JP2666680B2 - 配線形成方法 - Google Patents
配線形成方法Info
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- JP2666680B2 JP2666680B2 JP5136344A JP13634493A JP2666680B2 JP 2666680 B2 JP2666680 B2 JP 2666680B2 JP 5136344 A JP5136344 A JP 5136344A JP 13634493 A JP13634493 A JP 13634493A JP 2666680 B2 JP2666680 B2 JP 2666680B2
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- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は配線形成方法に関するも
のである。
のである。
【０００２】
【従来の技術】レーザＣＶＤ直描形成法による配線修正
技術は、ＬＳＩ等の多層配線構造基板への適用が可能で
あり、ＬＳＩの開発期間の短縮等の用途に大きく貢献し
ている。また装置としての操作性、安定性にも優れてい
るため、あらゆるＬＳＩの生産現場への導入が期待され
ている。しかし上部に絶縁保護膜を有さない段階で基板
を修正する場合、基板表面の既存配線を横切って直描配
線を形成する必要が生じ、直描配線と既存配線の管を所
要箇所で絶縁することが要求される。
技術は、ＬＳＩ等の多層配線構造基板への適用が可能で
あり、ＬＳＩの開発期間の短縮等の用途に大きく貢献し
ている。また装置としての操作性、安定性にも優れてい
るため、あらゆるＬＳＩの生産現場への導入が期待され
ている。しかし上部に絶縁保護膜を有さない段階で基板
を修正する場合、基板表面の既存配線を横切って直描配
線を形成する必要が生じ、直描配線と既存配線の管を所
要箇所で絶縁することが要求される。
【０００３】このように特定箇所に絶縁膜を形成する手
段としてレーザＣＶＤによる局所絶縁技術が有望である
ことが樋浦らにより「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ（シャーナル オブ アプライ
ド フィジックス）、第６９巻、（３）、頁１７４４−
１７４７、（１９９１）」に提案されている。この方法
は、紫外光による光化学反応でシリコン酸化膜を形成す
るジシラン、亜酸化窒素ガスの雰囲気中で、絶縁所望す
る箇所にＡｒＦエキシマレーザ光を照射して局所的に絶
縁膜を形成するものである。この方法で、通常配線直描
用のレーザＣＶＤに用いる可視光源とは別に、高価ラン
ニングコストの高いＡｒＦエキシマレーザを必要とする
ので、装置が大がかりで複雑となり、実用性に劣る欠点
がある。またジシランガスは空気中で自然発火するなど
危険性の高いガスであるため取扱いにも注意が必要であ
る。
段としてレーザＣＶＤによる局所絶縁技術が有望である
ことが樋浦らにより「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ（シャーナル オブ アプライ
ド フィジックス）、第６９巻、（３）、頁１７４４−
１７４７、（１９９１）」に提案されている。この方法
は、紫外光による光化学反応でシリコン酸化膜を形成す
るジシラン、亜酸化窒素ガスの雰囲気中で、絶縁所望す
る箇所にＡｒＦエキシマレーザ光を照射して局所的に絶
縁膜を形成するものである。この方法で、通常配線直描
用のレーザＣＶＤに用いる可視光源とは別に、高価ラン
ニングコストの高いＡｒＦエキシマレーザを必要とする
ので、装置が大がかりで複雑となり、実用性に劣る欠点
がある。またジシランガスは空気中で自然発火するなど
危険性の高いガスであるため取扱いにも注意が必要であ
る。
【０００４】誘電体被膜形成用の液体塗布材料を可視光
を吸収する基板上にスピンコートして、可視光レーザの
照射により基板を局所的に加熱し、誘電体膜を形成する
方法が「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉ
ｅｎｃｅ Ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（ジャーナル
・オブ・バキュウーム・サイエンス・アンド・テクノロ
ジイ）、Ｂ２、（４）、頁６４１−６４４、１９８４
