 모서리를 일부 절개하는 일종의 모따기를 통해 전원 연결부(100,100')가 전도층(A,A')의 상부에 위치하는 단차(17)로 이루어지도록 할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 광소자 기판(10)의 제2실시례에 대해 도 3을 참고하여 설명한다.
전원 연결부(100)는 제1전원 연결부(110)와 제2전원 연결부(120)를 포함하여 이루어짐으로써 사용환경에 따른 전원(250)을 보다 자유롭게 연결할 수 있다.
먼저 제1전원 연결부(110)는 전도층(A,A')의 높이 방향으로 형성되며, 제1전원 연결부(110)는 전도층(A,A')의 측면(15)의 모서리보다 안쪽에, 즉 캐비티(D)에 보다 가깝게 형성된다.
제2전원 연결부(120)는 전도층(A,A')의 하면과 나란하게 형성된다.
제2전원 연결부(120)는 전도층(A,A')의 상면으로부터 아래로 소정 거리만큼 이격되어 위치한다.
전원 연결부(100)에는 도금층(150)을 형성하며, 이를 통해 광소자 기판(10)에 외부 전원 연결이 가능하다.
즉, 제1전원 연결부(110)와 제2전원 연결부(120)에 납땜용 도금층(150)이 형성되므로, Soldering 면적이 확대되는 효과가 있다.
따라서, 광소자 기판(10)에 외부 전원 연결을 위한 도선 연결 작업이 용이하다.
본 발명의 실시예에서는 제2전원 연결부(120)에 전원(250)이 연결되도록 한다.
본 발명의 광소자 기판의 전원 연결부(100)는 절연층(B)을 기준으로 좌측과 우측에 위치하는 전도층(A,A')에 적어도 하나 이상 형성할 수 있다.
즉, 본 발명의 광소자 기판(10)은 절연층(B)을 기준으로 좌측에 위치하는 전원 연결부(100)와 절연층(B)을 기준으로 우측에 위치하는 또 다른 전원 연결부(100')를 포함하여 이루어질 수 있다.
이하에서는 본 발명의 광소자 기판(10)에 포함되는 광소자(20)와 렌즈(30)에 대해 설명한다.
먼저 캐비티(D)의 하부(43) 중심에는 광소자(20)가 배치된다.
캐비티(D)의 상부(53)를 덮는 렌즈(30)가 포함된다.
렌즈(30)는 외부 환경으로부터 광소자(20)를 보호하는 봉지 부재의 역할을 한다.
즉, 광소자의 밀봉재료로서 Si 또는 에폭시 수지 조성물을 사용한다.
밀봉재료는 렌즈(30)가 캐비티(D)의 상부(53)에 결합하는데 도움을 준다.
참고로 렌즈(30)의 형상은 평평(Flat)하게 하거나, 또는 볼록하게 할 수 있다.
캐비티(D)의 상부(53)에는 렌즈 안착부(55)가 형성된다.
렌즈 안착부(55)는 캐비티(D)의 지름, 더욱 구체적으로는 캐비티(D)의 상부(53) 지름을 기계 가공(절삭 등)을 이용하여 확장하여 형성된다.
렌즈(30)의 하면 일부는 렌즈 안착부(55)의 하면과 서로 접한다.
렌즈(30)의 측면과 렌즈 안착부(55)의 내측면과 서로 접한다.
렌즈(30)는 렌즈 안착부(55)에 삽입된 후 접착제 도포 등의 방법으로 고정하도록 한다.
렌즈 안착부(55)의 높이는 렌즈(30)의 높이와 같거나 약간 크게 형성함이 바람직하다.
한편, 전도층(A,A')의 상면(60)에는 솔더 레지스트(Solder Resist, SR)가 도포될 수 있다.
도포되는 솔더 레지스트(Solder Resist, SR)의 색상에는 제한이 없으나, 본 발명의 실시례에서는 백색 또는 흑색 SR이 도포됨이 바람직하다.
본 발명의 광소자 기판(10)의 제3실시례를 도 4(평면도)를 참고하여 설명하면 다음과 같다.
캐비티(D)에 복수 개의 광소자(20)가 배치된다.
도 4는 9개의 광소자(20)가 가로로 3개, 세로로 3개씩 배치되는 실시례를 도시한 것이다.
하나의 광소자(20)와 인접하는 다른 광소자(20)가 서로 전기적으로 연결된다.
