CN110239247A - 制备有机发光二极管的热转印膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是有关一种制备有机发光二极管的热转印膜及其制备方法，藉由涂布的方式分别于基底层上涂布耐热层以及功能层，并在功能层上方设置转印层。以热转印的方式，使用TPH(Thermal Print Head)加热转印层至基板上。以改善传统制备有机发光二极管的真空蒸镀制程中，真空蒸镀过后，基板上只能保留不到50％材料，因而材料的使用效率不高的问题。

Description

制备有机发光二极管的热转印膜及其制备方法
技术领域
本发明是有关一种热转印膜，尤其是一种制备有机发光二极管的热转印膜及其制备方法。
背景技术
半导体(Semiconductor)是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。
半导体的产品已广泛应用在生活中的各个层面中，例如：发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)及半导体雷射(Laser Diode,LD)，其应用范围包括照明、指示器光源、光信息储存系统、激光打印机、光纤通讯及医疗等。其他的产品如光侦测器、太阳能电池、光放大器及晶体管等，每一项产品的应用都与今日高科技时代的生活息息相关。而自从视讯时代来临之后，显示器的质量便成为市场考虑的重要因素。
近年来，随着科技进步，个人计算机、网络及信息传播的普遍化，显示器成为了人机互动不可或缺的重要角色，而不断进步的显示技术更是带动了显示器产业跨跃式的发展。
在现今，传统一般的CRT(Cathode Ray Tube，阴极射线管)屏幕对于用户来说，已显得厚重、占体积。因此，已逐渐被厚度较薄且大尺吋的PDP(Plasma Display Panel，电浆显示器)以及更加轻薄的LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)所取代。
而在新的平面显示器中，还有另外一项新技术「OLED」。OLED(Organic LightEmitting Diode，有机发光二极管)，又可称为有机电激发光(OrganicElectroluminescence，简称OEL)。利用此组件与此技术所制成的显示器除了具有轻薄外，还包含可挠曲式、易携性、全彩高亮度、省电、可视角广及无影像残影……等优点，为未来平面显示器带来新的趋势。近几年，此平面显示新技术OLED更是吸引了产业及学术界的关注，进而从事开发与研究。
OLED的基本原理为：加入一外加偏压，使电洞、电子分别经由电洞注入层(Holeinjection layer)与电子注入层(Electron injection layer)注入后，再经过电洞传输层(Hole Transport Layer)与电子传输层(Electron Transport Layer)传输后，进入一具有发光特性的发光层(Light Emitting Layer)，在其内发生再结合时，形成一"激发光子"(exciton)后，再将能量释放出来而回到基态(ground state)，而在这些释放出来的能量当中，通常由于发光材料的选择及电子自旋的特性(spin state characteristics)，只有25％(单重态到基态，singlet to ground state)的能量可以用来当作OLED的发光，其余的75％(三重态到基态，triplet to ground state)是以磷光或热的形式回归到基态。由于所选择的发光材料能阶(band gap)的不同，可使这25％的能量以不同颜色的光的形式释放出来，而形成OLED的发光现象。
所以OLED发光的原理与LED(Light Emitting Diode，发光二极管)近似，不过由于材料改用有机物质，其优点是被有机材料吸收的光子，其频率大部分落在可见光频谱，故OLED可以产生高效率的光。
且，OLED的特性是自己发光，不需要背光源，因此，OLED的可视度和亮度均高，再者OLED仅有发光部位才会消耗电能，因此电压需求低且省电效率高，加上反应快、重量轻、厚度薄……等。另外，OLED不像LCD会有残影现象，适用于高低温环境变化，尤其在低温下OLED的反应速度与常温一样，不会像LCD在低温使用环境下液晶反应会变慢，甚至液晶会“冻僵”而无法正常显示。
然而，半导体的产品(如OLED)在制程上仍会面临到下列问题，在真空蒸镀方式的情况下，将材料在高度真空的条件下，通过电流加热，电子束轰击加热和激光加热等方法，使材料蒸发成原子或分子，气化并均匀沉积在需要的基板上。但，真空蒸镀过程中需要金属屏蔽，使量产受限，如金属屏蔽定位精准度以及金属屏蔽无法大型化，所以基板相对限制在小尺寸基板，无法大型化量产。另外，在蒸镀方式中的金属屏蔽非常昂贵，且在生产过程中须做清洁动作，其定位亦须非常精准。
再者，加上使用真空蒸镀方式会浪费许多OLED材料，在真空蒸镀过后只能保留10-40％的OLED材料，因而造成OLED材料使用效率不高。