年、（１０月−１２月）」にＯｓｇｏｏｄ（オスグッ
ド）らにより報告されており、この方法で局所絶縁膜を
簡便に、しかも安全に形成できる可能性がある。しか
し、誘電被膜形成用の液体塗布材料は可視光に対して透
明なため、基板の熱伝導率が高い場合や、透明な基板の
場合には成膜できないという問題点がある。
を吸収する基板上にスピンコートして、可視光レーザの
照射により基板を局所的に加熱し、誘電体膜を形成する
方法が「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉ
ｅｎｃｅ Ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（ジャーナル
・オブ・バキュウーム・サイエンス・アンド・テクノロ
ジイ）、Ｂ２、（４）、頁６４１−６４４、１９８４
年、（１０月−１２月）」にＯｓｇｏｏｄ（オスグッ
ド）らにより報告されており、この方法で局所絶縁膜を
簡便に、しかも安全に形成できる可能性がある。しか
し、誘電被膜形成用の液体塗布材料は可視光に対して透
明なため、基板の熱伝導率が高い場合や、透明な基板の
場合には成膜できないという問題点がある。
【０００５】加熱により薄膜化する絶縁膜形成用原料の
溶液を基板の表面に塗布し、溶媒を除去して固化し、そ
の上に金属膜をレーザ直描を行い、その際の光加熱作用
により下部の絶縁膜形成原料を薄膜化した後、この直描
線をマスクとして、レーザ光を照射していない部分の原
料をエッチング除去するという方法が関らにより「第３
８回応用物理学会関連連合講演会予稿集５６５頁」、
「第３９回応用物理学会連連合講演予稿集５６８」に報
告されている。この方法を用いれば基板の種類に関係な
く、絶縁膜を形成できる。しかし、このような方法では
エッチングの段階で、絶縁膜及び直描配線部分が剥がれ
る等の、機械的強度劣化の問題が生じることがある。
溶液を基板の表面に塗布し、溶媒を除去して固化し、そ
の上に金属膜をレーザ直描を行い、その際の光加熱作用
により下部の絶縁膜形成原料を薄膜化した後、この直描
線をマスクとして、レーザ光を照射していない部分の原
料をエッチング除去するという方法が関らにより「第３
８回応用物理学会関連連合講演会予稿集５６５頁」、
「第３９回応用物理学会連連合講演予稿集５６８」に報
告されている。この方法を用いれば基板の種類に関係な
く、絶縁膜を形成できる。しかし、このような方法では
エッチングの段階で、絶縁膜及び直描配線部分が剥がれ
る等の、機械的強度劣化の問題が生じることがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の方法
では基板の種類に限定されることなく、機械的強度に優
れた絶縁膜を局所的に形成する機能を加えることは困難
である。
では基板の種類に限定されることなく、機械的強度に優
れた絶縁膜を局所的に形成する機能を加えることは困難
である。
【０００７】本発明の目的はこのような従来方法の課題
を解決した成膜方法を得ることにある。
を解決した成膜方法を得ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の配線形成方法
は、熱分解反応により導電成物質を析出する原料ガスの
雰囲気中に設置した基板の表面に、レーザ光を、集光し
ながら、前記基板に対して相対的に走査して配線を描画
する配線形成方法において、描画前の前記基板に絶縁性
レジスト薄膜を形成し、前記レジスト薄膜の絶縁所望部
分を、露光し、現像によりパターン化して残した後、結
線すべき配線の上部の前記レジスト薄膜をレーザ照射に
より蒸散させてのち、配線を描画することを特徴とす
る。
は、熱分解反応により導電成物質を析出する原料ガスの
雰囲気中に設置した基板の表面に、レーザ光を、集光し
ながら、前記基板に対して相対的に走査して配線を描画
する配線形成方法において、描画前の前記基板に絶縁性
レジスト薄膜を形成し、前記レジスト薄膜の絶縁所望部
分を、露光し、現像によりパターン化して残した後、結
線すべき配線の上部の前記レジスト薄膜をレーザ照射に
より蒸散させてのち、配線を描画することを特徴とす
る。
【０００９】また熱分解反応により導電性物質を析出す
る原料ガスの雰囲気中に設置した基板の表面に、レーザ
光を、集光しながら、前記基板に対して相対的に走査し
て配線を描画する配線形成方法において、描画前の前記
基板に絶縁性レジスト薄膜を形成し、結線すべき配線上
部を除いた前記レジスト薄膜の絶縁所望部分を露光し
て、現像によりパターン化したのち配線を描画すること
を特徴とする。
る原料ガスの雰囲気中に設置した基板の表面に、レーザ
光を、集光しながら、前記基板に対して相対的に走査し
て配線を描画する配線形成方法において、描画前の前記
基板に絶縁性レジスト薄膜を形成し、結線すべき配線上
部を除いた前記レジスト薄膜の絶縁所望部分を露光し
て、現像によりパターン化したのち配線を描画すること
を特徴とする。
【００１０】
【作用】半導体プロセスに用いられているレジストは塗
布・露光後、現像することによって自由自在なパターニ
ングが可能である。体積抵抗率の十分に高いレジストを
用いればパターニングしたレジスト薄膜を絶縁膜として
用いることが可能である。耐熱温度はレジストによって
異なるが通常２５０℃程度で固化し、安定となるので、
金属のレーザ直描を行っても、損傷が発生することはな
い。
布・露光後、現像することによって自由自在なパターニ
ングが可能である。体積抵抗率の十分に高いレジストを
用いればパターニングしたレジスト薄膜を絶縁膜として
用いることが可能である。耐熱温度はレジストによって
異なるが通常２５０℃程度で固化し、安定となるので、
金属のレーザ直描を行っても、損傷が発生することはな
い。
【００１１】本発明はこのようなレジストの性質を利用
して、表面上に局所的な絶縁膜形成を要するＬＳＩ等の
基板上に、絶縁性レジストを塗布し、これを感光させる
波長のレーザ光を、配線幅より大きめの所望形状に掃引
し、現像することによって局所的に絶縁膜を形成し、結
線を要する配線上にレーザアブレーションによってコン
タクトホールを形成した後、金属膜形成用原料ガス雰囲
気でレーザ直描によりコンタクトホール間に配線形成す
ることによって既存配線間を結線するものである。
して、表面上に局所的な絶縁膜形成を要するＬＳＩ等の
基板上に、絶縁性レジストを塗布し、これを感光させる
波長のレーザ光を、配線幅より大きめの所望形状に掃引
し、現像することによって局所的に絶縁膜を形成し、結
線を要する配線上にレーザアブレーションによってコン
タクトホールを形成した後、金属膜形成用原料ガス雰囲
気でレーザ直描によりコンタクトホール間に配線形成す
ることによって既存配線間を結線するものである。
【００１２】また本発明はこのような耐熱性、絶縁性等
のレジストの性質を利用して、表面上に局所的な絶縁膜
形成を要するＬＳＩ等の基板上に、絶縁性レジストを塗
布し、これを感光させる波長のレーザ光を、結線を要す
る配線上へのコンタクトホール部分を除く形状で配線幅
より大きめの所望形状に掃引し、現像することによって
局所的に絶縁膜を形成し、金属膜形成用原料ガス雰囲気
でレーザ直描によりコンタクトホール間に配線形成する
ことによって既存配線を結線するものである。
のレジストの性質を利用して、表面上に局所的な絶縁膜
形成を要するＬＳＩ等の基板上に、絶縁性レジストを塗
布し、これを感光させる波長のレーザ光を、結線を要す
る配線上へのコンタクトホール部分を除く形状で配線幅
より大きめの所望形状に掃引し、現像することによって
局所的に絶縁膜を形成し、金属膜形成用原料ガス雰囲気
でレーザ直描によりコンタクトホール間に配線形成する
ことによって既存配線を結線するものである。
【００１３】本発明においては、塗布した膜自体を感光
するので、基板の種類に関係なく成膜することができ
る。またパターニング感光、現像を通してなされるの
で、直描配線をマスクとするエッチングが必要な場合の
ように絶縁膜の機械的強度を損なうこともない。
するので、基板の種類に関係なく成膜することができ
る。またパターニング感光、現像を通してなされるの
で、直描配線をマスクとするエッチングが必要な場合の
ように絶縁膜の機械的強度を損なうこともない。
【００１４】
【実施例】以下基板上に露出した配線を越えてその両側
の配線を結線する必要のある配線修正に本発明による方
法を適用した実施例を図面を参照して詳細に説明する。
の配線を結線する必要のある配線修正に本発明による方
法を適用した実施例を図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明の方法を表す模式図である。
まず（ａ）に示す露出した配線を有するＬＳＩ基板１の
表面に、（ｂ）に示すように感光性ポリイミド膜２を、
塗布により形成した後、２５０℃にて１０分程度ベーク
した。次に（ｃ）に示すようにＡｒレーザ光１０の出射
光を絶縁膜形成部分に掃引し、現像液ＮＭＰにより現像
して（ｄ）に示すようにポリイミド膜を残した。次に結
線を要する配線３と配線４の上のポリイミド膜をパルス
レーザであるＹＡＧレーザ第２高調波６によるレーザア
ブレーションで蒸散させ、コンタクトホール７、コンタ
クトホール８を形成した。
まず（ａ）に示す露出した配線を有するＬＳＩ基板１の
表面に、（ｂ）に示すように感光性ポリイミド膜２を、
塗布により形成した後、２５０℃にて１０分程度ベーク
した。次に（ｃ）に示すようにＡｒレーザ光１０の出射
光を絶縁膜形成部分に掃引し、現像液ＮＭＰにより現像
して（ｄ）に示すようにポリイミド膜を残した。次に結
線を要する配線３と配線４の上のポリイミド膜をパルス
レーザであるＹＡＧレーザ第２高調波６によるレーザア
ブレーションで蒸散させ、コンタクトホール７、コンタ
クトホール８を形成した。
【００１６】続いて（ｅ）に示すようにタングステンカ
ルボニル中でコンタクトホール７、コンタクトホール８
間にＡｒレーザ１０を掃引することによって、直描Ｗ線
９を形成し、配線同志を結線した。感光性ポリイミド膜
２により絶縁されている直描Ｗ線９と配線５との間の堆
積抵抗率は１×１０1 6 Ω・ｃｍで十分に大きかった。
また直描時の温度上昇は高々１５０℃なのでポリイミド
膜に損傷が発生することはなかった。また本発明におい
ては長期の使用で絶縁膜、及び直描部分が剥がれたりす
ることはなく、十分に機械的強度をもった局所絶縁部分
を得ることができた。
ルボニル中でコンタクトホール７、コンタクトホール８
間にＡｒレーザ１０を掃引することによって、直描Ｗ線
９を形成し、配線同志を結線した。感光性ポリイミド膜
２により絶縁されている直描Ｗ線９と配線５との間の堆
積抵抗率は１×１０1 6 Ω・ｃｍで十分に大きかった。
また直描時の温度上昇は高々１５０℃なのでポリイミド
膜に損傷が発生することはなかった。また本発明におい
ては長期の使用で絶縁膜、及び直描部分が剥がれたりす
ることはなく、十分に機械的強度をもった局所絶縁部分
を得ることができた。
【００１７】また本発明は他の実施例として（ｂ）に続
いて（ｆ）のようにコンタクトホール１１、コンタクト
ホール１２を除く形状にＡｒレーザ１０を掃引してか
ら、（ｃ）に示すように現像し、（ｅ）に示すように直
描Ｗ配線９を形成しても、同様の特性をもった良好な局
所絶縁部分を得ることができた。
いて（ｆ）のようにコンタクトホール１１、コンタクト
ホール１２を除く形状にＡｒレーザ１０を掃引してか
ら、（ｃ）に示すように現像し、（ｅ）に示すように直
描Ｗ配線９を形成しても、同様の特性をもった良好な局
所絶縁部分を得ることができた。
【００１８】本発明においては、薄膜の形成に可視レー
ザ光を用いるため、通常の配線直描時に用いる光源、及
び光学系をそのまま利用することができ、配線修正を引
き続いて行う場合も操作性が損なわれることがない。ま
た危険な原料ガスを用いないので作業上の安全性も損な
われない。また塗布した膜自体を感光するので、基板の
種類に関係なく成膜することができる。またパターニン
グは感光、現像を通してなされるので、直描配線をマス
クするエッチングは必要なく、絶縁膜の機械的強度を損
なうこともない。
ザ光を用いるため、通常の配線直描時に用いる光源、及
び光学系をそのまま利用することができ、配線修正を引
き続いて行う場合も操作性が損なわれることがない。ま
た危険な原料ガスを用いないので作業上の安全性も損な
われない。また塗布した膜自体を感光するので、基板の
種類に関係なく成膜することができる。またパターニン
グは感光、現像を通してなされるので、直描配線をマス
クするエッチングは必要なく、絶縁膜の機械的強度を損
なうこともない。
【００１９】本発明においては、レジストはかならずし
も感光性ポリイミドに限定されるものではなく、２００
℃程度の耐熱性があり、直描に用いる光源で感光するレ
ジストであるなら、如何なるレジストでも構わない。例
えば、ＡＺレジスト、ＰＦＩ−１５Ａなども用いること
ができる。
も感光性ポリイミドに限定されるものではなく、２００
℃程度の耐熱性があり、直描に用いる光源で感光するレ
ジストであるなら、如何なるレジストでも構わない。例
えば、ＡＺレジスト、ＰＦＩ−１５Ａなども用いること
ができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の方法によれ
ば、如何なる基板上にも、容易にかつ安全に、優れた機
械的強度をもった絶縁膜を形成することができる。
ば、如何なる基板上にも、容易にかつ安全に、優れた機
械的強度をもった絶縁膜を形成することができる。
【図１】本発明の実施例を示す図である。
１ シリコンＬＳＩ基板 ２ 感光性ポリイミド膜 ３ 配線 ４ 配線 ５ 配線 ６ ＹＡＧレーザ第２高調波 ７ コンタクトホール ８ コンタクトホール ９ 直描Ｗ線 １０ Ａｒレーザ １１ コンタクトホール １２ コンタクトホール
Claims (2)
- 【請求項１】 熱分解反応により導電性物質を析出する
原料ガスの雰囲気中に設置した基板の表面に、レーザ光
を、集光しながら、前記基板に対して相対的に走査して
配線を描画前する配線形成方法において、描画前の前記
基板に絶縁性レジスト薄膜を形成し、前記レジスト薄膜
の絶縁所望部分を、露光し、現像によりパターン化して
残した後、結線すべき配線の上部の前記レジスト薄膜を
レーザ照射により蒸散させてのち、配線を描画すること
を特徴とする配線形成方法。 - 【請求項２】 熱分解反応により導電性物質を析出する
原料ガスの雰囲気中に設置した基板の表面に、レーザ光
を、集光しながら、前記基板に対して相対的に走査して
配線を描画する配線形成方法において、描画前の前記基
板に絶縁性レジスト薄膜を形成し、結線すべき配線上部
を除いた前記レジスト薄膜の絶縁所望部分を露光して、
現像によりパターン化したのちに配線を描画することを
特徴とする配線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5136344A JP2666680B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5136344A JP2666680B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 配線形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349823A JPH06349823A (ja) | 1994-12-22 |
| JP2666680B2 true JP2666680B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=15173007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5136344A Expired - Fee Related JP2666680B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2666680B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034832A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
| US8048473B2 (en) | 2006-07-04 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4756927A (en) * | 1986-05-29 | 1988-07-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for refractory metal deposition |
| JPH01278044A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-08 | Nec Corp | 配線修正方法及びその装置 |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP5136344A patent/JP2666680B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06349823A (ja) | 1994-12-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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