JPH0780675A - レーザ加工用マスク - Google Patents
レーザ加工用マスクInfo
- Publication number
- JPH0780675A JPH0780675A JP23059793A JP23059793A JPH0780675A JP H0780675 A JPH0780675 A JP H0780675A JP 23059793 A JP23059793 A JP 23059793A JP 23059793 A JP23059793 A JP 23059793A JP H0780675 A JPH0780675 A JP H0780675A
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- JP
- Japan
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- mask
- layers
- laser
- substrate
- dielectric films
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体多層膜よりなるマスクに関し、レーザ
光の透過率を選択的に変えることを目的とする。 【構成】 マスクを形成する誘電体多層膜の層数を部分
的に変えることによりレーザ光の透過率を選択的に変え
てレーザ加工用マスクを構成する。
光の透過率を選択的に変えることを目的とする。 【構成】 マスクを形成する誘電体多層膜の層数を部分
的に変えることによりレーザ光の透過率を選択的に変え
てレーザ加工用マスクを構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエキシマレーザなど高出
力レーザの選択露光に使用するレーザ加工用マスクに関
する。
力レーザの選択露光に使用するレーザ加工用マスクに関
する。
【０００２】ＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導体集積回路を
主体とする表面実装部品を高密度に装着する方法とし
て、マルチ・チップ・モジール（略称ＭＣＭ）の実用化
が進められている。こゝでＭＣＭ用回路基板には薄膜法
で形成するものと厚膜法で形成するものとがあるが、薄
膜法で形成するＭＣＭ用基板として硼硅酸ガラスなどの
ガラス基板を用い、配線材料としては銅（Cu) など抵抗
率の低い金属を使用し、スパッタ法や真空蒸着法などの
薄膜形成技術と写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）を
用いてパターン形成を行い、また、絶縁層としてはポリ
イミドなど耐熱性が優れると共に誘電率（ε）の少ない
樹脂を使用して絶縁層が形成されている。
主体とする表面実装部品を高密度に装着する方法とし
て、マルチ・チップ・モジール（略称ＭＣＭ）の実用化
が進められている。こゝでＭＣＭ用回路基板には薄膜法
で形成するものと厚膜法で形成するものとがあるが、薄
膜法で形成するＭＣＭ用基板として硼硅酸ガラスなどの
ガラス基板を用い、配線材料としては銅（Cu) など抵抗
率の低い金属を使用し、スパッタ法や真空蒸着法などの
薄膜形成技術と写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）を
用いてパターン形成を行い、また、絶縁層としてはポリ
イミドなど耐熱性が優れると共に誘電率（ε）の少ない
樹脂を使用して絶縁層が形成されている。
【０００３】こゝで、半導体集積回路の形成には、少な
くとも信号線，電力線，接地線が必要なことから、複数
の集積回路を搭載する場合は、これらの配線が錯綜する
ため、ＭＣＭ用基板は必然的に多層構造をとり、上下の
配線層は層間絶縁層に設けたビア（Via)により回路接続
する構造をとられているが、ビアの形成にはレーザアブ
レーション加工法が注目されている。
くとも信号線，電力線，接地線が必要なことから、複数
の集積回路を搭載する場合は、これらの配線が錯綜する
ため、ＭＣＭ用基板は必然的に多層構造をとり、上下の
配線層は層間絶縁層に設けたビア（Via)により回路接続
する構造をとられているが、ビアの形成にはレーザアブ
レーション加工法が注目されている。
【０００４】
【従来の技術】レーザ加工法としては従来よりＹＡＧレ
ーザ（Yttrium Aluminum Garnet レーザ, 波長1.06μm
) や炭酸ガスレーザ(CO2レーザ, 波長10.6μm ) を用
い、赤外線の熱エネルギーを利用した加工が公知であ
る。然し、このような加工法は周囲に与える熱的損傷が
大きい。また、加工に際してビームを絞る必要がある
が、赤外線であるためにスポット径を小さくすることは
難しく、また、点加工であるために広い面積に亙って微
細加工を行なうには適していない。
ーザ（Yttrium Aluminum Garnet レーザ, 波長1.06μm
) や炭酸ガスレーザ(CO2レーザ, 波長10.6μm ) を用
い、赤外線の熱エネルギーを利用した加工が公知であ
る。然し、このような加工法は周囲に与える熱的損傷が
大きい。また、加工に際してビームを絞る必要がある
が、赤外線であるためにスポット径を小さくすることは
難しく、また、点加工であるために広い面積に亙って微
細加工を行なうには適していない。
【０００５】一方、エキシマレーザはクリプトン（Kr)
やクセノン(Xe)などの希ガスと弗素（Ｆ）や塩素（Cl)
などハロゲンとの励起子を利用したガスレーザであっ
て、紫外波長のレーザ光、例えば（KrF,波長248nm),(Xe
Cl, 波長308nm),(ArF,波長193nm)などのレーザ光が数nS
のパルス幅で数 MＷの尖頭出力で得ることができる。
やクセノン(Xe)などの希ガスと弗素（Ｆ）や塩素（Cl)
などハロゲンとの励起子を利用したガスレーザであっ
て、紫外波長のレーザ光、例えば（KrF,波長248nm),(Xe
Cl, 波長308nm),(ArF,波長193nm)などのレーザ光が数nS
のパルス幅で数 MＷの尖頭出力で得ることができる。
【０００６】次に、通常の有機化合物は紫外線領域に強
い光吸収をもつものが多いが、この有機化合物よりなる
材料にシマレーザのような強い光パルス（〜100mw/cm2)
の光を照射すると、材料の吸収波長とレーザ波長と一致
する場合は、一瞬のうちに化学結合が破壊されて表面層
が蒸発する。この現象をアブレーション(Ablation)と言
い、アブレーション加工はこの現象を利用するものであ
り、加工断面の仕上がりがシャープであり、また、10mm
2 程度の比較的広い面積を一括して加工できることから
マスク露光を行なうことにより微細パターンを形成する
ことが可能である。
い光吸収をもつものが多いが、この有機化合物よりなる
材料にシマレーザのような強い光パルス（〜100mw/cm2)
の光を照射すると、材料の吸収波長とレーザ波長と一致
する場合は、一瞬のうちに化学結合が破壊されて表面層
が蒸発する。この現象をアブレーション(Ablation)と言
い、アブレーション加工はこの現象を利用するものであ
り、加工断面の仕上がりがシャープであり、また、10mm
2 程度の比較的広い面積を一括して加工できることから
マスク露光を行なうことにより微細パターンを形成する
ことが可能である。
【０００７】なお、アルゴン(Ar)レーザやヘリウム・ネ
オン(He-Ne) レーザなどに使用するマスクとしてクロー
ム(Cr)などの金属マスクが使用されている。然し、金属
マスクをエキシマレーザのような高出力のレーザに使用
すると、金属の蒸発のよる損傷を生じて使用することが
できない。そこで、誘電体多層膜を用いて形成したマス
クが用いられている。
オン(He-Ne) レーザなどに使用するマスクとしてクロー
ム(Cr)などの金属マスクが使用されている。然し、金属
マスクをエキシマレーザのような高出力のレーザに使用
すると、金属の蒸発のよる損傷を生じて使用することが
できない。そこで、誘電体多層膜を用いて形成したマス
クが用いられている。
【０００８】図３は誘電体多層膜マスクの構成を示すも
ので、屈折率の異なる二つの透明誘電体ＡとＢを照射光
１の半波長の厚さ（KrF エキシマレーザの場合,124nm)
にして交互に多数積層して誘電体多層膜２を作り、ブラ
ッグ反射を利用するもので、層数を増すことにより100
％に近い反射率を実現することができる。
ので、屈折率の異なる二つの透明誘電体ＡとＢを照射光
１の半波長の厚さ（KrF エキシマレーザの場合,124nm)
にして交互に多数積層して誘電体多層膜２を作り、ブラ
ッグ反射を利用するもので、層数を増すことにより100
％に近い反射率を実現することができる。
【０００９】こゝで、ＡとＢの材料として二酸化硅素
（SiO2，屈折率1.48) と酸化イットリウム(Y2O3,屈折率
1.91) の組合せが一般に使用されているが、その理由は
膜質が良く、エキシマレーザに対し透明であり、また、
両者の屈折率差が大きいためであり、レーザの共振器な
ど多重反射が必要な光学系に使用されている。
（SiO2，屈折率1.48) と酸化イットリウム(Y2O3,屈折率
1.91) の組合せが一般に使用されているが、その理由は
膜質が良く、エキシマレーザに対し透明であり、また、
両者の屈折率差が大きいためであり、レーザの共振器な
