JP3998974B2 - 回路基板のパターニング方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 58
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 44
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
- B23K26/1224—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in vacuum
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
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- B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
- B23K26/146—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor the fluid stream containing a liquid
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/211—SnO2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/215—In2O3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/23—Mixtures
- C03C2217/231—In2O3/SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
- C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
- C03C2218/33—Partly or completely removing a coating by etching
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
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Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は回路基板のパターニング方法に関し、特に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜基板のパターニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
回路基板は、コンピュータチップや移動体電話のような多くの電子および電気通信装置内で頻繁に使用される。また該回路基板（以下単に基板と称する）は導体、半導体、超伝導体および／または絶縁体で作られており、該基板の合成はそれぞれの用途に合わせて決定される。例えば、ＩＴＯは高い導電性と良好な光透過度を有している。これらの特性により、ＩＴＯは平面パネルディスプレイ、有機発光ダイオード（有機ＬＥＤ）および太陽電池などで透明電極として使用されるのに適している。ＩＴＯは有毒ガスを検出するセンサとしても使用される。このように基板を使用するには、通常それぞれの用途に合った所望のパターンを基板にエッチングすることが必要となる。
【０００３】
ＩＴＯ膜基板を含めた基板のエッチング方法はいくつか提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
基板上にＩＴＯ層をエッチングする方法はＵＳ３９７９２４０に提案されている。所望のパターンに対応するフォトレジストを、ＩＴＯ層部分を覆うまたは「マスクする」ようにＩＴＯ層上に塗布する。そのあと、基板を高濃度の臭化水素酸溶液に浸すと、フォトレジストにマスクされていないＩＴＯ部分がエッチングされる。ＵＳ５１７１４０１にはまた別の方法が提案されている。メチル基を含むプラズマで効果的にＩＴＯ膜基板をエッチングすることができる。また、選択的反応性イオンエッチングもＵＳ５１３８６６４で提案されている。これらの方法では、ユーザや環境に害を及ぼすある種の溶液および／またはガスを使用する。
【０００５】
基板のレーザエッチングもまたすでに提案されており、これはフォトリソグラフィーや有害な溶液、ガスを必要としない。提案されているレーザエッチングの１方法は、基板表面を直接レーザによってアブレート（剥離）し、基板をパターニングする「ドライレーザエッチング」である。ドライレーザエッチングは以下の複数の文献に記載されている。Yavas O. et al,「酸化インジウムスズ薄膜の高速マスクレスレーザパターニング（“High-Speed Maskless Laser Patterning of Indium Tin Oxide”）」(1998) Appl. Phys. Lett. Vol.73, No.18, pp 2558-2560；Yavas O. et al,「酸化インジウムスズ薄膜のレーザパターニング効率の基板吸収効果（“Effect of Substrate Absorption on the Efficiency of Indium Tin Oxide Thin Films”）」(1999) J. Appl. Phys. Vol.85, No.5, pp 4207-4212およびYavas O. et al,「酸化インジウムスズ薄膜の補助基板レーザパターニング（“Substrate-assisted Laser Patterning of Indium Tin Films”）」(1999) Appl. Phys. A69 (suppl.), s875-s878。最初の文献に記載されているように、ドライレーザエッチングはレーザ照射点の縁がショルダー状の構造になってしまう欠点を有している。ショルダー状構造は縁近傍の溶けた物質の表面張力によって形成される。
【０００６】
また別のレーザエッチング法が、ＵＳ５０５７１８４およびLu, Y. F. et al,「水酸化カリウム水溶液中の多結晶Al2O3TiCのレーザ誘導エッチング（“Laser-Induced Etching of Polycrystalline Al2O3TiC in KOH Aqueous Solution”）」(1996) Appln Phys. A62, pp43-49に提案されている。この方法は、基板を不活性液または水溶性のアルカリまたは酸性水溶液に浸すことから「ウエットレーザエッチング」と呼ばれる。
【０００７】
不活性溶液を使用するウエットエッチングの場合、不活性溶液のレーザ誘導音響キャビテーションが基板表面のエッチングに用いられる。しかしながら、不活性溶液を用いるウエットレーザエッチングは、基板が該ウエットエッチング法に適した物理特性を持っている必要があるために、限界がある。この基板の特性とはつまり、基板を効果的にエッチングするために、レーザエネルギから熱を受けたときレーザエネルギを吸収することができ、有限の融解温度を持っており、しかも昇華しないということである。
【０００８】
アルカリまたは酸性の水溶液によるウエットエッチングの場合、レーザ誘導化学反応が基板表面のエッチングに用いられる。このウエットエッチング法の欠点は、この方法では室温でもエッチングされるので、物質が不適切な場所でエッチングされてしまうこともあるという点である。
【０００９】
加えて、両ウエットエッチング法では、エッチング過程で生じた残留物または汚染物が溶液に残り、それらが基板上に再付着し、所望のエッチングパターンを形成できなくなる可能性がある。
【００１０】
さらに、エッチングされた基板のレーザ清浄法が、Zapka, W. et al, 「固体表面からの０．２μｍの粒子の効果的パルスレーザ除去（“Efficient Pulsed Laser Removal of 0.2μｍ sized particles from a Solid Surface”）」, (1991) Appl. Phys. Lett. Vol.58 No.20, pp 2217-2219；Imen, K. el al,「レーザ補助によるミクロンスケール粒子の除去（“Laser-Assisted Micron Scale Particle Removal”）」(1990), Appl. Phys. Lett. Vol.58 No.2. pp 203-205およびTam, A. C. et al,「表面微粒子を除去するためのレーザ清浄技術（“Laser-Cleaning Techniques for Removal of Surface Particulates”）」(1992) J. Appl. Phys. Vol.71 No.7 pp 3515-3523に提案されている。これらの文献はストリームレーザ清浄法を提案している。この方法は、汚染された基板の表面に液体膜を付着させ、汚染された基板をレーザ照射することによって、基板から汚染粒子を取り除くように該液体膜を乾燥させる方法であり、基板表面のアブレートまたはエッチングを必要としない。レーザフルエンスとパルス数は、基板への損傷を防止するために細心の注意を払って最小値にしなければならない。なお、液体膜の役割は該方法の清浄効果を高めることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は所定の過程に従って基板をパターニングする方法を提供し、該方法は基板表面上に液体膜を形成することと、基板表面をエッチングするために液体膜を通してレーザからのレーザエネルギを当てることを含む。エッチングされた物質は前記エッチングの際に膜の蒸発により基板表面から除去される。
【００１２】
本発明により、レーザを照射した点の縁でのショルダー状構造の形成が効果的に回避でき、エッチングレートは非常に高くなり、エッチングされた物質は基板上に再付着することなく除去される。特に、レーザエネルギは基板をエッチングするための液体膜の音響キャビテーションを誘発する。従って、エッチングおよびパターニング品質は本発明の方法によって大きく改善される。
【００１３】
本明細書の文中では、「液体膜」という用語はマイクロメートルスケールの相対的に薄い液体の層を意味する。
【００１４】
レーザパターニングの後、液体膜は蒸発し、所望のパターンのドライ基板が認められる。
【００１５】
好ましくは、基板表面上に液体蒸気を噴射することによって、液体膜を基板表面上に形成する。該液体蒸気は好ましくは水、アルコール、不活性液または無反応液で構成される。好ましい実施例では、液体膜は数マイクロメートルから数十マイクロメートルの厚さを有する。
【００１６】
液体蒸気は、ガスと共に噴射し、基板表面に付着させることが好ましい。該ガスは、好ましくは窒素、圧縮空気、酸素または不活性ガスからなる。
【００１７】
好ましくは、レーザエネルギを所定のパルス幅で照射する。該パルスは好ましくは１−１００ｎｓの範囲である。
【００１８】
好ましくは、レーザフルエンスエネルギは基板のエッチング閾値以上である。好ましい実施例では、レーザフルエンスエネルギは１５０ｍＪ／ｃｍ２以上である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る方法の好適な実施例を適用するための装置である。レーザ光１２を生成するレーザ１０は光学システム２０を有している。該レーザ１０はＹＡＧレーザまたはエキシマレーザである。光学システム２０は、基板３０上の所定の経路に沿って、レーザ光１２を照射する。光学システム２０は鏡、レンズおよびガルバノミラーを有している。光学システム２０は基板３０上にレーザ光を照射するだけでなく、レーザ光１２の方向と焦点を変更でき、好ましくはコンピュータ制御である。基板３０はＸ−Ｙステージのような搬送ステージ４０上に設置され、該ステージは所定の経路に沿って移動できる。制御装置５０は該ステージ４０の速度と方向を制御する。
【００２０】
容器７０は液体６０を有しており、液体蒸気を生成するためにヒータ８０によって熱せられる。該液体は水、アルコール、または、適切であれば他のいずれの液体でも良い。ガス源９０はガス流調節装置１００およびバルブ１１０を経由して容器７０と接続している。本実施例では、ガスは窒素である。圧縮空気、酸素または不活性ガスのような他のガスも使用できる。該バルブ１１０は所定の流量比および流れ状態で連続的または断続的にガス流を制御する。
【００２１】
本発明の実施例による方法は以下の通りである。液体６０はヒータ８０によって蒸発し、液体蒸気を生成する。その後ガス源９０からの窒素が容器７０内へ解放され、ノズル１２０を通って該液体蒸気を基板表面へ搬送する。液体蒸気は窒素によってノズル１２０の外へ押し出され、基板３０上に噴射される。その結果、マイクロメートルスケールの厚さを有する液体薄膜１３４が基板表面上に形成される。
【００２２】
レーザ１０はレーザ光１２を生成し、該レーザ光１２は液体膜１３４を通って基板３０上に集中する。レーザ光１２は所定の経路に従った基板表面のエッチングを開始する。レーザ光１２は液体膜１３４のレーザ誘導音響キャビテーションを誘発し、よって基板３０がエッチングされる。該音響キャビテーション効果は、レーザ光１２が液体膜１３４を気化させるまで続く。よって、該エッチング機構はレーザ誘導音響キャビテーションであり、これはレーザ清浄とは明らかに異なる。この音響キャビテーション効果によって、ドライレーザエッチングにおいて発生する基板表面のレーザ照射部分の縁におけるショルダー状構造の形成を回避できる。エッチング工程の間、エッチングによって発生するあらゆる残留物質は、基板表面の液体膜１３４のレーザ誘導蒸発によって基板３０から除去される。よって、エッチングされた物質は基板３０から除かれ、ウエットレーザエッチングにおいて発生する残留物質の基板上への再付着を回避できる。
【００２３】
該エッチング工程は、光学システム２０およびステージ４０にプログラミングされた所定の経路に沿ってレーザ光１２を照射する光学システム２０、および該所定の経路に沿ってレーザ光１２に対応して動くステージ４０によって制御される。
【００２４】
本発明の方法は、本実施例以外の実施例を多数実現できる。
【００２５】
（実施例１）
図２ａおよび２ｂはドライレーザエッチング法によりエッチングされたＩＴＯ膜のサンプルを示す。波長５３２ｎｍ、パルス幅７ｎｓおよび周波数１０Ｈｚに設定されたＹＡＧレーザを用いた。レーザフルエンスは８８７．５ｍＪ／ｃｍ２である。図２ａに示したように不鮮明な境界線２００が基板表面に形成されている。境界線２００は、図２ｂに示したように、境界線２００の縁に形成された５００オングストロームのショルダー状の構造２１０に相当する。
【００２６】
対して、図３ａおよび３ｂは上述した本実施例の方法と上記の通りに準備した装置を用いてパターニングしたＩＴＯ膜のサンプルを表す。図２ａのサンプルと同じレーザ設定をＩＴＯ膜のパターン形成に用いた。図３ａで見られるように鮮明な境界線３００が得られた。これは図３ｂのショルダーのない縁３１０に相当する。
【００２７】
（実施例２）
ＩＴＯ膜を、１つは従来技術のドライエッチング法によりパターン形成し、もう１つは上述の実施例の方法によってパターン形成した。両サンプルは、波長２４８ｎｍ、パルス幅２３ｎｓ、周波数３０Ｈｚおよびレーザフルエンス５５０ｍＪ／ｃｍ２のエキシマレーザによりエッチングした。
【００２８】
図４ａおよび４ｂは従来技術のエッチング方法によってエッチングしたＩＴＯ膜サンプルを示す。図４ａに示されるように、不鮮明な境界線４００が形成されている。これは図４ｂの境界線４００の縁での１５００オングストロームのショルダー状構造４１０に相当する。
【００２９】
対して、図５ａおよび５ｂは本実施例の方法でパターン形成したＩＴＯ膜サンプルを示す。図５ａに示されるように鮮明な境界線５００が、基板のレーザ照射部分の縁に形成されている。これは、図５ｂのショルダーのない縁５１０に相当する。
【００３０】
（実施例３）
集積回路（ＩＣ）パッケージをエッチングした。１組のＩＣパッケージはドライレーザエッチング法を用いてエッチングし、もう１組のＩＣパッケージは上記記載の実施例の方法を用いてエッチングした。両方の場合とも、波長５３２ｎｍおよびパルス幅７ｎｓのＹＡＧレーザを使用した。
【００３１】
最初の実験では、ＹＡＧレーザのレーザフルエンスを２４０ｍＪ／ｃｍ２に設定した。両ＩＣパッケージのエッチング深度をパルス数に関して測定した。結果は図６ａに示した。図６ａに見られるように、エッチング深度はドライレーザエッチング法より本発明の実施例による方法（蒸気レーザパターニング）の方が圧倒的に高い。
【００３２】
第２の実験では各方法でのエッチングレートを２００から５００ｍＪ／ｃｍ２の間のレーザフルエンスの範囲で測定した。結果は、図６ｂに示した。図６ｂに見られるように、エッチングレートはドライレーザエッチング法より本発明の方法（蒸気レーザパターニング）の方が圧倒的に高い。
【００３３】
【発明の効果】
よって本発明の実施例は、基板のレーザ照射点の縁でのショルダー状構造の形成を回避し、エッチング深度およびエッチングレートを高め、エッチング残留物または汚染物を基板上へ再付着させることなく基板表面から除去する、基板エッチング方法を提供する。よってエッチングおよびパターニング品質は総合的に改善される。
【００３４】
レーザフルエンスは基板のエッチング閾値より高く選択した。該エッチング閾値はレーザのパラメータと、液体膜および基板の物質特性に依存する。例えば、１５０ｍＪ／ｃｍ２以上のレーザフルエンスはＹＡＧレーザを用いたＩＣパッケージのパターニングに適しており、３００ｍＪ／ｃｍ２以上のレーザフルエンスはエキシマレーザによるＩＴＯ膜のパターニングに適している。
【００３５】
前記記載の本発明の実施例およびその変形は本発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
本発明の好ましい実施例を図を参照して示した。
【図１】 図１は本発明の実施例によるエッチング方法の概念的な図である。
【図２】 図２ａはＹＡＧレーザ照射を用いた従来のエッチング方法でエッチングしたＩＴＯのパターンラインの顕微鏡写真である。
図２ｂは図２ａの深さ方向の断面形状である。
【図３】 図３ａはＹＡＧレーザ照射を用いた本発明によるエッチング方法でエッチングしたＩＴＯのパターンラインの顕微鏡写真である。
図３ｂは図３ａの深さ方向の断面形状である。
【図４】 図４ａはエキシマレーザ照射を用いた従来のエッチング方法でエッチングしたＩＴＯのパターンラインの顕微鏡写真である。
図４ｂは図４ａの深さ方向の断面形状である。
【図５】 図５ａはエキシマレーザ照射を用いた本発明によるエッチング方法でエッチングしたＩＴＯのパターンラインの顕微鏡写真である。
図５ｂは図５ａの深さ方向の断面形状である。
【図６】 図６ａは、共にＹＡＧレーザ照射を用いた従来のエッチング法と本発明に従ったエッチング法による、集積回路のパターニングにおいて、エッチング深度をパルス数の関数として示したものである。
図６ｂは、共にＹＡＧレーザ照射を用いた従来のエッチング法と本発明に従ったエッチング法による、集積回路のパターニングにおいて、エッチングレートをレーザフルエンスの関数として示したものである。
【発明が属する技術分野】
本発明は回路基板のパターニング方法に関し、特に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜基板のパターニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
回路基板は、コンピュータチップや移動体電話のような多くの電子および電気通信装置内で頻繁に使用される。また該回路基板（以下単に基板と称する）は導体、半導体、超伝導体および／または絶縁体で作られており、該基板の合成はそれぞれの用途に合わせて決定される。例えば、ＩＴＯは高い導電性と良好な光透過度を有している。これらの特性により、ＩＴＯは平面パネルディスプレイ、有機発光ダイオード（有機ＬＥＤ）および太陽電池などで透明電極として使用されるのに適している。ＩＴＯは有毒ガスを検出するセンサとしても使用される。このように基板を使用するには、通常それぞれの用途に合った所望のパターンを基板にエッチングすることが必要となる。
【０００３】
ＩＴＯ膜基板を含めた基板のエッチング方法はいくつか提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
基板上にＩＴＯ層をエッチングする方法はＵＳ３９７９２４０に提案されている。所望のパターンに対応するフォトレジストを、ＩＴＯ層部分を覆うまたは「マスクする」ようにＩＴＯ層上に塗布する。そのあと、基板を高濃度の臭化水素酸溶液に浸すと、フォトレジストにマスクされていないＩＴＯ部分がエッチングされる。ＵＳ５１７１４０１にはまた別の方法が提案されている。メチル基を含むプラズマで効果的にＩＴＯ膜基板をエッチングすることができる。また、選択的反応性イオンエッチングもＵＳ５１３８６６４で提案されている。これらの方法では、ユーザや環境に害を及ぼすある種の溶液および／またはガスを使用する。
【０００５】
基板のレーザエッチングもまたすでに提案されており、これはフォトリソグラフィーや有害な溶液、ガスを必要としない。提案されているレーザエッチングの１方法は、基板表面を直接レーザによってアブレート（剥離）し、基板をパターニングする「ドライレーザエッチング」である。ドライレーザエッチングは以下の複数の文献に記載されている。Yavas O. et al,「酸化インジウムスズ薄膜の高速マスクレスレーザパターニング（“High-Speed Maskless Laser Patterning of Indium Tin Oxide”）」(1998) Appl. Phys. Lett. Vol.73, No.18, pp 2558-2560；Yavas O. et al,「酸化インジウムスズ薄膜のレーザパターニング効率の基板吸収効果（“Effect of Substrate Absorption on the Efficiency of Indium Tin Oxide Thin Films”）」(1999) J. Appl. Phys. Vol.85, No.5, pp 4207-4212およびYavas O. et al,「酸化インジウムスズ薄膜の補助基板レーザパターニング（“Substrate-assisted Laser Patterning of Indium Tin Films”）」(1999) Appl. Phys. A69 (suppl.), s875-s878。最初の文献に記載されているように、ドライレーザエッチングはレーザ照射点の縁がショルダー状の構造になってしまう欠点を有している。ショルダー状構造は縁近傍の溶けた物質の表面張力によって形成される。
【０００６】
また別のレーザエッチング法が、ＵＳ５０５７１８４およびLu, Y. F. et al,「水酸化カリウム水溶液中の多結晶Al2O3TiCのレーザ誘導エッチング（“Laser-Induced Etching of Polycrystalline Al2O3TiC in KOH Aqueous Solution”）」(1996) Appln Phys. A62, pp43-49に提案されている。この方法は、基板を不活性液または水溶性のアルカリまたは酸性水溶液に浸すことから「ウエットレーザエッチング」と呼ばれる。
【０００７】
不活性溶液を使用するウエットエッチングの場合、不活性溶液のレーザ誘導音響キャビテーションが基板表面のエッチングに用いられる。しかしながら、不活性溶液を用いるウエットレーザエッチングは、基板が該ウエットエッチング法に適した物理特性を持っている必要があるために、限界がある。この基板の特性とはつまり、基板を効果的にエッチングするために、レーザエネルギから熱を受けたときレーザエネルギを吸収することができ、有限の融解温度を持っており、しかも昇華しないということである。
【０００８】
アルカリまたは酸性の水溶液によるウエットエッチングの場合、レーザ誘導化学反応が基板表面のエッチングに用いられる。このウエットエッチング法の欠点は、この方法では室温でもエッチングされるので、物質が不適切な場所でエッチングされてしまうこともあるという点である。
【０００９】
加えて、両ウエットエッチング法では、エッチング過程で生じた残留物または汚染物が溶液に残り、それらが基板上に再付着し、所望のエッチングパターンを形成できなくなる可能性がある。
【００１０】
さらに、エッチングされた基板のレーザ清浄法が、Zapka, W. et al, 「固体表面からの０．２μｍの粒子の効果的パルスレーザ除去（“Efficient Pulsed Laser Removal of 0.2μｍ sized particles from a Solid Surface”）」, (1991) Appl. Phys. Lett. Vol.58 No.20, pp 2217-2219；Imen, K. el al,「レーザ補助によるミクロンスケール粒子の除去（“Laser-Assisted Micron Scale Particle Removal”）」(1990), Appl. Phys. Lett. Vol.58 No.2. pp 203-205およびTam, A. C. et al,「表面微粒子を除去するためのレーザ清浄技術（“Laser-Cleaning Techniques for Removal of Surface Particulates”）」(1992) J. Appl. Phys. Vol.71 No.7 pp 3515-3523に提案されている。これらの文献はストリームレーザ清浄法を提案している。この方法は、汚染された基板の表面に液体膜を付着させ、汚染された基板をレーザ照射することによって、基板から汚染粒子を取り除くように該液体膜を乾燥させる方法であり、基板表面のアブレートまたはエッチングを必要としない。レーザフルエンスとパルス数は、基板への損傷を防止するために細心の注意を払って最小値にしなければならない。なお、液体膜の役割は該方法の清浄効果を高めることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は所定の過程に従って基板をパターニングする方法を提供し、該方法は基板表面上に液体膜を形成することと、基板表面をエッチングするために液体膜を通してレーザからのレーザエネルギを当てることを含む。エッチングされた物質は前記エッチングの際に膜の蒸発により基板表面から除去される。
【００１２】
本発明により、レーザを照射した点の縁でのショルダー状構造の形成が効果的に回避でき、エッチングレートは非常に高くなり、エッチングされた物質は基板上に再付着することなく除去される。特に、レーザエネルギは基板をエッチングするための液体膜の音響キャビテーションを誘発する。従って、エッチングおよびパターニング品質は本発明の方法によって大きく改善される。
【００１３】
本明細書の文中では、「液体膜」という用語はマイクロメートルスケールの相対的に薄い液体の層を意味する。
【００１４】
レーザパターニングの後、液体膜は蒸発し、所望のパターンのドライ基板が認められる。
【００１５】
好ましくは、基板表面上に液体蒸気を噴射することによって、液体膜を基板表面上に形成する。該液体蒸気は好ましくは水、アルコール、不活性液または無反応液で構成される。好ましい実施例では、液体膜は数マイクロメートルから数十マイクロメートルの厚さを有する。
【００１６】
液体蒸気は、ガスと共に噴射し、基板表面に付着させることが好ましい。該ガスは、好ましくは窒素、圧縮空気、酸素または不活性ガスからなる。
【００１７】
好ましくは、レーザエネルギを所定のパルス幅で照射する。該パルスは好ましくは１−１００ｎｓの範囲である。
【００１８】
好ましくは、レーザフルエンスエネルギは基板のエッチング閾値以上である。好ましい実施例では、レーザフルエンスエネルギは１５０ｍＪ／ｃｍ２以上である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る方法の好適な実施例を適用するための装置である。レーザ光１２を生成するレーザ１０は光学システム２０を有している。該レーザ１０はＹＡＧレーザまたはエキシマレーザである。光学システム２０は、基板３０上の所定の経路に沿って、レーザ光１２を照射する。光学システム２０は鏡、レンズおよびガルバノミラーを有している。光学システム２０は基板３０上にレーザ光を照射するだけでなく、レーザ光１２の方向と焦点を変更でき、好ましくはコンピュータ制御である。基板３０はＸ−Ｙステージのような搬送ステージ４０上に設置され、該ステージは所定の経路に沿って移動できる。制御装置５０は該ステージ４０の速度と方向を制御する。
【００２０】
容器７０は液体６０を有しており、液体蒸気を生成するためにヒータ８０によって熱せられる。該液体は水、アルコール、または、適切であれば他のいずれの液体でも良い。ガス源９０はガス流調節装置１００およびバルブ１１０を経由して容器７０と接続している。本実施例では、ガスは窒素である。圧縮空気、酸素または不活性ガスのような他のガスも使用できる。該バルブ１１０は所定の流量比および流れ状態で連続的または断続的にガス流を制御する。
【００２１】
本発明の実施例による方法は以下の通りである。液体６０はヒータ８０によって蒸発し、液体蒸気を生成する。その後ガス源９０からの窒素が容器７０内へ解放され、ノズル１２０を通って該液体蒸気を基板表面へ搬送する。液体蒸気は窒素によってノズル１２０の外へ押し出され、基板３０上に噴射される。その結果、マイクロメートルスケールの厚さを有する液体薄膜１３４が基板表面上に形成される。
【００２２】
レーザ１０はレーザ光１２を生成し、該レーザ光１２は液体膜１３４を通って基板３０上に集中する。レーザ光１２は所定の経路に従った基板表面のエッチングを開始する。レーザ光１２は液体膜１３４のレーザ誘導音響キャビテーションを誘発し、よって基板３０がエッチングされる。該音響キャビテーション効果は、レーザ光１２が液体膜１３４を気化させるまで続く。よって、該エッチング機構はレーザ誘導音響キャビテーションであり、これはレーザ清浄とは明らかに異なる。この音響キャビテーション効果によって、ドライレーザエッチングにおいて発生する基板表面のレーザ照射部分の縁におけるショルダー状構造の形成を回避できる。エッチング工程の間、エッチングによって発生するあらゆる残留物質は、基板表面の液体膜１３４のレーザ誘導蒸発によって基板３０から除去される。よって、エッチングされた物質は基板３０から除かれ、ウエットレーザエッチングにおいて発生する残留物質の基板上への再付着を回避できる。
【００２３】
該エッチング工程は、光学システム２０およびステージ４０にプログラミングされた所定の経路に沿ってレーザ光１２を照射する光学システム２０、および該所定の経路に沿ってレーザ光１２に対応して動くステージ４０によって制御される。
【００２４】
本発明の方法は、本実施例以外の実施例を多数実現できる。
【００２５】
（実施例１）
図２ａおよび２ｂはドライレーザエッチング法によりエッチングされたＩＴＯ膜のサンプルを示す。波長５３２ｎｍ、パルス幅７ｎｓおよび周波数１０Ｈｚに設定されたＹＡＧレーザを用いた。レーザフルエンスは８８７．５ｍＪ／ｃｍ２である。図２ａに示したように不鮮明な境界線２００が基板表面に形成されている。境界線２００は、図２ｂに示したように、境界線２００の縁に形成された５００オングストロームのショルダー状の構造２１０に相当する。
【００２６】
対して、図３ａおよび３ｂは上述した本実施例の方法と上記の通りに準備した装置を用いてパターニングしたＩＴＯ膜のサンプルを表す。図２ａのサンプルと同じレーザ設定をＩＴＯ膜のパターン形成に用いた。図３ａで見られるように鮮明な境界線３００が得られた。これは図３ｂのショルダーのない縁３１０に相当する。
【００２７】
（実施例２）
ＩＴＯ膜を、１つは従来技術のドライエッチング法によりパターン形成し、もう１つは上述の実施例の方法によってパターン形成した。両サンプルは、波長２４８ｎｍ、パルス幅２３ｎｓ、周波数３０Ｈｚおよびレーザフルエンス５５０ｍＪ／ｃｍ２のエキシマレーザによりエッチングした。
【００２８】
図４ａおよび４ｂは従来技術のエッチング方法によってエッチングしたＩＴＯ膜サンプルを示す。図４ａに示されるように、不鮮明な境界線４００が形成されている。これは図４ｂの境界線４００の縁での１５００オングストロームのショルダー状構造４１０に相当する。
【００２９】
対して、図５ａおよび５ｂは本実施例の方法でパターン形成したＩＴＯ膜サンプルを示す。図５ａに示されるように鮮明な境界線５００が、基板のレーザ照射部分の縁に形成されている。これは、図５ｂのショルダーのない縁５１０に相当する。
【００３０】
（実施例３）
集積回路（ＩＣ）パッケージをエッチングした。１組のＩＣパッケージはドライレーザエッチング法を用いてエッチングし、もう１組のＩＣパッケージは上記記載の実施例の方法を用いてエッチングした。両方の場合とも、波長５３２ｎｍおよびパルス幅７ｎｓのＹＡＧレーザを使用した。
【００３１】
最初の実験では、ＹＡＧレーザのレーザフルエンスを２４０ｍＪ／ｃｍ２に設定した。両ＩＣパッケージのエッチング深度をパルス数に関して測定した。結果は図６ａに示した。図６ａに見られるように、エッチング深度はドライレーザエッチング法より本発明の実施例による方法（蒸気レーザパターニング）の方が圧倒的に高い。
【００３２】
第２の実験では各方法でのエッチングレートを２００から５００ｍＪ／ｃｍ２の間のレーザフルエンスの範囲で測定した。結果は、図６ｂに示した。図６ｂに見られるように、エッチングレートはドライレーザエッチング法より本発明の方法（蒸気レーザパターニング）の方が圧倒的に高い。
【００３３】
【発明の効果】
よって本発明の実施例は、基板のレーザ照射点の縁でのショルダー状構造の形成を回避し、エッチング深度およびエッチングレートを高め、エッチング残留物または汚染物を基板上へ再付着させることなく基板表面から除去する、基板エッチング方法を提供する。よってエッチングおよびパターニング品質は総合的に改善される。
【００３４】
レーザフルエンスは基板のエッチング閾値より高く選択した。該エッチング閾値はレーザのパラメータと、液体膜および基板の物質特性に依存する。例えば、１５０ｍＪ／ｃｍ２以上のレーザフルエンスはＹＡＧレーザを用いたＩＣパッケージのパターニングに適しており、３００ｍＪ／ｃｍ２以上のレーザフルエンスはエキシマレーザによるＩＴＯ膜のパターニングに適している。
【００３５】
前記記載の本発明の実施例およびその変形は本発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
本発明の好ましい実施例を図を参照して示した。
【図１】 図１は本発明の実施例によるエッチング方法の概念的な図である。
【図２】 図２ａはＹＡＧレーザ照射を用いた従来のエッチング方法でエッチングしたＩＴＯのパターンラインの顕微鏡写真である。
図２ｂは図２ａの深さ方向の断面形状である。
【図３】 図３ａはＹＡＧレーザ照射を用いた本発明によるエッチング方法でエッチングしたＩＴＯのパターンラインの顕微鏡写真である。
図３ｂは図３ａの深さ方向の断面形状である。
【図４】 図４ａはエキシマレーザ照射を用いた従来のエッチング方法でエッチングしたＩＴＯのパターンラインの顕微鏡写真である。
図４ｂは図４ａの深さ方向の断面形状である。
【図５】 図５ａはエキシマレーザ照射を用いた本発明によるエッチング方法でエッチングしたＩＴＯのパターンラインの顕微鏡写真である。
図５ｂは図５ａの深さ方向の断面形状である。
【図６】 図６ａは、共にＹＡＧレーザ照射を用いた従来のエッチング法と本発明に従ったエッチング法による、集積回路のパターニングにおいて、エッチング深度をパルス数の関数として示したものである。
図６ｂは、共にＹＡＧレーザ照射を用いた従来のエッチング法と本発明に従ったエッチング法による、集積回路のパターニングにおいて、エッチングレートをレーザフルエンスの関数として示したものである。
Claims (8)
- 所定の過程に従って回路基板上に形成されたＩＴＯ膜をパターニングする方法であって、前記方法は回路基板表面に液体の蒸気を噴射することにより回路基板表面上に液体膜を形成することと、回路基板上に形成されたＩＴＯ膜をエッチングするために液体膜を通してレーザからのレーザエネルギを当てることを含み、エッチングされた物質を前記エッチングの間に膜の蒸発により回路基板表面から除去する方法。
- 前記液体の蒸気は、水、アルコール、不活性液、および無反応液のうちの何れか１つからなる請求項１に記載の方法。
- 前記液体の蒸気は、基板表面へ前記液体の蒸気を搬送するためにガスと共に噴射される請求項１または２に記載の方法。
- 前記ガスは、窒素、圧縮空気、酸素、および不活性ガスのうちの何れか１つからなる請求項３に記載の方法。
- 前記レーザは所定パルス幅のレーザエネルギを照射する請求項１ないし４に記載の方法。
- 前記パルス幅は１ないし１００ｎｓの範囲である請求項５に記載の方法。
- 前記レーザのレーザフルエンスは回路基板のエッチング閾値より大きい請求項１ないし６に記載の方法。
- 前記レーザフルエンスは１５０ｍＪ／ｃｍ ２ 以上である請求項７に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SG200106587A SG121697A1 (en) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | A method of patterning a substrate |
| SG200106587-9 | 2001-10-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133283A JP2003133283A (ja) | 2003-05-09 |
| JP3998974B2 true JP3998974B2 (ja) | 2007-10-31 |
Family
ID=20430853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001398116A Expired - Fee Related JP3998974B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-12-27 | 回路基板のパターニング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6835319B2 (ja) |
| JP (1) | JP3998974B2 (ja) |
| SG (1) | SG121697A1 (ja) |
| TW (1) | TWI245812B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4459514B2 (ja) * | 2002-09-05 | 2010-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザーマーキング装置 |
| KR101419068B1 (ko) * | 2006-05-18 | 2014-07-11 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 투명 전극 부착 유리 기판과 그 제조 방법 |
| US20110215076A1 (en) * | 2008-11-13 | 2011-09-08 | Qinetiq Limited | Laser ablation technique |
| JP6081218B2 (ja) * | 2013-02-20 | 2017-02-15 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | エッチング装置およびエッチング方法 |
| CN103418912B (zh) * | 2013-05-16 | 2016-04-20 | 广东工业大学 | 增强蓝宝石激光背向湿式刻蚀率的加工装置的加工方法 |
| CN104759753B (zh) * | 2015-03-30 | 2016-08-31 | 江苏大学 | 多系统自动化协调工作提高激光诱导空化强化的方法 |
| CN109806728A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-05-28 | 上海谷奇核孔膜科技股份有限公司 | 制备核孔膜的装置及方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4413020A (en) * | 1982-02-01 | 1983-11-01 | Texas Instruments Incorporated | Device fabrication incorporating liquid assisted laser patterning of metallization |
| JPS59178189A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-09 | Inoue Japax Res Inc | レ−ザ加工装置 |
| JPS59225896A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レ−ザ加工方法 |
| JPS62240186A (ja) | 1986-04-11 | 1987-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | 加工材料の切断方法および切断装置 |
| US5057184A (en) * | 1990-04-06 | 1991-10-15 | International Business Machines Corporation | Laser etching of materials in liquids |
| JPH06224175A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-08-12 | Texas Instr Inc <Ti> | ＣａＦ２エッチング法 |
| MX9305898A (es) * | 1992-10-30 | 1995-01-31 | Texas Instruments Inc | Metodo de grabado fotoquimico anisotropico para la fabricacion decircuitos integrados. |
| JPH0810970A (ja) | 1994-06-22 | 1996-01-16 | Sony Corp | レーザ加工装置及び方法 |
| JPH0817815A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Toshiba Corp | 半導体デバイスの製造方法、半導体基板の処理方法、分析方法及び製造方法 |
| JPH10193162A (ja) * | 1997-01-07 | 1998-07-28 | Canon Inc | 汚染物質の除去方法 |
| JP2000277550A (ja) | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6627846B1 (en) * | 1999-12-16 | 2003-09-30 | Oramir Semiconductor Equipment Ltd. | Laser-driven cleaning using reactive gases |
-
2001
- 2001-10-25 SG SG200106587A patent/SG121697A1/en unknown
- 2001-11-23 TW TW090129093A patent/TWI245812B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-12-27 JP JP2001398116A patent/JP3998974B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-02-21 US US10/078,382 patent/US6835319B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030080089A1 (en) | 2003-05-01 |
| TWI245812B (en) | 2005-12-21 |
| JP2003133283A (ja) | 2003-05-09 |
| SG121697A1 (en) | 2006-05-26 |
| US6835319B2 (en) | 2004-12-28 |
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