TWI472079B - 高解析度有機薄膜圖案之製造方法 - Google Patents
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Description
本實施例是有關於一種有機薄膜圖案之製造方法，特別是實現一種簡易製程、高穩定性以及低成本的高解析度有機薄膜圖案之製造方法。
由於有機物質可以透過簡單結合其他材料與加工，進而顯現出想要的光電特性。也因此有機物質被視為製作下一世代高效能低成本電子元件的適合材料。
雖然低分子量有機材料已經被透過使用真空沉積法來製造有機發光顯示元件或有機薄膜電晶體。但由於真空處理法以及蔽蔭遮罩解析度限制，因此有不易製造的問題。於數個高解析度有機薄膜圖案之製造方法的實施例除了可克服前述的問題外，更具有多個額外的優點。
有鑑於上述習知技藝之問題，於實施例中提供一種實現簡單製程、高穩定度以及低成本的高解析度有機薄膜圖案之製造方法。
根據一實施例之一目的，提出一種形成有機薄膜圖案之製造方法。此方法包含：在一基板上形成一第一有機層；藉由向第一有機
層選擇性地幅照光能，以選擇性地移除第一有機層之一部分，並使第一有機層之其餘部分成為一犧牲層；在基板上與犧牲層之全部表面上形成一第二有機層；以及使用一溶劑移除犧牲層以剝離形成於犧牲層上之第二有機層，並使第二有機層之其餘部分成為一第二有機層圖案。
在形成該第一有機層之步驟中，第一有機層可包含一氟基聚合物。
在選擇性地移除第一有機層之步驟中，係使用一雷射消融法在第一有機層上之一光罩上幅照一雷射，且此光罩具有一預設圖案。
在選擇性地移除第一有機層之步驟中，可幅照一準分子雷射。
形成第二有機層之步驟中，此第二有機層可由一有機發光裝置(OLED)之一有機發光材料所形成，此有機發光二極體設置於基板的一第一電極與一第二電極間。
可形成不同發光顏色的該有機發光材料之複數層以發射出白光。
在形成第二有機層之步驟中，此有機層可為一有機薄膜電晶體之一活化層。
在形成第二有機層之步驟中，此第二有機層可包含一有機彩色濾光材料。
在形成第二有機層之步驟中，可使用一沉積法形成此第二有機層。
在剝離第二有機層之步驟中，此溶劑可為一氟基溶劑。
根據一實施例之另一目的，提出一種形成有機薄膜圖案之方法。此方法包含：(a)在一基板上形成一第一有機層；(b)藉由向第一有機層選擇性地幅照光能，以選擇性地移除此第一有機層之一部分，並使第一有機層之其餘部分成為一犧牲層；(c)在基板上與犧牲層之全部表面上形成一第二有機層；(d)使用一溶劑移除犧牲層以剝離形成於此犧牲層上之第二有機層，並使第二有機層之其餘部分成為一第二有機層圖案；以及(e)當第二有機層圖案形成時重複進行步驟(a)至步驟(d)，以於此基板上不具有第二有機層圖案的區域形成另一第二有機層圖案。
在形成第一有機層之步驟中，此第一有機層係包含一氟基聚合物。
在選擇性地移除第一有機層之步驟中，可使用一雷射消融法在第一有機層上之一光罩上幅照一雷射，且此光罩具有一預設圖案。
在選擇性地移除第一有機層之步驟中，可幅照一準分子雷射。
其中在形成第二有機層之步驟中，此第二有機層可由一有機發光二極體之一有機發光材料所形成，此有機發光二極體設置於一第一電極與一第二電極間的基板上。
有機發光材料可包含一低分子量材料。
在某些實施例中，在第二有機層形成期間形成有機發光材料，其與重複進行步驟(a)至步驟(d)期間形成有機發光材料的發射光顏色不同。
第二有機層形成期間形成的有機發光材料，且重複進行步驟(a)
至步驟(d)期間形成的有機發光材料可實現全彩光。
在形成第二有機層之步驟中，此第二有機層可包含一彩色濾光片材料。
在第二有機層形成期間形成彩色濾光材料，與重複進行步驟(a)至步驟(d)期間形成彩色濾光材料的發射光顏色不同。
第二有機層形成期間形成的彩色濾光材料，且重複進行步驟(a)至步驟(d)期間形成的彩色濾光材料可實現全彩光。
在形成第二有機層之步驟中，此第二有機層可使用一沉積法所形成。
剝離第二有機層，溶劑可為氟基溶劑。而且，步驟(e)可重複執行一預設次數。
110‧‧‧基板
130‧‧‧第一有機層、氟基聚合物薄膜
131‧‧‧犧牲層圖案區域
133‧‧‧第一部份
150‧‧‧第二有機層
151‧‧‧部份層
153‧‧‧部份層、預設圖案
210‧‧‧基板
220‧‧‧閘極電極
221‧‧‧閘極絕緣層
230‧‧‧第一有機層、氟基聚合物薄膜
231‧‧‧犧牲層圖案區域
233‧‧‧第一有機層的部份
250‧‧‧第二有機層
251‧‧‧部份層
253‧‧‧部份層
261‧‧‧源極電極
262‧‧‧汲極電極
330、333‧‧‧氟基聚合物膜
331‧‧‧第二犧牲層圖案
350‧‧‧第三有機層
351‧‧‧部分層
353‧‧‧部分層、預設圖案
R‧‧‧紅
G‧‧‧綠
B‧‧‧藍
M1‧‧‧第一光罩
M1a‧‧‧光阻擋部
M1b‧‧‧光穿透部
M2‧‧‧第二光罩
M2a‧‧‧光阻擋部
M2b‧‧‧光穿透部
藉由敘述詳細的例示性實施例並參照附圖，使得上述和其他特徵及優點對於此領域通常知識者為明顯的，其圖式為：第1A圖至第1D圖其係說明形成有機薄膜圖案的方法之一實施例之橫切面示意圖；第2A圖至第2D圖其係說明形成有機薄膜電晶體之有機半導體的方法之一實施例之橫切面示意圖；第3A圖至第3D圖其係說明第1A圖至第1D圖之形成有機薄膜圖案後敘流程之一實施例之橫切面示意圖；第4圖其係依據一實施例，說明在基板上形成包含不同顏色發射光的有機發光層(紅、綠及藍)之有機發光元件；第5圖其係為使用光學顯微鏡觀察根據本實施例之有機薄膜圖案
製造方法所製造之不同有機材料製造之精細陣列之照片；第6圖其係依據一實施例，說明使用光學顯微鏡觀察連續使用單位有機薄膜圖案製程之像素陣列，此像素陣列具有不同波長的發射光；以及第7圖其係為使用本實施例之有機發光元件製造方法與習知蔭罩製造方法所製造的有機發光特性比較圖表。
下文中，例示性實施例將參照附圖而詳述。
請參閱第1A圖至第1D圖，其係說明形成有機薄膜圖案的方法之一實施例之橫切面示意圖。在第1A圖中，在一基板110上形成一個預期有機薄膜圖案。此形成有機薄膜圖案的方法包含在基板110上形成一第一有機層130。
此基板110可包含多種材料。例如，玻璃基板可包含主成分SiO2、塑膠基材或金屬箔等材料。
氟基聚合物薄膜可藉由深塗佈法(Deep Coating Method)或旋轉塗佈法(Spin Coating Method)等方式形成於此基板110上。此氟基聚合物薄膜可包含方程式1至方程式3(如下所示)之任何一種材料。且此氟基聚合物薄膜可為含氟量約為10%至50%的功能材料。
方程式1：
(其中，n為50至1000的整數)
(其中，m為50至1000的整數，n為50至1000的整數)
(其中，n為50至1000的整數)
若以低沸點的氟化溶劑來融解此氟基聚合物薄膜，可用深塗佈法來形成具有數十奈米級與數微米級均勻厚度的薄膜。並且對於此厚度等級的有機薄膜圖案來說，對於調控犧牲層(以下將會在詳
加敘述)厚度也是非常有效。
在第1B圖中，透過向氟基聚合物薄膜130選擇性地幅照光能，可選擇性地移除氟基聚合物薄膜130之一部分。在此，氟基聚合物薄膜為前述的第一有機層130。
且可使用第一有機層130之其餘部分形成一犧牲層圖案區域131。在這一點而言，可使用雷射來幅照光能。此外，藉由雷射消融法使用雷射照射第一有機層130上之第一光罩M1，可選擇性地移除第一有機層130的一第一部份133。其中，此第一光罩M1具有一預設圖案。
第一光罩M1包含光阻擋部M1a與光穿透部M1b，且光阻擋部M1a與光穿透部M1b均設置在第一有機層130之上。第一有機層130之第一部份133吸收通過第一光罩的光穿透部M1b之雷射光，經由熱擴散而剝離第一有機層130的第一部份133。而第一有機層130之犧牲層圖案131由於沒有受到雷射的照射而保存下來，因此可形成犧牲層圖案(以下將會在詳加敘述)。
雖然光罩具有用來選擇性部份移除第一有機層130的預設圖案，但本實施例不僅限於此。亦即，雖然光照可用於取得高解析度圖案，但亦可直接使用雷射照射第一有機層130，而不使用光罩。
在第1C圖中，當犧牲層131形成時，在基板110的整個表面(包含犧牲層131的表面)形成一第二有機層150。
雖然第二有機層150可透過沉積方式形成，但本實施例並不僅限於此。此第二有機層150可用多種方式形成，例如噴墨印刷法(Ink Jet Printing)、絲網印刷法(Screen Printing)或雷射轉
寫法(Laser Induced Thermal Imaging,LITI)等等方式形成。此第二有機層150包含兩部份層151、153。其中一部份層153形成於沒有犧牲層131的基板110之上方，而另一部份層151則形成於犧牲層131的上方。
如前所述，第二有機層150可包含多種材料。例如第二有機層150可包含有機發光材料、有機彩色濾光材料或有機半導體材料等等。這些將會稍後仔細說明。
在第1D圖中，第二有機層150的預設圖案153可透過使用溶劑(圖中未示)來形成。
若使用氟基聚合物膜作為第一有機層130，則可使用氟基溶劑作為溶劑。在本實施例中，則可使用HFE-7100(3MTM NOVEC,St.Paul,Minnesota)作為該溶劑。如17族鹵素元素(Group 17 Halogen Elements)總體上不會與不同於鹵素元素的材料反應。藉由如此的化學特性，氟基溶劑不會破壞第二有機層150，而可形成一圖案。
通過使用氟基溶劑移除犧牲層131，形成於犧牲層131上的第二有機層151即可剝離。因此，第二有機層151之另一部份層153即可被保留下來成為基板110上的圖案。
形成一有機薄膜圖案之另一實施例將於第2A圖至第2D圖詳述。
請參閱第2A圖至第2D圖，其係說明形成有機薄膜電晶體之有機半導體的方法之另一實施例之橫切面示意圖。
在第2A圖中，在一基板210上形成一第一有機層230、一閘極電極
220以及一閘極絕緣層221。
此閘極電極220可透過一般的光微影製程而形成。例如，在基板210上沉積一閘極金屬層；再於具有沉積部份的基板210上塗佈光阻；以及藉由一光罩(圖中未示)將光阻曝光以得到預設的圖案。使用蝕刻製程的方式可製造出閘極絕緣層221。而蝕刻製程為將曝光後之光阻浸潤於一顯影液中；顯影潤濕後的光阻；以及形成一預設光阻圖案。此閘極絕緣層221是形成於閘極電極220的上方。在此，第一有機層230為氟基聚合物薄膜。且在閘極絕緣層221上塗佈氟基聚合物薄膜至一預設厚度。
在第2B圖中，透過向氟基聚合物膜選擇性地幅照光能，以選擇性地消融氟基聚合物膜230。在此，氟基聚合物薄膜為第一有機層230。以及將第一有機層230之其餘部分形成一犧牲層圖案區域231。在這一點而言，如前所述，可使用雷射來幅照光能。例如，可使用準分子雷射來幅照光能。
在此，選擇不使用光罩(圖中未示)，而是直接使用準分子脈衝雷射照射第一有機層230之一部份233。與前面所述的原理相同，亦可透過使用雷射照射第一有機層230上的光罩，可選擇性地消融第一有機層230的部份233。其中，此光罩具有一預設圖案。
在第2C圖中，在閘極絕緣層221的整個表面上形成一第二有機層250，其中犧牲層231形成在閘極絕緣層221上。
此第二有機層250可由有機半導體材料所形成。當此第二有機層250包含有機聚合物材料時，此有機半導體可包含聚塞吩(Polythiophene)及其衍生物、聚對伸苯基伸乙烯基
(Poly-P-Phenylenevinylene)及其衍生物、聚對伸苯基(Poly-Paraphenylene)及其衍生物、聚丙烯(Polyprolene)及其衍生物、聚伸苯基伸乙烯基(Polyphenylenevinylene)及其衍生物、以及聚塞吩-異芳香環(polythiophene-hetero ring)共聚合物及其衍生物。當第二有機層250是由低分子量有機材料形成時，前述有機半導體材料可為稠五苯(Pentacene)、稠四苯(Tetracene)、萘的寡並苯(Oligoacene of Naphthalene)及其衍生物、α-6-塞吩(Alpha-6-thiophene)、α-5-塞吩的寡塞吩(Oligothiophene of Alpha-5-thiophene)及其衍生物、無金屬或含金屬酞菁及其衍生物、苯均四酸二酐(Pyromellitic Dianhydride)或苯均四酸二亞醯胺(Pyromellitic Diimide)及其衍生物、苝四羧酸二酸酐(Perylene Tetra Carboxylic Acid Dianhydride)或苝四羧二亞醯胺(Perylene-tetracarboxylic Diimide)及其衍生物。此外，第二有機層250可包含多種不同的有機半導體材料。
此第二有機層250包含兩部份層251、253。其中一部份層253形成於沒有犧牲層231的閘極絕緣層221之上方，而另一部份層251則形成於犧牲層231的上方。
在第2D圖中，通過使用氟基溶劑(圖中未示)移除犧牲層231，形成於犧牲層231上的第二有機層251即可移除。因此，所欲之有機半導體層253即可被保留下來成為閘極絕緣層221上的圖案。如前所述，此有機半導體層253具有實質上不與氟基溶劑反應的敏感化學特性，而可穩定的圖案化。源極電極261與汲極電極262可形成於機半導體層250之另一部份層253的兩側。因此，有機薄膜電
晶體(OTFT，其為有機半導體元件之一種)即可形成。
儘管目前的光微影技術與設備可進行高解析度與大面積製程，但光微影技術通常是應用於製造非有機半導體元件，而非廣泛的應用於製造有機半導體元件。化學溶劑與有機材質的化學相容性問題則是未能廣泛應用的一個原因。在進行有機半導體製程期間，使用溶劑來塗佈或顯影一光阻劑(PR)時，此溶劑通常會損壞或惡化有機材質或有機材質的特性。
然而根據此形成有機薄膜圖案方法之實施例，使用氟基溶劑形成有機薄膜圖案，不會損壞有機材質或有機材質的特性。再者，也無須額外的化學顯影製程，因此整體製作流程非常單純。依據此實施例，可藉由光學方法移除犧牲層，以及使用雷射消融法形成圖案。藉此，可製作高解析度的有機薄膜圖案。
傳統底閘極薄膜電晶體的閘極電極220設置在有機半導體層253下方。源極電極261與汲極電極262形成在有機半導體層253上，其將於稍後之內容清楚敘述。藉此，可作為不同類型與不同結構有機薄膜電晶體的典範。
在本實施例中，使用有機半導體材料形成第二有機層。雖然使用第二有機層製作有機薄膜電晶體，但本實施例並不以此為限。例如，此第二有機層亦可用於製作有機發光元件。此有機發光元件包含多種堆疊於陰極與陽極之間的有機發光材料，各發光材料具有不同顏色的發射光，藉此激發光元件可發射出白光。例如，使用一氟基聚合物薄膜形成一犧牲層，並以此犧牲層作為一第一有機層。其中，此第一有機層形成於具有一陽極(或一陰極)的基板
上方。在犧牲層之全部表面上依序堆疊多個有機發光層，且各有機發光層可分別可發出不同顏色的發射光，如紅光、藍光以及綠光。透過使用氟基溶劑，即可移除犧牲層與犧牲層上各不同顏色發射光之有機發光層。其中，此基板上已經形成了前述的陰極(或是陽極)。藉此，即可製作可發出白光之有機發光元件。
形成一有機薄膜圖案之另一實施例將於第3A圖至第3D圖詳述。
請參閱第3A圖至第3D圖，其係說明第1A圖至第1D圖之形成有機薄膜圖案後續流程之一實施例之橫切面示意圖。
在第3A圖中，再一次使用氟基聚合物膜330塗佈於基板110上。如前所述，經歷了第1A圖至第1D圖中之第一單位有機薄膜製程，第二有機層圖案153已經形成於此基板110上。
在第3B圖中，選擇性地向氟基聚合物膜330輻照光能，以選擇性消融部分氟基聚合物膜330。藉此，未被消融的氟基聚合物膜330可作為第二犧牲層圖案331。其中，第二犧牲層圖案331是形成於第二有機層圖案153的上方，且此第二有機層圖案153是在第一單元有機薄膜圖案形成過程中形成。
當第二光罩M2用於形成上述的第二犧牲層圖案331時，第二光罩M2包含光阻擋部M2a與光穿透部M2b，且光阻擋部M2a設置在第二有機層153之上，光穿透部M2b均設置在不具有第二有機層153的區域上方。藉由在第二光罩M2上方照射雷射後，透過選擇性的部分消融氟基聚合物薄膜330，氟基聚合物薄膜333中不具有第二有機層圖案153的區域則被選擇性地移除；而氟基聚合物薄膜333中具有第二有機層圖案153的區域則被保存下來作為第二犧牲層圖
案331。
在第3C圖中，在基板110的全部表面形成一第三有機層350。在此，第二犧牲層331已經於基板110表面上。第三有機層350可透過沉積流程形成於基板110的表面，且此第三有機層350可包含兩部分層351、353。其中一部份層353形成於沒有第二犧牲層331的基板110之上方，而另一部份層351則形成於第二犧牲層331的上方。
如前所述，此第三有機層350可包含多種物質。舉例而言，第三有機層350可包含有機發光材料、有機彩色濾光材料以及有機半導體材料。這些將會稍後仔細說明。
在第3D圖中，經由使用氟基溶劑(圖中未示)，以在基板110上方形成第三有機層350之一預設圖案353。
經由使用氟基溶劑移除第二犧牲層331，以形成第三有機層圖案351。因此，第二有機層圖案153可形成於第一單位有機薄膜圖案製程中。而在基板110上保持下來的第三有機圖案353則可形成於現在所述的有機薄膜製程。(後文中，將目前的有機薄膜製程稱為"第二單位有機薄膜製程")。
因此基於氟基溶劑的化學特性，可於基板110上形成彼此不同的第二有機層圖案153以及第三有機圖案353，而不會損壞第二有機層圖案153與第三有機圖案353。
以下將會說明一個使用第二有機層圖案153以及第三有機圖案353作為一個有機發光元件之有機層的例子。
此有機發光元件可結合在有機層中的電子與電洞。此電子與電洞設置於一陰極與一陽極之間，且電子注入此陰極，而電洞注入此陽極。藉此，可透過結合電子電洞進而將此發光層中的發光分子激發至激態(Excited State)，等到發光分子由激態跳回基態(Base State)時，則可釋放出兩個能態之間能量差的光。此為實現一個機發光元件一個單元元件。雖然未於圖中顯示，此第二有機層圖案153與第三有機圖案353是形成於陰極(或是陽極)上方。
當此有機層為低分子量有機物質時，此有機層通常具有多層結構。在此多層結構中，包含了至少一層的發射層(Emitting Layer,EL)、電洞注入層(Hole Injection Layer,HIL)、電洞傳輸層(Hole Transport Layer,HTL)、電子注入層(Electron Injection Layer,EIL)、電子傳輸層(Electron Transport Layer,ETL)等等。前述各層可以彼此堆疊。此有機層可包含多種不同的有機材料，例如銅酞菁(copper phthalocyanine,CuPc)、氮(N)、N’-二(伸萘-1-基)-N、N’-二苯基-聯苯胺(N'-diphenyl-benzidine,NPB)、參(8-羥基奎林)鋁(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum,Alq3)或其他相似物。當此有機層為聚合物有機物質時，電洞傳輸層(HTL)可更包含由從有機發射層至陽極之一方向。此聚合物電洞傳輸層(HTL)更可包含聚乙烯二羥噻吩(polyethylenedioxythiophene,PEDOT)或聚苯胺(polyaniline,PANI)。此聚合物有機光發射層可包含聚伸苯基伸乙烯基(poly(phenylene vinylene),PPV)、可溶解的PPV’s、氰基-PPV或聚茀(polyfluorene)等。
形成有機發光顯示元件之一方法，係有關於使用一蔭罩之真空製
程。此蔭罩具有一圖案，且是一種將有機發光層作為一固定精細圖案的圖案。然而，由於真空製程與蔭罩解析度的限制，實際製作大尺寸顯示元件遭遇了許多問題。
儘管目前的光微影技術與設備可進行高解析度與大面積製程，但光微影技術通常是應用於製造非有機半導體元件，而非廣泛的應用於製造有機半導體元件。化學溶劑與有機材質的化學相容性問題則是未能廣泛應用的一個原因。在進行有機半導體製程時，使用溶劑來塗佈或顯影時，此溶劑通常會損壞有機材質或有機材質的特性。
為了要解決上述問題，雷射轉寫(LITI)技術已經發展出來，而可透過使用雷射轉寫先前成形好的有機薄膜至一基板上。但由於雷射是直接照射在有機薄膜上，因此有機薄膜本身或操作特性有可能被雷射影響而惡化。
然而，根據此形成有機發光元件之有機薄膜圖案的方法之實施例，可在較大的區域(相較於習知蔭罩技術)中均勻的製作高解析度圖形陣列。且可藉由簡單且連續的製程，使用不同材料連續的製造此圖形陣列，進而簡易製造與低成本的高解析度有機發光顯示器。
此有機薄膜並不會因為使用氟基溶劑的化學特性形成有機薄膜圖案而被損壞，並且也不需要額外的化學顯影製程。因此使得此製程變得非常簡易。
光學方法可用來消融犧牲層，而雷射消融法可用以形成圖案，因此可以製作高解析度的有機薄膜圖案。
雖然兩個單位有機薄膜製程用來形成兩個不同的有機圖案，例如在本實施例中，用來形成第二有機層圖案與第三有機層圖案。但本實施例並不僅限於此，三個或更多個以上有機層圖案可藉由重複前述之方法製造。以三個有機層圖案為例，可在有機發光元件形成三個具有不同發射光顏色的有機層(以紅色、綠色以及藍色為例)，如第4圖中所示。
除此之外，本實施例之形成有機薄膜之方法可適用於形成有機彩色濾光之圖案。可連續且重複的製成形成三個有機薄膜圖案，以製造出具有包含不同發射光顏色(以紅色、綠色以及藍色為例)的有機彩色濾光層之有機發光元件。
請參閱第5圖，其係為使用光學顯微鏡觀察根據一實施例之有機薄膜圖案製造方法所製造之不同有機材料製造之精細陣列之照片。
在第5圖中，可製造出最小寬度大約為10微米的線性圖案。透過使用如雷射消融法的光學方法，製程解析度更可進一步縮小到數個微米。長方形圖案陣列具有大約100微米寬、300微米高的尺寸，此尺寸與在一寬廣區域中均勻製造出的實際顯示像素相似。此有機薄膜圖案可使用Alq3形成，亦可使用一般有機薄膜製程來形成。
請參閱第6圖，其係為使用螢光顯微鏡觀察根據一實施例之有機薄膜圖案製造方法所製造之具有不同發光波長且連續形成的單位有機發光材料之像素陣列之照片。
在第6圖中，使用有機發光材料，且尺寸為100μm X 300μm的
精細像素陣列是連續形成的。左方的照片中，綠色有機薄膜圖案是由第一單位有機薄膜圖案之製程所形成。在右方的照片中，藍色有機薄膜圖案是在第二單位製程期間形成於綠色有機薄膜圖案之間。
下方的圖式顯示有機薄膜圖案的橫切面構造。此有機薄膜圖案具有均勻的寬度以及不同的厚度。
請參閱第7圖，其係為使用本實施例之有機發光元件製造方法與習知蔭罩製造方法所製造的有機發光特性比較圖表。
在第7圖中，在兩者的有機發光特性比較之下，並無顯著之差異。如上所述，相較於習知技術，本實施例可製造高解析度有機精細圖案以及不會損壞元件特性。
舉例而言，依據本實施例之高解析度有機薄膜圖案製造方法，可具有如下所述的效果。
可使用氟基溶劑形成有機薄膜圖案，但不會損壞此有機薄膜圖案之化學特性。
無須額外的化學顯影製程，因此可簡易製作流程。
可使用光學雷射消融法來剝離犧牲層，因此可形成高解晰度之有機薄膜圖案。
在有機發光顯示元件之有機發光層的製程中，本實施例所製造之高解析度精細圖案具有與習知技藝之蔭罩技術之尺寸相同，且可將高解析度精細圖案應用於大面積的製程上。因此本實施例之高解析度有機薄膜圖案製造方法具有高解析度與低成本的特點。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
110‧‧‧基板
130‧‧‧第一有機層、氟基聚合物薄膜
131‧‧‧犧牲層圖案區域
133‧‧‧第一部份
M1‧‧‧第一光罩
M1a‧‧‧光阻擋部
M1b‧‧‧光穿透部
Claims (10)
- 一種有機薄膜圖案之製造方法，係包含：在一基板上形成包含一氟基聚合物之一第一有機層；藉由一雷射消融法向該第一有機層上之具有一預設圖案的一光罩上選擇性地幅照一準分子雷射，以選擇性地移除該第一有機層之一部分，並使該第一有機層之其餘部分成為一犧牲層；在該基板上與該犧牲層之一全部表面上使用一沉積法形成一第二有機層，該第二有機層包括一有機發光裝置(OLED)之一有機發光材料，而該有機發光裝置含有設置於該基板上且位於一第一電極與一第二電極間的該有機發光材料，且不同發光顏色之該有機發光材料形成複數層以發射出一白光；以及使用一氟基溶劑移除該犧牲層以剝離形成於該犧牲層上之該第二有機層，並使該第二有機層之其餘部分成為一第二有機層圖案；其中該氟基聚合物係為由化學式1或2所表示之化合物：
- 如申請專利範圍第1項所述之有機薄膜圖案之製造方法，其中在形成該第二有機層之步驟中，該第二有機層係為一有機薄膜電晶體之一活化層。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機薄膜圖案之製造方法，其中在形成該第二有機層之步驟中，該第二有機層係包含一有機彩色濾光材料。
- 一種有機薄膜圖案之製造方法，係包含：(a)在一基板上形成包含一氟基聚合物之一第一有機層；(b)藉由一雷射消融法向該第一有機層上之具有一預設圖案的一光罩上選擇性地幅照一準分子雷射，以選擇性地移除該第一有機層之一部分，並使該第一有機層之其餘部分成為一犧牲層；(c)在該基板上與該犧牲層之全部表面上使用一沉積法形成一第二有機層，該第二有機層包括一有機發光裝置(OLED)之一有機發光材料，而該有機發光裝置含有設置於該基板上且位於一第一電極與一第二電極間的該有機發光材料；(d)使用一氟基溶劑移除該犧牲層以剝離形成於該犧牲層上之該第二有機層，並使該第二有機層之其餘部分成為一第二有機層圖 案；以及(e)在形成該第二有機層圖案之該基板上時重複進行步驟(a)至步驟(d)，以於該基板上不具有該第二有機層圖案的區域形成另一該第二有機層圖案，其中另一該第二有機層形成期間所形成之該有機發光材料，其與重複進行步驟(a)至步驟(d)期間所形成之該有機發光材料的發射光顏色不同；其中該氟基聚合物係為由化學式1或2所表示之化合物：
- 如申請專利範圍第4項所述之有機薄膜圖案之製造方法，其中該 有機發光材料係由一低分子量材料所形成。
- 如申請專利範圍第4項所述之有機薄膜圖案之製造方法，其中該第二有機層形成期間形成該有機發光材料，且重複執行步驟(a)至步驟(d)期間形成該有機發光材料係實現全彩光。
- 如申請專利範圍第4項所述之有機薄膜圖案之製造方法，其中在形成該第二有機層之步驟中，該第二有機層係由一有機彩色濾光材料所形成。
- 如申請專利範圍第7項所述之有機薄膜圖案之製造方法，其中該第二有機層形成期間形成該彩色濾光材料，其與重複進行步驟(a)至步驟(d)期間形成該彩色濾光材料的發射光顏色不同。
- 如申請專利範圍第8項所述之有機薄膜圖案之製造方法，其中該第二有機層形成期間形成彩色濾光材料，且重複進行步驟(a)至步驟(d)期間形成該彩色濾光材料係實現全彩光。
- 如申請專利範圍第4項所述之有機薄膜圖案之製造方法，其中步驟(e)重複執行一預設次數。
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