JP2006352143A - 有機半導体のパターニング方法 - Google Patents
有機半導体のパターニング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006352143A JP2006352143A JP2006168894A JP2006168894A JP2006352143A JP 2006352143 A JP2006352143 A JP 2006352143A JP 2006168894 A JP2006168894 A JP 2006168894A JP 2006168894 A JP2006168894 A JP 2006168894A JP 2006352143 A JP2006352143 A JP 2006352143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- organic semiconductor
- derivatives
- carbon atoms
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/623—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing five rings, e.g. pentacene
Abstract
【解決手段】熱分解の可能な置換基を有する有機半導体前駆体を利用して湿式法でドナーフィルムを製造し、ドナーフィルムを利用して基材上にパターニングした後に熱処理を行って、前記有機半導体前駆体を有機半導体に転換させることによって有機半導体のパターニングを達成するパターニング方法。
【選択図】図1B
Description
本発明に係る方法によってパターニングを行うために、まず、熱分解性置換基を有する有機半導体前駆体を溶媒に溶解させて、有機半導体前駆体溶液を製造する。
前記のように製造された有機半導体前駆体溶液をベース基材に塗布及び乾燥して、ドナー基材を製造する。有機半導体前駆体溶液は、ベース基材上に均一に塗布することが望ましい。
前記ドナー基材における転写層をレセプター基材に転写するために、前記のように製造されたドナー基材をレセプター基材に密着させ、所望のパターンにそってエネルギーを加える。エネルギーとしては、有機半導体前駆体における熱分解性置換基を熱分解できるものであれば特に限定されないが、熱、光、圧力、および電気からなる群より選択される少なくとも1種が挙げられる。前記のように転写する過程で、転写と共に熱分解性置換基が熱分解されて、有機半導体前駆体が有機半導体へと変化する。
転写された転写層を熱処理するステップをさらに含みうる。前記のような方法によってレセプター基材上に転写された転写層に対して熱処理を行うことによって、転写過程で熱分解されずに残った前記有機半導体前駆体の置換基を熱分解し、有機半導体前駆体の残量を低減させることができる。前記熱処理条件は、特別に限定されず、除去される置換基の種類によって適切な条件を選択して行えるが、前記熱処理は、100ないし250℃の温度で0.5ないし30分間行われることが望ましい。前記熱処理温度が100℃未満であるか、前記熱処理時間が0.5分未満であれば、置換基の熱分解が不十分であるので、製造される素子の性能が不良となるおそれがあり、前記熱処理温度が250℃を超えるか、または前記熱処理時間が30分を超える場合には、熱分解効果が飽和する場合がある。
トルエン35gに、有機半導体前駆体として前記化学式1の化合物15gを入れて、60分間よく攪拌して十分に溶解させることによって、均一な有機半導体前駆体溶液を製造した。
実施例1と同じく製造したドナーフィルムを利用し、レセプター基材としては、ポリエチレンナフタレート(PEN)プラスチック基板を使用したことを除いては、実施例1と同じく有機半導体パターン膜を製造した。図2は、このように形成したパターンの光学顕微鏡写真である。
200 ベース基材、
500 付着増進層、
510 プライマー層、
520 光熱変換層、
530 中間層、
540 離型層、
600 緩衝層、
700 耐熱潤滑層。
Claims (18)
- ベース基材と、
前記ベース基材上に配置され、熱分解性置換基を有する有機半導体前駆体を含む転写層と、
を備えることを特徴とする有機半導体膜形成用のドナー基材。 - 前記熱分解性置換基を有する有機半導体前駆体は、
熱分解されることによって、ペンタセンと、テトラセンと、アントラセンと、ナフタレンと、オリゴチオフェン及びその誘導体と、チエノフェン及びその誘導体と、セクシチオフェン及びその誘導体と、オリゴフェニレン及びその誘導体と、チオフェニレンビニレン及びその誘導体と、ペリレン及びその誘導体と、ジオクスボリン及びその誘導体と、ルブレン及びその誘導体と、コロネン及びその誘導体と、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体と、ペリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体と、ナフタレンのオリゴアセン及びその誘導体と、金属を含むフタロシアニン及びその誘導体と、金属を含まないフタロシアニン及びその誘導体と、キノジメタン及びその誘導体と、ピロメリット酸二無水物及びその誘導体と、ピロメリット酸ジイミド及びその誘導体と、からなる群から選択された一種以上を形成する物質であることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体膜形成用のドナー基材。 - 前記熱分解性置換基を有する有機半導体前駆体は、熱分解されることによって、ペンタセンを形成する物質であることを特徴とする請求項2に記載の有機半導体膜形成用のドナー基材。
- 前記熱分解性置換基を有する有機半導体前駆体は、
N−スルホン酸基を導入されたペンタセン、化学式2で示される化合物、化学式3で示される化合物、化学式4で示される化合物、及び化学式5で示される化合物からなる群から選択された一種以上であることを特徴とする請求項3に記載の有機半導体膜形成用のドナー基材
R3及びR4は、それぞれ独立的に炭素数4ないし40のアルキル基、炭素数3ないし40のシリル基、炭素数3ないし40のシロキシル基であり、
Rは、N−スルホン酸基を導入されたペンタセン、前記化学式2の化合物、化学式3の化合物、及び化学式4の化合物からなる群より選択された化合物の誘導体であり、
nは30〜250の自然数であり、
X1、X2、X3及びX4は、それぞれ独立的に水素またはハロゲン元素であり、X1、X2、X3及びX4が同時に水素原子であることはない)。 - 前記熱分解性置換基は、炭素数3ないし40のエステル基、炭素数3ないし40のt−ブチルエステル基、炭素数3ないし40のt−ブチルシリル基及びN−スルホニルアミド基からなる群から選択された一種以上であることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体膜形成用のドナー基材。