전술할 바와 같이 절연층(B)에 의해 전기적으로 전도층은 복수 개로 분리된다.
절연층(B)에 의해 분리된 전도층(A1,A2,A3) 가운데 하나의 전도층(A1)과 하나의 광소자(20) 사이에 와이어 본딩(50)이 형성된다.
또한 전도층(A3)과 하나의 광소자(20) 사이에 와이어 본딩(50)이 형성된다.
광소자 패키지(5)의 제3실시례에서는 전도층(A1,A2,A3)의 모서리에 전원 연결부(100)과 위치하며, 전원(250)과 연결된다.
본 발명의 광소자 기판(10)의 제4실시례를 도 5(평면도)를 참고하여 설명하면 다음과 같다.
캐비티(D)에는 제1광소자(210)와 제2광소자(220)이 배치된다.
구체적으로 캐비티(D)의 하부 중심에 제1광소자(210)와 제2광소자(220)이 배치되며, 제2전도층(C2)상에 놓여진다.
절연층(B)에 의해 전기적으로 분리된 제1전도층(C1)과 제1광소자(210) 사이에는 제1와이어 본딩(510)이 형성된다.
절연층(B)에 의해 전기적으로 분리된 제3전도층(C2)과 제2광소자(220) 사이에 제2와이어 본딩(520)이 형성된다.
제4실시례에서는 전도층(C1,C2,C3)의 일측면에 전원연결부(100)과 위치한다.
구체적으로는 제1전도층(C1)과 제3전도층(C3)에 마이너스(-) 전원이 연결되며, 제2전도층(C2)에 플러스(+) 전원이 연결된다.
본 발명의 광소자 기판(10)의 제5실시례는 다음과 같다.
캐비티(D)에는 제1광소자(310) 내지 제4광소자(340)이 배치된다.
구체적으로 캐비티(D)의 하부 중심에 제1광소자(310) 내지 제4광소자(340)이 배치되며, 이들 광소자는 제2전도층(E2)상에 놓여진다.
도 6을 참고로 제2전도층(E2)의 좌측을 기준으로 설명한다.
제5실시례에서 절연층(B)은 제1절연층(B1)과 제2절연층(B2)을 포함하여 이루어진다.
제1절연층(B1)과 제2절연층(B2)은 서로 교차 형성된다.
따라서, 제1전도층(E1)은 다시 두 부분으로 분할된다.
즉, 제2절연층(B2)의 위에는 제1전도층(E1)의 상부가 위치하며, 제2절연층(B2)의 아래에는 제1전도층(E1)의 하부가 위치한다.
제2전도층(E2)상에 놓여진 제2광소자(320)는 제1전도층(E1)의 상부와 제2와이어 본딩(610)을 형성한다.
제3광소자(330)는 제1전도층(E1)의 하부와 제3와이어 본딩(630)을 형성한다.
이때 제1전도층(E1)의 상부와 제1전도층(E1)의 하부의 모서리에는 전원 연결부(100)가 형성되어, 마이너스(-)전원이 연결된다.
본 발명의 광소자 패키지(5)의 제1실시례는 다음과 같다.
먼저 광소자 기판(10)은 전도층(A,A')과 이러한 전도층(A,A')을 전기적으로 분리하는 절연층(B)과 절연층(B)을 포함하는 영역에 대하여 소정 깊이를 갖는 홈으로 이루어진 캐비티(D)와 전도층(A,A')의 측면(15)에 형성되는 전원 연결부(100)를 포함하며 이루어진다.
광소자 기판(10)는 하우징(200)에 수용된다.
본 발명의 광소자 패키지의 제1실시례에서는 하우징(200)은 내부에 공간이 형성되며, 전체적으로 소정 높이를 갖는 직사각형 기둥의 형상을 갖는다.
하우징(200)의 높이는 광소자 패키지(5)가 사용되는 환경에 따라 다양하게 증감할 수 있다.
하우징(200)의 재질은 금속 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있다.
도 1에 도시한 하우징(200)은 일체형으로 이루지도록 구성된다.
한편 하우징(200)은 광소자 기판(10)이 위치하는 내부 하우징과 내부 하우징을 감싸는 외부 하우징으로 분할하여 이루어질 수 있다.
하우징의 상부 모서리(210)는 비스듬하게 깎아내서 사면 또는 둥그런 모양으로 만드는 모따기를 형성한다.
모따기가 된 하우징의 상부 모서리(210)를 통해 하우징(200)의 내부와 외부는 연통된다.
따라서 전술한 광소자 기판(10)에 형성된 전원 연결부(100)는 하우징(200)의 외부로 노출될 수 있다.
모따기가 된 하우징의 상부 모서리(210)의 형상은 전원 연결부(100)를 외부로 노출될 수 있는 구조라면 그 형상에는 제한이 없다.
본 발명의 광소자 패키지의 제2실시례는 금속판(Metal Plate,300)이 포함되는 것을 특징으로 한다.
즉, 광소자 기판(10)의 하면과 하우징(200)의 내측 하면 사이에 금속판(Metal Plate,300)이 위치한다.
이러한 금속판(300)은 광소자 기판(10)을 수용하는 하우징(200)의 일부를 형성할 수도 있다.
즉, 하우징(200)의 일부, 구체적으로는 하우징(200)의 하부 일부를 금속판(300)으로 형성하여, 하우징(200)의 역할을 수행할 수 있다.
광소자(20)는 작동시 발열 현상이 있으므로, 금속판(300)은 광소자(20)의 원활한 방열을 위한 히트 싱크(Heat Sink)의 기능을 수행할 수도 있다.
이러한 금속판(300)은 광소자 기판(100)과 접착제(350)에 의해 접합된다.
즉, 금속판(300)은 광소자 기판(10)의 아래에 위치하며, 광소자 기판(10)의 하면 또는 금속판(300)의 상면에 접착제(350)를 도포함으로써, 금속판(300)과 광소자 기판(10)이 접합할 수 있다.
본 발명의 광소자 패키지(5)는 캐비티(D)에 광소자(20)가 배치된다.
더욱 구체적으로는 캐비티(D)의 하부 중심에 광소자(20)가 배치된다.
전술한 광소자 패키지(5)에는 캐비티(D)를 덮는 렌즈(30)가 캐비티(D)의 상부에 포함될 수 있다.
한편, 첨부 도면 7은 첨부 도면 5의 개념도이며, 첨부 도면 8은 첨부 도면 6의 개념도이다.
도면 5에 도시한 제4실시례의 경우, 캐비티(D)에는 제1광소자(210)와 제2광소자(220)이 배치된다.
제1광소자(210)와 제2광소자(220)는 선택적으로 점등할 수 있다.
즉, 전원(250,E1)과 전원(250,E2)는 '-'전원이 연결되며, 전원(250,E1)과 전원(250,E2)의 사이에는 '+'전원(250)이 연결된다.
이를 보다 자세하게 설명하면, 제1광소자(210,L1)은 전원(250, E1)의 '-'전원과 전원(250,E1)과 전원(250,E2)의 사이에 연결된 '+'전원(250)에 의해 점등되며, 제2광소자(220,L2)은 전원(250,E1)의 '-'전원과 전원(250,E1)과 전원(250,E2)의 사이에 연결된 '+'전원(250)에 의해 점등된다.
제1광소자(210)와 제2광소자(220)에 제어부(미도시)에서의 신호에 의해 하나의 광소자를 선택적으로 점등하거나 2개의 광소자 모두 점등할 수 있다.
도면 6에 도시한 제6실시례의 경우, 캐비티(D)에는 제1광소자(310) 내지 제4광소자(340)이 배치된다.
제1광소자(310) 내지 제4광소자(340)는 선택적으로 점등할 수 있다.
즉, 전원(250,E1) 내지 전원(250,E4)에는 '-'전원이 연결된다.
한편, 전원(250,E1)과 전원(250,E2) 사이와 전원(250,E3)과 전원(250,E4)에는 각각 '+'전원이 연결된다.
제1광소자(310,L1)는 전원(250,E2)의 '-'전원과 전원(250,E1)과 전원(250,E2)의 사이에 연결된 '+'전원(250)에 의해 점등된다.
제2광소자(320,L2)는 전원(250,E1)의 '-'전원과 전원(250,E1)과 전원(250,E2)의 사이에 연결된 '+'전원(250)에 의해 점등된다.
