JP2005211769A - 基板製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板上に液滴を付着させ、赤外線等の電磁波を照射して有機EL素子における有機層等の薄膜を形成する工程に用いられる基板製造装置であって、上記基板製造装置は、液滴の中心部又は周囲部等に対応する指定された領域に対して選択的に電磁波を照射するものである基板製造装置である。
【選択図】 図5−a
Description
以下に本発明を詳述する。
上記基板としては、透明性の高いものが好ましく、例えば、ガラス等の無機材料、透明樹脂等から構成されるものを用いることができる。液滴としては特に限定されるものではないが、液滴吐出法(インクジェット法)により塗布するのに適した特性を有するものから構成されることが好ましい。
上記基板製造装置は、指定された領域のみに対して選択的に電磁波を照射するものであることが好ましい。なお、本発明において、「指定された領域のみ」の用語の意味は、本発明の作用効果を発揮することになる範囲で、指定された領域以外の誤差領域を含む領域であってもよい。
本発明の基板製造装置においては、このように電磁波を選択的に照射する手段を必須構成部材として有する限り、その他の構成部材を含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。
また、電磁波として略平行波を用いた場合においても、電磁波遮蔽マスクを併用することにより、液滴の中央付近により選択的に電磁波を照射することができ、乾燥速度のコントラストを更に増大させることが可能となる。
液滴塗布法(インクジェット法)においては、液滴の乾燥を制御するための機能を有していない通常の基板製造装置を用いた場合、液滴における溶媒の種類、混合溶媒の比等を変えることによって、乾燥膜のプロファイルが異なることとなる。これは、溶媒の沸点、蒸気圧等によって乾燥過程が異なるためである。液滴吐出法(インクジェット法)により液滴の吐出を行う場合には、適正な溶媒条件の範囲があるため、通常では、溶媒の種類や混合比等はおのずと制約されてしまう。しかしながら、通常の基板製造装置によれば、この範囲内で選択した溶媒であっても、液滴を吐出させ乾燥させて得られる膜の膜厚プロファイルが必ずしも平坦になるとは限らない。一方、有機EL表示装置に用いられる基板上のドット毎に有機層を形成する場合において、有機EL素子の特性面を考えると、ドット内に有機層の膜厚分布があると閾値電圧の分布となり、これはすなわち発光輝度がドット内で均一でないことを意味する。また、発光効率や素子寿命は、有機層の膜厚と非常に大きな相関があり、適正で均一な膜厚を得ることは、高効率で長寿命の有機EL素子を得るために非常に重要な要素である。このため、液滴吐出法(インクジェット法)にとって好適であるものの、平坦な膜を得ることができないような溶媒を用いる場合であっても、膜を平坦化する方法が必要であるが、本発明の基板製造装置を用いれば、このような場合に、有機層の膜厚分布の均一な有機EL素子を作製することが可能となり、高効率で長寿命の有機EL素子の実現が可能となる。
まず、図1−a及び図1−bを参照して実施例で作製した有機EL素子の構造について簡単に説明する。
図1−aは、実施例で作製した有機EL素子の基本的な構造を示す断面模式図であり、図1−bは、図1−aに示した有機EL素子の平面模式図である。
図1−a及び図1−bに示すように、有機EL素子は、素子全体を支持する支持基板1と、発光材料を含む有機層3と、この有機層3に電流を与えるための第一の電極2及び第二の電極4と、封止材5とを備えたものである。第一の電極2、有機層3、及び、第二の電極4は、この順に支持基板1上に積層されており、更にこれらの全面は封止材5により覆われている。
図2−aは、実施例で使用した液滴塗布装置の要部を示す側面模式図である。また、図2−bは、実施例で使用した液滴塗布装置と分離して電磁波(赤外線)照射部を有する本発明の基板製造装置の要部を示す側面模式図である。
液滴塗布部(インクジェット装置、ディスペンサ装置等)6により所望の液滴径等に調整した液滴を吐出させ、基板10上の所定の場所に滴下した。
ここでは一例として、正孔輸送層の材料として、PEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)/PSS(ポリスチレンスルホン酸)溶液を使用し、発光層の材料として、キシレンやテトラリン溶媒と、これら溶媒に可溶なMEH−PPVやポリフルオレン系等の高分子発光材料を使用したが、これら材料や溶媒に限定されるものではない。また液物性に関しては、インクジェット吐出に通常使用される程度のものとし、粘度は5〜15mPa・sに調整し、表面張力は30〜35mN/mに調整した。
また、素子作製に当たっては、塗布及び乾燥の雰囲気は、大気中よりも不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、更に、水分濃度がppmオーダー以下であることや、酸素濃度がppmオーダー以下であることが好ましい。
なお、本実施例及び以下の実施例では、1ドットを一つの膜形成領域としてもよいし、あるいは複数のドットをまとめて一つの膜形成領域としてもよい。
赤外レーザのような平行波からなる電磁波を用いる場合であっても、電磁波遮蔽マスク8を用いることで中央付近により選択的に照射することができ、乾燥速度のコントラストを更に増すことが可能となる。
本実施例では、電磁波として、平行波からなる赤外レーザを用いたことで、中心部を優先的に乾燥させる効果を高め、得られる膜の平坦性をより向上させることができた。
そこで、本実施例では、基板に液滴が付着してから電磁波照射部により電磁波を照射するまでの時間及び照射している時間が、各液滴で同じ履歴になるようにしたこと以外は、実施例1〜5と同様にして有機EL素子を作製した。具体的には、図3に示すように、液滴塗布部6と電磁波照射部7とを並列に設置し、吐出と平行して乾燥を行えるようにした。これにより、ドット毎に見た場合、液滴の塗布が行われてから電磁波が照射されるまでの時間、及び、電磁波が照射されている時間が全て同一になるように連動させて制御することが可能となった。また、電磁波照射部7としては、赤外レーザ又は波長略0.8〜1μmの輝線を有するキセノンランプを光ファイバに入射させてから対象物に集光させる点集光型の加熱装置を用いて、照射タイミングを調整した。この際の各ドットへの電磁波照射量は、例えば、1列目2列目等の列単位で適宜制御してもよい。
本実施例では、各ドットの液滴塗布から乾燥までの履歴を同一にしたことで、ドット間の膜厚バラツキを大幅に抑制することができ、これにより、有機EL表示装置の表示品位を向上することができた。
本実施例では、基板ステージ9に設置した基板温度制御機構により基板温度を制御することで、液滴の乾燥過程をより効果的に制御することができた。つまりは、基板温度を一定かつ液滴の乾燥速度を遅くするような低温に保ち、この状態で電磁波を局所的に照射したことで、より効果的に周辺部と中心部とで温度差を生じさせることが可能となり、平坦な膜を得るための制御がより容易となった。
1a:隔壁
2:第一の電極
3:有機層
4:第二の電極
5:封止材
6:液滴塗布装置(液滴塗布部)
7:電磁波(赤外線)照射部
8、11、16、21、26、31、36:電磁波遮蔽マスク(遮光マスク)
9:基板ステージ
10:基板
12、17、22、27、32、37:透過部
13、18、23、28、33、38:非透過部
51、61、71、81:液滴
52、54、62、64、66、72、74、76、82、84、86:電磁波照射部
53、55、63、65、67、73、75、77、83、85、87:電磁波非照射部
90:電磁波吸収膜
95、96:乾燥薄膜
Claims (11)
- 基板上に液滴を付着させ、電磁波を照射して薄膜を形成する工程に用いられる基板製造装置であって、該基板製造装置は、指定された領域に対して選択的に電磁波を照射するものであることを特徴とする基板製造装置。
- 前記電磁波の照射は、略平行波により行われることを特徴とする請求項1記載の基板製造装置。
- 前記電磁波の照射は、赤外線により行われることを特徴とする請求項1又は2記載の基板製造装置。
- 前記薄膜を形成する領域は、隔壁によって規定する方法、及び、表面張力の差によって規定する方法の少なくとも一方の規定方法により規定されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板製造装置。
- 前記電磁波の照射は、中央から外側にかけてエネルギー分布を持つ電磁波により行われることを特徴とする請求項1〜4のいずれか記載の基板製造装置。
- 前記基板は、基板の各領域内で電磁波の吸収率に分布があるものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の基板製造装置。
- 前記基板上に液滴が付着してから電磁波照射までの時間及び電磁波を照射している時間は、各液滴で略同じになることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の基板製造装置。
- 前記基板製造装置は、基板温度制御機構を有するものであることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の基板製造装置。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の基板製造装置を用いてなることを特徴とする基板製造方法。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の基板製造装置により作製されてなることを特徴とする電子表示装置。
- 前記電子表示装置は、電子エレクトロルミネッセンス表示装置であることを特徴とする請求項10記載の電子表示装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005211770A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Sharp Corp | 基板製造装置 |
JP2007214007A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及びその製造装置 |
JP2009049023A (ja) * | 2008-12-05 | 2009-03-05 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法 |
WO2014141846A1 (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体膜の形成方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5655518A (en) * | 1979-10-08 | 1981-05-16 | Fanuc Ltd | Converging device of laser beam |
JPS6240986A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-21 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | レ−ザ−加工方法 |
JPH03110095A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-05-10 | Brother Ind Ltd | レーザ裁断方法 |
JPH079180A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ加工装置 |
JPH0780675A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-28 | Fujitsu Ltd | レーザ加工用マスク |
JPH08224686A (ja) * | 1995-02-23 | 1996-09-03 | Citizen Watch Co Ltd | レーザーアブレーション加工用マスク |
JPH09136178A (ja) * | 1995-11-10 | 1997-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | エネルギービーム加工用マスク、エネルギービーム加工方法および被加工材 |
JPH10156559A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バーコードパターンニング装置 |
JP2002144069A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-05-21 | Sharp Corp | レーザ加工方法 |
WO2002052627A1 (fr) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Seiko Epson Corporation | Procede de formation de motif, dispositif a semi-conducteur, circuit electrique, module d'element d'affichage et element lumineux |
JP2004165140A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-06-10 | Dainippon Printing Co Ltd | インクジェット法による有機el表示装置及びカラーフィルターの製造方法、製造装置 |
-
2004
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5655518A (en) * | 1979-10-08 | 1981-05-16 | Fanuc Ltd | Converging device of laser beam |
JPS6240986A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-21 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | レ−ザ−加工方法 |
JPH03110095A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-05-10 | Brother Ind Ltd | レーザ裁断方法 |
JPH079180A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ加工装置 |
JPH0780675A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-28 | Fujitsu Ltd | レーザ加工用マスク |
JPH08224686A (ja) * | 1995-02-23 | 1996-09-03 | Citizen Watch Co Ltd | レーザーアブレーション加工用マスク |
JPH09136178A (ja) * | 1995-11-10 | 1997-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | エネルギービーム加工用マスク、エネルギービーム加工方法および被加工材 |
JPH10156559A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バーコードパターンニング装置 |
JP2002144069A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-05-21 | Sharp Corp | レーザ加工方法 |
WO2002052627A1 (fr) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Seiko Epson Corporation | Procede de formation de motif, dispositif a semi-conducteur, circuit electrique, module d'element d'affichage et element lumineux |
JP2004165140A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-06-10 | Dainippon Printing Co Ltd | インクジェット法による有機el表示装置及びカラーフィルターの製造方法、製造装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005211770A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Sharp Corp | 基板製造装置 |
JP4553594B2 (ja) * | 2004-01-28 | 2010-09-29 | シャープ株式会社 | 基板製造装置及び基板製造方法 |
JP2007214007A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及びその製造装置 |
JP2009049023A (ja) * | 2008-12-05 | 2009-03-05 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法 |
WO2014141846A1 (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体膜の形成方法 |
JP2014179371A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Fujifilm Corp | 有機半導体膜の形成方法 |
US20150364686A1 (en) * | 2013-03-13 | 2015-12-17 | Fujifilm Corporation | Method for forming organic semiconductor film |
US9680099B2 (en) | 2013-03-13 | 2017-06-13 | Fujifilm Corporation | Method for forming organic semiconductor film |
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