- 光熱変換層、付着増進層、プライマー層、耐熱潤滑層、中間層、離型層及び緩衝層からなる群から選択される一種以上の層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体膜形成用のドナー基材。
- (a)熱分解性置換基を有する有機半導体前駆体を溶媒に溶解させて、有機半導体前駆体溶液を製造するステップと、
(b)前記有機半導体前駆体溶液をベース基材上に塗布及び乾燥して、ベース基材上に転写層を形成することによってドナー基材を得るステップと、
(c)前記ドナー基材をレセプター基材に接するように配置し、前記ドナー基材にエネルギーを加えて、前記レセプター基材上に転写層を転写することによって、パターニングされた有機半導体膜を得るステップと、
を含む有機半導体のパターニング方法。 - 前記レセプター基材上に転写された転写層を熱処理するステップをさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の有機半導体のパターニング方法。
- 前記熱処理は、100ないし250℃の温度で0.5ないし30分間行われることを特徴とする請求項8に記載の有機半導体のパターニング方法。
- 前記熱分解性置換基を有する有機半導体前駆体は、
熱分解されることによって、ペンタセンと、テトラセンと、アントラセンと、ナフタレンと、オリゴチオフェン及びその誘導体と、チエノフェン及びその誘導体と、セクシチオフェン及びその誘導体と、オリゴフェニレン及びその誘導体と、チオフェニレンビニレン及びその誘導体と、ペリレン及びその誘導体と、ジオクスボリン及びその誘導体と、ルブレン及びその誘導体と、コロネン及びその誘導体と、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体と、ペリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体と、ナフタレンのオリゴアセン及びその誘導体と、金属を含むフタロシアニン及びその誘導体と、金属を含まないフタロシアニン及びその誘導体と、キノジメタン及びその誘導体と、ピロメリット酸二無水物及びその誘導体と、ピロメリット酸ジイミド及びその誘導体と、からなる群から選択された一種以上を形成する物質であることを特徴とする請求項7に記載の有機半導体層のパターニング方法。 - 前記熱分解性置換基を有する有機半導体前駆体は、熱分解されることによって、ペンタセンを形成する物質であることを特徴とする請求項10に記載の有機半導体のパターニング方法。
- 前記熱分解性置換基を有する有機半導体前駆体は、
N−スルホン酸基を導入されたペンタセン、化学式2で示される化合物、化学式3で示される化合物、化学式4で示される化合物、及び化学式5で示される化合物からなる群から選択された一種以上であることを特徴とする請求項11に記載の有機半導体のパターニング方法
R3及びR4は、それぞれ独立的に炭素数4ないし40のアルキル基、炭素数3ないし40のシリル基、炭素数3ないし40のシロキシル基であり、
Rは、N−スルホン酸基を導入されたペンタセン、前記化学式2の化合物、化学式3の化合物、及び化学式4の化合物からなる群から選択された化合物の誘導体であり、
nは30〜250の自然数であり、
X1、X2、X3及びX4は、それぞれ独立的に水素またはハロゲン元素であり、X1、X2、X3及びX4が同時に水素原子であることはない)。 - 前記熱分解性置換基は、炭素数3ないし40のエステル基、炭素数3ないし40のt−ブチルエステル基、炭素数3ないし40のt−ブチルシリル基及びN−スルホニルアミド基からなる群から選択された一種以上であることを特徴とする請求項7に記載の有機半導体のパターニング方法。
- 前記エネルギーは、熱、光、圧力または電気であることを特徴とする請求項7に記載の有機半導体のパターニング方法。
- さらに光熱変換層、付着増進層、プライマー層、耐熱潤滑層、中間層、離型層及び緩衝層のうち少なくとも一種以上の層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項7に記載の有機半導体のパターニング方法。
- 前記有機半導体膜は、有機発光表示素子の電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、及び正孔注入層からなる群から選択される1種以上であることを特徴とする請求項7に記載の有機半導体のパターニング方法。
- 前記有機半導体膜は、有機TFTのチャンネル層であることを特徴とする請求項7に記載の有機半導体のパターニング方法。
- 請求項7ないし請求項17の何れか1項に記載の方法で製造した有機半導体膜を備えた平板表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2005-0052720 | 2005-06-18 | ||
KR1020050052720A KR101174871B1 (ko) | 2005-06-18 | 2005-06-18 | 유기 반도체의 패터닝 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006352143A true JP2006352143A (ja) | 2006-12-28 |
JP5390061B2 JP5390061B2 (ja) | 2014-01-15 |
Family
ID=37519725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006168894A Active JP5390061B2 (ja) | 2005-06-18 | 2006-06-19 | 有機半導体のパターニング方法および有機半導体膜形成用のドナー基材 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8057848B2 (ja) |
JP (1) | JP5390061B2 (ja) |
KR (1) | KR101174871B1 (ja) |
CN (1) | CN1881644B (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010016331A1 (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-11 | 東レ株式会社 | デバイスの製造方法 |
JP2010034367A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sony Corp | 有機半導体薄膜の形成方法および薄膜半導体装置の製造方法 |
JP2010086840A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Toray Ind Inc | パターニング方法およびこれを用いたデバイスの製造方法 |
WO2010084852A1 (ja) * | 2009-01-23 | 2010-07-29 | 東レ株式会社 | 発光素子材料および発光素子 |
JP2011071501A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-04-07 | Ricoh Co Ltd | 有機電子デバイスの製造方法および有機電子デバイス |
WO2011065015A1 (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-03 | 出光興産株式会社 | 有機半導体材料含有組成物及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ |
WO2011068083A1 (ja) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | 東レ株式会社 | 有機el素子および有機el素子の製造方法 |
WO2011158953A1 (en) | 2010-06-15 | 2011-12-22 | Ricoh Company, Ltd. | Leaving substituent-containing compound, organic semiconductor material formed therefrom, organic electronic device, organic thin-film transistor and display device using the organic semiconductor material, method for producing film-like product, pi-electron conjugated compound and method for producing the pi-electron conjugated compound |
JP2012020987A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-02-02 | Ricoh Co Ltd | 置換基脱離化合物とそれから得られる有機半導体材料、それを用いた有機電子デバイス、有機薄膜トランジスタおよびディスプレイ装置 |
JP2012109638A (ja) * | 2008-06-16 | 2012-06-07 | Toray Ind Inc | デバイス |
JP2012216669A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Ricoh Co Ltd | 芳香環を有するπ電子共役系化合物を含有する膜状体の製法、及び該π電子共役系化合物の製法 |
JP2013138173A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-07-11 | Ricoh Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US8680296B2 (en) | 2009-09-11 | 2014-03-25 | Ricoh Company, Ltd. | Leaving substituent-containing compound, products produced using the same, and methods for producing the products |
CN110239247A (zh) * | 2018-03-09 | 2019-09-17 | 谦华科技股份有限公司 | 制备有机发光二极管的热转印膜及其制备方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7932128B2 (en) * | 2007-06-29 | 2011-04-26 | International Business Machines Corporation | Polymeric material, method of forming the polymeric material, and method of forming a thin film using the polymeric material |
FR2920912B1 (fr) * | 2007-09-12 | 2010-08-27 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Procede de fabrication d'une structure par transfert de couche |
TWI469224B (zh) | 2008-10-20 | 2015-01-11 | Ind Tech Res Inst | 有機薄膜電晶體及其製造方法 |
US9260443B2 (en) * | 2011-01-04 | 2016-02-16 | The Regents Of The University Of California | Organic electronic devices prepared using decomposable polymer additives |
US10991894B2 (en) | 2015-03-19 | 2021-04-27 | Foundation Of Soongsil University-Industry Cooperation | Compound of organic semiconductor and organic semiconductor device using the same |
KR102038124B1 (ko) | 2016-06-27 | 2019-10-29 | 숭실대학교산학협력단 | 유기 반도체 소자의 제조 방법 |
TWI671931B (zh) * | 2018-03-19 | 2019-09-11 | 謙華科技股份有限公司 | 使用熱轉印膜製備有機發光二極體之方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003017261A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-17 | Sony Corp | 電界発光素子の製造方法及びその装置 |
JP2003531756A (ja) * | 2000-05-03 | 2003-10-28 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 架橋した材料の熱転写 |
JP2004146575A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ素子 |
JP2004247716A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-09-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 積層体の製造方法 |