이와 같은 방식으로 제1광소자(310) 내지 제3광소자(340)에 제어부(미도시)에서의 신호에 의해 하나의 광소자를 선택적으로 점등하거나 4개의 광소자 모두 점등할 수 있다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예가 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명에 의한 광소자 기판 및 패키지에 의하면 광소자 및 광소자 디바이스가 결합되는 제품 하우징 내부의 공간 유격이 작을 경우에도 광소자에 대한 전원 연결 작업이 가능하고, 생산공정이 단순화되어 생산비용의 절감이 가능하다.
A,A':전도층 B:절연층
D:캐비티 5:광소자 패키지
10:광소자 기판 15:전도층의 측면
17:단차 20:광소자
30:렌즈 43:캐비티(D)의 하부
50:와이어 본딩 53:캐비티(D)의 상부
55:렌즈 안착부 100:전원연결부
110:제1전원연결부 120:제2전원연결부
150:도금층 200:하우징
300:금속판 350:접착제

Claims (12)

  1. 전도층;
    상기 전도층을 전기적으로 분리하는 절연층;
    상기 절연층을 포함하는 영역에 대하여 소정 깊이를 갖는 홈으로 이루어진 캐비티; 및
    상기 전도층의 측면에 형성되는 전원 연결부로서, 상기 전원 연결부는 상기 절연층을 기준으로 좌측과 우측에 위치하는 상기 전도층에 적어도 하나 이상 형성되며, 상기 전원 연결부에는 도금층이 더 형성되는 전원 연결부;
    를 포함하되,
    상기 전원 연결부는 상기 전도층의 상부에 위치하는 단차로 이루어지고,
    상기 전원 연결부의 제1전원 연결부는 상기 전도층의 측면과 나란하게 형성되며, 상기 전원 연결부의 제2전원 연결부는 상기 전도층의 하면과 나란하게 형성되고,
    상기 제1전원 연결부는 상기 전도층의 측면의 모서리보다 안쪽에 형성되며, 상기 제2전원 연결부는 상기 전도층의 상면으로부터 아래로 소정 거리만큼 이격되어 위치하되, 상기 도금층은 상기 제1전원 연결부와 상기 제2전원 연결부에 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자 기판.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 캐비티의 하부 중심에 배치되는 광소자를 더 포함하며,
    상기 캐비티를 덮는 렌즈가 상기 캐비티의 상부에 더 포함되는 것을 특징으로 하는 광소자 기판.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 광소자는 서로 전기적으로 연결되는 하나의 광소자와 인접하는 다른 광소자를 포함하여 이루어지며, 상기 절연층에 의해 분리된 상기 전도층 중 어느 하나의 전도층과 상기 광소자 사이에 형성되는 와이어 본딩이 포함되는 것을 특징으로 하는 광소자 기판
  7. 전도층;
    상기 전도층을 전기적으로 분리하는 절연층;
    상기 절연층을 포함하는 영역에 대하여 소정 깊이를 갖는 홈으로 이루어진 캐비티; 및
    상기 전도층의 측면에 형성되는 전원 연결부로서, 상기 전원 연결부는 상기 절연층을 기준으로 좌측과 우측에 위치하는 상기 전도층에 적어도 하나 이상 형성되며, 상기 전원 연결부에는 도금층이 더 형성되는 전원 연결부;
    를 포함하되,
    상기 전원 연결부는 상기 전도층의 상부에 위치하는 단차로 이루어지고,
    상기 전원 연결부의 제1전원 연결부는 상기 전도층의 측면과 나란하게 형성되며, 상기 전원 연결부의 제2전원 연결부는 상기 전도층의 하면과 나란하게 형성되고,
    상기 제1전원 연결부는 상기 전도층의 높이 방향으로 형성되며, 상기 제1전원 연결부는 상기 전도층의 측면의 모서리보다 안쪽에 형성되며, 상기 제2전원 연결부는 상기 전도층의 상면으로부터 아래로 소정 거리만큼 이격되어 위치하되, 상기 도금층은 상기 제1전원 연결부와 상기 제2전원 연결부에 형성되고,
    상기 캐비티의 하부 중심에 배치되는 제1광소자와 제2광소자를 포함하여 이루어지되, 상기 절연층에 의해 분리된 제1전도층과 상기 제1광소자 사이에 형성되는 제1와이어 본딩과 상기 절연층에 의해 분리된 제3전도층과 상기 제2광소자 사이에 형성되는 제2와이어 본딩을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 기판.
  8. 전도층;
    상기 전도층을 전기적으로 분리하는 절연층;
    상기 절연층을 포함하는 영역에 대하여 소정 깊이를 갖는 홈으로 이루어진 캐비티; 및
    상기 전도층의 측면에 형성되는 전원 연결부로서, 상기 전원 연결부는 상기 절연층을 기준으로 좌측과 우측에 위치하는 상기 전도층에 적어도 하나 이상 형성되며, 상기 전원 연결부에는 도금층이 더 형성되는 전원 연결부;
    를 포함하되,
    상기 전원 연결부는 상기 전도층의 상부에 위치하는 단차로 이루어지고,
    상기 전원 연결부의 제1전원 연결부는 상기 전도층의 측면과 나란하게 형성되며, 상기 전원 연결부의 제2전원 연결부는 상기 전도층의 하면과 나란하게 형성되고,
    상기 제1전원 연결부는 상기 전도층의 측면의 모서리보다 안쪽에 형성되며, 상기 제2전원 연결부는 상기 전도층의 상면으로부터 아래로 소정 거리만큼 이격되어 위치하되, 상기 도금층은 상기 제1전원 연결부와 상기 제2전원 연결부에 형성되고,
    상기 캐비티의 하부 중심에 배치되는 제1광소자 내지 제4광소자를 포함하여 이루어지며, 상기 절연층은 제1절연층과 제2절연층을 포함하여 이루어지되, 상기 제1절연층과 상기 제2절연층은 서로 교차 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자 기판.
  9. 전도층; 상기 전도층을 전기적으로 분리하는 절연층; 상기 절연층을 포함하는 영역에 대하여 소정 깊이를 갖는 홈으로 이루어진 캐비티; 상기 전도층의 측면에 형성되는 전원 연결부로서, 상기 전원 연결부는 상기 절연층을 기준으로 좌측과 우측에 위치하는 상기 전도층에 적어도 하나 이상 형성되며, 상기 전원 연결부에는 도금층이 더 형성되는 전원 연결부를 포함하되, 상기 전원 연결부는 상기 전도층의 상부에 위치하는 단차로 이루어지고, 상기 전원 연결부의 제1전원 연결부는 상기 전도층의 측면과 나란하게 형성되며, 상기 전원 연결부의 제2전원 연결부는 상기 전도층의 하면과 나란하게 형성되고, 상기 제1전원 연결부는 상기 전도층의 측면의 모서리보다 안쪽에 형성되며, 상기 제2전원 연결부는 상기 전도층의 상면으로부터 아래로 소정 거리만큼 이격되어 위치하되, 상기 도금층은 상기 제1전원 연결부와 상기 제2전원 연결부에 형성되는 광소자 기판, 및
    상기 광소자 기판을 수용하는 하우징
    을 포함하는 광소자 패키지.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 광소자 기판의 하면과 상기 하우징의 내측 하면 사이에 위치하는 금속판이 더 포함되며, 상기 금속판과 상기 광소자 기판 사이에는 접착제가 포함되는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지
  11. 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,
    상기 캐비티에는 광소자가 배치되는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 캐비티를 덮는 렌즈가 상기 캐비티의 상부에 더 포함되는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190060416A (ko) 2017-11-24 2019-06-03 (주)포인트엔지니어링 광디바이스용 기판 및 이를 구비하는 광디바이스 패키지
KR20190136792A (ko) * 2018-05-31 2019-12-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311467A (ja) 2003-04-01 2004-11-04 Sharp Corp 発光装置用パッケージ、発光装置
KR101279998B1 (ko) * 2012-11-07 2013-07-05 김영석 고방열 ｃｏｂ ｌｅｄ 패키지
KR101467959B1 (ko) 2013-08-16 2014-12-03 에이비엠 주식회사 광 디바이스 기판

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311467A (ja) 2003-04-01 2004-11-04 Sharp Corp 発光装置用パッケージ、発光装置
KR101279998B1 (ko) * 2012-11-07 2013-07-05 김영석 고방열 ｃｏｂ ｌｅｄ 패키지
KR101467959B1 (ko) 2013-08-16 2014-12-03 에이비엠 주식회사 광 디바이스 기판

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190060416A (ko) 2017-11-24 2019-06-03 (주)포인트엔지니어링 광디바이스용 기판 및 이를 구비하는 광디바이스 패키지
KR20190136792A (ko) * 2018-05-31 2019-12-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지
KR102537080B1 (ko) 2018-05-31 2023-05-26 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지

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