CN110289359A - 使用热转印膜制备有机发光二极管的方法 - Google Patents
使用热转印膜制备有机发光二极管的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110289359A CN110289359A CN201810284121.1A CN201810284121A CN110289359A CN 110289359 A CN110289359 A CN 110289359A CN 201810284121 A CN201810284121 A CN 201810284121A CN 110289359 A CN110289359 A CN 110289359A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat transfer
- layer
- transfer film
- light emitting
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 111
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 148
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 24
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 20
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 claims description 17
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 15
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 11
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 11
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 9
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane trimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CC)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 7
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 125000005575 polycyclic aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 6
- TZRXHJWUDPFEEY-UHFFFAOYSA-N Pentaerythritol Tetranitrate Chemical compound [O-][N+](=O)OCC(CO[N+]([O-])=O)(CO[N+]([O-])=O)CO[N+]([O-])=O TZRXHJWUDPFEEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000026 Pentaerythritol tetranitrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 229960004321 pentaerithrityl tetranitrate Drugs 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 241000234282 Allium Species 0.000 claims description 3
- 235000002732 Allium cepa var. cepa Nutrition 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 claims description 3
- 206010011224 Cough Diseases 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UYRFBMUGEKTBRF-UHFFFAOYSA-M [Mg+].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O Chemical compound [Mg+].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O UYRFBMUGEKTBRF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- MZYMWSQPRNOQIJ-UHFFFAOYSA-K [O-]P([O-])([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Zn+].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Zn+].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Zn+] Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Zn+].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Zn+].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Zn+] MZYMWSQPRNOQIJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000012620 biological material Substances 0.000 claims description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000013522 chelant Substances 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 239000011263 electroactive material Substances 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000010422 painting Methods 0.000 claims description 3
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 3