因此，如何解决半导体在传统利用真空蒸镀上所遇到的问题(大型化量产、材料使用效率不高)，为本技术领域人员所欲解决的问题。
发明内容
本发明的主要目的，在于提供一种制备有机发光二极管的热转印膜及其制备方法。由热转印膜上的功能层的组成分，使用TPH(Thermal Print Head)加热，并把功能层上的转印层进行完全转印，藉以改善传统的真空蒸镀方法中，真空蒸镀过后，基板只能保留不到50％OLED材料，因而OLED材料的使用效率不高的问题。
为了达到上述的目的，本发明揭示了一种制备有机发光二极管的热转印膜，其包含：一基底层；一耐热层，其设置于该基底层的一第一表面；一功能层，其设置于该基底层的一第二表面，该功能层的一第三表面位于该第二表面之上；以及一转印层，其设置于该功能层的一第四表面。
本发明提供一实施例，其内容在于制备有机发光二极管的热转印膜，其中该基底层选自于一聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、一聚酰亚胺(PI)及一聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)所组成的群组的其中之一或其组合。
本发明提供一实施例，其内容在于制备有机发光二极管的热转印膜，其中该基底层的厚度范围为2～100um。
本发明提供一实施例，其内容在于制备有机发光二极管的热转印膜，其中该耐热层的组成包含一硬脂酸镁(本实施例选用SPZ-100F)、一酸式磷酸硬脂基酯锌盐(本实施例选用LBT-1830)及一醋酸丙酸纤维素(本实施例选用CAP-504-0.2)。
本发明提供一实施例，其内容在于制备有机发光二极管的热转印膜，其中该耐热层的厚度范围为0.1～3um。
本发明提供一实施例，其内容在于制备有机发光二极管的热转印膜，其中该功能层选自于一银金属、一铝金属及一镁金属所组成的群组的其中之一或其组合。
本发明提供一实施例，其内容在于制备有机发光二极管的热转印膜，其中该功能层选自于一三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、一聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinyl butyral)、一季戊四醇四硝酸酯(pentaerythritol tetranitrate)、一2,4,6-三硝基甲苯(trinitiotoluene)、一压克力树酯、一环氧树酯、一纤维素树酯、一聚乙烯醇缩丁醛(PVB)树酯及一聚氯乙烯(PVC)树酯所组成的群组的其中之一或其组合。
本发明提供一实施例，其内容在于制备有机发光二极管的热转印膜，其中该功能层的厚度范围为0.3～10um。
本发明提供一实施例，其内容在于制备有机发光二极管的热转印膜，其中该转印层选自于一电洞注入材料、一电洞传输材料、一红蓝绿发光材料、一电子传输材料、一电子注入材料、一金属奈米材料、一奈米碳管导电材料所组成的群组的其中之一或其组合。
本发明提供一实施例，其内容在于制备有机发光二极管的热转印膜，其中该转印层选自于一芳香胺(arylamines)有机材料、一离聚物的聚合物、一P-dopant材料、一苯基芳基胺(Phenyl arylamines)有机材料、一荧光有机材料、一磷光有机材料、一含热活化型延迟荧光(TADF)的有机材料、一重金属错合物有机材料、一有机多苯环材料、一多环芳香族碳氢化合物材料(polycyclic aromatic hydrocarbon)、一蓝色发光材料、一绿色发光材料、一红色发光材料、一有机杂环材料、一恶二唑(oxadiazole)衍生物材料、一金属螯合物材料、一唑基(azole-based)衍生物材料、一喹啉(quinolone)衍生物材料、一喹喔啉(quinoxaline)衍生物材料、一二氮葱(Anthrazoline)衍生物材料、一邻二氮菲(Phenanthrolines)衍生物材料、一噻咯(Siloles)衍生物材料、一氟化苯衍生物材料、一N-dopant材料、一金属、一合金、一金属错合物、一金属化合物、一金属氧化物、一电致发光材料及一电活性材料所组成的群组的其中之一或其组合。
本发明提供一实施例，其内容在于制备有机发光二极管的热转印膜，其中该转印层的厚度范围为20～200nm。
又，本发明揭示了一种制备有机发光二极管的热转印膜的制备方法，其步骤包含：涂布一耐热层溶液于一基底层的一第一表面形成一耐热层；涂布一功能层溶液于该基底层的一第二表面形成一功能层，该功能层的一第三表面位于该第二表面之上；以及进行一设置制程，一转印层设置于该功能层的一第四表面。
