JPH0219838A - 配線パターンの修正法 - Google Patents
配線パターンの修正法Info
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- JPH0219838A JPH0219838A JP16943388A JP16943388A JPH0219838A JP H0219838 A JPH0219838 A JP H0219838A JP 16943388 A JP16943388 A JP 16943388A JP 16943388 A JP16943388 A JP 16943388A JP H0219838 A JPH0219838 A JP H0219838A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 abstract 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 4
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229940032007 methylethyl ketone Drugs 0.000 description 3
- -1 ruthenium Chemical class 0.000 description 3
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000270281 Coluber constrictor Species 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001494479 Pecora Species 0.000 description 1
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- OQZCSNDVOWYALR-UHFFFAOYSA-N flurochloridone Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(N2C(C(Cl)C(CCl)C2)=O)=C1 OQZCSNDVOWYALR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001960 metal nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical group 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/225—Correcting or repairing of printed circuits
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、集積回路や表示装置の基板上の配線パターン
の断線部分の修正法に関する。
の断線部分の修正法に関する。
従来の技術
集積回路や表示装置の基板上の配線パターンの断線部分
の修正法に関しては、現実的な方法は現在の所、無い。
の修正法に関しては、現実的な方法は現在の所、無い。
これに近い技術である、無電界メッキについては、例え
ば「薄膜工学ハンドブック、日本学術振興会薄膜第13
1委員会編、昭和43年第2版発行」に述べられている
。
ば「薄膜工学ハンドブック、日本学術振興会薄膜第13
1委員会編、昭和43年第2版発行」に述べられている
。
発明が解決しようとする課題
ここでは主に表示装置用基板の配線パターンについて述
べる。今までは、表示装置の基板の製作においては、断
線欠陥は回路で工夫したり、表示装置の構成面で工夫し
たりしてきた。これで、表示装置の基板の生産の歩留り
は、ある程度の水準を確保してきた。
べる。今までは、表示装置の基板の製作においては、断
線欠陥は回路で工夫したり、表示装置の構成面で工夫し
たりしてきた。これで、表示装置の基板の生産の歩留り
は、ある程度の水準を確保してきた。
しかしながら、表示装置の解像度に対する要求が次第に
高くなりつつあり、従って基板上の配線パターンは一段
と複雑になっている。これは、必然的に配線パターンに
おいて断線欠陥の生起の確率を増加させる。したがって
、簡便なコストの安゛い配線欠陥の修正法が望まれる理
由である。
高くなりつつあり、従って基板上の配線パターンは一段
と複雑になっている。これは、必然的に配線パターンに
おいて断線欠陥の生起の確率を増加させる。したがって
、簡便なコストの安゛い配線欠陥の修正法が望まれる理
由である。
課題を解決するための手段
本発明は前述のような課題を解決するために、断線欠陥
が存在する配線パターンを有する基板を、比較的高温に
おいてのみ導電性物質が析出し得る組成物に接触させ、
断線欠陥の近傍にレーザー光を照射、前記近傍に導電性
物質を析出させることを特徴とする配線パターンの修正
法を提供するものである。
が存在する配線パターンを有する基板を、比較的高温に
おいてのみ導電性物質が析出し得る組成物に接触させ、
断線欠陥の近傍にレーザー光を照射、前記近傍に導電性
物質を析出させることを特徴とする配線パターンの修正
法を提供するものである。
また、前記組成物としては無電界メッキ液、あるいは前
記組成物に含まれる分子の熱分解により、導電性物質が
生成される性質を有するもの、または組成物が有機溶媒
と導電性物質との混合物からなり、溶媒成分が比較的高
温で揮発等により組成物から逃散するようなものが望ま
しい。
記組成物に含まれる分子の熱分解により、導電性物質が
生成される性質を有するもの、または組成物が有機溶媒
と導電性物質との混合物からなり、溶媒成分が比較的高
温で揮発等により組成物から逃散するようなものが望ま
しい。
作用
比較的高温においてのみ導電性物質が析出し得る組成物
としては、例えば、活性エネルギーの点から考えて、室
温では全く導電性物質が沈積せず、70″C以上で沈積
してくるような溶液を指している。
としては、例えば、活性エネルギーの点から考えて、室
温では全く導電性物質が沈積せず、70″C以上で沈積
してくるような溶液を指している。
このような溶液としては、無電界メッキ液に類似したも
のが使用可能である。
のが使用可能である。
場合によっては、前記溶液に基板を浸漬する前に、バラ
デイラム触媒微粒子が基板に沈積させること、すなわち
活性化処理を施しておく時もある。
デイラム触媒微粒子が基板に沈積させること、すなわち
活性化処理を施しておく時もある。
この時は、導電性物質の析出の後、より十分な洗浄が要
求される。
求される。
断線欠陥のある基板を前記溶液に浸漬し、断線欠陥の近
傍に、外部からレーザー光を照射、より効果的には前記
近傍に集光させると、その部分が局部的に加熱され、基
板のその部分に導電性物質の沈積が生起する。この時レ
ーザー光は、前記溶液を通して入射するので、前記溶液
によるレーザー光の吸収を出来るだけ抑制するため、溶
液中のイオンの種類に考慮を払うこと、溶液中のレーザ
ー光の伝播経路を可能な限り短くすることが必要である
。また、レーザー光の基板による吸収に考慮を払うべき
である。いずれにしても、無電界メッキの場合には、反
応種の濃度は、後で述べる熱分解等の場合に比べ、小さ
(、レーザー光のエネルギーをメッキ液に吸収させる考
えは非現実的なようだ。レーザー、特にパルス・レーザ
ーが熱伝導の影響を避け、局所加熱には有利であるが、
このことは反応種の溶媒中の輸送が高速であることを要
求する。反応種の濃度が低いことは、この点不利である
。
傍に、外部からレーザー光を照射、より効果的には前記
近傍に集光させると、その部分が局部的に加熱され、基
板のその部分に導電性物質の沈積が生起する。この時レ
ーザー光は、前記溶液を通して入射するので、前記溶液
によるレーザー光の吸収を出来るだけ抑制するため、溶
液中のイオンの種類に考慮を払うこと、溶液中のレーザ
ー光の伝播経路を可能な限り短くすることが必要である
。また、レーザー光の基板による吸収に考慮を払うべき
である。いずれにしても、無電界メッキの場合には、反
応種の濃度は、後で述べる熱分解等の場合に比べ、小さ
(、レーザー光のエネルギーをメッキ液に吸収させる考
えは非現実的なようだ。レーザー、特にパルス・レーザ
ーが熱伝導の影響を避け、局所加熱には有利であるが、
このことは反応種の溶媒中の輸送が高速であることを要
求する。反応種の濃度が低いことは、この点不利である
。
比較的高温においてのみ導電性物質が析出し得る組成物
としては、また、熱分解して導電性物質を析出する金属
の硝酸塩、例えば、硝酸マンガン、さらにはルテニウム
等の有機金属化合物がある。
としては、また、熱分解して導電性物質を析出する金属
の硝酸塩、例えば、硝酸マンガン、さらにはルテニウム
等の有機金属化合物がある。
これら、硝酸マンガンは熱分解により、低抵抗二酸化マ
ンガンに、ルテニウムの有機金属化合物は低抵抗酸化ル
テニウムに変換される。これらの反応は空気中で可能で
あり、発生する気体も毒性がほとんどない。
ンガンに、ルテニウムの有機金属化合物は低抵抗酸化ル
テニウムに変換される。これらの反応は空気中で可能で
あり、発生する気体も毒性がほとんどない。
硝酸マンガンは常温では個体であり、水または低級アル
コールに容易に溶解し、前記接触の過程は基板の所望位
置に塗ればよい。またはルテニウムのを機金属化合物は
、分子の形により異なるが、適当な有機溶媒、例えばメ
チル−エチル−ケトン(MEK)等に溶解し、前述のよ
うに塗布すればよい。扱いは簡単である。
コールに容易に溶解し、前記接触の過程は基板の所望位
置に塗ればよい。またはルテニウムのを機金属化合物は
、分子の形により異なるが、適当な有機溶媒、例えばメ
チル−エチル−ケトン(MEK)等に溶解し、前述のよ
うに塗布すればよい。扱いは簡単である。
前記溶媒は作業性のために必要なだけであり、従って反
応種の濃度は非常に大きく出来る。故に、パルス・レー
サー等の尖頭値のエネルギーの大きい、急峻な加熱にも
、反応種の供給は十分追随し得る。
応種の濃度は非常に大きく出来る。故に、パルス・レー
サー等の尖頭値のエネルギーの大きい、急峻な加熱にも
、反応種の供給は十分追随し得る。
ルテニウムの有機金属化合物ないしそれを有機溶媒に溶
解したものは、大抵黒色をしており、波長が可視光に近
いレーザー光の吸収が大きく、使いやすい場合もある;
例えば、ネオジウム付活、イツトリウム・アルミニウム
・ガーネット・レーザー(Nd : YAGレーザ−)
の光は良く吸収する。
解したものは、大抵黒色をしており、波長が可視光に近
いレーザー光の吸収が大きく、使いやすい場合もある;
例えば、ネオジウム付活、イツトリウム・アルミニウム
・ガーネット・レーザー(Nd : YAGレーザ−)
の光は良く吸収する。
炭素粒子、金属粒子等導電性粒子を有機溶媒に分散させ
たものを塗布、レーザーを照射し、前記有機溶媒を揮発
させ、配線の断線部分の修復を図る方法も本発明は明か
にする。特に基板表面が有機物からなる場合に有利であ
る。尖頭値エネルギ−が比較的低い値でも、基板表面の
有機物が分解し、導電性析出物の基板への付着力は著し
く悪い。
たものを塗布、レーザーを照射し、前記有機溶媒を揮発
させ、配線の断線部分の修復を図る方法も本発明は明か
にする。特に基板表面が有機物からなる場合に有利であ
る。尖頭値エネルギ−が比較的低い値でも、基板表面の
有機物が分解し、導電性析出物の基板への付着力は著し
く悪い。
レーザーの尖頭値エネルギーを更、に下げると、無電界
メッキや、硝酸塩や有機金属の熱分解が効果的には進ま
ず、この理由から基板への付着も、また悪くなる。この
ような尖頭値エネルギーを下げた状態ででも、溶媒を選
べば、レーザーを照射後、析出物は導電性を確保出来、
しかも前記析出物は若干変形した基板表面の有機物に付
着し、従って付着力も確保出来る。
メッキや、硝酸塩や有機金属の熱分解が効果的には進ま
ず、この理由から基板への付着も、また悪くなる。この
ような尖頭値エネルギーを下げた状態ででも、溶媒を選
べば、レーザーを照射後、析出物は導電性を確保出来、
しかも前記析出物は若干変形した基板表面の有機物に付
着し、従って付着力も確保出来る。
実施例
(実施例1)
以下、本発明の一実施例を説明する。
本実施例ではNd:YAGレーザーを用いた。
発振波長は1.06μmである。第1図は装置の概略図
である。図において、1はテーブル、2は容器、3は基
板、4は配線、5は比較的高温においてのみ導電性物質
が析出し得る溶液、6はレーザー光、7は集光するため
のレンズ系、8はレーザー本体である。
である。図において、1はテーブル、2は容器、3は基
板、4は配線、5は比較的高温においてのみ導電性物質
が析出し得る溶液、6はレーザー光、7は集光するため
のレンズ系、8はレーザー本体である。
ガラス基板上に錫を含む酸化インジウム透明導電性電極
(以後、ITOと称する)を所望のパターンに微細加工
されたものを入手した。この内、断線欠陥のあるものに
ついて、以後実験を進めた。
(以後、ITOと称する)を所望のパターンに微細加工
されたものを入手した。この内、断線欠陥のあるものに
ついて、以後実験を進めた。
基板を洗剤等で、よく脱脂し、水洗の後、濃塩酸に浸漬
して若干、表面を腐食した。
して若干、表面を腐食した。
基板総数の約半分を、無電界メッキの前処理としてしば
しば行われる基板表面へのバラデイラム触媒付活処理を
行った。
しば行われる基板表面へのバラデイラム触媒付活処理を
行った。
比較的高温においてのみ導電性物質が析出し得る溶液と
しては、ニッケル電界メッキ液に近いものを採用した。
しては、ニッケル電界メッキ液に近いものを採用した。
この溶液は80〜90”Cでニッケルの析出が始まる傾
向にある。この溶液は水溶液であって、1リツトルの溶
液に、硫酸ニッケル約100g、次亜燐酸ソーダ約Lo
g、酢酸ソーダ約Logを含む。
向にある。この溶液は水溶液であって、1リツトルの溶
液に、硫酸ニッケル約100g、次亜燐酸ソーダ約Lo
g、酢酸ソーダ約Logを含む。
前記基板を前記溶液に、第1図のように浸漬し、欠陥部
分にレーザー光を間欠的に照射した。連続的に照射する
と、溶液の対流が激しくなり、結果はよくない。第1図
には描いていないが、CODカメラでのモニターが本実
施例では可能であって、黒く析出してくるのが、よく分
かる。取り出し、水洗、乾燥の後、電気測定をすると、
断線欠陥が修復されているのが分かった。修復部の抵抗
値は、パラデイラム触媒付活処理をなした基板の方が低
かった。
分にレーザー光を間欠的に照射した。連続的に照射する
と、溶液の対流が激しくなり、結果はよくない。第1図
には描いていないが、CODカメラでのモニターが本実
施例では可能であって、黒く析出してくるのが、よく分
かる。取り出し、水洗、乾燥の後、電気測定をすると、
断線欠陥が修復されているのが分かった。修復部の抵抗
値は、パラデイラム触媒付活処理をなした基板の方が低
かった。
(実施例2)
実施例1と同様の基板及びレーザー装置を用いた。
市販の硝酸マンガン100gをメタノール100gに溶
解、組成物を得、ガラス基板の所望の部位に塗布した。
解、組成物を得、ガラス基板の所望の部位に塗布した。
または、合成したルテニウムの有機金属化合物100g
をMEK、120gに溶解、組成物を得、ガラス基板の
所望の位置に塗布した。第2図は、レーザー照射の状態
を示すものである。第2図において、11はレーザー光
、12はガラス基板、13は配線、この場合はITO1
14は塗られた組成物である。レーザー光は基板の裏面
から照射された。
をMEK、120gに溶解、組成物を得、ガラス基板の
所望の位置に塗布した。第2図は、レーザー照射の状態
を示すものである。第2図において、11はレーザー光
、12はガラス基板、13は配線、この場合はITO1
14は塗られた組成物である。レーザー光は基板の裏面
から照射された。
YAGレーザーは、パルス発振させ、尖頭値エネルギー
を大きくするため、2kHzとした。導電性析出物の付
着力は、尖頭値エネルギーの制御が重要である。これが
過大だと、かえって熱分解の際の放散する気体のために
、付着量が減少すること、付着した部分のガラスにクラ
ンクが発生す、ること等の問題が生じる。
を大きくするため、2kHzとした。導電性析出物の付
着力は、尖頭値エネルギーの制御が重要である。これが
過大だと、かえって熱分解の際の放散する気体のために
、付着量が減少すること、付着した部分のガラスにクラ
ンクが発生す、ること等の問題が生じる。
かくて、付着力の強い導電体層で配線の断線部分が修復
された。
された。
(実施例3)
液晶表示装置では、カラー表示が盛んに開発されつつあ
る。そのとき、ガラス基板の上に、有機樹脂からなるカ
ラー・フィルターが形成され、更にこの上にITO配線
が設けられている。このようなもので、配線に断線欠陥
のあるものを入手した。
る。そのとき、ガラス基板の上に、有機樹脂からなるカ
ラー・フィルターが形成され、更にこの上にITO配線
が設けられている。このようなもので、配線に断線欠陥
のあるものを入手した。
レーザー装置は実施例1と同じものを使用した。
市販の黒マジック・インクはカーボンを含むものがある
。前記断線部位に前記黒マジックを丁寧に塗った。
。前記断線部位に前記黒マジックを丁寧に塗った。
第3図はレーザー照射の様子を示すものである。
第3図において、21はガラス基板、22は有機樹脂層
(この場合、カラー・フィルター)、23は配線、24
はマジック・インク、25はレーザー光である。
(この場合、カラー・フィルター)、23は配線、24
はマジック・インク、25はレーザー光である。
この場合、レーザー光により、有機カラー・フィルター
の分解が起こり、気体が噴出する傾向にある。これは基
板への沈積を阻害するものである。
の分解が起こり、気体が噴出する傾向にある。これは基
板への沈積を阻害するものである。
従って、レーザーの尖頭値エネルギーはかなり小さくす
る必要がある。マジック・インクに入っている有機分散
剤が逃散し、しかも有機樹脂層22が若干変形するのが
、付着力や電気抵抗値の点で良い。
る必要がある。マジック・インクに入っている有機分散
剤が逃散し、しかも有機樹脂層22が若干変形するのが
、付着力や電気抵抗値の点で良い。
かくて、カラーフィルター上の配線の断線欠陥が修復さ
れた。
れた。
発明の効果
以上本発明は断線欠陥を修復するたの方法を提供するも
のであり、液晶表示装置やここでは述べなかったが集積
回路、さらにはマスク修正等にも使用出来、産業上の価
値は大なるものがある。
のであり、液晶表示装置やここでは述べなかったが集積
回路、さらにはマスク修正等にも使用出来、産業上の価
値は大なるものがある。
第1図は断線欠陥を修復するための装置の概略構成図、
第2図、第3図は断線欠陥を修復する様子を示す概略図
である。 1・・・・・・テーブル、2・・・・・・容器、3・・
・・・・基板、4・・・・・・配線、5・・・・・・比
較的高温においてのみ導電性物質が析出し得る溶液、6
・・・・・・レーザー光、7・・・・・・集光するため
のレンズ系、8・・・・・・レーザー本体、11・・・
・・・レーザー光、12・・・・・・ガラス基板、13
・・・・・・配線、14・・・・・・塗られた組成物、
21・・・・・・基板、22・・・・・・有機樹脂層、
23・・・・・・配線、24・・・・・・マジック・イ
ンク、25・・・・・・レーザー光。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名ノー−テー
ブル 2−一−ネ器 J−一一羞j久 4−ffi謬捉 乙−一一シープ゛−元 第 2図 //−レーザー光 !?−ガラス、:L版 13−−一紀庶 ノ4−−−遭 う −〆<r<11 し9\)ぐ第 図
第2図、第3図は断線欠陥を修復する様子を示す概略図
である。 1・・・・・・テーブル、2・・・・・・容器、3・・
・・・・基板、4・・・・・・配線、5・・・・・・比
較的高温においてのみ導電性物質が析出し得る溶液、6
・・・・・・レーザー光、7・・・・・・集光するため
のレンズ系、8・・・・・・レーザー本体、11・・・
・・・レーザー光、12・・・・・・ガラス基板、13
・・・・・・配線、14・・・・・・塗られた組成物、
21・・・・・・基板、22・・・・・・有機樹脂層、
23・・・・・・配線、24・・・・・・マジック・イ
ンク、25・・・・・・レーザー光。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名ノー−テー
ブル 2−一−ネ器 J−一一羞j久 4−ffi謬捉 乙−一一シープ゛−元 第 2図 //−レーザー光 !?−ガラス、:L版 13−−一紀庶 ノ4−−−遭 う −〆<r<11 し9\)ぐ第 図
Claims (4)
- (1)断線欠陥が存在する配線パターンを有する基板を
、比較的高温においてのみ導電性物質が析出し得る組成
物に接触させ、断線欠陥の近傍にレーザー光を照射、前
記近傍に導電性物質を析出させることを特徴とする配線
パターンの修正法。 - (2)組成物が無電界メッキ液であることを特徴とする
請求項(1)記載の配線パターンの修正法。 - (3)組成物は、これに含まれる分子の熱分解により、
導電性物質が生成される性質を有することを特徴とする
請求項(1)記載の配線パターンの修正法。 - (4)組成物が有機溶媒成分と導電性物質との混合物か
らなり、溶媒成分が比較的高温で揮発等により組成物か
ら逃散することを特徴とする請求項(1)記載の配線パ
ターンの修正法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16943388A JPH0219838A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 配線パターンの修正法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16943388A JPH0219838A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 配線パターンの修正法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0219838A true JPH0219838A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15886507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16943388A Pending JPH0219838A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 配線パターンの修正法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0219838A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08114819A (ja) * | 1994-10-17 | 1996-05-07 | G T C:Kk | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
US5883437A (en) * | 1994-12-28 | 1999-03-16 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspection and correction of wiring of electronic circuit and for manufacture thereof |
US6331348B1 (en) | 1997-10-20 | 2001-12-18 | Alps Electric Co., Ltd. | Substrate having repaired metallic pattern and method and device for repairing metallic pattern on substrate |
WO2003069023A1 (fr) * | 2002-02-14 | 2003-08-21 | Hyper Photon Systems, Inc. | Procede et appareil de reparation de structure fine |
JP2005354009A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | V Technology Co Ltd | 電子回路基板の配線補修用の導電性物質含有液体および電子回路基板の配線補修方法 |
JP2006202828A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | V Technology Co Ltd | 電子回路基板の配線修正方法 |
-
1988
- 1988-07-07 JP JP16943388A patent/JPH0219838A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH08114819A (ja) * | 1994-10-17 | 1996-05-07 | G T C:Kk | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
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US6875952B2 (en) | 1997-10-20 | 2005-04-05 | Alps Electric Co., Ltd. | Substrate having repaired metallic pattern and method and device for repairing metallic pattern on substrate |
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JP4505269B2 (ja) * | 2004-06-14 | 2010-07-21 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 電子回路基板の配線補修方法 |
JP2006202828A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | V Technology Co Ltd | 電子回路基板の配線修正方法 |
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