- GDISDVBCNPLSDU-UHFFFAOYSA-N pyrido[2,3-g]quinoline Chemical compound C1=CC=NC2=CC3=CC=CN=C3C=C21 GDISDVBCNPLSDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCQHXVJZEJOUHL-UHFFFAOYSA-N quinoline;1h-quinolin-2-one Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21.C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 PCQHXVJZEJOUHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 claims description 3
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 3
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 2
- BMJSSYUUQNFHKW-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21.N1=CC=NC2=CC=CC=C21 BMJSSYUUQNFHKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ODNKALPCRHEOGU-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-1,3,6-trinitrocyclohexa-1,3-diene Chemical compound [N+](=O)([O-])C1(C)CC=C(C=C1[N+](=O)[O-])[N+](=O)[O-] ODNKALPCRHEOGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 claims 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 7
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 7
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 125000006617 triphenylamine group Chemical class 0.000 description 3
- SPSSULHKWOKEEL-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trinitrotoluene Chemical compound CC1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O SPSSULHKWOKEEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L magnesium stearate Chemical compound [Mg+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical group C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYVDGHOUPDJWAZ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O.COCC(C)O UYVDGHOUPDJWAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- KEDZHRPQXZSSCI-UHFFFAOYSA-N N1=CC=NC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12 Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12 KEDZHRPQXZSSCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- QLKSCXOGMDNMRI-UHFFFAOYSA-N [Sn].[F+][O-] Chemical compound [Sn].[F+][O-] QLKSCXOGMDNMRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVMNFQHJOOYCAP-UHFFFAOYSA-N acetic acid;propanoic acid Chemical compound CC(O)=O.CCC(O)=O AVMNFQHJOOYCAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 150000002085 enols Chemical class 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 150000002191 fatty alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical class [Sn+4].[O-2].[In+3] GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 235000019359 magnesium stearate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 125000005487 naphthalate group Chemical group 0.000 description 1
- KYTZHLUVELPASH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 KYTZHLUVELPASH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000643 oven drying Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 description 1
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000005439 thermosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明是有关一种使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，藉由热转印的技术，加热转印热转印膜上的第一转印层至基板上。以改善传统制备有机发光二极管的真空蒸镀制程中的复杂制程，以及真空蒸镀过后，基板上只能保留不到50％材料，因而材料的使用效率不高的问题。
Description
技术领域
本发明为有关一种制备有机发光二极管的方法，尤其是一种使用热转印膜制备有机发光二极管的方法。
背景技术
半导体(Semiconductor)是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。
半导体的产品已广泛应用在生活中的各个层面中，例如：发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)及半导体雷射(Laser Diode,LD)，其应用范围包括照明、指示器光源、光信息储存系统、激光打印机、光纤通讯及医疗等。其他的产品如光侦测器、太阳能电池、光放大器及晶体管等，每一项产品的应用都与今日高科技时代的生活息息相关。而自从视讯时代来临之后，显示器的质量便成为市场考虑的重要因素。
近年来，随着科技进步，个人计算机、网络及信息传播的普遍化，显示器成为了人机互动不可或缺的重要角色，而不断进步的显示技术更是带动了显示器产业跨跃式的发展。
在现今，传统一般的CRT(Cathode Ray Tube，阴极射线管)屏幕对于用户来说，已显得厚重、占体积。因此，已逐渐被厚度较薄且大尺吋的PDP(Plasma Display Panel，电浆显示器)以及更加轻薄的LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)所取代。
而在新的平面显示器中，还有另外一项新技术「OLED」。OLED(Organic LightEmitting Diode，有机发光二极管)，又可称为有机电激发光(OrganicElectroluminescence，简称OEL)。利用此组件与此技术所制成的显示器除了具有轻薄外，还包含可挠曲式、易携性、全彩高亮度、省电、可视角广及无影像残影……等优点，为未来平面显示器带来新的趋势。近几年，此平面显示新技术OLED更是吸引了产业及学术界的关注，进而从事开发与研究。
OLED的基本原理为：加入一外加偏压，使电洞、电子分别经由电洞注入层(Holeinjection layer)与电子注入层(Electron injection layer)注入后，再经过电洞传输层(Hole Transport Layer)与电子传输层(Electron Transport Layer)传输后，进入一具有发光特性的发光层(Light Emitting Layer)，在其内发生再结合时，形成一"激发光子"(exciton)后，再将能量释放出来而回到基态(ground state)，而在这些释放出来的能量当中，通常由于发光材料的选择及电子自旋的特性(spin state characteristics)，只有25％(单重态到基态，singlet to ground state)的能量可以用来当作OLED的发光，其余的75％(三重态到基态，triplet to ground state)是以磷光或热的形式回归到基态。由于所选择的发光材料能阶(band gap)的不同，可使这25％的能量以不同颜色的光的形式释放出来，而形成OLED的发光现象。
所以OLED发光的原理与LED(Light Emitting Diode，发光二极管)近似，不过由于材料改用有机物质，其优点是被有机材料吸收的光子，其频率大部分落在可见光频谱外，故OLED可以产生高效率的光。
且，OLED的特性是自己发光，不需要背光源，因此，OLED的可视度和亮度均高，再者OLED仅有发光部位才会消耗电能，因此电压需求低且省电效率高，加上反应快、重量轻、厚度薄……等。另外，OLED不像LCD会有残影现象，适用于高低温环境变化，尤其在低温下OLED的反应速度与常温一样，不会像LCD在低温使用环境下液晶反应会变慢，甚至液晶会“冻僵”而无法正常显示。
然而，半导体的产品(如OLED)在制程上仍会面临到下列问题，在真空蒸镀方式的情况下，将材料在高度真空的条件下，通过电流加热，电子束轰击加热和激光加热等方法，使材料蒸发成原子或分子，气化并均匀沉积在需要的基板上。但，真空蒸镀过程中需要金属屏蔽，使量产受限，如金属屏蔽定位精准度以及金属屏蔽无法大型化，所以基板相对限制在小尺寸基板，无法大型化量产。另外，在蒸镀方式中的金属屏蔽非常昂贵，且在生产过程中须做清洁动作，其定位亦须非常精准。
再者，加上使用真空蒸镀方式会浪费许多OLED材料，在真空蒸镀过后只能保留10-40％的OLED材料，因而造成OLED材料使用效率不高。
因此，如何解决半导体在传统利用真空蒸镀上所遇到的问题(大型化量产、材料使用效率不高)，为本技术领域人员所欲解决的问题。
发明内容
本发明的主要目的，在于提供一种使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，将热转印膜上的转印层(两层、三层、多层)以热转印的方式转印至基板上，藉以改善传统的真空蒸镀方法的复杂制程，以及真空蒸镀过后，基板只能保留不到50％OLED材料，因而OLED材料的使用效率不高的问题。
为了达到上述的目的，本发明揭示了一种使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其步骤包含：取一热转印膜，该热转印膜的结构由上往下依序为一耐热层、一基底层、一功能层及一第一转印层；取一基板，该基板放置于该热转印膜的下方；以及加热该热转印膜并转印该第一转印层于该基板，同时移除该耐热层、该基底层及该功能层。
本发明提供一实施例，其内容在于使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其中该耐热层的组成包含一硬脂酸镁(本实施例选用SPZ-100F)、一酸式磷酸硬脂基酯锌盐(本实施例选用LBT-1830)及一醋酸丙酸纤维素(本实施例选用CAP-504-0.2)。
本发明提供一实施例，其内容在于使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其中该耐热层的厚度范围为0.1～3um。
本发明提供一实施例，其内容在于使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其中该基底层选自于一聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、一聚酰亚胺(PI)及一聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)所组成的群组的其中之一或其组合。
本发明提供一实施例，其内容在于使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其中该基底层的厚度范围为2～100um。
本发明提供一实施例，其内容在于使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其中该功能层选自于一银金属、一铝金属及一镁金属所组成的群组的其中之一或其组合。