本发明提供一实施例，其内容在于制备有机发光二极管的热转印膜的制备方法，其中于涂布一耐热层溶液于一基底层的一第一表面形成一耐热层的步骤前，进一步包含步骤：取一丁酮(MEK)、一甲苯(toluene)、一硬脂酸镁(本实施例选自SPZ-100F)、一酸式磷酸硬脂基酯锌盐(本实施例选自LBT-1830)、一奈米改质土(本实施例选自C34-M30)、一涂料添加剂(本实施例选自KP-341)、一阴离子界面活性剂(本实施例选自KC-918)、一醋酸丙酸纤维素(本实施例选自CAP-504-0.2)及一分散剂(本实施例选自BYK103)形成一第一溶液；取一脂肪醇聚氧乙烯醚(本实施例选自L75)及该丁酮(MEK)形成一第二溶液；以及混合该第一溶液及该第二溶液。
本发明提供一实施例，其内容在于制备有机发光二极管的热转印膜的制备方法，其中于涂布一功能层溶液于该基底层的一第二表面形成一功能层，该功能层的一第三表面位于该第二表面之上的步骤前，进一步包含步骤：取一三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、一聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinyl butyral)、一水性树脂(本实施例选自Joncry 671)、一1-甲氧基-2-丙醇(1-methoxy-2-propanol)及一丁酮(MEK)形成一第三溶液及取一UV固化剂(本实施例选自Irgacure 369)及该丁酮(MEK)形成一第四溶液以及取一光起始剂(本实施例选自Irgacure 184)及该丁酮(MEK)形成一第五溶液；混合该第三溶液、该第四溶液及该第五溶液形成一配方液；以及取该丁酮(MEK)稀释该配方液。
本发明提供一实施例，其内容在于制备有机发光二极管的热转印膜的制备方法，其中于进行一设置制程，一转印层设置于该功能层的一第四表面的步骤中，该设置制程为一真空蒸镀制程、一旋转涂布制程、一狭缝式涂布制程、一喷墨式印刷制程、一凹版印刷制程、一网版印刷制程、一化学气相沉积制程、一物理气相沉积制程以及一溅镀制程。
本发明提供一实施例，其内容在于制备有机发光二极管的热转印膜的制备方法，其中该基底层选自于一聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、一聚酰亚胺(PI)及一聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)所组成的群组的其中之一或其组合。
附图说明
图1：其为本发明的一实施例的结构示意图；
图2：其为本发明的一实施例的流程图；
图3：其为本发明的制备耐热层溶液的流程图；
图4：其为本发明的制备功能层溶液的流程图；
图5：其为本发明的一绿光材料实施例的结果图；
图6：其为本发明的一蓝光材料实施例的结果图；以及
图7：其为本发明的一红光材料实施例的结果图。
【图号对照说明】
1 热转印膜
10 基底层
11 第一表面
12 第二表面
20 耐热层
30 功能层
31 第三表面
32 第四表面
40 转印层
S1-S35 步骤流程
具体实施方式
为了使本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，特用较佳的实施例及配合详细的说明，说明如下：
有鉴于有机发光二极管在传统利用真空蒸镀上所遇到的问题(大型化量产以及材料使用效率不高)，因而造成成本较高的影响，据此，本发明遂提出一种制备有机发光二极管的热转印膜及其制备方法，以解决习知技术所造成的问题。
以下，将进一步说明本发明一种制备有机发光二极管的热转印膜及其制备方法所包含的特性、所搭配的结构及其方法：
首先，请参阅图1，其为本发明的一实施例的结构示意图。如图所示，一种制备有机发光二极管的热转印膜1，其包含：一基底层10；一耐热层20，其设置于该基底层10的一第一表面11；一功能层30，其设置于该基底层10的一第二表面12，该功能层30的一第三表面31位于该第二表面12之上；以及一转印层40，其设置于该功能层30的一第四表面32。
其中该基底层10选自于一聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、一聚酰亚胺(PI)及一聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)所组成的群组的其中之一或其组合。且该基底层10的厚度范围为2～100um。
而该耐热层20的组成包含一硬脂酸镁(本实施例选用SPZ-100F)、一酸式磷酸硬脂基酯锌盐(本实施例选用LBT-1830)及一醋酸丙酸纤维素(本实施例选用CAP-504-0.2)。且该耐热层20的厚度范围为0.1～3um。
另，该功能层30选自于一银金属、一铝金属及一镁金属所组成的群组的其中之一或其组合。
且，该功能层30选自于一三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、一聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinyl butyral)、一季戊四醇四硝酸酯(pentaerythritol tetranitrate)、一2,4,6-三硝基甲苯(trinitiotoluene)、一压克力树酯、一环氧树酯、一纤维素树酯、一聚乙烯醇缩丁醛(PVB)树酯及一聚氯乙烯(PVC)树酯所组成的群组的其中之一或其组合。且该功能层30的厚度范围为0.3～10um。
其中该转印层40选自于一电洞注入材料、一电洞传输材料、一红蓝绿发光材料、一电子传输材料、一电子注入材料、一金属奈米材料、一奈米碳管导电材料所组成的群组的其中之一或其组合。且该转印层40的厚度范围为20～200nm。
其中该转印层40为一阳极电极、一电洞注入层、一电洞传输层、一发光层、一电子传输层、一电子注入层及一阴极电极。
而，该阳极电极和该阴极电极一般用导电材料形成，如一金属、一合金、一金属化合物、一金属氧化物、一电活性材料、一导电分散体及一导电聚合物。例如包括金、铂、钯、铝、钙、钛、氮化钛、氧化铟锡(ITO)、氧化氟锡(FTO)和聚苯胺(Polyaniline)等。
其中该电洞注入层选自一芳香胺(arylamines)有机材料、一离聚物的聚合物(如PEDOT:PSS)、及一P-dopant材料所组成的群组的其中之一或其组合。
而该电洞传输层选自该芳香胺(arylamines)有机材料及一苯基芳基胺(Phenylarylamines)有机材料所组成的群组的其中之一或其组合。
而该发光层选自一荧光有机材料、一磷光有机材料、一含热活化型延迟荧光(TADF)的有机材料、一重金属(如铱、铂、银、锇及铅等)错合物有机材料、一有机多苯环材料、一多环芳香族碳氢化合物材料(polycyclic aromatic hydrocarbon)、一蓝色发光材料、一绿色发光材料、一红色发光材料及一电致发光材料所组成的群组的其中之一或其组合。
再者，该电子传输层选自一有机杂环材料、一恶二唑(oxadiazole)衍生物材料、一金属螯合物材料、一唑基(azole-based)衍生物材料、一喹啉(quinolone)衍生物材料、一喹喔啉(quinoxaline)衍生物材料、一二氮葱(Anthrazoline)衍生物材料、一邻二氮菲(Phenanthrolines)衍生物材料、一噻咯(Siloles)衍生物材料及一氟化苯衍生物材料所组成的群组的其中之一或其组合。而该电子注入层选自一N-dopant材料、一金属错合物及该金属化合物(如一碱金属化合物及一碱土金属化合物等)所组成的群组的其中之一或其组合。
接续，请参阅图2，其为本发明的一实施例的流程图。如图所示，一种制备有机发光二极管的热转印膜的制备方法，其步骤包含：
S1：涂布耐热层溶液于基底层的第一表面形成耐热层；
S3：涂布功能层溶液于基底层的第二表面形成功能层，功能层的第三表面位于第二表面之上；以及
S5：进行设置制程，转印层设置于功能层的第四表面。
如步骤S1所示，涂布一耐热层溶液于该基底层10的该第一表面11形成该耐热层20，其中该耐热层20的厚度范围为0.1～3um。
而该基底层10的厚度范围为2～100um。再者，该基底层10选自于该聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、该聚酰亚胺(PI)及该聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)所组成的群组的其中之一或其组合。
接续上述，请一并参阅图3，其为本发明的制备耐热层溶液的流程图。如图所示，于涂布一耐热层溶液于该基底层10的该第一表面11形成该耐热层20的步骤S1前，进一步包含步骤：
S11：取丁酮、甲苯、硬脂酸镁、酸式磷酸硬脂基酯锌盐、奈米改质土、涂料添加剂、阴离子界面活性剂、醋酸丙酸纤维素及分散剂形成第一溶液；
S13：取脂肪醇聚氧乙烯醚及丁酮形成第二溶液；以及
S15：混合第一溶液及第二溶液。
如步骤S11所示，取60.2g的一丁酮(MEK)、25.8g的一甲苯(toluene)、1.6g的该硬脂酸镁(本实施例选自SPZ-100F)、1g的该酸式磷酸硬脂基酯锌盐(本实施例选自LBT-1830)、0.5g的一奈米改质土(本实施例选自C34-M30)、0.2g的一涂料添加剂(本实施例选自KP-341)、0.2g的一阴离子界面活性剂(本实施例选自KC-918)、10g的该醋酸丙酸纤维素(本实施例选自CAP-504-0.2)及0.25g的一分散剂(本实施例选自BYK103)形成一第一溶液，并搅拌约2小时使其完全溶解。
再者，如步骤S13所示，取3g的一脂肪醇聚氧乙烯醚(本实施例选自L75)及3g的该丁酮(MEK)形成一第二溶液。
最后，如步骤S15所示，混合该第一溶液及该第二溶液，形成该耐热层溶液。
接续上述步骤S1，以凹版轮转印刷机(信伟机械工业有限公司)使用135网目数(mesh)、150mesh以及250mesh，将该耐热层溶液涂布于该基底层10的该第一表面11上后，以50～120℃进入烘箱烘烤，时间约1～10min，即形成该耐热层20。
再者，如步骤S3所示，涂布一功能层溶液于该基底层10的该第二表面12形成该功能层30，该功能层30的该第三表面31位于该第二表面12之上，其中该功能层30的厚度范围为0.3～10um。
接续上述，请一并参阅图4，其为本发明的制备功能层溶液的流程图。如图所示，于涂布一功能层溶液于该基底层10的该第二表面12形成该功能层30，该功能层30的该第三表面31位于该第二表面12之上的步骤S3前，进一步包含步骤：
S31：取三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、聚乙烯醇缩丁醛、水性树脂、1-甲氧基-2-丙醇及丁酮形成第三溶液及取UV固化剂及丁酮形成第四溶液以及取光起始剂及丁酮形成第五溶液；
S33：混合第三溶液、第四溶液及第五溶液形成配方液；以及
S35：取丁酮稀释配方液。
如步骤31所示，取14.85g的该三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、0.93g的该聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinyl butyral)、2.78g的一水性树脂(本实施例选自Joncry 671)溶解于10g的一1-甲氧基-2-丙醇(1-methoxy-2-propanol)及10g的该丁酮(MEK)形成一第三溶液及取1.25g的一UV固化剂(本实施例选自Irgacure 369)溶解于5g的该丁酮(MEK)形成一第四溶液以及取0.19g的一光起始剂(本实施例选自Irgacure 184)溶解于2.5g的该丁酮(MEK)形成一第五溶液。
再者，如步骤S33所示，混合5g的该第三溶液、0.81g的该第四溶液及0.352g的该第五溶液形成一配方液。
最后，如步骤S35所示，再依所需的固含量，以该丁酮(MEK)作为稀释液稀释该配方液至所需的固含量。
接续上述步骤S3，以K Printing Proofer凹版电动涂布机(广柏实业股份有限公司)使用135mesh或250mesh，将该功能层溶液涂布于该基底层10的该第二表面12。再以30～140℃进入烘箱干燥，时间为1～30min，之后再以UV照射方式进行固化，以完成该功能层30。
另，该功能层30除上述配方，该功能层30亦选自于该银金属、该铝金属及该镁金属所组成的群组的其中之一或其组合。
且，该功能层30选自于该三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、该聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinyl butyral)、该季戊四醇四硝酸酯(pentaerythritol tetranitrate)、该2,4,6-三硝基甲苯(trinitiotoluene)、该压克力树酯、该环氧树酯、该纤维素树酯、该聚乙烯醇缩丁醛(PVB)树酯及该聚氯乙烯(PVC)树酯所组成的群组的其中之一或其组合。
最后，如步骤S5，进行一设置制程，该转印层40设置于该功能层30的该第四表面32。其中，该设置制程为一真空蒸镀制程、一旋转涂布制程、一狭缝式涂布制程、一喷墨式印刷制程、一凹版印刷制程、一网版印刷制程、一化学气相沉积制程、一物理气相沉积制程以及一溅镀制程。
其中，该真空真度制程为将该转印层40的材料加热升华，后沉积于上述的具有该耐热层20和该功能层30的该基底层10上且为沉积于该功能层30的该第四表面32上。
而该凹版印刷制程为将该转印层40的材料溶解于可溶的溶剂,如甲苯或氯苯等溶剂，固含量可介于0.5～5％之间。之后以K Printing Proofer凹版电动涂布机(广柏实业股份有限公司)使用135mesh或250mesh涂布于上述的具有该耐热层20和该功能层30的该基底层10上且为沉积于该功能层30的该第四表面32上。
其中该转印层40选自于该电洞注入材料、该电洞传输材料、该红蓝绿发光材料、该电子传输材料、该电子注入材料、该金属奈米材料(如Ag nanowire)、该奈米碳管导电材料所组成的群组的其中之一或其组合。且该转印层40的厚度范围为20～200nm。
其中该转印层40为该阳极电极、该电洞注入层、该电洞传输层、该发光层、该电子传输层、该电子注入层及该阴极电极。
而，该阳极电极和该阴极电极一般用导电材料形成，如该金属、该合金、该金属化合物、该金属氧化物、该电活性材料、该导电分散体及该导电聚合物。例如包括金、铂、钯、铝、钙、钛、氮化钛、氧化铟锡(ITO)、氧化氟锡(FTO)和聚苯胺(Polyaniline)等。
其中该电洞注入层选自该芳香胺(arylamines)有机材料、该离聚物的聚合物(如PEDOT:PSS)、及该P-dopant材料所组成的群组的其中之一或其组合。
而该电洞传输层选自该芳香胺(arylamines)有机材料及该苯基芳基胺(Phenylarylamines)有机材料所组成的群组的其中之一或其组合。
而该发光层选自该荧光有机材料、该磷光有机材料、该含热活化型延迟荧光(TADF)的有机材料、该重金属(如铱、铂、银、锇及铅等)错合物有机材料、该有机多苯环材料、该多环芳香族碳氢化合物材料(polycyclic aromatic hydrocarbon)、该蓝色发光材料、该绿色发光材料、该红色发光材料及该电致发光材料所组成的群组的其中之一或其组合。
再者，该电子传输层选自该有机杂环材料、该恶二唑(oxadiazole)衍生物材料、该金属螯合物材料、该唑基(azole-based)衍生物材料、该喹啉(quinolone)衍生物材料、该喹喔啉(quinoxaline)衍生物材料、该二氮葱(Anthrazoline)衍生物材料、该邻二氮菲(Phenanthrolines)衍生物材料、该噻咯(Siloles)衍生物材料及该氟化苯衍生物材料所组成的群组的其中之一或其组合。而该电子注入层选自该N-dopant材料、该金属错合物及该金属化合物(如该碱金属化合物及该碱土金属化合物等)所组成的群组的其中之一或其组合。
接着，请参阅图5，其为本发明的一绿光材料实施例的结果图。本实施例选用CBP:7％Ir(ppy)3(4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl：Tris(2-phenylpyridine)iridium(III))的发光材料以该真空蒸镀制程蒸镀于该热转印膜1(Donor Film)的该功能层30上并作为该转印层40(约～50nm)。使用TPH(Thermal Print Head)加热并转印至一基板(Sub)上，该基板为PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate))，约～30nm。如图所示，经重复实验后，厚度(THK)为间，转印率(Transfer％)皆大于99％。
再者，请参阅图6，其为本发明的一蓝光材料实施例的结果图。本实施例选用26DCzPPy+TCTA+FIrPic(2,6-Bis(3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)pyridine+4,4',4"-Tris(carbazol-9-yl)triphenylamine+bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)-iridium(III))的发光材料以一湿式涂布制程涂布于该热转印膜1(Donor Film)的该功能层30上并作为该转印层40(约～50nm)，使用TPH(Thermal PrintHead)加热并转印至该基板(Sub)上，该基板为PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate))，约～30nm。如图所示，经重复实验后，厚度(THK)为或间，转印率(Transfer％)皆大于95％。
再者，请参阅图7，其为本发明的一红光实施例的结果图。本实施例选用TCTA:Ir(PIQ)2acac(4,4',4"-Tris(carbazol-9-yl)triphenylamine：Bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate)iridium(III))的发光材料以该真空蒸镀制程蒸镀于该热转印膜1(Donor Film)的该功能层30上并作为该转印层40(约40nm)，使用TPH(Thermal Print Head)加热并转印至该基板(Sub)上，该基板为PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate))，约～30nm。如图所示，经重复实验后，厚度(THK)为间，转印率(Transfer％)皆大于99％。
上文仅为本发明的较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发明权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的权利要求范围内。

Claims (16)

1.一种制备有机发光二极管的热转印膜，其特征在于，其包含：
一基底层；
一耐热层，其设置于该基底层的一第一表面；
一功能层，其设置于该基底层的一第二表面，该功能层的一第三表面位于该第二表面之上；以及
一转印层，其设置于该功能层的一第四表面。
2.如权利要求1所述的制备有机发光二极管的热转印膜，其特征在于，其中该基底层选自于一聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、一聚酰亚胺(PI)及一聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)所组成的群组的其中之一或其组合。
3.如权利要求1所述的制备有机发光二极管的热转印膜，其特征在于，其中该基底层的厚度范围为 2~100 um。
4.如权利要求1所述的制备有机发光二极管的热转印膜，其特征在于，其中该耐热层的组成包含一硬脂酸镁、一酸式磷酸硬脂基酯锌盐及一醋酸丙酸纤维素。
5.如权利要求1所述的制备有机发光二极管的热转印膜，其特征在于，其中该耐热层的厚度范围为0.1~3 um。
6.如权利要求1所述的制备有机发光二极管的热转印膜，其特征在于，其中该功能层选自于一银金属、一铝金属及一镁金属所组成的群组的其中之一或其组合。
7.如权利要求1所述的制备有机发光二极管的热转印膜，其特征在于，其中该功能层选自于一三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、一聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinyl butyral)、一季戊四醇四硝酸酯(pentaerythritol tetranitrate)、一2,4,6-三硝基甲苯(trinitiotoluene)、一压克力树酯、一环氧树酯、一纤维素树酯、一聚乙烯醇缩丁醛(PVB)树酯及一聚氯乙烯(PVC)树酯所组成的群组的其中之一或其组合。
8.如权利要求1所述的制备有机发光二极管的热转印膜，其特征在于，其中该功能层的厚度范围为0.3~10 um。
9.如权利要求1所述的制备有机发光二极管的热转印膜，其特征在于，其中该转印层选自于一电洞注入材料、一电洞传输材料、一红蓝绿发光材料、一电子传输材料、一电子注入材料、一金属奈米材料、一奈米碳管导电材料所组成的群组的其中之一或其组合。
10.如权利要求1所述的制备有机发光二极管的热转印膜，其特征在于，其中该转印层选自于一芳香胺(arylamines)有机材料、一离聚物的聚合物、一P-dopant材料、一苯基芳基胺(Phenyl arylamines)有机材料、一荧光有机材料、一磷光有机材料、一含热活化型延迟荧光(TADF)的有机材料、一重金属错合物有机材料、一有机多苯环材料、一多环芳香族碳氢化合物材料(polycyclic aromatic hydrocarbon)、一蓝色发光材料、一绿色发光材料、一红色发光材料、一有机杂环材料、 一恶二唑(oxadiazole)衍生物材料、一金属螯合物材料、一唑基(azole-based)衍生物材料、一喹啉(quinolone)衍生物材料、一喹喔啉(quinoxaline)衍生物材料、一二氮葱(Anthrazoline)衍生物材料、一邻二氮菲(Phenanthrolines)衍生物材料、一噻咯(Siloles)衍生物材料、一氟化苯衍生物材料、一N-dopant材料、一金属、一合金、一金属错合物、一金属化合物、一金属氧化物、一电致发光材料及一电活性材料所组成的群组的其中之一或其组合。
11.如权利要求1所述的制备有机发光二极管的热转印膜，其特征在于，其中该转印层的厚度范围为 20~200 nm。
12.一种制备有机发光二极管的热转印膜的制备方法，其特征在于，其步骤包含：
涂布一耐热层溶液于一基底层的一第一表面形成一耐热层；
涂布一功能层溶液于该基底层的一第二表面形成一功能层，该功能层的一第三表面位于该第二表面之上；以及
进行一设置制程，一转印层设置于该功能层的一第四表面。
13.如权利要求12所述的制备有机发光二极管的热转印膜的制备方法，其特征在于，其中于涂布一耐热层溶液于一基底层的一第一表面形成一耐热层的步骤前，进一步包含步骤：
取一丁酮(MEK)、一甲苯(toluene)、一硬脂酸镁、一酸式磷酸硬脂基酯锌盐、一奈米改质土、一涂料添加剂、一阴离子界面活性剂、一醋酸丙酸纤维素及一分散剂形成一第一溶液；
取一脂肪醇聚氧乙烯醚及该丁酮(MEK)形成一第二溶液；以及
混合该第一溶液及该第二溶液。
14.如权利要求12所述的制备有机发光二极管的热转印膜的制备方法，其特征在于，其中于涂布一功能层溶液于该基底层的一第二表面形成一功能层，该功能层的一第三表面位于该第二表面之上的步骤前，进一步包含步骤：
取一三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、一聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinyl butyral)、一水性树脂、一1-甲氧基-2-丙醇(1-methoxy-2-propanol)及一丁酮(MEK)形成一第三溶液及取一UV固化剂及该丁酮(MEK)形成一第四溶液以及取一光起始剂及该丁酮(MEK)形成一第五溶液；
混合该第三溶液、该第四溶液及该第五溶液形成一配方液；以及
取该丁酮(MEK)稀释该配方液。
15.如权利要求12所述的制备有机发光二极管的热转印膜的制备方法，其特征在于，其中于进行一设置制程，一转印层设置于该功能层的一第四表面的步骤中，该设置制程为一真空蒸镀制程、一旋转涂布制程、一狭缝式涂布制程、一喷墨式印刷制程、一凹版印刷制程、一网版印刷制程、一化学气相沉积制程、一物理气相沉积制程以及一溅镀制程。
16.如权利要求12所述的制备有机发光二极管的热转印膜的制备方法，其特征在于，其中该基底层选自于一聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET) 、一聚酰亚胺(PI)及一聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)所组成的群组的其中之一或其组合。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111171162A (zh) * 2020-01-13 2020-05-19 福建农林大学 一种纤维素电子传输聚合物及其制备方法和应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1666356A (zh) * 2002-06-26 2005-09-07 3M创新有限公司 用于有机电致发光器件的缓冲层及其制造方法和应用
CN1695258A (zh) * 2002-10-31 2005-11-09 3M创新有限公司 有机发光显示元件的热转印
JP2006352143A (ja) * 2005-06-18 2006-12-28 Samsung Sdi Co Ltd 有機半導体のパターニング方法
CN103050636A (zh) * 2011-10-17 2013-04-17 海洋王照明科技股份有限公司 顶发射有机电致发光二极管及其制备方法
CN106611824A (zh) * 2015-10-27 2017-05-03 谦华科技股份有限公司 制作有机发光二极管的方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
KR100656490B1 (ko) * 2001-11-26 2006-12-12 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법
JP4053302B2 (ja) * 2002-02-01 2008-02-27 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造装置及び製造方法
JP4213616B2 (ja) * 2004-03-31 2009-01-21 大日本印刷株式会社 液晶パネル用ベースフィルム、液晶パネル用機能フィルム、機能フィルムの製造方法、および機能フィルムの製造装置
KR101223718B1 (ko) * 2005-06-18 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 나노 도전성 막의 패터닝 방법
JP2008262242A (ja) * 2006-01-31 2008-10-30 Canon Inc 画像形成方法ならびに該画像形成方法を用いた電子写真装置
JP2009076241A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5534151B2 (ja) * 2009-09-30 2014-06-25 大日本印刷株式会社 熱転写シート及び印画物
JP2011136508A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Sony Corp 熱転写シート
JP6717205B2 (ja) * 2015-01-28 2020-07-01 凸版印刷株式会社 感熱転写記録媒体
JP6102998B2 (ja) * 2015-08-07 2017-03-29 大日本印刷株式会社 熱転写シート

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1666356A (zh) * 2002-06-26 2005-09-07 3M创新有限公司 用于有机电致发光器件的缓冲层及其制造方法和应用
CN1695258A (zh) * 2002-10-31 2005-11-09 3M创新有限公司 有机发光显示元件的热转印
JP2006352143A (ja) * 2005-06-18 2006-12-28 Samsung Sdi Co Ltd 有機半導体のパターニング方法
CN103050636A (zh) * 2011-10-17 2013-04-17 海洋王照明科技股份有限公司 顶发射有机电致发光二极管及其制备方法
CN106611824A (zh) * 2015-10-27 2017-05-03 谦华科技股份有限公司 制作有机发光二极管的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111171162A (zh) * 2020-01-13 2020-05-19 福建农林大学 一种纤维素电子传输聚合物及其制备方法和应用
CN111171162B (zh) * 2020-01-13 2020-12-04 福建农林大学 一种纤维素电子传输聚合物及其制备方法和应用

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