WO2004087434A1 (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-14 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Processes and donor elements for transferring thermally sensitive materials to substrates |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9018698D0 (en) * | 1990-08-24 | 1990-10-10 | Lynxvale Ltd | Semiconductive copolymers for use in electroluminescent devices |
US6165383A (en) * | 1998-04-10 | 2000-12-26 | Organic Display Technology | Useful precursors for organic electroluminescent materials and devices made from such materials |
JP2003017248A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-17 | Sony Corp | 電界発光素子 |
US6699597B2 (en) * | 2001-08-16 | 2004-03-02 | 3M Innovative Properties Company | Method and materials for patterning of an amorphous, non-polymeric, organic matrix with electrically active material disposed therein |
EP1417866A1 (en) | 2001-08-16 | 2004-05-12 | 3M Innovative Properties Company | Method and materials for patterning of a polymerizable, amorphous matrix with electrically active material disposed therein |
US6963080B2 (en) | 2001-11-26 | 2005-11-08 | International Business Machines Corporation | Thin film transistors using solution processed pentacene precursor as organic semiconductor |
US6918982B2 (en) * | 2002-12-09 | 2005-07-19 | International Business Machines Corporation | System and method of transfer printing an organic semiconductor |
US20040151829A1 (en) * | 2003-01-31 | 2004-08-05 | Eastman Kodak Company | Optimizing OLED emission |
DE10357044A1 (de) * | 2003-12-04 | 2005-07-14 | Novaled Gmbh | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten |
-
2005
- 2005-06-18 KR KR1020050052720A patent/KR101174871B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-06-16 CN CN200610092596.8A patent/CN1881644B/zh active Active
- 2006-06-16 US US11/453,930 patent/US8057848B2/en active Active
- 2006-06-19 JP JP2006168894A patent/JP5390061B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003531756A (ja) * | 2000-05-03 | 2003-10-28 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 架橋した材料の熱転写 |
JP2003017261A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-17 | Sony Corp | 電界発光素子の製造方法及びその装置 |
JP2004146575A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ素子 |
JP2004247716A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-09-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 積層体の製造方法 |
WO2004087434A1 (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-14 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Processes and donor elements for transferring thermally sensitive materials to substrates |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN5007019966; HERWIG P T: ADVACED MATERIALS V11 N6, 19990416, P480-483, WILEY VCH * |
JPN5007019967; BROWN A R: SCIENCE V270, 19951110, P972-974, AMERICAN ASSOCIATION FOR THE 以下参照 * |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012109638A (ja) * | 2008-06-16 | 2012-06-07 | Toray Ind Inc | デバイス |
KR101529111B1 (ko) * | 2008-06-16 | 2015-06-16 | 도레이 카부시키가이샤 | 패터닝 방법, 이것을 사용한 디바이스의 제조방법 및 디바이스 |
CN101640252B (zh) * | 2008-07-30 | 2011-11-09 | 索尼株式会社 | 有机半导体薄膜的形成方法及薄膜半导体装置的制造方法 |