本发明提供一实施例，其内容在于使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其中该功能层选自于一三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、一聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinylbutyral)、一季戊四醇四硝酸酯(pentaerythritol tetranitrate)、一2,4,6-三硝基甲苯(trinitiotoluene)、一压克力树酯、一环氧树酯、一纤维素树酯、一聚乙烯醇缩丁醛(PVB)树酯及一聚氯乙烯(PVC)树酯所组成的群组的其中之一或其组合。
本发明提供一实施例，其内容在于使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其中该功能层的厚度范围为0.3～10um。
本发明提供一实施例，其内容在于使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其中该第一转印层进一步包含一第二转印层，该第二转印层位于该第一转印层之上。
本发明提供一实施例，其内容在于使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其中该第一转印层与该第二转印层选自于一电洞注入材料、一电洞传输材料、一红蓝绿发光材料、一电子传输材料、一电子注入材料、一金属奈米材料、一奈米碳管导电材料所组成的群组的其中之一或其组合。
本发明提供一实施例，其内容在于使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其中该第一转印层与该第二转印层选自于一芳香胺(arylamines)有机材料、一离聚物的聚合物、一P-dopant材料、一苯基芳基胺(Phenyl arylamines)有机材料、一荧光有机材料、一磷光有机材料、一含热活化型延迟荧光(TADF)的有机材料、一重金属错合物有机材料、一有机多苯环材料、一多环芳香族碳氢化合物材料(polycyclic aromatic hydrocarbon)、一蓝色发光材料、一绿色发光材料、一红色发光材料、一有机杂环材料、一恶二唑(oxadiazole)衍生物材料、一金属螯合物材料、一唑基(azole-based)衍生物材料、一喹啉(quinolone)衍生物材料、一喹喔啉(quinoxaline)衍生物材料、一二氮葱(Anthrazoline)衍生物材料、一邻二氮菲(Phenanthrolines)衍生物材料、一噻咯(Siloles)衍生物材料、一氟化苯衍生物材料、一N-dopant材料、一金属、一合金、一金属错合物、一金属化合物、一金属氧化物、一电致发光材料及一电活性材料所组成的群组的其中之一或其组合。
本发明提供一实施例，其内容在于使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其中该第一转印层与该第二转印层的厚度范围为20～200nm。
本发明提供一实施例，其内容在于使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其中该第一转印层与该第二转印层的设置方式为一真空蒸镀制程、一旋转涂布制程、一狭缝式涂布制程、一喷墨式印刷制程、一凹版印刷制程、一网版印刷制程、一化学气相沉积制程、一物理气相沉积制程以及一溅镀制程。
本发明提供一实施例，其内容在于使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其中该基板选自于一玻璃、一聚酰亚胺(PI)及一聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的其中之一或其组合。
本发明提供一实施例，其内容在于使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其中于取一基板，该基板放置于该热转印膜的下方的步骤中，进一步包含步骤：于该基板上设置一材料层，该材料层选自于一氧化铟锡(ITO)、一聚合物材料、一导电高分子、一有机发光二极管(OLED)小分子材料及一高分子发光二极管(PLED)材料的其中之一或其组合。
本发明提供一实施例，其内容在于使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其中于加热该热转印膜并转印该第一转印层于该基板，同时移除该耐热层、该基底层及该功能层的步骤中，该步骤为使用一热转印头对该热转印膜进行加热。
本发明提供一实施例，其内容在于使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其中于加热该热转印膜并转印该第一转印层于该基板，同时移除该耐热层、该基底层及该功能层的步骤中，该步骤的一加热温度为80～300℃。
附图说明
图1：其为本发明的一实施例的流程图；
图2A-2C：其为本发明的一实施例的步骤示意图；
图3A：其为本发明的一绿光材料的一实施例的结果图；
图3B：其为本发明的一绿光材料的另一实施例的结果图；以及
图3C：其为本发明的一绿光材料的另一实施例的结构示意图。
【图号对照说明】
1 热转印膜
10 基底层
20 耐热层
30 功能层
40 第一转印层
50 基板
61 氧化铟锡(ITO)
62 4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)
63 CBP：Ir(ppy)3
64 1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)
65 氟化锂(LiF)
66 铝
S1-S5 步骤流程
TPH 热转印头
具体实施方式
为了使本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，特用较佳的实施例及配合详细的说明，说明如下：
有鉴于有机发光二极管在传统利用真空蒸镀上所遇到的问题(大型化量产以及材料使用效率不高)，因而造成成本较高的影响，据此，本发明遂提出一种使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，以解决习知技术所造成的问题。
以下，将进一步说明本发明一种使用热转印膜制备有机发光二极管的方法所包含的特性、所搭配的结构及其方法：
首先，请参阅图1及图2A-2C，其分别为本发明的一实施例的流程图及步骤示意图。如图所示，一种使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其步骤包含：
S1：取热转印膜，热转印膜的结构由上往下依序为耐热层、基底层、功能层及第一转印层；
S3：取基板，基板放置于热转印膜的下方；以及
S5：加热热转印膜并转印第一转印层于基板，同时移除耐热层、基底层及功能层。
如步骤S1(图2A)所示，取一热转印膜1，该热转印膜1的结构由上往下依序为一耐热层20、一基底层10、一功能层30及第一转印层40。
其中该耐热层20的组成包含一硬脂酸镁(本实施例选用SPZ-100F)、一酸式磷酸硬脂基酯锌盐(本实施例选用LBT-1830)及一醋酸丙酸纤维素(本实施例选用CAP-504-0.2)。再者，该耐热层20的厚度范围为0.1～3um。
该耐热层20以凹版轮转印刷机(信伟机械工业有限公司)使用135网目数(mesh)、150mesh以及250mesh，涂布一耐热层溶液于该基底层10后，以50～120℃进入烘箱烘烤，时间约1～10min。
该耐热层溶液的制备为取60.2g的一丁酮(MEK)、25.8g的一甲苯(toluene)、1.6g的该硬脂酸镁(本实施例选自SPZ-100F)、1g的该酸式磷酸硬脂基酯锌盐(本实施例选自LBT-1830)、0.5g的一奈米改质土(本实施例选自C34-M30)、0.2g的一涂料添加剂(本实施例选自KP-341)、0.2g的一阴离子界面活性剂(本实施例选自KC-918)、10g的该醋酸丙酸纤维素(本实施例选自CAP-504-0.2)及0.25g的一分散剂(本实施例选自BYK103)形成一第一溶液，并搅拌约2小时使其完全溶解。
再者，取3g的一脂肪醇聚氧乙烯醚(本实施例选自L75)及3g的该丁酮(MEK)形成一第二溶液。最后，混合该第一溶液及该第二溶液，形成该耐热层溶液。
而该基底层10选自于一聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、一聚酰亚胺(PI)及一聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)所组成的群组的其中之一或其组合。且该基底层10的厚度范围为2～100um。
另，该功能层30选自于一银金属、一铝金属及一镁金属所组成的群组的其中之一或其组合。
接续上述，该功能层30亦选自于一三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、一聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinyl butyral)、一季戊四醇四硝酸酯(pentaerythritol tetranitrate)、一2,4,6-三硝基甲苯(trinitiotoluene)、一压克力树酯、一环氧树酯、一纤维素树酯、一聚乙烯醇缩丁醛(PVB)树酯及一聚氯乙烯(PVC)树酯所组成的群组的其中之一或其组合。
再者，该功能层30的厚度范围为0.3～10um。且该功能层30以K Printing Proofer凹版电动涂布机(广柏实业股份有限公司)使用135mesh或250mesh，涂布一功能层溶液于该基底层10，以30～140℃进入烘箱干燥，时间为1～30min，的后再以UV照射方式进行固化。
该功能层溶液的制备为取14.85g的该三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、0.93g的该聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinyl butyral)、2.78g的一水性树脂(本实施例选自Joncry 671)溶解于10g的一1-甲氧基-2-丙醇(1-methoxy-2-propanol)及10g的该丁酮(MEK)形成一第三溶液及取1.25g的一UV固化剂(本实施例选自Irgacure 369)溶解于5g的该丁酮(MEK)形成一第四溶液以及取0.19g的一光起始剂(本实施例选自Irgacure 184)溶解于2.5g的该丁酮(MEK)形成一第五溶液。
再者，混合5g的该第三溶液、0.81g的该第四溶液及0.352g的该第五溶液形成一配方液。最后，再依所需的固含量，以该丁酮(MEK)作为稀释液稀释该配方液至所需的固含量，形成该功能层溶液。
其中该第一转印层40进一步包含一第二转印层，该第二转印层位于该第一转印层40的上。且转印层并无特定层数(单层、两层、多层)。而该第一转印层40与该第二转印层的厚度范围分别为20～200nm。
其中该第一转印层40与该第二转印层选自于一电洞注入材料、一电洞传输材料、一红蓝绿发光材料、一电子传输材料、一电子注入材料、一金属奈米材料、一奈米碳管导电材料所组成的群组的其中之一或其组合。
且该第一转印层40与该第二转印层选自一阳极电极、一电洞注入层、一电洞传输层、一发光层、一电子传输层、一电子注入层及一阴极电极所组成的群组的其中之一或其组合。
而，该阳极电极和该阴极电极一般用导电材料形成，如一金属、一合金、一金属化合物、一金属氧化物、一电活性材料、一导电分散体及一导电聚合物。例如包括金、铂、钯、铝、钙、钛、氮化钛、氧化铟锡(ITO)、氧化氟锡(FTO)和聚苯胺(Polyaniline)等。
其中该电洞注入层选自一芳香胺(arylamines)有机材料、一离聚物的聚合物(如一PEDOT:PSS)、及一P-dopant材料所组成的群组的其中之一或其组合。
而该电洞传输层选自该芳香胺(arylamines)有机材料及一苯基芳基胺(Phenylarylamines)有机材料所组成的群组的其中之一或其组合。
而该发光层选自一荧光有机材料、一磷光有机材料、一含热活化型延迟荧光(TADF)的有机材料、一重金属(如铱、铂、银、锇及铅等)错合物有机材料、一有机多苯环材料、一多环芳香族碳氢化合物材料(polycyclic aromatic hydrocarbon)、一蓝色发光材料、一绿色发光材料、一红色发光材料及一电致发光材料所组成的群组的其中之一或其组合。
再者，该电子传输层选自一有机杂环材料、一恶二唑(oxadiazole)衍生物材料、一金属螯合物材料、一唑基(azole-based)衍生物材料、一喹啉(quinolone)衍生物材料、一喹喔啉(quinoxaline)衍生物材料、一二氮葱(Anthrazoline)衍生物材料、一邻二氮菲(Phenanthrolines)衍生物材料、一噻咯(Siloles)衍生物材料及一氟化苯衍生物材料所组成的群组的其中之一或其组合。
而该电子注入层选自一N-dopant材料、一金属错合物及该金属化合物(如一碱金属化合物及一碱土金属化合物等)所组成的群组的其中之一或其组合。
接续上述，该第一转印层40与该第二转印层的设置方式为一真空蒸镀制程、一旋转涂布制程、一狭缝式涂布制程、一喷墨式印刷制程、一凹版印刷制程、一网版印刷制程、一化学气相沉积制程、一物理气相沉积制程以及一溅镀制程。
接续，如步骤S3(图2B)所示，取一基板50，该基板50放置于该热转印膜1的下方。
其中该基板50选自于一玻璃、一聚酰亚胺(PI)及一聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的其中之一或其组合。
另于步骤S3的中进一步包含步骤：
S31：于该基板上设置一材料层，该材料层选自于一氧化铟锡(ITO)、一聚合物材料、一导电高分子、一有机发光二极管(OLED)小分子材料及一高分子发光二极管(PLED)材料的其中之一或其组合。
再者，如步骤S5(图2C)所示，加热该热转印膜1并转印该第一转印层40于该基板50，同时移除该耐热层20、该基底层10及该功能层30。并于步骤S5中，使用一热转印头(TPH，Thermal Print Head)对该热转印膜1进行加热转印，而加热转印的一加热温度为80～300℃。于加热转印后，同时移除该耐热层20、该基底层10及该功能层30。
最后，持续以该热转印膜1进行转印，直到该基板50上依序堆栈该阳极电极、该电洞注入层、该电洞传输层、该发光层、该电子传输层、该电子注入层及该阴极电极后，形成一有机发光二极管。
接着，请参阅图3A，其为本发明的一绿光材料的一实施例的结果图。本实施例的该热转印膜1(Donor Film)的该第一转印层40选用一1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)作为该电子传输层，并设置于该功能层30上。而该第二转印层选用一CBP：Ir(ppy)3(4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl：Tris(2-phenylpyridine)iridium(III))作为该发光层，并设置于该第一转印层40上。加热转印该第一转印层40与该第二转印层至该玻璃(作为该基板50(Sub))上，其中该基板50上已预先设置该氧化铟锡(ITO)作为该阳极电极及该PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate))。使用该热转印头(TPH，Thermal Print Head)进行加热转印后，其转印结果如图3A所示，经重复实验后，厚度(THK)为间，转印率(Transfer％)皆大于99％。
接续，请参阅图3B，其为本发明的一绿光材料的另一实施例的结果图。本实施例的该热转印膜1(Donor Film)的该第一转印层40选用该1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)作为该电子传输层，设置于该功能层30上。而该第二转印层选用该CBP：Ir(ppy)3(4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl：Tris(2-phenylpyridine)iridium(III))作为该发光层，并设置于该第一转印层40上。加热转印该第一转印层40与该第二转印层至该玻璃(作为该基板50(Sub))上，其中该基板50上已预先设置该氧化铟锡(ITO)及真空蒸镀一4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。使用该热转印头(TPH，Thermal Print Head)进行加热转印后，再于TPBI上蒸镀一氟化锂(LiF)作为该电子注入层以及一铝(Al)作为该阴极电极形成该有机发光二极管，其结构如图3C所示，在基板50上依序为该氧化铟锡61、该4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺62、该CBP：Ir(ppy)3 63、该1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯64、该氟化锂65以及该铝66。并如图3B所示，经重复实验后，转印率(Transfer％)皆大于99％。此外如图3A和图3B的有机发光二极管结构所示，热转印制作不仅局限于该有机发光二极管的该发光层及该电子传输层可进行热转印，更进一步包含该有机发光二极管的各层材料，如该阳极电极、该电洞注入层、该电洞传输层、该电子注入层及该阴极电极等皆可以使用该热转印头加热转印至该基板50的方式进行制备。
上文仅为本发明的较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发明权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的权利要求范围内。
Claims (17)
1.一种使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其步骤包含：
取一热转印膜，该热转印膜的结构由上往下依序为一耐热层、一基底层、一功能层及一第一转印层；
取一基板，该基板放置于该热转印膜的下方；以及
加热该热转印膜并转印该第一转印层于该基板，同时移除该耐热层、该基底层及该功能层。
2.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该耐热层的组成包含一硬脂酸镁、一酸式磷酸硬脂基酯锌盐及一醋酸丙酸纤维素。
3.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该耐热层的厚度范围为0.1~3 um。
4.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该基底层选自于一聚对苯二甲酸乙二醇酯、一聚酰亚胺及一聚萘二甲酸乙二醇酯所组成的群组的其中之一或其组合。
5.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该基底层的厚度范围为 2~100 um。
6.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该功能层选自于一银金属、一铝金属及一镁金属所组成的群组的其中之一或其组合。
7.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该功能层选自于一三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、一聚乙烯醇缩丁醛、一季戊四醇四硝酸酯、一2,4,6-三硝基甲苯、一压克力树酯、一环氧树酯、一纤维素树酯、一聚乙烯醇缩丁醛树酯及一聚氯乙烯树酯所组成的群组的其中之一或其组合。
8.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该功能层的厚度范围为0.3~10 um。
9.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一转印层进一步包含一第二转印层，该第二转印层位于该第一转印层的上。
10.如权利要求9所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一转印层与该第二转印层选自于一电洞注入材料、一电洞传输材料、一红蓝绿发光材料、一电子传输材料、一电子注入材料、一金属奈米材料、一奈米碳管导电材料所组成的群组的其中之一或其组合。
11.如权利要求9所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一转印层与该第二转印层选自于一芳香胺(arylamines)有机材料、一离聚物的聚合物、一P-dopant材料、一苯基芳基胺(Phenyl arylamines)有机材料、一荧光有机材料、一磷光有机材料、一含热活化型延迟荧光(TADF)的有机材料、一重金属错合物有机材料、一有机多苯环材料、一多环芳香族碳氢化合物材料(polycyclic aromatic hydrocarbon)、一蓝色发光材料、一绿色发光材料、一红色发光材料、一有机杂环材料、 一恶二唑(oxadiazole)衍生物材料、一金属螯合物材料、 一唑基(azole-based)衍生物材料、一喹啉(quinolone)衍生物材料、一喹喔啉(quinoxaline)衍生物材料、一二氮葱(Anthrazoline)衍生物材料、一邻二氮菲(Phenanthrolines)衍生物材料、一噻咯(Siloles)衍生物材料、一氟化苯衍生物材料、一N-dopant材料、一金属、一合金、一金属错合物、一金属化合物、一金属氧化物、一电致发光材料及一电活性材料所组成的群组的其中之一或其组合。
12.如权利要求9所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一转印层与该第二转印层的厚度范围为20~200 nm。
13.如权利要求9所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一转印层与该第二转印层的设置方式为一真空蒸镀制程、一旋转涂布制程、一狭缝式涂布制程、一喷墨式印刷制程、一凹版印刷制程、一网版印刷制程、一化学气相沉积制程、一物理气相沉积制程以及一溅镀制程。
14.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该基板选自于一玻璃、一聚酰亚胺(PI)及一聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的其中之一或其组合。
15.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中于取一基板，该基板放置于该热转印膜的下方的步骤中，进一步包含步骤：
于该基板上设置一材料层，该材料层选自于一氧化铟锡(ITO)、一聚合物材料、一导电高分子、一有机发光二极管(OLED)小分子材料及一高分子发光二极管(PLED)材料的其中之一或其组合。
16.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中于加热该热转印膜并转印该第一转印层于该基板，同时移除该耐热层、该基底层及该功能层的步骤中，该步骤为使用一热转印头对该热转印膜进行加热。
17.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中于加热该热转印膜并转印该第一转印层于该基板，同时移除该耐热层、该基底层及该功能层的步骤中，该步骤的一加热温度为80~300 ℃。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107109325A TWI671931B (zh) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | 使用熱轉印膜製備有機發光二極體之方法 |
| TW107109325 | 2018-03-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110289359A true CN110289359A (zh) | 2019-09-27 |
Family
ID=67906156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810284121.1A Pending CN110289359A (zh) | 2018-03-19 | 2018-04-02 | 使用热转印膜制备有机发光二极管的方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20190288242A1 (zh) |
| JP (1) | JP2019164973A (zh) |
| KR (1) | KR20200068000A (zh) |
| CN (1) | CN110289359A (zh) |
| TW (1) | TWI671931B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110682670A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-01-14 | 杨至博 | 压花印色纺织品制造方法及纺织品 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114068826A (zh) * | 2020-08-03 | 2022-02-18 | 湖南鼎一致远科技发展有限公司 | 一种空穴传输层和色带及其制备方法 |
| CN113328037A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-08-31 | 武汉大学 | 一种转移印刷光电薄膜的方法及转移印刷光电薄膜制备光电器件的方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000150150A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Casio Comput Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| CN1337905A (zh) * | 1999-01-15 | 2002-02-27 | 3M创新有限公司 | 用于形成多层器件的热转印元件 |
| JP2005078942A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 転写材料及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法 |
| CN1881644A (zh) * | 2005-06-18 | 2006-12-20 | 三星Sdi株式会社 | 形成有机半导体层图案的方法 |
| CN1902771A (zh) * | 2003-12-09 | 2007-01-24 | 3M创新有限公司 | 发光型树枝状大分子的热转印 |
| JP2015193269A (ja) * | 2015-08-07 | 2015-11-05 | 大日本印刷株式会社 | 熱転写シート |
| CN107206823A (zh) * | 2015-01-28 | 2017-09-26 | 凸版印刷株式会社 | 热敏转印记录介质 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4253883B2 (ja) * | 1998-11-24 | 2009-04-15 | カシオ計算機株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| EP1144197B1 (en) * | 1999-01-15 | 2003-06-11 | 3M Innovative Properties Company | Thermal Transfer Method. |
-
2018
- 2018-03-19 TW TW107109325A patent/TWI671931B/zh not_active IP Right Cessation
- 2018-04-02 CN CN201810284121.1A patent/CN110289359A/zh active Pending
- 2018-05-17 US US15/982,142 patent/US20190288242A1/en not_active Abandoned
- 2018-07-10 KR KR1020180079748A patent/KR20200068000A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-07-11 JP JP2018131301A patent/JP2019164973A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000150150A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Casio Comput Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| CN1337905A (zh) * | 1999-01-15 | 2002-02-27 | 3M创新有限公司 | 用于形成多层器件的热转印元件 |
| JP2005078942A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 転写材料及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法 |
| CN1902771A (zh) * | 2003-12-09 | 2007-01-24 | 3M创新有限公司 | 发光型树枝状大分子的热转印 |
| CN1881644A (zh) * | 2005-06-18 | 2006-12-20 | 三星Sdi株式会社 | 形成有机半导体层图案的方法 |
| CN107206823A (zh) * | 2015-01-28 | 2017-09-26 | 凸版印刷株式会社 | 热敏转印记录介质 |
| JP2015193269A (ja) * | 2015-08-07 | 2015-11-05 | 大日本印刷株式会社 | 熱転写シート |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110682670A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-01-14 | 杨至博 | 压花印色纺织品制造方法及纺织品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2019164973A (ja) | 2019-09-26 |
| KR20200068000A (ko) | 2020-06-15 |
| TWI671931B (zh) | 2019-09-11 |
| US20190288242A1 (en) | 2019-09-19 |
| TW201939788A (zh) | 2019-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6553113B2 (ja) | 照明用途のためのエレクトロルミネッセンスデバイス | |
| CN103855189B (zh) | 有机发光显示器 | |
| CN102024908A (zh) | 有机发光器件及其制造方法 | |
| CN101740724B (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN102456842B (zh) | 有机发光器件和制造这种器件的方法 | |
| Liang et al. | Organic electroluminescent devices using europium complex as an electron-transport emitting layer | |
| CN110289359A (zh) | 使用热转印膜制备有机发光二极管的方法 | |
| CN102738401B (zh) | 一种双主体型红光有机电致发光器件 | |
| WO2009021365A1 (fr) | Oled et son procédé | |
| CN107123754A (zh) | 一种有机电致发光器件及制备方法、蒸镀设备 | |
| CN103000818B (zh) | 顶发射有机电致发光器件及其制备方法和应用 | |
| CN110323361A (zh) | 使用热转印膜连续制备有机发光二极管的方法 | |
| CN110239247A (zh) | 制备有机发光二极管的热转印膜及其制备方法 | |
| CN101989646B (zh) | 一种柔性无源有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN106374048B (zh) | 有机发光元件 | |
| CN112403301A (zh) | Oled材料混合方法 | |
| CN207079275U (zh) | 柔性oled的蒸镀设备 | |
| CN106928188A (zh) | 一种有机电致发光材料及其应用 | |
| CN105932173B (zh) | 一种基于芴的磷光主体化合物及其有机电致发光器件 | |
| TWI425865B (zh) | 一種有機發光二極體裝置之製造方法 | |
| CN203134868U (zh) | 一种顶发射有机电致发光器件和显示器 | |
| CN1796488A (zh) | 新颖的红色发光化合物及使用其制造的有机电致发光器件 | |
| KR20120072891A (ko) | 유기전계발광소자의 제조방법 | |
| Jeon et al. | Improvement in the Stabilities of White Organic Light Emitting Diodes Using a Partially Doped Emission Layer | |
| CN105859687A (zh) | 一种化合物、有机电致发光器件及显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20190927 |