ど多重反射が必要な光学系に使用されている。
【００１０】次に、図２はアブレーション加工法を示す
構成図であって、エキシマレーザ光源３より発生したレ
ーザ光４を反射鏡５で第１レンズ６に導いて縮小し、第
２レンズ７で必要とするビーム径にして誘電体多層膜マ
スク（略してミラーマスク）８を照射するよう構成され
ている。
構成図であって、エキシマレーザ光源３より発生したレ
ーザ光４を反射鏡５で第１レンズ６に導いて縮小し、第
２レンズ７で必要とするビーム径にして誘電体多層膜マ
スク（略してミラーマスク）８を照射するよう構成され
ている。
【００１１】こゝで、ミラーマスク８は透明石英基板９
の上に誘電体多層膜２をパターン形成して形成してあ
る。また、アブレーション加工を行なう樹脂膜10は硼硅
酸ガラスなどの基板11上に膜形成されており、ミラーマ
スク８と基板11は枠体12で固定して後、Ｘ−Ｙステージ
13の上に位置決めして移動可能に構成されている。
の上に誘電体多層膜２をパターン形成して形成してあ
る。また、アブレーション加工を行なう樹脂膜10は硼硅
酸ガラスなどの基板11上に膜形成されており、ミラーマ
スク８と基板11は枠体12で固定して後、Ｘ−Ｙステージ
13の上に位置決めして移動可能に構成されている。
【００１２】そして、この例の場合、ミラーマスク８の
誘電体多層膜２はビア形成位置14だけが透明石英基板９
に達するまで穴開けしてあり、エキシマレーザ光源３よ
り１パルス当たり１Ｊ/cm2程度の露光強度で数百パルス
を照射すると、レーザ照射を受けた樹脂膜10はレーザア
ブレーションが生じてビア穴15が形成されていた。
誘電体多層膜２はビア形成位置14だけが透明石英基板９
に達するまで穴開けしてあり、エキシマレーザ光源３よ
り１パルス当たり１Ｊ/cm2程度の露光強度で数百パルス
を照射すると、レーザ照射を受けた樹脂膜10はレーザア
ブレーションが生じてビア穴15が形成されていた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ＭＣＭ用基板で代表さ
れる薄膜多層回路基板は信号層, 電源層, 接地層などの
導電層を複数個備えて電子回路が形成されており、各導
電層間はポリイミドなど絶縁抵抗が高く、誘電率の低い
樹脂を用いて層間絶縁層が形成されており、必要とする
位置にビアを設け、上下の配線を接続して電子回路が構
成されている。
れる薄膜多層回路基板は信号層, 電源層, 接地層などの
導電層を複数個備えて電子回路が形成されており、各導
電層間はポリイミドなど絶縁抵抗が高く、誘電率の低い
樹脂を用いて層間絶縁層が形成されており、必要とする
位置にビアを設け、上下の配線を接続して電子回路が構
成されている。
【００１４】かゝる多層回路基板の形成において必要な
ことは、 微細な配線を精度良くパターン形成すること、 ビアを位置精度よく形成すること、 配線と絶縁層との間に剥離などを生じないこと、 などであり、この対策としてについてはスパッタなど
の薄膜形成技術と写真蝕刻技術を用いてCuなどよりなる
微細な配線が精度よく形成されている。
ことは、 微細な配線を精度良くパターン形成すること、 ビアを位置精度よく形成すること、 配線と絶縁層との間に剥離などを生じないこと、 などであり、この対策としてについてはスパッタなど
の薄膜形成技術と写真蝕刻技術を用いてCuなどよりなる
微細な配線が精度よく形成されている。
【００１５】また、については紫外線硬化型のポリイ
ミドが実用化されており、また、レーザアブレーション
加工が可能なことから、ビアを位置精度よく設けること
が可能である。また、についてはスパッタ法によりCr
の薄膜を設け、この上にCu膜を形成することにより、絶
縁層との密着性を向上している。
ミドが実用化されており、また、レーザアブレーション
加工が可能なことから、ビアを位置精度よく設けること
が可能である。また、についてはスパッタ法によりCr
の薄膜を設け、この上にCu膜を形成することにより、絶
縁層との密着性を向上している。
【００１６】然し、樹脂と金属とは熱膨張係数が異なっ
ており、例えば、ポリイミドの線膨張係数は1.8 ×10-5
／Ｋであるのに対し、Crの線膨張係数は8.4 ×10-6／Ｋ
と異なっている。一方、薄膜多層回路基板上に搭載して
ある半導体集積回路は動作中に発熱することから、薄膜
多層回路基板は頻繁に温度サイクルを受け、もともと樹
脂と金属とは馴染みが良くないことから配線の剥離が生
じ易い。そのため、物理的に両者の密着性を向上する方
法として絶縁層の配線パターン形成位置だけを選択的に
粗面化したい。そこで、この方法を見出すことが課題で
ある。
ており、例えば、ポリイミドの線膨張係数は1.8 ×10-5
／Ｋであるのに対し、Crの線膨張係数は8.4 ×10-6／Ｋ
と異なっている。一方、薄膜多層回路基板上に搭載して
ある半導体集積回路は動作中に発熱することから、薄膜
多層回路基板は頻繁に温度サイクルを受け、もともと樹
脂と金属とは馴染みが良くないことから配線の剥離が生
じ易い。そのため、物理的に両者の密着性を向上する方
法として絶縁層の配線パターン形成位置だけを選択的に
粗面化したい。そこで、この方法を見出すことが課題で
ある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、マスクを
形成する誘電体多層膜の層数を部分的に変えることによ
りレーザ光の透過率を選択的に変えてレーザ加工用マス
クを作り、配線パターン形成領域を粗面化することによ
り解決することができる。
形成する誘電体多層膜の層数を部分的に変えることによ
りレーザ光の透過率を選択的に変えてレーザ加工用マス
クを作り、配線パターン形成領域を粗面化することによ
り解決することができる。
【００１８】
【作用】本発明はレーザアブレーション加工に使用する
ミラーマスクの誘電体多層膜の層数を調整することによ
りレーザ光の強度を部分的に変え、弱いアブレーション
を行なって絶縁層の表面を粗面化するものである。
ミラーマスクの誘電体多層膜の層数を調整することによ
りレーザ光の強度を部分的に変え、弱いアブレーション
を行なって絶縁層の表面を粗面化するものである。
【００１９】図１は本発明の実施法を示すミラーマスク
と樹脂膜の断面図（Ａ）と樹脂膜の平面図（Ｂ）であっ
て、図（Ａ）と図（Ｂ）は位置関係が対応している。こ
ゝで、従来のミラーマスクは誘電体多層膜20の構成層数
は一定とし、レーザ光を通す開口部21には誘電体多層膜
20を設けなかった。すなわち、レーザ光はマスクの部分
で全反射し、開口部では減衰することなく透過するよう
に形成されていた。一方、本発明に係るミラーマスクは
部分的に層数の少ない誘電体多層膜22を設け、減衰させ
たレーザ光を透過させることにより弱いアブレーション
加工を行なうものである。
と樹脂膜の断面図（Ａ）と樹脂膜の平面図（Ｂ）であっ
て、図（Ａ）と図（Ｂ）は位置関係が対応している。こ
ゝで、従来のミラーマスクは誘電体多層膜20の構成層数
は一定とし、レーザ光を通す開口部21には誘電体多層膜
20を設けなかった。すなわち、レーザ光はマスクの部分
で全反射し、開口部では減衰することなく透過するよう
に形成されていた。一方、本発明に係るミラーマスクは
部分的に層数の少ない誘電体多層膜22を設け、減衰させ
たレーザ光を透過させることにより弱いアブレーション
加工を行なうものである。
【００２０】同図（Ｂ）は２個のビア穴15を有する配線
パターン形成位置を示しており、今後の工程において、
樹脂膜19の上にCr/Cu の薄膜を形成してビア穴15を埋め
ると共に、写真蝕刻技術を施してダンベル(Dumb-bell)
型をした配線パターンを形成するものであるが、この際
にCrと樹脂膜19との密着性を向上するためには、配線パ
ターン形成位置のみ樹脂膜19の表面を粗面化しておくと
効果的である。
パターン形成位置を示しており、今後の工程において、
樹脂膜19の上にCr/Cu の薄膜を形成してビア穴15を埋め
ると共に、写真蝕刻技術を施してダンベル(Dumb-bell)
型をした配線パターンを形成するものであるが、この際
にCrと樹脂膜19との密着性を向上するためには、配線パ
ターン形成位置のみ樹脂膜19の表面を粗面化しておくと
効果的である。
【００２１】その方法として、本発明は同図（Ａ）のミ
ラーマスク18に示すように、ビア穴15を形成するマスク
の開口部21には誘電体多層膜を設けないが、この周辺の
配線パターン形成位置23には層数を減らした誘電体多層
膜22を設けるものである。そして、従来と同様にレーザ
光４の照射を行なえば、基板11上に設けてある樹脂膜19
にはアブレーションが行なわれてビア穴15が形成され、
また、配線パターン形成位置23は軽度のアブレーション
が行なわれ樹脂膜の表面が荒れることになる。
ラーマスク18に示すように、ビア穴15を形成するマスク
の開口部21には誘電体多層膜を設けないが、この周辺の
配線パターン形成位置23には層数を減らした誘電体多層
膜22を設けるものである。そして、従来と同様にレーザ
光４の照射を行なえば、基板11上に設けてある樹脂膜19
にはアブレーションが行なわれてビア穴15が形成され、
また、配線パターン形成位置23は軽度のアブレーション
が行なわれ樹脂膜の表面が荒れることになる。
【００２２】
【実施例】図１と図２を使用して実施例を説明する。ま
ず、透明石英基板９の上にスパッタ法を用いてSiO2膜と
Y2O3膜をそれぞれ0.124 μm の厚さに順次に積層して誘
電体多層膜を形成した。こゝで、マスク部の誘電体多層
膜20の層数は50層, ビア穴を形成する開口部21の層数は
０，配線パターン形成位置に対応する誘電体多層膜22の
層数は10層としてミラーマスク18を形成した。こゝで、
開口部21の径は10μm ，配線パターン形成位置の幅は20
μm , 長さは100 μm である。
ず、透明石英基板９の上にスパッタ法を用いてSiO2膜と
Y2O3膜をそれぞれ0.124 μm の厚さに順次に積層して誘
電体多層膜を形成した。こゝで、マスク部の誘電体多層
膜20の層数は50層, ビア穴を形成する開口部21の層数は
０，配線パターン形成位置に対応する誘電体多層膜22の
層数は10層としてミラーマスク18を形成した。こゝで、
開口部21の径は10μm ，配線パターン形成位置の幅は20
μm , 長さは100 μm である。
【００２３】一方、硼硅酸ガラスよりなる基板11の上に
ポリアミク酸を塗布し、溶剤乾燥後、360 ℃でキュアを
行なって20μm の厚さをもつポリイミドよりなる樹脂膜
19を形成した。そして、ミラーマスク８と基板11を図２
に示すような枠体12に固定した後、ＸーＹステージ13の
上に位置決めした。
ポリアミク酸を塗布し、溶剤乾燥後、360 ℃でキュアを
行なって20μm の厚さをもつポリイミドよりなる樹脂膜
19を形成した。そして、ミラーマスク８と基板11を図２
に示すような枠体12に固定した後、ＸーＹステージ13の
上に位置決めした。
【００２４】次に、エキシマレーザ光源３としてKrF レ
ーザ発振器を用い、発振波長が248nm ，パルス幅16ns，
出力250 mJ／パルスのレーザ光４を200 パルス照射して
レーザアブレーション加工を行なった。その結果、径10
μm でエッジのシヤープなビア穴15を作ることができ、
また、この周囲の配線パターン形成位置23は荒れてお
り、その表面粗度は0.5 〜1.0 μm であった。
ーザ発振器を用い、発振波長が248nm ，パルス幅16ns，
出力250 mJ／パルスのレーザ光４を200 パルス照射して
レーザアブレーション加工を行なった。その結果、径10
μm でエッジのシヤープなビア穴15を作ることができ、
また、この周囲の配線パターン形成位置23は荒れてお
り、その表面粗度は0.5 〜1.0 μm であった。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂膜に照射するレー
ザ光の強度を精度よく、また、選択的に変えることがで
き、これにより穴開け加工だけでなく、表面粗面化を行
なうことができ、樹脂膜と微細な配線パターンとの密着
性を改良することができる。
ザ光の強度を精度よく、また、選択的に変えることがで
き、これにより穴開け加工だけでなく、表面粗面化を行
なうことができ、樹脂膜と微細な配線パターンとの密着
性を改良することができる。
【図１】 本発明の実施法を示す断面図（Ａ）と樹脂膜
の平面図（Ｂ）である。
の平面図（Ｂ）である。
【図２】 アブレーション加工法を示す構成図である。
【図３】 誘電体多層膜マスクの構成図である。
２ 誘電体多層膜 ４ レーザ光 ８，18 ミラーマスク 10, 19 樹脂膜 15 ビア穴 20，22 誘電体多層膜 23 配線パターン形成位置
Claims (1)
- 【請求項１】 高出力なレーザ光の選択露光に使用する
誘電体多層膜よりなるマスクにおいて、該マスクを形成
する誘電体多層膜の層数を部分的に変えてレーザ光の透
過率を選択的に変えることを特徴とするレーザ加工用マ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23059793A JPH0780675A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | レーザ加工用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23059793A JPH0780675A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | レーザ加工用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0780675A true JPH0780675A (ja) | 1995-03-28 |
Family
ID=16910244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23059793A Withdrawn JPH0780675A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | レーザ加工用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0780675A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6919162B1 (en) | 1998-08-28 | 2005-07-19 | Agilent Technologies, Inc. | Method for producing high-structure area texturing of a substrate, substrates prepared thereby and masks for use therein |
| JP2005211769A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Sharp Corp | 基板製造装置 |
| JP2006326633A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Olympus Corp | 微小凹部の作製方法、切断方法、及び微小凹部作製装置 |
| JP2013532390A (ja) * | 2010-07-08 | 2013-08-15 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 印刷回路基板及びその製造方法 |
| JP2020134577A (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-31 | 大日本印刷株式会社 | レーザ露光用フォトマスク及びフォトマスクブランクス |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP23059793A patent/JPH0780675A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6919162B1 (en) | 1998-08-28 | 2005-07-19 | Agilent Technologies, Inc. | Method for producing high-structure area texturing of a substrate, substrates prepared thereby and masks for use therein |
| US7354695B2 (en) | 1998-08-28 | 2008-04-08 | Agilent Technologies, Inc. | Producing a substrate having high surface-area texturing |
| JP2005211769A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Sharp Corp | 基板製造装置 |
| JP2006326633A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Olympus Corp | 微小凹部の作製方法、切断方法、及び微小凹部作製装置 |
| JP4681942B2 (ja) * | 2005-05-25 | 2011-05-11 | オリンパス株式会社 | 微小凹部の作製方法 |
| JP2013532390A (ja) * | 2010-07-08 | 2013-08-15 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 印刷回路基板及びその製造方法 |
| US9491866B2 (en) | 2010-07-08 | 2016-11-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method for manufacturing a printed circuit board |
| JP2020134577A (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-31 | 大日本印刷株式会社 | レーザ露光用フォトマスク及びフォトマスクブランクス |
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Legal Events
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |