CN105742495A - 制造高分辨率有机薄膜图案的方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 175
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 34
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 27
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 19
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 18
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 8
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 8
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000012822 chemical development Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- QUTGXAIWZAMYEM-UHFFFAOYSA-N 2-cyclopentyloxyethanamine Chemical compound NCCOC1CCCC1 QUTGXAIWZAMYEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- -1 p-phenylene vinylene Chemical group 0.000 description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000954 Polyglycolide Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N perylene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=CC2=CC=CC=1C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000004633 polyglycolic acid Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/221—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by lift-off techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/162—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using laser ablation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Optical Filters (AREA)
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Abstract
一种制造高分辨率有机薄膜图案的方法，该方法包括：在基板上形成第一有机层；通过选择性地向所述第一有机层照射光能来选择性地去除所述第一有机层，并将所述第一有机层的剩余部分形成为牺牲层；在所述基板以及所述牺牲层的整个表面上形成第二有机层；以及通过利用溶剂去除所述牺牲层来剥离形成在所述牺牲层上的第二有机层，并将剩余的第二有机层形成为第二有机层图案。
Description
本申请是申请日为2011年01月05日、申请号为201110006544.5、名称为“制造高分辨率有机薄膜图案的方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本实施例涉及一种制造有机薄膜图案的方法，并且更为具体地，涉及一种能实现简单制造工艺、稳定性及低成本的制造高分辨率有机薄膜图案的方法。
背景技术
有机物容易与其它物质结合并且容易处理以便呈现期望的光电特性，因此它们作为有利于高性能且低成本下一代电子设备的材料而受到瞩目。
虽然低分子有机材料已经用于利用真空沉积方法制造有机发光显示设备或有机薄膜晶体管，但是由于真空工艺和阴影掩膜的有限分辨率而不容易制造高分辨率器件。
发明内容
本实施例克服了上述问题，还提供了另外的优点。本实施例提供一种能实现简单制造工艺、稳定性及低成本的制造高分辨率有机薄膜图案的方法。
根据本实施例的一方面，提供一种形成有机薄膜图案的方法，该方法包括：在基板上形成第一有机层；通过选择性地向所述第一有机层照射光能来选择性地去除所述第一有机层，并将所述第一有机层的剩余部分形成为牺牲层；在所述基板以及所述牺牲层的整个表面上形成第二有机层；以及通过利用溶剂去除所述牺牲层来剥离形成在所述牺牲层上的第二有机层，并将剩余的第二有机层形成为第二有机层图案。
在形成所述第一有机层时，所述第一有机层可以包括氟基聚合物。
在选择性地去除所述第一有机层时，使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩膜照射激光。
在选择性地去除所述第一有机层时，可以照射受激准分子激光。
在形成所述第二有机层时，所述第二有机层可以包括包含布置在所述基板上且位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料的有机发光器件(OLED)的有机发光材料。
可以形成不同颜色的多层有机发光材料以便发出白光。
在形成所述第二有机层时，所述第二有机层可以是有机薄膜晶体管的有源层。
在形成所述第二有机层时，所述第二有机层可以包括有机滤色器材料。
在形成所述第二有机层时，所述第二有机层可以利用沉积方法形成。
在剥离所述第二有机层时，所述溶剂可以是氟基溶剂。
根据本实施例的另一方面，提供一种形成有机薄膜图案的方法，该方法包括：(a)在基板上形成第一有机层；(b)通过选择性地向所述第一有机层照射光能来选择性地去除所述第一有机层，并由所述第一有机层的剩余部分形成牺牲层；(c)在所述基板以及所述牺牲层的整个表面上形成第二有机层；(d)通过利用溶剂去除所述牺牲层来剥离所述第二有机层的形成在所述牺牲层上的部分，并且由剩余的第二有机层形成第二有机层图案；以及(e)在形成有所述第二有机层图案的基板上连续执行(a)至(d)的单元工艺，并且在所述基板的未形成所述第二有机层图案的区域上形成另一第二有机层图案。
在形成所述第一有机层时，所述第一有机层可以包括氟基聚合物。
在选择性地去除所述第一有机层时，使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩膜照射激光。
在选择性地去除所述第一有机层时，可以照射受激准分子激光。
在形成所述第二有机层时，所述第二有机层可以包括包含布置在所述基板上且位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料的OLED的有机发光材料。
有机发光材料可以包括低分子材料。
在某些实施例中，在形成所述第二有机层期间形成的有机发光材料具有与连续执行所述单元工艺期间形成的有机发光材料不同的颜色。
在形成所述第二有机发光层期间形成的有机发光材料和连续执行所述单元工艺期间形成的有机发光材料可以实现全彩色。
在形成所述第二有机层时，所述第二有机层可以包括滤色器材料。
在形成所述第二有机层期间形成的滤色器材料具有与连续执行所述单元工艺期间形成的滤色器材料不同的颜色。
在形成所述第二有机发光层期间形成的滤色器材料和连续执行所述单元工艺期间形成的滤色器材料可以实现全彩色。
在形成所述第二有机层时，所述第二有机层可以利用沉积方法形成。
在剥离所述第二有机层时，所述溶剂可以是氟基溶剂。此外，上述步骤(e)可以被重复执行预定的次数。
附图说明
本实施例的上述和其它特征以及优点将通过参考附图详细地说明其示范性实施例而变得更加清楚。附图中：
图1A至1D是说明根据实施例的形成有机薄膜图案的方法的示意性截面图；
图2A至2D是说明根据另一实施例的形成有机薄膜晶体管的有机半导体层的方法的示意性截面图；
图3A至3D是说明根据实施例的形成图1A至1D的单元有机薄膜图案的后续工艺的示意性截面图；
图4图示说明根据实施例的在基板上包括不同颜色的有机发光层(R、G和B)的有机发光器件；
图5图示说明根据实施例的利用光学显微镜观察到的在单元有机薄膜图案形成工艺期间制造的各种有机材料的精细图案阵列的照片；
图6图示说明根据实施例的通过连续执行单元有机薄膜图案形成工艺制造的并且利用荧光显微镜观察到的具有不同发光波长的有机发光材料的像素阵列的照片；并且
图7是利用本实施例的方法制造的有机发光器件的发光特性与利用传统阴影掩膜技术制造的有机发光器件的发光特性之间比较的曲线图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述示范性实施例。
图1A至1D是说明根据实施例的形成有机薄膜图案的方法的示意性截面图。参见图1A，形成有机薄膜图案的方法包括在待在其上形成期望的有机薄膜图案的基板110上形成第一有机层130。
基板110可以包括诸如具有SiO2作为主成份的玻璃基板、塑料基板或金属箔之类的各种材料。
通过对氟基聚合物膜执行深层涂覆方法、旋涂方法等在基板110上形成氟基聚合物膜。氟基聚合物膜可以是下面通式1至通式3所表示的材料中的任何一种。此外，氟基聚合物膜可以是包含大约10％至大约50％的量的氟的功能材料。
通式1
(其中n是50与1000之间的整数)
通式2
(其中m是50与1000之间的整数，并且n是50与1000之间的整数)
通式3
(其中n是50与1000之间的整数)
如果通过熔化具有低沸点的氟化溶剂来利用氟基聚合物膜，则可以利用深层涂覆方法形成具有几十纳米与几微米之间的均匀厚度的薄膜，并且它对于根据期望有机薄膜图案的厚度调整稍后描述的牺牲层的厚度是有用的。
参见图1B，通过在作为第一有机层130的氟基聚合物膜上选择性地照射光能来选择性去除氟基聚合物膜130，并且利用剩余的第一有机层130形成牺牲层131。
在这一点上，激光器可以用于照射光能。例如，受激准分子激光器可以用于照射光能。此外，选择性去除第一有机层130第一部分133的激光烧蚀工艺可以通过向布置在第一有机层130上并且具有预定图案的第一掩膜M1照射激光来执行。
穿过布置在第一有机层130上且包括挡光部分M1a和透光部分M1b的第一掩膜M1的透光部分M1b的激光，被吸收进第一有机层130的第一部分133中。第一有机层130中吸收激光的第一部分133通过热扩散被烧蚀掉。第一有机层130中激光没有照射到的部分剩余作为后面描述的牺牲层131。
虽然使用具有期望预定图案的掩膜选择性去除第一有机层130的一部分，但本实施例并不限于此。也就是，虽然使用掩膜获取高分辨率的图案，但可以在没有掩膜的情况下直接向第一有机层130照射激光。
参见图1C，在形成有牺牲层131的基板110的整个表面上形成第二有机层150。
虽然第二有机层150可以利用沉积工艺形成，但本实施例并不限于此，并且第二有机层150可以利用喷墨印刷、丝网印刷、激光诱导热成像(LITI)等各种方法形成。第二有机层150包括形成在基板110的未形成牺牲层131的上部上的第二有机层图案153以及形成在牺牲层131上部上的层151。
如上所述，第二有机层150可以包括各种材料。例如，第二有机层150可以包括有机发光材料、有机滤色器材料、有机半导体材料等等。这将在稍后详细描述。
参见图1D，利用溶剂(未示出)在基板110上形成第二有机层150的期望的第二有机层图案153。
如果氟基聚合物膜用作第一有机层130，则氟基溶剂可以用作该溶剂。在本实施例中，HFE-7100(明尼苏打圣保罗的3MTMNOVEC)用作氟基溶剂。诸如氟之类的17组卤族元素基本上与除卤族元素以外的材料没有反应。氟基溶剂的这种化学性质不会使待在其上形成图案的第二有机层150劣化。
利用氟基溶剂去除牺牲层131。形成在牺牲层131上的第二有机层151被剥离。因此，第二有机层150的期望的第二有机层图案153剩余作为基板110上的图案。
现在将参照图2A至2D描述形成有机薄膜图案的方法的另一实施例。
图2A至2D是说明根据另一实施例的形成有机薄膜晶体管的有机半导体层的方法的示意性截面图。
参见图2A，在形成有栅电极220和栅绝缘层221的基板210上形成第一有机层230。
栅电极220可以利用一般的光刻工艺形成。例如，将栅金属材料沉积在基板210上，将光致抗蚀剂(PR)涂覆在沉积后的基板210上，并且通过形成有预定图案的光掩膜(未示出)将PR曝光。通过将曝光的PR浸泡到显影液中、对浸泡过的PR进行显影并且形成期望的PR图案，利用蚀刻工艺形成栅电极220。在栅电极220上形成栅绝缘层221。在栅绝缘层221上涂覆预定厚度的氟基聚合物膜作为第一有机层230。
参见图2B，通过在作为第一有机层230的氟基聚合物膜上选择性地照射光能来选择性地烧蚀氟基聚合物膜230，并且利用剩余的第一有机层230形成牺牲层231。在这一点上，如以上所提到的，激光器可以用于照射光能。受激准分子激光器可以用于照射光能。
直接向第一有机层230照射脉冲受激准分子激光，并在不使用掩膜(未示出)的情况下直接烧蚀第一有机层230的部分233，并且如上所述，可以通过向布置在第一有机层230上并且具有预定图案的掩膜照射激光，选择性地烧蚀第一有机层230的部分233。
参见图2C，在形成有牺牲层231的栅绝缘层221的整个表面上形成第二有机层250。
第二有机层250由有机半导体材料形成。当第二有机层250由聚合物有机材料形成时，有机半导体材料可以包括聚噻吩及其衍生物、聚对苯乙炔及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚丙烯及其衍生物、聚苯乙炔及其衍生物以及聚噻吩-杂环芳香族共聚物及其衍生物。当第二有机层250由低分子有机材料形成时，有机半导体材料可以包括萘的并五苯、并四苯、寡并苯及其衍生物、阿尔法-6-噻吩、阿尔法-5-噻吩的寡聚噻吩及其衍生物、不含金属或含金属的酞菁及其衍生物、苯均四酸二酐或苯均四酸二酰亚胺及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酐或二萘嵌苯四羧基二酰亚胺及其衍生物。另外，第二有机层250可以包括各种有机半导体材料。
第二有机层250包括形成在栅绝缘层221的未形成牺牲层231的上部上的有机半导体层253和形成在牺牲层231上部上的层251。
参见图2D，通过利用氟基溶剂(未示出)去除牺牲层231来去除形成在牺牲层231上的第二有机层251。因此，期望的有机半导体层253剩余，作为栅绝缘层221上的图案。在这一点上，如上所述，利用基本上无反应的氟基溶剂，对在化学上非常敏感的有机半导体层253进行稳定的图案化。在有机半导体层253的两侧上形成源电极261和漏电极262，并且形成有机半导体器件型的有机薄膜晶体管(OTFT)。
尽管有可以很好地建立高分辨率和大面积工艺的技术和装置，通常用于制造无机半导体器件的光刻技术并未广泛用于制造有机半导体器件。这归因于光刻技术中使用的溶剂与有机物质之间的化学相容性。有机物可能会由于有机半导体器件制造工艺期间用于涂覆或显影光致抗蚀剂(PR)的溶剂而被损坏或劣化。
然而，根据本实施例的形成有机半导体器件的有机薄膜图案的方法，有机薄膜并没有由于形成有机薄膜图案所使用的氟基溶剂的化学特性而劣化。此外，不需要另外的化学显影工艺，因此制造工艺非常简单。可以通过使用利用激光烧蚀去除牺牲层并形成图案的光学方法形成高分辨率薄膜图案。
虽然在本实施例中描述了栅电极220布置在有机半导体层253下且源电极261和漏电极262形成在有机半导体层253上的典型底栅薄膜晶体管，但是这只是示例性的，并且可以应用有机薄膜晶体管的各种结构。
虽然在本实施例中利用由有机半导体材料形成的第二有机层来形成薄膜晶体管的有机半导体层，但本实施例并不限于此。例如，第二有机层可以用于形成有机发光器件，其中能够发出白光的不同颜色的有机发光材料被堆叠在阳极与阴极之间。例如，可以利用氟基聚合物膜作为第一有机层在形成有阳极(或阴极)的基板上形成牺牲层，在牺牲层的整个表面上顺序堆叠具有红色、蓝色和绿色的不同颜色的有机发光层，利用氟基溶剂去除牺牲层和形成在牺牲层上的不同颜色的有机发光层，并且在其上形成阴极(或阳极)，从而制造能够发出白光的有机发光器件。
现在将参照图3A至3D描述形成有机薄膜图案的方法的另一实施例。
图3A至3D是用于说明根据实施例的形成图1A至1D的单元有机薄膜图案的后续工艺的示意性截面图。
参见图3A，再次在基板110上涂覆氟基聚合物膜330，其中在参照图1A至图1D描述的第一单元有机薄膜图案形成工艺期间在基板110上形成有第二有机层图案153。
参见图3B，通过选择性地向氟基聚合物膜330照射光能，来选择性地烧蚀氟基聚合物膜330，并且剩余的氟基聚合物膜330形成为第二牺牲层331。在这一点上，将第二牺牲层331形成在已经在第一单元有机薄膜图案形成工艺期间形成的第二有机层图案153上。
当使用第二掩膜M2形成第二牺牲层331时，挡光单元M2a形成在其上形成有第二有机层图案153的区域上，并且透光单元M2b形成在其上未形成第二有机层图案153的区域上。通过向第二掩膜M2照射激光，选择性地烧蚀其上未形成第二有机层图案153的区域的氟基聚合物膜333，并且其上形成有第二有机层图案153的区域的氟基聚合物膜333部分剩余作为第二牺牲层331。
参见图3C，在其上形成有第二牺牲层331的基板110的整个表面上形成第三有机层350。第三有机层350可以利用沉积工艺形成，并且包括形成在基板110的其上未形成第二牺牲层331的上部上的第三有机层图案353，以及形成在第二牺牲层331上部上的层351。
如上所述，第三有机层350可以包括各种材料。例如，第三有机层350可以包括有机发光材料、有机滤色器材料以及有机半导体材料。这将在稍后更详细地进行描述。
参见图3D，利用氟基溶剂(未示出)在基板110上形成第三有机层350的期望的第三有机层图案353。
通过利用氟基溶剂去除第二牺牲层331来去除形成在第二牺牲层331上的第三有机层图案351。因此，在第一单元有机薄膜图案形成工艺期间形成的第二有机层图案153和在当前的有机薄膜图案形成工艺(下文中，称为“第二单元有机薄膜图案形成工艺”)期间形成的第三有机层图案353剩余在基板110上。
因此，彼此不同的第二有机层图案153和第三有机层图案353可以形成在基板110上，同时不会由于氟基溶剂的化学特性而使第二有机层图案153和第三有机层图案353劣化。
在下文中，将描述使用第二有机层图案153和第三有机层图案353作为有机发光器件的有机层的示例。
有机发光器件使注入到阴极的电子和注入到阳极的空穴在布置于阳极与阴极之间的有机层中结合，通过电子和空穴的结合激发发光层的发光分子，然后，电子和空穴回到基态，并且发出放电能量作为光。这是用于实现有机发光显示设备的单元设备。虽然未示出，但第二有机层图案153和第三有机层图案353形成在阳极(或阴极)上。
当有机层是低分子量的有机物质时，有机层一般具有多层结构。在多层结构中，可以堆叠空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等等中的至少一个，包括发射层(EL)。有机层可以包括各种有机材料，例如铜酞菁(CuPc)、N,N’-二萘-1-基-N,N’-联苯-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等等。当有机层是聚合物有机物质时，HTL可以进一步包括在从有机发光层的阳极方向上。聚合物HTL可包括聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)或者聚苯胺(PANI)。聚合物有机发光层可以包括聚苯乙炔(PPV)、可溶PPV、氰基-PPV、聚芴等等。
形成有机发光器件的一种方法涉及使用阴影掩膜的真空工艺，其中阴影掩膜具有作为固定精细图案的有机发光层图案。然而，由于真空工艺和阴影掩膜的分辨率的限制，在制造大尺寸显示设备时存在许多问题。
此外，尽管有可以很好地建立高分辨率和大面积工艺的技术和装置，但是因为有机物会由于有机半导体器件制造工艺期间用于涂覆或显影PR的溶剂而被损坏或劣化，因此通常用于制造无机半导体器件的光刻技术不适用于制造有机半导体器件。
此外，为了解决上述问题，虽然已经开发了利用激光将先前形成的有机薄膜转移到基板上的(激光诱导热成像)LITI技术，但是因为激光直接照射在有机薄膜上，所以可能会对有机薄膜的材料特性或者器件的工作特性产生不利的影响。
然而，根据本实施例的形成有机发光器件的有机薄膜图案的方法，与传统的阴影掩膜技术相比，可以将高分辨率图案阵列均匀地应用于大面积，并且可以通过简单地重复单元工艺连续地形成不同有机发光材料的图案阵列，这有利于高分辨率有机发光显示器的工艺简化和降低定价。
有机薄膜不会由于形成有机薄膜图案所使用的氟基溶剂的化学性质而劣化，并且也不需要另外的化学显影工艺，从而使制造工艺简单。
可以通过使用利用激光烧蚀来烧蚀牺牲层并形成图案的光学方法，形成高分辨率有机薄膜图案。
虽然在本实施例中执行了两个单元有机薄膜图案形成工艺以形成两个不同的有机薄膜图案，例如第二有机层图案和第三有机层图案，但是本实施例并不限于此。可以重复执行三个或更多单元工艺。例如，执行三个有机薄膜图案形成工艺以制造如图4所示在基板上包括不同颜色的有机发光层(R、G和B)的有机发光器件。
此外，形成本实施例的有机薄膜图案的方法可以应用于形成有机滤色器的图案。连续且重复地执行三个有机薄膜图案形成工艺以制造包括不同颜色的有机滤色器层(R、G和B)的有机发光显示设备。
图5图示说明根据实施例的利用光学显微镜观察到的在单元有机薄膜图案形成工艺期间制造的各种有机材料的精细图案阵列的照片。
参见图5，可以形成具有大约10微米的最小宽度的线性图案。根据诸如激光烧蚀之类的光学方法，可以将工艺分辨率减小到几微米。此外，类似于真实显示像素的宽大约100微米且高大约300微米的矩形图案阵列被均匀地形成在宽大的区域上。有机薄膜图案可以利用Alq3形成，可以利用其它类型的有机物形成，并且可以利用针对任何有机物的一般图案工艺来使用。
图6图示说明根据实施例的通过连续执行单元有机薄膜图案形成工艺制造的并且利用荧光显微镜观察到的具有不同发光波长的有机发光材料的像素阵列的照片。
参见图6，连续形成有机发光材料的100μm×300μm的精细像素图案阵列。在左边的照片中，在第一单元工艺期间形成绿色有机薄膜图案。在右边的照片中，在第二单元工艺期间在绿色有机薄膜图案之间形成蓝色有机薄膜图案。
右下图示出有机薄膜图案的横截面结构。有机薄膜图案具有均匀的宽度，并且可以具有不同的厚度。
图7是利用本实施例的方法制造的有机发光器件的发光特性与利用传统阴影掩膜技术制造的有机发光器件的发光特性之间比较的曲线图。
参见图7，两个有机发光器件之间的发光特性的比较没有显示明显的差别。如上所述，与传统的方法相比，本实施例的方法可以形成高分辨精细图案并且没有使设备性能劣化。
本实施例的制造高分辨率有机薄膜图案的方法表现出例如下列效果。
有机薄膜图案没有由于形成有机薄膜图案所使用的氟基溶液的化学性质而劣化。
不需要另外的化学显影工艺，因此简化了制造工艺。
光学激光烧蚀方法用于剥离牺牲层并且形成图案，从而形成高分辨率有机薄膜图案。
当形成有机发光显示设备的有机发光层时，高分辨率图案阵列同样应用于与传统阴影掩膜技术相比大的面积，这有利于高分辨率有机薄膜图案的工艺简化和低成本。
将按照必不可少的处理和可用材料描述本实施例的权利要求，并且本领域普通技术人员将会理解的是，构思和具体实施例可以用作实现类似本实施例的目的的方法。为了便于描述，附图中示出的元件可能被放大或缩小，因此本实施例不受其尺寸或形状的限制。本领域普通技术人员会理解，可以在不超出所附权利要求限定的本实施例的精神和范围的情况下，在形式上和细节上进行各种改变。
Claims (10)
1.一种形成有机薄膜图案的方法，该方法包括：
在基板上形成第一有机层；
通过选择性地向所述第一有机层照射光能来选择性地去除所述第一有机层的一部分，并将所述第一有机层的剩余部分形成为牺牲层；
在所述基板和所述牺牲层的整个表面上形成第二有机层，所述第二有机层利用沉积方法形成；以及
通过利用溶剂去除所述牺牲层来剥离形成在所述牺牲层上的第二有机层，并将剩余的第二有机层形成为第二有机层图案；
其中在形成第一有机层时，所述第一有机层包括氟基聚合物，所述氟基聚合物是下面化学式1或2所表示的化合物：
化学式1
其中n是50与1000之间的整数，
化学式2
其中m是50与1000之间的整数，并且n是50与1000之间的整数；
其中在选择性地去除所述第一有机层时，使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩膜照射受激准分子激光；
其中在剥离所述第二有机层时，所述溶剂是氟基溶剂，
其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层由包含布置在所述基板上且位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料的有机发光器件的有机发光材料形成，
形成不同颜色的多层有机发光材料以便发出白光。
2.根据权利要求1所述的形成有机薄膜图案的方法，其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层是有机薄膜晶体管的有源层。
3.根据权利要求1所述的形成有机薄膜图案的方法，其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层由有机滤色器材料形成。
4.一种形成有机薄膜图案的方法，该方法包括：
(a)在基板上形成第一有机层；
(b)通过选择性地向所述第一有机层照射光能来选择性地去除所述第一有机层的一部分，并由所述第一有机层的剩余部分形成牺牲层；
(c)在所述基板和所述牺牲层的整个表面上形成第二有机层，所述第二有机层利用沉积方法形成；
(d)通过利用溶剂去除所述牺牲层来剥离形成在所述牺牲层上的第二有机层，并且由剩余的第二有机层形成第二有机层图案；以及
(e)在形成有所述第二有机层图案的基板上重复执行步骤(a)至(d)，以在所述基板的未形成所述第二有机层图案的区域上形成另一第二有机层图案；
其中在形成第一有机层时，所述第一有机层包括氟基聚合物，所述氟基聚合物是下面化学式1或2所表示的化合物：
化学式1
其中n是50与1000之间的整数，
化学式2
其中m是50与1000之间的整数，并且n是50与1000之间的整数；
其中在选择性地去除所述第一有机层时，使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩膜照射受激准分子激光；
其中在剥离所述第二有机层时，所述溶剂是氟基溶剂,
其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层由包含布置在所述基板上且位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料的有机发光器件的有机发光材料形成，
在形成所述第二有机层期间形成的有机发光材料具有与重复执行步骤(a)至(d)期间形成的有机发光材料不同的颜色。
5.根据权利要求4所述的形成有机薄膜图案的方法，其中所述有机发光材料由低分子量的材料形成。
6.根据权利要求4所述的形成有机薄膜图案的方法，其中在形成所述第二有机层期间形成的有机发光材料和重复执行步骤(a)至(d)期间形成的有机发光材料实现全彩色。
7.根据权利要求4所述的形成有机薄膜图案的方法，其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层由滤色器材料形成。
8.根据权利要求7所述的形成有机薄膜图案的方法，其中在形成所述第二有机层期间形成的滤色器材料具有与重复执行步骤(a)至(d)期间形成的滤色器材料不同的颜色。
9.根据权利要求8所述的形成有机薄膜图案的方法，其中在形成所述第二有机层期间形成的滤色器材料和重复执行步骤(a)至(d)期间形成的滤色器材料实现全彩色。
10.根据权利要求4所述的形成有机薄膜图案的方法，其中步骤(e)被重复执行预定的次数。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100002377A KR101108162B1 (ko) | 2010-01-11 | 2010-01-11 | 고해상도 유기 박막 패턴 형성 방법 |
| KR10-2010-0002377 | 2010-01-11 | ||
| CN2011100065445A CN102169959A (zh) | 2010-01-11 | 2011-01-05 | 制造高分辨率有机薄膜图案的方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011100065445A Division CN102169959A (zh) | 2010-01-11 | 2011-01-05 | 制造高分辨率有机薄膜图案的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105742495A true CN105742495A (zh) | 2016-07-06 |
| CN105742495B CN105742495B (zh) | 2020-06-05 |
Family
ID=43742449
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011100065445A Pending CN102169959A (zh) | 2010-01-11 | 2011-01-05 | 制造高分辨率有机薄膜图案的方法 |
| CN201610115813.4A Active CN105742495B (zh) | 2010-01-11 | 2011-01-05 | 制造高分辨率有机薄膜图案的方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011100065445A Pending CN102169959A (zh) | 2010-01-11 | 2011-01-05 | 制造高分辨率有机薄膜图案的方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8778600B2 (zh) |
| EP (1) | EP2343749B1 (zh) |
| JP (1) | JP5548590B2 (zh) |
| KR (1) | KR101108162B1 (zh) |
| CN (2) | CN102169959A (zh) |
| TW (1) | TWI472079B (zh) |
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- 2010-12-27 US US12/979,260 patent/US8778600B2/en active Active
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- 2011-01-05 CN CN2011100065445A patent/CN102169959A/zh active Pending
- 2011-01-05 CN CN201610115813.4A patent/CN105742495B/zh active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2343749A3 (en) | 2014-04-02 |
| KR101108162B1 (ko) | 2012-01-31 |
| JP5548590B2 (ja) | 2014-07-16 |
| TW201130183A (en) | 2011-09-01 |
| KR20110082415A (ko) | 2011-07-19 |
| US20110171584A1 (en) | 2011-07-14 |
| CN105742495B (zh) | 2020-06-05 |
| US8778600B2 (en) | 2014-07-15 |
| EP2343749A2 (en) | 2011-07-13 |
| JP2011141526A (ja) | 2011-07-21 |
| TWI472079B (zh) | 2015-02-01 |
| CN102169959A (zh) | 2011-08-31 |
| EP2343749B1 (en) | 2016-07-13 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |