JP2697447B2 - レーザアブレーション加工方法と電子装置 - Google Patents
レーザアブレーション加工方法と電子装置Info
- Publication number
- JP2697447B2 JP2697447B2 JP4006106A JP610692A JP2697447B2 JP 2697447 B2 JP2697447 B2 JP 2697447B2 JP 4006106 A JP4006106 A JP 4006106A JP 610692 A JP610692 A JP 610692A JP 2697447 B2 JP2697447 B2 JP 2697447B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- soot
- processing
- laser
- laser ablation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はポリマを層間絶縁膜とす
る多層配線基板にビアを形成する際に使用するレーザア
ブレーション加工方法に関する。
る多層配線基板にビアを形成する際に使用するレーザア
ブレーション加工方法に関する。
【0002】近年, 新しい加工技術としてエキシマレー
ザによるアブレーション(Ablation)加工が注目されてい
る。エキシマレーザとはアルゴン(Ar)やクリプトン(Kr)
などの希ガスと弗素(F)や塩素(Cl)などハロゲンとの
励起子を利用したガスレーザであって、高強度の紫外線
を発振すると云う特徴がある。
ザによるアブレーション(Ablation)加工が注目されてい
る。エキシマレーザとはアルゴン(Ar)やクリプトン(Kr)
などの希ガスと弗素(F)や塩素(Cl)などハロゲンとの
励起子を利用したガスレーザであって、高強度の紫外線
を発振すると云う特徴がある。
【0003】こゝで、通常の有機物は紫外域に強い吸収
があるためにエキシマレーザ光のような強い (〜100MW/
cm2) 光パルスを照射すると一瞬のうちに化学結合が破
壊され表面層が蒸発する。
があるためにエキシマレーザ光のような強い (〜100MW/
cm2) 光パルスを照射すると一瞬のうちに化学結合が破
壊され表面層が蒸発する。
【0004】この現象をアブレーションと言い、レーザ
アブレーション加工はこの現象を利用したものでであ
る。こゝで、エキシマレーザを構成する希ガスとハロゲ
ンの組み合わせは多数あるが,材料加工でよく検討され
るのは弗化クリプトン(KrF, 波長248 nm) 、塩化クセノ
ン(XeCl,波長308 nm)、弗化アルゴン(ArF, 波長193 nm)
などである。
アブレーション加工はこの現象を利用したものでであ
る。こゝで、エキシマレーザを構成する希ガスとハロゲ
ンの組み合わせは多数あるが,材料加工でよく検討され
るのは弗化クリプトン(KrF, 波長248 nm) 、塩化クセノ
ン(XeCl,波長308 nm)、弗化アルゴン(ArF, 波長193 nm)
などである。
【0005】さて、レーザ加工としては従来よりイット
ニウム・アルミニウム・ガーネットレーザ( 略称YAG レ
ーザ, 波長1.06μm ) や炭酸ガスレーザ(CO2レーザ, 波
長10.6μm )のようなレーザを用い、赤外線の熱エネル
ギーを利用した加工が行われている。
ニウム・アルミニウム・ガーネットレーザ( 略称YAG レ
ーザ, 波長1.06μm ) や炭酸ガスレーザ(CO2レーザ, 波
長10.6μm )のようなレーザを用い、赤外線の熱エネル
ギーを利用した加工が行われている。
【0006】然し、このような加工では周囲への熱的損
傷が大きい。また、ビームを絞って加工を行うが、赤外
線であるためにスポット径を小さくすることが難しく,
また点加工であるためスループットの観点からも広い面
積に亙って微細加工を行うには適さないと云う問題があ
る。
傷が大きい。また、ビームを絞って加工を行うが、赤外
線であるためにスポット径を小さくすることが難しく,
また点加工であるためスループットの観点からも広い面
積に亙って微細加工を行うには適さないと云う問題があ
る。
【0007】これに対してエキシマレーザは光で化学結
合を分解する過程を主に利用することから加工断面の仕
上がりがシャープであり、また、10mm2 程度の比較的広
い面積を一括して加工できるため、マスク露光を行うこ
とで微細パターンを容易にうることができる。(T.A.Zno
tins他:Laser Focus, May 54,1987, 石坂: 応用機械光
学1990年 9月号 など) 。
合を分解する過程を主に利用することから加工断面の仕
上がりがシャープであり、また、10mm2 程度の比較的広
い面積を一括して加工できるため、マスク露光を行うこ
とで微細パターンを容易にうることができる。(T.A.Zno
tins他:Laser Focus, May 54,1987, 石坂: 応用機械光
学1990年 9月号 など) 。
【0008】なお、エキシマレーザを用いて金属, セラ
ミックの加工やマーキングなども可能であるが,ポリマ
の加工に最も威力を発揮しており、ポリイミドなど難加
工性ポリマへの適用が盛んに検討されている。
ミックの加工やマーキングなども可能であるが,ポリマ
の加工に最も威力を発揮しており、ポリイミドなど難加
工性ポリマへの適用が盛んに検討されている。
【0009】
【従来の技術】エキシマレーザアブレーション加工の有
用性が注目されている分野に,多層配線基板の層間接続
用のビア(Via)形成がある。
用性が注目されている分野に,多層配線基板の層間接続
用のビア(Via)形成がある。
【0010】すなわち、電子部品の高密度実装を行うた
めに回路基板は配線パターンの微細化と多層化が行われ
ているが、多層化法として一層づつ配線層を積み上げて
いく薄膜法が注目されている。
めに回路基板は配線パターンの微細化と多層化が行われ
ているが、多層化法として一層づつ配線層を積み上げて
いく薄膜法が注目されている。
【0011】こゝで、薄膜法が高密度実装に適すること
は以前から知られていたが、実際に適用されることが少
なかった理由としては層間の接続を行うためのビアホー
ル形成の困難さを挙げることができる。
は以前から知られていたが、実際に適用されることが少
なかった理由としては層間の接続を行うためのビアホー
ル形成の困難さを挙げることができる。
【0012】なお、層間絶縁層の形成材料としては、半
田耐熱の必要から耐熱性が優れたポリイミドが工業的に
利用されている。然し、薄膜法と云うものゝ、多層回路
基板における絶縁膜の厚さは数10μmと半導体において
使用されている二酸化硅素膜(SiO2膜)や窒化硅素膜
(Si3N4 膜) などに較べると1桁以上厚いため,ポリイ
ミドのような難加工性の材料に対して微細な穴を確実
に、かつ簡便なプロセスで形成することが困難であっ
た。
田耐熱の必要から耐熱性が優れたポリイミドが工業的に
利用されている。然し、薄膜法と云うものゝ、多層回路
基板における絶縁膜の厚さは数10μmと半導体において
使用されている二酸化硅素膜(SiO2膜)や窒化硅素膜
(Si3N4 膜) などに較べると1桁以上厚いため,ポリイ
ミドのような難加工性の材料に対して微細な穴を確実
に、かつ簡便なプロセスで形成することが困難であっ
た。
【0013】例えば,感光性ポリイミド膜に選択露光を
行った後にエッチングしてパターン形成を行うプロセス
においては、光がポリイミド膜の下部まで浸透しにくい
という問題がある。
行った後にエッチングしてパターン形成を行うプロセス
においては、光がポリイミド膜の下部まで浸透しにくい
という問題がある。
【0014】また、溶剤を用いるウエットエッチングに
おいては膨潤による解像度の低下のためにアスペクト比
(膜厚/穴径)が1/3 程度までしか微細化できず、また
穴の断面形状も逆テーパー状になるという問題がある。
おいては膨潤による解像度の低下のためにアスペクト比
(膜厚/穴径)が1/3 程度までしか微細化できず、また
穴の断面形状も逆テーパー状になるという問題がある。
【0015】また、膜上にレジスト層を形成し写真蝕刻
技術(フォトリソグラフィ)を用いてドライエッチング
する場合にはより微細な穴を形成できるものゝ、プロセ
スが煩雑であり、またポリイミドに適し、選択比の大き
いレジストを見出すのが困難である。
技術(フォトリソグラフィ)を用いてドライエッチング
する場合にはより微細な穴を形成できるものゝ、プロセ
スが煩雑であり、またポリイミドに適し、選択比の大き
いレジストを見出すのが困難である。
【0016】これに対し、エキシマレーザによるアブレ
ーション加工においては, マスクに忠実で形状の良いビ
アを露光のみのプロセスで形成できるために、このビア
形成技術は難加工性の膜に適した方法として注目されて
いる。
ーション加工においては, マスクに忠実で形状の良いビ
アを露光のみのプロセスで形成できるために、このビア
形成技術は難加工性の膜に適した方法として注目されて
いる。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】エキシマレーザを用
い、ポリイミドなどのポリマにビア形成を行う場合の問
題点として加工周辺部への煤の付着がある。
い、ポリイミドなどのポリマにビア形成を行う場合の問
題点として加工周辺部への煤の付着がある。
【0018】すなわち、エキシマレーザ光により化学結
合が破壊されたポリマーは低分子量の破片となってガス
化するが、ガスの温度が下がると通常の燃焼時と同様に
一部は煤となって加工部の周辺に付着する。
合が破壊されたポリマーは低分子量の破片となってガス
化するが、ガスの温度が下がると通常の燃焼時と同様に
一部は煤となって加工部の周辺に付着する。
【0019】このような煤は外観を損なうだけでなく、
配線基板では表面の絶縁抵抗を低下させる。こゝで、付
着した煤の殆どはアルコールなどの低表面張力の液に漬
けて超音波洗浄することで除去できるものゝ、通常の浸
漬洗浄のみでは完全に除去することは困難であり、付着
部分の黒ずみが残ってしまうと云う問題がある。
配線基板では表面の絶縁抵抗を低下させる。こゝで、付
着した煤の殆どはアルコールなどの低表面張力の液に漬
けて超音波洗浄することで除去できるものゝ、通常の浸
漬洗浄のみでは完全に除去することは困難であり、付着
部分の黒ずみが残ってしまうと云う問題がある。
【0020】また、液を含ませたスポンジローラなどで
拭取った場合、加工部周辺に付着した煤は除去できるも
のゝ、煤が加工した穴に入り込むと云う問題がある。ま
た、煤を除去する代わりにヘリウム(He)ガス雰囲気中で
加工することで煤の発生を抑制する方法も知られている
(石坂: 応用機械光学1990年 9月号) 。
拭取った場合、加工部周辺に付着した煤は除去できるも
のゝ、煤が加工した穴に入り込むと云う問題がある。ま
た、煤を除去する代わりにヘリウム(He)ガス雰囲気中で
加工することで煤の発生を抑制する方法も知られている
(石坂: 応用機械光学1990年 9月号) 。
【0021】然し、煤の付着許容量は用途によって異な
るし、発生量も材料の種類や加工条件に依存するため、
Heガス中での加工により煤の問題を完全に解決するのは
困難である。
るし、発生量も材料の種類や加工条件に依存するため、
Heガス中での加工により煤の問題を完全に解決するのは
困難である。
【0022】また、高価なHeガスを使用したり、ガスチ
ャンバ中で加工する必要があるなど、コストが高くなる
という問題がある。
ャンバ中で加工する必要があるなど、コストが高くなる
という問題がある。
【0023】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、水に不溶
な有機ポリマ膜からなる被加工材料に、水に可溶な異質
の有機ポリマ膜からなる塗膜を被覆した後アブレーショ
ン加工を行い、 次いで、前記被膜を溶解除去し、同時に
アブレーション煤を除去するレーザアブレーション加工
方法と、 水に不溶な有機ポリマ膜が、多層配線基板の層
間絶縁層であり、レーザアブレーション加工によって層
間接続用のビアホールが形成されることによって解決す
ることができる。
な有機ポリマ膜からなる被加工材料に、水に可溶な異質
の有機ポリマ膜からなる塗膜を被覆した後アブレーショ
ン加工を行い、 次いで、前記被膜を溶解除去し、同時に
アブレーション煤を除去するレーザアブレーション加工
方法と、 水に不溶な有機ポリマ膜が、多層配線基板の層
間絶縁層であり、レーザアブレーション加工によって層
間接続用のビアホールが形成されることによって解決す
ることができる。
【0024】
【作用】エキシマレーザアブレーションにおいては、レ
ーザ照射が行われた位置には煤は残らず,照射位置の近
傍で光の照射が無かったか、或いは照射されても強度が
弱かった位置にのみ煤が付着する。
ーザ照射が行われた位置には煤は残らず,照射位置の近
傍で光の照射が無かったか、或いは照射されても強度が
弱かった位置にのみ煤が付着する。
【0025】図2は薄膜法による多層配線基板の製造工
程を示す断面図である。すなわち、厚膜ペーストなどを
用いて第1のビア1が形成してあるセラミック回路基板
2の上に、スピンコート法などの方法によりポリイミド
のように難加工性の第1のポリマ膜3を形成し、これに
レーザ照射によるアブレーション加工によりビアホール
を形成した後、真空蒸着法などにより配線形成用の金属
を膜形成し、写真蝕刻技術により配線4と第2のビア5
を形成する。
程を示す断面図である。すなわち、厚膜ペーストなどを
用いて第1のビア1が形成してあるセラミック回路基板
2の上に、スピンコート法などの方法によりポリイミド
のように難加工性の第1のポリマ膜3を形成し、これに
レーザ照射によるアブレーション加工によりビアホール
を形成した後、真空蒸着法などにより配線形成用の金属
を膜形成し、写真蝕刻技術により配線4と第2のビア5
を形成する。
【0026】次に、この上にスピンコート法などにより
第2のポリマ膜6を形成して層間絶縁を行い、レーザ照
射によるアブレーション加工によりビアホール7を形成
し、先と同様な工程を繰り返すことにより多層回路基板
が形成されてゆくが、例えばアブレーション加工により
ビアホール7を形成する段階でビアホール7の上の周辺
に煤8が付着する。
第2のポリマ膜6を形成して層間絶縁を行い、レーザ照
射によるアブレーション加工によりビアホール7を形成
し、先と同様な工程を繰り返すことにより多層回路基板
が形成されてゆくが、例えばアブレーション加工により
ビアホール7を形成する段階でビアホール7の上の周辺
に煤8が付着する。
【0027】こゝで、ビアホール7の内面や下に露出し
ている配線4に煤が付着しても、次の光パルス照射で除
去されるために煤の残留は起こらず、ビアホール7の周
囲の表面上にのみに残留する。
ている配線4に煤が付着しても、次の光パルス照射で除
去されるために煤の残留は起こらず、ビアホール7の周
囲の表面上にのみに残留する。
【0028】本発明は被加工材料の表面上に別種の薄膜
を形成しておき、加工終了後にこの膜を煤と共に除去す
ることにより煤のないポリマ膜を得るものである。 図
1は本発明の原理図である。
を形成しておき、加工終了後にこの膜を煤と共に除去す
ることにより煤のないポリマ膜を得るものである。 図
1は本発明の原理図である。
【0029】すなわち、被処理基板10の上に難加工性の
ポリマ膜11を被覆した後、レーザアブレーション加工に
よりビアホールを形成するに当たり、先ず、ポリマ膜11
の上に別種の薄いポリマ膜12を形成する。( 以上同図
A) 次に、この別種の薄いポリマ膜12とポリマ膜11にレーザ
照射を行ってアブレーション加工を行い、ビアホール13
を形成するが、この際、別種の薄いポリマ膜12の上には
煤14が付着している。( 以上同図B) 次に、別種の薄いポリマ膜12を剥離あるいは溶解除去す
ることにより煤の付着のないポリマ膜11を得ることがで
きる。( 以上同図C) こゝで、ポリマ膜上への異種薄膜の形成と除去方法とし
ては,マスキングテープのような粘着性のフィルムを貼
ってから加工し、加工後に剥がす粘着フィルム法があ
る。
ポリマ膜11を被覆した後、レーザアブレーション加工に
よりビアホールを形成するに当たり、先ず、ポリマ膜11
の上に別種の薄いポリマ膜12を形成する。( 以上同図
A) 次に、この別種の薄いポリマ膜12とポリマ膜11にレーザ
照射を行ってアブレーション加工を行い、ビアホール13
を形成するが、この際、別種の薄いポリマ膜12の上には
煤14が付着している。( 以上同図B) 次に、別種の薄いポリマ膜12を剥離あるいは溶解除去す
ることにより煤の付着のないポリマ膜11を得ることがで
きる。( 以上同図C) こゝで、ポリマ膜上への異種薄膜の形成と除去方法とし
ては,マスキングテープのような粘着性のフィルムを貼
ってから加工し、加工後に剥がす粘着フィルム法があ
る。
【0030】また、ポリマ膜上への異種の膜を塗布して
から加工し、その後に膜を水や溶剤で溶かす塗膜溶解法
がある。こゝで、粘着フィルム法はポリマを液体に浸漬
することなく極めて確実に煤を除去できるが、粘着フィ
ルム自体に穴を開ける時間が余計にかゝると云う問題が
ある。
から加工し、その後に膜を水や溶剤で溶かす塗膜溶解法
がある。こゝで、粘着フィルム法はポリマを液体に浸漬
することなく極めて確実に煤を除去できるが、粘着フィ
ルム自体に穴を開ける時間が余計にかゝると云う問題が
ある。
【0031】また、フィルムの厚さは取扱い性や粘着層
の厚さを考慮すると20〜30μmは必要であまり薄くはで
きない。そのため、ポリマの加工深さがフィルム厚に比
較して充分深い場合は問題にならないが,加工深さが浅
い場合には加工時間の大半が別種ポリマの加工に費やさ
れるため不経済である。
の厚さを考慮すると20〜30μmは必要であまり薄くはで
きない。そのため、ポリマの加工深さがフィルム厚に比
較して充分深い場合は問題にならないが,加工深さが浅
い場合には加工時間の大半が別種ポリマの加工に費やさ
れるため不経済である。
【0032】次に、塗膜溶解法は皮膜を極めて薄くでき
ることから、皮膜の形成による加工時間のロスを非常に
小さくすることができる。また、厚い粘着フィルムの場
合はフィルム自体をアブレーションする必要があり、そ
のため、レーザ光を良く吸収する材料が必要となるが、
薄い塗膜の場合はポリマがアブレーションされる際の噴
射圧で塗膜が除去されるため、ポリビニルアルコールの
ように紫外線に対する吸収が比較的小さい材料でも使用
することができる。
ることから、皮膜の形成による加工時間のロスを非常に
小さくすることができる。また、厚い粘着フィルムの場
合はフィルム自体をアブレーションする必要があり、そ
のため、レーザ光を良く吸収する材料が必要となるが、
薄い塗膜の場合はポリマがアブレーションされる際の噴
射圧で塗膜が除去されるため、ポリビニルアルコールの
ように紫外線に対する吸収が比較的小さい材料でも使用
することができる。
【0033】なお、塗膜溶解法ではアブレーション加工
するポリマに損傷を与えない溶剤に対して溶解する材料
であれば皮膜形成材料として使用することができる。こ
ゝで、どのような溶剤や塗膜材料を用いるかはアブレー
ション加工するポリマの材質によるが、一般にレーザア
ブレーションはポリイミドやフッ素樹脂, 熱硬化樹脂な
ど溶剤に溶けにくい材料に適用される場合が多いので,
水やアルコールなどに溶解するポリマーが塗膜材料とし
て使用することができる。
するポリマに損傷を与えない溶剤に対して溶解する材料
であれば皮膜形成材料として使用することができる。こ
ゝで、どのような溶剤や塗膜材料を用いるかはアブレー
ション加工するポリマの材質によるが、一般にレーザア
ブレーションはポリイミドやフッ素樹脂, 熱硬化樹脂な
ど溶剤に溶けにくい材料に適用される場合が多いので,
水やアルコールなどに溶解するポリマーが塗膜材料とし
て使用することができる。
【0034】すなわち、水で皮膜除去する場合には、ポ
リビニルアルコール, カルボキシメチルセルロース, ポ
リエチレングリコール, ポリビニルピロリドンなどがあ
り、また、アルコールで除去する場合には、ナイロン,
ポリエチレングリコール, ポリビニルブチラールなどを
使用することができる。
リビニルアルコール, カルボキシメチルセルロース, ポ
リエチレングリコール, ポリビニルピロリドンなどがあ
り、また、アルコールで除去する場合には、ナイロン,
ポリエチレングリコール, ポリビニルブチラールなどを
使用することができる。
【0035】
【0036】なお、フッ素樹脂の場合、塗膜材料の選択
範囲は非常に広いが、塗液が弾かれ易いので、均一な塗
膜を形成するにはフッ素樹脂の表面をアルカリで処理し
たり、塗液中にフッ素系界面活性剤を添加するなどフッ
素樹脂表面を濡らす工夫が必要である。
範囲は非常に広いが、塗液が弾かれ易いので、均一な塗
膜を形成するにはフッ素樹脂の表面をアルカリで処理し
たり、塗液中にフッ素系界面活性剤を添加するなどフッ
素樹脂表面を濡らす工夫が必要である。
【0037】皮膜の厚さは煤をリフトオフにより除去す
るために、なるべく薄い方がよいが、厚さが 1μm以下
であれば数ショット照射で皮膜除去や噴射圧による除去
が可能であり、本来の材料加工の妨げとならない。
るために、なるべく薄い方がよいが、厚さが 1μm以下
であれば数ショット照射で皮膜除去や噴射圧による除去
が可能であり、本来の材料加工の妨げとならない。
【0038】また、 0.1μm程度の薄い膜でも煤を除去
することができる。なお、塗膜の形成にはスピンコート
法,浸漬塗布法,スプレー塗布法,転写印刷法などが適
用でき、塗膜は溶剤浸漬や溶剤のシャワーなどによって
溶解除去することができ、この際のリフトオフにより煤
も同時に除去することができる。
することができる。なお、塗膜の形成にはスピンコート
法,浸漬塗布法,スプレー塗布法,転写印刷法などが適
用でき、塗膜は溶剤浸漬や溶剤のシャワーなどによって
溶解除去することができ、この際のリフトオフにより煤
も同時に除去することができる。
【0039】
【実施例】ガラス基板上に厚さが30μm のベンゾシクロ
ブテン(BCB) 系樹脂 (品名XU-13005,ダウケミカル)を形
成し、この上にポリビニルアルコール(PVA)の水溶液を
回転塗布して厚さが0.2 μm のPVA膜を形成した。
ブテン(BCB) 系樹脂 (品名XU-13005,ダウケミカル)を形
成し、この上にポリビニルアルコール(PVA)の水溶液を
回転塗布して厚さが0.2 μm のPVA膜を形成した。
【0040】そして、この試料に図3に示す露光系を用
いてエキシマレーザ光を照射し、アブレーションによる
穴開けを行った。加工条件は、以下のとおりである。 レーザ発振機: ルモニクス INDEX 200 発振波長: 248nm (KrF) 出力: 250mJ/パルス, (パルス幅 16ns) 露光強度: 1 パルス当たり 1.4 J/cm2 照射パルス数: 1 回当たり 200パルスその結果、BCB 樹脂に対して、マスクパターンに対応し
た直径20〜50μmの真円形の穴を正確に開けることがで
きた。穴の周囲には両者ともアブレーションによって発
生した黒い煤が付着していた。
いてエキシマレーザ光を照射し、アブレーションによる
穴開けを行った。加工条件は、以下のとおりである。 レーザ発振機: ルモニクス INDEX 200 発振波長: 248nm (KrF) 出力: 250mJ/パルス, (パルス幅 16ns) 露光強度: 1 パルス当たり 1.4 J/cm2 照射パルス数: 1 回当たり 200パルスその結果、BCB 樹脂に対して、マスクパターンに対応し
た直径20〜50μmの真円形の穴を正確に開けることがで
きた。穴の周囲には両者ともアブレーションによって発
生した黒い煤が付着していた。
【0041】
【0042】
【0043】
【0044】
【0045】次に, 加工を行った基板を50℃の温水に浸
漬し、3分間に亙って超音波を印加しながら洗浄したの
ち,アルコールでリンスし乾燥した。この結果、BCB の
みの膜では固着した煤が完全には除去できず、穴周囲が
黒ずんでいたが、PVA 膜を塗布した膜では煤を完全に除
去でき穴周囲の黒ずみを解消することができた。
漬し、3分間に亙って超音波を印加しながら洗浄したの
ち,アルコールでリンスし乾燥した。この結果、BCB の
みの膜では固着した煤が完全には除去できず、穴周囲が
黒ずんでいたが、PVA 膜を塗布した膜では煤を完全に除
去でき穴周囲の黒ずみを解消することができた。
【0046】また,穴の中への煤の残留も見られなかっ
た。
た。
【0047】
【発明の効果】本発明によれば,難加工性のポリマ膜の
表面に溶剤可溶性の膜を形成しておき、エキシマレーザ
を使用してアブレーション加工を行う際に、ビアホール
の周囲に発生した煤を容易にかつ完全に除去できること
から、作業性よく、また信頼性に優れた多層回路基板を
製造することができる。
表面に溶剤可溶性の膜を形成しておき、エキシマレーザ
を使用してアブレーション加工を行う際に、ビアホール
の周囲に発生した煤を容易にかつ完全に除去できること
から、作業性よく、また信頼性に優れた多層回路基板を
製造することができる。
【図1】本発明の原理図である。
【図2】薄膜法による多層配線基板の製造工程を示す断
面図である。
面図である。
【図3】実施例で使用した光学系の説明図である。
3 第1のポリマ膜 4 配線 5 第2のビア 6 第2のポリマ膜 7 ビアホール 8 煤 10 被処理基板 11 ポリマ膜 12 別種の薄いポリマ膜
Claims (3)
- 【請求項1】 水に不溶な有機ポリマ膜からなる被加工
材料に、水に可溶な異質の有機ポリマ膜からなる塗膜を
被覆した後アブレーション加工を行い、 次いで、前記被膜を溶解除去し、同時にアブレーション
煤を除去することを特徴とするレーザアブレーション加
工方法。 - 【請求項2】 水に不溶な有機ポリマ膜が、多層配線基
板の層間絶縁層であり、レーザアブレーション加工によ
って層間接続用のビアホールが形成されることを特徴と
する請求項1記載のレーザアブレーション加工方法。 - 【請求項3】 請求項2記載のレーザアブレーション加
工方法によって層間接続用のビアホールが形成された多
層配線基板を用いて形成されたことを特徴とする電子装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4006106A JP2697447B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | レーザアブレーション加工方法と電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4006106A JP2697447B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | レーザアブレーション加工方法と電子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05185269A JPH05185269A (ja) | 1993-07-27 |
JP2697447B2 true JP2697447B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=11629253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4006106A Expired - Lifetime JP2697447B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | レーザアブレーション加工方法と電子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2697447B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2760288B2 (ja) * | 1993-12-28 | 1998-05-28 | 日本電気株式会社 | ビアホール形成法及びフィルム切断法 |
US5841102A (en) * | 1996-11-08 | 1998-11-24 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Multiple pulse space processing to enhance via entrance formation at 355 nm |
US6023041A (en) * | 1996-11-08 | 2000-02-08 | W.L. Gore & Associates, Inc. | Method for using photoabsorptive coatings and consumable copper to control exit via redeposit as well as diameter variance |
WO1999059761A1 (fr) * | 1998-05-21 | 1999-11-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede d'usinage laser |
JP4961206B2 (ja) * | 2003-06-06 | 2012-06-27 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 界面活性剤膜を用いるレーザ切削加工 |
JP4471632B2 (ja) * | 2003-11-18 | 2010-06-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP4551690B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-09-29 | 日立造船株式会社 | レーザー加工における集塵装置 |
JP4648056B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-03-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
KR101038007B1 (ko) * | 2008-04-28 | 2011-05-31 | 박주현 | 레이저를 이용한 한지 문양 가공방법 |
JP2010005629A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | Si基板のレーザ加工方法 |
EP2146559A1 (en) * | 2008-07-15 | 2010-01-20 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | A method of forming a high density structure |
JP2010221261A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Honda Motor Co Ltd | テクスチャ形成方法 |
WO2024005103A1 (ja) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | 太陽ホールディングス株式会社 | 回路基板の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51133895A (en) * | 1975-05-16 | 1976-11-19 | Toshiba Corp | Laser machining |
JPH0354885A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Canon Inc | プリント基板の孔加工方法 |
JPH03258475A (ja) * | 1990-03-08 | 1991-11-18 | Olympus Optical Co Ltd | エキシマレーザ加工方法 |
-
1992
- 1992-01-17 JP JP4006106A patent/JP2697447B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05185269A (ja) | 1993-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2697447B2 (ja) | レーザアブレーション加工方法と電子装置 | |
US4684437A (en) | Selective metal etching in metal/polymer structures | |
US5302547A (en) | Systems for patterning dielectrics by laser ablation | |
JP3212405B2 (ja) | エキシマレーザ加工方法及び装置 | |
US5641608A (en) | Direct imaging process for forming resist pattern on a surface and use thereof in fabricating printing plates | |
US5314709A (en) | Unzippable polymer mask for screening operations | |
US5505320A (en) | Method employing laser ablating for providing a pattern on a substrate | |
EP1555863A1 (en) | Method of forming a mask pattern on a substrate | |
JP2592369B2 (ja) | 多層配線回路基板の製造方法及び誘電体ミラーマスクの製造方法 | |
JPH0211773A (ja) | 選択めっき方法 | |
US4898648A (en) | Method for providing a strengthened conductive circuit pattern | |
US5192581A (en) | Protective layer for preventing electroless deposition on a dielectric | |
JP2006513862A (ja) | レーザを用いて電気的な回路基板を加工するための装置および方法 | |
KR20050019047A (ko) | 가공 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP3998974B2 (ja) | 回路基板のパターニング方法 | |
JP2001168061A (ja) | レーザ照射により半導体基板上に成膜を形成するためのターゲット及びその製造方法 | |
JPH10200236A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2000202664A (ja) | レ―ザ穴あけ加工方法 | |
JPH08187588A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2010005629A (ja) | Si基板のレーザ加工方法 | |
JPH09260303A (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法および半導体製造装置 | |
JPH0778820A (ja) | 薄膜パターンの形成方法 | |
JPH0780675A (ja) | レーザ加工用マスク | |
JP2000197987A (ja) | バイアホ―ルクリ―ニング方法 | |
JP2004074211A (ja) | レーザ加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970819 |