US8222096B2 (en) | 2008-07-30 | 2012-07-17 | Sony Corporation | Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device |
JP4552160B2 (ja) * | 2008-07-30 | 2010-09-29 | ソニー株式会社 | 有機半導体薄膜の形成方法および薄膜半導体装置の製造方法 |
JP2010034367A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sony Corp | 有機半導体薄膜の形成方法および薄膜半導体装置の製造方法 |
WO2010016331A1 (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-11 | 東レ株式会社 | デバイスの製造方法 |
JP5177145B2 (ja) * | 2008-08-05 | 2013-04-03 | 東レ株式会社 | デバイスの製造方法 |
JP2010086840A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Toray Ind Inc | パターニング方法およびこれを用いたデバイスの製造方法 |
JP5408124B2 (ja) * | 2009-01-23 | 2014-02-05 | 東レ株式会社 | 発光素子材料および発光素子 |
WO2010084852A1 (ja) * | 2009-01-23 | 2010-07-29 | 東レ株式会社 | 発光素子材料および発光素子 |
JP2011071501A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-04-07 | Ricoh Co Ltd | 有機電子デバイスの製造方法および有機電子デバイス |
EP2975017A1 (en) | 2009-09-11 | 2016-01-20 | Ricoh Company, Ltd. | Leaving substituent-containing compound, organic semiconductor material, organic semiconductor film containing the material, organic electronic device containing the film, method for producing film-like product, pi-electron conjugated compound and method for producing the pi-electron conjugated compound |
US9224959B2 (en) | 2009-09-11 | 2015-12-29 | Ricoh Company, Ltd. | Method for producing a pi-electron conjugated compound |
US9123896B2 (en) | 2009-09-11 | 2015-09-01 | Ricoh Company, Ltd. | Organic electronic device containing an organic semiconductor material film which contains a leaving substituent-containing compound |
US8680296B2 (en) | 2009-09-11 | 2014-03-25 | Ricoh Company, Ltd. | Leaving substituent-containing compound, products produced using the same, and methods for producing the products |
WO2011065015A1 (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-03 | 出光興産株式会社 | 有機半導体材料含有組成物及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ |
JPWO2011065015A1 (ja) * | 2009-11-30 | 2013-04-11 | 出光興産株式会社 | 有機半導体材料含有組成物及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ |
JPWO2011068083A1 (ja) * | 2009-12-03 | 2013-04-18 | 東レ株式会社 | 有機el素子および有機el素子の製造方法 |
CN102640317A (zh) * | 2009-12-03 | 2012-08-15 | 东丽株式会社 | 有机el元件及有机el元件的制造方法 |
WO2011068083A1 (ja) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | 東レ株式会社 | 有機el素子および有機el素子の製造方法 |
JP2012020987A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-02-02 | Ricoh Co Ltd | 置換基脱離化合物とそれから得られる有機半導体材料、それを用いた有機電子デバイス、有機薄膜トランジスタおよびディスプレイ装置 |
WO2011158953A1 (en) | 2010-06-15 | 2011-12-22 | Ricoh Company, Ltd. | Leaving substituent-containing compound, organic semiconductor material formed therefrom, organic electronic device, organic thin-film transistor and display device using the organic semiconductor material, method for producing film-like product, pi-electron conjugated compound and method for producing the pi-electron conjugated compound |
JP2012216669A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Ricoh Co Ltd | 芳香環を有するπ電子共役系化合物を含有する膜状体の製法、及び該π電子共役系化合物の製法 |
JP2013138173A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-07-11 | Ricoh Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CN110239247A (zh) * | 2018-03-09 | 2019-09-17 | 谦华科技股份有限公司 | 制备有机发光二极管的热转印膜及其制备方法 |
JP2019160771A (ja) * | 2018-03-09 | 2019-09-19 | チェン ファ コーティング テクノロジー,インコーポレイテッド | 有機発光ダイオードの準備のための熱転写フィルムおよび同フィルムの準備方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060132395A (ko) | 2006-12-21 |
CN1881644B (zh) | 2014-04-16 |
KR101174871B1 (ko) | 2012-08-17 |
JP5390061B2 (ja) | 2014-01-15 |
US20060286314A1 (en) | 2006-12-21 |
US8057848B2 (en) | 2011-11-15 |
CN1881644A (zh) | 2006-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5390061B2 (ja) | 有機半導体のパターニング方法および有機半導体膜形成用のドナー基材 | |
KR101223718B1 (ko) | 나노 도전성 막의 패터닝 방법 | |
CN102515135B (zh) | 制备碳薄膜的方法、包含碳薄膜的电子器件和电化学器件 | |
JP4904063B2 (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
Kim et al. | Organic TFT array on a paper substrate | |
TWI472079B (zh) | 高解析度有機薄膜圖案之製造方法 | |
CN102800774B (zh) | 碳薄膜的制法、及各自包括其的电子器件和电化学器件 | |
JP4588999B2 (ja) | IR/NIR放射を使用して有機発光ダイオード(PLEDs)に使用される、有機半導体または有機導電体を含む薄層を生成する方法 | |
US8999749B2 (en) | Method for manufacturing organic semiconductor element, and organic semiconductor element | |
CN1828963A (zh) | 薄膜晶体管、其制备方法以及使用该晶体管的平板显示器 | |
KR20050023001A (ko) | 평판표시소자용 도너필름 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법 | |
US20190181352A1 (en) | Method for preparing organic film, organic light emitting diode, and display device | |
TW201330342A (zh) | 有機薄膜電晶體及其製造方法 | |
US7687153B2 (en) | Donor substrate for laser transfer and organic electroluminescence display device manufactured using the same | |
JP2013543251A (ja) | プリンテッドエレクトロニクスにおける両親媒性タンパク質 | |
KR101172187B1 (ko) | 스프레이 방식을 이용한 박막트랜지스터 및 전자회로를 제조하는 방법 | |
US20050048316A1 (en) | Donor film for organic electroluminescent display device, method thereof, and organic electroluminescent display device using the same as donor film | |
KR20120135603A (ko) | 바코팅을 이용한 유기반도체 박막의 제조방법 | |
KR101803759B1 (ko) | 빛을 이용한 패턴 제조방법 | |
JP2013065653A (ja) | π電子共役化合物前駆体を用いた光電変換素子及びその製造方法 | |
KR102047102B1 (ko) | 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 | |
KR101061046B1 (ko) | 유기발광 트랜지스터의 제조방법 | |
Tsai et al. | Multi-solution processes of small molecule for flexible white organic light-emitting diodes | |
KR100685401B1 (ko) | 레이저 전사용 도너 기판 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자의 제조 방법 | |
KR20180131315A (ko) | 전하주입층이 포함된 전자소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081201 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120605 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120904 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120912 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121107 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130508 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130723 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130826 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130910 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131010 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5390061 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |