JPH0778820A - 薄膜パターンの形成方法 - Google Patents
薄膜パターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH0778820A JPH0778820A JP22271193A JP22271193A JPH0778820A JP H0778820 A JPH0778820 A JP H0778820A JP 22271193 A JP22271193 A JP 22271193A JP 22271193 A JP22271193 A JP 22271193A JP H0778820 A JPH0778820 A JP H0778820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- resin
- substrate
- glass substrate
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜パターンの形成方法に関し、新しいリフ
トオフ法の実用化を目的とする。 【構成】 加熱によりガス化する樹脂を含有する耐熱性
樹脂を被処理基板上に膜形成する工程と、被処理基板上
の薄膜パターンの形成を行なう位置にレーザアブレーシ
ョン加工を施して選択的に前記耐熱性樹脂を除去する工
程と、被処理基板上に薄膜パターン形成材料を所定の厚
さに膜形成する工程と、基板加熱を行なって耐熱性樹脂
中に含有しており、加熱によりガス化する樹脂を発泡せ
しめて多孔質の樹脂膜とする工程と、被処理基板を耐熱
性樹脂を溶解する溶剤中に浸漬して樹脂を除去する工程
とを含むことを特徴として薄膜パターンの形成方法を構
成する。
トオフ法の実用化を目的とする。 【構成】 加熱によりガス化する樹脂を含有する耐熱性
樹脂を被処理基板上に膜形成する工程と、被処理基板上
の薄膜パターンの形成を行なう位置にレーザアブレーシ
ョン加工を施して選択的に前記耐熱性樹脂を除去する工
程と、被処理基板上に薄膜パターン形成材料を所定の厚
さに膜形成する工程と、基板加熱を行なって耐熱性樹脂
中に含有しており、加熱によりガス化する樹脂を発泡せ
しめて多孔質の樹脂膜とする工程と、被処理基板を耐熱
性樹脂を溶解する溶剤中に浸漬して樹脂を除去する工程
とを含むことを特徴として薄膜パターンの形成方法を構
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフォトレジストの代わり
に加熱によりガス化する樹脂を用いたリフトオフ法によ
る薄膜パターンの形成方法に関する。
に加熱によりガス化する樹脂を用いたリフトオフ法によ
る薄膜パターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】リフトオフ（Lift-off) 法は被処理基板
上にフォトレジストを被覆した後、選択露光と現像を行
なって薄膜パターンの形成を行なう位置の窓開けを行
い、次に、薄膜形成技術を用いて被処理基板の全域に亙
って膜形成を行なう。次に、レジストの剥離液に被処理
基板を浸漬してフォトレジストを溶解することにより薄
膜パターンを得る方法である。
上にフォトレジストを被覆した後、選択露光と現像を行
なって薄膜パターンの形成を行なう位置の窓開けを行
い、次に、薄膜形成技術を用いて被処理基板の全域に亙
って膜形成を行なう。次に、レジストの剥離液に被処理
基板を浸漬してフォトレジストを溶解することにより薄
膜パターンを得る方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のリフトオフ法は
レジストを選択的に溶解してレジストパターンを形成し
た後、この上に薄膜を形成した場合に、窓開けにより生
じた段差などによって薄膜にクラックが生じており、こ
のクラックからのレジスト剥離液の滲み込みによりレジ
ストを溶解除去するものである。然し、金属膜を厚く形
成する場合はクラックなどの欠損部ができにくいことか
ら、フォトレジストの剥離に時間を要すると云う問題が
あった。
レジストを選択的に溶解してレジストパターンを形成し
た後、この上に薄膜を形成した場合に、窓開けにより生
じた段差などによって薄膜にクラックが生じており、こ
のクラックからのレジスト剥離液の滲み込みによりレジ
ストを溶解除去するものである。然し、金属膜を厚く形
成する場合はクラックなどの欠損部ができにくいことか
ら、フォトレジストの剥離に時間を要すると云う問題が
あった。
【０００４】また、フォトレジストは溶剤に対して易溶
であることが必要条件であるが、一般に易溶解性の有機
化合物は耐熱性に劣ることから、真空蒸着法やスパッタ
法でフォトレジスト上に金属膜を形成する場合に熱によ
り変形が生じ易く、これによりパターン精度が低下する
と云う問題があり、解決が必要であった。
であることが必要条件であるが、一般に易溶解性の有機
化合物は耐熱性に劣ることから、真空蒸着法やスパッタ
法でフォトレジスト上に金属膜を形成する場合に熱によ
り変形が生じ易く、これによりパターン精度が低下する
と云う問題があり、解決が必要であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題は加熱により
ガス化する樹脂を含有する耐熱性樹脂を被処理基板上に
膜形成する工程と、被処理基板上の薄膜パターンの形成
を行なう位置にレーザアブレーション加工を施して選択
的に前記耐熱性樹脂を除去する工程と、被処理基板上に
薄膜パターン形成材料を所定の厚さに膜形成する工程
と、基板加熱を行なって耐熱性樹脂中に含まれており、
加熱によりガス化する樹脂を発泡せしめて多孔質の樹脂
膜とする工程と、被処理基板を耐熱性樹脂を溶解する溶
剤中に浸漬して樹脂を除去する工程とを含むことを特徴
として薄膜パターンの形成方法を構成することにより解
決することができる。
ガス化する樹脂を含有する耐熱性樹脂を被処理基板上に
膜形成する工程と、被処理基板上の薄膜パターンの形成
を行なう位置にレーザアブレーション加工を施して選択
的に前記耐熱性樹脂を除去する工程と、被処理基板上に
薄膜パターン形成材料を所定の厚さに膜形成する工程
と、基板加熱を行なって耐熱性樹脂中に含まれており、
加熱によりガス化する樹脂を発泡せしめて多孔質の樹脂
膜とする工程と、被処理基板を耐熱性樹脂を溶解する溶
剤中に浸漬して樹脂を除去する工程とを含むことを特徴
として薄膜パターンの形成方法を構成することにより解
決することができる。
【０００６】
【作用】本発明はレーザアブレーション加工と発泡樹脂
を使用した新しいリフトオフ法に関するものである。こ
ゝでアブレーション（Ablation) について説明すると、
通常の有機化合物は紫外域に強い吸収を有することか
ら、エキシマレーザ光のような強い（〜100mＷ／cm2 ）
光パルスを照射すると一瞬のうちに化学結合が破壊され
て表面層が蒸発する。この現象をアブレーションと言
い、レーザアブレーション加工はこの現象を利用したも
のである。
を使用した新しいリフトオフ法に関するものである。こ
ゝでアブレーション（Ablation) について説明すると、
通常の有機化合物は紫外域に強い吸収を有することか
ら、エキシマレーザ光のような強い（〜100mＷ／cm2 ）
光パルスを照射すると一瞬のうちに化学結合が破壊され
て表面層が蒸発する。この現象をアブレーションと言
い、レーザアブレーション加工はこの現象を利用したも
のである。
【０００７】次に、エキシマレーザはアルゴン(Ar)やク
リプトン(Kr)などの希ガスと弗素（Ｆ）や塩素（Cl) な
どの励起子を利用するガスレーザであって、高強度の紫
外線を発振するもので、希ガスとハロゲンとの組合せは
多数あるが、よく利用されるものは弗化クリプトン(Kr
F, 波長248nm), 塩化クセノン(XeCl,波長308nm), 弗化
アルゴン(ArF, 波長193nm)などである。
リプトン(Kr)などの希ガスと弗素（Ｆ）や塩素（Cl) な
どの励起子を利用するガスレーザであって、高強度の紫
外線を発振するもので、希ガスとハロゲンとの組合せは
多数あるが、よく利用されるものは弗化クリプトン(Kr
F, 波長248nm), 塩化クセノン(XeCl,波長308nm), 弗化
アルゴン(ArF, 波長193nm)などである。
【０００８】なお、レーザ加工法としては従来よりＹＡ
Ｇレーザ（イットニウム・アルミニウム・ガーネット・
レーザ，波長1.06μm ) や炭酸ガスレーザ（波長10.6μ
m ）のように赤外線の熱エネルギーを使用する加工法が
知られている。然し、このような加工は周囲への熱的損
傷が大きく、また、赤外線であるためにスポット径を小
さくすることが難しく、広い面積に亙って微細な加工を
行なうには適していない。
Ｇレーザ（イットニウム・アルミニウム・ガーネット・
レーザ，波長1.06μm ) や炭酸ガスレーザ（波長10.6μ
m ）のように赤外線の熱エネルギーを使用する加工法が
知られている。然し、このような加工は周囲への熱的損
傷が大きく、また、赤外線であるためにスポット径を小
さくすることが難しく、広い面積に亙って微細な加工を
行なうには適していない。
【０００９】これに対し、アブレーション加工は紫外線
で化学結合を破壊する作用を利用することから、加工断
面の仕上がりがシャープであり、マスクを通してレーザ
照射を行なうことにより、10mm2 程度の比較的広い面積
を一括して加工することができる。
で化学結合を破壊する作用を利用することから、加工断
面の仕上がりがシャープであり、マスクを通してレーザ
照射を行なうことにより、10mm2 程度の比較的広い面積
を一括して加工することができる。
【００１０】次に、本発明において使用する発泡樹脂は
加熱によりガス化する樹脂を含む耐熱性樹脂であって、
加熱によりガス化する樹脂は真空蒸着，スパッタ，ＣＶ
Ｄ（気相成長）などの薄膜形成工程で加わる温度では安
定であるが、これ以上の温度では分解する樹脂であり、
具体的にはガラス転移温度が100 ℃以上で200 ℃程度で
分解する樹脂例えばポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭ
Ａ）がこれに当たる。また、耐熱性樹脂は200 ℃程度の
加熱では変形などを生じない樹脂でポリイミド, ポリベ
ンゾイミダゾール, ポリイミダゾピロロンなどがこれに
当たり、パターン形成のために行なう溶解処理で溶剤に
溶解することが必須条件である。
加熱によりガス化する樹脂を含む耐熱性樹脂であって、
加熱によりガス化する樹脂は真空蒸着，スパッタ，ＣＶ
Ｄ（気相成長）などの薄膜形成工程で加わる温度では安
定であるが、これ以上の温度では分解する樹脂であり、
具体的にはガラス転移温度が100 ℃以上で200 ℃程度で
分解する樹脂例えばポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭ
Ａ）がこれに当たる。また、耐熱性樹脂は200 ℃程度の
加熱では変形などを生じない樹脂でポリイミド, ポリベ
ンゾイミダゾール, ポリイミダゾピロロンなどがこれに
当たり、パターン形成のために行なう溶解処理で溶剤に
溶解することが必須条件である。
【００１１】本発明は、被処理基板の上に加熱によりガ
ス化する樹脂を含む耐熱性樹脂溶液をスピンコート法な
どにより膜形成した後、薄膜パターンの形成を行なう位
置にレーザアブレーション加工を施して基板上の樹脂膜
を選択的に除去して窓開けを行い、次に、この上に真空
蒸着法などを用いて金属などの薄膜形成材料を基板の全
域に亙って必要とする厚さに膜形成する。
ス化する樹脂を含む耐熱性樹脂溶液をスピンコート法な
どにより膜形成した後、薄膜パターンの形成を行なう位
置にレーザアブレーション加工を施して基板上の樹脂膜
を選択的に除去して窓開けを行い、次に、この上に真空
蒸着法などを用いて金属などの薄膜形成材料を基板の全
域に亙って必要とする厚さに膜形成する。
【００１２】次に、基板加熱を行なって耐熱性樹脂中に
含まれており、加熱によりガス化する樹脂を発泡せしめ
て多孔質の樹脂膜とし、これを耐熱性樹脂を溶解する溶
剤中に浸漬して樹脂を除去することにより薄膜パターン
を形成するものである。
含まれており、加熱によりガス化する樹脂を発泡せしめ
て多孔質の樹脂膜とし、これを耐熱性樹脂を溶解する溶
剤中に浸漬して樹脂を除去することにより薄膜パターン
を形成するものである。
【００１３】なお、当初に被処理基板上にポリイミドな
どの耐熱性樹脂膜を形成しておき、この上に加熱により
ガス化する樹脂を含む耐熱性樹脂溶液をスピンコート法
などにより膜形成し、これにレーザアブレーション加工
を施して基板上の耐熱性樹脂膜まで孔開けした後、上記
の工程を行なえば、ビア(Via) 形成を行なうことがで
き、半導体集積回路の層間絶縁膜のビア形成に使用する
ことができる。
どの耐熱性樹脂膜を形成しておき、この上に加熱により
ガス化する樹脂を含む耐熱性樹脂溶液をスピンコート法
などにより膜形成し、これにレーザアブレーション加工
を施して基板上の耐熱性樹脂膜まで孔開けした後、上記
の工程を行なえば、ビア(Via) 形成を行なうことがで
き、半導体集積回路の層間絶縁膜のビア形成に使用する
ことができる。
【００１４】
実施例１：（絶縁基板上に配線パターンの形成例，図１
関連） ボリイミドにＰＭＭＡを５重量％添加し、ヒドラジンに
溶解して溶液とし、これをガラス基板１の上にスピンコ
ートして厚さが２μm の発泡性樹脂膜２を形成した。
（以上図１Ａ） 次に、KrF を用いるエキシマレーザ(400mJ／パルス）３
をマスクを通して照射してアブレーション加工を行い、
基板に達する10μm 幅の溝４を形成した。（以上同図
Ｂ） 次に、このガラス基板１を電子ビーム蒸着機にセット
し、銅（Cu) を6000Åの厚さに蒸着して導電性薄膜５を
形成した。この場合、幅10μm の溝４の中にも導電性薄
膜５は形成されている。（以上同図Ｃ） 次に、ガラス基板１を電気炉に入れ350 ℃に加熱したと
ころ、発泡性樹脂膜２中のＰＭＭＡが分解して気泡６と
なり、発泡性樹脂膜２は多孔質となり、また、導電性薄
膜５もジグザクに変形した。（以上同図Ｄ） 次に、ガラス基板１をヒドラジン溶液に浸漬したとこ
ろ、容易に発泡性樹脂膜２が剥離し、Cuよりなる配線パ
ターン７を得ることができた。
関連） ボリイミドにＰＭＭＡを５重量％添加し、ヒドラジンに
溶解して溶液とし、これをガラス基板１の上にスピンコ
ートして厚さが２μm の発泡性樹脂膜２を形成した。
（以上図１Ａ） 次に、KrF を用いるエキシマレーザ(400mJ／パルス）３
をマスクを通して照射してアブレーション加工を行い、
基板に達する10μm 幅の溝４を形成した。（以上同図
Ｂ） 次に、このガラス基板１を電子ビーム蒸着機にセット
し、銅（Cu) を6000Åの厚さに蒸着して導電性薄膜５を
形成した。この場合、幅10μm の溝４の中にも導電性薄
膜５は形成されている。（以上同図Ｃ） 次に、ガラス基板１を電気炉に入れ350 ℃に加熱したと
ころ、発泡性樹脂膜２中のＰＭＭＡが分解して気泡６と
なり、発泡性樹脂膜２は多孔質となり、また、導電性薄
膜５もジグザクに変形した。（以上同図Ｄ） 次に、ガラス基板１をヒドラジン溶液に浸漬したとこ
ろ、容易に発泡性樹脂膜２が剥離し、Cuよりなる配線パ
ターン７を得ることができた。
【００１５】 実施例２：（絶縁層にビアの形成例，図２関連） ガラス基板１の上にポリアミックス酸を塗布し、これを
350 ℃で３時間加熱して架橋重合を行なわせて厚さが10
μm の絶縁樹脂膜９を形成し、この上に実施例１と同様
にして発泡性樹脂膜２を形成した。（以上図２Ａ） 次に、KrF を用いるエキシマレーザ(400mJ／パルス）３
をマスクを通して照射してアブレーション加工を行い、
基板に達する径２μm の孔10を形成した。（以上同図
Ｂ） 次に、このガラス基板１を電子ビーム蒸着機にセット
し、銅（Cu) を２μm の厚さに蒸着して導電性薄膜11を
形成した。この場合、孔10の中にも導電性薄膜11が形成
されている。（以上同図Ｃ） 次に、ガラス基板１を電気炉に入れ350 ℃に加熱したと
ころ、発泡性樹脂膜２中のＰＭＭＡが分解して気泡６と
なり、発泡性樹脂膜２は多孔質となり、また、導電性薄
膜11もジグザクに変形した。（以上同図Ｄ） 次に、ガラス基板１をヒドラジン溶液に浸漬したとこ
ろ、容易に発泡性樹脂膜２が剥離し、Cuよりなるビア12
をもつ絶縁樹脂膜９を得ることができた。
350 ℃で３時間加熱して架橋重合を行なわせて厚さが10
μm の絶縁樹脂膜９を形成し、この上に実施例１と同様
にして発泡性樹脂膜２を形成した。（以上図２Ａ） 次に、KrF を用いるエキシマレーザ(400mJ／パルス）３
をマスクを通して照射してアブレーション加工を行い、
基板に達する径２μm の孔10を形成した。（以上同図
Ｂ） 次に、このガラス基板１を電子ビーム蒸着機にセット
し、銅（Cu) を２μm の厚さに蒸着して導電性薄膜11を
形成した。この場合、孔10の中にも導電性薄膜11が形成
されている。（以上同図Ｃ） 次に、ガラス基板１を電気炉に入れ350 ℃に加熱したと
ころ、発泡性樹脂膜２中のＰＭＭＡが分解して気泡６と
なり、発泡性樹脂膜２は多孔質となり、また、導電性薄
膜11もジグザクに変形した。（以上同図Ｄ） 次に、ガラス基板１をヒドラジン溶液に浸漬したとこ
ろ、容易に発泡性樹脂膜２が剥離し、Cuよりなるビア12
をもつ絶縁樹脂膜９を得ることができた。
【００１６】
【発明の効果】本発明に係るリフトオフ法に使用により
パターン精度がよく、また、剥離が容易な薄膜パターン
を形成することができる。
パターン精度がよく、また、剥離が容易な薄膜パターン
を形成することができる。
【図１】 本発明を適用した配線パターンの形成工程図
である。
である。
【図２】 本発明を適用してビア形成工程図である。
２ 発泡性樹脂膜 ３ エキシマレーザ ４ 溝 ５, 11 導電性薄膜 ６ 気泡 ７ 配線パターン ９ 絶縁樹脂膜 10 孔 12 ビア
Claims (1)
- 【請求項１】 加熱によりガス化する樹脂を含有する耐
熱性樹脂を被処理基板上に膜形成する工程と、 被処理基板上の薄膜パターンの形成を行なう位置にレー
ザアブレーション加工を施して選択的に前記耐熱性樹脂
を除去する工程と、 被処理基板上に薄膜パターン形成材料を所定の厚さに膜
形成する工程と、 基板加熱を行なって前記耐熱性樹脂中に含有しており、
加熱によりガス化する樹脂を発泡せしめて多孔質の樹脂
膜とする工程と、 被処理基板を耐熱性樹脂を溶解する溶剤中に浸漬して該
樹脂を除去する工程とを含むことを特徴とする薄膜パタ
ーンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22271193A JPH0778820A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 薄膜パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22271193A JPH0778820A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 薄膜パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778820A true JPH0778820A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16786714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22271193A Withdrawn JPH0778820A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 薄膜パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778820A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005045911A1 (ja) * | 2003-11-11 | 2005-05-19 | Asahi Glass Company, Limited | パターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路、並びにこれを用いた電子機器 |
| JP2011141526A (ja) * | 2010-01-11 | 2011-07-21 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 高解像度有機薄膜パターンの形成方法 |
| JP5354383B2 (ja) * | 2007-09-11 | 2013-11-27 | 国立大学法人東北大学 | 電子装置の製造方法 |
| JP2022529255A (ja) * | 2019-04-16 | 2022-06-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | トレンチに薄膜を堆積する方法 |
| US11629402B2 (en) | 2019-04-16 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition on optical structures |
-
1993
- 1993-09-08 JP JP22271193A patent/JPH0778820A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005045911A1 (ja) * | 2003-11-11 | 2005-05-19 | Asahi Glass Company, Limited | パターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路、並びにこれを用いた電子機器 |
| JPWO2005045911A1 (ja) * | 2003-11-11 | 2007-11-29 | 旭硝子株式会社 | パターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路、並びにこれを用いた電子機器 |
| US7790358B2 (en) | 2003-11-11 | 2010-09-07 | Asahi Glass Company, Limited | Pattern formation method, electronic circuit manufactured by the same, and electronic device using the same |
| JP5354383B2 (ja) * | 2007-09-11 | 2013-11-27 | 国立大学法人東北大学 | 電子装置の製造方法 |
| JP2011141526A (ja) * | 2010-01-11 | 2011-07-21 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 高解像度有機薄膜パターンの形成方法 |
| US8778600B2 (en) | 2010-01-11 | 2014-07-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing high resolution organic thin film pattern |
| JP2022529255A (ja) * | 2019-04-16 | 2022-06-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | トレンチに薄膜を堆積する方法 |
| US11629402B2 (en) | 2019-04-16 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition on optical structures |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5314709A (en) | Unzippable polymer mask for screening operations | |
| JPS60187026A (ja) | 金属層をエツチングする方法 | |
| JPH0681153A (ja) | レーザによる金属の析出方法 | |
| US5759416A (en) | Method of selectively removing a metallic layer from a non-metallic substrate | |
| JP2697447B2 (ja) | レーザアブレーション加工方法と電子装置 | |
| US5192581A (en) | Protective layer for preventing electroless deposition on a dielectric | |
| JPH0778820A (ja) | 薄膜パターンの形成方法 | |
| US20020102745A1 (en) | Process for modifying chip assembly substrates | |
| KR100624592B1 (ko) | 가공 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| Brannon | Excimer laser ablation and etching | |
| JP2755223B2 (ja) | バイアホール形成方法および装置 | |
| JPH09260303A (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法および半導体製造装置 | |
| JPH0362831A (ja) | レーザーを用いた高分子成形物の表面加工方法 | |
| JPH10209607A (ja) | 回路板の製造方法 | |
| JPH0219838A (ja) | 配線パターンの修正法 | |
| JP2003133283A (ja) | 回路基板のパターニング方法 | |
| JP2666680B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JP2011025341A (ja) | 電解，レーザ複合加工方法及び装置 | |
| JPH0464123B2 (ja) | ||
| Wang et al. | Micromachining of transparent materials by laser ablation of organic solution | |
| JPH0780670A (ja) | レーザによる樹脂膜加工方法 | |
| Boyd et al. | Material Removal | |
| JPH07168368A (ja) | レジストパターンおよび薄膜金属パターンの形成方法 | |
| Okoshi et al. | Microfabrication of polyethylene using femtosecond Ti: sapphire laser and nanosecond ArF laser | |
| JP2000243845A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |